Electrónica I y laboratorio

Camilo Mur
Andres Medina
Julián Cárdenas

Ingeniería Electrónica

Universidad Santo Tomas Tunja

PUNTO 1. Inicialmente obtenemos la curva característica del transistor, la cual depende del
voltaje gate-source, luego de eso fijamos nuestro valor de Voltaje drenaje-source y de
corriente de drenaje en saturación

PUNTO 2. La transconductancia en directa (conductancia de transferencia), gm, es el

cambio de la corriente en el drenaje (¢ID) correspondiente a un cambio dado del voltaje
entre compuerta y fuente (¢VGS) con el voltaje entre drenaje y fuente constante. Se expresa
como un cociente y su unidad es el siemens (S).

Otras designaciones comunes para este parámetro son gfs y yfs (admitancia de transferencia
en directa). Como se verá en el capítulo 9, gm es importante en amplificadores con FET
como factor importante al determinar la ganancia de voltaje. Debido a que la curva de
transferencia de un JFET no es lineal, gm cambia de valor de acuerdo con la ubicación en
la curva determinada por VGS. El valor de gm es más grande cerca del extremo superior
de la curva (cerca de VGS_0) que cerca del extremo inferior (casi VGS(corte)), como ilustra
la figura 8-15.
PUNTO 3.

En el gráfico se puede observar a la derecha las curvas características del transistor JFET
canal N, cada una, representando un valor diferente de voltaje Gate-Source; la gráfica de
color morado, indica el voltaje GS=0 para lo cual obtenemos la corriente máxima de
saturación, al igual que el voltaje máximo de estrechamiento, lo cual podemos comprobar
a la izquierda del gráfica en donde se evidencia la gráfica de transconductancia.
Punto 4
Modelo depolarizacion fija (JFET) de canal n

Caracteristica de transferencia (transconductancia)

Curvas caracteristicas del transitor

Grafica comportamiento trnasistor

Punto 5
Estructura:
¿Qué hace un Mosfet?.
Hay dos tipos principales de transistores. Los transistores de unión pn o bipolar y
los Transistores Mosfet o Mos. Si quieres saber sobre los primeros sigue el enlace anterior.
Aquí vamos ha explicar los mosfet.
Hemos querido empezar explicando que hace un mosfet, porque es muy sencillo, aunque
luego explicaremos las partes y el funcionamiento interno del transistor mosfet.
Un transistor Mosfet tiene 3 patillas. El mosfet conduce corriente eléctrica entre dos de sus
patillas cuando aplicamos tensión en la otra patilla. Es un interruptor que se activa por
tensión. Así de sencillo. Aquí puedes ver dos tipos de mosfet:
 Recuerda que un transistor pnp o npn (basados en la unión pn) hace lo mismo, pero la
diferencia es que en los npn o pnp la conducción se produce cuando le llega una pequeña
corriente a la base, en el mosfet es por tensión, se activa cuando ponemos a una tensión
mínima en la patilla del transistor llamada Gate.

Las otras dos patillas se llaman sumidero (entrada) y drenaje (salida). Aunque luego
explicaremos todo con más detalle fíjate en el esquema siguiente. Se ven las 3 patillas y como
cuando conectamos G hay circulación de corriente entre D y S.

la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS,
debido a que se pueden construir de tamaños más pequeños que los bipolares y su velocidad
de conmutación (apertura y cierra) es muy rápida, unos nanosegundos.
¿Qué significa Mosfet?
La palabra MOS significa "Metal Oxido Semiconductor", y hace referencia a un tipo de
estructura muy usada en electrónica, donde se usa un óxido como dieléctrico o aislante.
"Field Effect Transistor" significa Transistor de efecto de campo, es decir transistores que
conducen por un campo eléctrico, parecido a un condensador. Conclusión: un MOSFET es
un transistor de efecto de campo por medio de un semiconductor óxido que se usa como
dieléctrico. De otra forma, es un transistor (conduce o no conduce la corriente) en el que se
utiliza un campo eléctrico para controlar su conducción y que su dieléctrico es un metal de
óxido.

