Índice

1. Introdução ................................................................................................................ 3

1.1. Objectivo Geral ................................................................................................ 4

1.1.1. Objectivos específicos ............................................................................... 4

2. Revisão da literatura ............................................................................................... 5

3. Semicondutores........................................................................................................ 6

3.1. Classificação dos materiais de acordo com sua condutividade .................... 6

3.2. Tipos de semicondutores ................................................................................. 6

3.2.1. Semicondutores Intrínsecos ou puro ...................................................... 7

3.2.2. Semicondutores impuros ou extrínsecos ................................................ 9

4. Condutividade intrínseca ...................................................................................... 11

5. Nota sumária do grupo ......................................................................................... 12

5.1. Exercícios elaborados pelo grupo ................................................................. 13

6. Conclusão ............................................................................................................... 14

7. Referência bibliográfica ........................................................................................ 15

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i. INDICE DE ILUSTRACÕES
Ilustração 1 Ligação covalente de Silício ......................................................................... 7
Ilustração 2 átomos de carbono ligados para formar diamante (extraído Silva-2010) ..... 8
Ilustração 3 Ligação covalente de Silício com mais um eletrão fora da ligação .............. 9
Ilustração 4 Receptor ...................................................................................................... 10

ii. INDICE DE TABELA

Tabela 1 Classes dos semicondutores e seus representantes ............................................ 7

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1. Introdução

Neste presente trabalho que surge no âmbito da disciplina de Física dos semicondutores,
com vista a desenvolver aspectos virados aos tipos de semicondutores e a sua condutividade.
Desta feita, no desenvolvimento do trabalho se baseou em algumas literaturas que desenvolve
aspectos que diz respeito ao tema deste trabalho, assim pode-se destacar uma obra que serviu
de referência aqui citada: aspectos gerais da física dos semicondutores “FRANCISCO
WELLERY NUNES SILVA”.
Quando falamos de semicondutores logo nos vem a memória, a criação dos tão
famosos, entre o senso comum, transístores (do inglês Transfer resistor) tidos por uns, como a
principal invenção do século XX. A criação dos transístores é atribuída a John Bardeen,
Walter Houser Brattain e Willian Bradford Shockley, nos laboratórios da Bell Telephone em
dezembro de 1947.
Ao longo deste presente trabalho vamos destacar dois tipos de semicondutores, que
são: semicondutores intrínsecos e extrínsecos. Esses dois semicondutores são distintos na sua
condutividade. Um semicondutor produz corrente por meio de eletrões livres na estrutura
cristalina dos semicondutores e o outro produz corrente por meio da lacuna originada com a
saída do eletrão na estrutura cristalina através da acção do efeito da temperatura sobre a
estrutura cristalina causando uma agitação térmica dos electrões ligados entre si por meio da
ligação covalente.
E tudo sobre este trabalho, irá se desenvolver ao longo do trabalho.
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1.1. Objectivo Geral

 Compreender a natureza dos semicondutores, tendo em conta os tipos de
semicondutores e a sua condutividade.
1.1.1. Objectivos específicos
 Identificar os tipos de semicondutores
 Contextualizar os semicondutores intrínsecos e semicondutores extrínsecos;
 Contextualizar a condutividade intrínseca dos semicondutores.
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2. Revisão da literatura

Com os avanços nas pesquisas desde então novos materiais semicondutores foram
descobertos, como o caso do selênio, na década de 1870, sendo apontado como um material
com bom comportamento semicondutor, trazendo muitos avanços para a evolução dos
dispositivos. O desenvolvimento dos dispositivos eletrônicos iniciou-se em 1874, quando um
físico alemão chamado Karl Ferdinand Braun, construiu um retificador com um cristal de
sulfeto de chumbo (PbS), solado em fio de cobre.

