Folleto Electronica de Potencia 201810

Universidad de las Fuerzas
Armadas ESPE
Departamento de Eléctrica y
Electrónica
Folleto de Electrónica de Potencia
201810
Ing. Víctor Proaño
Rectificadores
Vı́ctor Proaño
April 17, 2017
1 Introducción
Los Rectificadores convierten la energı́a eléctrica AC en DC. Una posible clasificación
de los rectificadores es: de media onda, rectificadores de onda completa monofásicos,
rectificadores trifásicos. En los esquemas de los rectificadores se puede reemplazar los
diodos por Tiristores para convertir los esquemas en rectificadores controlados. Para
el análisis de los rectificadores se debe considerar el tipo de carga. La carga puede
ser puramente resistiva o con un filtro capacitivo (carga RC), una carga RL(ejemplo un
motor DC detenido) o una carga RLE (ejemplo un motor DC en movimiento). El análisis
de los circuitos busca obtener los parámetros que definen la calidad de la conversión, la
eficiencia del circuito, la potencia transferida, las corrientes y voltajes que soportan
los elementos semiconductores del circuito. Para la calidad de la conversión de los
rectificadores el parámetro más adecuado es el rizado. La potencia útil transferida por
el circuito rectificador es una potencia de DC por tanto se calcula mediante el producto de
los valores DC de voltaje y corriente. La eficiencia del circuito convertidor corresponde a
la relación entre la potencia de salida y la potencia de entrada. Un parámetro importante
de los rectificadores es el factor de potencia que define la calidad de la transmisión
de la energı́a desde la fuente hacia la carga y que es afectado por la presencia de los
armónicos causados por la no linealidad de los elementos semiconductores que integran
los convertidores.
1.1 Parámetros generales de los Rectificadores
Denominación Sı́mboloFórmula de cálculo

1
R 2π
Valor medio Idc Idc = 2π i(wt) d(wt) ,
0
r
2π
R
Valor rms Irms Irms = 2π 1
i2 (wt) d(wt)
0
1
R 2π
Potencia media P P = 2π 0 vi d(wt)
factor de potencia fP fP = P/S
Potencia aparente S S = Vrms Irms
Table 1: Parámetros generales de los rectificadores
1
EJERCICIOS
Determine el valor medio, valor rms de las formas de onda que se muestran en las
figuras. Determine la potencia media si la forma de onda corresponde a un voltaje y se
aplica a una resistencia de valor R. Calcule el factor de potencia.
2 Rectificador de media onda con carga RL

Se presentan dos intervalos de funcionamiento que están definidos por la conducción o
apertura del diodo. El diodo conduce durante un intervalo de tiempo 0 < wt < β. El
ángulo β se llama ángulo de extinción y permite caracterizar la corriente y voltaje que
soporta el diodo y definir el rizado de corriente en la carga.
2
Circuito y formas de onda Ecuaciones
β sin(β − θ) + sin(θ)e−β/wτ = 0,
p
Z Z= R2 + (wL)2 ,
θ θ = tan−1 (wL/R)
τ τ = L/R
(
sin(wt − θ) + sin(θ)e−wt/wτ si 0 ≤ wt ≤ β;
in in (wt) =
0, si β ≤ wt ≤ 2π;
i(wt) i(wt)= Vm in (wt)

Z
r R
β
Irms Irms = 1
i2 (wt) d(wt)
2π 0
Rβ
Idc 1
Idc = 2π i(wt) d(wt)
0
Table 2: Rectificador de media onda con carga RL
EJERCICIOS
Determine la expresión de la corriente que circula por un circuito Rectificador de
media onda alimentado por una fuente de 120V , 60Hz con carga a) R = 100Ω y L =
10mH, b) R = 100Ω y L = 100mH, c) R = 100Ω y L = 1000mH. Analice el efecto de
la variación de la inductancia.
3 Rectificador de media onda con filtro capacitivo

apertura del diodo. El diodo conduce durante un pequeño intervalo de tiempo α < wt <
θ. El cálculo de estos ángulos permite caracterizar la corriente y voltaje que soporta el
diodo y definir el rizado de voltaje en la carga. Para calcular el rizado del voltaje y la
corriente pico del diodo se utiliza el ángulo de inicio de conducción α y el ángulo de fin
de conducción θ.
3
Circuito Ecuaciones
α sin(α) − sin(θ)e−(2π+α−θ)/(wRC) = 0,
θ θ = −tan−1 (wRC) + π,
ID,pico ID,pico = wCVm cos(α) + Vm sin(α)/R
∆V0 ∆V0 = Vm − Vm sin(α)
aproximación si RC >> 1/w
θ θ = π/2
∆V0 ∆V0 = Vm /(f RC)
Table 3: Rectificador de media onda con filtro capacitivo
EJERCICIOS
Determine el valor de la corriente pico en el diodo y el rizado de voltaje en un
circuito Rectificador de media onda con filtro capacitivo alimentado por una fuente de
120V 60Hz, a) R = 100Ω y C = 10µF , b) R = 100Ω y C = 100µF , c) R = 100Ω y
C = 1000µF . Analice el efecto de la variación de la capacitancia.
4 Rectificador controlado de media onda con carga RL

apertura del tiristor. El SCR conduce durante un intervalo de tiempo α < wt < β. Los
ángulos α y β permiten caracterizar la corriente y voltaje que soporta el SCR y definir
los valores RMS y DC del voltaje y corriente en la carga.
4
β sin(β − θ) − sin(α − θ)e(α−β)/wτ = 0,

p
Z Z= R2 + (wL)2 ,
τ τ = L/R
(
sin(wt − θ) − sin(α − θ)e(α−wt)/wτ si α ≤ wt ≤ β;
in (wt) =
0, si β ≤ wt ≤ 2π;

Z
r R
β
Irms Irms = 1
i2 (wt) d(wt)
2π α
Rβ
Idc 1
α
Table 4: Rectificador controlado de media onda con carga RL
EJERCICIOS
Determine la expresión de la corriente que circula por un circuito Rectificador de
media onda alimentado por una fuente de 120V , 60Hz con carga a) R = 100Ω , L =
10mH y α = 90◦ , b) R = 100Ω,L = 100mH y α = 90◦ , c) R = 100Ω ,L = 1000mH y
α = 90◦ . Analice el efecto de la variación de la inductancia. Determine Irms e Idc en
cada caso.
5 Rectificador de onda completa con filtro capacitivo

apertura del diodo. El diodo conduce durante un pequeño intervalo de tiempo α < wt <
θ. El cálculo de estos ángulos permite caracterizar la corriente y voltaje que soporta
cadal diodo y definir el rizado de voltaje en la carga. Para calcular el rizado del voltaje
y la corriente pico de los diodos se utiliza el ángulo de inicio de conducción α y el ángulo
de fin de conducción θ.
5
Circuito Ecuaciones
α sin(α) − sin(θ)e−(π+α−θ)/(wRC) = 0,
θ θ = −tan−1 (wRC) + π,
ID,pico ID,pico = wCVm cos(α) + Vm sin(α)/R
∆V0 ∆V0 = Vm − Vm sin(α)
Aproximación si RC >> 1/w
θ θ = π/2
∆V0 ∆V0 = Vm /(2f RC)
Table 5: Rectificador de onda completa con filtro capacitivo
EJERCICIOS
Determine el valor de la corriente pico en el diodo y el rizado de voltaje en un
circuito Rectificador de onda completa con filtro capacitivo alimentado por una fuente
de 120V 60Hz, a) R = 100Ω y C = 10µF , b) R = 100Ω y C = 100µF , c) R = 100Ω y
C = 1000µF . Analice el efecto de la variación de la capacitancia.
6 Rectificador controlado de onda completa con carga RL modo dis-

continuo
Se presentan dos intervalos de funcionamiento que están definidos por la conducción
o apertura de cada trayectoria de tiristores. Cada par de SCRs conduce durante un
intervalo de tiempo α < wt < β. Los ángulos α y β permiten caracterizar la corriente y
voltaje que soportan los SCR y definir los valores RMS y DC del voltaje y corriente en
la carga.
6
β β < α + π, para asegurar modo discontinuo

p
Z Z= R2 + (wL)2 ,
τ τ = L/R
(
sin(wt − θ) − sin(α − θ)e(α−wt)/wτ si α ≤ wt ≤ β;
in (wt) =
0, en otro caso ;

Z
r R
β
Irms Irms = 1
i2 (wt) d(wt)
2π α
Rβ
Idc 1
α
Table 6: Rectificador controlado de onda completa con carga RL modo discontinuo
EJERCICIOS
Identifique si el circuito trabaja en modo discontinuo. Si el modo es discontinuo
determine la expresión de la corriente que circula por el circuito Rectificador controlado
de onda completa alimentado por una fuente de 120V , 60Hz con carga a) R = 100Ω ,
L = 10mH y α = 90◦ , b) R = 100Ω,L = 100mH y α = 90◦ , c) R = 100Ω ,L = 1000mH
y α = 90◦ . Analice el efecto de la variación de la inductancia.
7 Rectificador controlado de onda completa con carga RL modo con-

tinuo
El análisis del circuito considera que la tensión en la carga corresponde a la tensión
de un rectificador de onda completa, La corriente está definida por la sumatoria de los
componentes de corriente de Fourier de frecuencia fundamental y los armónicos.
7
α α < θ, para asegurar modo continuo
p
Zn Zn = R2 + (nw0 L)2 , n=1,2,3,..
∞
P
v0 (wt) v0 (wt) = V0 + Vn cos(nw0 t + θn )
n=1
V
V0 V0 = πm cos(α)
p
Vn Vn = a2n + b2n
h i
2V cos(n+1)α cos(n−1)α)
an an = πm n+1 − n−1
h i
2V sin(n+1)α sin(n−1)α)
bn bn = πm n+1 − n−1 ,n =
2, 4, 6, ...
s
∞ 2
In
I02
P
Irms Irms = + √
2
n=2,4,6...
V0
Idc Idc = I0 = R
V Vn
In In = Zn =√ 2 2
n R +(nw 0 L)
Table 7: Rectificador controlado de onda completa con carga RL modo continuo
EJERCICIOS
Identifique si el circuito trabaja en modo continuo. Si el modo es continuo determine
la expresión de la corriente que circula por el circuito Rectificador controlado de onda
completa alimentado por una fuente de 120V , 60Hz con carga a) R = 100Ω , L = 10mH
y α = 90◦ , b) R = 100Ω,L = 100mH y α = 90◦ , c) R = 100Ω ,L = 1000mH y α = 90◦ .
Analice el efecto de la variación de la inductancia.
8
8 Rectificador trifásico
Para el análisis del circuito se identifica la parte superior y la parte inferior del puente
trifásico. De la parte superior conduce el diodo cuyo ánodo está conectado a la fase
de mayor voltaje en ese instante de tiempo. De la parte inferior conduce el diodo cuyo
cátodo está conectado a la fase de menor voltaje en ese instante de tiempo. El voltaje
de salida es uno de los voltajes linea linea de la fuente. El voltaje que aparece en la
carga es siempre el mayor de los voltajes linea-linea en cada instante. En el circuito se
producen seis trancisiones en cada perı́odo de la fuente de voltaje por lo que el circuito
se llama rectificador de seis pulsos. La frecuencia fundamental del voltaje de salida es
6w donde w es la frecuencia de la fuente de alimentación trifásica.
9
Ecuaciones
ID,dc ID,dc = 13 I0,dc
ID,rms ID,rms = √1 I0,rms

3
q
Is,rms 2
Is,rms = 3 I0,rms
∞
P
v0 (wt) v0 (wt) = V0 + Vn cos(nw0 t + π)
n=6,12,18,...
Vm,L−L
V0 V0 = = 0.955Vm,L−L
π
√
S S= 3VL−L,rms Is,rms
V0
Idc Idc = I0 = R
V Vn
In In = Zn =√ 2 2
n R +(nw 0 L)
Si se considera una corriente dc pura en la salida, entonces

√
2 3
cos(w0 t − 15 cos5w0 t + 17 cos7w0 t − 1 1

ia ia = π I0 11 cos11w0 t + 13 cos13w0 t + ...
Table 8: Rectificador trifásico
EJERCICIOS
Considere un circuito Rectificador trifásico de Vrms,L−L = 220V y la carga es una
resistencia de 25Ω en serie con una resistencia de 50mH.Determine a) el valor dc del
voltaje de salida, b) la componente dc y el primer término de la corriente en la carga,
c) el valor medio y rms de la corriente en los diodos, d) la corriente rms de la fuente, y
e) la potencia aparente desde la fuente.
Considere los esquemas a), b) y c) del Rectificador no controlado. Identifique el intervalo
de tiempo en que conducen D4 y D5 a la vez. Determine la tensión que aparece en
D3 durante este intervalo. Determine la tensión que aparece en la carga durante este
intervalo.
10
9 Rectificador trifásico controlado
Si se reemplaza los diodos del rectificador trifásico se tiene el Rectificador trifásico con-
trolado. Con los SCR la conducción inicia cuando una señal de compuerta es aplicada
al SCR cuando está polarizado directamente. Enonces la trancisión del voltaje de salida
hacia el valor instantáneo lı́nea-lı́nea máximo puede retardarse. El angulo de retardo α
se referencia respecto del punto donde el SCR se pondrı́a en conducción si fuera diodo.
El ángulo de retardo es el intervalo entre el instante que el SCR es polarizado directa-
mente y cuando la señal de compuerta es aplicada.
11
Ecuaciones
3Vm,L−L
V0 V0 = cos(α)
π
Table 9: Rectificador trifásico controlado
EJERCICIOS
Considere un circuito Rectificador trifásico de Vrms,L−L = 220V y la carga es una re-
sistencia de 25Ω en serie con una resistencia de 50mH.Determine a) el ángulo de retardo
requerido para producir una corriente promedio de 20A en la carga, b) la amplitud de
los armónicos de corriente para n=6 y n=12. Referirse a la figura 1
Figure 1: Armónicos normalizados del voltaje de salida como función del ángulo de
retardo
12
Elementos de la Electrónica de Potencia
Vı́ctor Proaño
26 de octubre de 2016
1. Diodo de potencia
Figura 1: Juntura PN mostrando portadores mayoritarios
Esta lectura es un corto resumen de lo que está ocurriendo dentro del diodo y una
descricpión del proceso de conmutación. Se cubrirá la recuperación inversa y los meca-
nismos básicos que gobiernan la conmutación de los diodos. En la figura 1 se muestra un
tipo de diodo de juntura PN. Se tiene un material dopado con impurezas tipo P en el
lado izquierdo de la juntura, y material dopado con impurezas tipo N en el lado derecho.
El material dopado con impurezas tipo N significa que se ha dopado la estructura de
silicio con impurezas que proveen electrones adicionales o extra a la estructura. Estos
electrones tienen estados de energı́a altos y son capaces de conducir corriente fácilmente
saltando de un átomo al siguiente. A éstos electrones se los llama portadores mayorita-
rios en el material N. De forma similar en el material P se tiene portadores mayoritarios
huecos que pueden fácilmente conducir corriente y saltar desde un átomo al siguiente.
Cuando estos dispositivos están a una temperatura razonable, tal como la temperatu-
ra ambiente, la energı́a térmica de los portadores mayoritarios los hace rebotar alrededor
dentro de la estructura. Podemos pensar como que tienen unas vibraciones térmicas in-
ducidas o saltos o rebotes alrededor. En la juntura PN lo que sucede luego es lo que
se conoce como la formación de la región de agotamiento. Y esto sucede debido a que
cuando los portadores mayoritarios están rebotando alrededor, tienden a difundirse en
la dirección hacia donde hay una concentración reducida. Ası́ que justo en la juntura
1
se tiene una alta concentración de huecos en el lado izquierdo y una alta concentración
de electrones en el lado derecho. Lo que sucede es que la energı́a térmica causará que
los portadores mayoritarios se difundan hacia la región de concentración reducida. Ver
figura 2
Figura 2: Difusión de los portadores mayoritarios hacia la menor concentración
Ası́ que los electrones se difundirán desde la derecha a la izquierda a través de la

juntura y los huecos se difundirán desde la izquierda a la derecha. Cuando los portadores
mayoritarios se difunden a través de la juntura ellos pasan a ser lo que son llamados
portadores minoritarios en el lado opuesto y en el proceso de moverse a través de la
juntura dejan atrás átomos ionizados o cargas netas en los átomos dopados de la región
que dejan. Ası́ cuando los electrones se difunden en la región P dejan atrás cargas
positivas o átomos cargados positivamente en la región N y de una forma similar los
huecos cuando se difunden en la región N dejan atrás átomos ionizados negativamente
en la región P y como resultado hay un campo eléctrico entre estas cargas. Ese campo
eléctrico forma un voltaje. El voltaje es la integral del campo eléctrico. Se puede ver que
habrá un voltaje neto que es positivo en la derecha y negativo en el lado izquierdo de la
juntura y esta región entre las dos es llamada la región de agotamiento o la capa de carga
espacial, a través de esta región de agotamiento se forma un voltaje que actualmente se
opone a la difusión.
Ası́ que una carga positiva básicamente debe difundirse hacia arriba subiendo el
voltaje y lo que sucede es que el voltaje a través de esta región de agotamiento se eleva
hasta que se produce un equilibrio en que el voltaje completamente detiene una posterior
difusión de los huecos y los electrones a través de la juntura. Y en ese punto estamos en
el estado estable o el dispositivo está en estado estable. El diodo tiene construido este
voltaje a través de la juntura y ningún portador minoritario o mayoritario se difunde.
En la figura 3 se muestra lo que sucede bajo condiciones de polarización inversa. Se
tiene ahora contactos con el mundo exterior y se aplica ahora un voltaje negativo a través
del dispositivo. Ası́ que el voltaje es negativo en el material P que es el ánodo y es positivo
en el material N que es el cátodo. Se añade voltaje a través de la región de agotamiento
y se hace que la región de agotamiento se haga más grande. Básicamente el voltaje
externamente aplicado es bloqueado por la región de agotamiento. Se puede ver que
simplemente se aumenta el tamaño en la región de agotamiento y como tiene más voltaje
a través de ella se tiene que añadirle carga. Y esa carga viene de la fuente de alimentación
externa o el circuito externo. Ası́ que en este sentido la región de agotamiento actúa como
2
Figura 3: Polarización inversa de la juntura
una capacitancia. Se debe añadir carga para incrementar su voltaje. Generalmente esto
se llama la capacitancia de juntura del dispositivo y es un capacitor real que puede
almacenar energı́a en su campo eléctrico que se la puede recuperar después si se cambia
el voltaje.
Figura 4: Polarización directa de la juntura
Bajo condiciones de polarización directa ( ver figura 4) lo que se hace es incrementar

el voltaje de la región P con respecto a la región N y eso hace que la región de agotamiento
se haga más pequeña. Cuando la región de agotamiento es más pequeña ya no detiene la
difusión de los portadores mayoritarios a través de la juntura y ası́ se consigue un flujo de
carga a través de la juntura en cada dirección.Los huecos de la región P se difunden a la
región N donde pasan a ser lo que se llama huecos portadores minoritarios. Ellos están a
un alto nivel de energı́a en la región N por lo que pueden fácilmente saltar de un átomo
a otro y conducir corriente. Similarmente los electrones de la región N se difundirán
en la región P donde pasan a ser electrones portadores minoritarios y son capaces de
conducir corriente allı́. Bajo condiciones de polarización directa entonces aquı́ está lo
que sucede tenemos una corriente que viene en el contacto desde el circuito externo a
la región P que provee huecos. Estos huecos pueden hacer una de dos cosas: una es
que ellos pueden difundirse a través de la juntura y pasar a ser portadores minoritarios
en la región N y eventualmente ellos podrı́an recombinarse con electrones (portadores
mayoritarios de la región N) en la región N. Y de la misma manera un electrón de la
terminal negativa puede ingresar y recombinarse con uno de los huecos. Otra cosa que
3
un hueco o el material P puede hacer en la región P es recombinarse con un electrón
que ha sido difundido desde la región N. Podemos tener entonces electrones portadores
minoritarios que se recombinan con un hueco portador mayoritario en la región P. Esas
son las dos cosas que pueden suceder y bajo condiciones de polarización directa son las
que cuentan para la corriente total del diodo.
Figura 5: Difusión y recombinación de portadores mayoritarios con polarización directa

de la juntura
La corriente total consiste de la recombinación en un lado o el otro de la juntura.

