LA CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA

La corriente eléctrica (I) resulta del movimiento

de partículas eléctricamente cargadas ante la
presencia de un campo eléctrico (E).

El fenómeno de la conducción eléctrica es carac-

terístico de muchos materiales sólidos.

La ley de Ohm (George Simon Ohm, 1787–1854)

relaciona la diferencia de potencial (V) con la
corriente eléctrica (I) y la resistencia (R):

V = IR

Las unidades son el voltio (J/s), el amperio (C/s) y

el ohmio (J/C): V, A y , respectivamente.

depende de la geometría del material y en

muchos casos es independiente de I.

La resistividad, , no depende de la geometría y se

relaciona con R:
 RA VA
ó
l Il

Las unidades de son –m.

La conductividad eléctrica, , es el recíproco de :

1
σ

–1
Las unidades de son m–1 .

La ley de ohm también se puede expresar como:

J= E

donde J es la densidad de corriente (I/A) y E es la

fuerza de campo eléctrico:
 V
E
l

Los materiales sólidos varían su conductividad

eléctrica en un rango muy amplio. Así, los metales
son buenos conductores de la electricidad, entre
–1
1x106 y 1x108 m–1. En estos casos,
disminuye al aumentar T.

Los materiales dieléctricos ó aislantes son malos

conductores de la electricidad, entre 1x10–8 y
1x10–20 –1 m–1.

Los semiconductores son sólidos que presentan

conductividad eléctrica intermedia entre los
metales y los aislantes. Los superconductores son
materiales (metales ó cerámicas) cuya resistividad
disminuye marcadamente a baja temperatura y su
conductividad aumenta considerablemente.

Conductividad eléctrica de algunos materiales:

Material ( –1 m–1)
Plata 6,8x107
Cobre, templado estándar 5,800x107
Oro 4,3x107
Aluminio, templado 3,536x107
Hierro, mínimo 99,99% 1,030x107
Acero al carbón 6,0x106
PbS, alta pureza 38,4
Germanio, alta pureza 2,0
Silicio, alta pureza 4,0x10–4
Alúmina 1,0x10–10 (máximo)
Nylon 66 1,0x10–12 (máximo)
Vidrio borosilicato 1,0x10–13 (máximo)
Polietileno 1,0x10–13 (máximo)

La condición de temperatura crítica, Tc, es aquella

donde la resistividad ( ) es cero.
Material TC (K) Material TC (K)
Al 1,2 Pb 7,2
Nb3Sn 18 Nb3Ge 23
La2CuO4 36 YBa2Cu3O7 92

En muchos sólidos, la corriente eléctrica surge del

flujo de electrones Conducción electrónica. En
ciertos materiales es posible el movimiento de
especies iónicas portadoras de carga (cationes ó
aniones) Conducción iónica.
La conducción electrónica se explica a través de la
teoría de bandas En un átomo los electrones
distribuyen en niveles energéticos: orbitales
atómicos (OA).

En un conjunto muy grande de átomos ó de

moléculas, los electrones externos de los átomos se
distribuyen en niveles energéticos denominados
orbitales moleculares (OM).

Cuando la diferencia de energía entre los niveles es

muy pequeña, los OM se sobreponen y forman
bandas de energía.

Existe en consecuencia una banda de conducción

(vacía o parcialmente llena con electrones) y una
banda de valencia (llena con electrones).

Estas bandas están separadas por una región de

energía prohibida llamada brecha de energía.

La denominada zona de Brillouin corresponde a la

banda de energía llena (ocupada con electrones)
que se ubica por debajo de la brecha de energía.

Diagrama de bandas de conducción y valencia:

Los electrones de la banda de valencia no pueden
desplazarse libremente. Ellos participan en la
formación del enlace químico.

Por el contrario, los electrones que se encuentran

en la banda de conducción pueden desplazarse
libremente por todo el sólido. El modelo de
bandas permite distinguir los materiales en
conductores, aislantes y semiconductores:
En los metales los electrones llenan totalmente la
banda de valencia.

