PRÁCTICA N°1: CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

Integrantes:

Triveño Luque André Mateo

Juárez Álvarez José Miguel

Enríquez Cornejo Gianfranco

Condori Bedoya Rodrigo

OBJETIVOS:
- Obtener las características de un diodo de silicio Y Germanio.
- Analizar las características técnicas de un diodo.

EQUIPO Y MATERIALES:

- Fuente: DC, DMM

- Resistores 1/4W: 1KΩ, 1MΩ
- Diodos: Silicio 1N4007 y 1N4148, Germanio 1N60

PRODECIMIENTO EXPERIMENTAL:

Parte 1: Prueba del diodo

- Escala de prueba de diodos del DMM: Usar la escala de prueba de diodos en el DMM y
determinar la condición de cada diodo.
TEST SI:1N4148 SI:1N4007 GE:1N60
DIRECTO 505 560 272
INVERSO Fuera de rango
 - Escala de resistencia del DMM: Usar la escala de prueba del diodo en el DMM y
determinar la condición de cada diodo.

TEST SI:1N4148 SI:1N4007 GE:1N60

DIRECTO 4.5 MΩ 11.8 MΩ 0.9 MΩ
INVERSO Fuera de rango 3.05 MΩ

Parte 2: Características del diodo en polarización directa

- Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Rmedido= 1kΩ
- Incremente el voltaje de la fuente hasta que Vr=0.1V
- Mida el Vd y Calcule el Id. Anote en la tabla 3, 4 y 5 según el tipo de diodo. Obtener los
datos suficientes para dibujar las curvas características del diodo de silicio y germanio.

DIODO: 1N4007 SI
Vr (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
Vd (V) 0,47 0,48 0,51 0,52 0,54 0,54 0,55 0,56 0,56
Id=Vr/Rmed 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
(mA)

Vr(V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Vd(V) 0,51 0,6 0,62 0,63 0,64 0,65 0,66 0,67 0,68
Id=Vr/Rmed 1 2 3 4 5 6 7 8 9
(mA)

DIODO: 1N60 GE
Vr (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
Vd (V) 0,23 0,25 0,26 0,27 0,27 0,28 0,29 0,29 0,3
Id=Vr/Rmed 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
(mA)
 Vr(V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Vd(V) 0,3 0,33 0,35 0,37 0,38 0,4 0,41 0,43 0,44
Id=Vr/Rmed 1 2 3 4 5 6 7 8 9
(mA)

Parte 3: Polarización Inversa

- Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Rmedido: 1MΩ

- Mida el Voltaje Vr y calcule la corriente de saturación inversa con la ecuación

Rm es la resistencia interna del DMM (10 MΩ)

(Si) (Ge)
Rm 10 MΩ 10 MΩ
Vr 0,0092 V 19,9 V MEDIDO
Id 0,92 nA 1,99 µA CALCULADO

- Determine los niveles de resistencia DC para los diodos usando la ecuación

Rdc(SI 1N4007)= 21 GΩ
Rdc(GE 1N60)= 50,251 KΩ
 Parte 4: Resistencia DC

- Usando las curvas características de los diodos, determine el voltaje de diodo en los
niveles de corriente indicados en las tablas 6, 7, 8.

Usando la siguiente ecuación de curva para los diodos:

Dónde:
I= Intensidad de corriente que atraviesa el diodo.
Vd= Diferencia de tensión entre sus extremos
Is= Corriente de saturación ( )
n = coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele
adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
VT= El Voltaje térmico es aproximadamente 25.85 mV a temperatura ambiente

Diodo 1N4007 Silicio

Id (mA) Vd Rdc
0,2 0,98 V 4900 Ω
1 1,07 V 1070 Ω
5 1,15 V 230 Ω
10 1,19 V 119 Ω

Diodo 1N60 Germanio

Id (mA) Vd Rdc
0,2 0,49 V 2450 Ω
1 0,53 V 535 Ω
5 0,57 V 115 Ω
10 0,59 V 59,5 Ω
Cuestionario Final:

1. ¿Cómo podría identificar los terminales de un diodo que no está marcado?

Una forma práctica de determinar el cátodo consiste en aplicar un polímetro en modo
ohmímetro entre sus terminales. Si el terminal de prueba se aplica de ánodo a cátodo,
aparecen lecturas del orden de 20-30Ω. Si se invierten los terminales, estas lecturas son
del orden de 200-300 KΩ para el Ge, y de varios MΩ para el Si.

2. ¿Qué es la resistencia directa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los diodos
analizados en el laboratorio?
Es la resistencia que aparece en la zona de polarización directa de la curva característica
de un diodo, es decir la zona en la que se supera el voltaje de excitación para los diodos y
empiece a conducir la corriente. Según los cálculos de la ecuación de la curva de diodos, la
resistencia directa de un diodo de Silicio es de 1 MΩ, y la resistencia directa para un diodo
de germanio es de 0,42 MΩ.

3. ¿Qué es la resistencia inversa de un diodo? ¿Cuáles son los valores para los diodos
analizados en el laboratorio?
Es la resistencia que aparece en la zona de polarización inversa de la curva característica
de un diodo, es decir la zona menor del voltaje de excitación o en general la zona de
voltaje negativo. Cuando se trabaja en la zona de polarización inversa, sólo puede haberla
si se trabaja con un Diodo Zener. Para el diodo de silicio la resistencia es de 21GΩ y para el
de germanio es de 51,25kΩ. Siempre para la polarización inversa los valores de las
resistencias de los diodos serán muy superiores.

4. De la ficha técnica de los diodos, anote los valores más importantes y/o usuales a
consultar para los diodos revisados en el laboratorio y para los diodos en general. Anote
los valores de acuerdo a la elección hecha
Los valores de caída de potencial y resistencia eléctrica de los diodos para una corriente
dada son los más importantes, para los diodos de silicio 1N4007 y germanio 1N60,
pudiendo notar que al aumentar la corriente disminuye la resistencia interna del diodo y
aumenta su caída de potencial.

Para silicio tenemos:

Con una corriente de 5 mA, la caída de potencial es 1,15 V y la resistencia 230Ω.
Con una corriente de 10 mA, la caída de potencial es de 1,19 V y la resistencia 119Ω.

Para germanio tenemos:

Con una corriente de 5 mA, la caída de potencial es 0,57 V y la resistencia 115Ω.
Con una corriente de 10 mA, la caída de potencial es de 0,59 V y la resistencia 59,5Ω.
 CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES:
Emita 5 conclusiones sobre la práctica:

- El anillo dibujado en el diodo, no es la única manera de descubrir cuál es el cátodo y cuál

es el ánodo, también podemos hacerlo mediante el multímetro.
- En los diodos Zener se puede tener polarización inversa, y en polarización inversa la
resistencia interna de los diodos es mucho mayor que en polarización directa.
- Mediante la ecuación de la curva característica de un diodo se pueden hallar todas sus
características internas (corriente, potencial, resistencia).
- Siempre los voltajes en un diodo de germanio serán inferiores a los de silicio,
aproximadamente la mitad.
- Para poder trazar correctamente la curva característica de un diodo se debe conocer el
voltaje térmico, que es un dato común cuando está a temperatura ambiente pero difiere
en otras condiciones.