Preinforme Nº 9

Memorias

1. Busque las hojas de datos de los componentes que utilizara en este laboratorio.

1.1.
2. Investigue las características de las memorias SRAM, DRAM, PROM, EPROM, EEPROM.

2.1.SRAM
Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de
memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los
datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, sí son memorias
volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.
No debe ser confundida con la SDRAM (Syncronous DRAM).
Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser
escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la última posición de memoria
accedida. Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman un biestable. Este
circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados para almacenar (representar) un 0 o un 1. Se
utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el acceso al biestable durante las operaciones
de lectura y escritura. Una SRAM típica utilizará seis MOSFET para almacenar cada bit.
Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o más transistores
por bit.1 2 3 Esto es utilizado para implementar más de un puerto de lectura o escritura en determinados
tipos de memoria de video.
Un menor número de transistores por celda, hará posible reducir el tamaño de esta, reduciendo el coste
por bit en la fabricación, al poder implementar más celdas en una misma oblea de silicio.
Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los casos de tres
transistores4 5 o uno solo se estaría hablando de memoria DRAM, no SRAM.
El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que controla los dos
transistores de acceso M5 y M6, quienes controlan si la celda debe ser conectada a los buses BL y BL.
Ambos son utilizados para transmitir datos tanto para las operaciones de lectura como las de escritura,
y aunque no es estrictamente necesario disponer de ambos buses, se suelen implementar para mejorar
los margenes de ruido.
A diferencia de la DRAM, en la cual la señal de la línea de salida se conecta a un capacitador, y este es
el que hace oscilar la señal durante las operaciones de lectura, en las celdas SRAM son los propios
biestables los que hacen oscilar dicha señal, mientras que la estructura simétrica permite detectar
pequeñas variaciones de voltaje con mayor precisión. Otra ventaja de las memorias SRAM frente a
DRAM, es que aceptan recibir todos los bits de dirección al mismo tiempo.
El tamaño de una memoria SRAM con m líneas de dirección, y n líneas de datos es 2m palabras, o
2m × n bits.

2.2.Dram
DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se
usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria
principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere
revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la
posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una
velocidad alta: en la actualidad se fabricanintegrados con millones de posiciones y velocidades de
acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay
alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una
de las memorias más usadas en la actualidad.
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los
sistemas digitales. La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la
DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de
funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin
carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este
mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a
la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.
Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones,
a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen
millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando áreas que son
visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las líneas
horizontales conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas filas y las líneas verticales
conectadas a los canales de los FET son las columnas.
Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las
direcciones están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las entradas marcadas como
a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la dirección de la fila y después la de la
columna. Las direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización llamadas RAS (del
inglés Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que indican la entrada de cada parte de la
dirección.

2.3.PROM
PROM es el acrónimo de Programmable Read-Only Memory (ROM programable). Es una memoria
digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser
quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una
sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas
para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar
en muchos o todos los casos.
Pequeñas PROM han venido utilizándose como generadores de funciones, normalmente en conjunción
con unmultiplexor. A veces se preferían a las ROM porque son bipolares, habitulamente Schottky,
consiguiendo mayores velocidades.
Una PROM común se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de las fábricas; el
quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programación se realiza
aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios).
El término Read-only (solo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no
pueden ser cambiados (al menos por el usuario final).

2.4.EPROM
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable).
Es un tipo de chip dememoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formada
por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores
de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por
eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un
dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los
circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.
Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte
luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas
provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fácilmente por una ventana transparente en
la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz
ultravioleta durante el borrado.
Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (One-Time
Programmable, programables una sola vez). La única diferencia con la EPROM es la ausencia de la
ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a
las EPROMs normales como a las EPROMs incluidas en algunosmicrocontroladores. Estas últimas
fueron siendo sustituidas progresivamente por EEPROMs (para fabricación de pequeñas cantidades
donde el coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utilización).
Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y se puede leer un número
ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe
permanecer cubierta. Las antiguas BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROMs
y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contenía el nombre del
productor de la BIOS, su revisión y una advertencia de copyright.
Las EPROM pueden venir en diferentes tamaños y capacidades. Así, para la familia 2700 se pueden
encontrar

2.5.EEPROM
EEPROM o E²PROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read-Only
Memory (ROM programable y borrable eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser
programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse
mediante un aparato que emiterayos ultravioletas. Son memorias no volátiles.
Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una
compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal esta cortado y la salida proporciona un 1
lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y
reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire. En otras
ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores yDSPs para lograr una mayor rapidez.
La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras
trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunión de Aparatos Electrónicos de
la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzó el primer chip comercial de tipo
NOR.

3. Para la memoria

Realice el diagrama de tiempos del ciclo de lectura y escritura para la memoria 2114.
 4. ¿Qué condiciones deben cumplirse en una RAM para poder leer un dato? Consulte el diagrama
de tiempos.