Y mientras existan portadores minoritarios en estas regiones tendremos esa corriente.
En la figura ?? se tiene un dibujo de los portadores minoritarios o la concentración de
portadores minoritarios en los dos lados de la juntura. Por ejemplo se tiene huecos que
se difunden a través de la juntura y que se difunden a una velocidad que depende de
la pendiente de la caracterı́stica de concentración. Estos se difunden hacia la región de
menor concentración y duran en esta región por algún tiempo que lo llamamos tiempo de
vida. Y entonces en promedio después de que el tiempo de vida se termina ellos estarán
recombinados. Ellos se recombinan conforme se difunden y se tiene una concentración
que se reduce conforme se aleja de la juntura. Lo mismo ocurre en los dos lados de la
juntura PN. Si se desea apagar el diodo se debe remover estos portadores minoritarios
de los dos lados de la juntura por un medio u otro para parar su recombinación y detener
el flujo de la corriente. En suma el diodo es controlado por la carga de los portadores
minoritarios en las regiones P N- y N del diodo.
En la figura 6 se muestra el modelo de control de carga de primer orden clásico para
el diodo que se define por la ecuación del diodo:
q(t) = Q0 (eλv(t) − 1)
y la ecuación de control de carga
= i(t) − q(t)
dq
dt τL
con: λ = 1/(26mV )a300K
τL = tiempo de vida de los portadores minoritarios
en equilibrio: dq/dt = 0, y por tanto:
i(t) = q(t) Q0 λv(t)
τL = τL (e − 1) = I0 (eλv(t) − 1)
4
Figura 6: Modelo de control de carga de primer orden de la juntura
Este relaciona primero el voltaje a través de la región de agotamiento v a la concentración

de carga de los portadores minoritarios en los bordes de la región de agotamiento.La q(t)
se puede tomar como la carga de los huecos portadores minoritarios en el borde derecho
de la región de agotamiento o los electrones portadores minoritarios en el borde izquierdo.
Y éstos están relacionados al voltaje básicamente el voltaje aplicado al diodo pero más
realmente al voltaje a través de la región de agotamiento. Se acostumbra mostrar la
caracterı́stica de voltaje versus corriente de estado estable del diodo que tiene una función
exponencial. Esa es una relación de estado estable y de hecho la relación correcta es ésta.
La carga es la concentración de carga en el borde de la región de agotamiento, es esta
cantidadq(t). Dada esta cantidad se puede encontrar lo que es la distribución de carga
completa. Hay una cantidad total de carga o área bajo estas curvas de concentración.
Esta es la carga total de portadores minoritarios almacenada en el dispositivo.
En el modelo de control de carga, podemos hacer modelos de elementos concentrados
del dispositivo. El modelo de primer orden más simple de elementos concentrados tiene
una concentración simple de carga que es la cantidad de carga total almacenada.
Y esa carga entonces es relacionada nuevamente con alguna constante al voltaje a
través de la región de agotamiento con la caracterı́stica exponencial. La ecuación de
control de carga dice que la carga total puede incrementar si colocamos más corriente en
el diodo que suministra más carga o la carga también puede decrecer por recombinación.
La ecuación dinámica del diodo dice como la carga minoritaria almacenada puede variar.
Se debe decir también que estas ecuaciones no incluyen la capacitancia a través de
la juntura que se ha hablado previamente Ese es un elemento separado y lo que se ha
dicho es simplemente acerca de lo que sucede con los huecos y electrones que se mueven
a través de la juntura. Si se mira la ecuación de control de carga en equilibrio el diodo
trabaja en estado estable y dq/dt es cero Y entonces se puede resolver esta ecuación e
igualar esto a cero y encontrar que la corriente es igual a la carga almacenada durante
el tiempo de vida.
Se puede insertar la ecuación de carga almacenada en la ecuación de control de carga
y descubrir que la corriente sigue la relación exponencial que se usa del diodo , que es
la relación i = f (v) para el diodo, pero esta es una ecuación de equilibrio pero durante
5
los transitorios en el diodo esto no es lo que sucede o no es lo que se debe seguir. El
término dq/dt puede no ser cero y podemos actualmente por ejemplo tener una corriente
que remueve la carga almacenada o añade carga almacenada que se desvı́a de la curva
voltaje corriente. Y esto es de hecho lo que ocurre durante los tiempos de conmutación
del diodo.
Figura 7: Modelo de control de carga de primer orden de la juntura
En la figura 7 está un dibujo o un esquema de lo que realmente sucede Entonces

se tiene el diodo en conducción inicialmente. Hay un voltaje como 0,7 voltios a través
del diodo. Hay alguna conducción de corriente y alguna carga almacenada. Aquı́ se ha
dibujado la carga minoritaria almacenada en un lado de la región de agotamiento y como
esta se presenta. Nuevamente tenemos una pendiente que determina la tasa a la cual los
portadores se difunden y la pendiente es proporcional a la corriente en el dispositivo.
Habrá cargas que se mueven por el camino y conducen corriente Ahora en algún punto
t0 se tiene la condición inicial. Y en este punto tratamos de apagar el diodo. El circuito
externo conmutará y como resultado empezará a remover carga del diodo. Y lo que se
observa en el circuito externo es ésta corriente a través del diodo y se puede actualmente
remover activamente la carga del diodo simplemente mediante una corriente inversa. En
nuestra ecuación de control de carga la corriente pasa a ser negativa lo que hace que la
dq/dt sea negativa y se remueven actı́vamente los portadores minoritarios huecos hacia
atrás a través de juntura. Y se remueven los electrones minoritarios hacia atrás a través
de la juntura que contribuyen a esta corriente. Con esta corriente negativa entonces
digamos al tiempo t1 tenemos una corriente negativa y estamos jalando cargas hacia
atrás a través de la juntura. Jalando estas cargas se reduce la concentración de carga en
la región N y con la pendiente yendo en una dirección diferente se tiene que las cargas
realmente se mueven en la otra dirección. En el tiempo t2 se ha removido la carga de
almacenamiento de apagado a un valor menor, una carga minoritaria almacenada tal
que la carga justo en el borde de la región de agotamiento va a cero. Y lo que sucede
en el punto en el que el voltaje en la región de agotamiento puede empezar a cambiar.
Ya no es la función exponencial esto es 0,7 voltios sino que la tensión del diodo empieza
6
a caer y finalmente se hace negativa. Antes de este punto donde todavı́a se tiene carga
minoritaria positiva en el borde de la región de agotamiento el diodo permanece con
tensión positiva y apenas se puede ver la diferencia, es más o menos 0,7 voltios y parece
como que el diodo está todavı́a en conducción. En este punto t2, se empieza a ver el
cambio de voltaje y ver un voltaje negativo. Se sigue removiendo carga y lo que sucede
al tiempo t3 es que se ha removido la carga y la carga es ahora cero, en el punto x3 y
la región de agotamiento ha crecido y viene todo el camino hasta x3 que es consistente
con el voltaje negativo a través del dispositivo.
Finalmente, en el tiempo t4, se ha removido toda la carga almacenada, no hay más
carga minoritaria a la izquierda. Y finalmente el diodo está apagado y puede bloquear
el voltaje negativo completo, que el circuito impone sin conducción de corriente.
Si se mira un poco el flujo de potencia, la potencia es el voltaje multiplicado por
la corriente y la potencia en el diodo en el punto antes que se apague el diodo, donde
se tiene corriente positiva fluyendo al diodo. El voltaje es positivo a través de él y se
tiene alguna pérdida de potencia en el diodo que es la pérdida de conducción del diodo.
Se puede ver un intervalo donde la corriente se hace negativa y el voltaje es todavı́a
positivo en este intervalo de tiempo. El diodo actualmente entrega potencia, tiene voltaje
positivo y corriente negativa. Y donde actualmente alguna de la energı́a de estas cargas
portadores minoritarios están siendo extraı́das, donde activamente se jalan de dentro
del diodo. Ahora esa cantidad de potencia suministrada no es muy grande y de hecho
en un convertidor conmutado generalmente esta potencia es perdida en el MOSFET
de todas formas y por tanto no es una cantidad significativa de potencia. Pero para la
siguiente parte digamos desde el instante en que el voltaje se hace negativo y se tiene
corriente negativa se produce una pérdida de potencia sustancial que sucede en el diodo
mismo y puede hacer que el diodo se caliente. Esta es una pérdida de conmutación real
en el diodo. Y de hecho vamos a ver en la siguiente lección que se consigue pérdidas de
conmutación substanciales si se considera ambos el MOSFET y el diodo sobre este tiempo
global. Y esta es una cantidad significativa de pérdidas y es a menudo en lo que se llama
conmutación dura o los convertidores conmutados convencionales. Esto es a menudo la
fuente simple más grande de pérdidas en el circuito, debido a que puede ver es una gran
cantidad de corriente. En un diodo tı́pico este pico de corriente negativo puede ser varias
veces la corriente de conducción. Y este es el voltaje de bloqueo completo. El producto
de estos es una potencia instantánea muy alta. Esto se conoce como la recuperación
inversa del diodo. El tiempo que se demora desde to a t4 es el tiempo de apagado
de Conmutación, que se llama a menudo el tiempo de recuperación inversa y la carga
representada por el área sombresada es la carga minoritaria que es activamente removida
del dispositivo es llamada la carga de recuperación. Ahora, se puede también apagar el
diodo simplemente deteniendo la corriente y esperando un tiempo largo para que toda la
carga se recombine. Mientras se podrı́a hacer una combinación donde talvez se reduzca
la tasa a la cual se produce el cambio de corriente y va hacia negativo que produce la
recombinación de la carga en el diodo y menos de ella sea removida activamente. Pero
si se conmuta el diodo rápidamente, esto es lo que sucede. Básicamente se jala hacia
afuera activamente la carga minoritaria almacenada y pasa a ser la carga recuperada.
7
La curva familiar VI del diodo es una relación en equilibrio y puede ser violada durante
los tiempos de conmutación. En particular, para apagar el diodo, tı́picamente se tiene
este transitorio de recuperación inversa en el cual se tienen la gran corriente inversa
que viola la caracterı́stica exponencial de equilibrio de la caracterı́stica VI del diodo.
Y este tiempo de recuperación inversa y carga recuperada puede inducir pérdidas de
conmutación sustanciales en el MOSFET y pérdidas sustanciales en el diodo mismo. En
una lectura posterior calcularemos las pérdidas de conmutación y se las modelará en el
convertidor conmutado.
PREGUNTAS
1. Describa los portadores mayoritarios del material N y del material P.

2. La difusión de los portadores eléctricos forma la corriente de difusión. ¿Por qué se
produce esta corriente?
3. Que polaridad tienen los extremos de la región de agotamiento de un diodo PN
con el material P a la izquierda. ¿Por qué se dice que esta tensión obstruye el paso de
los portadores mayoritarios?.
4. Como se forma la región de agotamiento en los diodos
5. Que son los portadores minoritarios de la región N. De donde aparecen y como se
describe las posibilidades de permanecer en esa región.
6. Con polarización inversa como se resume el funcionamiento de la región de agota-
miento.
7. Con polarización directa en el diodo explique la aparición de portadores minori-
tarios en las dos regiones
8. Con el diodo en polarización directa describa los componentes de la corriente total
que fluye.
9.Como es la concentración de portadores minoritarios dentro del diodo.
10. ¿Qué relación tiene la difusión de los portadores minoritarios con la concentración
de portadores minoritarios?
11. ¿Qué es el tiempo de vida de los portadores minoritarios?
12.¿Qué variables (en lugar de la corriente y voltaje) se relacionan en la ecuación
caracterı́stica de un diodo para analizar su comportamiento dinámico? .
13.Porque se dice que “El diodo es controlado por la carga de los portadores mino-
ritarios”.
14 Durante que intervalo de tiempo se produce la mayor disipación de potencia en
el diodo. T0 a t2 o t2 a t4
15 La pendiente al inicio de cada gráfico de carga versus distancia tiene valor negativo
para el intervalo que inicia en to pero se vuelve positivo en intervalo que inician en t2.
¿Con que variable se relaciona esa pendiente?
16 Que es el tiempo de recuperación inversa
17 Que es la carga de recuperación inversa.
18 En el paso de conducción a corte en qué dirección fluyen los portadores minorita-
rios almacenados en la región cercana a la juntura?
8
19 Como se relaciona la corriente externa con la rapidez del apagado del diodo.
20Con que caracterı́stica interna del diodo se relaciona la capacidad de bloqueo de
voltaje inverso
21 Qué es la modulación de la conductividad. ¿Cómo participan en este fenómeno
los portadores minoritarios?
22 Porqué los diodos Schottky tienen una alta velocidad. En consecuencia, ¿qué es-
pecificación es limitada a valores bajos en el diodo Schottky?
23 ¿En qué orden están los tiempos de apagado de un diodo ultrarápido?
2. El rectificador controlado de silicio SCR

2.1. Tiristores
Figura 8: Sı́mbolo esquemático del SCR
El Rectificador controlado de silicio (SCR) pertenece a la familia de los tiristores.

Este grupo de semiconductores incluy los dispositivos que consisten de cuatro capas
alternadas de silicio tipo P y tipo N. El tiristor tienen dos modos de operación: 1. El
modo de conducción en el que se modela (entre ánodo y cátodo) mediante una tensión
de umbral en serie con la resistencia del tiristor que es muy pequeña, varios ohmios o
menos. En este modo, el tiristor opera aproximadamente como un interruptor cerrado.
2. El modo de corte en el que la resistencia del tiristor es muy alta, decenas o centenas
de megaohmios. En este modo, el tiristor opera como un interruptor abierto.
Los tiristores tienen dos, tres o cuatro terminales. Dos actuúan como terminales de
conmutación y los otros terminales transfierne los comandos de operación.
9
Figura 9: Representación del SCR como dos transistores
Algunos tiristores pueden ser activados por la radiación de luz. Este tipo de disposi-
tivo es conocido como LASCR( Ligth activated Silicon Controlled Rectifier)
Algunos son unidireccionales como el diodo. También existen tiristores bidireccionales
que conducen en ambas direcciones cuando están en el modo de conducción(TRIAC)
2.2. Caracteristicas
El SCR es el más antiguo y más usado de los tiristores. El dispositivo tiene tres ter-
minales: el ánodo (A), el cátodo (K) y la compuerta (G). Durante el corte, la resistencia
entre el ánodo y el cátodo es extremadamente alta. Cuando una señal es aplicada en
la compuerta, el SCR pasa al modo de conducción y es capaz de permitir el paso de
una corriente unidireccional de alto valor desde el ánodo hacia el cátodo, dentro de los
lı́mites de especificaciones de potencia. El sı́mbolo esquemático del SCR aparece en la
figura 8. El SCR opera como dos transistores, PNP y NPN, conectados como muestra
la figura 9. La corriente del SCR puede expresarse como:
ICBO1 +ICB02
I= 1−(α1 +α2 )
Aquı́, ICBO1 y ICB02 son las corrientes de fugas de los transistores. Los parámetros α1
y α2 son los factores de amplificación de corriente correspondientes.
Mientras la suma de los factores de amplificación sea pequeña, la corriente del SCR
y las corrientes de fuga IC0 serán de una magnitud similar y el SCR estará en el modo
de corte. Tan pronto como la suma de los factores de amplificación α1 + α2 se aproxima
a la unidad, la corriente del SCR llega a ser alta y es limitada por el circuito externo.
Los factores de amplificación de corriente, α1 yα2 , son dependientes directamente de
la corriente de la juntura, y por tanto, el proceso de disparo es esencialmente regenerativo.
Este hecho es fundamental para los métodos de disparo que forzan al SCR al modo de
conducción.
10
2.3. Métodos de disparo
1.. Incremento del voltaje entre ánodo y cátodo. Esto produce un campo
elèctrico fuerte en las junturas, causando la ruptura por avalancha y un incremento en la
corriente en las junturas. Cuando la corriente alcanza el valor que mantiene la condición
α1 + α2 = 1, el SCR conuta del estado de corte al estado de conducción.
2.Un cambio rápido en el voltaje entre ánodo y cátodo.
Hasta cierto punto, las junturas se comportan como capacitores. Un pulso de voltaje
aplicado en el ánodo genera una corriente de carga que carga las capacitancias de las
junturas. El valor de esta corriente está dada por i = C.δV /δt. SI el cambio de voltaje
δV ocurre dentro de un corto tiempo δt, la corriente resultante inicia las condiciones
para la conmutación desde el corte al modo de conducción.
3.Incremento de temperatura.
Esto incrementa el número de portadores de carga y, por tanto, la corriente del SCR.
4.Acción de transistor.
Incrementando la corriente de base aumenta la corriente de emisor. En el caso del
SCR, esto es realizado por el flujo de corriente en la compuerta, que es, efectivamente
la base de un transistor como se indica en la figura 9. En un cierto instante, el aumento
de corriente produce la condición en la cual α1 + α2 = 1.
5.Efecto de luz.
El bombardeo de luz libera pares de portadores de carga que resultan en un incre-
mento de corriente a través de las junturas.
El método más común y conveniente para el disparo del SCR es la acción de tran-
sistor. Este es el que se usa en la mayorı́a de los casos.
2.4. Curva caracterı́stica

La figura 10 muestra la caracterı́stica voltaje corriente del SCR. La carracterı́stica
se explica mejor si se hace referencia a la figura 11 que representa al SCR como un
dispositivo de cuatro capas, PNPN y tres junturas J1 , J2 , y J3 .
Cuando la compuerta esta abierta o conectada al cátodo y un voltaje inverso es
aplicado entre ándo y cátodo, el SCR se comporta como dos diodos en serie inversamente
polarizados. Por esta razón, hay una pqeueña fuga de corriente en la región entre los
puntos 1 y 2 en la caracterı́stica conocida como región de bloqueo inverso. En el punto
1, ocurre la ruptura Zener que puede dañar al SCR.
Cuando el SCR está polarizado directamente (como se muestra), y la compuerta
está abierta, solamente la juntura J2 está polarizada inversamente y por ello la corriente
será la corriente de fuga a través de esta juntura. Este fenómeno es comocido como la
regı́on de bloqueo directa de la caracterı́stica y está localizado entre los puntos 2 y 3 de
la curva. n el punto 3, la gran polarización inversa de la juntura J2 produce la ruptura
por avalancha que permite el flujo de una alta corriente limitada unicamente por la
resistencia externa R. El voltaje al cual ocurre la ruptura se conoce como Voltaje pico
directo (PF).
11
Figura 10: Caracterı́stica voltaje- corriente del SCR
Debido al incremento en la corriente y decremento en el voltaje en la región entre

los puntos 3 y 4, el SCR se comporta como una resistencia negativa en esta porción de
la caracterı́sitca. La operación en la región de resistencia negativa es imposible debido
a que en el instante de la ruptura, el punto de operación se mueve desde el punto 3 al
punto 5 pasando por el punto 4. El punto 5 es determinado por la resistencia externa R.
La corriente en este punto es: I ≈ (V − 0,8)/R (approximadamente).
Para reestablecer el SCR al modo de corte (apagado), la corriente IA debe reducirse
a un valor menor que la corriente de mantenimiento IH . Esto se logra reduciendo el
voltaje de suministro o mediante el paso de una corriente inversa a través del SCR hasta
que sea desactivado.
Cuando una corriente es aplicada a la compuerta, los huecos son inyectados en la
Figura 11: EL SCR como un dispositivo de cuatro capas con polarización directa
12
capa P cerca del cátodo. Estos portadores de carga reducen la barrera de potencial
en la juntura J2 y permiten la ruptura por avalancha a un valor de VAK menor. Esto
esta indicado en la caracterı́stica por una lı́nea punteada que representa la corriente de
compuerta IG1 . Un incremento posterior en la corriente de compuerta reduce el valor
del voltaje de ruptura hasta la caracterı́stica de corriente de compuerta que recuerda la
curva de un diodo convencional .
Después que el SCR ha conmutado al modo de conducción, la compuerta no tie-
ne control posterior. Por esta razón, es usual aplicar un pulso de corriente corto a la
compuerta antes que una corriente contı́nua, para prevenir la disipación innecesaria de
potencia en la compuerta .
Mientras más pequeño sea el tiempo de subida del pulso, mayor es la reducción de
la disipación de potencia dinámica.
Como ya se mencionó, la corriente debe reducirse a un valor menor que IH para
restablecer el SCR al estado de corte. Un tipo de tiristor GTO (Gate Turn off) puede
ser desactivado por un disparo negativo en la compuerta.
2.5. Definición de los parámetros del SCR

