Caracterización de Dispositivos Electrónicos Semiconductores

Gustavo Zoireff

Laboratorio de Física Experimental I – Instituto Balseiro

5 de Diciembre de 2012
Resumen

Se estudió el comportamiento de una fotorresistencia (LDR) y una celda solar (fotodiodo) sometida a luz
de distintas longitudes de onda. Se determinó la curva característica tensión-corriente de la celda solar
iluminada. Se estimó la energía de GAP de la fotorresistencia y la celda solar:

E G − LDR = 1,61eV
E G −CS = 1,01eV

Introducción
El estudio de las propiedades eléctricas de los sólidos se explica mediante la teoría de bandas. Las
estructuras sólidas, pueden concebirse como una extensa red donde los átomos se empaquetan unos muy
cerca de otros, ocasionando así que sus niveles energéticos interactúen y solapen sus orbitales con los de
átomos adyacentes. Ahora bien, el número de átomos presentes en dichas redes es muy grande y la
energía asociada a las interacciones de orbitales muy similar, lo cual permite describir mejor todo como
una “banda”. Se denomina banda de valencia (BV) a aquella que contiene los electrones del nivel
energético más externo (ocupado) y banda de conducción (BC) al conjunto de niveles vacíos aledaños a
la banda de valencia. Dichas bandas se muestran para el caso de un metal en la Figura 1.

Figura 1. Esquema que muestra la ubicación de las bandas

de valencia y conducción para el caso de un conductor.
Las bandas antes definidas permiten distinguir entre tres tipos de materiales (Figura 2):

Figura 2. Comparación de las brechas energéticas entre la BV y

BV en un metal (conductor), un semiconductor y un aislante.

Conductores: su BV y BC se solapan, esto significa que la cantidad de energía para promover un electrón
de una banda a la otra es muy pequeña. Los electrones se mueven libremente a través de estos materiales
lo cual permite la conducción eléctrica.

Aislantes: la brecha energética entre las BV y BC es grande, esto implica que se requerirá una energía
mucho mayor para promover electrones de una banda a la otra. Es así que estos materiales no conducen.

Semiconductores: la separación entre su BV y BC es relativamente pequeña y son capaces de conducir si

se proporciona a sus electrones cierta cantidad de energía determinada por el GAP o espaciamiento entre
sus bandas.

La conducción de corriente eléctrica en un semiconductor dependerá entonces del número de portadores

que resultan ser los pares hueco-electrón generados al suministras la energía del GAP correspondiente al
material en cuestión. Los primeros se originan en la BV cuando los segundos se promueven a la BC. El
número de portadores dependerá en general de factores tales como la temperatura que provee en
muchos casos la energía necesaria para sortear el GAP energético y luz que proporciona energía
mediante los fotones capaces de promover un electrón a la BC. La energía de un fotón E en eV
(electrón-Volt) está dada por la siguiente expresión [1]:
1,24
1
En donde λ es la longitud de onda del fotón incidente en µm.
Este último caso es el que resulta de interés cuando la energía del GAP es relativamente grande y el
material bajo estudio contiene una baja densidad de impurezas o defectos. Al proceso de modificación
(ínfima) de la composición del semiconductor mediante impurezas o defectos se lo denomina dopado, y
tiene la función de generar nuevos sitios energéticos a ser ocupados por electrones.
La siguiente experiencia consistió en determinar propiedades del funcionamiento de dispositivos
semiconductores, en particular se estudiaron resistencias variables con la iluminación (LDR) y celdas
solares (CS). Durante la misma se pretendió trabajar en condiciones tales que la iluminación fuese la que
dominara la conducción en el material.

2
Por último, dado que una celda solar está constituida por fotodiodos, es importante mencionar la ley de
comportamiento del fotodiodo ideal a oscuras que sigue la siguiente expresión [1]:

1 2

Donde:

I0 es la corriente de saturación.
I y V: corriente [A] y tensión [V] en bornes del diodo
qe, k: carga del electrón [C], constante de Boltzmann [eV]
T: temperatura de medición [K]
n: factor del diodo (adimensional y cercano a 1 para diodos de Ge y 2 de Si)

Método experimental

Se armó el circuito eléctrico de la Figura3. Se estudió un LDR, midiendo la resistencia en función de la

iluminación y comparándola con su valor a oscuras. Se midió la fotocorriente Ifc que es la corriente que
proviene de la iluminación [1]:

!"# $% &!% 3

Amperímetro

λ
U
10 V LDR

Figura 3. Esquema del circuito eléctrico

implementado para el estudio del LDR.

