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étudiants du réseau des Instituts Supérieurs des Etudes Technologiques de suivre les
cours cités avec un maximum de profit. Il s’adresse également aux étudiant de la
section B.T.S et ingénieurs préparant des concours d’agrégation ou technologique, Il
est recommandé aux étudiants préparant leurs mastère.
Par ailleurs, il est utile pour les enseignants qui désirent améliorer, progresser et
posséder un fondement en cette matière.
Ce manuel de cours est complémenté par un fascicule des travaux dirigés, plus un
CD ROM, propriétaire de l’auteur sur demande, comportant toutes les simulations
existantes dans ce manuel en utilisant le logiciel Matlab.
Sommaire
Liste de matières
1. GENERALITES _______________________________________________________________________ 2
2. APPLICATION ET CLASSIFICATION___________________________________________________ 2
3. RAPPELS SUR LES SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE _______________________________ 3
3.1. DIODES____________________________________________________________________________ 3
3.2. THYRISTORS ________________________________________________________________________ 8
3.3. PRINCIPALES CARACTERISTIQUES ______________________________________________________ 11
3.4. TRANSISTORS BIPOLAIRES ____________________________________________________________ 11
3.5. THYRISTORS GTO __________________________________________________________________ 12
3.6. TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP _______________________________________________________ 13
3.7. TRANSISTORS IGBT_________________________________________________________________ 15
4. RAPPELS SUR LES SIGNAUX PERIODIQUES NON SINUSOÏDAUX _______________________ 17
4.1. SIGNAL PERIODIQUE _________________________________________________________________ 17
4.2. VALEURS CARACTERISTIQUES _________________________________________________________ 17
4.3. DEVELOPPEMENT EN SERIE DE FOURIER ________________________________________________ 17
5. NOTIONS DES PUISSANCES ET FACTEUR DE PUISSANCE EN MONOPHASE _____________ 18
LES REDRESSEURS AC/DC NON COMMANDES: ____________________________________ 19
LES REDRESSEURS A DIODES ______________________________________________________ 19
1. INTRODUCTION ____________________________________________________________________ 20
2. REDRESSEMENT SIMPLE ALTERNANCE EN MONOPHASE_____________________________ 20
2.1. DEBIT SUR UNE CHARGE RESISTIVE _____________________________________________________ 20
2.2. DEBIT SUR UNE CHARGE (R, E) ________________________________________________________ 21
2.3. DEBIT SUR UNE CHARGE INDUCTIVE (R, L) _______________________________________________ 23
2.4. DEBIT SUR UNE CHARGE INDUCTIVE MUNIE D’UNE DIODE DE ROUE LIBRE ________________________ 25
3. REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE EN MONOPHASE ____________________________ 27
4. REDRESSEMENT TRIPHASE SIMPLE ALTERNANCE___________________________________ 29
4.1. RAPPEL SUR LE SYSTEME DE TENSIONS TRIPHASEES _________________________________________ 29
4.2. ETUDE CINETIQUE __________________________________________________________________ 30
4.3. MONTAGE (P3KC) A CATHODES COMMUNES _______________________________________________ 31
4.4. MONTAGE (P3AC) A ANODES COMMUNES _________________________________________________ 34
5. RDERSSEMENT DOUBLE ALTERNANCE EN TRIPHASE PD3 ____________________________ 36
6. MONTAGE REDRESSEUR A COMMUTATION SERIE (S3)_______________________________ 39
7. REDRESSEMENT POLYPHASES ______________________________________________________ 41
LES REDRESSEURS COMMANDES: AC/DC__________________________________________ 45
1. INTRODUCTION ____________________________________________________________________ 46
2. REDRESSEMENT SIMPLE ALTERNANCE _____________________________________________ 46
2.1. DEBIT SUR UNE CHARGE RESISTIVITE ____________________________________________________ 46
2.2. DEBIT SUR UNE CHARGE INDUCTIVE (R, L) _______________________________________________ 47
3. REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE EN MONOPHASE (P2T) _______________________ 49
3.1. DEBIT SUR UNE CHARGE RESISTIVITE ____________________________________________________ 49
3.2. DEBIT SUR UNE CHARGE INDUCTIVE (RL) ________________________________________________ 50
4. REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE EN MONOPHASE (PD2T) ______________________ 52
i
Sommaire
ii
Sommaire
iii
Chapitre 1 : Les composants d’électronique de puissance
Objectifs :
Connaître les composants d’électronique de puissance,
Choisir le composant qui convient pour un montage donné.
1. Généralités
L’électronique de puissance est l’électronique des courants forts. Avec la naissance des semi-
conducteurs (diodes, transistors, thyristors et IGBT …etc.).
Elle travaille presque toujours en commutation, c’est l’une de ses caractéristiques principales,
et permet d’obtenir un bon rendement des convertisseurs suivants :
Le redresseurs commandés et non contrôlés,
Les hacheurs,
Les onduleurs,
Les gradateurs.
Les signaux de commande, générés moyennant des circuits intégrés ou des montages à base
d’amplificateurs opérationnels, ou des circuits intégrés spéciaux.
Pour piloter les convertisseurs statiques, sont aujourd’hui remplacés par des signaux de
commande de type numériques fournis par des systèmes programmés, à savoir :
Les microordinateurs, microcontrôleurs, D.S.P et les automates programmables.
2. Application et classification
Dans tous les domaines industriels, de l’électroménager à la traction électrique, on rencontre
des applications de l’électronique de puissance ; c’est notamment le cas de la réalisation des :
Variateurs de vitesse pour les moteurs à courtant continu,
Variateurs de vitesse pour les moteurs à courant alternatif,
Alimentations sans arrêt.
Fig.1.1: Classifications
v v
Fig.1.2: Diode
Sens direct (passant) : La diode est conductrice, elle présente une faible chute de
tension de l’ordre de quelques volts.
Sens inverse (bloqué) : La diode est non passante, elle présente un très faible courant
résiduel de l’ordre de quelques micro-ampères.
v
+
vT k.θ
Le courant dans la diode est exprimé par: i=Is .[e -1] ; ou ( v T = ).
q
Avec :
i : Courant dans la diode,
v : D.d.p aux bornes de la diode,
Is : Courant de saturation 1pA à 25°C,
q : Charge élémentaire (électron) 1,6 10 -23Cb,
k : constante de Boltzmann 1,38 10-23 J/°K,
: Température en Kelvin
Valeurs maximales admissibles:
IF max : courant direct (Forward) maximal admissible
VR max : tension inverse (Reverse) maximale admissible
Il existe plusieurs types de diodes parmi lesquelles, on cite
3.1.4.Caractéristiques statiques
B v
La diode est conductrice quand le courant passe de l’anode vers la cathode et lorsque la
tension vAK est positive (i>0 et vAK>0). La diode est bloquée lorsque la tension vAK est
négative (i= 0 et vAK <0).
3.1.5.Caractéristiques dynamiques
Elles concernent le passage de l’état bloqué (blocage) à l’état passant (amorçage) et
inversement.
Blocage
Le blocage d’une diode est caractérisé par l’annulation du courant direct qui la traverse, puis
l’apparition d’une tension inverse à ses bornes.
VF v t
0 t0 t1 t2
I RM
VRM
di
La décroissance du courant direct « » dépend du circuit extérieur. A l’instant « t0 » le
dt
courant passe par zéro puis apparaît un courant inverse de même pente jusqu’à l’instant « t1 ».
La pente change de signe et le circuit extérieur étant généralement inductif, il apparaît une
surtension inverse aux bornes de la diode. A l’instant « t2 », le courant s annule, il ne reste aux
bornes de la diode que la tension inverse, don elle sera bloquée.
Le paramètre important est le temps de recouvrement ou temps totale de décroissance « turn-
over », il est exprimé par t q t off t r t ri
Amorçage
Généralement le phénomène transitoire à l’amorçage se présente d’une manière plus faible.
Pertes en conduction
2
Les pertes peuvent être calculées en utilisant la formule : P Vd .I 0 rd .I eff
3.1.7.Principales caractéristiques
100 1N4002
1 600 50 1N4005 1.1 1 0.005 - 150 F126
1000 1N4007
400 BY252
3 600 BY253 1.1 3 0.005 - 150 D027A
800 100 BY254
400 1N1196A
20 600 400 1N1198A 1.5 70 5 - 150 D05
800 RN820
1000 RN1120
400 1N3903
20 600 225 BYX62-600 1.4 20 6 200 150 250 D05
400 1N1188
40 600 1N1190
800 700 1N3766 1.5 110 5 - 150 D05
1000 1N3768
3.2.Thyristors
Un thyristor est un semi-conducteur commandé par un circuit d’amorçage pour la mise en
conduction, le blocage s’effectue lors de la disparition du courant direct. Il permet la
circulation du courant dans un seul sens. Il est appelé en anglais par « Semi-conductor
Controlled Rectifier (S.C.R) ».
Il est constitué par trois jonctions, outre l’anode et la cathode, il est muni d’une électrode de
commande appelée gâchette.