VROM - Voltaje inverso pico.Este es el voltaje de polarización directa mácimo
permitido, y está definido en la especificación del fabricante, que puede dañar al SCR.
Este parámetro puede ser expresado en una variedad de formas. Algunas veces es definido
en terminos de voltaje repetitivo y algunas veces en términos de voltajes momentáneos.
VF OM - Voltaje de bloqueo directo pico.Este es el máximo voltaje directo ins-
tantáneo permitido que no conmutará al SCR al estado de conducción. Este parámetro
es también expresado en varias formas. Algunas veces es definido con respecto al circuito
de compuerta abierta o con respecto a la resistencia entre compuerta y cátodo (VF RM )
IF (AV ) - Corriente directa promedio. (durante la conducción). Esta es la co-
rriente DC mácima permitida a través del SCR durante la conducción. Algunas veces
se define en su lugar la corriente efectiva. Entonces el sı́mbolo es IF En otras veces, la
definición es basada en la corriente de surge IF M o la corriente instantánea IF . Los datos
en las corrientes permitidas siempre involucran la resistencia térmica y es generlmente
presentada en forma gráfica.
IRX ,IF X - Corrientes de fuga directa e inversa máximas. Especificadas a
voltajes dados, la ”xı̈ndica la conexión de la impedancia de salida entre compuerta y
cátodo. Estos parámetros están dados a los voltajes picos defiinidos arriba. Se debe
notar la tempertaura a la que estos parámetros son especificados.
IGT - Corriente de disparo en la compuerta. Esta es la mı́nima corriente de
compuerta con la cual se garantiza que el SCR es disparado a un voltaje de ánodo dado.
Por ejemplo, e aun voltaje VAK = 7V y una carga RL = 100Ω, el fabricante garantiza
que los SCRs de este tipo serán disparados con una corriente de IGT = 200µA. Esta
corriente es inversamente proporcional a la temperatura.
VGT - Voltaje de disparo en compuerta. El máximo voltaje en la compuerta
antes del disparo, cuando la corriente de entrada a la compuerta es IGT . Este voltaje es
13
dependiente de la temperatura, varia enter 0,6V a 25◦ C y 0,3V a 100◦ C. El fabricante
especifica el voltaje máximo esperado para varias condiciones conocidas.
PGM - Potencia pico en la compuerta. La máxima potencia instantánea de
disipación permitida en la compuerta. Algunas veces, se especifica la máxima potencia
de disipación promedio PG (AV ) en la compuerta.
PREGUNTAS
1. ¿Qué es un tiristor?.
2. ¿En base a los modos de operación cuál es el modelo ideal del tiristor en el análisis
de circuitos?
3. Los tiristores se dice que son interruptores SPST (simple polo, simple carrera). Sin
embargo, normalmente tienen más de 2 terminales. ¿Cuál es la utilidad de los terminales
adicionales?
4. ¿Qué significado tiene que la corriente de ánodo a cátodo esté dentro de los lı́mites
de clasificación de potencia (power rating limits)?. ¿Cómo se obtienen estos lı́mites?.
5.Si la suma de los factores de amplificación se aproxima a la unidad, dibuje un
circuito con SCR donde se muestre el elemento que limita la corriente.
6¿Qué especificación del SCR debe considerarse para evitar el disparo por ruptura
de avalancha?
7. Como se evita el disparo por cambio brusco de voltaje entre ánodo y cátodo.
Consulte
8. ¿Existe algún dispositivo comercial SCR activado por luz?
9. ¿En la región de bloqueo inverso que modelo representa adecuadamente ell com-
portamiento del SCR?
10. ¿Qué ocurre cuando mediante el circuito externo se excede el Voltaje directo
pico?.
11. ¿Cuál es la diferencia de esta situación frente a exceder el Voltaje reverso pico?
12. ¿Qué significado tiene la región de resistencia negativa?¿ Acaso existen elementos
que operen en esta región? Averigüe.
13. Un Ingeniero comenta: ”El apagado del SCR es tan simple como quitar la corriente
de la compuerta”. ¿Qué dirı́a usted?
14. El voltaje al que se produce la ruptura directa entre AK depende de la corriente
de compuerta. ¿Es posible provocar la conducción del SCR con una tensión de ruptura
directa similar a la de un diodo?¿Qué se debe hacer?
15. ¿Por qué es preferible aplicar un pulso momentáneo de corriente a la compuerta
en lugar de un pulso continuo?
El cumplimiento de las especificaciones del SCR debe garantizarse mediante el cir-
cuito externo. Como se garantiza el cumplimiento de: 16. La corriente directa promedio
17. La corriente de disparo en compuerta
18. Voltaje de pico inverso
19. Como se mide la corriente de mantenimiento
20. Como se mide la corriente de disparo de la compuerta.
14
3. MOSFET de potencia
.
Figura 12: Sección transversal de un MOSFET
Vamos a cubrir el tema de los MOSFET de potencia. En esta lección nosotros vamos a
hablar sobre cómo se construye un MOSFET de potencia y algunas de sus caracterı́sticas
básicas. En la siguiente lectura hablaremos acerca de los circuitos manejadores de la
compuerta del MOSFET que lo hacen funcionar y algunas consideraciones prácticas. En
la figura 12 se muestra una vista seccional de un MOSFET de potencia. Si se toma una
pastilla de silicio y la corta y la mira desde un lado lo que tiene es algo como lo que se
muestra aquı́. La corriente fluye en forma vertical a través del MOSFET como ocurre en
casi todos los dispositivos de potencia, aquı́ por ejemplo, el drenaje es conectado a la parte
inferior de la pastilla de silicio y el terminal de fuente y la compuerta están colocados en
el lado superior. La región que se muestra con lı́neas inclinadas representa los contactos
metálicos. Es decir que tenemos contactos metálicos al drenaje D y a la fuente S. El área
sombreada alrededor de la compuerta es la capa de óxido o vidrio que aı́sla la compuerta
del resto del MOSFET. El área blanca dentro es la compuerta. Esta es usualmente un
material de polisilicio que es un conductor que forma la compuerta. Luego se tiene el
área de silicio dopado. Este es un MOSFET de canal N la fuente está conectada en la
parte superior, el drenaje conecta desde abajo a esta región donde hay un material de
dopado ligero. El drenaje D está actualmente en este sitio ası́ que tenemos un MOSFET
que conecta el drenaje D y la fuente S como se muestra. El material P es llamado el
sustrato y en los MOSFET de potencia prácticos el sustrato es cortocircuitado a la
fuente. Esta estructura en particular se la conoce con el nombre de estructura DMOS.
En esta estructura la compuerta y la fuente son construidas lateralmente en la superficie
superior del MOSFET. También tenemos otras variantes de estructuras con ranuras
como la VMOS o UMOS o algunas veces conocidas con un nombre del fabricante tales
15
como los MOSFET de trinchera cuyas ranuras son cortadas en el lado superior del silicio
y la compuerta se construye verticalmente a lo largo del lado de la ranura. También se
tiene la estructura SUPERMOS que es una mejora relativamente reciente que reduce la
resistencia de encendido de los dispositivos de alto voltaje. Se tiene algunos MOSFETS
muy buenos de 600 voltios construidos con este estructura SUPERMOS. El MOSFET
de potencia es un dispositivo altamente “intercalado” lo que significa que se replica los
MOSFETS varias veces en la parte superior de un chip y se los conecta a todos estos
pequeños MOSFETS en paralelo para conseguir un MOSFET grande de alta corriente.
Se puede ver en la figura la presencia de cuatro posibles diferentes canales, es decir
cuatro MOSFETs pequeños conectados en paralelo que se empaquetan juntos lo más
apretados que se pueda para llenar la superficie de la pastilla de silicio y construir
un dispositivo de alta corriente. Ası́ que cuando el MOSFET es encendido la corriente
fluirá por el Drenaje y entonces a través del Canal y saldrá por la Fuente. Esto es para
flujo de corriente positiva. Realmente una forma mejor de decirlo quizás es que tenemos
electrones que vienen desde la Fuente al material N estos forman y ensanchan el canal con
lo que cuando la compuerta es polarizada directamente se forma una capa de inversión
o un canal aquı́ que efectivamente es una región N adicional que conecta la Fuente al
Drenaje, y los electrones fluyen por este camino hacia fuera por el Drenaje.
Figura 13: MOSFET en estado apagado
En el estado de apagado ver figura 13, es decir, cuando la compuerta está apagada el
voltaje positivo se coloca en el Drenaje con respecto a la Fuente. Tenemos la formación
de una región de agotamiento que bloquea el voltaje y realmente es la misma que en un
diodo PN. Y de hecho sı́ se mira en el sustrato, en el material P y esta región acá esto
realmente luce como un diodo PN como lo conversamos en las lecciones previas para el
diodo. Se tiene una región ligeramente dopada N en el drenaje que le da al dispositivo
el voltaje de ruptura que requiere. Ası́ que en el estado inverso se tiene realmente un
campo eléctrico a través del sector n menos que tiene una caı́da de voltaje desde el drenaje
hacia la fuente. Para obtener una clasificación de voltaje de ruptura alto como sucede
16
con cualquier dispositivo semiconductor se requiere un material ligeramente dopado de
alta resistividad.
Figura 14: MOSFET en estado encendido ON
En el estado de encendido ver figura 14 entonces la corriente fluye en la forma mos-

trada como se habı́a mencionado antes. Una caracterı́stica distintiva clave aquı́, sin
embargo, es que la corriente tiene que fluir a través de esta región N menos y mucho de
la resistencia de encendido del dispositivo aparece a través de esta región. Y debido a
que es ligeramente dopada tiene una alta resistencia y esta es principalmente la resisten-
cia de conducción del MOSFET. Se debe considerar que en serie con la resistencia del
canal está la resistencia de los contactos, de los terminales y del paquete pero en gene-
ral esta región N menos domina la resistencia de conducción. En el MOSFET se tiene
un dispositivo de portadores mayoritarios, es decir, no hay portadores minoritarios que
causen la modulación de la conductividad como ocurre en el diodo. Esta es la razón por
la cual el MOSFET tiende a tener una relativa alta resistencia especialmente en niveles
de voltaje altos. Ası́ que un dispositivo con especificación de voltaje alto, obligatoria-
mente tendrá una resistencia especialmente alta en la región n menos y esta resistencia
de encendido crece rápidamente con el voltaje. Ası́ que se tiene muy buenos MOSFETS
a bajo voltaje pero a alto voltaje se empieza a preferir los dispositivos de portadores
minoritarios que dan caı́das de voltaje directas menores.
El MOSFET tiene un diodo en su cuerpo(ver figura 15). El diodo del cuerpo actual-
mente se obtiene de esta juntura PN entre el sustrato de material P y el drenaje. Ası́ que
efectivamente si tiene el MOSFET representado por el canal y está en paralelo con el
diodo del cuerpo. Este es un diodo real. Este diodo tiene su recuperación inversa y éste
conduce la corriente si es que está directamente polarizado. Y esto ocurre si colocamos
una tensión positiva en la Fuente con respecto al Drenaje. Entonces este diodo puede
llegar a estar polarizado directamente y la corriente puede fluir. El diodo puede conducir
la corriente total de especificación del MOSFET, después de todo, es el mismo dispo-
17
Figura 15: Diodo del cuerpo del MOSFET
sitivo. Sin embargo la advertencia es que el diodo no necesariamente está optimizado

para velocidades de conmutación altas y esto depende del diodo. Algunos MOSFETS
son diseñados para tener a propósito un diodo de recuperación rápida y otros no.
La figura 16 muestra las caracterı́sticas estáticas voltaje corriente del MOSFET,
están dibujadas de una forma ligeramente diferente de las que se acostumbra y están
dibujadas para enfatizar como se controla el MOSFET. En el eje vertical es la corriente
de Drenaje en eje horizontal es el voltaje de Compuerta a Fuente. Se tiene caracterı́sti-
cas o lı́neas de voltaje de drenaje constante. Básicamente si el voltaje de Compuerta
está bajo un voltaje conocido como voltaje de umbral entonces el MOSFET está apa-
gado. Entonces el manejador de compuerta tiene que llevar el voltaje de compuerta o
voltaje de compuerta a fuente a un nivel superior que el voltaje de umbral para encender
el MOSFET. Aquı́ se puede ver que conforme sube el voltaje sobre el umbral para los
primeros pocos voltios el MOSFET empieza a encenderse. Cuando este alcanza digamos
10 o 15 voltios el MOSFET se enciende completamente. Y tenemos, usted sabe, para
una corriente de drenaje dada, tenemos un voltaje de drenaje a fuente bajo. Entonces
generalmente operaremos el MOSFET encendido sobre el sector donde tenemos un bajo
voltaje y en este caso el voltaje de Drenaje a Fuente es aproximadamente proporcional
a la corriente de drenaje. Una aproximación es entonces que el voltaje de Drenaje es la
corriente de drenaje multiplicada por la resistencia ON del MOSFET. En los dispositivos
de portadores mayoritarios como este la resistencia de encendido tı́picamente tiene un
coeficiente de temperatura positivo, lo que significa que conforme la temperatura sube
la resistencia del dispositivo sube. Ası́ que lo primero es que se hace más fácil colocar en
paralelo a los MOSFETS. Estos no tienen el mecanismo de realimentación positiva que
hace que uno de los dispositivos se lleve toda la corriente. Por otro lado la resistencia de
encendido es mayor a temperaturas más altas. Y cuando se escoge una resistencia de en-
cendido se piensa en el peor caso considerando la máxima temperatura que el MOSFET
18
Figura 16: Caracterı́sticas del MOSFET
puede soportar. Y cuál es la resistencia en estas condiciones.

La figura 17 muestra un circuito equivalente de primer orden del MOSFET mostran-
do las capacitancias. El MOSFET tiene una capacitancia entre cada par de terminales.
Y se analizará cada una de ellas. Primera de todas la capacitancia de Compuerta a
Fuente es un capacitor ideal del MOSFET entre el terminal de Compuerta y el Canal
y se dibuja aquı́ con respecto a la Fuente. Esta es la capacitancia a través de la sección
desde compuerta al canal. Esta capacitancia desde Compuerta a Fuente debe cargarse
para colocar carga en el canal y encender el MOSFET. Además de eso usted puede ver
que existe un traslape entre el contacto de Compuerta y el Drenaje. Y esta forma lo que
se conoce como la capacitancia de Compuerta y Drenaje. Se hace lo posible para que
esta capacitancia sea pequeña pero de hecho la carga de esta ayuda a poner una carga
adicional en la región de Drenaje y de alguna forma reduce la resistencia de encendido.
Tı́picamente la capacitancia de Compuerta a Drenaje es pequeña comparada con la ca-
pacitancia de Compuerta a Fuente. Es muchos menos picofaradios de capacitancia. Sin
embargo tiene mucho voltaje a través de ella. La capacitancia de Compuerta a Fuente
podrı́a estar cargada hasta 10 a 15 voltios, mientras que la capacitancia de Compuerta a
Drenaje se carga hasta básicamente el voltaje completo del drenaje. Aunque la capaci-
tancia es pequeña el voltaje a través de ella es grande y la cantidad de carga neta en esta
capacitancia puede ser grande. De hecho en algunos dispositivos es más grande que la
carga en la capacitancia de Compuerta a Fuente. Esto tiene algún impacto en las consi-
deraciones de como diseñar el circuito de manejo de compuerta. La tercera capacitancia
es la de Drenaje a Fuente y esta es básicamente la capacitancia del Diodo del cuerpo.
Y esta es la misma capacitancia que tiene un Diodo de juntura PN y se comporta en su
19
Figura 17: Capacitancias del MOSFET
mayorı́a como una capacitancia de diodo. Es no lineal. Esto no se dijo con respecto a
la juntura del diodo PN, pero es realmente un tipo de función similar. Se muestra una
fórmula clásica para la capacitancia de agotamiento.
Cds = q C0v
1+ Vds
0
Es un dispositivo no lineal que indica la gran variación de la capacitancia con el inverso

de la raı́z cuadrada del voltaje Ası́ que si el voltaje sube la capacitancia disminuye. Una
fórmula aproximada de esta capacitancia es la inversa de raı́z cuadrada del voltaje.
q
Cds ≈ C0 vVds0 = √Cv0ds
Estás capacitancias de salida de los dispositivos tales como la capacidad de Drenaje a

Fuente del MOSFET y la capacitancia en la juntura del diodo son otros mecanismos que
pueden conducir a pérdidas de conmutación. Básicamente estas capacitancias se cargan
con energı́a cuando hay voltaje a través de ellas ası́ que por ejemplo cuando el MOSFET
está apagado se tiene un voltaje entre Drenaje y Fuente.
No hay voltaje a través de la capacitancia de la juntura del diodo. Pero tan pronto
como la señal AC aparece esta capacitancia de la juntura está efectivamente en paralelo
con la capacitancia Drenaje Fuente. Las dos se suman. Cuando se enciende el MOSFET se
cortocircuitan estas capacitancias. Y cualquier energı́a almacenada en ellas se amortigua
en el canal del MOSFET durante la transición de encendido. Ası́ que si éste es una
capacitancia lineal, se puede decir que estas capacitancias almacenan una energı́a igual a
un medio de la capacitancia por el voltaje al cuadrado donde C es la capacitancia efectiva
de los dispositivos y el voltaje corresponde con el voltaje a la entrada del convertidor.
Wc = 21 (Cds + Cj )Vg2
20
Figura 18: Pérdidas de conmutación debido a las Capacitancias del MOSFET
Se pierde mucha energı́a cada vez que se enciende el MOSFET y se cortocircuitan las
capacitancias. Esto puede causar unas pérdidas de conmutación que son iguales a la
energı́a almacenada en las capacitancias multiplicado el número de veces por segundo que
se las cortocircuita o lo que es lo mismo multiplicado por la frecuencia de conmutación.
Este es otro mecanismo de pérdidas de conmutación. Si se quiere contabilizar el hecho que
las capacitancias son no lineales podemos integrar la potencia que carga las capacitancias
para ver cuanta energı́a almacenan las capacitancias no lineales. Se puede integrar la
potencia que es el voltaje por la corriente y colocar la expresión para la corriente Cdv/dt
para este capacitor y entonces al integrar la función de la raı́z cuadrada encontramos
que la energı́a que es perdida es igual a:
WCds = 23 Cds (VDS )VDS

2
Se tiene un factor de dos tercios en lugar de un factor mitad. Y si se evalúa la capacitan-

cia en la condición de apagado del MOSFET. Esto representa una pérdida un poquito
mayor de energı́a pues es como tener un capacitor con un factor de cuatro tercios de la
capacitancia original.
CONCLUSIONES El MOSFET es un dispositivo de portadores mayoritarios, es-

tas son buenas noticias debido a que tiene una muy alta velocidad de conmutación. No
se tiene ese tiempo que toma para remover la carga almacenada que estaba causando la
modulación de conductividad en el Diodo y por tanto los MOSFET se pueden conmutar
mucho más rápido y en un MOSFET que es tı́pico de conseguir se conoce que los tiem-
pos de conmutación son de unas pocas decenas de nanosegundos y en los dispositivos
de bajo voltaje e incluso más rápidos. Ası́ que las frecuencias de conmutación tı́picas
de decenas y centenas de kilohercios son fáciles y como se sabe se tienen fuentes de
21
poder de bajo voltaje en los computadores que corren a frecuencias de conmutación en
el orden de los megahercios debido a la alta velocidad de estos dispositivos. Las malas
noticias sin embargo son que la resistencia de encendido crece rápidamente con el voltaje
debido a que son dispositivos de portadores mayoritarios que no tienen la modulación
de conductividad. Tenemos dispositivos MOSFET de juntura SUPER a 600 volts pero
no podemos ir más alto que eso antes de que la resistencia de encendido se haya incre-
mentado demasiado a tal punto que el dispositivo ya no es económico. Estos son muy
fáciles de manejar simplemente se conmuta el voltaje entre la compuerta y fuente entre
0 y 10 o 15 voltios y son muy fáciles de controlar. También se cuenta con MOSFETS de
nivel lógico que están diseñados para operar con un voltaje de 5 voltios de compuerta
en lugar de 10 o 15V. Otra cosa, dispositivos generalmente están limitado de potencia
y cuando se diseña un convertidor de potencia generalmente no seleccionamos el MOS-
FET basado en la especificación de corriente que es una clasificación de corriente pico del
dispositivo. En lugar de eso usualmente lo seleccionamos en la base de la resistencia de
encendido y las pérdidas de conducción. Ası́ que a menudo se escoge un dispositivo con
una clasificación de corriente pico mucho mayor que la que se intenta usar. Y en lugar se
escoge un tamaño de MOSFET para conseguir una resistencia de encendido baja como
lo necesite la aplicación Ası́ que como resultado esta consideración, estos son dispositivos
muy robustos ası́ como también bastante margen cuando se trata de la corriente.
PREGUNTAS 1.¿En la estructura interna del MOSFET qué tipo de material aı́sla
la compuerta del resto del MOSFET?
2. ¿El Polisilicio que es el material de la compuerta es un aislante, conductor o
semiconductor?
3. ¿El sustrato de material P se conecta tı́picamente al drenaje, fuente o compuerta?
4. ¿Cómo se relacionan las abreviaturas DMOS, VMOS o UMOS con los MOSFET?
5.¿Hasta qué valores de voltaje de ruptura se consiguen los MOSFET?
6.¿Es cierto que un MOSFET de alta corriente es una combinación en paralelo de
muchos MOSFETS de pequeña corriente?.
7. ¿Qué significa que un MOSFET sea un dispositivo altamente “intercalado”?
8.¿En un MOSFET el canal N se forma con la inyección de electrones o huecos?.
9.Dibuje la estructura de un MOSFET DMOS y muestre el camino de circulación de
la corriente cuando el MOSFET conduce.
10.¿Qué región de la estructura determina la especificación de tensión de bloqueo o
de ruptura del MOSFET? ¿Qué caracterı́stica debe tener esta región para obtener un
mayor voltaje de bloqueo?
11.¿Qué región de la estructura determina la resistencia de encendido del MOS-
FET?¿Qué caracterı́stica debe tener esta región para obtener una menor Resistencia de
conducción?
12.¿Por qué se prefiere un dispositivo de portadores minoritarios en voltajes superio-
res a los 600V en lugar de los MOSFET?
13.¿Es cierto que el diodo del cuerpo del MOSFET es adecuado para conducir la
corriente en sentido inverso es decir de Fuente a Drenaje? Explique.
22
14.¿Es verdad que para asegurar el paso al estado de conducción del MOSFET en las
aplicaciones de Electrónica de Potencia es suficiente colocar en compuerta una tensión
superior a la tensión de umbral? Justifique
15.Escriba una fórmula para calcular la tensión entre Drenaje y Fuente cuando el
MOSFET está en conducción.
16.¿Por qué los MOSFET si se pueden conectar en paralelo y los diodos no? ¿Por
qué se habla de realimentación positiva en los diodos?
17.¿A cuál de las tres capacitancias del modelo se debe proveer carga para provocar
la conducción del MOSFET? ¿Es verdad que uno de los terminales de esta capacitancia
es el canal?
18. ¿Por qué se dice que la tensión de la capacitancia drenaje a compuerta es en
algunos casos muy grande?.
Dibuje el esquema de un circuito de potencia donde esto suceda.
19.¿Puede calcularse la energı́a de conmutación debido a la capacitancia de salida
Drenaje Fuente mediante la expresión 1/(2)CV 2 ?. En caso afirmativo, ¿qué valor debe
considerarse para C en la fórmula?
20.¿Por qué un dispositivo de portadores mayoritarios es más rápido que uno de
portadores minoritarios?
21.¿Por qué la selección de un MOSFET se realiza considerando la resistencia en
estado de conducción en lugar de la corriente pico que circula por el elemento?.
3.1. EL BJT y el IGBT