Braun observou que o fluxo da corrente elétrica total foi alterado, passando a depender da
polarização da tensão aplicada, bem como das condições da superfície do material, onde
descobriu-se o caráter assimétrico da condução elétrica entre metais e semicondutores. A
primeira observação do efeito fotovoltaico em sistemas contínuos foi feita em 1876, e a
substância semicondutora era novamente o selênio, quando W.G. Adamns, junto com seu
estudante R. E. Day, investigaram as propriedades fotoelétricas em Cambridge, e eles
descobriram que se iluminassem uma junção de selênio e platina teriam o efeito fotovoltaico.
Podemos afirmar que estes foram os principais trabalhos na área dos semicondutores,
realizados durante o século XIX, porém com o advento do século XX temos um divisor de
águas, pois a partir de 1900 surgem teorias fundamentais para o desenvolvimento dos
semicondutores.
Com o surgimento da mecânica quântica, feita por Bohr, de Broglie, Heisenberg,
Schrödinger e outros, notavelmente durante a década de 20, as possibilidades de compreensão
do mundo microscópio da matéria, cresceu de forma espetacular, permitindo assim um maior
conhecimento da nano estrutura dos materiais semicondutores.
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3. Semicondutores

São discutidas as características físicas que permitem distinguir entre um isolador (vidro),
um semicondutor (silício) e um bom condutor (metal). A corrente num metal é devida ao
fluxo de cargas negativas (electrões) enquanto que a corrente num semicondutor é devida ao
movimento tanto dos electrões como das cargas positivas (lacunas). Um semicondutor puro
pode ser dopado com átomos de outros materiais (impurezas) de modo que a corrente é
predominantemente devida ou aos electrões ou às lacunas. O transporte de cargas num cristal
resulta da influência de um campo eléctrico (corrente de deriva) e/ou de um gradiente não
uniforme de concentração (corrente de difusão).
Desta forma, pode-se afirmar que a matéria está dividida em três áreas bem conhecidas,
onde pode-se destacar: os isolantes; os semicondutores e os condutores.

3.1. Classificação dos materiais de acordo com sua condutividade

 Condutores (metais) δ = [107 − 106 ] Sm-1

 Semicondutores δ = [10−8 − 10−6 ] Sm-1
 Isolantes δ = [10−8 − 10−16] Sm-1
 Supercondutores δ = ∞

3.2. Tipos de semicondutores

Pode-se afirmar que são vários os tipos de semicondutores, onde podemos destacar a
divisão dos semicondutores em três principais grupos: os semicondutores monoatômicos, os
semicondutores iônicos, que incluem os sais como o cloreto de sódio, os quais os átomos são
presos principalmente pelas forças de origem eletrostática, e os semicondutores de valência,
que inclui o carboneto de silício, em que os átomos se combinam em um grande cristal como
se formassem uma molécula gigante (SILVA-2010).
Segue abaixo uma tabela com as principais classes de semicondutores e seus respectivos
representantes:
Monoatómicos Cristais iónicos Cristais de valência
Diamante Iodeto de potássio Antimonieto de índio
Silício Óxido de zinco Arseniato de gálio
Germânio Óxido de cuproso
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Estanho
Selénio
Telúrio
Arsénio
Antimónio
Tabela 1 Classes dos semicondutores e seus representantes

3.2.1. Semicondutores Intrínsecos ou puro

Num semicondutor puro (também denominado por intrínseco) o número de lacunas é
igual ao número de electrões livres. A agitação térmica produz continuamente novos pares
electrão-lacuna enquanto outros pares desaparecem devido à recombinação.