Por medio de un monocromador de red de difracción se iluminó el dispositivo con luz de longitudes de
onda desde 480nm a 800nm (Figura 4). Se tomaron valores de intensidad de corriente para intervalos de
2nm con un error de 1nm.

Figura 4. Esquema del monocromador emitiendo una determinada longitud de onda en el LDR.

3
Se calibró el monocromador con un láser rojo (633nm). Se detectó un corrimiento de (2±1)nm de la red
de difracción. Luego, todas las mediciones se corrigieron con este valor.

A continuación, se realizó el estudio de la característica tensión-corriente de la celda solar por medio del
circuito eléctrico de la Figura 5. Se midió tensión y corriente a oscuras, de -1V a 12V tomando
intervalos de 0,5V. Luego, se realizó el mismo procedimiento anterior, pero con la celda solar iluminada
por una lámpara incandescente.
λ

CS
Amperímetro

Figura 5: Circuito implementado para la medición

de la característica I-V de la celda solar.

Se utilizó el circuito de la Figura 6 y se tomaron valores de tensión y corriente generadas por la celda
solar para distintos valores de resistencia de carga. Se usó una resistencia variable de precisión 0,1Ω. Por
medio de estas mediciones se podrá observar la característica de generación de energía de una celda
solar.

Voltímetro

Amperímetro
R1

CS

Figura 6. Circuito implementado para la medición

de la característica de generación de energía de la
celda solar.

4
Finalmente, se determinó la respuesta espectral de la celda solar. Para ello, se realizó el circuito de la
Figura 7, conectando en cortocircuito el dispositivo y midiendo la corriente que genera para luz
incidente de distintas longitudes de onda, utilizando un monocromador de rango 0,7µm a 1,6µm, el que
permite seleccionar luz infrarroja (a partir de 1µm de escala la luz emitida es desde ultravioleta hasta
roja).
λ

CS
Amperímetro

Figura 7. Circuito implementado para la medición

de la respuesta espectral de la celda solar.

Los instrumentos utilizados (amperímetros y voltímetros) utilizados fueron testers de 0,01% de

precisión.

Resultados

Primera serie de mediciones:

Los resultados para la medición de la resistencia del LDR en función de la longitud de onda se muestran
en la Figura 8:

6000

5000
Resistencia [KΩ]

4000

3000

2000

1000

0
450 500 550 600 650 700 750 800 850
Longitud de Onda [nm]

Figura 8. Curva Resistencia vs Longitud de Onda para la primera serie de mediciones en el LDR.

5
En la Figura 9 se muestra la medición de la fotocorriente Ifc en función de la longitud de onda:

250

200

150
Ifc [mA]

100

50

0
400 500 600 700 800
Longitud de onda [nm]

Figura 9. Curva Ifc vs Longitud de Onda para las mediciones en el LDR.

Segunda serie de mediciones:

En la Figura 10 se muestran los resultados de la medición de la característica IV del diodo a oscuras e

iluminado:

120

100

80
Intensidad de Corriente [mA]

60

40 IVoscuras
IViluminado
20

0
-15 -10 -5 0 5 10 15
-20

-40
Tensión [V]

Figura 10. Curva IV del diodo a oscuras (■) e iluminado (▲) para las mediciones en la celda solar.

6
Ahora se busca linealizar la expresión (2):

1 2

Para T=293K resulta kT=0,02 eV. Por lo tanto para V suficientemente grande resulta la exponencial
mucho mayor que 1 y la expresión puede aproximarse por:

= 3
Y luego:
*+
ln = + ln 4
,-.
Ahora con los valores obtenidos para la característica IV a oscuras se grafica en la Figura 11 ln(I) vs V:

2
ln (I)

0
0 2 4 6 8 10
-1

-2
V [V]

Figura 11.Curva ln(I) vs V para las mediciones de la característica IV a oscuras de una celda solar

Tercera serie de mediciones:

A continuación, en la Figura 12 se puede observar el resultado de la medición de la característica de

generación de energía de la celda solar:

7
 Potencia (mW) 0,3

0,2

0,1

0 I vs V
Intensidad de Corriente (mA)

0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 P vs V

-0,1

-0,2

-0,3
Tensión [V]

Figura 12. Curvas Intensidad de Corriente vs Tensión y Potencia vs Tensión para las mediciones de
la característica de generación de energía de la celda solar.

Otros datos importantes que se extraen del análisis de los puntos de Intensidad de Corriente vs Tensión
de la Figura 12 son:

Área bajo la curva descripta por los datos: A = (1,50±0,02) mW.