Ventajas del Transistor Mosfet

La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para llevar a cabo su
propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida es muy pequeña, lo que hace
que sea un componente importante en los modernos ordenadores y dispositivos electrónicos
como los teléfonos celulares, relojes digitales, pequeños juguetes de robot y calculadoras.
Estructura de un Mosfet
Los mosfet se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato. Sobre
este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es
un semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato. En la primera imagen
de abajo puedes ver el sustrato de tipo P y el drenador y la fuente de tipo N.

Recubriendo este bloque se coloca una capa de óxido metálico aislante que hace de
dieléctrico o aislante entre la fuente y el sumidero. Por encima de este óxido se coloca una
placa de metal conductor. El óxido con el metal forman la tercera patilla o borne de conexión
llamada puerta o gate (en inglés).

Tenemos 4 partes pero solo 3 patillas, ya que el sustrato está unido siempre a la puerta (gate),
formando una única patilla del transistor.
S y D = semiconductor/es. A un lado está la patilla llamada sumidero o fuente (S). Al otro
lado la patilla llamada Drenaje (D), drenador o salida. Entre estos dos terminales pasa la
corriente cuando activamos G por medio de tensión. La corriente cuando se activa el
transistor entra por S y sale por D, siempre que G tenga una tensión mínima, llamada tensión
Umbral o threshold = Vth. G = puerta o gate. La parte de arriba es un metal conductor y la
de abajo el óxido.
P = capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de S y D. En la imagen
de la izquierda es de tipo N y entonces el sustrato debe ser P. Podría ser al revés, como puedes
ver en la imagen de la derecha.
 El canal que queda entre S y D es del material del sustrato y se llama canal. Es la zona que
hace de aislante impidiendo el paso de corriente cuando aplicamos tensión entre S y D.

Fíjate que el sustrato, la fuente y el drenador forman dos uniones NP o PN.

Uno se llama mosfet de canal N y el otro mosfet de canal P. Aqui puedes ver los símbolos
para los circuitos:

Esta es la estructura física. Si viéramos un mosfet real sería como el de la siguiente figura:
Como ves tiene 3 patillas igual que cualquier transistor.
¿Cómo funciona un Transistor Mosfet?
El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente
sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la aplicación
de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal llamado puerta
(gate). Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión conduce y cuando no hay
tensión en la puerta no conduce.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente.

El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos eléctricos

en el interior del dispositivo.

Un transistor MOSFET, es un dispositivo de estructura metal oxido semiconductor. Es un

transistor que se controla con voltaje en la compuerta usado para amplificar o conmutar
señales. Actualmente, la versión de los transistores, el mas utilizado ya que es la base para la
mayoría de los circuitos integrados. El transistor MOSFET desplazó al transistor BJT, el cual
es controlado mediante la corriente de base. Además, respecto a los transistores BJT los
MOSFET, tienen un consumo menor, tamaño inferior, control con voltaje, independiente de
uso de resistencias, velocidades de conmutación mayores, entre otras ventajas.
TRANSISTOR JFET
Antes de comenzar a analizar el MOSFET, tenemos que hablar del transistor tipo JFET. De
manera particular, el JFET es un dispositivo de tres terminales, compuerta (G), drenaje (D)
y fuente (S). La parte principal de un transistor JFET esta formado por el semiconductor que
se conecta a las terminales de fuente y drenaje. Los materiales restantes están conectados
entre si para directamente a la compuerta. Notese que en la unión tenemos una región de
empobrecimiento. La polarización del JFET esta en función a la diferencia de potencial entre
los semiconductores. Esto incrementa la región de agotamiento y regula la cantidad de
corriente que circula en el canal drenaje-fuente. Una vez que la diferencia de potencial genere
una región de agotamiento suficientemente grande, se tiene la condición de estrangulamiento.

TRANSISTOR MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

El MOSFET de empobrecimiento se forma a partir de una base de semiconductor, el cual se
le conoce como el sustrato. Se tienen dos regiones del mismo tipo de semiconductor, con una
tercera región del mismo tipo que funge como canal de conexión, estas tres regiones en sus
extremos se conectan a drenaje y a fuente. El sustrato se conecta a una cuarta terminal (SS).
La terminal de compuerta esta conectada directamente al material dieléctrico, usualmente
oxido de silicio, mediante una placa metálica. En la siguiente figura, se puede observar la
configuración para ambos transistores MOSFET de empobrecimiento.
Con una polarización de la compuerta de 0V, existe una corriente que fluye entre fuente y
drenaje, esto debido a la misma composición del material semiconductor del canal. En este
caso, podemos polarizar la compuerta para que el potencial ejerza una presión en los
portadores mayoritarios del material del canal, además de atraer los mayoritarios del sustrato
al canal. La recombinación generada entre los portadores del canal y el sustrato, modulara la
cantidad de portadores libres disponibles para la conducción.