G
J1 J2 J3
i
A K A P N P N K
v
Fig.1.5: Thyristor G
i
i
B
A
IH
v v
0 VT VDRM 0
iG
t
0 td
t
0 t rr
i
t
0
t on =t d +t rr
Temps de blocage
Le temps de désamorçage est donné par : t q =t off =t rr +t i » d’un thyristor est le moment qui
t
0
v t rr
ti
t
0
t q =t d +t i
3.3.Principales caractéristiques
50 à TYN510 à
12/8 1000 100 TYN692 1.5 15 30 - 72 T22AB
50 à TYN682 à
20/13 800 250 TYN1010 1.5 25 40 - 310 T220AB
TYN225
25/16 200 à à 1025 1.5 40 50 - 310 T220AB
1000 250 BTW39200 80 200 To48
à 1200
3.4.Transistors bipolaires
Les transistors de puissance sont des transistors adoptés au fonctionnement « tout ou rien ».
Les transistors les plus utilisés sont du type NPN, ils sont plus rapides et ont une meilleure
tenue en tension que le PNP. C’est un interrupteur à deux segments. La commande du courant
de charge (courant collecteur) s‘obtient par le courant de base.
C
iC
iB
B
v CE
Caractéristiques statiques
iC
A i B5 i B4
iC
i B4
i B3
i B2 B
i B1
A
B v CE v CE
0 0
La gâchette provoque la conduction du thyristor, puis perd le contrôle de celle-ci. Alors que le
courant de base du transistor contrôle sa conduction pendant toute sa durée de
fonctionnement. .
3.5.Thyristors GTO
Le thyristor GTO « Gâte Turn Off », c’est un thyristor spécial dont la gâchette permet de
commander l’amorçage et le blocage de celle-ci.
Pour l’amorçage:
Il suffit que la tension «v» devienne positive, on envoie à la gâchette une impulsion de
courant positive permettant de démarrer le thyristor.
Pour le blocage:
Il suffit que la tension «v» devienne négative, on envoie à la gâchette une impulsion de
courant négative permettant de désamorcer le thyristor.
i
A K
v
Fig.1.11: Thyristor GTO
Caractéristiques statiques
i
B v
0
v DS N P N
G Canal
v GS Substrat P
S
Fig.1.13: Transistors FET à canal N
Pour VGS = 0V : Tant que la tension VDS n’est pas trop élevée, le canal se comporte
comme une résistance RDS. Lorsque la tension VDS devient importante, le canal rétrécit et
doit être pincé pour une tension VDS = VP (tension de pincement), le courant ne peut pas
augmenter et ID = IDSS.
Pour VGS < 0V : la zone de transition (isolante), le canal se comporte comme une
résistance RDS élevée.
ID
I DSS
VGS 0
VGS 0
VGS 0 VDS
VT 0 Vp
Fig.1.14: Caractéristiques statiques du FET
Substrat P
v GS S
Fig.1.15: Transistor MOSFET à canal N
Caractéristiques statiques
iD
A v GS5 v GS4 iD
v GS4
i GS3
v GS2 A
v GS1
B
B v DS v DS
0 0
3.7.Transistors IGBT
Le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) désigne un transistor bipolaire à grille
isolée. Il est formé par l’association d’un transistor MOSEFT en commande et d’un transistor
bipolaire en étage puissance. Le passage de l’état bloqué à l’état passant de l’IGBT est réalisé
par polarisation de la grille. Ce transistor associe les avantages du transistor bipolaire pour le
VCEsat et les avantages du MOSFET pour la commande.
C
C
C
PNP
G
G G E
E
S ES NMOS
E
Fig.1.17: Transistor IGBT
Caractéristiques statiques
i
A
B
v
0
Principaux caractéristique
Vm
t(s)
0
4.2.Valeurs caractéristiques
t 0 T
1
Valeur moyenne : (v) moy . v(t)dt
T t0
t0 T
1 2
Valeur efficace : (v) eff . v(t) .dt
T t0
a 0 +
v(t)=
+ a n cos(nwt)+ b n sin(nwt)=<v(t)>+v f (t)+v n (t)
2 n=1 n=1
t 0 +T t 0 +T
2 2
Avec : a n = v(t)cos(nwt).dt ; b n = v(t)sin(nwt).dt
T t0
T t0
a0
v(t) : Valeur moyenne du signal v(t)
2
v f (t) : Fondamental du signal v(t) , elle est obtenue par la troncature de v(t) à l’ordre (n=1).
v n (t) : Cette quantité représente les harmoniques d’ordres supérieures à 1 du signal v(t) .
v Charge
La puissance instantanée, absorbée par ce circuit électrique est donnée par: p=v(t).i(t)
T+t 0
1
La puissance active (moyenne) est définit par: P= v(t).i(t).dt
T t0
T+t 0
1 T
La puissance réactive est définit par : Q= v(t- ).i(t).dt
T t0
4
V
k=2
k
THD= .
V1
Objectifs:
Savoir le fonctionnement d’un montage redresseur en régime de commutation,
Calculer et dimensionner un montage redresseur pour une application donnée.
1. Introduction
La structure d’un convertisseur statique non commandé, généralement doit comporter, une
source de tension alternative monophasée ou triphasée, suivie d’un transformateur pour
adapter l’énergie nécessaire, ensuite on trouve les redresseurs plus les éléments de stockage
d’énergie pour lisser le courant ou la tension. Pour alimenter finalement une charge
(actionneur).
Source Redresseur
Transforma teur Charge
alternative Filtrage lissage
vD
v' u ch
v R
n1 n 2
v & uch
0
-500
0 2 4 6 8 10 12 14
10
ich 5
0
0 2 4 6 8 10 12 14
0
vD
-200
-400
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Fig.2.3: Allures de u ch et v1
Explication:
La diode « D » est passante quand l'alternance positive, c'est-à-dire v(t) v AK (t) , il en résulte
que u ch v(t) et v D 0 .
Pendant l’alternance négative, la diode « D » est bloquée, il en résulte que u ch 0 et v D -v(t) .
Valeurs caractéristiques:
π
1 V
Tension moyenne aux bornes de la charge : (u ch ) moy = Vm sin(θ)dθ= m
2π 0 π
Vm
Tension efficace aux bornes de la charge : (u ch )eff =
2
Tension inverse aux bornes de la diode : (v D ) inv_max Vm
i ch
vD
R
v u ch
E
-500
0 2 4 6 8 10 12 14
6
4
ich
0
0 2 4 6 8 10 12 14
500
v & vD
-500
-1000
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Explication:
La diode est passante lorsque vD0, c’est à dire si on a v E, l’équation donnant les angles
(instants) de commutation est donnée par v1 =Vm sin(θ)=E .
La résolution de cette équation donne deux angles :
E
Un angle d’ouverture: θ1=arcsin( ),
Vm
E
Un angle d’extinction: θ2=π-arcsin( )
Vm
Valeurs caractéristiques:
Tension moyenne aux bornes de la charge
1 2π Vm
(u ch ) moy = u ch (θ)dθ= 2cos(θ1 )+(π+2θ1 )sin( θ1 )
2π 0 2π
Vm -E
Courant maximum dans la diode : I Dm =
R
2.3. Débit sur une charge inductive (R, L)
Le montage redresseur monophasé P1RL, donné par la figure 2.6.Il est caractérisé par :
Une diode de redressement : D.
Une charge constituée par une résistance et une inductance.
i ch
vD
R
v u ch
L
200
0
v
-200
-400
0 2 4 6 8 10 12 14
400
200
uch; i
0
-200
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Explication:
L’inductance un est élément de stockage de l’énergie sous forme de courant, en effet l’énergie
emmagasinée est .Elle évité la variation brusque dans un circuit électrique, donc c’est aussi un
1
élément lisseur du courant w= .L.i 2 .
2
Elle stockage et restitution de l’énergie, la conduction de la diode sera donc prolongée.
dich
De 0 à 1, l’effet de self L emmagasine de l’énergie.
dt
dich
A la valeur de 1, u ch =R.ich u ch = R.ich et L =0 .
dt
dich
De 1 à 2, la self restitue l’énergie: L .
dt
A2 le courant de charge s’annule et la diode se bloque.
R Lw
De plus on pose cos(φ)= et sin(φ)= .
R 2 +(Lw)2 R 2 +(Lw) 2
t
- Vm Lw
On obtient ich2 (t)=k(t).e τ . sin(wt-φ) , avec Z= R 2 +(Lw)2 et tan(φ)= .
Z R
La solution générale est la somme de deux courants :
t
Vm V -
ich (t)=i f +i L = sin(wt-φ)+ m sin(φ).e τ . Avec la condition initiale ich(0)= 0}
Z Z
La conduction de la diode cesse de conduire à l’instant t=t2 ( θ 2 w.t 2 ), ou le courant de
charge s’annule ( ich = 0 ). On remarque que 2 >.De t2 à T la diode est bloquée , ich=0 et
vD= v.