En esta sección se analizará el transistor de unión bipolar o BJT, y su sucesor mo-
derno, el Transistor bipolar de puerta aislada, o IGBT. La figura 19 muestra un esbozo
de un transistor de unión bipolar. Es un dispositivo npn. Se tiene una región n que
se ha dopado levemente o región intrı́nseca en el colector, de modo que esta unión de
base colector, es una unión pn que realmente tiene la misma estructura que el diodo de
potencia clásica que hemos discutido.
Bajo condición de polarización inversa cuando la tensión de colector es positiva, la
base es más negativa y también lo es el emisor. Y de hecho, para, que este dispositivo
esté apagado, la unión np de emisor base o región pn entre la base y el emisor debe tener
polarización inversa. El campo eléctrico se encuentra en la región n menos que es capaz
de bloquear la tensión de colector.
Este es un dispositivo vertical, y de nuevo ésta es una área de sección transversal
del transistor o el chip, similares a las áreas de sección transversal que se ha presentado
previamente para el MOSFET. Por lo tanto, para poner en conducción a este dispositivo,
se tiene un circuito manejador conectado a la base y el emisor que polarizará directamente
la unión emisor base.
Para ponerlo en conducción, se aplica una tensión positiva en la base con respecto al
emisor para polarizar la unión y cuando se hace esto, los electrones del emisor son capaces
de difundirse a través de esta unión hacia la base, donde se convierten en portadores
minoritarios. Debido a que el colector está a un voltaje más positivo estos electrones
pueden fácilmente seguir, y fluir en la región de colector. Ası́ que por la polarización
23
Figura 19: Sección transversal de un BJT
directa de la juntura emisor base, obtenemos los portadores minoritarios en la base y

en la región n menos que son necesarios para conducir la corriente desde el colector al
emisor.
En el proceso, se puede ver que estos portadores minoritarios, electrones, pueden
entrar en la región n menos y causar la modulación de conductividad que efectivamente
reduce su resistencia de conducción, y ası́ como en el diodo ésta modulación de la con-
ductividad entrega lo mejor de ambos mundos en cuanto a la tensión disruptiva alta y
una resistencia de encendido más baja. Pero el precio a pagar es que tenemos un montón
de carga de portadores minoritarios almacenada en la región n menos, que tienen que
ser eliminados si queremos pasar el transistor al estado de apagado.
Ası́ para apagar el transistor, cuando está en la situación de conducción, se tiene
dos elecciones una es que podemos polarizar inversamente la unión pn emisor base, con
corriente en la base cero y esperar a que estas cargas se recombinen y, finalmente, lo
harán, y al mismo tiempo que lo hacen, entonces el transistor se apagará. Pero la otra
cosa que se puede hacer es eliminar activamente los electrones a través del terminal de
base. De hecho, se empuja los electrones hacia atrás con una corriente de base-emisor
negativa capaz de eliminar la carga almacenada en la base y en la región n menos.
En la figura 20 se muestra un esbozo de las formas de onda tı́picas que aparecen. Se
muestra un circuito de excitación de base, que se representa por una fuente de tensión
equivalente y la resistencia Thevenin.
La forma de onda de tensión en la base muestra que comienza con un valor negativo,
24
Figura 20: Formas de onda tı́picas de circuito con BJT
lo que polariza inversamente la juntura base emisor y apaga el transistor. En un instante

de tiempo (2) la tensión va a alta y a poner en conducción la juntura base emisor y
se observa como la tensión de base-emisor que se polariza directamente y va a más 0,7
voltios, entonces el transistor se activa, por lo que tiene baja tensión colector emisor y
un alta corriente de colector.
Y el transistor está en el estado de conducción. Para apagar el transistor en forma
activa lo que se hace es que nuestro manejador produzca una tensión negativa para
eliminar de forma activa la carga almacenada hacia el exterior de la base. De acuerdo,
por lo que la forma de onda de la corriente de base irá a negativa. Y en realidad se
parecen mucho a la corriente de recuperación inversa de un diodo.
Es muy similar en forma, se debe tener una gran corriente negativa para eliminar
activamente la carga almacenada. Durante el intervalo de tiempo(5) a (6), la tensión de
base-emisor es 0.7V, durante el intervalo de tiempo entre (7) y (8) en la recuperación in-
versa finalmente el voltaje será negativo y en ese momento vamos a ver que el transistor
se apaga completamente. Ası́ que con el fin de conmutar el transistor al apagado rápida-
mente, necesitamos esta gran corriente negativa y por lo tanto un punto de partida ideal
de la forma de onda de corriente necesaria se parece a lo que se muestra en la figura 21.
Se tiene una gran corriente positiva inicialmente para suministrar la carga de la base y
ponerla en conducción, entonces tenemos una pequeña corriente de mantenimiento para
suministrar la recombinación en la base de los portadores minoritarios, mantener los
portadores minoritarios en la base, y en la región n menos del colector.
Y luego para apgar el transistor, se tiene una gran corriente negativa que sale de
la base para eliminar la carga almacenada rápidamente. Por último, una vez que el
transistor está apagado, no se tiene corriente de base.
25
Figura 21: Formas de onda ideal de la corriente de base
Una cosa que se puede preguntar es porque no se puede construir un manejador de

gran corriente de base para extraer la carga almacenada de forma muy rápida y apagar
el transistor tan rápido como el MOSFET.
Bueno en primer lugar se necesita mucho más corriente que en un MOSFET, pero lo
segundo es que hay lı́mites a lo grande que la corriente de base puede ser. Corrientes de
base negativas muy grandes durante la conmutación conducen a un mecanismo de falla
que es tradicionalmente llamado como segundo mecanismo de ruptura que proviene de
la concentración de corriente.
Figura 22: Aglomeración de la corriente debido a la corriente de base excesiva
En la figura22 se muestra como ejemplo un esbozo de lo que sucede. Se tiene una

gran cantidad de carga almacenada en la región n menos y en la región de base p y se
desea una la corriente hacia el exterior de la base para extraer toda la carga.
Se puede ver la forma en que los contactos de la base y de emisor son construidos.
Una gran corriente negativa requiere que se tenga una corriente lateral que fluye a través
de la región de base. Y también a través de la región n menos. Esta corriente lateral
26
causa una caı́da de tensión en la resistencia del silicio. Pues el material de silicio tiene
una resistencia. Y ası́, a partir de la dirección de la corriente se puede ver que la tensión
en la base serı́a más positiva en el centro, de lo que es en el borde.
Lo que sucede es que la unión base emisor sea más positiva en el medio de lo que es
en el borde y por lo que durante este tiempo, la corriente de colector tenderá a fluir por
el centro. Ası́, se obtiene lo que se llama concentración de corriente. Y la concentración
de corriente calienta el parte central de la unión base-emisor más de lo se calienta la
los bordes y obtenemos este fenómeno en el que la parte central de la unión de diodo
emisor base, acapare la corriente. Se puede incluso entrar en la falla térmica, como
hemos discutido previamente con el caso de los diodos en paralelo. Efectivamente se
puede pensar que esto es como un diodo distribuida. Y queremos que la corriente, fluya
de manera uniforme en la región total pero, lo que sucedes es una multitud de cargas
en el centro. Y lo que sucederá es que esa parte se volverá más caliente que el resto. Y,
tenderá a acaparar toda la corriente, y puede hacer que el transistor falle.
Por lo tanto, esto se llama concentración de corriente. Si usted tiene un transistor que
falla puede en realidad abrirlo y mirarlo bajo un microscopio. Y descubrir que falló en
el medio del emisor y como ingeniero se puede decir que la corriente de base negativa en
el apagado ha sidodemasiado grande.
Una cosa similar sucede cuando se enciende el transistor, cuando la corriente va en
la otra dirección pero en ese caso se puede ver que la multitud de corriente toda ocurre
en los bordes del emisor. Y se puede ver que también con un microscopio.
Esto se conoce como el mecanismo de avalancha secundaria que hace que los BJT
fallen. Y el efecto es que limita, la rapidez con la que se puede conmutar los BJT en la
práctica.
Otra caracterı́stica distinta de los BJT con relación a los MOSFET, es que en alta
corriente,en el BJT se degrada el valor de la ganancia. La figura 23 es un gráfico de la
Figura 23: Caracterı́sticas de los BJT
corriente de base frente a la corriente de colector. Para un BJT real, BJT de potencia
27
que está clasificado para 10 amperios y 600 voltios. Y ası́, si el BJT operara con una
ganancia de corriente constante beta, entonces la relación de la corriente de base frente a
la corriente de colector serı́a una lı́nea recta con una pendiente igual a la ganancia actual.
Sin embargo, se puede ver que a valores altos de corriente de colector, la pendiente se
hace más baja y el transistor se queda sin ganancia de corriente. Y esto es clásico para
cualquier BJT.
Para este dispositivo en particular, que está clasificado para 10 amperios, 600V, se
puede ver que a lo sumo se puede obtener 10 amperios. Eso es realmente el lı́mite.
Y por esto la clasificación de corriente está determinada realmente por la ganancia
caracterı́stica del transistor.
Con un MOSFET esto no sucede. Un MOSFET de clasificación de 10 amperios
tendrá curvas de este tipo que se extienden hasta 20 y 30 y corrientes mucho más altas.
Y el MOSFET entonces en realidad está limitado térmicamente. Por lo tanto, se puede
utilizar un MOSFET de 10 amperios con 20 amperios para un muy corto perı́odo de
tiempo, siempre que el promedio de potencia sea lo suficientemente bajo para no calentar
el dispositivo. Esta pérdida de ganancia de corriente ofrece otro mecanismo para limitar
la potencia que podemos conseguir del BJT.
Figura 24: Conexión Darlington de transistores BJT
La conexión Darlington de los BJT figura 24 es un tipo clásico de enfoque para

mejorar la ganancia de BJT de alto voltaje. A alta tensión es difı́cil de conseguir alta
ganancia de corriente al mismo tiempo, por lo que un BJT 1000 voltios podrı́a tener una
ganancia de corriente de sólo unos pocos. y la conexión Darlington de BJT nos da dos
transistores por un valor de ganancia de tal forma que la ganancia total es la relación
de la corriente de base de entrada de el primer transistor a la corriente de colector de lal
combinación, ahora es el producto de los dos betas.
Por lo tanto, este, esta es una de las maneras tradicionales de construir un BJT de
alta corriente y alto voltaje. El problema con el manejo de ésta conexión Darlington
aparece en el apagado. Se conecta un driver en la base. Por lo tanto, si tenemos una,
digamos otro controlador de base, conectamos aquı́. Y hacemos lo mismo que se hizo con
el solo BJT, hace un par de diapositivas, para conseguir el apagado de este dispositivo,
que extraiga una corriente negativa de la base. Si estuviera Q1 y Q2 sin el diodo, lo que
sucede es que el controlador logra apagar Q1 rápidamente, pero una vez apagado no hay
nada para eliminar activamente la carga almacenada en Q2. Por lo tanto, tenemos que
28
esperar a que las cargas minoritarias se recombinen y el tiempo de conmutación puede
ser largo.
Ası́ que tenemos una gran cantidad de pérdidas de conmutación debido a este tiempo
de desconexión lentos. Por lo tanto, este diodo, D1, se añade a, para resolver esto, de
modo que cuando el controlador de base apaga Q1 rápidamente, todavı́a tenemos un
camino para eliminar la carga almacenada de Q2 a través del diodo D1 y el manejador
de base que es capaz de apagar también Q2 rápidamente.
El BJT es uno de los transistores de poder clásicos. El BJT era en los 70s el caballo
de batalla en el negocio de las fuentes de alimentación electrónica y luego se sustituye por
el MOSFET, que se convirtió en comercialmente significativo en la década de 1980 y por
lo tanto en aplicaciones de baja tensión, es decir 600 voltios y por debajo. El MOSFET,
realmente es el dispositivo de elección en la actualidad. Luego a las aplicaciones de mayor
tensión, el BJT, no se aplica sólo sino que ha sido sustituido por el IGBT para tensiones
por encima de 600 voltios se aplica el IGBT.
En comparación con el MOSFET, (debido al BJT interno del IGBT), tiene una
conmutación más lenta porque es una dispositivo de carga minoritaria. Pero su resistencia
de conducción para el mismo tamaño de la pastilla es mucho más bajo que el de un
MOSFET de voltaje comparable.
Figura 25: Transistor Bipolar de compuerta aislada IGBT
En la figura 25 se muestra la estructura interna de un IGBT. Realmente es un

MOSFET en combinación con un BJT y lo que se muestra es un bosquejo o un dibujo
de la sección transversal de la misma. En realidad se ve exactamente igual que el dibujo
del MOSFET, sólo hay una pequeña diferencia de que la región inferior es p en lugar de
n, por lo que aparece de hecho una unión pn adicional en serie con lo que se llama el
drenaje de el MOSFET que ahora es tradicionalmente llamado el colector.
El transistor bipolar de puerta aislada IGBT tiene una puerta al igual que un MOS-
FET, la fuente del MOSFET se llama el emisor en el IGBT y el drenaje (Drain) se
29
llama ahora el colector, y tenemos esta unión pn adicional. Lo que la unión pn hace es
en condiciones normales, es decir, en las condiciones en que se enciende el dispositivo.
Se tiene una corriente que fluye desde abajo (desde el colector) a través de la unión pn.
Se producen huecos desde el material p, que se difunden a través de la unión pn y van
a la región n menos y producen la modulación de la conductividad. Y ası́, estos huecos,
cuando el dispositivo está encendido, producen los portadores minoritarios que reducen
la resistencia del dispositivo. Por lo tanto, se tiene una resistencia mucho más baja en la
porción n menos de lo que se tiene en un MOSFET comparable, a pesar de que se tenga
una unión pn extra en serie que tiene su caı́da de polarización directa. Pero lo que se
hace en la práctica es diseñar los IGBT para voltajes muy altos y que tengan resistencias
de conducción mucho más bajos que las resistencias del el MOSFET. Por encima de 600
voltios, la resistencia de funcionamiento el MOSFET sube muy rápidamente, pero al
hacer este truco para conseguir inyección de portadores minoritarios se puede controlar
la resistencia de conducción. Y ası́ se tiene dispositivos de 1.200 voltios y 1700 voltios
que son muy buenos, y que tienen un comercio muy significativo. Y tenemos dispositivos
de tensión mucho más grandes también para aplicaciones de alta potencia con tensiones
de ruptura de 2.000, 3.000V e incluso más alta gama.
El IGBT se parece a un MOSFET, se tiene el canal en el lugar habitual en el mismo
lugar que el MOSFET, y luego se tiene una juntura pn, y en una aproximación de
primer orden se podrı́a decir que se tiene un diodo en serie con el MOSFET, pero lo
que realmente sucede es un poco más complicado que eso. Si se observa la estructura,ver
Figura 26: Circuito equivalente del transistor Bipolar de compuerta aislada IGBT
figura 26 el material p del sustrato se pone en cortocircuito con lo que ahora se llama
el emisor. En realidad consituye un transistor pnp, por lo que un circuito equivalente
más preciso para el IGBT es la interconexión de un MOSFET y un BJT. Se tiene
un MOSFET que es conectado a un transistor PNP lo que producen en realidad dos
diferentes componentes de flujo de corriente. Se llaman i1 e i2 aquı́. Ası́ podemos tener
un flujo de corriente a través del canal del MOSFET y hacia fuera por el emisor, eso se
30
llama i1 . O podemos tener un flujo de corriente por el transistor BJT PNP sin pasar por
el canal del MOSFET y que se llama i2 .
Y efectivamente la corriente de drenaje del MOSFET suministra la corriente de base
al transistor pnp. Entonces, el efecto de esto sobre la conmutación afecta al rendimien-
to de la conmutación de apagado El manejador de puerta puede apagar al MOSFET
rápidamente, lo que hace que i1 vaya 0. Pero aún tenemos portadores minoritarios en
la región n menos, región que permite que el PNP continúe conduciendo. Y ası́, i2 sigue
conduciendo y no hay forma activa para quitar esa carga almacenada de la región n
menos, por lo que todo lo que se puede hacer es esperar a que la carga minoritaria se
recombine. Y una vez que lo hace, entonces, finalmente, el transistor PNP se apagará.
Por lo tanto, el IGBT tiene este mecanismo de apagado bastante lento y este mecanismo
de desconexión es tradicionalmente llamada cola de corriente en el IGBT. La forma de
Figura 27: Cola de corriente en IGBT
onda de la corriente de apagado está indicada en la figura 27 Cuando originalmente el

