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INFORME PREVIO N° 7

EL AMPLIFICADOR DE EMISOR COMÚN

I. OBJETIVOS:

 Implementar un amplificador de CA con un transistor en configuración


emisor común mediante la polarización por divisor de tensión.

 Medir la ganancia de tensión de un amplificador de emisor común.

 Observar el efecto del condensador de derivación del emisor en la


ganancia del amplificador.

II. MARCO TEORICO


La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta
al punto de tierra (masa) tanto de la señal de entrada como de salida. En esta
configuración, existe tanto ganancia tanto de tensión como de corriente. En caso de tener
resistencia de emisor, (RE) debe ser mayor de 50 ohmios, y para frecuencias bajas, la se
aproxima bastante bien la impedancia de salida, por RC.

En el diagrama se ve que la base del transistor está conectada a dos resistores (R1 y R2).
Estos dos resistores forman un divisor de voltaje que permite tener en la base
del transistor un voltaje necesario para establecer la corriente de polarización de la base.
El punto de operación en corriente continua está sobre una línea de carga dibujada en la
familia de curvas del transistor.

Esta línea está determinada por fórmulas que se muestran. Hay dos casos extremos:
 Cuando el transistor está en saturación (Ic max.), que significa que Vce es
prácticamente 0 voltios y….
 Cuando el transistor está en corte (Ic = 0), que significa que Vce es prácticamente
igual a Vcc. Ver la figura.

Si se modifica R1 y/o R2 el punto de operación se modificará para arriba o para abajo en


la curva pudiendo haber distorsión. Si la señal de entrada (Vi) es muy grande, se
recortarán los picos positivos y negativos de la señal en la salida (Vo)

- Ganancia de Voltaje:

La ganancia de voltaje de un amplificador es la relación del voltaje de ca de salida al


voltaje de ca de entrada. Cuando se trata de localización de fallas, es muy útil tener una
idea sobre cual será la ganancia de voltaje. Una manera de deducir una formula simple
para la ganancia de voltaje, es sustituir el circuito por el circuito equivalente de ca; esto
significa poner en corto a tierra el voltaje de alimentación y poner en corto todos los
capacitores porque para la corriente alterna actúan como cortocircuitos en un
amplificador bien diseñado.

−𝑉𝑜
La ganancia de tensión es: 𝐴𝑣 = , donde Vo se encuentra entre los rangos de 8-9 veces
𝑉𝑖

mayor a Vi. El emisor común tiene un desfasamiento entre las tensiones de base y
colector. Esto es, conforme la señal de entrada aumenta de valor, la señal de salida
disminuye.
III. INFORME PREVIO

1. Defina los parámetros híbridos del transistor. Explique los modelos de


pequeña señal del transistor en emisor común, base común y colector común.

MODELO HÍBRIDO DEL BJT:

El modelo híbrido o equivalente híbrido del transistor es un modelo circuital que combina
impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de allí el nombre de híbrido.
La obtención de los parámetros híbridos involucrados dentro del modelo se hace en base a
la teoría de cuadripolos o redes de dos puertos.
La sustitución del símbolo del BJT por su modelo híbrido durante el análisis en c.a. permite
la obtención de ciertos valores de interés como son: la ganancia de voltaje (Av), ganancia
de corriente (Ai), impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de salida (Zo).
Estos valores dependen de la frecuencia y el símbolo circuital por sí solo no considera este
aspecto, de allí la utilidad del modelo híbrido quien si lo considera.
NOTA: los parámetros hie, hre, hfe y hoe se denominan parámetros híbridos y son
componentes de un circuito equivalente de pequeña señal que se describirá en breve. Los
parámetros que relacionan las cuatro variables se denominan parámetros “h” debido a la
palabra “hibrido”. El parámetro hibrido se selecciono debido a la mezcla de variables “V e
I” en cada ecuación, ocasiona un conjunto “hibrido” de unidades de medición para los
parámetros h.

