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CRECIMIENTO DE LAS OBLEAS

El silicio se produce naturalmente en las formas de dióxido de silicio y diversos silicatos.


Sin embargo, debe someterse a una serie de pasos de purificación para convertirse en un
material monocristalino de alta calidad, sin defectos, requerido para la fabricación de
dispositivos semiconductores. El proceso se inicia calentando sílice y carbono juntos en un
horno eléctrico, que produce un silicio policristalino con un grado de pureza de 95% a 98%.
Este material se convierte en una forma alternativa, que a su vez se purifica y descompone
en una atmósfera de hidrógeno de alta temperatura. El producto resultante es silicio de
grado electrónico (EGS, por sus siglas en inglés), de muy alta calidad.
Las obleas de silicio se producen de lingotes de silicio mediante una secuencia de
operaciones de maquinado y acabado, como se muestra en la figura 1. Se maquina una
muesca o plano en el cilindro de silicio para identificar su orientación cristalina, como
puede verse en la figura 1b.
Figura 1. Operaciones de acabado en un lingote de silicio para producir obleas: (a)
aserrado de los extremos del lingote; (b) rectificado del extremo y de las superficies
cilíndricas de un lingote de silicio; (c) maquinado de una muesca o superficie plana; (d)
rebanado de obleas; (e) rectificado frontal de obleas; (f) pulido químico-mecánico de
obleas..

DEPOSICION DE PELICULAS
En el procesamiento de dispositivos microelectrónicos se utilizan películas de diversos
tipos, en particular aislantes y conductoras. Por lo común, las películas depositadas
incluyen polisilicio, nitruro de silicio, dióxido de silicio, tungsteno, titanio y aluminio. En
algunos casos, las obleas sólo sirven como soporte mecánico en el que se hacen crecer
capas epitaxiales especiales.
Epitaxia. Definida como el crecimiento de un depósito de vapor, la epitaxia o
electrodepósito se produce cuando la orientación de los cristales del depósito se relaciona
directamente con la orientación de los cristales en el sustrato cristalino subyacente. Las
ventajas de procesar estas películas depositadas en lugar de la superficie real de la oblea
incluyen: menos impurezas (de manera notable, carbono y oxígeno), mejor desempeño del
dispositivo y adaptación de las propiedades del material (que no se puede realizar en las
propias obleas).
Algunas funciones principales de las películas depositadas son el enmascaramiento
(masking) y la protección de la superficie de los semiconductores. En las aplicaciones de
enmascaramiento, la película debe inhibir de manera efectiva el paso de dopantes y al
mismo tiempo mostrar capacidad para ser atacada y adquirir la forma de patrones de alta
resolución. Al concluir la fabricación de los dispositivos, se aplican películas a fin de
proteger los circuitos subyacentes. Las películas utilizadas para enmascaramiento y
protección incluyen dióxido de silicio, vidrio de fosfosilicato (PSG, por sus siglas en
inglés) y nitruro de silicio. Cada uno de estos materiales tiene distintas ventajas y con
frecuencia se usan combinados.
Figura 2: Esquemas de diversos empaques IC. a) Empaque dual en línea(DIP); b) empaque plano, cerámico;
c) configuraciones comunes de montaje de superficie; d) arreglos de rejillas esféricas. (Manufactura,
Ingenieria y Tecnologia, 5ta Edicion. S. Kalpakjian & Schmid)