Transistor MOSFET de empobrecimiento.

Sección central del transistor donde se observa como al momento de polarizar el G el canal
se modula en función a la cantidad de portadores mayoritarios libres.
La ecuación que controla la corriente de salida de un transistor JFET o MOSFET de
empobrecimiento, esta en función de la ecuación de Shockley:

En donde IDSS es la corriente máxima que circula a través del drenaje mientras que el voltaje
drenaje fuente, VDS se incrementa, además que el voltaje de compuerta este en GND. Vp es
el voltaje cuando VDS llega a generar la corriente IDSS. La corriente de la fuente es
prácticamente igual que la corriente del drenaje

La corriente de la compuerta, tiende a ser cero.

TRANSISTOR MOSFET ENRIQUECIMIENTO

Considerando de manera particular, el primer caso como un transistor canal N. El sustrato es
de semiconductor tipo p, el sustrato se conecta de manera interna a la terminal de la fuente.
La fuente y el drenaje, están conectadas a un material tipo n mediante un contacto metálico,
sin embargo en este caso no tenemos un canal que conecte estas terminales. La compuerta
sigue conectada a una placa metálica, separada al material del sustrato por un oxido de silicio,
con propiedades dieléctricas. A continuación se observan los transistores MOSFET de
enriquecimiento canal N y canal P.
POLARIZACIÓN POSITIVA EN COMPUERTA CANAL N
Debido a que no existe un canal físico entre las terminales drenaje y fuente, la conducción de
corriente es nula para una polarización VDS. Una vez que ajustamos un voltaje positivo a la
entrada de la compuerta de un transistor canal N, tenemos que VGS=+V. El potencial
positivo en la compuerta, ejerce presión en los huecos en el material p. Esto para que se alejen
de el material dieléctrico. Los portadores minoritarios, en este caso electrones, son atraídos
al material dieléctrico, atracción derivada de la polarización positiva de la compuerta. A
medida que se incrementa VGS, también lo hacen los portadores minoritarios en la región
mas cercana al dieléctrico. A partir de que comienza a haber conducción, se determina que
ese VGS es igual a VTH, o voltaje de umbral.

Transistor MOSFET de enriquecimiento.

 El canal se forma junto a la compuerta, en función a los portadores minoritarios atraídos a
la misma. La polarización de G define la cantidad de portadores.
Para valores de polarización de la compuerta mayores a los de el voltaje de umbral. El
transistor se comporta de la siguiente manera.

En donde k es un factor de ajuste. Este se puede encontrar con los parámetros de la hoja de
datos. La corriente de drenaje y el voltaje de compuerta, ambos parámetros de encendido o
ON.

A continuación se presenta un ejemplo de las características de la curva de transferencia.

Notese que el voltaje VGS en este caso representado por los puntos en el eje de Xs, definen
el valor de la corriente de salida, de la gráfica de la derecha. Los ejes Y se mantienen para
ambas gráficas, en este caso corriente del drenaje.

Curva de transferencia de un transistor tipo MOSFET de enriquecimiento. El valor del voltaje

compuerta (X), define el valor de la corriente de drenaje (Y).
Punto 6
Modelo depolarizacion fija (MOSFET) de canal p
Curva de tendencia del transistor con el (analizador IV)
Curvas caracteristicas del transitor
Caracteristica de transferencia (transconductancia)

Curvas caracteristicas del transitor

 Punto 7
 JFET en alterna
1.-El JFET en alterna, la transconductancia.