Modelo Híbrido del BJT en Configuración Emisor Común:


El transistor BJT NPN en configuración emisor común se muestra en la figura 1.
Se observa de la figura 1 que el transistor en esta configuración es una red de dos puertos,
un puerto de entrada y un puerto de salida, por tanto puede tratarse como tal.
Una red de dos puertos en general (figura 2) se describe por el siguiente juego de
ecuaciones:
Vi = h11ii + h12 Vo
io = h21ii + h22 Vo

Las variables involucradas dentro de la red son vi, ii, vo e io y los parámetros que relacionan
estas variables son los parámetros híbridos, h.
Una analogía del BJT con la red de dos puertos general resulta en:
V BE = h11iB + h12 VCE Ecuación 1
iC = h21iB + h22 VCE Ecuación 2
El cálculo de los parámetros híbridos (h) se hace a partir del manejo de las variables.
Si Vce=0 (salida en corto) en la ecuación 1, se tiene que h11 =

Este parámetro híbrido se mide en Ω y se conoce como impedancia de entrada con salida
en corto y en BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hie.

De la ecuación 2, se tiene el cual es un parámetro hibrido sin unidades.


Conocido como relación de transferencia directa entre la corriente de salida y la corriente
de entrada, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hfe.
Si ib=0 (entrada en circuito abierto) en la ecuación 1 se tiene h12 =

Este parámetro h es adimensional y se conoce como relación de transferencia inversa de


voltajes, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hre.

De la ecuación 2, se tiene h22 = el cual es un parámetro híbrido medido en ° y se conoce


como admitancia de salida con entrada en circuito abierto, en el transistor BJT en
configuración emisor común recibe el nombre de hoe.

Las ecuaciones 1 y 2 se reescriben y quedan como:


VBE = hie iB + hre VCE Ecuación 3
iC = h fe iB + hoe VCE Ecuación 4
Cada ecuación puede representarse circuitalmente y la unión de los circuitos resultantes
corresponde al equivalente o modelo híbrido.
La ecuación 3 se representa a través de circuito en serie (malla), mientras que la ecuación
4 se representa a través de un circuito en paralelo (nodo), tal como muestra la figura 3.

La unión de los dos circuitos (Figura 4) se hace tomando en cuenta que iE = iC + iB y en c.c.
se tiene IE = IC + IB = (β + 1)I B . El valor de β medido en c.c es aproximado al valor de hfe
el cual es un parámetro híbrido medido en c.a., así: β ≅ h fe con lo que ahora i E = (hfe +
1)iB.

Los valores de hoe y hre son tan pequeños que pueden despreciarse originando un modelo
híbrido simplificado como el que se muestra en la figura 5.

El valor de vBE en hre es muy pequeño comparado con vCE, por lo que hre≈0. Este hecho
anula la fuente de voltaje dependiente hrevCE del modelo híbrido de la figura 4.
En hoe, iC<<VCE por lo que hoe resulta en una admitancia cero hoe≈0 y una admitancia nula
es equivalente a una resistencia infinita; por esta razón en el modelo híbrido simplificado
no aparece hoe.

MODELOS EN PEQUEÑA SEÑAL


Emisor común:
C1 y C2: condensadores de acoplamiento.
CE: condensador de desacoplo de RE2
Circuito de polarización

Recta de carga estática

Punto de trabajo

Equivalente de pequeña señal


Caso particular RE1 = 0

Caso particular sin CE

Recta de carga dinámica

 Recta de carga en pequeña señal:

 Las componentes de señal se encuentran superpuestas a las de continua:

 Recta de carga dinámica:

Punto de máxima excursión simétrica


 La máxima amplitud de oscilación se obtiene cuando el punto de trabajo está
centrado en la recta de carga dinámica:

 Punto de máxima excursión simétrica (ICmes, VCEmes)

Colector Común:

No es necesaria RC para la polarización del transistor ni para el buen funcionamiento del


amplificador.

Punto de máxima excursión simétrica


Base Común:

Punto de máxima excursión simétrica:

2. Analizar el circuito de la figura 7.1 según lo indicado en el procedimiento


a) Conectar el circuito mostrado en la figura siguiente. No conectar el generador de señales V1
ni el potenciómetro R5.

b) Hallar los valores de IB, IC, IE, VB, VE, VC y VCE. Anotar en la tabla 1.

Descripción Teórico
IB 1.20 μA
IC 0.24 mA
IE 0.24 mA
VB 0.94V
VE 0.24 V
VC 12.6 V
VCE 11.66 V
Tabla 1. Mediciones Teóricas