“UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS”

“FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA”

INFORME PREVIO
PROFESOR:
Alva Saldaña, Víctor
CURSO:
Laboratorio de Circuitos Electrónicos II
TEMA:
Respuesta en alta frecuencia de un amplificador de
una sola etapa
ALUMNOS:
Torres Guerreros, Ricardo

FECHA:
23 de Mayo de 2018
I. OBJETIVOS

 Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de

audio

II. MARCO TEORICO

La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con transistores está fijada por
los condensadores internos y las constantes de tiempo asociadas.
En general, se hará la suposición de que la respuesta en frecuencia viene
fijada por un POLO DOMINANTE. De esta manera, el análisis en alta
frecuencia se reduce al cálculo de la frecuencia de corte superior asociada a
este polo dominante. 9
El cálculo del polo dominante se realizará aplicando el MÉTODO DE LAS
CONSTANTES DE TIEMPO EN CIRCUITO ABIERTO.
Método de las Constantes de Tiempo en Circuito Abierto.
Dónde:
Ci son cada uno de los condensadores que actúan en alta frecuencia:
Condensadores intrínsecos a los dispositivos (circuito equivalente), o
condensadores pequeños de característica paso-bajo introducidos para
controlar la respuesta en frecuencia del circuito.

R0i es la impedancia que ve cada uno de los condensadores con el resto EN

CIRCUITO ABIERTO
Para reproducir el ancho de banda audible se debe utilizar tres parlantes ya
que un solo parlante no puede emitir las frecuencias todo el ancho de
banda audible. Para esto se suele utilizar divisores de frecuencias o
crossover

Muchos fabricantes, en lugar de usar sólo las audiofrecuencias, para

proteger a los amplificadores de perturbaciones supra sónicas o subsónicas,
lo que hacen es medir la respuesta en frecuencia para una banda de
frecuencias superior (generalmente de 12 a 40.000 Hz). En este caso una
respuesta en frecuencia óptima debe estar en torno a 3 dB por encima (+ 3
dB) o por abajo (- 3 dB).
Consideramos a los condensadores de acoplamiento, C1 y C2, y desacoplo
CE en cortocircuito.
.
III. CUESTIONARIO

1. Definir rbb´ , rb´e, rb´c, rce, cb´e, cb´c,gm,fβ,ft.

rbb´: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro h, hie,

que es la resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido π, esta se
denomina a menudo como rπ si se aplica un corto circuito entre el emisor y
colector, se obtiene:
𝒉𝒊𝒆 = 𝒓𝝅 = 𝒓𝒃𝒃´ + 𝒓𝒃´𝒆//𝒓𝒃´𝒄

rb´e: La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima por

medio de la razón;

rb´c: Resistencia de retroalimentación, rce ; resistencia de salida del transistor

cb´e y cb´c; son las capacitancias parasitas del transistor. cb´c es la capacitancia
de la unión colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele
considerarse constante en una región de operación particular del transistor. La
capacitancia cb´e, la cual es capacitor base- emisor. El valor de este capacitor
aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta capacitancia es la suma de la
capacitancia de difusión del emisor y la capacitancia de la unión del emisor.
Debido a que el primer capacitor es el mas grande de los dos, cb´e es
aproximadamente iguala la capacitancia de difusión (conocida también como
capacitancia de carga de la base).

fβ y ft: son frecuencias características, f B es la frecuencia para cuando

el factor de ganancia del transistor empieza a variar. Ft es la frecuencia
máxima de operación del transistor se da cuando la ganancia es igual a cero.

2. En el circuito del experimento, de acuerdo al modelo π del transistor en

altas frecuencias, encontrar una expresión para fb/ft.
Modelo Hibrido

Sabemos por definición que:

Entonces tenemos la división:

 3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci,Co,Ce, mostrando los circuitos
equivalentes:

Para la respuenta en alta frecuencia se considera Ci, C0 y C3 en cortocircuito por lo

que tendremos:

IV. PROCEDIMIENTO
1. Realice la simulación del sistema con el fin de hallar el punto de trabajo.
Determine la Gancia de tensión a frecuencias medias

Vceq (V) Icq (mA) Av

Valor calculado 7.85 1.89 5.18
Valor simulado 7.39 2.15 4.85

2. Implemente el circuito mostrado. Establesca como señal de salida del

generador a 10KHz , con el mayor nivel de amplitud sin distorsion.

3. Con el fin de determinar la frecuencia de corte superior complete:

Completar la tabla. Notando que el punto de corte inferior se produce a una

frecuencia en que la ganancia (Av) alcanza 0.707 de su valor máximo

50Hz 100Hz 500Hz 1kHz 10kHz 100kHz

Vi 19mv 17mv 14.1mv 13.9mv 13.7mv 8.67mv
Vo 545mv 619mv 632mv 620mv 618mv 380mv
Av 27.78 38.23 47.04 44.6 45.1 43.82

200KHz 500kHz 700kHz 1MHz 2MHz 5MHz

Vi 6.35mv 5.33mv 5.51mv 5.72mv 5.68mv 5.38mv
Vo 259mv 162mv 127mv 110mv 61.1mv 45.2mv
Av 40.78 30.39 23.04 19.73 10.75 8.4
V. CONCLUSIONES
 A altas frecuencias aparecen las capacidades parasitas del transistor cb´e,
cb´c, cce.

 La mejor manera de poder realizar el análisis en alta frecuencia es

utilizando el modelo de parámetro hibrido (π), puesto que aparecen los
parámetros deseados.

 Cuando la salida del amplificador cae en 0.707 de su valor en frecuencias

medias, observamos que se da a cierta frecuencia y en ese momento
ocurre la caída del ancho de banda hasta un valor casi nulo

 Cuando el condensador que se encuentra en una parte de la resistencia del

emisor lo conectamos a toda la resistencia del emisor, obtenemos una
máxima amplificación del circuito, lo cual nos da un amplificador con mayor
rango de amplificación, de tal manera si queremos que amplifique menos,
disminuiremos el valor de la resistencia que se

VI. REFERENCIAS BIBIOGRAFICAS

 Respuesta en frecuencia de Amplificadores, Huircan J.Carrillo R.

 Circuitos Microelectrónicos, Rashid&Thompson

 Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, Robert Boylestad

 Principios de Electrónica, Malvino Bates