La transconductancia es un término matemático muy útil cuando se quieren realizar

circuitos de amplificación con el JFET, también con el mosfet, se representa mediante
gm e indica cuanto es el cambio en el valor de la corriente de drenaje ID cuando se cambia
el valor de la tensión compuerta fuente VGS, con respecto al punto operación al cual se
ha polarizado el JFET, matemáticamente esto se ve así:

𝑔𝑚 = (𝛥𝐼𝐷) /(𝛥𝑉𝐺𝑆), su unidad es el no o el siemens que es Ω-1

Si 𝛥𝑉𝐺𝑆 se hace muy pequeño, la transconductancia será la pendiente de la curva de

transferencia en el punto de operación Q, esto es
𝑔𝑚 = (𝑑𝐼𝐷)/(𝑑𝑉𝐺𝑆), donde ID está dado por la ecuación de Shockley.
Cuando se quiere hacer trabajar el jfet en alterna, esto es en circuitos de amplificación,
se polariza por
el jfet en alterna transconductancia

Los condensadores en alterna se comportan como cortocircuitos, se comentará sobre esto

más adelante, la señal alterna vi llegará a la entrada, por lo tanto la tensión compuerta
fuente en alterna será vgs=vi, como el JFET está polarizado en un punto de operación Q
con una VGSQ y una IDQ, la señal de alterna vi=vgs alternará en torno al punto de
operación Q VGSQ, provocando que VGSQ cambie en valor y esto a su vez hará que
IDQ cambie, provocando una corriente iq que alternará en torno a IDQ.

Para una señal alterna la transconductancia será igual al cambio de la corriente id

provocado por la señal alterna vgs, esto es:

𝑔𝑚 = (𝑖𝑑)/(𝑣𝑔𝑠)
Como a IDQ depende de VGSQ, la transconductancia dependerá del punto de operación
al cual se ha
polarizado el circuito de amplificación, la hoja de datos del JFET normalmente da el valor de la transconductancia
cuando la VGS=0, esto es para ID=IDSS, simbolizado como:

𝑔𝑚0 𝑜 𝑔𝑓𝑠

Hay una fórmula que permite encontrar el valor de la transconductancia gmQ en un punto cualquiera de la
curva de transferencia, a partir del valor que se tiene en la hoja de datos gm0, la fórmula es la siguiente, y es
muy importante comprenderla:

el jfet en alterna gmq

Una vez que ya se conoce el valor de la transconductancia en el punto de operación al cual se a polarizado el
JFET en continua, se puede comenzar a analizar los circuitos del jfet en alterna, ya se comentó que para alterna
gm=(id)/(vgs) la que al reacomodar se obtiene id=gm*vgs, que será la forma en que más se utilizará.

2.-El JFET en alterna parte 2 respuesta de la salida a la entrada alterna.

En este caso lo que se ve es que, al obtener la señal de salida en el drenador, esta estará invertida con respecto
a la señal alterna de entrada que ingresa por la compuerta; los condensadores son cortocircuitos para la señal
alterna.
el jfet en alterna, entrada vs salida

La suma de las tensiones continuas sobre las resistencias RS y RD con la tensión entre el drenaje y la fuente
debe ser igual a VDD, esto es VRD+VDS+VRS=VDD; para el análisis en alterna la tensión sobre RS no se
verá afectada, ya que esta resistencia en el análisis en alterna no existe, como se verá más adelante, porque
esta puenteada mediante un condensador de desacoplo Cs,

La señal alterna llegará a la compuerta montada sobre VGSQ a la cual se polarizó el JFET, la salida se obtendrá
en el drenador montada sobre la VDSQ al cual se polarizó el JFET, cuando vgs aumenta, provoca que ID
aumente lo que hace que la tensión sobre la resistencia de drenaje VRD aumente, esto a su vez hará que la
VDSQ disminuya; entonces en la salida se obtendrá una vds que disminuye cuando vgs aumenta, por el
contrario si vgs disminuye entonces ID disminuirá, lo cual hace que VRD diminuya provocando que VDS
aumente, como consecuencia en la salida se obtiene una vds que aumenta cuando vgs disminuye.

EL resultado es que cuando se envía una señal por la compuerta, en el drenador se obtendrá una señal
amplificada pero invertida.
En el siguiente vídeo se comenta sobre este tema, y además se ve cómo se obtiene el mismo resultado
analizando los cambios sobre la gráfica de transferencia.

3.- El JFET en alterna parte 3 circuito equivalente y ganancia.