Ilustração 1 Ligação covalente de Silício

3.2.1.1. Geração térmica: G (T)

Quando a temperatura aumenta, alguns eletrões deixam a camada de valência indo
para a camada de condução. A densidade (concentração) destes eletrões na camada de
condução é denotada por n. Os níveis desocupados na camada de valência são chamados de
lacunas e sua densidade é dada por p. Desta forma, o condutor pode ter acesso a condução
elétrica.
Pares eletrões-lacuna são continuamente gerados e recombinados à temperatura
ambiente. Em um semicondutor puro a densidade de eletrões é igual a densidade de lacunas:
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖
 n é a concentração dos eletrões livres na camada de condução;
 p é a concentração de lacunas livres na camada de valência;
 ni é a concentração ou densidade intrínseca de portadores.
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Em um semicondutor puro (intrínseco), o número da concentração intrínseca de

portadores (ni) de eletrões (livres) na camada de condução é igual ao número de lacunas
(livres) (isto é eletrões em falta) na camada de valência (FREUTT-2010).
A concentração intrínseca de portadores, número de eletrões livres e lacunas por
−𝐸𝐺
centímetro cúbico, é dada por: 𝑛2 𝑖 = 𝐵𝑇 3 𝑒 𝐾𝑇
Sendo que:
 B é um parâmetro dependente do material = 5,4 × 1031 Para o silício
 K é a constante de Boltzmann = 8,62 × 10−5 eV/K = 1,38 × 10−23 Joules/K 1 eV=
1,602 × 10−19Joules
 EG=1,12 eV = 1,76 × 10−19 Joules
 T é a temperatura absoluta em Kelvin
O Si intrínseco é um semicondutor puro, um cristal abstrato que não conta com nenhum
outro tipo de elemento que não seja o principal.

3.2.1.2. Recombinação
Definimos como recombinação a associação de um elétron a uma lacuna,
reconstituindo uma ligação covalente e a liberação de uma certa quantidade de energia.
Em equilíbrio térmico a taxa de geração G (por unidade de volume e por unidade de tempo)
será igual a taxa de recombinação R.
Podemos considerar alguns materiais e suas respectivas características atômicas, além
de suas respectivas características condizentes a condutibilidade. Os principais materiais a
serem discutidos aqui a priori são aqueles pertencentes à coluna IV A da tabela periódica, ou
seja, o Carbono (C), o silício (Si) o Germânio (Ge) e o Estanho (Sn). Em tais elementos
observamos que todos possuem quatro eletrões em suas respectivas camadas de valência e
podem formar cristais através de ligações covalentes entre si, partilhando um par de eletrões
com cada átomo vizinho. O exemplo disto têm o carbono unido para formar o diamante, como
mostra o esquema a seguir, que representa um átomo ligado a rede cristalina do diamante.

Ilustração 2 átomos de carbono ligados para formar diamante (extraído Silva-2010)

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É o facto que as ligações são extremamente fortes. No caso do diamante, por exemplo,
o intervalo da banda de energia proibida é de 5,6 eV, acompanhada de uma resistividade
também muito alta, da ordem de 1015 𝛺/𝑚/. Fato semelhante ocorre com um cristal formado
pelos demais elementos pertencentes a esta coluna, como em cristais de Silício, muito embora
a banda de energia caia, como é o caso, sendo de 1,1 eV para o mesmo.
Seguindo os comportamentos descritos anteriormente, seja n a densidade de eletrões
livres por unidade de volume e p a densidade de buracos ou lacunas consideradas como
entidades da Física criadas por unidade de volume, então n = p é a principal característica em
um semicondutor intrínseco.
Podemos tomar em consideração concentração intrínseca ni. Como n é o número de
eletrões livres por unidade de volume na banda de condução de um semicondutor
perfeitamente puro, ni também é visto como o número p, que é o número de buracos livres
por unidade de volume no semicondutor. Com isto temos a relação, 𝑛𝑝 = 𝑛2 𝑖 . Nos garante
que para qualquer semicondutor em equilíbrio, o produto das concentrações de buracos e de
eletrões é constante a uma determinada temperatura.

3.2.2. Semicondutores impuros ou extrínsecos

Adicionando átomos com três ou cinco eletrões na rede cristalina do silício, isso pode
causar uma certa alteração tendo em cota o equilíbrio entre lacunas e eletrões. A adição de
pequenas quantidades de outras substâncias a um semicondutor pode modificar as
características elétricas do mesmo. As propriedades elétricas de um semicondutor são
dependentes da dopagem. Conforme a dopagem, a resistividade do semicondutor pode mudar
por várias ordens de magnitude.

