UNIVERSIDAD NACIONAL DEL

CALLAO
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y
ELECTRONICA

CURSO: Dispositivos y Componentes Electrónicos

TEMA: Transistor de potencia
TRABAJO: Laboratorio Nº6
CICLO: III
DOCENTE: Apesteguia Infantes, Juan
INTEGRANTES:
 Vilchez Juarez, Elvis David (1613125167)
 Rivero Ticona, Renzo Jeanpierre (1623115395)
 Tapia Pandia, Hugo (1613125229)
 Cabrera Sánchez, José Pedro ( 1623125452)
 Valverde Ortega, Raul Oscar (1623125953)

2018
INTRODUCCIÓN
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Actualmente se les encuentra prácticamente en todos los enseres
domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de
audio y video, hornos de microondas, lavadoras, entre otras.

El transistor consta de un sustrato(usualmente silicio) y tres partes dopadas

artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores(base).

Los transistores de potencia tienen características controladas de

encendido y apagado. Los transistores que se utilizan como elementos de
conmutación, se operan en la región de saturación y producen una pequeña
caída de voltaje en el estado de encendido. La velocidad de conmutación
de los transistores modernos es mucho mayor que la de los tiristores y se
emplean fercuentemente en convertidores cd-cd y cd-ca, con diodos
conectados en paralelo inversopara proporcionar flujo bidireccional de
corriente. Sin embargo, sus especificaciones nominales de voltaje y
corriente son menores que las de los tiristores y normalmente los
transistores se emplean en aplicaciones de baja a mediana potencia, por
tanto se puede considerar a los BJT, MOSFET, SIT, IGBT como interruptores
ideales para explicar las técnicas de conversión de potencia.
OBJETIVOS
 Familiarizarse con los transistores, la identificación de sus terminales
y la forma como se emplean en circuitos prácticos.
 Establecer el funcionamiento de diferentes circuitos de polarización
y comprobar las características de los transistores.
 Conocer su composición, y su funcionamiento.
 Saber identificar un transistor en un circuito electrónico.
DESARROLLO
Con el transistor BC548 octenemos algunos datos y luego hallamos los
mismos datos en el proteus.

N° de
𝑽1 𝑰𝑩(µ𝑨) 𝑽𝑩𝑬(𝑽) 𝑰𝑪(𝒎𝑨) 𝑽𝑪𝑬(𝑽) 𝜷 = 𝑰𝑪/𝑰B
mediciones
1 1.4 38 0.63 0.02 0.01 0.52
2 2.4 86.3 0.67 0.43 0.04 4.98
3 3.6 144 0.71 2.53 0.12 17.56
4 4.8 203 0.73 4.76 0.2 23.44
5 6 262 0.75 7.02 0.29 26.79
6 7.2 322 0.76 9.23 0.33 28.66
7 8.4 381 0.77 11.3 0.41 29.65
8 9.6 441 0.78 13.6 0.47 30.83
9 10.8 500 0.79 16.01 0.57 32.02
10 12 560 0.80 18.1 0.62 32.32

Hallamos los datos con la simulación en el proteus y luego comparamos.

FOTOS DEL PROYECTO
CUESTIONARIO
Tabla para el BC548

N° de
𝑽1 𝑰𝑩(µ𝑨) 𝑽𝑩𝑬(𝑽) 𝑰𝑪(𝒎𝑨) 𝑽𝑪𝑬(𝑽) 𝜷 = 𝑰𝑪/𝑰B
mediciones
1 1.4 38 0.63 0.02 0.01 0.52
2 2.4 86.3 0.67 0.43 0.04 4.98
3 3.6 144 0.71 2.53 0.12 17.56
4 4.8 203 0.73 4.76 0.2 23.44
5 6 262 0.75 7.02 0.29 26.79
6 7.2 322 0.76 9.23 0.33 28.66
7 8.4 381 0.77 11.3 0.41 29.65
8 9.6 441 0.78 13.6 0.47 30.83
9 10.8 500 0.79 16.01 0.57 32.02
10 12 560 0.80 18.1 0.62 32.32

Trazamos las curvas con los valores obtenidos:

𝑰𝑪 − 𝑽𝑪𝑬
0.7

0.6

0.5

0.4
𝑽𝑪𝑬 (𝑽)

0.3

0.2

0.1

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
𝑰𝑪(𝒎𝑨)
𝑰𝑩 − 𝑽𝑩𝑬
0.9

0.8

0.7

0.6

0.5
𝑽𝑩𝑬(𝑽)

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 100 200 300 400 500 600
𝑰𝑩(µ𝑨)
CONCLUSIONES
 Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran
medida, eldiseño de los circuitos electrónicos. Se puede comentar
que con el invento de estosdispositivos han dado un giro enorme a
nuestras vidas, ya que en casi todos los aparatoselectrónicos se
encuentran presentes.
 El material con que están hechos los transistores tiene la propiedad
que puede acelerar gradualmente el movimiento de los electrones
por medio de una corriente eléctrica.
 Los transistores que se utilizan como elementos de conmutación, se
operan en la región de saturación y producen una pequeña caída de
voltaje en el estado de encendido.
 Se puede considerar a los BJT, MOSFET, SIT, IGBT, como interruptores
ideales para las técnicas de conversión de potencia.