dispositivo está encendido, la corriente total fluye como una combinación de i1 e i2 . Y
cuando se apaga el dispositivo, se apaga la corriente del MOSFET rápidamente, es decir,
i1 desaparece rápidamente, y se ve que, la corriente disminuye por el apagado del MOS-
FET a este punto entre t2 y t3. Pero después de eso, i2 continúa fluyendo y la fracción
de la corriente de colector que es i2 , se desintegra lentamente mientras se produce el
decaimiento de los portadores minoritarios. Y, finalmente, el dispositivo se apaga. Y ası́,
este tiempo largo que tarda la componente i2 en desaparecer se denomina la cola de
corriente.
La transición de conmutación de apagado del IGBT puede ser significativo. Depende
31
del tamaño y la clasificación del IGBT, pero puede haber varios microsegundos o en un
buen IGBT varios cientos de nanosegundos. Si se multiplica la tensión de colector-emisor
por la corriente de colector, obtenemos la pérdida de potencia en el transistor durante
esta transición de apagado. Y tiene una cierta área, que representa la pérdida de energı́a
durante ésta transición de apagado y obtenemos las pérdidas de conmutación igual a
la pérdida de energı́a durante los tiempos de cola de apagado veces la frecuencia de
conmutación.
Y, de hecho, hay una cierta pérdida de energı́a durante la transición de encendido
también, ası́ que realmente se deberı́a añadir en la pérdida de energı́a también.
En las hojas de datos, por lo general se especifican valores de las pérdidas de energı́a
de encendido y apagado. Hay algunas cosas que se puede hacer para controlar esta cola de
corriente. Una cosa que se puede hacer es por el diseño del circuito realmente controlar
la ganancia de corriente del transistor bipolar y se puede controlar la cantidad de la
corriente que fluye en la trayectoria i2 frente a la del camino i1 . Por lo tanto, esta es una
variable de diseño que la diseñador del dispositivo tiene para jugar.
Ası́ que si se hace que la mayor parte del flujo de corriente pase a través del MOSFET
y muy poco flujo a través del BJT, entonces lo que hace es que esta porción i1 sea grande
y la porción i2 ser pequeña. Y la cola de corriente es menor, por lo que se va a conseguir
una menor pérdida de energı́a durante la trancisión de apagado.
Los diseñadores pueden hacer un IGBT rápido de esa manera, pero el precio que se
paga es que la caı́da de tensión es mayor porque la mayorı́a de la corriente fluye por la
dirección del MOSFET y menos por la dirección del colector. Por lo tanto, otra cosa que
a menudo se puede hacer es la elección opuesta. Lo que nos da más carga minoritaria
almacenada. Esto hace que el interruptor del dispositivo sea más lento, pero nos da una
caı́da de polarización directa más pequeño. A menudo muchos fabricantes ofrecen incluso,
dos versiones de sus dispositivos. Uno que está optimizado para la caida de polarización
directa, y el otro que está optimizado para tiempos de conmutación rápidos. El usuario
tiene que decidir cual le dará una mayor eficiencia en su aplicación.
CONCLUSIONES
El IGBT actualmente es un moderno dispositivo de elección en tensión por encima de
600 voltios. Se tienen módulos IGBT muy grandes que se componen de múltiples chips
individuales, donde el chip individual puede ser de una clasificación de 50 amperios o
100 amperios. Múltiples chips se empaquetan juntos en un sustrato térmico común para
hacerlos, funcionar a la misma temperatura y compartir la corriente, y ası́ entonces se
logra un módulo de muchos de estos chips que podrı́a ser clasificado para cientos de
amperios o incluso 1.000 amperios, y con tensiones elevadas, posiblemente varios miles
de voltios.Por lo tanto, estos son dispositivos de muy alta potencia que pueden ser
controlados simplemente cambiando su voltaje de la puerta de cero a 15 voltios y de
vuelta de 15 a 0 V.
Y se puede controlar una gran cantidad de energı́a con una sencilla tensión en la
compuerta del MOSFET.
La caı́da de tensión directa de estos dispositivos es un diodo en serie con una on-
32
resistencia, por lo tanto, la resistencia de encendido es la de la región n menos en serie
con el diodo de emisor base que es una caida de tensión de una juntura pn que está en
el colector del dispositivo.
El coeficiente de temperatura de estos dispositivos es una combinación del compor-
tamiento del MOSFET y BJT. En baja corriente y polarización directa se tiene un
coeficiente de temperatura negativo temperatura, pero a alta corriente la resistencia de
conducción del MOSFET domina. Y tenemos un coeficiente de temperatura positivo lo
que significa que los dispositivos tienden a compartir la corriente a medida que está cerca
de la clasificación actual del dispositivo.
Los dispositivos son más lentos que un MOSFET, pero ellos pueden ser más rápidos
que un Darlington o un SCR o un GTO. Las frecuencias de conmutación para los dispo-
sitivos de baja caida directa pueden ser uno o varios kilohertz y para dispositivos rápidos
a veces están funcionan a 10s de kilohercios y hay algunos dispositivos muy rápidos que
pueden funcionar en cientos de kilohercios o más, para baja tensión.
PREGUNTAS Elabore un banco de 10 preguntas con sus respectivas respuestas

sobre el tema BJT e IGBT.
33
Convertidores DC-DC
Vı́ctor Proaño
20 de febrero de 2018
1. Ideas fundamentales
La Electronica de Potencia estudia los convertidores estáticos de energı́a eléctrica.Los
convertidores se realizan mediante dispositivos semiconductores que funcionan como in-
terruptores. Las formas de presentación de la energia eléctrica son corriente alterna AC y
corriente continua DC. Los convertidores posibles son: Rectificadores para la conversión
de AC a DC, Inversores para la conversión DC a AC, convertidores DC a DC de distinta
tensión(Choppers), y, convertidores AC a AC de distinta tensión o frecuencia.Los dispo-
sitivos semiconductores que se utilizan son: diodos, transistores BJT, MOSFET, IGBT,
tiristores.
Los dispositivos semiconductores funcionan como interruptores del tipo SPST (ca-
rrera simple, polo simple) que conmutan a una frecuencia de conmutación del orden
de las decenas de Kilohertz. El funcionamiento en conmutación de los dispositivos se-
miconductores significa una disipación de potencia que idealmente es nula puesto que
cuando el interruptor está abierto la corriente que circula es nula y por tanto la potencia
instantánea disipada p = vi es nula. Lo mismo ocurre si el interruptor está cerrado en
cuyo caso la tensión es nula.
Los dispositivos semiconductores no son interruptores ideales y presentan pérdidas
de potencia especialmente cuando conducen y en los instantes de conmutación. Estas
pérdidas son minimas en comparación de las que se producirı́an si los dispositivos semi-
conductores trabajaran en la región activa que se utiliza en los sistemas de amplificación
donde se favorece la fidelidad antes que la eficiencia.
En los esquemas de circuitos convertidores de potencia aparecen interruptores, bobi-
nas, capacitores y transformadores, es decir elementos que idealmente no disipan poten-
cia. La carga del convertidor se presenta como una resistencia que es el consumidor final
de la energı́a convertida. La potencia
RT promedio que un elemento disipa por perı́odo de
conmutacion es P = hpi = T1s 0 s vidt. En estado estacionario la corriente instantánea
que cicula por la inductancia al inicio iL (0) y al final del perı́odo de conmutación iL (T s)
son iguales. Similar cosa ocurre con el voltaje del condensador que es igual al inicio y
fin del perı́odo de conmutación
Para el análisis de los circuitos convertidores, considere que el interruptor conmuta en
forma periódica con un perı́odo de conmutación T s. El interruptor está en la posición 1
durante una fracción de tiempo DT s, donde D es el ciclo de trabajo que es un valor entre
1
0 y 1. El interruptor está en la posición 2 durante el tiempo (1 − D)T s. Normalmente el
interuptor en la posición 1 es realizado por un transistor y en la posición 2 por un diodo.
1.1. Identificación de los elementos del convertidor de potencia

Indique los elementos que conforman cada convertidor de la Figura 1. Vg representa
la fuente de alimentación cuya tensión se desea cambiar.
1.2. Identificación de las variables voltaje y corriente en los elementos

Identifique las variables voltaje y corriente en cada elemento. La identificación signi-
fica nombrar la variable e indicar el sentido en la corriente y la polaridad en el voltaje.
Una forma conveniente de identificar las variables consiste en asignar el sentido de la
corriente ingresando por el terminal positivo de la tensión.
1.3. Potencia disipada en elementos del convertidor de potencia

Escriba las ecuaciones de la potencia promedio en la inductancia, en el condensador
y en el interruptor en cada posición.
(b) Puente-H
(a) Buck-Boost
(c) Puente-H-corriente
Figura 1: Convertidores para identificación de variables y cálculo de potencia promedio
2. Relación de conversión y dimensionamiento de elementos

La relación de conversión de los Convertidores de potencia es una función del ciclo
de trabajo D. La obtención de la relación de conversión requiere la aplicación de los
principios de balance Voltios segundo en las inductancias del circuito y del balance de
carga en los condensadores.
2
La obtención de la relación de conversión de los convertidores se inicia con las ecua-
ciones de voltaje de las inductancias y corriente de los condensadores en cada intervalo
de funcionamiento.Un intervalo de funcionamiento es una fracción de tiempo donde el
interruptor permanece en una posición. La razón por la que se obtiene el voltaje de la
inductancia es debido al principio de Balance Voltios-Segundo que establece que el valor
promedio de la tensión en las inductancias es cero. Ası́ mismo el Balance de Carga en
los condensadores establece que la corriente promedio de un condensador es cero.
En un convertidor bien diseñado, el rizado de voltaje y de corriente es pequeño. Por
tanto, la tensión en la inductancia y la corriente del condensador en cada intervalo de
funcionamiento se consideran constantes. Entonces, se puede determinar las pendientes
de la corriente en la inductancia y del voltaje del condensador. Para el rizado de corriente
se utiliza la expresión vL = L dt di
que conduce a dt di
= vLL . De acuerdo a los valores
de vL en cada intervalo, se tiene que la pendiente de la corriente es positiva en el un
intervalo y negativa en el otro con lo cual se determina el rizado de corriente y voltaje
respectivamente. A partir de estas expresiones se calcula el valor de inductancia necesaria
para obtener la magnitudes de rizado deseada. Para el rizado de tensión en el condensador
se usa la expresión iC = C dv
dt y se obtiene el gráfico de la tensión en el condensador con
el rizado incluido y de esa expresión se determina el valor necesario de condensador para
lograr el rizado de tensión deseado.
La actividad que se plantea está orientada a obtener la relación de conversión de cada
convertidor de la Figura 2; calcular los valores de la bobina y el condensador para obtener
un rizado deseado; y, encontrar las caracterı́sticas mı́nimas de los semiconductores .
2.1. Identificación de las variables y dibujo de los intervalos de funcionamiento

Identifique las variables en el circuito: corriente en la bobina, voltaje en el conden-
sador
Dibuje los circuitos de cada intervalo que resultan de cada posición del interruptor,
identifique las corrientes y los voltajes de cada elemento.
2.2. Escritura de ecuaciones de circuitos

Escriba las ecuaciones de la(s) tensión(es) en la(s) inductancia(s) y de voltaje en los
condensadores para cada intervalo. Exprese estas variables en términos de los voltajes
en condensadores, corrientes de inductancias y voltaje de fuente.
2.3. Aproximación de pequeño rizado

El análisis de los convertidores se facilita cuando se aplica la aproximación de pequeño
rizado que consiste en despreciar el rizado de la corriente en las bobinas, el rizado de las
tensiones en los condensadores y el rizado de la fuente de alimentación. Las ecuaciones
de voltaje en las inductancias y de corriente en los condensadores durante cada intervalo
deben contener únicamente valores de cantidades constantes, esto es, deben expresarse
en términos de las corrientes de bobinas, voltaje de capacitores y voltaje de fuente.
3
(a) Puente-H
(b) Puente-H-corriente
(d) Buck con filtro de entrada

(c) Buck-Boost
(e) SEPIC
Figura 2: Convertidores para cálculo de relación de conversión y dimensionamiento de

elementos
4
2.4. Aplicación de balance de V.s
Exprese el valor medio de la tensión en la inductancia considerando que el interruptor
permanece en la posición 1 durante un tiempo DTs y en la posición 2 durante un tiempo
D0 Ts . Debido a que el valor medio de la tensión en las inductancias es cero, esta expresión
permite encontrar la relación de conversión del circuito M en términos del ciclo de trabajo
D. Escriba la relación M (D).
2.5. Aplicación de balance de carga

Exprese el valor medio de la corriente en el condensador considerando las ecuaciones
obtenidas para cada intervalo. El valor medio de la corriente en el condensador es cero.
De aquı́ se obtiene la relación de corrientes en el circuito en términos del ciclo de trabajo
D. Escriba la relación entre las corrientes de la inductancia y la corriente de carga.
2.6. Dimensionamiento de elementos de almacenamiento

Encuentre las expresiones para el cálculo de los valores de la inductancia y del con-
densador en términos del rizado de corriente y rizado de voltaje deseados en el circuito.
El rizado de corriente y el rizado de voltaje son datos de diseño. Para este propósito
considere la tensión de la inductancia en cada intervalo y obtenga la pendiente de la
corriente. Tome en cuenta la polaridad de la tensión para determinar si la pendiente es
ascendente o descendente. Realice el gráfico de la corriente durante un periodo de con-
mutación. Para el cálculo del rizado de tensión en el condensador considere la corriente
del condensador en cada intervalo y dibuje el gráfico de la tensión en el condensador que
incluye el rizado.
3. Pérdidas de conducción, Modelado mediante Transformador DC

La función principal de cualquier convertidor dc-dc es la transformación de los nive-
les de voltaje y corriente DC con un 100 % de eficiencia. La eficiencia de un convertidor
disminuye debido a las pérdidas de potencia en su interior. Un tipo de pérdida de po-
tencia constituyen las pérdidas de conducción en los elementos. Las bobinas tienen una
resistencia, los MOSFET presentan una resistencia en conducción, los diodos requieren
una tensión de umbral para conducir.
Las pérdidas de conducción del convertidor pueden calcularse con el uso de un mo-
delado del convertidor mediante un transformador DC. El modelo puede ser manipulado
y resuelto fácilmente usando las técnicas familiares del análisis de circuitos. El mode-
lo permite calcular los voltajes, corrientes y eficiencia de los convertidores prácticos no
ideales.
En general, el circuito equivalente como transformador DC de un convertidor puede
ser deducido a partir de las ecuaciones de balance voltios segundo del inductor y de
carga en el capacitor. Los circuitos equivalentes son construidos de tal forma que sus
ecuaciones de lazo y nodo coincidan con las ecuaciones de balance voltios-seg y carga. En
5
los convertidores que tienen una corriente de entrada pulsante, se requiere una ecuación
adicional para modelar el puerto de entrada del convertidor. Esta ecuación se obtiene
promediando la corriente de entrada al convertidor. En esta actividad se realizará el
análisis y modelado de cada convertidor de la Figura 3 considerando la Ron del transistor,
el voltaje directo de conducción del diodo VD y la resistencia del devanado del inductor
RL como elementos de pérdida de potencia.
3.1. Obtención de las ecuaciones de hvL i e hiC i

Dibuje los circuitos que resultan en cada posición del interruptor, identifique las
corrientes y los voltajes de cada elemento. Escriba las ecuaciones de la(s) tensión(es) en
la(s) inductancia(s) y de voltaje en los condensadores. Exprese estas variables en términos
de los voltajes en condensadores, corrientes de inductancias y voltaje de fuente. Aplique
los principios de balance V.s y balance de carga para obtener las expresiones de hvL i e
hiC i .
3.2. Obtención de los circuitos equivalentes

Las expresiones de hvL i e hiC i conducen a la obtención de un circuito equivalente
que al ser resuelto produce estas ecuaciones. Para ello se dibuja la inductancia a través
de la cual circula la corriente IL y en la que se tiene una tensión hvL i, se identifica la
expresión como una ecuación de lazo de circuito. Se dibuja cada término de la expresión
identificando cada elemento como fuente dependiente, fuente independiente o resistencia.
El mismo proceso se realiza para el condensador pero en este caso la ecuación debe
interpretarse como una ecuación de nodo. La corriente de la fuente en términos de la
corriente IL determina el circuito equivalente del puerto de entrada. Obtenga los circuitos
equivalentes.
3.3. Modelo mediante transformador DC

En el circuito equivalente se puede identificar las fuentes dependientes que en conjun-
to forman un transformador DC. Sustituya las fuentes dependientes por el transformador
correspondiente. Identifique la relación de vueltas y la ubicación de los puntos en el trans-
formador que definen la polaridad con que están relacionados el primario y el secundario.
3.4. Cálculo de la eficiencia

El cálculo de la eficiencia requiere calcular las relaciones de voltaje y corriente. Estas
relaciones se realizan entre las variables del puerto de salida versus las variables del
puerto de entrada. Los cálculos se facilitan mediante manipulaciones al circuito que
se realizan por la presencia del transformador ideal DC. Se pueden pasar elementos
del primario al secundario y viceversa hasta obtener un circuito de fácil solución para
obtener la relación de conversión del circuito práctico no ideal y como consecuencia la
eficiencia del convertidor.
6
(b) Buck con filtro de entrada
(a) Buck-Boost
(c) Boost (d) Buck
(e) SEPIC
Figura 3: Esquemas para obtención del modelo equivalente mediante transformador y

cálculo de eficiencia
4. Pérdidas de conmutación
Un tipo importante de pérdidas en los convertidores son las pérdidas de conmuta-
ción. Estas se producen debido al retardo que presentan los diodos principalmente en el
paso de conducción a corte. Debido a la presencia de una gran cantidad de portadores
minoritarios en la región cercana a la juntura, ocurre que toma tiempo desalojarlos para
que el diodo deje de conducir. Dos parámetros influyen en el cálculo de las pérdidas de
conmutación: tr que es el tiempo de recuperación inversa y Qr la carga de recuperación
inversa.
Las pérdidas de conducción del convertidor pueden calcularse con el uso de un mo-
delado del convertidor mediante un circuito que traduce los parámetros en fuentes de-
pendientes de corriente. Para ello se requiere analizar el efecto de la corriente del diodo
en los elementos cercanos del circuito. El modelo permite calcular los voltajes, corrientes
y eficiencia de los convertidores.
La figura 4 muestra el procedimiento de análisis para un convertidor tipo Buck. Se
observa que el modelo se obtiene mediante el cálculo de la corriente promedio de la fuente
a partir de la forma de onda donde se refleja el efecto del retardo de tiempo en el paso
de conducción a corte del diodo La figura 5 muestra el procedimiento de análisis para
un convertidor tipo Boost. En este caso el modelo se obtiene considerando el balance
de carga en el condensador que indica que hic i = 0. El retardo de tiempo en el paso de
conducción a corte del diodo se refleja en la ecuación: hic i = hiD i + v/R.
7
(b) Modelo de análisis
(a) Buck
Figura 4: Pérdidas de conmutación en convertidor Buck
(b) Modelo de análisis
(a) Buck
Figura 5: Pérdidas de conmutación en convertidor Boost
8
En esta actividad se realizará el análisis y modelado de cada convertidor de la Figura
6 considerando el tr y Qr del diodo y el cálculo de la eficiencia de los circuitos.
(b) Buck con filtro de entrada

(a) Buck-Boost
(c) Boost (d) Buck
(e) SEPIC
Figura 6: Esquemas para obtención de eficiencia por pérdidas de conmutación
4.1. Cálculo de la eficiencia

El cálculo de la eficiencia requiere calcular las relaciones de voltaje y corriente. Estas
relaciones se realizan entre las variables del puerto de salida versus las variables del
puerto de entrada.
5. Realización y dimensionamiento
La realización de los interruptores consiste en reemplazarlos mediante dispositivos
semiconductores. Debido a que los semiconductores tienen dos terminales su funciona-
miento se asemeja al de interruptores SPST (simple polo simple carrera). Sin embargo,
normalmente lo que se requiere en los convertidores es interruptores SPDT (simple polo
doble carrera). Dos interruptores SPST equivalen aproximadamente a un SPDT, siempre
que se evite la condición de que los dos SPST estén cerrados( o abiertos) a la vez puesto
que esto no ocurre en el SPDT.
Para definir el tipo de elemento semiconductor a ser utilizado se debe conocer los
cuadrantes de funcionamiento de los dispositivos semiconductores. Esta caracterización
de los dispositivos utiliza un sistema de coordenadas que representa en el eje de abscisas
la tensión, y en el eje de las ordenadas la corriente a través del dispositivo. Por ejemplo
9
un diodo se caracteriza por funcionar en el segundo cuadrante porque la tensión que
aparece en sus terminales es negativa cuando está abierto y la corriente es positiva
cuando conduce. Aquı́ se da por sentado que la definición de la tensión es de ánodo con
respecto al cátodo y la corriente se define ingresando por el ánodo, Sin embargo, se puede
también considerar la definición en sentido contrario es decir la tensión de cátodo con
respecto al ánodo en cuyo caso la corriente quedarı́a definida ingresando por el cátodo
y el cuadrante de funcionamiento será el cuarto cuadrante.
Del proceso de realización se obtienen las caracterı́sticas básicas para el dimensio-
namiento de los elementos semiconductores. Estas caracterı́sticas básicas constituyen: el
voltaje de bloqueo al que está expuesto el semiconductor en el circuito cuando está en
la condición de corte y la corriente que lo atravieza cuando está en la condición de
conducción.
En esta actividad se plantea la Realización de los circuitos de la Figura 7
5.1. Reemplazo de los interruptores SPDT por interruptores SPST

Dibuje el circuito equivalente de reemplazar el interruptor SPDT por dos interrup-
tores SPST. Identifique la corriente y la tensión en cada interruptor SPST.
5.2. Obtención de las expresiones de tensión y corriente a través de los interruptores

SPST
Dibuje el circuito equivalente para cada intervalo y encuentre las expresiones para la
corriente y tensión de cada interruptor SPST. La corriente debe encontrarse en términos
de la corriente en la inductancia y la corriente de carga. La tensión debe expresarse en
términos de la tensión en el condensador y del voltaje de la fuente.
5.3. Determinación de cuadrantes de operación

Analice en base a las expresiones obtenidas el sentido de la corriente y la polaridad
de la tensión en los interruptores SPST. Realice un barrido de los valores del ciclo de
trabajo para realizar este análisis.
5.4. Realización de los interruptores SPST

Realice cada interruptor considerando los cuadrantes de operación de los interrupto-
res SPST en el convertidor. Dibuje el circuito convertidor con los semiconductores.
5.5. Dimensionamiento de semiconductores