Valeurs caractéristiques:
θ
1 2 V
Tension moyenne aux bornes de la charge (u ch ) moy = Vmsin(θ)= m 1-cos(θ 2 )
2π 0 2π
Remarque :
La présence de l’inductance prolonge la conduction de la diode, et diminue la valeur moyenne
de la tension de charge.
2.4. Débit sur une charge inductive munie d’une diode de roue libre
Le montage redresseur monophasé P1DRL, donné par la figure 2.8.Il est caractérisé par :
Une diode de redressement : D.
Une diode de roue libre (récupération d’énergie): DRL.
Une résistance et une inductance.
La charge est constituée par l’ensemble (R, L et DRL).
On ajoute à la charge (R, L) une diode de roue libre DRL, pour remédier à l’inconvénient
présenté par l’inductance (pas d’ouverture sur un circuit inductif).
vD
i ch
R
v Charge
D RL L
u ch
v & uch
0
-500
0 5 10 15 20
500
v & vD
0
-500
0 5 10 15 20
6
4
ich
0
0 5 10 15 20
(rad)
Explication:
Lorsque la charge comporte une résistance et une inductance, le montage d’une diode montée
en inverse permet lorsque la diode D ne conduit pas, à l’energie emmagasinée par cette diode
de circuler dans le circuit ( R, L, DRL ) et d’y provoquer un lissage du courant .
La tension du charge ne peut plus devenir négative, car la diode de roue libre ( récupération
d’énergie ) assure la condition du courant.
Courant de charge:
dich
Pour 0< <, D1 conduit, DRL bloquée : u ch =L +Rich =Vm sin(θ)
dt
θ
V - V
Dont la solution générale vaut ich (θ)=[I 0 + m sin(φ)]e Q + m sin(θ-φ) .
Z Z
θ θ
V - -
A l’instant t =T/2 ( = ), on a i ch (π)= m sin(φ)(1+e Q )+I0 e Q
Z
Pour < <2, DRL conduit, D1 bloquée et la tension v<0 :
dich
Le récepteur est court-circuité par la diode de roue libre, on a donc u ch =L +Rich =0 .
dt
θ-π
-( )
Q
Dont la solution générale vaut ich =i ch (π).e .
Explication:
Si v1>v2, alors D1conduit et D2 bloqué, uch = v1 et vD1 = 0,
Si v1>v2, alors D2conduit et D1 bloqué, uch = v2 et vD1 = v1.
v 1,uc h
0
-500
0 2 4 6 8 10 12 14
0
v D1
-500
-1000
0 2 4 6 8 10 12 14
10
5
i1
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Représentation vectorielle:
Les vecteurs de Fresnel associés aux tensions, joignant le centre d’un triangle équilatéral, à
chacune de ses tensions.
90
120 60
U32
150 U31 30
V3
U12
180 0
V1
U21
V2
210 U13 330
U23
240 300
270
Expressions complexes :
2.π
3
Il est commode d’introduire le nombre complexe a e , qui est l’une des racines cubiques
2π
de l’unité (celle dont l’argument vaut 120° soit ( ) , avec cette notation, les tensions du
3
système triphasé s’écrivent : V1 =V , V2 =a 2 V1 et V3 =a.V1 .
Dans un système à succession inverse les rôles de v2 et v3 sont échangés.
u 12 u 13 u 23 u 21 u 31 u 32 u 12 u 13 u 23
v1 v2 v3 v1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
4.2.Etude cinétique
4.2.1. Notations et conventions
Les notations et les conventions sont indiquées sur la figure suivante
i1
v1
j12
u 12
v3 v2 Z1
N u 31 Z3
j31
i2
i3 u 23 j 23
Z2
Générateur Ligne Récepeteur
v'1 v1 D1
i'1 i1 i ch
v'2 v2 D2
i2
R
v'3 v3 D3 u ch
i3
L
n1 n2
Hypothèses :
L
On suppose que la charge est fortement inductive ( T ), pour considérer le courant de
R
charge instantanée comme étant égale à sa valeur moyenne (ich=I=constant), on néglige les
imperfections du réseau amont, du transformateur et celle des redresseurs (diodes).
Analyse de fonctionnement
On se place en régime permanent :
La diode conductrice est celle dont le potentiel d'anode le plus positif, les autres diodes seront
automatiquement bloquée.
Il est possible de dresser le diagramme de conduction et de donner les allures, de la tension de
charge, de la tension aux bornes de la diode D1, ainsi que le courant dans le redresseur D1, en
fonction du temps ( ).
La tension de charge est donnée par: uch () = sup. (v1, v2, v3), alors que la tension de la diode
D1 est donnée par vD1= v1- : uch ().
Intervalles de conduction des diodes:
Intervalle de Diodes Diodes bloquées Tension Tension
conduction en conduction de charge de vD1
π 5.π D1 D2 et D3 uch = v1 vD1= 0
6 , 6
5.π 3.π D2 D3 et D1 uch = v2 vD1= u12
6 , 2
3.π 13.π D3 D1 et D2 uch = v3 vD1= u13
2 , 6
50
uch vD1
-50
-100
0 2 4 6 8 10 12 14
4
i1
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Remarque:
2π
On remarque que la tension de charge est périodique de période ( ). La tension de charge
3
2π
peut s’ecrire u ch (θ)=u ch (θ+k. ) ; kZ.
3
Valeurs caractéristiques :
Valeur moyenne de la tension de charge redressée :
3 5π6 3 3
(u ch ) moy =
2π 6
π Vmsin(θ).dθ=
2π
Vm
1 3 2π
Valeur efficace de la tension de charge redressée : (uch)eff =Vm. + sin( )
2 4π 3
v'1 v1 D1
i'1 i1 i ch
v'2 v2 D2
i2
R
v'3 v3 D3 u ch
i3
L
n1 n2
Hypothèses:
L
On suppose que la charge est fortement inductive ( T ) pour qu’on puisse considéré le
R
courant de charge instantanée comme étant égale à sa valeur moyenne (ich=I=Cste), On néglige
les imperfections du réseau amont, du transformateur et celle des redresseurs ( diodes ).
Analyse de fonctionnement
On se place en régime permanent
La diode conductrice est celle dont le potentiel de la cathode est le plus négatif, les autres
diodes sont automatiquement bloquées.
Il est possible de dresser le diagramme de conduction et de donner l’allure de la tension de
charge en fonction du temps ( ), la tension aux bornes de la diodeD1 et son courant.
On sait que la tension de charge est donnée par u ch() = inf(v1, v2, v3), alors que la tension aux
bornes de la diode D1 est vD1= uch – v1.
Intervalles de conduction:
Intervalle Diode en Diodes Tension Tension
de conduction conduction bloquées de charge de la diode D1
π D2 D1, D3 u ch = v2 vD1= u 21
0; 2
π 7π D3 D1, D2 u ch = v3 vD1= u 31
2 ; 6
200
uch & vD1
-200
-400
-600
0 2 4 6 8 10 12 14
15
10
i1
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Remarque :
2π
On remarque que la tension de charge est périodique de période ( ). La tension de charge
3
n2π
peut s’ecrire : u ch (θ)=u ch (θ+ ) ; nZ.
3
Valeurs caractéristiques :
3 3
Valeur moyenne de la tension de charge redressée : (uch)moy=- Vm
2π
1 3 2π
Valeur efficace de la tension de charge redressée : (uch)eff =Vm + sin( )
2 4π 3
-200
0 2 4 6 8 10 12 14
10
iD1
0
0 2 4 6 8 10 12 14
10
0
i1
-10
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Remarque :
π
La tension de charge est formée par des portions de sinusoides et periodiques de periode ( ).
3
π
Elle peut s’ecrire: u ch (θ)=u ch (θ+k ) ; k Z .
3
Valeurs caractéristiques
Tensions moyenne et efficace de charge :
3 3 1 3 π
(uch)moy= Vm (uch)eff = 3Vm + sin( )
π 2 2π 3
Contraintes en courant sur les redresseurs : Elles sont identiques au montage P3.
Courants dans un enroulement secondaire :
Durant chaque période (2 ) chacune des diodes (D1, D2, D3) débite le courant de charge
2π
(ich)moy=I, à tour de rôle. Chacune des courants iD1, iD2, iD3 est donc égale à (I) pendant ( ),
3
nul pendant le reste de (2.).
De même le retour du courant de charge nécessite la conduction de l’une des trois diodes
2π
(D’1, D’2, D’3). Chacune des courants iD’1, iD’2, iD’3 est égale à (I) pendant ( ), puis nul
3
jusqu’à la période suivante.
2
Courants moyen et efficace : (i1 )moy=0 , (i1 )eff =I.
3
4I nπ nπ
Développement en série de Fourier du courant : i1 (θ)= sin( )sin( ).sin(nθ)
n=1 nπ 2 3
Relations d’ampère tours, courants primaires et facteurs de puissance:
Comme la somme des courants secondaires, est nulle (pas de composantes homopolaires), on
2
aura donc ( n1i'1 =n 2i1 ).D’ou (i'1 ) eff =Ip=m.I. , et facteurs de puissance de puissance
3
3
primaire f p =fs = =0.955 .