Algumas características do semicondutor extrínseco:

 Pode-se ajustar a condutividade pela escolha da quantidade de impurezas (nível de
dopagem);
 Pode-se escolher o tipo e a quantidade dos portadores majoritários.

Ilustração 3 Ligação covalente de Silício com mais um eletrão fora da ligação

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O Fósforo, Antimónio e Arsénico constituem exemplos de materiais pentavalentes

enquanto o Boro, Gálio e o Índio, são exemplos de materiais trivalentes.
Se o material dopante tiver 5 electrões de valência obtemos a estrutura de cristal
indicada na ilustração 3. Quatro dos cinco electrões de valência ocuparão ligações covalentes
e o quinto ficará disponível para transportar corrente. Estas impurezas doam portadores
negativos (electrões em excesso) e por conseguinte denominam-se por impurezas dadoras ou
de tipo n.
Se um semicondutor intrínseco for dopado com impurezas de tipo n então não só o
número de electrões aumenta como o número de lacunas diminui para um nível abaixo do
valor existente no semicondutor intrínseco. A razão para este decréscimo é que o maior
número de electrões aumenta a taxa de recombinação dos electrões com as lacunas. Por este
motivo, num semicondutor de tipo n, os portadores maioritários são electrões.
Num cristal de silício intrínseco as concentrações de electrões livres e lacunas
(gerados por ionização térmica) são iguais. Estas concentrações ni dependem fortemente da
temperatura. Os semicondutores dopados são materiais nos quais predominam um dado tipo
de portadores electrões ou lacunas. Quando os portadores maioritários são os electrões
(carregados negativamente) diz-se que o semicondutor é de tipo n. Se forem as lacunas os
portadores maioritários (carregados positivamente) diz-se que o semicondutor é de tipo p.

3.2.2.1. Receptores
No caso de uma impureza trivalente ser adicionada a um semicondutor intrínseco
apenas três das ligações covalentes podem ser preenchidas deixando um lugar vago na quarta,
lugar esse que constitui uma lacuna. A ilustração 4 mostra como estas impurezas
disponibilizam portadores positivos uma vez que criam lacunas capazes de aceitar electrões.
Estas impurezas são, por isso, designadas por impurezas receptoras ou de tipo p.

Ilustração 4 Receptor
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4. Condutividade intrínseca

Uma das cargas é negativa (o electrão livre) com mobilidade μn e a outra é positiva (a
lacuna) com mobilidade μp. Estas partículas movem-se em sentidos opostos relativamente ao
sentido do campo eléctrico E mas como as cargas têm sinais contrários ambos os portadores
transportam corrente no mesmo sentido.
No decurso do seu movimento aleatório alguns dos electrões livres ocupam o lugar das
lacunas fazendo desaparecer quer esses electrões livres quer as lacunas. Este processo
designa-se por recombinação. A taxa de recombinação depende do número de electrões e
lacunas que por sua vez dependem da taxa de ionização. Esta taxa depende fortemente da
temperatura.
Desta forma, pode-se afirmar que a condutividade em si só, é a capacidade que um
material tem de transportar portadores de cargas na originação da corrente eléctrica, corrente
iónica. Por tanto; a condutividade intrínseca implica dizer o mecanismo de criação da
corrente, neste caso pode-se destacar por meio das lacunas.
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5. Nota sumária do grupo

Tendo em conta que neste trabalho tem como objectivo de desenvolver aspectos virados
aos semicondutores, dando mais foco naquilo que diz respeito aos tipos de semicondutores e a
condutividade intrínseca.

Existem dois tipos de portadores móveis: os electrões carregados negativamente e as

lacunas carregadas positivamente. Assim; pode-se destacar dois tipos de semicondutores, que
são: semicondutores intrínsecos e extrínsecos.