Se admite que os electrones de un metal, a la T de

cero absoluto, llenan una sucesión de niveles
energéticos; así, nivel más alto alcanzado por los
electrones se denomina nivel de Fermi.

En los semiconductores y aislantes la brecha de

energía es pequeña (semiconductor intrínseco) ó
grande.

En los semiconductores extrínsecos, la presencia

de “impurezas” (doping 0,1%) establece niveles
adicionales en la brecha, con lo cual los electrones
pueden alcanzar la banda de conducción.

Algunos dopantes ó defectos actúan como

donores (de electrones) a la banda de conducción
Semiconductor tipo n (negativo): P en Ge,
ZnO. Otros dopantes ó defectos actúan como
aceptores (de electrones) de la banda de
conducción Semiconductor tipo p (positivo):
Cu2O.

Consulta. Averigue la conductividad eléctrica de

los siguientes materiales: Fe, Co, Ni, Ag, Cu, Al; C
(grafito), Si, Ge, Ga; ámbar, PVC, aceite mineral.

En los materiales conductores, los electrones

libres se “desplazan” hacia niveles vacíos ubicados
por encima del nivel de Fermi.

Las imperfecciones cristalinas (vacancias,

intersticios, dislocaciones) aumentan la resistividad
de los metales. Tales defectos dependen de la
temperatura y de la composición (impurezas).

La conductividad eléctrica, , también se puede en

términos de la densidad de portadores de carga, n,
la carga del electrón, e, y la mobilidad del electrón,
:
= ne

La velocidad de desplazamiento (vd) del electrón es

proporcional a la fuerza de campo eléctrico:

vd = E

La regla de Mathiessen establece que la

resistividad ( ) de un metal tiene contribuciones de
vibración térmica, impurezas y deformación
plástica.
= T+ i+ D

Con relación a la temperatura, es evidente que la

resistividad se incrementa de acuerdo con una
relación del tipo:

= o + aT

donde a es el coeficiente térmico resistividad.

Consulta: averigue el valor de a para el cobre, el

aluminio, el oro, el platino y el mercurio.
Algunas aleaciones, que poseen alta resistividad
como el Nichrome® ( = 1x10–6 m) se utilizan
en la fabricación de resistencias eléctricas.

Propiedades eléctricas y medición de T Varia-

ción de y con la temperatura:

= f(T) y = f(T)

Dispositivos transductores de T: termocuplas

(termopares) y termorresistencias.

Un circuito termocupla consiste en dos hilos

conductores metálicos (ó aleaciones) diferentes
soldados en un extremo (punta caliente a T1). En
uno de los hilos se introduce una punta fría que se
encuentra (ó simula) a una temperatura T2 de
referencia (0 °C).

Entre los conductores, se genera una diferencia

potencial eléctrico, mV, denominado potencial
Seebeck, en virtud de (T1– T2) V = f( T).
Termocuplas comunes:
Tipo Nombre A (%) B (%) T (°C)
B Pt–Rh/Pt–Rh 70–30 94–6 1700
E Ni–Cr/Ni–Cu 90–9 44–55 870
J Fe/ Ni–Cu 100 44–55 760
K Ni–Cr/Ni–Al 90–9 94–6 1260
R Pt–Rh/Pt 87–13 100 1480
S Pt–Rh/Pt 90–10 100 1480
T Cu/Ni–Cu 100 44–55 370

La mayoría de las termocuplas presentan linealidad

entre V y T.

La conductividad ( ) de los metales se incrementa

en la medida en que disminuye T. Para algunos
materiales (Hg, Nb, V, Pb) existe una temperatura
(Tc) a la cual = 0 Superconductores.

Tc Pauta del desarrollo de los superconductores:

1911 (Hg, 4,12K), 1975 (Nb3Ge, 23,3K), 1986
(La2CuO4, 35K), 1987 (YBa2Cu3O7, 95K), 1988
(Tl2Ba2Ca2Cu3O10, 127K), 1993 (HgBa2Ca2Cu3O8,
133K).

