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t
C. Potência dissipada na chave semicondutora tr tf tr tf
As perdas de condução Pcond do MOSFET são bastante P
significativas e isso se deve ao fato de o semicondutor possuir Eoff Eon
um comportamento resistivo quando em condução. Assim,
para determinados valores de corrente, torna-se inviável a
utilização deste tipo de dispositivo, pois a potência dissipada
durante a condução atingiria valores muito altos. As perdas t
durante a condução do MOSFET são estabelecidas em [3] e
são descritas através da equação abaixo: Fig. 3. Gráfico da saı́da e entrada em condução do MOSFET
Pcond = RDS(ON ) IS(RM S) 2 (3)
D. Modelagem térmica do dissipador Equação (6) e conhecendo-se as resistências entre junção-
Como já explicado, a corrente que circula no semicondutor cápsula e cápsula-dissipador do MOSFET, é possı́vel deter-
produz calor, tanto em condução quanto na comutação. Esse minar a resistência térmica máxima do dissipador através da
calor gerado deve ser transferido para o ambiente. Caso Equação (7):
contrário, a temperatura da junção do dispositivo se eleva RSA ≤ 6, 9785o C/W (8)
acima dos limites máximos permitidos e provoca falha no
componente. A corrente máxima e, portanto, a potência O dissipador escolhido é o modelo HS6524, produzido
máxima que um dispositivo semicondutor é limitada somente pela HS Dissipadores. O dissipador tem uma resistência
pela temperatura de junção desse dispositivo [1]. Para o térmica de RHS6524 = 3, 72o C/W/400 .
cálculo térmico será empregado o circuito equivalente ao da
F. Correção da Temperatura
Figura 4:
É importante destacar que a dissipação por convecção
Dispositivo Dissipador depende da diferença entre a temperatura ambiente e a
RJC RCS RSA temperatura do filme de ar que circunda o dissipador. O valor
TJ de resistência térmica tabelado no catálogo [5] analisado
TC TS TA
refere-se a um ∆T = 75o C.
Ptot TA Os dissipadores de calor são mais eficientes quando a
temperatura ambiente é baixa e à medida que a tempera-
tura aumenta, diminui a eficiência da troca térmica entre
o dissipador e o ambiente. O gráfico da Figura 5 mostra
Fig. 4. Circuito equivalente do Modelo Térmico proposto
quanto aumenta a resistência térmica do dissipador com a
diminuição do ∆T . Logo, os valores de resistência devem
As grandezas representadas na Figura 4 são definidas da ser corrigidos de acordo com as condições de trabalho do
seguinte maneira: dissipador. A diferença de temperatura para este projeto é
– TJ : Temperatura da Junção (o C) definida em ∆T = 50o C.
– TC : Temperatura da Cápsula (o C)
– TS : Temperatura da Dissipador (o C) 80
Diferença de temperatura ( T)
– TA : Temperatura do Ambiente (o C) 70
– Ptot : Potência total produzida pelo componente (W ) 60
– RJC : Resistência térmica entre a Junção e a Cápsula 50
40
(o C/W )
30
– RCS : Resistência térmica entre a Cápsula e o Dissipa-
20
dor (o C/W ) 10
– RSA : Resistência térmica do Dissipador (o C/W ) 0
O objetivo do cálculo térmico é determinar qual o valor 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30%
máximo de resistência do dissipador RSA será necessário Aumento percentual da resistência térmica
para que a temperatura da junção permaneça dentro do limite
imposto pelo fabricante. A Potência dissipada é calculada Fig. 5. Gráfico da variação da resistência térmica com ∆T
a partir das caracterı́sticas do componente e da corrente
que circula por ele, além da frequência de chaveamento fs Então, é necessário corrigir a resistência do dissipador para
também influenciar nesse valor. A temperatura de junção e as o novo ponto de operação de ∆T :
resistências térmicas RJC e RCS são fornecidas pelo fabri-
cante (Tabela 2). A temperatura TA é um valor determinado RHS6524 = (3, 72)(1, 106) = 4, 114o C/W/400 (9)
pelo projetista.
A partir da faixa de temperaturas para a junção do disposi- G. Correção do comprimento
tivo, é necessário definir uma temperatura de junção máxima Os valores de resistência térmica dos dissipadores dis-
TJ(M AX) e desse modo, é possı́vel determinar a resistência ponı́veis no catálogo [5] tem como referência 4 polegadas
necessária para o dissipador da seguinte maneira: de comprimento. Assim, todas as resistências térmicas mos-
tradas nos dissipadores do catálogo possuem como unidade
TJ(M AX) − TA
RSA ≤ − RSC − RCS (7) o
C/W/400 , ou seja, graus celcius por watt por pedaço de 4
P tot polegadas. Entretanto, é comum o uso dos dissipadores em
E. Escolha do dissipador outras medidas de comprimento.
Para se projetar o dissipador, é necessário definir a tem- O fator de correção do comprimento (F Ccomp ) pode ser
peratura do ambiente e a temperatura máxima de junção calculado através de:
de operação da chave: TA = 35o C e TJ(M AX) = 100o C. RSA
Calculando-se a potência total dissipada pela chave com a F Ccomp = (10)
RHS6524
3,50 O dissipador HS6524 escolhido para o trabalho pode ser
3,00 visto na Figura 8. Como o fabricante apenas informa que
o dissipador é produzido com uma liga de alumı́nio, a liga
Fator de correção
2,50
escolhida para o projeto foi a 2018.
2,00
1,50
1,00
0,50
0,00
0 100 200 300 400 500 600
Comprimento (mm)
III. RESULTADOS
A chave semicondutora IRFP450, conforme seu datasheet,
possui o encapsulamento T0-247. De acordo com [7], o
formato desse encapsulamento pode ser resumido ao desenho
da Figura 7.