Encuentre las expresiones para el cálculo de la tensión de bloqueo y de la corriente
que atravieza a cada semiconductor del convertidor. La tensión de bloqueo del semicon-
ductor se define como la máxima tensión que el circuito produce en los terminales del
semiconductor.
10
(b)
(a)
(c)
(d)
(e)
(f)
Figura 7: Esquemas de Convertidores DC a DC para resolver la Realización
11
6. Modo de conducción discontinuo
Se ha anotado que en un convertidor bien diseñado, el rizado de voltaje y de corriente
es pequeño y como consecuencia la tensión en la inductancia y la corriente del conden-
sador en cada intervalo de funcionamiento se consideran constantes. El rizado pequeño
de corriente se asegura con un valor de inductancia suficientemente grande y el rizado
pequeño de voltaje se logra con una capacitancia suficientemente grande. La idea central
para el análisis de convertidores en modo discontinuo es que si una inductancia no es lo
suficientemente grande el rizado de la corriente que la atravieza se vuelve comparable al
valor medio y por tanto puede producirse la extinción de la corriente de la inductancia y
provocar el apagado del semiconductor relacionado lo que constituye un tercer intervalo
de funcionamiento con lo que el convertidor se dice trabaja en modo discontinuo DCM
Existen convertidores que se diseñan para trabajar en el modo discontinuo DCM. En
este modo de funcionamiento el rizado de la corriente de la inductancia excede al valor
medio de la corriente y en el análisis se incluye las ecuaciones del tercer intervalo
El funcionamiento en el lı́mite entre el modo de conducción continuo CCM y el
modo DCM se conoce como modo frontera. Las condiciones para el funcionamiento
del convertidor en el modo frontera se obtienen del análisis en el modo continuo y se
determinan por la condición que el rizado pico de la corriente en el inductor iguale al
valor medio. Esta condición puede expresarse de mejor manera utilizando dos constantes:
K y Kcrit . La constante K está definida en términos de los elementos del circuito y la
L
frecuencia de conmutación K = 2 RT s
, mientras que la constante Kcrit está definida por
la configuración del convertidor y es una función del ciclo de trabajo D. La actividad
que se plantea es el análisis del modo discontinuo de los convertidores de la Figura 8
6.1. Obtención de la relación de voltaje y corriente en modo continuo

Obtenga la relación de voltaje mediante el principio de balance Voltios-seg y la
relación de corriente aplicando el balance de carga.
6.2. Cálculo del rizado de corriente de inductancia y determinación de Kcrit

El rizado de corriente en la inductancia resulta de calcular el voltaje de la inductancia
en cada intervalo y luego aplicar la expresión
di vL
dt = L . El valor de Kcrit se obtiene igualando el valor DC de la corriente con el
valor pico del rizado, es decir, considerando el modo frontera del convertidor.
6.3. Obtención de la relación de conversión DCM

En el modo discontinuo aparece un tercer intervalo. El balance de carga debe reali-
zarse incluyendo ese tercer intervalo. El balance de carga considera ahora que iL ya no
es constante. Encontrar una expresión que relacione el valor medio de la corriente en el
condensador con el valor medio de la corriente pulsante presente en el semiconductor
correspondiente del circuito. Obtenga la relación de conversión.
12
(a)
(b)
(c)
(d)
Figura 8: Esquemas de convertidores para analizar el modo discontinuo DCM
13
7. Convertidores con transformador
Un transformador permite obtener aislamiento eléctrico entre los devanados. En los
circuitos convertidores los transformadores trabajan a frecuencias de decenas de Kilo-
Hertz con lo cual su tamaño se reduce comparado con el de transformadores de baja
frecuencia. El transformador en los convertidores permite mayor rango en la relación de
conversión de voltajes y corrientes.
En el análisis de circuitos convertidores con transformador se debe prestar especial
atención a la polaridad de las tensiones y corrientes que se identifican en el circuito.
La relación de voltajes y corrientes en un transformador ideal se establece considerando
el terminal marcado con punto. Si el terminal positivo de las tensiones coincide donde
está ubicado el punto y asi mismo si las corrientes en los devanados están ingresando
por los puntos, las ecuaciones que describen el transformador ideal son:
v1 v2 v3
n1 = n2 = n3 = ... y n1 i1 + n2 i2 + n3 i3 + ... = 0.
El modelo básico de un transformador real está compuesto de una inductancia de
magnetización y un transformador ideal. Este modelo resulta de considerar al transfor-
mador con el devanado secundario abierto en cuyo caso se medirı́a entre sus terminales la
inductancia de magnetización. En el modelo, entonces, la inductancia de magnetización
está en paralelo con uno de los devanados de un transformador ideal.
En el análisis de circuitos convertidores es importante considerar el Reseteo de los
transformadores en cada perı́odo de conmutación. El Reseteo es el mecanismo mediante
el cual se produce el balance Voltios-segundo en el transformador. Si no se Resetea el
transformador se produce la saturación de la bobina de magnetización lo cual significa
que el transformador es prácticamente un cortocircuito y puede provocar fallo en los
elementos del circuito. Para el cálculo del Reseteo se utiliza el balance Voltios-segundo
sobre la inductancia de magnetización.
La actividad que se plantea es el análisis de los convertidores con transformador de
la Figura 9. El análisis incluye relación de conversión, modelo con transformador ideal
para evaluar la eficiencia por pérdidas de conducción y el análisis de las pérdidas de
conmutación.
7.1. Análisis de convertidores con transformador. Circuitos en cada intervalo

Dibuje los circuitos equivalentes para cada intervalo. El transformador real es reem-
plazado por una Inductancia de magnetización en paralelo con un transformador ideal.
7.2. Obtención de las relaciones de conversión

Aplique los principios de balance Voltios.segundo y balance de carga para obtener
las relaciones de conversión de Voltaje y corriente.
14
(a)
(b)
(d)
(c)
(e)
Figura 9: Esquemas de Convertidores DC a DC con transformador
15
8. Modelado AC de convertidores
Los convertidores comerciales incluyen un lazo de realimentación que permite mante-
ner constante la tensión de salida frente a posibles perturbaciones como son las variacio-
nes del valor de la carga y variaciones de la magnitud de la fuente de alimentación. Para
el diseño del lazo de realimentación utilizando la teorı́a clásica de control se requiere
disponer de la función de transferencia del proceso. Un lazo de control utiliza la señal de
error entre el valor medido y el valor deseado. Esta señal de error ingresa al controlador
que reacciona para corregir ese error mediante la aplicación de cambios al valor de ciclo
de trabajo del circuito de potencia.
El modelo AC de los convertidores conduce a la función de transferencia del conver-
tidor que se obtiene aplicando la teorı́a de circuitos.
8.1. Circuitos en cada intervalo

Dibuje los circuitos equivalentes para cada intervalo de funcionamiento considerando
a los dispositivos como interruptores ideales. Por lo general el transistor conduce durante
el tiempo dT s.
8.2. Escritura de ecuaciones

Escriba las ecuaciones para las tensiones en las bobinas y las ecuaciones para las
corrientes en los condensadores. realice esto para cad intervalo de funcionamiento del
circuito. Identifique en cada circuito las variables de las ecuaciones.
8.3. Aproximación de pequeño rizado

Aplique la aproximación de pequeño rizado para las variables adecuadas voltaje de
fuente, corriente de bobinas y voltaje de condensadores(vg , iL , vC ). Esto significa reem-
plazar vg ≈ hvg (t)iTs ; iL ≈ hiL (t)iTs y vC ≈ hvC (t)iT s . Realice esto para las ecuaciones
del numeral anterior.
8.4. Ecuaciones promediadas

Obtenga las ecuaciones de tensión promedio hvL (t)iT s en las bobinas y de corriente
promedio hiC (t)iTs en los condensadores. Utilice el nombre d para representar el ciclo de
trabajo. Estas ecuaciones corresponden a las del principio de balance voltios-segundo en
dhi i
las bobinas y de balance de carga en los condensadores. Pero ahora hvL (t)iT s = L Ldt T s
dhv i
C Ts
e hiC (t)iT s = C dt . Aqui debe obtener las ecuaciones diferenciales de las tensiones
promedio en bobinas y de corriente promedio en condensadores.
8.5. Linealización
Realice el proceso de linealización para lo cual reemplace las variables promedia-
das por un valor constante y una variación asi: hvg (t)iT s = Vg + vˆg ;hiL (t)iT s = IL +
16
ˆ Identifique los términos DC, los términos AC y los
iˆL ;hvC (t)iT s = VC + vˆC ;d = D + d.
términos de segundo orden.
8.6. Ecuaciones diferenciales lineales

Escriba las ecuaciones diferenciales lineales de modelado AC, es decir, las ecuaciones
iˆL
de vˆL e iˆC . Recuerde que vˆL = L ddt y iˆC = C ddt
vˆC
8.7. Circuito equivalente de AC

Obtenga el circuito equivalente de AC. Identifique las fuentes dependientes mediante
un rectángulo y las fuentes independientes con un cı́rculo. Incluya la polaridad y el valor
de cada fuente. Para construir el circuito debe utilizar las ecuaciones obtenidas en el
numeral anterior
8.8. Modelo con transformador ideal

Identifique las fuentes dependientes que pueden ser reemplazadas mediante un trans-
formador y realice el reemplazo. Dibuje el circuito equivalente final. Tome en cuenta la
ubicación de los puntos y la relación de transformación de los transformadores ideales.
17
Convertidores DC-AC
Vı́ctor Proaño
9 de febrero de 2018
1. Inversores
Los convertidores DC-AC se llaman inversores y tienen como función convertir la
tensión continua en tensión alterna de la amplitud y frecuencia deseada. La carga prin-
cipal de los inversores son motores de CA en los cuales es necesario garantizar una forma
de onda lo más semejante a la sinusoidal para evitar el ruido audible de los armónicos y
también maximizar la eficiencia puesto que el único armónico que produce par mecánico
efectivo en el motor es el fundamental, el resto de los armónicos no producen par, pero
producen corrientes adicionales por los bobinados con las pérdidas en el cobre y en el
hierro asociadas.
1.1. Inversor con modulación de ancho de pulso

En estos inversores el voltaje DC de entrada es esencialmente constante. Por tanto,
el inversor debe controlar la magnitud y la frecuencia de los voltajes de salida AC. Esto
se realiza por la modulación de ancho de pulso PWM de los interruptores del inversor.
Existen varios esquemas para modular por ancho de pulso los interruptores del inversor
para lograr que la la forma de los voltajes AC de salida sea lo mas cercana a una onda
senoidal. Uno de estos esquemas se conoce como SPWM: modulación de ancho de pulso
senoidal.
1.2. Inversor de onda cuadrada

En estos inversores, el voltaje de entrada dc es ajustado para controlar la magnitud
del voltaje AC, y por tanto el inversor solo tiene que controlar la frecuencia del voltaje
de salida. El voltaje AC de salida tienE una forma de onda similar a una onda cuadrada
y por tanto estos inversores son llamados inversores de onda cuadrada.
1.3. Ideas básicas

Debido a que el inversor alimenta a una carga inductiva como un motor ac, la co-
rriente io retarda al voltaje vo como se muestra en la figura 1. Las figuras muestran que
durante el intervalo 1, vo e io son positivas, mientras que durante el intervalo 3, vo eio
son negativas. Por tanto, durante los intervalos 1 y 3, el flujo de potencia instantánea
1
es desde el lado DC hacia el lado AC, lo que corressponde a un modo de operación:
Inversor. En contraste, vo e io son de signos opuestos durante los intervlaos 2 y 4, y por
tanto el flujo de potencia es desde el lado AC hacia el lado DC lo que corresponde a una
operación en modo: Rectificador. Por tanto, el esquema inversor presentado es capaz de
operar en los cuatro cuadrantes del plano io − vo , durante cada ciclo de la salida AC.
Figura 1: Esquema, voltaje de salida vo y corriente io y modos de operación en un

inversor monofásico.
EJERCICIO
Determine el modo√ de operación del inversor para cada instante de tiempo, f = 60Hz,
w = 2πf , vo = 120 2 sin(wt), io = 15 sin(wt − π6 ). a) t=0; b) t=4,2 ms, c) t=8,3ms,
d)t=12,4ms, e) t=16,6ms
Defina los intervalos de tiempo durante un perı́odo en que el inversor opera a) como
inversor y b) como rectificador.
2
1.4. Esquema de conmutación con modulación de ancho de pulso PWM
El control por ancho de pulso es caracterı́stico de los conversores DC-DC. Una señal
de control vcontrol (constante o que varı́a lentamente en el tiempo) es comparada con
una forma de onda triangular con la frecuencia de conmutación para generar las señales
de conmutación de los interruptores. Mediante el control de los ciclos de trabajo de la
conmutación se controla el valor medio del voltaje de salida. En los circuitos inversores,
la modulación de ancho de pulso es un poco más compleja, debido a que se desea que el
Inversor tenga una salida senoidal con magnitud y frecuencia controlable. Para producir
una forma de onda senoida a una frecuencia deseada, se compara una onda senoidal de
control a la frecuencia deseada con una onda triangular. La frecuencia de la forma de
onda triangular establece la frecuencia de conmutación del inversor y es generalmente
mantenida con su amplitud constante Vtri,pico .
La forma de onda triangular vtri es a la frecuencia de conmutación, que establece la
frecuencia con que el inversor es conmutado (fs es también conocida como la frecuencia
de la portadora). La señal de control vcontrol es usada para modular el ciclo de trabajo de
la conmutación y tiene una frecuencia f1 , que es la frecuencia fundamental deseada de la
salida de voltaje del inversor (f1 es llamada la frecuencia modulante), reconociendo que
el voltaje de salida del inversor no será una perfecta onda senoidal y que contendrá com-
ponentes a frecuencias armónicas de f1 . La relación de modulación de amplitud ma se
define como: ma = Vcontrol,pico /Vtri,pico . La relación de modulación de frecuencia mf se
define como: mf = fs /f1 .
Figura 2: Esquema de un inversor monofásico de medio puente
En el inversor, ver la figura 2 los interruptores S1 y S2 son controlados a partir de la

comparación de vcontrol y vtri . El voltaje de salida vo es independiente de io .
El funcionamiento del circuito que controla la apertura y cierre de los interruptores
S1 y S2 es el siguiente: cuando vcontrol > vtri , S1 está en conducción y vo = Vd /2. Si
vcontrol < vtri , S2 está en conducción, vo = −Vd /2.
Debido a que los dos interruptores nunca se abren simultáneamente, el voltaje de
salida vo fluctúa entre los dos valores (Vd /2 y −Vd /2). El voltaje vo y su componente de
3
frecuencia fundamental vo,f undamental (linea punteada) se muestran en la figura 3 que se
ha dibujado para mf = 15 y ma = 0,8.
Figura 3: Formas de onda de vtri , vcontrol , vo y vo,f undamental , armónicos con amplitud
significativa en un inversor monofásico SPWM.
Se muestra el espectro de armónicos de vo donde se representan los voltajes armóni-

cos normalizados (Vo,pico )h /(Vd /2) con amplitud significativa. Este gráfico muestra tres
aspectos importantes.
1. La amplitud pico de la componente fundamental es ma veces Vd /2. Esto puede
explicarse primero considerando un vcontrol constante. Esto resulta en una forma de onda
de salida vo . Se puede notar que el voltaje de salida promedio (o más especı́ficamente, el
voltaje de salida promediado sobre un perı́odo de conmutación Ts = 1/fs ) Vo depende
de la relación de vcontrol a Vtri,pico para un voltaje dado Vd .
vcontrol Vd
Vo = Vtri,pico 2 .
Asuma ahora (aunque esta suposición no es necesaria) que vcontrol varia muy poco
durante un perı́odo de conmutación, esto es mf es grande. Por tanto, asumiendo que
4
vcontrol es constante sobre un perı́odo de tiempo de conmutación. La ecuación indica como
el valor ”promedio instantáneo”de vo (promediado sobre un perı́odo de conmutación Ts )
varı́a de un perı́odo de conmutación al siguiente. Este promedio instantáneo es el mismo
que la componente fundamental de frecuencia de vo . El argumento precedente muestra
porque vcontrol se escoge senoidal para proveer un voltaje de salida senoidal con pocos
armónicos.
EJERCICIO
Considere un inversor con modulación PWM donde mf = 17, ma = 0,7, Vd = 24V ,
w = 2π,60rad/s, vcontrol = 5 sin(wt). Determine Vo (el valor promedio instantáneo de
vo ) para los siguientes instantes de tiempo a) t=0; b) t=4,2 ms, c) t=8,3ms, d)t=12,4ms,
e) t=16,6ms
Figura 4: Control de los interruptores del inversor mediante SPWM
En la figura 4 se muestra el funcionamiento de la modulación SPWM. Considere que

el voltaje de control varı́a senoidalmente en la frecuencia f1 = ω/2π, que es la frecuencia
deseada de la salida del inversor:
vcontrol = Vcontrol,pico sin(w1 t), donde

Vcontrol,pico ≤ Vtri,pico
Utilizando los argumentos indicados se demuestra que la componente de frecuencia fun-

damental del voltaje de salida varı́a en forma senoidal y en fase con vcontrol , es decir,
Vcontrol,pico
vo,f undamental = Vtri,pico sin(wt) V2d
vo,f undamental = ma sin(wt) V2d , para ma ≤ 1,0, por tanto
Vo,pico = ma V2d
ésta ecuación finalmente muestra que en una modulación PWM, la amplitud de la compo-
nente de frecuencia fundamental del voltaje de salida varia linealmente con ma (siempre
que ma ≤ 1,0). Por tanto, el rango de ma desde 0 a 1 es referido como el rango lineal.
5
2. Los armónicos en la forma de onda del voltaje de salida del inversor aparecen como
bandas laterales centradas alrededor de la frecuencia de conmutación y sus múltiplos,
esto es, alrededor de los armónicos mf ,2mf , 3mf , etcétera. Este patrón general es cierto
para todos los valores de ma en el rango de 0 a 1.0. Para una relación de modulación
de frecuencia mf ≤ 9 ( que es siempre el caso, excepto en potencias muy altas), las
amplitudes armónicas son casi independientes de mf aunque mf define las frecuencias
en las que ellos ocurren. Teóricamente, las frecuencias en las que los armónicos de voltaje
ocurren pueden indicarse como:
fh = (jmf ± k)f1
esto es, el armónico de orden h corresponde a la ke sima banda lateral de j veces la
relación de frecuencia mf .
h = (jmf ± k)
donde la frecuencia fundamental corresponde a h = 1. Para valores impares de j, los
armónicos existen solo para valores pares de k. Para valores pares de j los armónicos
existen solo en valores impares de k. En la figura 5 se tabulan los armónicos normalizados
Figura 5: Tabla de armónicos de vo para valores grandes de mf
Vo,h,pico / V2d como función de la relación de modulación de amplitud ma , asumiendo

mf ≥ 9. Se muestran solo aquellos amplitudes significativas hasta j = 4.
6
3. El armónico mf debe ser un número impar. Escogiendo mf como un número
impar resulta una simetrı́a impar [f (−t) = −f (t)] ası́ como simetrı́a de media onda
[f (t) = −f (t + T1 /2)] con el origen de tiempo mostrado en la figura 3 que está dibujada
para mf = 15. Por tanto, solo armónicos pares están presentes y los armónicos impares
desaparecen de la forma de onda de vo . Más aún, aparecen solo los coeficientes senoidales
de la serie de Fourier, pues los términos cosenoidales son cero. El espectro armónico se
muestra en la figura 3 c).
EJERCICIO
En el circuito inversor de medio puente, Vd = 300V , ma = 0,8, mf = 25, y la
frecuencia fundamental es 60Hz. Calcule el valor rms de la componente fundamental del
voltaje y algunos de los armónicos dominantes en vo usando la tabla.
1.5. Esquema de modulación de onda cuadrada
Figura 6: Forma de onda de vo y componentes armónicos
En el esquema de conmutación de onda cuadrada, cada interruptor está en conducción

un medio ciclo de la frecuencia de salida deseada. Del análisis de Fourier los valores pico
de las componentes de frecuencia fundamental y armónicos en la forma de onda de salida
pueden obtenerse para una entrada Vd como
4 Vd
Vo,f undamental,pico = π 2 y Vo,h,pico = Vo,f undamental,pico /h
donde el armónico de orden h toma solo valores impares, como se muestra en la figura
6. Se debe notar que la conmutación de onda cuadrada es también un caso especial de
la modulación senoidal SPWM cuando ma llega a ser un valor muy grande tal que la
forma de onda del voltaje de control interseca con la onda triangular en la figura 5 solo
en el cruce por cero de vcontrol .
Por tanto el voltaje de salida es independiente de ma en la región de onda cuadrada
como indica la figura 6. Una de las ventajas de la operación de onda cuadrada es que
cada interruptor del inversor cambia su estado solo dos veces por ciclo, que es importante
en niveles de potencia muy altos donde los interruptores de estado sólido generalmente
7
tienen menores velocidades de encendido y apagado. Una de las serias desventajas de la
conmutación de onda cuadrada es que el inversor no es capaz de regular la magnitud del
voltaje de salida. Por tanto el voltaje DC Vd del inversor debe ajustarse para controlar
la magnitud del voltaje de salida del inversor.
EJERCICIO Encuentre la amplitud pico de los armónicos de orden 2,3,4,5,6,7,8,9,...,25
si Vd = 160V
1.6. Inversores monofásicos