Materiales dieléctricos: entre 1x10–10 y 1x10–16

–1 –1
m .
El comportamiento de los aislantes se examina a
partir de los capacitores eléctricos:

La capacitancia, C, relaciona la carga almacenada

(Q) y la diferencia de potencial (V):

Q
C
V

Las unidades de C son C/V ó el faradio (F).

En el dieléctrico se forma una densidad superficial

de carga, D (C/m2) ó desplazamiento dieléctrico,
que es proporcional a la fuerza del campo
eléctrico:
D= E
 es la permisividad eléctrica (en C/V m) del
material aislante. De otra forma:

D= E

donde o es la permisividad en el vacío, que tiene

un valor de 8,85x10–12 F/m.
A
También es posible establecer que C o
l

Para cualquier material dieléctrico, D = E,

donde es la constante dieléctrica. Existe una
diferencia de potencial a la cual la condición
dieléctrica falla Fuerza diecléctrica.

Material FD (kV/mm)
Alúmina 9,8 9,5
Berilia 6,7 10,2
Porcelana 6,0 0,04
Mica 5,4 2,0
Cordierita 4,1 2,4
33%E/Nylon 66 3,7 20,5
Acetal 3,7 19,7
Poliéster 3,6 21,7
Teflón 2,1 0,4
Cuando dos cargas opuestas, de magnitud q, están
separadas en el espacio por una distancia d,
aparece entre ellas un momento dipolar, p:

p = qd

Si a este conjunto (dipolo) se le aplica un campo

eléctrico, el dipolo se orienta con respecto al
campo Polarización (P).

Tipos (ó fuentes) de polarización: electrónica, Pe,

(materiales dieléctricos) por desplazamiento de
nubes de electrones con relación al núcleo, iónica ,
Pi, (materiales iónicos) por movilidad de iones y,
orientada, Po, (materiales con dipolos permanen-
tes).

La polarización orientada se contrarresta con la

vibración térmica Po decrece con T.

Para cualquier sustancia, P = Pe + Pi + Po

Algunos materiales aislantes sufren polarización en

ausencia de campo eléctrico Ferroeléctricos:
BaTiO3, sal de Rochelle (tartrato de sodio y
potasio), KH2PO4, PbZrTiO6, KNbO3).
Este comportamiento se atribuye a modificaciones
estructurales que surgen en función de T Efecto
microestructural ó cristalográfico.

Los materiales piezoeléctricos son sólidos que dan

respuesta eléctrica a la aplicación de presión
Las señales eléctricas son convertibles a presión:
cuarzo, titanato de bario, dihidrógeno fosfato de
amonio, zirconato de plomo.

SEMICONDUCTORES

Semiconductores: 0,0001 > < 10000 ( –1m–1).

Portadores de carga Electrones y huecos.

Sólido Eg (eV) ( –1m–1 e (m2/Vs) h (m2/Vs)

Si 1,11 0,0004 0,14 0,05
Ge 0,67 2,2 0,38 0,18
GaP 2,25 – 0,05 0,002
GaAs 1,42 1x10–6 0,85 0,45
InSb 0,17 20000 7,7 0,07
CdS 2,40 – 0,03 –
ZnTe 2,26 – 0,03 0,01
1 eV = 1,602x10–19 J.

Clasificación: intrínsecos y extrínsecos.

Semiconductores intrínsecos:

La promoción de e a la banda de conducción deja

“huecos” en la banda de valencia. Así,

= ne e + pe h

donde n y p es el número de portadores de carga

por m3. Es evidente que n = p.

La semiconducción intrínseca es un proceso que

depende de T :
Eg
2kT
oe
donde o es un factor de frecuencia, Eg es la banda
de energía prohibida y k es la constante de
Boltzmann (1,381x10–25 J/K).
 Eg 1
ln o
2k T

La gráfica de ln en función de 1/T se denomina

gráfico (ó plano) de Arrhenius.

Este hecho muestra que para un semiconductor, la

conductividad ( ) se incrementa con el aumento de
temperatura.

Semiconductores extrínsecos Exceso de e ó de

“huecos” debido a la presencia de impurezas: tipo
n y tipo p.

