Questão 1 Para os materiais Isolantes, os elétrons livres da última camada estão

Ainda não fracamente ligados ao núcleo; Dessa forma, podem ser arrancados
respondida facilmente. Possuem apenas um elétron na camada de valência.

Vale 1,00 ponto(s).

Escolha uma opção:
Verdadeiro

Falso

Questão 2 Quando uma rede cristalina encontroa-se sob a temperatura de zero

Ainda não absoluto, os elétrons estão fortemente presos à camada de valência por
respondida ligações covalentes logo, o fluxo de elétrons livres não existirá.

Vale 1,00 ponto(s).

Escolha uma opção:
Verdadeiro

Falso

Questão 3 Em relação aos semicondutores, faça as associações corretas:

Ainda não
respondida Os átomos do cristal de silício, quando submetidos a
temperaturas acima do zero absoluto (-273ºC), iniciam
Vale 1,00 ponto(s).
um processo de vibração dentro do cristal na qual se
Ligação Covalente
tornam dependente dessa temperatura. Estas
vibrações podem deslocar o elétron da orbita de
valência deixando um vazio na nesta orbita;

Processo químico onde os elétrons são compartilhados

através de forças em sentidos opostos, sendo o elo de Recombinação
ligação entre as partes dos átomos.

Ocorre quando os elétrons livres que estão se

movendo aleatoriamente pelo cristal, em uma banda
chamada banda de condução, ao se aproximarem de
Lacuna
uma “vazio” são atraídos e consequentemente
capturados. Desta forma o “vazio” antes existente na
banda de valência é preenchida por um elétron livre;

Questão 4 O elétron de valência de um condutor, ou elétron situado na última

Ainda não orbital, pode ser chamado também de um:
respondida
Escolha uma:
Vale 1,00 ponto(s).
a. Núcleo;
b. Elétron Livre;

c. Elétron de Ligação;
d. Próton.
Questão 5 Em relação aos semicondutores Intrínsecos e extrínsecos:
Ainda não
respondida Considerando que um cristal de silício puro foi submetido a
uma fonte de tensão continua, podemos considerar que os
Vale 1,00 ponto(s).
elétrons se deslocam em direção ao polo positivo da fonte de Certo
alimentação, enquanto as lacunas se deslocam em direção ao
polo negativo.

Nos semicondutores Extrínsecos do tipo P as lacunas são

considerados os portadores Majoritários e os elétrons livres os Certo
portadores Minoritários.

Em um semicondutor de silício, Extrínseco, adiciona-se

impurezas pentavalentes no processo de dopagem para que
seja produzido um excesso de elétrons livres, se comparados Errado
as lacunas. Desse modo esse semiconductor se caracteriza
como um cristal tipo P.

Para ser considerado Intrínseco um semicondutor deve possuir

níveis de impurezas mínimos de forma a serem agregados ao Errado
semicondutor durante o processo de dopagem.