π
D1 D2 D3
v'1
i'1 j1 v1 i1 R
j2
v'2 u ch
i'2 v2 i2
v'3 j3 L
i'3 v3 i3
n1
n2
D'1 D'2 D'3
Principe de fonctionnement :
Les redresseurs (D1, D2 et D3) conduisent dès que les tensions (v1, v2 et v3) deviennent
positives, et (D’1, D’2 et D’3) dès que les tensions deviennent négatives.
Intervalle de Diode en Tension Tension Tension
conduction conduction de charge de vD1 de vD’1
π D1 et D’2 - v2 0 v2
0; 3
π 2π D1 et D’3 v1 0 -v1
3 ; 3
2π D2 et D’3 -v3 -v2 -v1
3 ; π
4π D2 et D’1 v2 -v2 0
π; 3
4π 5π D3 et D’1 -v1 v1 0
3 ; 3
5π D3 et D’2 v3 v1 v2
3 ;2π
200 15
iTh1
0 10
-200 5
-400 0
0 5 10 15 0 5 10 15
20 20
10 10
i1
j1
0 0
-10 -10
-20 -20
0 5 10 15 0 5 10 15
(rad) (rad)
Remarque:
π
La tension de charge est formée par des portions de sinusoides et periodiques de periode ( ).
3
Expressions des courats dans les phases :
1
J1 = (i1 -i3 )
3
1
J 2 = (i 2 -i1 )
3
1
J 3 = (i 3 -i 2 )
3
Valeurs caractéristiques:
2.π
3
3
Tension moyenne aux bornes de la charge : (uch)moy= v1 (θ)dθ= Vm
π
π
3
2
Courant efficace dans une ligne : (i1 ) eff I.
3
2
Courant efficace dans une phase : (J1 )eff =I
3
(Pch )moy 3
Facteur de puissance secondaire : f s = = =0.955
3.(v1 )eff .(J1 ) eff π
7. Redressement polyphasés
Pour obtenir une tension continue, on redresse un ensemble de q tensions alternatives
sinusoïdales, formant un système polyphasé équilibré. Ces tensions sont fournies par le réseau
triphasé par l’intermédiaire d’un transformateur.
On distingue deux montages possibles :
Les montages redresseurs simple alternance ou à commutation parallèle (P).
Les montages ponts redresseurs : on distingue deux montages possibles, suivant le
couplage secondaire du transformateur.
Montages à commutation parallèle double (PD).
Montages série (S).
Hypothèses :
On suppose que, les tensions (v1….. vq) formant un système équilibré, les redresseurs ainsi
que le transformateur sont parfaits, et la charge est fortement inductive.
7.1. Les montages redresseurs à commutation parallèle simple (Pq)
Soit un montage redresseur à diodes d’ordre (n,) alimenté par un système q phases.
i1 D1
M i ch
i2 D2
R
v1
Dq u ch
v2 iq
L
vq
N
Fig.2.23: Montage redresseur non commandé Pq
(n-1)2π
Les q tensions (v1, v2,…. vq) s’écrivent d’une façon générale : vp (θ)=Vm.sin[θ- ] .
q
Avec n [1 ; q]. La tension de charge est donnée par : u ch =sup(v1 ,v2 .....vq ) .
Diagramme de tensions :
uch
(u ch ) max
(uch)min
θ
0 ππ π π
2 q 2 q
Valeurs caractéristiques :
q π
Valeur moyenne de la tension de charge : (uch)moy= Vm sin . Avec q 2.
π q
1 q 2π
Valeur efficace de la tension de charge : (uch)eff=Vm + sin( )
2 4π q
I I
Courants moyen et efficace dans une diode : (i q ) moy , (i q ) eff
q q
I + 2 I np np
Développement en série de Fourier du couranti1 : i1 (θ)= + sin( )sin(nθ- )
q n=1 np q 2
2.q π
Facteur de puissance secondaire : fs= sin( )
π q
u ch
(u ch ) max
(u ch ) min
θ
0 π 2.π
q q
Valeurs caractéristiques :
2q π
Valeur moyenne de la tension de charge redressée : (uch)moy= Vm sin( )
π q
2
Courants moyen et efficace dans une phase secondaire : (iq ) moy =0 , (iq )eff =I. .
q
Conclusion :
Avec les mêmes tensions à redresser, en passant du montage Pq au montage PDq, on double la
valeur moyenne de la tension de charge.
Pour un montage PDq, le facteur de puissance il est plus fort qu’un montage Pq
Objectifs :
1. Introduction
On effectue une modification importante dans le commutateur : le remplacement des diodes
par des thyristors (remplacement d’interrupteurs 2 segments par des interrupteurs 3 segments
à fermeture commandée) permet de moduler le transfert d’énergie de la source alternative vers
le récepteur continu. Cette modification de commande du système apporte non seulement une
souplesse complémentaire, mais elle permet aussi, sous certaines conditions, un transfert
d’énergie en sens inverse.
Source de
tension 3~ Redresseur Actionneur Réducteur
électrique mécanique Charge
ou 1~ commandé
Calculateur
v Th
v u ch
R
Analyse de fonctionnement :
Pour 0 < <, on a v>0, pas d’impulsion sur la gâchette, donc Th est bloqué, alors
ich=0, uch=0 et vth= v.
Diagrammes de tensions:
400
200
v uch
0
-200
-400
0 2 4 6 8 10 12 14
1.5
1
iG
0.5
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Valeurs caractéristiques :
Vm
Tensions moyenne et efficace : (uch)moy= [1+cos(α)] ;
π
Vm α sin(2α)
(uch)eff= 1- +
2 π 2π
Conclusion :
L’intérêt d’un tel dispositif, c’est d’obtenir une tension et un courant de charge et par
conséquent une puissance réglable.
2.2.Débit sur une charge inductive (R, L)
Considérons le montage de la figure suivante
Th G i ch
v Th
R
v u ch
Analyse de fonctionnement :
Pour 0 < <, on a ich = 0, u ch = 0 et vth = v.
di ch
Pour < <, amorçage de Th, on a vth = 0 et u ch =v=Ri ch +L , dont la solution
dt
θ-α
Vm -( ) Lw
est ich(θ)= sin(θ-φ)+sin(φ-α)e Q
. Avec Q= et Z= R 2 +(Lw) 2 .
Z R
On vérifie bien que ich( )>0, donc le courant de charge continue à circuler à travers le
thyristor ( th ) mal grés que le potentiel de l’anode devient négatif ( pas de discontinuité de
courant dans une charge inductive ).
Pour ’c< < 2, le thyristor Th se bloque à ( = 'c), on aura lors ich = 0, u ch = 0 et
vth = v.
Diagrammes de tensions :
400
200
v uch
0
-200
-400
0 2 4 6 8 10 12 14
1.5
1
iG
0.5
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Valeurs caractéristiques:
Vm
Tension moyenne : (uch)moy= [cos(α)-cos(θc)]
2.π
Vm
Courant moyen : (ich)moy= [cos(α)-cos(θc)]
2πR
v2
i2 Th 2
v'1
n1
n1 2 u ch i ch
R
Fig.3.6: Montage redresseur commandé P2R
Hypothèses :
On suppose que, les éléments (transformateurs, redresseurs) sont parfaits, le courant de charge
est parfaitement lissé. Les thyristors sont débloqués avec un retard d’angle (), c'est à dire que
les impulsions de déblocage sont envoyées sur les gâchettes des thyristors respectivement aux
angles : Pour Th1, on a θ1 =α+2kπ et pour Th2, on a θ2 =α+π+2kπ
Etude du fonctionnement :
A partir du réseau monophasé (v’1) on obtient par l'intermédiaire du transformateur à point
milieu deux tensions sinusoïdales v1 et v2 de même amplitude et déphasées entre elles de :
v1 =Vm.sin(θ)
v2=Vm.sin(θ+π)
Les différentes phases de fonctionnement :
400
200
v1 v2 uch
0
-200
-400
0 2 4 6 8 10 12 14
20
15
i1
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
v1 v Th1
i'1 i1 Th 1
v2
i2 Th 2
v'1
n1
n1 2 u ch i ch
R L
Fig.3.8: Montage redresseur commandé P2RL
Principe de fonctionnement :
Le thyristor Th1 est conducteur pour <<+, lorsque la tension v1>0,
Le thyristor Th2 est conducteur pour +<<2+ , lorsque la tension v2>0.
v1 v2 uch
0
-100
0 2 4 6 8 10 12 14
200
vTH1
0
-200
0 2 4 6 8 10 12 14
10
5
i1
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Valeurs caractéristiques :
2Vm
Valeur moyenne de la tension redressée : (uch)moy= cos(α)
π
Remarques:
π
Pour α , la valeur moyenne de la tension redressée est positive, il en est donc de
2
même pour la puissance active fournie par le réseau au récepteur P (u ch ) moy .I , le
i ch
Th 1 Th 2
i' i
v' v u ch
Th 3 Th 4
Valeurs caractéristiques :
2Vm
Tension moyenne : (uch)moy= cos(α)
π
On en déduit alors les valeurs caractéristiques (ich) max, (ich) moy et (ich) eff, respectivement les
valeurs maximale, moyenne et efficace de ces courants:
I I
(ich)moy , (ich)eff et (ich)max I
2 2
La puissance apparente au secondaire est donnée par : Ss =2(v1 ) eff .(i1 ) eff =Vm I
Les calculs de la puissance apparente et du facteur de puissance au secondaire sont importants
dans la conception des montages redresseurs.
v'1 v1 Th 1
i'1 i1 i ch
v'2 v2 Th 2
i2
R
v'3 v3 Th 3 u ch
i3
L
n1 n2
Diagrammes de tensions:
100
50
uch vTH1
0
-50
-100
0 2 4 6 8 10 12 14
4
i1
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
100
50
uch vTH1
-50
-100
0 2 4 6 8 10 12 14
4
i1
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Diagrammes de tensions:
100
50
uch vTH1
0
-50
-100
0 2 4 6 8 10 12 14
4
i1
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Conclusion :
On remarque que la tension est formée par des portions de sinusoïde et périodique de période
2π
de ( ).