Aunque los BGA se pueden diseñar hasta con 1000 conexiones, es muy poco común y, por
lo general, son suficientes de 200 a 300 conexiones para las aplicaciones de demanda. Al
utilizar la soldadura de reflujo, la soldadura sirve para centrar el BGA por tensión
superficial, lo que produce conexiones eléctricas bien definidas para cada esfera. La
tecnología de chip invertido (FCT, por sus siglas en inglés) se refiere al procedimiento de
sujeción de arreglos de rejilla esférica y se ilustra en la figura3. El encapsulado final con
epóxico es necesario no sólo para una sujeción más segura del empaque del IC a la tarjeta
de circuitos impresos, sino también para transferir calor de modo uniforme durante su
operación.
Las películas conductoras se utilizan principalmente para conectar dispositivos. Estas
películas deben tener baja resistividad y capacidad de transportar grandes corrientes,
además de ser adecuadas para conexión en las terminales de conexión empacadas con
uniones de cable. Por lo general, el aluminio y el cobre se emplean en este propósito. La
creciente complejidad de los circuitos ha requerido hasta seis niveles de capas conductoras,
las cuales deben separarse en su totalidad con películas de aislamiento.
Deposición de película. Las películas pueden depositarse utilizando muchas técnicas, que
comprenden varias presiones, temperaturas y sistemas de vacío, como se describe a
continuación:
 Uno de los métodos más simples y antiguos es la evaporación, que se utiliza
principalmente para depositar películas metálicas. En este proceso, el metal se
calienta en vacío hasta su punto de vaporización. Una vez vaporizado, forma una
capa delgada sobre la superficie del sustrato. Por lo general, el calor requerido para
la evaporación se genera con un filamento de calentamiento o haz de electrones.
 Otro método de deposición metálica es el chisporroteo (pulverización catódica), que
comprende el bombardeo de un objetivo con iones de alta energía (por lo general,
argón, 𝐴𝑟 + ) en vacío. Los sistemas de chisporroteo suelen incluir una fuente de
potencia de CD para producir los iones energizados. Cuando éstos chocan con el
objetivo, se extraen átomos que luego se depositan en obleas montadas dentro del
sistema. Aunque parte del argón puede quedar atrapado en la película, el
chisporroteo produce una cubierta muy uniforme. Los avances en este campo
incluyen el uso de una fuente de potencia de radiofrecuencia (chisporroteo RF) y la
introducción de campos magnéticos (chisporroteo con magnetrón).
 En una de las técnicas más comunes, la deposición química de vapor (CVD, por sus
siglas en inglés), la deposición de películas se logra por medio de la reacción o
descomposición de compuestos gaseosos. Con esta técnica, el dióxido de silicio se
deposita normalmente mediante la oxidación de silano o clorosilano. En la figura 2a
se muestra un reactor de CVD continuo que opera a presión atmosférica. Un método
similar que opera a presiones menores se conoce como deposición química de vapor
de baja presión (LPCVD, por sus siglas en inglés) y se muestra en la figura 2b.
Capaz de recubrir cientos de obleas al mismo tiempo, este método hace posible una
capacidad de producción mucho mayor que la de la CVD de presión atmosférica y
proporciona una mayor uniformidad a la película con un consumo menor de gases
portadores. Es común que este método se utilice para depositar polisilicio, nitruro de
silicio y dióxido de silicio.
 La deposición química de vapor mejorada con plasma (PECVD) comprende el
procesamiento de obleas en un plasma de RF que contiene los gases fuente. Este
método tiene la ventaja de mantener una temperatura baja en la oblea durante la
deposición.
Figura3. Diagramas de (a) reactor continuo de CVD de presión atmosférica, y (b) CVD de baja presión.
Fuente: S. M. Sze.

Las capas de epitaxia de silicio (en las que la capa cristalina se forma utilizando el sustrato
como un cristal semilla) se pueden hacer crecer mediante diversos métodos. Si el silicio se
deposita desde la fase gaseosa, el proceso se conoce como epitaxia de fase vapor (VPE, por
sus siglas en inglés). En otra variación, el sustrato caliente entra en contacto con una
solución líquida que contiene el material a depositarse, llamado epitaxia de fase líquida
(LPE, por sus siglas en inglés). Otro proceso al alto vacío utiliza evaporación para producir
un haz térmico de moléculas que se depositan en el sustrato calentado. Conocido como
epitaxia de haz molecular (MBE, por sus siglas en inglés), este proceso produce un grado
muy alto de pureza. Además, debido a que las películas se hacen crecer a una capa atómica
a la vez, se puede tener un control excelente sobre los perfiles de dopaje. Este nivel de
control es importante en la tecnología del arseniuro de galio. Por desgracia, el proceso de
MBE posee velocidades de crecimiento relativamente bajas en comparación con otras
técnicas de deposición de película.