Consiste en enviar los datos 2 veces por cada señal de reloj, una vez en cada extremo de la señal (el
ascendente y el descendente), en lugar de enviar datos sólo en la parte ascendente de la señal.
De esta forma, un aparato con tecnología DDR que funcione con una señal de reloj "real", "física", de
por ejemplo 100 MHz, enviará tantos datos como otro sin tecnología DDR que funcione a 200 MHz.
Por ello, las velocidades de reloj de los aparatos DDR se suelen dar en lo que podríamos llamar "MHz
efectivos o equivalentes" (en nuestro ejemplo, 200 MHz, "100 MHz x 2").
Uno de los problemas de la memoria Rambus: funciona a 266 MHz "físicos" o más, y resulta muy
difícil (y cara) de fabricar.
La tecnología DDR está de moda últimamente, bajo éste u otro nombre. Además de las numerosísimas
tarjetas gráficas con memoria de vídeo DDR-SDRAM, tenemos por ejemplo
los microprocesadores AMD Athlon y Duron, cuyo bus de 200 MHz realmente es de "100 x 2",
"100 MHz con doble aprovechamiento de señal"; o el AGP 2X ó 4X, con 66 MHz "físicos"
aprovechados doble o cuádruplemente, ya que una tarjeta gráfica con un bus de 266 MHz "físicos"
sería difícil de fabricar... y extremadamente cara.
(Atención, esto no quiere decir que una tarjeta AGP 4X sea en la realidad el doble de rápida que una
2X, ni mucho menos: a veces se "notan" IGUAL de rápidas, por motivos que no vienen al caso ahora.)
Bien, pues la DDR-SDRAM es el concepto DDR aplicado a la memoria SDRAM. Y la SDRAM no es
otra que nuestra conocida PC66, PC100 y PC133, la memoria que se utiliza actualmente en casi la
totalidad de los PCs normales; los 133 MHz de la PC133 son ya una cosa difícil de superar sin subir
mucho los precios, y por ello la introducción del DDR.

5. ¿Qué es el tiempo de acceso en una memoria?

Intervalo de tiempo para disponer de un dispositivo, generalmente medido en milisegundos.

Intervalo de tiempo entre el requerimiento para leer datos de (o escribir datos de)
un dispositivo dealmacenamiento (memoria, disco duro, etc.) y la terminación de esta acción. Es una
medida muy importante para estimar el rendimiento de los dispositivos (dispositivos que afectan al
rendimiento global de la computadora). En los discos duros, el tiempo medio de acceso es el tiempo
medio que tarda en situarse la aguja de lecto-escritura en el cilindro deseado; es la suma de la latencia
(tiempo que tarda el disco en girar media vuelta) y el tiempo medio de búsqueda (es la mitad del
tiempo que tarda la aguja en ir de la periferia al centro del disco).
En tanto, el tiempo de acceso máximo, es el tiempo máximo que tarda la aguja en situarse en el
cilindro deseado. Es el doble del tiempo medio de acceso.
Los discos duros más rápidos para PC, suelen tener un tiempo de acceso de entre 9 y 16milisegundos.
En referencia a la memoria, el tiempo de acceso es el tiempo que le lleva a la memoria del sistema
presentar la información en el microprocesador después de haberse elegido una dirección.

6. Mencione las diferencias entre memorias RAM estáticas y dinámicas.

- Se tienen las siguiente diferencias entre memorias RAM estáticas y dinámicas

a) La memoria RAM estática no necesita alimentación y la dinámica si.
b) La memoria RAM estática mantiene la información y la dinámica no.
c) La memoria RAM estática no necesita refresco y la dinámica si.

7. ¿Qué es una memoria LIFO, FIFO y SAM?

Memoria LIFO
LIFO (Last in-first out), la última información introducida en la memoria es la primera en extraerse, es
lo que se llama una pila o apilamiento.
Estas memorias especiales se crearon para librar a la CPU de gran parte de la labor de supervisión y
control al realizar algunas operaciones del tipo de manipulación de datos memorizándolos y
extrayéndolos a una secuencia establecida.Las memorias LIFO, no tienen porque ser memorias
especiales ajenas a la memoria central del sistema, algunos micro procesadores (UP), suelen incorporar
un registro denominado Stock Pointer (puntero de pila), que facilita al UP la posibilidad de construir
pila (stock) sobre una zona de memoria RAM, el direccionamiento de la pila lo lleva a cabo el registro
Stock Pointer actuando sobre la zona de memoria RAM destinada a tal efecto.

Memoria FIFO
FIFO (First in-firts out), primero en entrar - primero en salir, es decir, es lo que se llama una fila de
espera. No son de acceso aleatorio, es escasa su incidencia en sistemas de microordenadores.
FIFO se utiliza en estructuras de datos para implementar colas. La implementación puede efectuarse
con ayuda de arrays o vectores, o bien mediante el uso de punteros y asignación dinámica de memoria.

Memoria SAM
SAM (serial access memory): el módulo SAM (usualmente en la forma de un registro linear) no es
cambiado por los cálculos y contiene los datos que van a ser utilizados por el RAMDAC. Esto lo convierte
en memoria secuencial, que al contrario de la RAM de datos sólo puede ser evaluada sucesivamente (de
un modo similar a una casete). La SAM puede seleccionarse mucho más rápidamente que la RAM,
pues en principio no necesita cálculos de direccionamiento.