1.6.1. Inversor de medio puente monofásico
Figura 7: Inversor de medio puente
La figura 8 muestra el inversor de medio puente monofásico. Se conectan en serie

dos capacitores de igual valor en paralelo a la tensión DC de entrada y la unión de los
capacitores está a la mitad del potencial, con un voltaje 21 Vd a través de cada capacitor.
Se deben usar capacitancias suficientemente grandes para que sea razonable asumir que el
potencial en el punto o permanece esencialmente constante con respecto al bus negativo
N de la fuente DC. Por tanto, esta configuración de circuito es idéntica al inversor básico
de una rama discutido en detalle anteriormente. Asumiendo la conmutación PWM, se
encuentra que la forma de onda del voltaje de salida será exactamente como en la figura 3
b). Debe notarse que a pesar de los estados de los interruptores, la corriente entre los dos
capacitores se divide equitativamente. Cuando S1 está en conducción, la corriente io se
divide igualmente entre los dos capacitores. Por tanto los capacitores están efectivamente
conectados en paralelo en la rama de io
8
Figura 8: Inversor de puente completo
1.7. Inversores de puente completo

Un inversor de puente completo está mostrado en la figura 9. Este inversor consiste
de dos inversores de medio puente y es el arreglo preferido para altas potencias. Con
el mismo voltaje de entrada DC, el valor máximo de voltaje de salida del inversor de
puente completo es el doble del inversor de medio puente. Esto implica que para la
misma potencia, la corriente de salida y las corrientes de los interruptores son la mitad
de las del inversor de medio puente. En niveles de potencia altos esta es una ventaja
importante puesto que requiere menos conexión en paralelo de los dispositivos.
1.8. PWM con conmutación de voltaje bipolar

Los interruptores opuestos (S1 y S4 ) y (S2 y S3 ) de las dos ramas en la figura 9 son
conmutados en parejas respectivamente. Con este tipo de conmutación PWM, la forma
de onda del voltaje de salida se muestra en la figura 10. La corriente que entrega la fuente
DC del inversor tiene una componente DC y una componente de frecuencia doble, sis se
considera filtros a la entrada y salida del inversor.
EJERCICIO
Considere un inversor de puente completo con conmutación PWM bipolar donde
Vd=12V, ma = 0,8, mf = 17. La frecuencia fundamental de vo es 60Hz. Determine
la amplitud de cinco componentes de frecuencia de la mayor amplitud presentes en la
forma de onda del voltaje de salida vo .
1.9. PWM con conmutación de voltaje unipolar

En la conmutación unipolar de voltaje, los interruptores en las dos ramas del inversor
de puente completo no se conmutan simultáneeamente. Aquı́, cada rama del puente es
controlada separadamente comparando vtri con vcontrol y −vcontrol respectivamente. La
9
Figura 9: Formas de onda PWM bipolar
figura 11 muestra como la comparación de vcontrol con la onda triangular resulta en las
siguientes señales lógicas que controlan los interruptores en la rama de S1 y S2 :
vcontrol > vtri : S1 en conducción y vAN = Vd

vcontrol < vtri : S2 en conducción y vAN = 0
El voltaje de salida de la rama A con respecto al terminal negativo N del bus DC

está mostrado en la figura 11 b). Para controlar los interruptores del ramal B, se com-
para el voltaje −vcontrol con la misma forma de onda triangular, lo que conduce a las
siguientes señales lógicas para S3 y S4 .
−vcontrol > vtri : S3 en conducción y vBN = Vd

−vcontrol < vtri : S4 en conducción y vBN = 0
Las formas de onda la figura 11 muestran que hay cuatro combinaciones de interrupotres
en estado de conducción y los niveles de voltaje correspondiente.
1. S1 y S4 en conducción: vAN = Vd , vBN = 0; vo = Vd

2. S2 y S3 en conducción: vAN = 0d , vBN = Vd ; vo = −Vd
3. S1 y S3 en conducción: vAN = Vd , vBN = Vd ; vo = 0
4. S2 y S4 en conducción: vAN = 0, vBN = 0; vo = 0
10
Figura 10: PWM unipolar
Se observa que cuando ambos interruptores superiores estan en conducción, el voltaje

de salida es cero. En este tipo de esquema PWM, cuando ocurre una conmutación, el
voltaje de salida cambia entre los niveles de voltaje cero y Vd o entre cero y −Vd . Por
esta razón, este tipo de esquema PWM se llama PWM con una conmutación unipolar.
Este esquema tiene la ventaja de doblar efectivamente la frecuencia de conmutación en
cuanto se refiere a los armónicos de salida, en comparación al esquema de conmutación
bipolar. También los saltos de voltaje en la salida en cada conmutación se reducen a Vd
en comparación de 2Vd en el esquema bipolar.
La ventaja de doblar (efectivamente) la frecuencia de conmutación aparece en el
espectro de armónicos de la forma de onda de voltaje de salida, donde los armónicos
más bajos (en el circuito idealizado) aparecen como bandas laterales del doble de la
frecuencia de conmutación. Es fácil entender esto si se escoge la relación de modulación de
frecuencia mf un número par (mf debe ser impar para PWM con conmutación bipolar)
11
en un inversor monofásico. Las formas de onda de voltaje vAN y vBN están desfasadas
180◦ de la frecuencia fundamental f1 con respecto a la otra. Por tanto, los componentes
armónicos en la frecuencia de conmutación en vAN y vBN tienen la misma fase( φAN −
φBN = 180◦ .mf = 0◦ . Esto resulta en la cancelación de los componentes armónicos en la
frecuencia de conmutación en el voltaje de salida vo = vAN − vBN . Además las bandas
laterales de los armónicos de la frecuencia de conmutación desaparecen. En forma similar,
los otros armónicos dominantes al doble de la frecuencia de conmutación se cancelan,
mientras que esto no ocurre con sus bandas laterales. Aqui también se tiene que:
Vo,f undamental = ma Vd
Vd < Vo,f undamental < π4 Vd
EJERCICIO
Considere un inversor de puente completo con conmutación PWM unipolar donde
Vd=12V, ma = 0,8, mf = 28. La frecuencia fundamental de vo es 60Hz. Determine
la amplitud de cinco componentes de frecuencia de la mayor amplitud presentes en la
forma de onda del voltaje de salida vo . Recuerde que el orden de los armónicos en este
caso puede escribirse como
h = j(2mf ) ± k
1.10. Operación con onda cuadrada

El inversor de puente completo puede operarse en el modo de onda cuadrada. Ambos
tipos de PWM pueden degenerar en el modo de operación de onda cuadrada, donde los
interruptores S1 y S4 ) y (S2 y S3 ) son operados como dos parejas con un ciclo de trabajo
del 50 %. La magnitud del voltaje de salida es controlado por el voltaje DC de entrada.
Vo,f undamental,pico = π4 Vd
EJERCICIO Dibuje los circuitos que determinan cada intervalo de funcionamiento en el

inversor de puente completo que opera en el modo de onda cuadrada. Dibuje la forma
de onda de salida y la componente fundamental especificando los valores pico de estas
ondas.
1.11. Inversores trifásicos

En aplicaciones como las fuentes ininterrumpibles de potencia UPS y accionadores
de motores de AC, los inversores que se usan comúnmente son los inversores trifásicos
para alimentar cargas trifásicas. Es posible alimentar una carga trifásica por medio de
tres inversores monofásicos, donde cada inversor produce una salida desplazada 120◦
(de la frecuencia fundamental) con respecto a las demás. Aunque este arreglo puede
preferirse bajo ciertas condiciones, requiere ya sea un transformador con salida trifásica
o un acceso separado a cada una de las tres fases de la carga. En la práctica tal acceso
no es generalmente disponible. Más aún eso requerirı́a 12 interruptores.
12
Figura 11: Inversor trifásico
El inversor trifásico más frecuentemente usado consiste de tres ramales, uno por cada
fase, como se muestra en la figura 12. Cada rama del inversor es similar a la explicada
en el inversor de una rama. Por tanto la salida de cada rama por ejemplo vAN con
respecto al terminal N del bus DC, depende solamente de Vd y el estado del interruptor;
el voltaje de salida es independiente de la corriente de carga de salida puesto que uno de
los dos interruptores de la rama está siempre en conducción en cualquier instante. Aquı́,
nuevamente se ignora el tiempo de blanqueo que se requiere en los circuitos prácticos
puesto que se asume que los interruptores son ideales. Por tanto, el voltaje de salida del
inversor es independiente de la dirección de la corriente de carga
13
Reconstrucción de onda a partir de la serie de
Fourier
Vı́ctor Proaño
November 16, 2017
Abstract
Un método importante de solución de circuitos rectificadores consiste
en la representación en serie de Fourier de las tensión presente en la carga.
El objetivo de este documento es facilitar la comprensión del uso de series
de Fourier para la solución de Circuitos de Electrónica de Potencia.
1 La descomposición en serie de Fourier de una

función periódica
Una función periódica f (t) puede descomponerse en una suma de componentes
senoidales de frecuencias que son múltiplo de una frecuencia fundamental. es
importante reconocer la frecuencia fundamental y la forma como se reconstruye
la onda original a partir de sus componentes.
∞
a0 P
f (t)= 2 + [an cos(nwt) + bn sin(nwt)] donde:
n=1
TR/2
a0 = f (t)dt;
−T /2
TR/2
an = f (t) cos(nwt)dt;
−T /2
TR/2
bn = f (t) sin(nwt)dt;
−T /2
Las series de Fourier de las formas de onda de voltaje en la carga para varios
circuitos tı́picos son conocidas de acuerdo a lo que se muestra en la tabla
1
2 Codigo en Matlab
2.1 Programa principal
El programa realiza la suma de las componentes armónicas para generar la forma
de onda.
% Reconstrucción de ondas a partir de armónicos
% rectificador de media onda normalizado rmo
% rectificador de onda completa normalizado roc
% rectificador 3 fases de 6 pulsos r3f6p
ts=0.5
rmodc=1/pi
rmo(1)=1/2
rocdc=2/pi
roc(1)=4/(3*pi)
% se considera que la componente fundamental tiene el doble de la
% frecuencia de la onda de la fuente de alimentacion
r3f6pdc=3/pi
r3f6p(1)=6/(pi*(36-1)), % si se
%considera que la frecuencia fundamental es 6 veces la frecuencia
%de la onda senoidal de la fuente de alimentación
nv(1)=1
for n=2:1:10
rmo(n)=2/(pi*(n^2-1))
roc(n)=2/pi*(1/(2*n-1)-1/(2*n+1))
r3f6p(n)=6/(pi*(36*n^2-1))
nv(n)=n
end
datos=[nv’ rmo’ roc’ r3f6p’]
% reconstrucciòn de las ondas

xmin=0; xmax=6;
ymin=-.2;ymax=1.2;
wt=0:pi/50:6*pi; % se reproducen tres perı̀odos
rmot=rmodc*ones(length(wt),1)’+rmo(1)*sin(wt)
% rectificador de media onda

for j=2:2:10
rmot=rmot-rmo(j)*cos(j*wt)
figure(1)
plot(wt/pi,rmot)
titulo=sprintf(’Reconstrucción con %3.0f armónicos’,j)
title(titulo)
axis([xmin xmax ymin ymax])
grid
2
pause(ts)
end
title(’Rectificador de media onda suma de 10 armónicos’)
xlabel(’Angulo expresado en múltiplos de pi rad’)
% rectificador de onda completa

roct=rocdc*ones(length(wt),1)’+roc(1)*cos(wt+pi)
for j=2:1:10
roct=roct+roc(j)*cos(j*wt+pi)
figure(2)
plot(wt/pi,roct)
title(titulo)
grid
pause(ts)
end
title(’Rectificador de onda completa suma de 10 armónicos’)
r3f6pt=r3f6pdc*ones(length(wt),1)’+r3f6p(1)*cos(wt+pi)
for j=2:1:10
r3f6pt=r3f6pt+r3f6p(j)*cos(j*wt+pi)
figure(3)
plot(wt/pi,r3f6pt)
title(titulo)
grid
pause(ts)
end
title(’Rectificador trifásico de 6 pulsos suma de 10 armónicos’)
3
Circuito Serie de Fourier de v0
a0 = 1/π, para asegurar modo continuo
b1 = 1/2 ; a1 = 0
2
an = (π(n2 −1))
bn = 0
Table 1: Rectificador de media onda
a0 = 2/π a1 = 4/(3π)
2 1 1
an = π ( 2n−1 − 2n+1 )
bn = 0
Table 2: Rectificador de onda completa
4
a0 = 3/π
a1 = 6/(35π)
an = 6/(π(36n2 − 1))
bn = 0
Table 3: Rectificador trifásico no controlado de onda completa
5
Semiconvertidor monofásico con carga RLE
Vı́ctor Proaño
November 7, 2017
Abstract
El semiconvertidor monofásico como se muestra en la figura 1 consta
de un puente rectificador formado por dos tiristores, y dos diodos y un
diodo de recuperación. La utilidad del diodo de recuperación es obtener
el modo de conducción continua. El análisis del circuito se encuentra en el
libro Electrónica de Potencia de Muhammad H. Rashid, segunda edición
en español página 136.
1 Ecuaciones que describen el semiconvertidor

monofásico
La operación del convertidor se puede dividir en dos modos o intervalos: modo
1 y modo 2. Sin embargo, esto depende del valor de la inductancia puesto que si
no es muy alta puede presentarse un tercer modo. Es conveniente empezar por
el modo 2 puesto que en este modo entra en conducción uno de los tiristores.
√ α ≤ wt ≤ π, donde el tiristor T1 conduce. Si el voltaje
El modo es válido para
de entrada es vs = 2 ∗ V s ∗ sin(wt), la corriente que se produce se obtiene de
resolver:
√
LdiL2 + RiL2 + E = 2 ∗ Vs ∗ sin(wt)
Figure 1: Semiconvertidor monofasico
1
cuya solución es:
√ Vs
iL2 = 2∗ Z ∗ sin(wt − θ) + A1 e−(R/L)t − E
R
donde
√
A1 = [IL1 + E
R − 2 VZs sin(α − θ)e(R/L)(α/ω) ]
IL1 = iL1 (ωt = α) es la coriente al finzalizar el modo 1. Este valor debe ser
mayor que cero para conducción continua. Si la conducción es discontinua:
IL1 = iL1 (ωt = α) = 0 Al finalizar el modo 2 la corriente que aparece en la
carga es:
iL2 (ωt = π) = ILo

La ecuación diferencial que describe la corriente en la carga en el modo 1 es:
LdiL1 + RiL1 + E = 0
cuya solución es:
iL1 = ILo e−(R/L)t − E

R (1 − e−(R/L)t )
donde
ILo = iL2 (ωt = π)
Al finalizar el intervalo de modo 1 la corriente que se tiene es:

iL1 (ωt = α) = ILo e−(R/L)(α/ω) − E
R [1 − e−(R/L)(α/ω) ]
la cual determina el modo continuo cuando es mayor que cero o el modo dis-
continuo cuando decae hasta cero.
En el programa se calcula el valor DC y valor RMS de la corriente mediante
la integración numérica durante un perı́odo del valor instantaneo de la corriente
y el valor instantáneo al cuadrado de la corriente respectivamente.
2 Codigo en Matlab para resolver las ecuaciones

En el programa se escriben las soluciones de las ecuaciones en cada intervalo
de funcionamiento y se realiza la comparación para verificar si la conducción
es continua o discontinua. Finalmente en el programa se calcula el valor DC y
valor RMS de la corriente mediante la integración numérica durante un perı́odo
del valor instantaneo de la corriente y el valor instantáneo al cuadrado de la
corriente respectivamente.
2
% corriente en un semiconvertidor monofásico
Vs=120;R=2.5;L=65e-3;f=60;w=2*pi*f;
alfa=60*pi/180;tau=L/R;E=100
imax=0;
alfamin=asin(E/(sqrt(2)*Vs))
% se prueba si el angulo de dispsaro es mayor a alfa minimo
if alfa<alfamin
alfa=alfamin
end
Z=sqrt(R^2+(w*L)^2);
teta=atan(w*L/R)
% precálculo de variables para determinar modo de conducción continua o
% discontinua
T1=sqrt(2)*Vs/Z;T2=sin(pi-teta)-sin(alfa-teta)*exp((alfa-pi)/(w*tau))
T3=1-exp(-pi/(w*tau))
T4=E/R
ILo=T1*T2/T3-T4
t=alfa/w
IL1=ILo*exp(-t/tau)-E/R*(1-exp(-t/tau));
A1=(IL1+E/R-sqrt(2)*Vs/Z*sin(alfa-teta))*exp(alfa/(w*tau))
% conducción discontinua cuando IL1<0
if IL1<0
IL1=0
A1=(+E/R-sqrt(2)*Vs/Z*sin(alfa-teta))*exp(alfa/(w*tau))
ILo=sqrt(2)*Vs/Z*sin(pi-teta)+A1*exp(-pi/(w*tau))-E/R;
end
wt1=pi/100:pi/100:alfa-pi/100;
% pause
wt2=alfa:pi/100:pi;
i0=0;
wt0=0;
i1=ILo*exp(-wt1/(w*tau))-E/R*(1-exp(-wt1/(w*tau)));
i1=rectifica(i1);v1=(1-binari(i1))*E;
i2=sqrt(2)*Vs/Z*sin(wt2-teta)+A1*exp(-wt2/(w*tau))-E/R;
i2=rectifica(i2);
v2=Vs*sqrt(2)*binari(i2).*sin(wt2)+E*(1-binari(i2));
wt=[wt1 wt2];i=[i1 i2];v=[v1 v2];ix=[0 i];wtx=[0 wt];
Idc=1/(pi)*integra_trap(ix,wtx);
iy=ix.*ix
Irms=sqrt(1/pi*integra_trap(iy,wtx))
[wt i]=cinco_ciclos(wt,i);
wt=[wt0 wt]*180/pi;i=[i0 i];figure(2);plot(wt,i)
alfa_gr=alfa*180/pi
etiqueta_x=sprintf(’i_L_o_a_d para alfa=
%d grados, E= %d voltios, L= %d mH’,round(alfa_gr),round(E),round(1000*L))
3
title(etiqueta_x)
ylabel(’Amperios’);xlabel(’Angulo en grados’)
wtmax=max(wt);aux=max(i)
if aux>imax
imax=aux
end
% axis([0,wtmax,-.1*imax,1.1*imax]);
figure(3)
wt=[wt1 wt2];[wt v]=cinco_ciclos(wt,v);
wt=[wt0 wt]*180/pi;v=[0 v];plot(wt,v);
etiqueta_x=sprintf(’v_L_o_a_d para alfa =
%d grados, E =%d voltios, L=%d mH’,round(alfa_gr),round(E),round(1000*L))
title(etiqueta_x)
ylabel(’Voltios’);xlabel(’Angulo en grados’)
2.2 Subprograma rectifica

La utilidad de este programa es realizar la rectificación de la corriente.
function y=rectifica(x)
% rectificador
dim=length(x);
y=[];
for i=1:1:length(x)
if x(i)>0
y=[y x(i)];
else
y=[y 0];
end
i
end
2.3 Subprograma integra trap

Realiza la integración numérica mediante el método del trapecio
% integral por el método de trapecio
function int=integra_trap(v,wt)
n=length(v); b=wt(length(wt));a=wt(1);h=(b-a)/n;
aux=2*ones(1,n-2);
int=h/2*(v(1)+sum(aux.*v(2:n-1))+v(n)
2.4 Subprograma binari

Genera un vector de unos y ceros que sincronizado con los instantes de tiempo
cuando existe o no existe corriente.
4
function bin=binari(x)
bin=[];
for i=1:1:length(x)
if x(i)>0
bin=[bin 1];
else
bin=[bin 0];
end
end
2.5 Subprograma cinco ciclos

Genera la copia de los resultados de un perı́odo para generar vectores de tres ciclos
function [wt5 i5]=cinco_ciclos(wt,i)
wt5=[];i5=[];
for ja=1:1:3
wt5=[wt5 wt];
i5=[i5 i];
wt=pi+wt;
end
3 Resultados
El programa con los valores indicados produce conducción discontinua. Los
resultados se muestran en la figura 2.
(a) Corriente (b) Voltaje
Figure 2: Conducción discontinua
El valor rms de la corriente resulta IRM S = 1.7041. El valor medio de la

corriente en la carga resulta IDC = 1.3131.
5
Cuando se modifica la tensión continua a E=50V se produce conducción
continua. Los resultados se muestran en la figura 3 El valor rms de la corriente
(a) Corriente (b) Voltaje
Figure 3: Conducción discontinua
resulta IRM S = 12.3474. El valor medio de la corriente en la carga resulta