3
Valeurs caractéristiques :
Valeurs moyenne et efficace de la tension de charge:
3 3 1 3 2π
(uch)moy= Vm cos(α) et (uch)eff=Vm + sin( )cos(α)
2π 2 4π 3
Contraintes en courant et en tension sur les thyristors:
I I
(i1 ) moy = , (i1 ) eff = et. (i1 ) max =I
3 3
v'2 v2 Th 2
i2
R
v'3 v3 Th 3 u ch
i3
L
n1 n2
Diagrammes de tensions :
100
50
uch vTH1
-50
-100
0 2 4 6 8 10 12 14
4
i1
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
100
50
uch vTH1
0
-50
-100
0 2 4 6 8 10 12 14
i1
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
i ch
v'1 v1 Th 1 Th 2 Th 3
i'1 i1 R
v MO
v'2 v2
i2
u ch
v3 O
v'3
i3
L
n1 O n2 v NO
Analyse de fonctionnement:
Le retard à l’amorçage est « », on détermine la tension vMO pour cet angle d’amorçage en
suivant la même démarche qu’au montage P3, ensuite on détermine la tension vNO pour le
même angle d’amorçage (mais quand la tension devient négative).
Il est possible de construire graphiquement la tension de charge par intervalle, d’après
l’expression suivante ( u ch =v MO -v NO ).
Tensions
0
-100
0 2 4 6 8 10
10
iTh1
5
0
0 2 4 6 8 10
10
i1
-10
0 2 4 6 8 10
(rad)
Fig.3.19: Allures des tensions et courants pour un angle d’amorçage (α= 30°)
100
Tensions
-100
0 2 4 6 8 10
10
iTh1
0
0 2 4 6 8 10
10
i1
-10
0 2 4 6 8 10
(rad)
Fig.3.20: Allures des tensions et courants pour un angle d’amorçage (α= 60°)
Conclusion : On remarque que la tension est formée des portions de sinusoïde et périodique
π
de période ( ) .
3
Valeurs caractéristiques :
Valeurs moyennes et efficaces de la tension de charge :
3 3 1 3 π
(u ch ) m oy= V m cos(α) , (uch)eff= 3.Vm + sin( )cos(α)
π 2 2π 3
Contraintes sur les thyristors en tension et en courant:
I I
(ith)moy ; (ith)eff ; (ith)max I ; (vth)max Vm 3
3 3
6
Si on tient compte de la relation précédente ceci montre que I1 =I (que l’on peut établir
π
directement par décomposition en série de Fourier du courant du courant is1) et que les
3
facteurs de puissance primaires et secondaires sont donnés par: fs=fp= cos(α) .
π
i ch
Th 1 Th 2
i' i
v' v u ch
D1 D2
Diagrammes de tensions:
PD2-M-TH-CC
1000
500
uch
-500
0 2 4 6 8 10 12 14
500
0
vTh1
-500
-1000
0 2 4 6 8 10 12 14
20
0
i1
-20
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
On remarque que la tension est formée des portions de sinusoïde et périodique de période ().
Valeurs caractéristiques :
2Vm 1+cos(α)
Valeur moyenne de la tension de charge : (u ch )moy=
π 2
π-α
Valeur efficace du courant secondaire (i): (i)eff=I
π
2 2 α 2 2
Valeur efficace de fondamental du courant de (i) : (if)eff= I.cos( )= I.cos(φ) .
π 2 π
i ch
Th 1 D1
i' i
v' v u ch
Th 2 D2
Diagrammes de tensions:
400
uch
300
200
100
-100
-200
-300
vTH1
-400
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Temps(s)
10
iTH1
0
-10
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
10
iD1
5
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
10
iD2
5
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Temps(s)
i ch
v'1 v1 Th 1 Th 2 Th 3
i'1 i1 R
v MO
v'2 v2
i2
u ch
v3 O
v'3
i3
L
n1 O n2 v NO
D1 D2 D3
N
Fig.3.26: Montage redresseur mixte PD3
Cette structure est celle du pont complet, seulement on a remplacé les thyristors (Th’1, Th’2,
Th’3) par les diodes (D1, D2, D3). La détermination de la forme d’onde et de la tension de
charge se fait comme pour le montage en pont complet.
Diagrammes de tensions:
100
50
uch vTH1
0
-50
-100
0 2 4 6 8 10 12 14
10
0
i1
-5
-10
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
100
50
uch vTH1
-50
-100
0 2 4 6 8 10 12 14
10
0
i1
-5
-10
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
Conclusion :
On remarque que la tension est formée par des portions de sinusoïde et périodique de période
(2/3).
Valeurs caractéristiques:
3 3
Valeurs moyenne et efficace de la tension de charge : (uch)moy= Vm [1+cos(α)]
2π
Développement en série de Fourier du courant i1
4.I n.π n.α n.α
i1 .sin( ).cos( ).sin[n.θ ]
n 1 n.π 3 2 2
Notions de puissances :
Le montage en pont mixte est considéré comme une association en série de deux redresseurs.
Ce dispositif a des propriétés intéressantes sur le plan de la puissance active et réactive.
3 6
La puissance moyenne est (P) moy =(u ch .i ch ) moy =IU ch0 cos(α)+IU ch0 ; Avec U ch0 = V
2π
Pour la puissance réactive, on peut décomposer soit le courant is1 en série de Fourier et on
raisonne sur le fondamental, soit on applique le théorème de Boucherot et on sépare les
puissances actives et réactives pour chaque demi pont, et on aura donc : P=P1+P2 et Q=Q1+Q2 .
3 6 3 6 3 6
Avec P1 = VIcos(α) ; P2 = VI et Q1 = VIsin(α) et Q2=0 .
2π 2π 2π
3 6 1+cos(α) 3 6
Il vient que : P= VI( ) et Q= VIsin(α) .
π 2 2π
3 6 P 1+cos(α) Q 1
Si on pose S0 = VI , il vient que x= = et y= = sin(α) .
π S0 2 S0 2
Q α I 6 α
On déduit que tan(φ1 )= φ1 = ; d’où I s1 = cos( ) .
P 2 π 2
Diagramme de puissances :
Q M Redresseur
S0
α
P
2
0 P
S0
Objectifs :
v'1 v1 Th1 i ch
i'1 i1 λ
v'2
v2 Th 2
i2 λ R
u ch
v'3
v3 Th 3
i3 λ L
n1
n2
Analyse defonctionnement:
Au moment où le courant i1 varie en passant de la valeur du courant (ich= I) à la valeur ( ich=0)
5π λ.di1
à l’instant ( angle θ1= +α ), la f.é.m. d’auto-induction ( ) va tendre à supposer à la
6 dt
cause qui lui donne naissance ( la décroissance de courant i1 ), il y aura donc un effet de
retard sur la décroissance du courant, ce qui va se traduire par deux phénomènes : le premier
μ
c’est l’apparition d’un temps de commutation ( tc ) et il est lié aussi à la croissance du
w
courant i2, le second c’est la diminution de la tension de charge en valeur moyenne.
5π 5π
Dans l’intervalle +α ; +α+μ , il va y avoir décroissance du courant i1 et croissance du
6 6
courant i2, alors on a les deux thyristors (Th1 et Th2) vont conduire en même temps: On parle
de phénomène d’empiètement (voir figure ci-contre).
v1
v2
0
i1 i2
0 5π
6
di1
u ch =v1 -λ dt
di 2
u ch =v 2 -λ
dt
I=i1 +i 2
v1 +v 2 v3
On additionne membre à membre les équations 1 et 2, on obtient : u ch = =- .
2 2
di1 v1 +v 2 v3
Pendant la commutation des thyristors (Th1 et Th2), on a v1 =u ch +λ = =- .
dt 2 2
L’expression du courant est donnée par :
V 6 π V π
i1 (θ)=I- . cos(θ)+ cos(θ+ ) =I- 3+3 3 .cos(θ- ) .