Se ha comentado que para alterna los condensadores que aparecen en el circuito de amplificación son
cortocircuitos, están preparados para eso, la reactancia de los condensadores para la frecuencia a la cual van
a trabajar dentro del amplificador debe ser muy baja, mientras que para continua, que corresponde a la parte
de la polarización en la cual se ubica el punto de operación los condensadores se comportan como circuitos
abiertos, ya que la frecuencia en continua es cero y para una frecuencia de cero la reactancia de un condensador
tiende al infinito.

circuito de amplificación del JFET

Por el principio de superposición se puede hacer un análisis por separado para la parte de alterna como para
la parte de continua, la parte de continua ya se vio cuando se polarizó el JFET, ahora para la parte de alterna
además de considerar los condensadores como cortocircuitos, se necesita ver algo más, que es que una fuente
de continua en un circuito de alterna se comporta como un cortocircuito, esto es porque una fuente de continua
en teoría no debe tener una resistencia interna, entonces si a una fuente de continua le llega una señal alterna,
en la fuente de continua no caerá ninguna tensión alterna porque no tiene resistencia interna, por eso es que
la a fuente de continua en alterna es un cortocircuito, y si la fuente de continua está conectada a tierra la señal
alterna al pasar a través de la fuente de continua irá directamente hacia tierra; teniendo en cuenta estas
consideraciones se puede hacer un esquema del circuito equivalente para el análisis en alterna del circuito de
amplificación.

El jfer en alterna, circuito para el análisis en alterna.

Este circuito se puede reducir aún más tal como se muestra a continuación
Circuito equivalente, para el análisis en alterna del JFET

Para obtener la ganancia de tensión Av, se necesita conocer la tensión de entrada Vi que es Vi=vgs y la tensión
de salida Vo, la tensión obtenida en la salida es Vo=id*rd, por lo tanto:

𝐴𝑣 = 𝑉𝑜/𝑉𝑖, luego

𝐴𝑣 = (𝑖𝑑 ∗ 𝑟𝑑) /𝑣𝑔𝑠, pero 𝑣𝑔𝑠 = 𝑖𝑑/𝑔𝑚, entonces

𝐴𝑣 = (𝑖𝑑 ∗ 𝑟𝑑) /(𝑖𝑑/𝑔𝑚), de donde

𝐴𝑣 = 𝑔𝑚 ∗ 𝑟𝑑, Que es la ganancia de voltaje para un circuito de amplificación con un JFET.

La ganancia de voltaje en un circuito de amplificación con el JFET es muy baja comparada con la ganancia
que tiene un transistor BJT, en cuanto a la ganancia de corriente, no se puede hacer un cálculo ya que la
corriente de entrada ig=0 es cero; la corriente de salida será igual a id=gm*vgs, en un circuito de amplificación
con el JFET se obtiene corriente id a partir de una tensión vgs.

4.- El JFET en alterna parte 4 impedancia de entrada e impedancia de salida.

Los JFET tienen una alta impedancia o resistencia de entrada Rent que se mide entre la compuerta G y la
fuente S, la cual se puede conocer con la ayuda de la hoja de datos, allí se encuentra un valor llamado IGSS,
el cual se ha medido para un cierto valor de VGS, para conocer la resistencia de entrada será necesario aplicar
la ley de ohm entre estos dos valores, algo así:

Rent=VGS/IGSS, para un JFET de canal n VGS será negativo, se usará su valor absoluto.

Este valor es muy grande, muchas veces de miles de mega ohmios, por eso se considera que el JFET es un
circuito abierto en su entrada.

El jfet en alterna, impedancia de entrada y de salida

Para el JFET en alterna, la resistencia entrada total que se conoce como impedancia de entrada Zi será

𝑍𝑖 = 𝑟𝑠 + (𝑅1//𝑅2//𝑅𝑒𝑛𝑡), como Rent es muy grande

𝑍𝑖 = 𝑟𝑠 + (𝑅1//𝑅2), como rs pequeña

 𝑍𝑖 = (𝑅1//𝑅2)

La impedancia de entrada para un circuito de amplificación polarizado por divisor de tensión será el
equivalente paralelo entre las resistencias de polarización R1 y R2.