En los semiconductores tipo n, la impureza actúa

como un donor de e a la banda de conducción n
> p. Ejemplos: P, As y Sb (grupo VA) en Si.
En los semiconductores tipo p, la impureza actúa
como un aceptor de e de la banda de valencia n
< p. Ejemplos: Al, B y Ga en Si.

Las impurezas, que se adicionan al semiconductor

intrínseco de alta pureza, se denominan dopantes.

Tipo n Nivel de Fermi cercano a la banda de

conducción. Tipo p Nivel de Fermi cercano a la
banda valencia.

La semiconducción extrínseca es un proceso que

también depende de T Tipo n:

E g Ed
kT
oe

donde Ed es el nivel de energía del donor

 Eg Ed 1
ln ln o
k T

El plano de Arrhenius para estos materiales destaca

el siguiente comportamiento:

En la región de agotamiento existe un número fijo

de portadores de carga constante. Tipo p:
dopantes elementos del grupo IIIA.

Ea
T
oe
 Ea 1
ln ln o
k T

En este caso el gráfico de Arrhenius es similar al

del semiconductor tipo n. La región donde todos
los niveles aceptor se llenan con electrones se
denomina zona de saturación.

EFECTO HALL

El efecto Hall (Edwin Herbert Hall, 1855–1938) se

observa cuando se aplica un campo magnético (B),
de fuerza H, en forma a la corriente eléctrica.

La magnitud de VH depende de H y de I:

RH IH
VH , donde RH es el coeficiente Hall.
t
 1
RH y es constante para un sólido dado.
ne
Puesto que e , entonces e = RH
ne

La medición de VH permite cuantificar el número

de portadores de carga, n.

COMPUESTOS SEMICONDUCTORES

1. Sustancias formadas por elementos del grupo

IIIA (M, 3+) y elementos del grupo VA (X, 5+)
MX: AlSb, GaP, GaAS, GaSb, InP, InAs, InSb.

2. Sustancias formadas por elementos del grupo

IIA (2+) y elementos del grupo VIA (5+): ZnSe,
ZnTe, CdS, CdTe, HgTe.

Algunos compuestos amorfos de los grupos IVA

(GaAS) y VIA (GeSe, GeTe y As2Se3) son
semiconductores y en virtud de tal propiedad se
aplican en la construcción de celdas solares y en
forma de recubrimientos fotoconductores en los
procesos xerográficos.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
Los circuitos eléctricos en miniatura resultan de la
combinación ingeniosa de semiconductores tipo n
y tipo p. Ejemplos:

1. El rectificador (diodo) Unión p–n: un voltaje

directo produce polarización y el flujo de I es
mínimo.

La inversión del voltaje hace que los portadores se

dirijan hacia la unión donde se recombinan
Fluye I por todo el circuito.

2. Transistores: transistor de unión y FET.

Regiones de un transistor de unión (ó bimodal):
emisor, base y colector Transistor de unión
bipolar (BJT). Configuraciones p–n–p y n–p–n.

La unión 1 semeja un diodo. Una base típica tiene

un espesor de 1 m. La corriente que alcanza el
colector, Ic, es una función exponencial del
potencial de entrada, Ve:
Ve
Ic I oe B

donde Io y B son constantes.

Un transistor es un amplificador Un pequeño

incremento en Ve aumenta Ic.

Los FET son transistores de efecto de campo.

La fuente (F) actúa como emisor, la entrada (G) es
la base y el drenaje (D) corresponde al colector. El
canal conduce cuando se aplica un diferencia de
potencial en la base.

Los diodos y los transistores se usan como

dispositivos interruptores en operaciones
aritméticas y lógicas Código binario.

Tendencias en la miniaturización de dispositivos

electrónicos:
Dispositivo Siglas Circuitos m
Int. pequeña escala SSI 1–100 10
Integ. escala media MSI 100–1000 5
Int. gran escala LSI 1000–10000 3–5
I. escala muy grande VLSI > 10000 <1
I. ultra alta escala UHSI 0,1–0,001
Electrónica molecular 0,001