2λω 6 λω 12
5π
Avec la condition initiale: i1 ( +α)=0 .
6
5π
Par ailleurs on sait que le courant i1 s’annule à l’instant (angle = +α+μ ), par conséquent
6
2λwI
l’expression qui donne l’angle d’empiètement vaut alors : cos(α)-cos(α+μ)=
V 6
Calcul de la chute moyenne de tension due à l’empiètement
Comme le phénomène d’empiètement se produit trois fois pendant une période de réseau,
5π
+α+μ
6
alors on peut écrire : Δ 1 u ch = 3 . (v 2 -u ch ).dθ=
3λw
I=X s .I
2π 5π 2π
+α
6
Avec
qp : nombre de phase primaire,
qs : nombre de phase secondaire,
rp : résistance d’une phase primaire,
rL : résistance d’une phase du réseau d’alimentation (v1),
Ip : courant efficace primaire,
Is : courant efficace secondaire,
IL : courant efficace dans une ligne.
pj
La valeur de la chute de tension moyenne est donnée par : Δ 2 u ch = =R c I
I
Exemples de montages :
Montage P2
Pour un montage P2, les courants efficace et moyen sont donnés par :
I
Is = ; I p =IL =mI , qp = 1, qs = 2 et les pertes joules sont : p j =[rs +m2 (rp +rL )].I2
2
pj
Soit. Δ 2 u ch = =[rs +m 2 (rp +rL )].I .
I
Montage P3
Pour un montage P3, les nombres de phases primaires et secondaires sont : qp = qs.
Si le primaire est couplé en étoile, la chute de tension moyenne résistive est :
pj 2
Δ 2 u ch = =[rs + m 2 (rp +rL )].I
I 3
Si le primaire est couplé en triangle: la chute de tension moyenne résistive est:
Pj 2
Δ 2 u ch =p =[rs +m2 ( rp +2rL )].I
I 3
Montage PD3
Si le primaire est couplé en étoile, la chute de tension moyenne résistive est :
pj
Δ 2 u ch = =2[rs +m 2 (rp +rL )].I
I
Si le primaire est couplé en triangle, la chute de tension moyenne résistive est:
pj
Δ 2 u ch = =2[rs +m2 (r p +3rL )].I
I
Constatation : Pour un montage à commutation parallèle double, la chute de tension moyenne
inductive est deux fois celle pour un montage à commutation parallèle simple.
Pmoy Pmoy
La chute de tension moyenne pour un q semi-conducteur: Δ 3u ch =q. =q.
(ich ) moy I
1.4.Exemples de montages
300 uch
200
100
i1 i2
-100
-200
-300
-400
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
I I
Les valeurs des courants moyen et efficace dans un redresseur sont : (iT)eff= ; (iT ) moy =
3 3
I2 I
Et la puissance moyenne sera donnée par: Pmoy =R d . +Vs .
3 3
Pour un montage P3, on a trois redresseurs, d’où la chute moyenne due aux commutateurs:
Δ 3u ch =R d .I+Vs
400
v & uch
200
-200
-400
0 2 4 6 8 10 12 14
400
200
v & vD1
-200
-400
-600
0 2 4 6 8 10 12 14
(rad)
I I
Les valeurs des courants moyen et efficace pour un thyristor, valent: (iT)eff= ; (iT)moy=
3 3
I2 I
La puissance moyenne sera donnée par: Pmoy =R d +Vs .
3 3
Pour un montage PD3, on a six redresseurs d’où la chute moyenne due aux commutateurs:
3 u ch =2(R d I+Vs ) .
Constatation:
Pour un montage à commutation parallèle double, la chute de tension moyenne due aux
commutateurs est deux fois celle pour un montage à commutation parallèle simple.
2. Modèle du convertisseur
Exemple d’un montage (P3KC) commandé :
V's
R 's Xs i ch
U s . cos(α ) U
Eléments du modèle:
3 3 3 6
Avide, on a donc Us = Vm = V et moyennant les expressions moyennes de chutes de
2π 2π
3λw 2
tension, on trouve : X s = ; R's =R d +rs + m 2 rp et V's =Vs .
2π 3
3. Rendement d’un montage redresseur
Si on tient compte en plus des pertes joules (p J), pertes dans les redresseurs (pD), et des pertes
Uich
fer (pF) du transformateur, le rendement est : η= .
Uich+pF+pj+pD
On démontre que ce rendement est meilleur que celle pour un convertisseur mécanique.
4. Fonctionnement en court-circuit
Les impédances des éléments du montage sont gênantes en fonctionnement normal car elles
provoquent des chutes de tension. Mais en cas de surcharge et notamment en court-circuit
elles limitent ces courants.
5. Courant de court-circuit
Considérons le montage suivant
v'1 v1 D1
i'1 i1 λ
v'2 v2
λ D2
i2
vq Dq
v'q iq λ
n1 n2
i cc
Expression du courant i1 ( )
Vm
On va tenir compte de l’inductance d’empiètement ( ), on a donc i1 (θ)= [1-cos(θ)]
λw
Vm Vm
Courants moyen et efficace du secondaire : (i1)eff=Is= 3 , (i1)moy=
λw λw
180 icc
160
140
i1 i2
120
100
80
60
40
20
0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08
Objectifs :
1. Généralités
1.1.Définitions
Un convertisseur à courant continu permet la conversion de continu à continu sans liaison
avec une source à courant alternatif.
L’hacheur est un commutateur électronique à fonctionnement périodique qui, alimente à partir
d’une source à tension continue fixe, peut fournir à une charge une tension continue variable.
Tension
U ref
K KI Hacheur M Charge
i
CI
C
1.2. Utilisations
Leur utilisation permet le contrôle de la puissance électrique dans des circuits fonctionnant-en
courant continu avec une très grande souplesse et un rendement élevé.
En forte puissance, il intervient comme organe de réglage de la puissance électrique en
continu. Généralement dans les systèmes de contrôle de vitesse ou de couple de machines
électriques. En petite et moyenne puissance, ils sont utilisés comme une alimentation
(Alimentations à découpages).
2. Structures fondamentales
Ces convertisseurs autorisent le transfert d’énergie d’une source vers une charge, celles-ci
sont :
Hacheur à accumulation
inductive
Ha
ch
eu
r sér
ur ie
c he
Sources Ha lèl
e charges
a ral
p
Hacheur à accumulation
capacitive
3. Hacheur série
Il permet de transférer l’énergie d’une source de tension constante de valeur fixe vers un
récepteur de type courant, c’est le plus rudimentaire, il permet donc d’obtenir une tension de
valeur moyenne réglable unidirectionnelle. Le schéma de principe est donné par la figure
suivante.
Hs
iH H i ch
E vH
D u ch
iD
Commutateu r
t
T T
Fig.5.4: Signal de commande du Hs
150
100
uch
50
-50
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
1.5
ich
0.5
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps (s)
60
40
ich
20
-20
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
τ E +T
Cette relation est obtenue en écrivant (I0= 0), on aboutit à : αc = .Log 1+ .(e τ -1) .
T U
Conduction discontinue:
Pendant la séquence de roue libre, en régime de conduction discontinue, l’inductance restitue
toute l’énergie accumulée et le courant de charge s’annulé ou bout d’un temps inférieur au
temps d’ouverture.
Diagrammes de tension et courant:
Hacheur Série
Tension-charge:u
500
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
-3
x 10
Courant-charge:i
-5
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
-3
Courant-Transistor:iT
x 10
4
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
Temps(s) -3
x 10
On définit le rapport cyclique de conduction discontinue par (), ou (0 <1). Il est définit
τ U + αTτ
par: β= Log 1+ (e -1) .
T E
U
Si on fait un développement limité arrêté au premier ordre, on obtient: β=α. .
E
Valeur moyenne de la tension de charge :
(uch)moy=α.U+(1-β).E
α.U-β.E
(ich)moy= R
« ». Pour simplifier le calcul, on suppose que la résistance de charge est très faible.
Expressions du courant de charge:
U -E
( ).t ; 0 t α T
i ch (t) = L
- E
.(t-T ) ; α T t β T
L
U-E
Le courant maximum vaut: ich(αT)=I1=( )αT .
L
Courant et tension moyens:
(uch)moy=αU+(1-β)E=E
I1 .
(ich)moy=β 2
(uch)moy E α
Si on pose de plus = = =a la valeur du courant moyen peut s’écrire:
U U β
T U 1
(ich)moy=α 2 (U-E)= ( -1).α 2 .
2.L.a 2.L.f a
2L α2
En posant γ=( )(ich)moy . On obtient alors a= 2 . Cette relation traduit la conduction
UT α +γ
discontinue. Pour () donné, la variation (u ch) moy en fonction de (ich) moy.
Allures de (uch)moy en fonction de (ich) moy :
(uch)moy
a
U
Conduction discontinue
1 Conduction continue
0,5
2L
γ (ich)moy
TU
0,25 0,5
(uch)moy α
En conduction continue, on a donc = =a , on obtient des droites parallèles à « ».