O semicondutor intrínseco apresenta um certo mecanismo pelo qual uma lacuna contribui
para a condutividade. Quando existe uma ligação covalente incompleta então é relativamente
fácil para um electrão de valência de um átomo vizinho sair da sua ligação covalente e ocupar
o lugar da lacuna. Este electrão, por sua vez, deixa uma lacuna na sua posição inicial. Assim,
a lacuna moveu-se efectivamente no sentido oposto ao movimento do electrão. Estamos em
presença de um mecanismo de condução de electricidade que não envolve electrões livres.
O semicondutor extrínseco que também pode se considerar semiconduttor dopado ou
impuro, onde maioritariamente o seu mecanismo pelo qual um eletrão fora da ligação
covalente, isto é, um eletrão livre contribui para a condutividade.
Se ao silício intrínseco adicionarmos uma percentagem de átomos trivalentes ou
pentavalentes, isto é com 3 ou 5 electrões de valência, respectivamente, então estamos a
fabricar um semicondutor extrínseco ou simplesmente dopado.

Uma diferença que podemos destacar entre esses dois semicondutores está no factor da
condutividade entre ambos, isto é, para o caso do semicondutor intrínseco considerado puro
ocorre por meio de portadores de lacunas carregadas positivamente, isto originado a partir da
saída de uma electrão por meio da agitação térmica sobre a estrutura cristalina dos
semicondutores. Enquanto o semicondutor extrínseco ou impuro / dopado, ocorre por meio de
portadores de eletrão que se localiza fora da estrutura dos semicondutores.
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5.1. Exercícios elaborados pelo grupo

1. Contextualize a condutividade extrínseca nos semicondutores do tipo p?
2. Relacione a condutividade extrínseca do tipo n com a intrínseca?
3. Qual é a distensão dos semicondutores extrínsecos do tipo n com
semicondutores intrínseco?
4. Se adicionarmos um elemento que contem mais de 5 eletrões de valência e
menos que 3 eletrões de valência na estrutura cristalina do silício, o que
acontece?
a) E justifique que tipo de semicondutor que podemos considerar, quando
adicionarmos 2 eletrões de valência e quando adicionarmos 6 eletrões
de valência na estrutura cristalina do silício?
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6. Conclusão
Durante o desenvolvimento do presente trabalho, que fala sobre aspectos virados aos
semicondutores, e os seus tipos, pode-se afirmar que a condutividade elétrica de um
semicondutor é altamente dependente das condições ambientais, tais como temperatura,
radiação luminosa, pressão, campo magnético e pureza do material.
A razão do diferente comportamento entre metais e semicondutores é que os metais
contêm um número constante de portadores móveis de carga em todas temperaturas e
semicondutores não. Em um semicondutor puro, para que os portadores se tornem livres, as
cargas devem ser ativadas. Essa ativação requer alguma energia, que pode vir, por exemplo,
da agitação térmica.
A baixas temperaturas quase todas as ligações covalentes estão intactas e praticamente
não existem electrões livres que possam conduzir corrente. À temperatura ambiente, no
entanto, algumas das ligações são quebradas por ionização térmica e por conseguinte alguns
electrões são libertados deixando no átomo ionizado um número correspondente de lacunas.
Uma diferença fundamental entre um metal e um semicondutor é que o metal é unipolar,
isto é, conduz corrente por intermédio de um só tipo de cargas que se considera os electrões,
enquanto o semicondutor é bipolar, isto é, conduz corrente por intermédio de dois tipos de
cargas com sinais contrários que se considera os electrões e as lacunas.
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7. Referência bibliográfica
 Prof. Fabiano Fruett, Introdução à Física dos Semicondutores-2010
 SILVA F. W. NUNES. ASPECTOS GERAIS DA FÍSICA DOS SEMICONDUTORES,
FORTALEZA – CEARÁ 2010
 NUSSBAUM A. Comportamento Eletrônico Magnético dos Materiais, Edgard
Blücher LTDS, 1971.
 Hilton Andrade de Mello e Ronaldo Sérgio de Biasi, Introdução à Física dos
Semicondutores