En el caso de la resistencia de salida del JFET en la hoja de datos hay un valor llamado conductancia de salida
gos o yos, al tomar la inversa gos-1 de este valor se conocerá la resistencia de salida del JFET Rsal=gos-1.

La impedancia de salida Zo de un circuito de amplificación con el JFET se puede hallar así:

𝑍𝑜 = 𝑟𝑑//𝑅𝑠𝑎𝑙, como rd será normalmente mucho menor que Rsal.

𝑍𝑜 = 𝑟𝑑;

La impedancia de salida para un circuito de amplificación polarizado por divisor de tensión será el equivalente
paralelo entre RD//RL, esto es rd.

5.- EJFET en alterna parte 5 punto de operación.

La ubicación del punto de operación Q sobre la curva de transferencia de un JFET va influir en la salida de
un circuito de amplificación, provocando distorsiones sobre la señal amplificada, esto es debido a que el JFET
responde a una ecuación cuadrática representada por la ecuación de Shockley;

6.- El JFET en alterna parte 6 condensador de acoplo y desacoplo.

 El condensador ubicado entre la señal alterna y la compuerta G se conoce como condensador de acoplo de la
entrada, porque sirve para acoplar la señal de entrada con el circuito de polarización del JFET, de esta forma
se logra que la señal de entrada vi se monte sobre la VGSQ, pero para esto el condensador debe de tener una
reactancia muy pequeña para la frecuencia de la señal, para que de esta manera la señal vea al condensador
como un cortocircuito; el circuito de polarización esto es la parte de continua no se ve afectada por el
condensador ya que para continua el condensador es un circuito abierto.

Algo similar ocurre con el condensador ubicado entre el drenaje D y la carga sobre la cual se utiliza la señal
amplificada, solo que en este caso la señal antes de pasar hacia la carga se encuentra montada sobre VDSQ,
el condensador se prepara para que la señal amplificada lo vea como un cortocircuito, para ello también debe
de tener una impedancia muy baja para la frecuencia de la señal.

En cuanto al condensador de desacoplo que es el que está ubicado entre la fuente S y tierra, lo que hace es
conectar directamente la fuente S hacia tierra para el caso de alterna, para esto se tiene que preparar de tal
forma que tenga una reactancia muy pequeña para la frecuencia de la señal, para que la señal lo vea como un
cortocircuito, de allí que en el circuito equivalente para alterna la resistencia RS ya no está, porque para la
señal RS será una impedancia muy alta en comparación con la reactancia del condensador de desacoplo, y le
será más fácil ir hacia tierra por el condensador de desacoplo que por RS, este condensador no afecta a la
polarización de continua pues como ya se ha comentado un condensador para continua es un circuito abierto.

 El BJT en alterna
Será necesario ver cómo se comporta el bit en alterna para poder utilizarlo en circuitos de amplificación, en lo
que sigue se hará uso del transistor bipolar npn polarizado en divisor de tensión, ya que este tipo de polarización
es la más estable en comparación con los otros tipos de polarización que se han visto.

El análisis en continua es la que corresponde a la preparación del circuito de polarización con el cual se ha
obtenido el punto de operación del bit en la zona activa. Para el análisis del bit en alterna es necesario que ya se
cuente con un circuito previamente polarizado en continua, si no le llega una señal alterna al circuito el punto de
operación no se verá afectado, la señal alterna no tiene que afectar de otra forma al circuito.
El circuito que se ve en la figura es el arreglo para utilizar el bit en alterna, la entrada por donde ingresará la señal
de alterna Vs será por la base del transistor bit, pero esta señal no se conectará directamente al transistor, sino que
se hará a través de un condensador al cual se le denomina condensador de acoplo de la entrada CB, la salida de
la señal amplificada que será utilizada por alguna carga es por el colector, pero esta salida tampoco se conecta
directamente a la carga sino que se hace a través de un condensador al cual se le denomina condensador de acoplo
de la salida CC, el uso de los condensadores es para aislar la parte El bit en alterna continua del circuito que
corresponde a la polarización, de la parte alterna que es la que corresponde a la señal que se quiere amplificar,
esto es así porque el condensador para continua es un circuito abierto, mientras que para alterna es un cortocircuito
dependiendo de la frecuencia de la señal alterna, además entre el emisor y tierra se colocará otro condensador al
que se le llama condensador de desacoplo CE, que hará que para la señal alterna el emisor del transistor sea un
tierra.