U β
En conduction discontinue, on a α d’où γ a(1 a) , on obtient un demi-cercle.
4. Hacheur parallèle
L Hp
iL iD D Is
vL iH vD
U C
H Vs R
vH
Hypothèses:
On suppose que la tension (Vs) est sensiblement constante, et que la conduction est continue :
L’interrupteur H est fermé pendant le temps (T), l’énergie est stockée dans la bobine, la
diode D est bloquée. Le blocage de H entraîne la décharge de l’inductance dans la charge,
cette décharge n’est possible que pour (Vs>U).
Mise en équations :
diL
Pour t [0, T], on a: vL U L ; vH = 0, iL = ih, iD = 0, vD = - Vs
dt
diL
Pour t [ T, T], on a : vL U Vs L ; vH = Vs, iL = iD, iH = 0, vD = 0.
dt
Expressions du courant iL :
U
L t ; 0 t α T
i c h (t)=
(U -V s) (t-α T ) ; α T t T
L
100
iL
50
-50
-100
-150
-200
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Fig.5.9: Allures de vL et iL
(P2)moy Vs(1-α)
Le rendement vaut : η= = =1
(P1)moy U
vH vD
iH iD
H iL D
L R Vs
U vL C
Ce
Is
H SI
L’interrupteur H est fermé pendant le temps (T) l’énergie est stockée dans la bobine L et la
tension de sortie est négative par rapport aux points communs : la diode est bloquée.
Le blocage de H provoque la décharge de l’inductance dans la charge R. Cette décharge peut
être totale ou partielle.
Mise en équations:
Les deux phases de fonctionnement sont
1ere Phase, H est fermé et la diode D est ouverte,
2ere Phase, H est ouvert et la diode D est fermée.
Les équations correspondantes sont respectivement :
diL
U L dt ; 0 t αT
Vs L diL 0; αT t T
dt
150
100 iL
50
-50
-100
-150
vL
-200
-250
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
v L1 v L2 Is
vC
H D Cs Vs
R
U vD
vH
iH iD
Hypothèses:
On suppose que les inductances de lissages (L1 et L2) sont grandes pour considérer les
courants (i1= I1 et i2 = I2) comme constants ; et on aborde que la conduction continue.
Pendant la fermeture de l’interrupteur H ; nous avons stockage de l’énergie dans l’inductance
L1, transfert d’énergie du condensateur C vers l’inductance L2 et vers la charge.
En conduction continue, la tension aux bornes du condensateur C ne s’annule pas et la diode
D est alors bloquée. Le blocage de H entraîne la conduction de la diode de roue libre D, et le
condensateur se recharge.
Mise en équations:
I2
Pour t [0, T], on a iH = I1 + I2 et iC=C dvC =-I2 , d’où on trouve vC=- t+vC1 .
dt C
I1
Pour t [T, T], on a iD = I1 + I2 et iC=C dvC =-I1 , d’où on trouve vC= (t-αT)+vC2 .
dt C
Ondulation de tension de la capacité:
I1 I2
Elle est définie par : ΔvC=vC1-vC2= (1-α)T= αT .
C C
I1 α
A partir de cette relation, découle une relation entre les courants (I1 et I2): = .
I2 1-α
Valeur moyenne de la tension de sortie:
La condition (vL1) moy = 0 et (vL2) moy = 0, en régime permanent donne U= (vH) moy = (1-)VC
α
et Vs = (VD) moy = VC, on obtient : Vs= U.
1-α
Puissances et rendement:
1-α α
Il est claire que la puissance d’entrée est donnée par : P1 =U.I1 =( Vs ).( I 2 )=I 2 Vs =P2
α 1-α
D’où le rendement vaut 1tout en négligeant les chutes dans les convertisseurs et les
P2
résistances des bobines (L1 et L2) : η 1.
P1
1500
iC
1000
500
vC
0
-500
-1000
-1500
-2000
-2500
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
300
vL1
200
100
-100
-200
-300
vL2
-400
-500
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Conclusions :
Le gain en tension est identique à celui du montage dual à stockage inductif, il s’agit
également d’un montage e inverseur de tension qui peut abaisser ou élever la tension d’entrée
en agissant sur le rapport cyclique ().
6. Hacheurs réversible en puissance
Un hacheur est réversible en puissance s’il fonctionne au minimum dans deux quatre
quadrants de la caractéristique uch=f(ich) .
Ω(rad/s)
P
Q2 Q1
0 T(Nm)
Q4
Q3
ie Dévolteur Survolteur
Ts
Dp i ch L
u ch E
Ds Tp
Si les interrupteurs (Ts et Ds) sont actifs, fonctionnement du hacheur dans le quadrant (Q1),
Si les interrupteurs (Tp et Dp) sont actifs, fonctionnement du hacheur dans le quadrant (Q2),
Tension moyenne : (u ch ) moy =E=α1U=(1-α 2 )U
T1
D2
E
L
U
i ch
D1 u ch T2
1
Si le rapport cyclique ( ), le hacheur fonctionnant dans le quadrant (Q1). Par contre, si le
2
1
rapport cyclique ( ), le hacheur fonctionnant dans le quadrant (Q4).
2
200
150
100
50
ich
0
-50
-100
-150
-200
uch
-250
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
T1 D1 T3 D3
L E
U
i ch
u ch
T2 T4
D2 D4
150
100
ich
50
-50
-100
-150
-200
uch
-250
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
150
100
50
0
ich
-50
-100
-150
-200
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
150
100
50
0
ich
-50
-100
-150
-200
-250
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
150
100
ich
50
-50
-100
-150
-200
uch
-250
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Objectifs :
Savoir le principe de fonctionnement d’onduleur.
Savoir modéliser un onduleur,
Savoir tracer les différentes grandeurs d’entrés et de sorties d’un onduleur.
Savoir dimensionner et calculer un onduleur dans une installation.
1. Définitions et structures
L’onduleur est un convertisseur statique qui permet le réglage du transfert de puissance entre
une source de courant ou de tension continue et une source de courant ou de tension
alternative. Il relit une structure de tension ou de courant continus à un récepteur monophasé
ou polyphasé de courant ou de tension alternatifs.
La fréquence « f » de la source alternative est :
Soit imposé (fixe ou réglable), par une commande électronique autonome (onduleur
autonome).
Soit imposée constant par la source elle-même (onduleur assisté débité sur le réseau).
Soit imposée, variable par la source elle-même (onduleur alimentant une machine
synchrone, piloté par la fréquence de la f.é.m. de la machine).
Source de Source de
Onduleurs tesnion ou Charge
Tension ou
de courant continu de courant alternatif
Retour d'information
Commande
La figure.6.2 montre la structure d’un onduleur triphasé qui relie une source de tension
continue à un récepteur triphasé de courant.
i on
~
u on ~
~
~
Source
Inverter Récepteur
K1 K2
v
E
R L C
K3 K4
i K1 i K2
I0
K1 K2
is
Vs
K'1
K'2
i K'1
i K'2
L’onduleur de tension permet le transfert de puissance entre une source de tension continue et
une source de courant alternative, monophasé ou triphasé, en imposant la loi d’évolution de la
tension alternative vs (t).
i K1 i K2
ie
K1 K2
is
Ve
Vs
K'1
K'2
i K'1 i K'2
ie
E
galvaniquement
Interface double isolé
G T
iG i G' 2
Montage
électroniq ue is
de commande
K'2
Commande de Commande de
la tension G' E
la fréquence T'
2
G G'
K1 K2
is
E
vs
K'1 K' 2
G' G
Montage
électronique
de commande
Commande de Commande de
la fréquence la tension
G G'
K1 K2
is
E
Vs
G' K'1 K'2 G
250
vs
200
150
100
50
is
0
-50
-100
-150
-200
-250
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Temps(s)
250
200
vs
150
100
50 is
-50
-100
-150
-200
-250
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05 0.055 0.06
Temps(s)
4E cos(2k 1).β
Le développement en série de Fourier de v s (θ) . .sin(2.k 1).θ
π k0 2k 1
1.4
1.2
1
Fondamental
0.8
ak
0.6
0.4
0.2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
(°)
i T1 iT 2 iT3
D1 D2 D3
T1 T2 T3
E i D1 iD2 i D3
2
i1 v1
A
i2 v2
0 B
i3 v3
C
N
E
i T'1 i T '2 i T '3
2 D'1 D'3
D'2
T'1 T'2 T'3
i D'1 i D '2 i D'3
M
θ
0 π 2π π 4 5π 2π
3 3 3 3
v BM
θ
0 π 2π π 4π 5π 2π
3 3 3 3
v CM
θ
0 2π π 4π 5π 2π
3 3 3 3
u AB
E
θ
0 π 2π π 4 5π 2π
3 3 3 3
-E
u BC
E
θ
0 π 2π π 4π 5π 2π
3 3 3 3
-E
u CA
E
θ
0 π 2π π 4π 5π 2π
3 3 3 3
-E
v1
2E
3
E
3 θ
0 π 2 π 4π 5π 2
E 3 3 3 3
-
3
2E
-
3
v2
2E
3
E
3 θ
0 π 2π π 4π 5π 2π
E 3 3 3 3
-
3
2E
-
3
v3
2E
3
E
3 θ
0 π 2π 4π 5π 2π
E 3 3 3 3
-
3
2E
-
3
300
v1
200
100
vNO
0
-100
-200
-300
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
2
i1(A)
-2
-4
-6
-8
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
iond(A)
4
0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Temps(s)
Valeurs caractéristiques :
E
Tensions moyennes : (v AM ) moy = ; (u AB ) moy 0 ; (v1 ) moy 0
2
E 2 E
Tensions efficaces : (v AM ) eff = ; (u AB ) eff E. ; (v1 ) eff . 2
2 3 3
i ond
K1 K2
VDC
v1
2
A
0 u v2
VDC B N
2
K3 K4
L’onduleur monophasé est formé par deux bras, dont chacun comporte deux interrupteurs de
puissance bidirectionnelle en courant. Les clés de commande des interrupteurs de puissances
sont notées par C1et C2.
