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Pontificia Universidad Católica de Chile

Escuela de Ingenierı́a
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica

IEE2413 - Electrónica – II – 2016

Interrogación 3
Tiempo lı́mite: 90 minutos. Puntaje máximo: 6 puntos. Puede usar calculadora. Si tiene un teléfono celular o cualquier otro
dispositivo de comunicaciones inalámbricas, manténgalo apagado durante toda la interrogación. Puede usar ambos lados de cada
hoja para hacer sus cálculos, y puede utilizar hojas adicionales. Limite sus respuestas al espacio provisto para ello y no combine
respuestas correspondientes a diferentes preguntas en una misma hoja. Puede usar el formulario que confeccionó.
Escriba sus respuestas en expresiones de baja entropı́a. Si para responder alguna de las preguntas necesita el resultado de una
pregunta anterior que no ha podido responder, asuma una respuesta genérica (e.g., V en el caso de un voltaje, R en el caso de
una resistencia, etc.). Sólo se aceptarán preguntas de enunciado durante los primeros 10 minutos de la prueba.

Nombre: Nota:

Código de Honor

Como miembro de la comunidad de la Pontificia Universidad Católica de Chile,


me comprometo a respetar los principios y normativas que la rigen.
Asimismo, prometo actuar con rectitud y honestidad en las relaciones con los demás integrantes
de la comunidad y en la realización de todo trabajo, particularmente en aquellas actividades
vinculadas a la docencia, el aprendizaje y la creación, difusión y transferencia del conocimiento.
Además, velaré por la integridad de las personas y cuidaré los bienes de la Universidad.

Firma:

Resumen Puntajes

P1:

P2:

P3:

Nota:

1
IEE2413 – I3 – II – 2016 Nombre:

I. Conceptos (2 puntos)
¿Verdadero o falso? Sólo responda V o F. No justifique su respuesta. Todas las preguntas valen lo mismo.
Las respuestas incorrectas o ambiguas ponderan por −1, pudiendo producir un puntaje mı́nimo en esta
pregunta de 0 puntos.

1. La salida de un bloque circuital puede ser modelada como un Thévenin con baja impedancia
equivalente. Para reducir la atenuación de la señal por efecto de la carga, el siguiente bloque en el
camino de la señal debiera tener una alta impedancia de entrada.

2. Al aumentar la temperatura de operación y manteniendo los voltajes, la corriente a través de un


MOSFET en región de triodo aumenta.

3. Tı́picamente los MOSFETs con longitud de canal más pequeña (nodos tecnológicos más avanza-
dos) presentan una mayor resistencia incremental dren-fuente en región activa.

4. En un NMOS, una corriente de dren de pequeña señal con signo negativo significa que el modelo
de pequeña señal no es válido.

5. Se tiene un espejo de corriente implementado con dos MOSFETs. Por uno de los transistores
circula una corriente de referencia, que es copiada al otro transistor. Es factible que uno de los dos
transistores sea NMOS, y el otro, PMOS.

6. Se tiene un amplificador de CS formado por dos transistores: uno opera como transconductor,
mientras que el otro opera como carga activa. Si el transconductor es PMOS, entonces la carga activa
también es PMOS.

7. Los BJTs son dispositivos simétricos, es decir, colector y emisor pueden ser intercambiados sin
afectar el desempeño del circuito.

8. Para emplear un MOSFET como interruptor encendido, operando en región de triodo, es ideal
asegurar el mayor |VGS | posible.

9. Se tiene un switch NMOS que conecta dos nodos, V1 y V2 . El switch NMOS es comandado por
un reloj que va entre 0 y VDD . Si el voltaje del reloj está en 0 V, y si V1 < −VT , donde VT es el voltaje
de umbral, entonces el switch está encendido.

10. La corriente de los BJTs es principalmente corriente de desplazamiento.

2
IEE2413 – I3 – II – 2016 Nombre:

II. MOSFET (2 puntos)


En clases aprendimos que si queremos conmutar una carga circuital usando un NMOS como switch, lo
ideal es que conmutemos la carga a tierra y no a VDD . En estas condiciones el NMOS tendrá una resistencia
equivalente baja. De esa forma el voltaje entre los terminales de la carga será máximo, y por lo tanto, la
potencia en la carga será maximizada.
Ahora nos preguntamos qué sucede si usamos el NMOS para conmutar una carga a VDD . Considere el
circuito de la figura.
VDD
VCLK

VCLK Carga VDD


+

RL

Si RL es muy pequeña, el voltaje entre sus terminales tendrá que ser pequeño para que el transistor
tenga un VGS suficiente para comandar la corriente en la carga, y por lo tanto, la potencia consumida en la
carga será pequeña. Por el contrario, si RL es muy grande, el voltaje entre sus terminales será esencialmente
VDD − VT , pero la corriente será muy pequeña y nuevamente la potencia disipada por la carga será muy
pequeña. Sospechamos entonces que debe haber un valor preciso de resistencia de carga que maximiza la
potencia entregada por el circuito a la carga. Encuentre tal resistencia.
Considere que el transistor es un NMOS con parámetros µ, Cox y VT , y tamaño W/L. Desprecie el efecto del
cuerpo y asuma que el parámetro λ = 0. No se confunda, aquı́ no estamos hablando de valores incrementales,
sino de gran señal.

3
IEE2413 – I3 – II – 2016 Nombre:
Continuación pregunta II...

4
IEE2413 – I3 – II – 2016 Nombre:

III. BJT (2 puntos)


El circuito de la figura corresponde a un amplificador transistorizado. El BJT tiene β = 100 y su voltaje
VBE es 0.7 V cuando se encuentra en región activa. Considere λ = 0.
15 V 15 V

20 kΩ 4 kΩ
∞ vo

vI ∞
10 kΩ

10 kΩ 2 kΩ

1. Analice el circuito en DC, encuentre la corriente de polarización IC , y compruebe si el transistor se


encuentra en región activa (0.3 puntos).

2. Plantee el esquemático para análisis en pequeña señal y encuentre los parámetros de pequeña señal del
transistor (0.3 puntos).

5
IEE2413 – I3 – II – 2016 Nombre:

3. Encuentre la resistencia incremental de entrada en la banda pasante, vista desde vi . Se sugiere plantearlo
en términos algebraicos y evaluar al final, para minimizar posibles errores de arrastre (0.4 puntos).

4. Encuentre la resistencia incremental de salida en la banda pasante, vista desde vo (0.4 puntos).

6
IEE2413 – I3 – II – 2016 Nombre:

5. Determine la transconductancia efectiva en la banda pasante, icc /vi (0.4 puntos).

6. Encuentre la ganancia de pequeña señal vo /vi . Puede usar resultados de preguntas anteriores (0.2 pun-
tos).

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