Es importante conocer cómo trabajan los condensadores de acoplo, así como el condensador de desacoplo, para
ello se han preparado 2 vídeos, donde se comenta en un circuito que por el momento no tiene que ver con el
transistor, pero que serán útiles para comprender la utilidad de estos condensadores, más adelante se verá la forma
de calcular los valores de las capacitancias adecuadas de los condensadores que formaran parte del circuito de
amplificación del bit, por el momento hay que tener en cuenta que para continua el condensador es un circuito
abierto mientras que para alterna es un cortocircuito.

Punto 8
a. Par Darlington
Un transistor Par Darlington es una configuración que consiste en la conexión de dos transistores donde la ganancia, beta,
de cada uno se multiplica dando a este nuevo transistor un “superbeta”

Haciendo el respectivo análisis en la malla (LVK) colector-base se obtiene IB de la siguiente manera:

 𝑉𝑐𝑐−𝑉𝐵𝐸
IB = 𝑅𝐵+𝛽𝐷𝑅𝐸

IE = (𝛽𝐷 + 1)I B

Sabiendo que 𝛽0 y VBE es tan grande, como lo expresan las hojas de datos se tiene que:

VB = VE+ VBE

VE = IERE
Un par Darlington se usa comúnmente como un medio para que coincida con la impedancia de salida de un circuito
amplificador; sin embargo, un par Darlington se puede utilizar en cualquier lugar se utiliza un solo transistor.
Sus usos comunes son:

 En la interface para conectar la EVM con cualquier equipo de radio, la interface consta de dos integrados Darlington
ULN2803 que sirven para incrementar la intensidad de las señales TTL que les llegan, y otros elementos más.
 Cuando se quiere controlar un motor o un relé, necesitas emplear un dispositivo que sea capaz de suministrar esta
corriente. Este dispositivo puede ser un circuito Darlington
 Para alimentar una carga como un pequeño motor de corriente continua.
 Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide impulsada y luces intermitentes en las máquinas de
pinball electromecánico. Una señal de la lógica de unos pocos miliamperios de un microprocesador, amplificada por un
transistor de Darlington, fácilmente cambia un amperio o más a 50 V en una escala de tiempo medido en milisegundos,
según sea necesario para el accionamiento de un solenoide o una lámpara de tungsteno.

b. Par Sziklai

El Par Sziklai Darlington, llamado así por su inventor húngaro George Sziklai, es un dispositivo Darlington
complementario o compuesto que consiste en transistores NPN y PNP complementarios conectados entre sí como se
muestra a continuación. Esta combinación en cascada de transistores NPN y PNP tiene la ventaja y es que el par Sziklai
realiza la misma función básica de un par Darlington, excepto que solo requiere 0.6v para que se encienda y, al igual que
la configuración estándar de Darlington, la ganancia actual es igual a β2 para transistores igualmente igualados o está
dado por el producto de las dos ganancias actuales para transistores individuales no emparejados.
 Punto 9

Amplificador diferencial básico en dc.

En un amplificador diferencial en un amplificador bit que produce salidas que son una función de la naturaleza entre 2
voltajes de entrada. El amplificador diferencia tiene dos modos de operación básicos: en modo diferencial en que las entradas
son diferentes o el común que las entradas son iguales.

-
Se supone que los transistores son idénticos gracias a un cuidadoso control de proceso durante su fabricación de tal suerte
que las corrientes en dc en sus emisores son iguales cuando no hay señal de entrada.