Modèle de l’onduleur monophasé :
On démontre que les deux tensions de sortie de l’onduleur sont données sous forme
v V 1 -1 C1
matricielle par : 1 = DC .
v2 2 -1 1 C2
VDC
La fonction f1 (u) est donnée par f1 (u)= .(C1 -C2 ) .
2
C1
f 1 (u) v1
C2
f 2 (u) v2
VDC Mux
Modèle de la commande:
Les tensions modulantes de référence (a et b) représentent les tensions images de système de
tensions simples diphasées. La porteuse p(t) est signal triangulaire dont la fréquence (fp>> fm).
p(t)
C1
a
C2
b
Principe :
Les instants de commutation des interrupteurs complémentaires (K1 et K2 par exemple) sont
déterminés par les intersections :
D’une onde de référence a(t) de fréquence fm et d’amplitude Vm, représentant la
tension de sortie désirée u de l’onduleur. Cette tension de référence est en général sinusoïdale.
Et d’une onde de modulation ou porteuse p(t), de fréquence fp supérieure à fm,
triangulaire d’amplitude Vp.
Caractéristique de la commande:
fp
Indice de modulation: m .
fm
Vm
Cœfficient de réglage en tension : r
Vp
250
200
150
100
50
0
u
-50
-100
-150
-200
-250
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
t
Commande bipolaire:
300
200
100
u(V )
-100
-200
-300
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
Remarques :
La structure des onduleurs est identique à celle des onduleurs vus précédemment, seule la
commande des interrupteurs est modifiée.
La multiplication du nombre des impulsions, permet de repousser vers les fréquences plus
élevées d’harmoniques en sortie. Leur filtrage opéré soit par la charge elle-même (ou par un
filtre), est ainsi rendu plus aisé. Dans ces conditions, tout se passe comme si la charge n’était
soumise qu’à une tension sinusoïdale correspondant à la composante fondamentale u1(t) de
u(t).
Par l’intermédiaire de la commande, on peut faire varier aisément la valeur efficace et la
fréquence du signal de sortie (possibilité de fonctionner à V/f=Cte).
Pour un onduleur MLI (P.W.M: Pulse Width Modulation » en anglais), la grandeur de sortie
u(t) est constituée d’un certain nombre de créneaux de largeurs différentes comme l’indique la
figure 6.22.
Il existe d’autres types de commande, notamment les commandes numériques, où les instants
d’ouverture et de fermeture des interrupteurs sont programmés (commande:MLI
précalculées).
i ond
K1 K2 K3
VDC
v1
2
A v2
0 B v3
C
VDC N
2 K' 3
K'1 K' 2
L’onduleur triphasé est formé par trois bras, dont chacun comporte deux interrupteurs de
puissance bidirectionnelle en courant. Les clés de commande des interrupteurs de puissances
sont notées par C1, C2 et C3.
VDC
La fonction f1 (u) est donnée par f1 (u) .(2.C1 C 2 C 3 ) .
3
C1 f 1 (u) v1
C2
C3
f 2 (u) v2
V DC
f 3 (u) v3
Modèle de la commande:
Les tensions (a, b et c) représentent les tensions images de système des tensions triphasés
simples. La porteuse p (t) est un signal triangulaire dont la fréquence (fp>> fa).
p(t)
C1
a
C2
b
C3
c
400
300
200
100
v1
0
-100
-200
-300
-400
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
t
600
400
200
u12
-200
-400
-600
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
t
Objectifs :
Savoir le principe de fonctionnement du gradateur.
Savoir tracer les différentes grandeurs d’entrés et de sorties d’un gradateur.
Savoir dimensionner et calculer un gradateur dans une installation.
1. Généralités
1.1.Définition
Un gradateur c’est un convertisseur statique qui produit un système de tension et courant
alternatifs variable à partir d’une source de tension alternative, sans en modifier la fréquence.
L’intensité de courant du courant débité par la source est la même que celle absorbé
par le récepteur.
La fréquence (f) est imposée par la source.
Un gradateur est un appareil de commande qui permet de contrôler la puissance absorbée par
un récepteur en régime alternatif.
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Contrôle et
d'informations
commande
1.2.Principe de fonctionnement
Le gradateur est un interrupteur qui permet d’établir et d’interrompre la liaison entre la source
et le récepteur. La tension aux bornes du récepteur évolue en fonction de la séquence de
commande de l’interrupteur.
1.3.Constitution
Généralement l’interrupteur est bidirectionnel en courant. Il se compose d’une partie
puissance et d’une partie commande intégrées dans le même bloc.
La partie puissance est constituée de deux thyristors montés « tête-bêche » pour les fortes
puissances supérieures à 10 kW, ou d’un triac pour les puissances inférieures.
La partie commande est constituée de divers circuits électroniques permettant d’élaborer les
signaux de commande des thyristors à partir d’un ordre de commande extérieur. Suivant les
types de gradateur, ce signal de commande sera de type tout ou rien (TOR) ou bien
analogique.
Th 1 G1
Th 1 G1
ic
v Th 2
G2 uc R
Les impulsions de commande des gâchettes des thyristors sont générées périodiquement aux
α απ
instants successifs t 1 et t 2 , comme le montre la figure7.5.
w w
400
300 uc
v
200
100
v & uc
0
-100
-200
-300
-400
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
4.5
3.5
3
iG1 & iG2
2.5
1.5
0.5
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
Valeurs caractéristiques:
α sin(2α)
Tensions de charge efficace : (u c )eff =V. 1- +
π 2π
V α sin(2α)
Courant efficace : (i)eff = . 1- +
R π 2π
V2 α sin(2α)
Puissance moyenne : (Pch )moy = .(1- + )
R π 2π
Conclusion :
Lorsque l’angle d’amorçage varie de 0 à , la valeur efficace du courant varie aussi de son
V
maximum I max à 0.
R
(i)eff
4
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
(rad)
Th 1 G1
ic
R
v G2 Th 2 uc
L
500
uch
-500
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
10
ich
-10
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
500
vTh1
-500
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps
500
uch
0
-500
0 0.01 0.02 0.03 0.04
10
ich
0
-10
0 0.01 0.02 0.03 0.04
500
vTh1
0
-500
0 0.01 0.02 0.03 0.04
Temps(s)
Valeurs caractéristiques :
Valeur efficace de la charge : (u ch ) eff V β
V2
Puissance moyenne dissipée dans la charge : (Pch ) moy .β
R
3.3.Domaine d’utilisation de ce genre de gradateur
Chauffage.
Utilisés sur des systèmes présentant une inertie thermique importante.
Avantage:
La tension aux bornes de la charge est alternative sinusoïdale, donc le courant
absorbé l’est aussi. La présence d’harmonique de courant sera donc nulle.
On a une relation linéaire entre la puissance moyenne dans la charge et le signal de
commande ().
4. Gradateur Triphasé
4.1.Constitution
Un gradateur triphasé est formé par trois gradateurs monophasés montés en étoile ou en
triangle.
4.2.Gradateur triphasé en amont
v1
vR Th 1
Th'1
v2
Th 2
vS
Th'2
v3
Th 3
vT
Th'3 Charge
vR Th 1
Th'1 v1
vS Th 2 Charge
Th' 2 v2
Th 3
vT
Th' 3 v3
Th' 1
v2
vS Th 2
Th' 2
v3
Th 3
vT
Charge Th' 3
v1
vR Th 1
Th' 1
v2
Th 2
vS
Th' 2
v3
Th 3
vT
Charge Th' 3
400
300
200
100
v1
-100
-200
-300
-400
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
400
300
200
100
v1
-100
-200
-300
-400
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
400
300
200
100
v1
0
-100
-200
-300
-400
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
v1
vR Th 1
D1
v2
Th 2
vS
D2
v3
Th 3
vT
D3 Charge
400
300
v1
200
100
-100
-200
-300
-400
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
400
300
v1
200
100
-100
-200
-300
-400
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
200
v1
150
100
50
-50
-100
-150
-200
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps(s)
400
300
200
100
-100
-200
-300
-400
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Bibliographie