Corriente de cortocircuito: Icc = (-0,27±0,01) mA.
Tensión de vacío: V0 = (3,48±0,01) V.
Potencia máxima: P = (0,26±0,02) mW.
Resistencia a potencia máxima: R = (8,97±0,02) Ω.

Cuarta serie de mediciones:

Los resultados de las mediciones de la respuesta espectral de la celda solar se muestran en la Figura 13:

8
 6

Corriente de Cortocircuito (μA) 5

0
650 750 850 950 1050 1150 1250 1350 1450
Longitud de Onda (nm)

Figura 13. Curva Corriente de Cortocircuito vs Longitud de Onda para la medición de la respuesta
espectral de la celda solar.

Discusión

En la figura 8, en la primera serie de mediciones, se puede observar que la curva de Resistencia Vs

Longitud de Onda en un LDR no es lineal. El valor de resistencia mínimo obtenido para una longitud de
onda de (558±1)nm fue:

R= (473±1)KΩ

Por medio de los datos obtenidos, que se pueden ver en la Figura 9, se puede estimar la energía de Gap
del material semiconductor en cuestión. En la curva Ifc vs Longitud de Onda, a partir de los 618nm, se
traza una recta con algunos puntos medidos (Figura 14):

200

y = -1,20x + 922
150 R² = 0,999
Ifc [mA]

100

50

0
600 620 640 660 680 700 720
Longitud de Onda (nm)

Figura 14. Recta de Ifc vs Longitud de Onda para la esimación de EG de un LDR.

9
Con el valor que la recta obtenida intersecta al eje de las abscisas, se obtiene:

0 768,4 0,76864

Y por medio de la expresión (1) se estima EG:

0789: = 1,61

Valores de energía Gap de referencia a 300K próximos al obtenido son [2]:

1,73eV, que corresponde al Seleniuro de Cadmio

1,4eV, que corresponde al Arseniuro de Galio

En la segunda serie de mediciones, por medio de la Figura 9, se puede observar que la característica IV
de la celda solar a oscuras e iluminado de la celda solar coincide con la de un fotodiodo. En la Figura 10,
para tensiones mayores a 2V los puntos se ajustan en una recta, luego, se verifica la suposición dicha
anteriormente que para un a partir de un cierto valor de tensión se podía simplificar la ecuación del
diodo. Un detalle que se observa en la característica IV iluminado es que existe una zona donde la
tensión y la corriente por el diodo eran 0, esto se debe a que la tensión de la fuente igualaba a la tensión
del diodo. En esa zona, que aparece vacía, se llama zona de tensión fotovoltaica, pues la celda solar
puede ser aprovechada como generador de energía eléctrica.
Una observación importante es que cuando se coloca una resistencia de R = (8,97±0,02) Ω la potencia
que entrega la celda es máxima.

En la Figura 12 se midió en la zona de tensión fotovoltaica. Un parámetro que caracteriza la calidad de

la celda solar es el factor de llenado (fill factor) FF [1]:

<
;; =
==

El valor que se obtiene es:

FF = (1,59±0,4)

En la cuarta serie de mediciones, se puede hacer el mismo análisis hecho para un LDR para estimar el
valor de EG de la celda solar. Extraemos puntos de la Figura 13, y los representamos en la Figura 14:

10
 5

Corriente de Cortocircuito
4
3
[μA] 2
y = -0,035x + 42,87
1 R² = 0,9976
0
1100 1110 1120 1130 1140 1150 1160
Longitud de Onda [nm]

Figura 14. Recta de Ifc vs Longitud de Onda para la esimación de EG de una celda solar.

Luego, se estima:

0 1224,4 = 1,22464

07=> = 1,01

Un valor de energía Gap de referencia a 300K próximos al obtenido es [2]:

1,11eV, que corresponde al Silicio.

Conclusión

La variación de la resistencia en función de la longitud de onda en un LDR no es lineal. Se obtuvo un

valor mínimo de resistencia para este dispositivo cuando se incidió luz de 618nm.

Se pudo verificar experimentalmente que el comportamiento de la celda solar analizada corresponde al

de un fotodiodo. El factor de llenado del dispositivo es FF = (1,59±0,4) y la máxima transferencia de
potencia se dio cuando la resistencia de carga fue R = (8,97±0,02) Ω, y la potencia máxima transferida
fue P = (0,26±0,02) mW.

Se estimó el valor de la energía de Gap para la celda solar y el LDR:

0789: = 1,61

07=> = 1,01

Referencias

[1] Gabriel Meyer, “Caracterización de Semiconductores”, Cátedra de Física Experimental – Instituto

Balseiro.

[2] http://es.wikipedia.org/wiki/Banda_prohibida.

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