𝐼𝑒1 = 𝐼𝑒2
𝐼𝑐 − 𝛽𝐼𝐵
 𝑉𝑏𝑒 = 0.7𝑣
𝑉𝑏 − 𝑉𝑒 = 0.7𝑣
𝑉𝑒 = 𝑉𝑏 − 0.7
𝑉𝑏 = 0𝑣
𝑉𝑒 = −0.7𝑣

Para tener en cuenta las alimentaciones tienen que ser igual en valores numéricos es decir – 𝑣𝑒𝑒 = −𝑣𝑐𝑐 esto para que
cuando la señal amplifique las salidas vc del diferencial no se distorsione para el voltaje en Re
𝑉𝑟𝑒 = 𝑉𝑒 − (−𝑉𝑒𝑒 = 𝑅𝑒 ∗ 𝐼𝑐𝑜𝑙𝑎)
𝑉𝑟𝑒 = 𝑅𝑒(𝐼𝑐𝑜𝑙𝑎)
𝑉𝑒 + 𝑉𝑒𝑒 = 𝑅𝑒(𝐼𝑐𝑜𝑙𝑎)
𝑉𝑒𝑒 + 𝑉𝑒
𝐼𝑐𝑜𝑙𝑎 =
𝑅𝐸
𝑉𝑒𝑒 − 0.7
𝐼𝑐𝑜𝑙𝑎 =
𝑅𝑒
𝐼𝑐𝑜𝑙𝑎 = 2𝐼𝑒
𝐼𝑐𝑜𝑙𝑎
𝐼𝑒 =
2
𝑉𝑒𝑒 − 0.7
𝐼𝑒 =
2𝑅𝑒
𝐼𝑒 ≅ 𝐼𝑐
-Salida asimetrica:
Ecuacion 1
𝑉𝑐 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐

Formulacion para la ecuacion 2

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐 − 𝑉𝑒
𝑉𝑒 = −0.7𝑣
Ecuacion2
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐 + 0.7𝑣
Remplazar 2 en 1

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐𝑅𝑐 + 0.7𝑣

Entonces obtenemos la ecacion de la recta de carga cuando tenemos una salida asimetrica en A

𝐼𝑐 = 0
𝑉𝑐𝑒 = 𝑣𝑐𝑐 + 0.7𝑣
𝑣𝑐𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒
Ahora si Vce = 0
0 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐 + 0.7𝑣
 𝑉𝑐𝑐 + 0.7𝑣
𝐼𝑐 =
𝑅𝑐
𝑉𝑐𝑐 + 0.7
𝐼𝑐𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝑐
Grafica de punto de operación

-Salida diferencial
Trabajos de la salida Acon respecto a B esto con mallas

LKV

𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 + 𝐼𝑐𝑜𝑙𝑎 ∗ 𝑅𝑒 − 𝑉𝑒𝑒

𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 + 2𝐼𝑒 ∗ 𝑅𝑒 − 𝑉𝑒𝑒
𝐼𝑒 ≅ 𝐼𝑐 ; 𝑉𝑒𝑒 = 𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 + 2𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑒 − 𝑉𝑐𝑐
Ecuacion de la recta de carga cuando la salida es diferencial
 𝑉𝑐𝑒 = 2𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐(𝑅𝑐 + 2𝑅𝑒)
𝐼𝑐 = 0
𝑉𝑐𝑒(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = 2𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑐𝑒 = 0
2𝑉𝑐𝑐
𝐼𝑐𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝑐 + 2𝑅𝑒
Grafica de punto de operación.

Punto 10
 Configuración espejo:
ESPEJOS DE CORRIENTE Circuito que actúa como una fuente de corriente cuyo valor es un reflejo de la
corriente que pasa por una resistencia de polarización y un diodo. Proporciona una corriente constante y se utiliza
principalmente en circuitos integrados. ¿¿Se necesitan transistores con idénticas caídas de tensión base-emisor e
igual valor de?? Las corrientes de emisor de los dos transistores BJT son iguales
ESPEJOS DE CORRIENTE Las bases de ambos transistores BJT están conectadas a un mismo punto. La
corriente de los dos colectores es igual y es aproximadamente igual a IE Hay una conexión entre el colector de
un transistor con la base, esta corriente corresponde a 2IE /ß. Esta corriente entra a la base, de la cual sale una
respectiva corriente para cada base de los dos transistores en una misma magnitud. IB = IE / ß.
ESPEJOS DE CORRIENTE VCC se conecta en serie con una RX en el colector del transistor que se utiliza para
conectarse con la base. Los emisores van conectados a tierra. IX = (VCC - VBE) / RX
Otra forma para un reflejo de corriente es la siguiente El JFET proporciona una corriente constante de valor IDSS.
Esta corriente se refleja, dando como resultado una corriente a través de Q2 del mismo valor.