IDC = 12.1410.
6
Reconstrucción del voltaje en la carga a partir de
los armónicos en semiconvertidor monofásico en
modo continuo
Vı́ctor Proaño
November 17, 2017
Abstract
El análisis de rectificadores en ocasiones se realiza a partir del análisis
de las variables mediante una descomposición en serie de Fourier. Gracias
a la descomposición en serie de Fourier por ejemplo se puede realizar el
análisis de circuitos con elementos lineales cuya fuente de alimentación es
no lineal utilizando el principio de superposición.
1 La descomposición en serie de Fourier de la

tensión del semiconvertidor monofásico
Para el semiconvertidor monofásico normalizado (Vm=1) se encuentra que los
coeficientes de la serie de Fourier son:
a0 = π2 (1 + cos(α));
2 1+cos 2nα cos α+2n sin 2nα sin α
an = π 1−4n2
2 1+sin 2nα cos α−2n cos 2nα sin α
bn = π 1−4n2
2 Codigo en Matlab
de onda.
% serie de fourier de semiconvertidor monofásico

close all
alfagv=30:30:150
xmin=0,xmax=4;ymin=-1.2;ymax=1.2;
for i=1:1:numel(alfagv)
alfag=alfagv(i)
1
alfa=alfag*pi/180
a0=2/pi*(1+cos(alfa))
longi=100
for n=1:1:longi
a(n)=2/pi*(1+cos(2*n*alfa)*cos(alfa)+2*n*sin(alfa)*sin(2*n*alfa))/(1-4*n^2)
b(n)=2/pi*(cos(alfa)*sin(2*n*alfa)-2*n*sin(alfa)*cos(2*n*alfa))/(1-4*n^2)
end
func=a0/2
for n=1:1:longi
wt=0:.1:4*pi
func=func+a(n)*cos(n*wt)+b(n)*sin(n*wt)
ang=wt/pi
end
plot(ang,func)
xlabel(’Angulo en multiplos de pi’)
titulo=sprintf(’Semiconvertidor monofasico conduccion continua alfa=%3.0fo ’,alfagv(i))
title(titulo)
pause
end
3 Resultados
(a) 30 grados (b) 90 grados
(c) 120 grados (d) 150 grados
Figure 1: Reconstrucción para varios ángulos de disparo
2
Distorsión armónica en semiconvertidor
monofásico con carga RLE
Vı́ctor Proaño
November 23, 2017
Abstract
Un parámetro de calidad para evaluar los rectificadores es el factor de
distorsión armónica total (THD). Este parámetro permite determinar la
cantidad de deformación respecto a una onda senoidal. Esta deformación
se atribuye al convertidor. La distorsión armónica total es la relación entre
el valor rms de las componentes armónicas de la corriente y la componente
fundamental.
el modo de conducción continua.

monofásico
pP
In,rms2
Ls fórmula de cálculo de la distorsión armónica total es: T HD = I1,rms
1
El programa inicia asignando un vector de valores al ángulo de disparo. Para
cada ángulo de disparo se calcula la corriente en la carga del semiconvertidor
que corresponde a un vector con los valores instantáneos de la corriente. La
corriente de fuente se obtiene uniendo este vector con el vector invertido para el
siguiente semiperı́odo. Luego se realiza el cálculo numérico de los coeficientes de
la serie de Fourier que conforman la onda de corriente en la fuente. Finalmente
se relaiza el cálculo de la distorsión armónica mediante la fórmula ya descrita.
close all
Vs=120;R=2.5;L=65.0e-3;f=60;w=2*pi*f;E=50
% R=2.5;L=6.50e-3;f=60;w=2*pi*f;Vs=120;
alfagv=20:5:160; N=500; % numero de puntos para integración
for jcount=1:1:length(alfagv)
alfag=alfagv(jcount)
alfa=alfag*pi/180;
[it,wtx]=is_semiconvertidor(alfa,L,R,E,Vs,w,N)
itt=[it -it] % se completa el otro semiperiodo con el valor negativo de corriente
wt=[wtx wtx+pi]
plot(wt/pi,itt)
hold on
a0=valor_dc(itt,wt); % se calcula el valor dc de la corriente
[a,b]=armonicos(itt,wt,20);
%reconstruccion_armonica(a0,a,b) % para verificar respuestas correctas
[irms,i_fund,f_distorsion,thd,f_desfase,fp]=parametros(a,b,alfag);% se obtiene los parametro
alfag
fpv(jcount)=fp
thdv(jcount)=thd
end
figure(2)
%plot(alfagv,fpv,’r’)
%hold on
plot(alfagv,thdv)
2.2 Función is semiconvertidor

Realiza el cálculo de la corriente en la carga del semiconvertidor
% corriente en un semiconvertidor monofásico en el primer semiperiodo
function [it,wtx]=is_semiconvertidor(alfa,L,R,E,Vs,w,N)
tau=L/R
imax=0;
% pause
2
if alfa<alfamin
alfa=alfamin
end
teta=atan(w*L/R)
% discontinua
T4=E/R
ILo=T1*T2/T3-T4
t=alfa/w
if IL1<0
IL1=0
end
wt1=pi/N:pi/N:alfa-pi/N;
% pause
wt2=alfa:pi/N:pi;
i0=0;
wt0=0;
i2=rectifica(i2);
wt=[wt2 wt1+pi];it=[i2 zeros(1,length(i1))];vt=[v2 v1];it=[0 it];wtx=[alfa wt];
2.3 Función armónicos

Calcula no armónicos de la forma de onda descrita por los vectores itt(corriente
de la fuente) y el vector de ángulo wt.
function [a,b] = armonicos(it,wt,no)
% it es el vector que tiene la forma de onda
% wt tiene los valores de ángulo de 1 perı́odo
% no es el número de ármónicos deseado
% a y b son vectores con los coeficientes de fourier
for i=1:1:no
[a(i),b(i)]=armonico_n(it,wt,i)
end
3
2.4 Función armonico
Calcula los coeficientes correspondientes a un armónico definido por el valor n.
% obtención de coeficientes del armonico n
function [an bn]=armonico(x,wt,n)
x_cos=x.*cos(n*wt)
x_sin=x.*sin(n*wt)
an=1/pi*integra_trap(x_cos,wt);
bn=1/pi*integra_trap(x_sin,wt);
end
2.5 Función parametros

Calcula los parámetros requeridos para evaluar la distorsión armónica.
function [i_rms_total,i_fund,f_distorsion,thd,f_desfase,f_potencia]= parametros(a,b,alfag)
cv=sqrt(a.^2+b.^2)
% calculo de factor de distorsion
i_rms_total=sqrt(sum(cv.*cv/2)) % valor rms de armonicos y fundamental
cv1=cv(2:length(cv))% se retira la componente fundamental
i_armon=sqrt(sum(cv1.*cv1)/2) % valor rms de armonicos
i_fund=cv(1)/sqrt(2) % componente fundamental
f_distorsion=i_fund/i_rms_total
thd=i_armon/i_fund
%defase de la componente fundamental
fi=-atan(a(1)/b(1))*180/pi
f_desfase=cos(fi*pi/180)
f_potencia=f_distorsion*f_desfase
3 Resultados
La figura 2 muestra los resultados de la distrosión armónica total como función
del ángulo de disparo, la inductancia y el valor de la tensión E.
4 Análisis de Resultados
Se observa que no existe mayor variación de la distrosión armónica al aumentar
el valor de la inductancia. Con respecto a la variación de la tensión E se observa
que el efecto sobre la THD se presenta cuando los ángulos de disparo son mayores
a 90 grados.
4
Figure 2: Variación de la distorsión armónica total con el ángulo de disparo
5
Distorsión armónica en semiconvertidor
monofásico con carga RLE
Vı́ctor Proaño
November 23, 2017
Abstract
Un parámetro de calidad para evaluar los rectificadores es el factor de
distorsión armónica total (THD). Este parámetro permite determinar la
cantidad de deformación respecto a una onda senoidal. Esta deformación
se atribuye al convertidor. La distorsión armónica total es la relación entre
el valor rms de las componentes armónicas de la corriente y la componente
fundamental.
el modo de conducción continua.

monofásico
pP
In,rms2
Ls fórmula de cálculo de la distorsión armónica total es: T HD = I1,rms
1
El programa inicia asignando un vector de valores al ángulo de disparo. Para
cada ángulo de disparo se calcula la corriente en la carga del semiconvertidor
que corresponde a un vector con los valores instantáneos de la corriente. La
corriente de fuente se obtiene uniendo este vector con el vector invertido para el
siguiente semiperı́odo. Luego se realiza el cálculo numérico de los coeficientes de
la serie de Fourier que conforman la onda de corriente en la fuente. Finalmente
se relaiza el cálculo de la distorsión armónica mediante la fórmula ya descrita.
close all
Vs=120;R=2.5;L=65.0e-3;f=60;w=2*pi*f;E=50
% R=2.5;L=6.50e-3;f=60;w=2*pi*f;Vs=120;
alfagv=20:5:160; N=500; % numero de puntos para integración
for jcount=1:1:length(alfagv)
alfag=alfagv(jcount)
alfa=alfag*pi/180;
[it,wtx]=is_semiconvertidor(alfa,L,R,E,Vs,w,N)
itt=[it -it] % se completa el otro semiperiodo con el valor negativo de corriente
wt=[wtx wtx+pi]
plot(wt/pi,itt)
hold on
a0=valor_dc(itt,wt); % se calcula el valor dc de la corriente
[a,b]=armonicos(itt,wt,20);
%reconstruccion_armonica(a0,a,b) % para verificar respuestas correctas
[irms,i_fund,f_distorsion,thd,f_desfase,fp]=parametros(a,b,alfag);% se obtiene los parametro
alfag
fpv(jcount)=fp
thdv(jcount)=thd
end
figure(2)
%plot(alfagv,fpv,’r’)
%hold on
plot(alfagv,thdv)
2.2 Función is semiconvertidor

Realiza el cálculo de la corriente en la carga del semiconvertidor
% corriente en un semiconvertidor monofásico en el primer semiperiodo
function [it,wtx]=is_semiconvertidor(alfa,L,R,E,Vs,w,N)
tau=L/R
imax=0;
% pause
2
if alfa<alfamin
alfa=alfamin
end
teta=atan(w*L/R)
% discontinua
T4=E/R
ILo=T1*T2/T3-T4
t=alfa/w
if IL1<0
IL1=0
end
wt1=pi/N:pi/N:alfa-pi/N;
% pause
wt2=alfa:pi/N:pi;
i0=0;
wt0=0;
i2=rectifica(i2);
wt=[wt2 wt1+pi];it=[i2 zeros(1,length(i1))];vt=[v2 v1];it=[0 it];wtx=[alfa wt];
2.3 Función armónicos

Calcula no armónicos de la forma de onda descrita por los vectores itt(corriente
de la fuente) y el vector de ángulo wt.
function [a,b] = armonicos(it,wt,no)
% it es el vector que tiene la forma de onda
% wt tiene los valores de ángulo de 1 perı́odo
% no es el número de ármónicos deseado
% a y b son vectores con los coeficientes de fourier
for i=1:1:no
[a(i),b(i)]=armonico_n(it,wt,i)
end
3
2.4 Función armonico
Calcula los coeficientes correspondientes a un armónico definido por el valor n.
% obtención de coeficientes del armonico n
function [an bn]=armonico(x,wt,n)
x_cos=x.*cos(n*wt)
x_sin=x.*sin(n*wt)
an=1/pi*integra_trap(x_cos,wt);
bn=1/pi*integra_trap(x_sin,wt);
end
2.5 Función parametros

Calcula los parámetros requeridos para evaluar la distorsión armónica.
function [i_rms_total,i_fund,f_distorsion,thd,f_desfase,f_potencia]= parametros(a,b,alfag)
cv=sqrt(a.^2+b.^2)
% calculo de factor de distorsion
i_rms_total=sqrt(sum(cv.*cv/2)) % valor rms de armonicos y fundamental
cv1=cv(2:length(cv))% se retira la componente fundamental
i_armon=sqrt(sum(cv1.*cv1)/2) % valor rms de armonicos
i_fund=cv(1)/sqrt(2) % componente fundamental
f_distorsion=i_fund/i_rms_total
thd=i_armon/i_fund
%defase de la componente fundamental
fi=-atan(a(1)/b(1))*180/pi
f_desfase=cos(fi*pi/180)
f_potencia=f_distorsion*f_desfase
3 Resultados
La figura 2 muestra los resultados de la distrosión armónica total como función
del ángulo de disparo, la inductancia y el valor de la tensión E.
4 Análisis de Resultados
Se observa que no existe mayor variación de la distrosión armónica al aumentar
el valor de la inductancia. Con respecto a la variación de la tensión E se observa
que el efecto sobre la THD se presenta cuando los ángulos de disparo son mayores
a 90 grados.
4
Figure 2: Variación de la distorsión armónica total con el ángulo de disparo
5
Análisis de la corriente en Convertidor
monofásico completo mediante series de Fourier
Vı́ctor Proaño
November 17, 2017
Abstract
La descomposición mediante serie de Fourier de la tensión en la carga
de un rectificador permite utilizar el principio de superposición para cal-
cular la corriente en la carga.
1 Obtención de la corriente en un Convertidor

monofásico completo a partir de la descom-
posición en serie de Fourier de la tensión en
la carga
La tensión en la carga se expresa mediante la serie de Fourier:
∞
P
v0 (wt) = V0 + Vn cos(nw0 t + π)
n=1,2,3,...
Para el convertidor monofásico completo se tiene que: V0 = Vπm cos(α); es
el valor medio de la tensión en la carga. Los coeficientes de los componentes
armónicos se obtienen mediante: an = 2Vπm ( cos(n+1)α
(n+1) −
cos(n−1)α
n−1 ); bn = 2Vπm ( sin(n+1)α
(n+1) −
sin(n−1)α
n−1 ).n = 2, 4, 6, .. La amplitud de cada componente armónico de voltaje
p
se expresa con: Vn = (a2n + b2n ). El desfase entre el voltaje y la corri-
ente en cada frecuencia armónica se calcula con: θn = tan−1 (nwL/R). La
impedancia
p que la carga presenta a cada frecuencia armónica se obtiene de:
zn = (R2 + (nwL)2 ). La amplitud de la n-ésima armónica de la corriente
Vn
está dada por: In = Z = √ 2 Vn 2
. El valor rms de la corriente se obtiene
n R +(nw0 L)
a partirq
de la raiz cuadrada de la suma de los componentes rms al cuadrado:
√ √
Irms = I02 + (I1 / 2)2 + (I2 / 2)2 + ....
1
2 Codigo en Matlab
de onda.
% Cálculo de la corriente en un convertidor monofasico completo
% Calculo de valores rms de i
% Caso: Rectificador controlado de onda completa
Vm=120*sqrt(2);R=10;L=65.0e-3;alfag=120
alfa=alfag*pi/180;Vo=Vm/pi*cos(alfa)
Io=Vo/R;w=2*pi*60;irms2=Io^2
longi=50;ts=0.5
for n=2:2:longi
a(n)=2*Vm/pi*(cos((n+1)*alfa)/(n+1)-cos((n-1)*alfa)/(n-1))
b(n)=2*Vm/pi*(sin((n+1)*alfa)/(n+1)-sin((n-1)*alfa)/(n-1))
v(n)=sqrt(a(n)*a(n)+b(n)*b(n))
z(n)=sqrt(R^2+(n*w*L)^2)
i(n)=v(n)/z(n)
teta(n)=atan(n*w*L/R)
irms2=irms2+i(n)^2/2
end
irms=sqrt(irms2)
funcv=Vo;funci=Io;
for n=2:2:longi
wt=0:.1:2*pi
funcv=funcv+a(n)*cos(n*wt)+b(n)*sin(n*wt)
funci=funci+i(n)*cos(n*wt-teta(n))
ang=wt*180/pi
figure(1)
subplot(2,1,1)
plot(ang/180,funcv)
titulov=sprintf(’Reconstrucción del voltaje con %3.0f armónicos alfa=%3.0f’,n,alfag)
title(titulov)
subplot(2,1,2)
plot(ang/180,funci)
titulo=sprintf(’Reconstrucción de la corriente con %3.0f armónicos’,n)
title(titulo)
hold on
drawnow()
pause(ts)
end
2
3 Resultados
(a) 30 grados (b) 60 grados
(c) 90 grados (d) 120 grados
Figure 1: Formas de onda de voltaje y corriente para varios ángulos de disparo
Figure 2: Variación de la corriente con el angulo de disparo
La tabla 1 muestra los valores medios y rms de la corriente para los distintos
ángulos de disparo.
4 Observaciones
La forma de onda de la corriente del convertidor monofásico varı́a muy poco si
se consideran los tres primeros armónicos. El valor medio de la corriente puede
ser positivo o negativo si se varia el ángulo de disparo. Si el ángulo de disparo
es 90 grados el valor dc de la corriente es 0 A.
3
α en grados Valor rms[A] Valor dc [A]
30 4.87 4.67
60 2.70 2.70
90 2.09 0.00
120 3.29 -2.70
150 4.87 -4.67
Table 1: Valores caracterı́sticos de la corriente

Folleto Electronica de Potencia 201810

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Folleto Electronica de Potencia 201810

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Universidad de las Fuerzas

April 17, 2017

1.1 Parámetros generales de los Rectificadores

Denominación Sı́mboloFórmula de cálculo

Table 1: Parámetros generales de los rectificadores

2 Rectificador de media onda con carga RL

i(wt) i(wt)= Vm in (wt)

Table 2: Rectificador de media onda con carga RL

3 Rectificador de media onda con filtro capacitivo

ID,pico ID,pico = wCVm cos(α) + Vm sin(α)/R

∆V0 ∆V0 = Vm − Vm sin(α)

aproximación si RC >> 1/w

∆V0 ∆V0 = Vm /(f RC)

Table 3: Rectificador de media onda con filtro capacitivo

4 Rectificador controlado de media onda con carga RL

β sin(β − θ) − sin(α − θ)e(α−β)/wτ = 0,

i(wt) i(wt)= Vm in (wt)

Table 4: Rectificador controlado de media onda con carga RL

5 Rectificador de onda completa con filtro capacitivo

ID,pico ID,pico = wCVm cos(α) + Vm sin(α)/R

∆V0 ∆V0 = Vm − Vm sin(α)

Aproximación si RC >> 1/w

∆V0 ∆V0 = Vm /(2f RC)

Table 5: Rectificador de onda completa con filtro capacitivo

6 Rectificador controlado de onda completa con carga RL modo dis-

β β < α + π, para asegurar modo discontinuo

i(wt) i(wt)= Vm in (wt)

Table 6: Rectificador controlado de onda completa con carga RL modo discontinuo

7 Rectificador controlado de onda completa con carga RL modo con-

α α < θ, para asegurar modo continuo

Table 7: Rectificador controlado de onda completa con carga RL modo continuo

ID,dc ID,dc = 13 I0,dc

ID,rms ID,rms = √1 I0,rms

Si se considera una corriente dc pura en la salida, entonces

Table 8: Rectificador trifásico

Table 9: Rectificador trifásico controlado

Figura 1: Juntura PN mostrando portadores mayoritarios

Figura 2: Difusión de los portadores mayoritarios hacia la menor concentración

Ası́ que los electrones se difundirán desde la derecha a la izquierda a través de la

Figura 4: Polarización directa de la juntura

Bajo condiciones de polarización directa ( ver figura 4) lo que se hace es incrementar

Figura 5: Difusión y recombinación de portadores mayoritarios con polarización directa

La corriente total consiste de la recombinación en un lado o el otro de la juntura.

y la ecuación de control de carga

Este relaciona primero el voltaje a través de la región de agotamiento v a la concentración

Figura 7: Modelo de control de carga de primer orden de la juntura

En la figura 7 está un dibujo o un esquema de lo que realmente sucede Entonces

1. Describa los portadores mayoritarios del material N y del material P.

2. El rectificador controlado de silicio SCR

Figura 8: Sı́mbolo esquemático del SCR

El Rectificador controlado de silicio (SCR) pertenece a la familia de los tiristores.

2.4. Curva caracterı́stica

Debido al incremento en la corriente y decremento en el voltaje en la región entre

2.5. Definición de los parámetros del SCR

Figura 13: MOSFET en estado apagado

Figura 14: MOSFET en estado encendido ON

En el estado de encendido ver figura 14 entonces la corriente fluye en la forma mos-

sitivo. Sin embargo la advertencia es que el diodo no necesariamente está optimizado

puede soportar. Y cuál es la resistencia en estas condiciones.

Es un dispositivo no lineal que indica la gran variación de la capacitancia con el inverso

Estás capacitancias de salida de los dispositivos tales como la capacidad de Drenaje a

WCds = 23 Cds (VDS )VDS

Se tiene un factor de dos tercios en lugar de un factor mitad. Y si se evalúa la capacitan-

CONCLUSIONES El MOSFET es un dispositivo de portadores mayoritarios, es-