SEP SNEST DGEST

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TOLUCA

Ing. En Mecatrónica

Materia

Electrónica analógica

Practica

Polarización del transistor

Alumnos

Escobar Rubí Guadalupe Paola 14280241

Mendoza Aguilar Alan Jafet 15370133
Pérez Santana Cintia Elizabeth 14280031
Tepichin Vazquez Juan Jesús 14280019
Profesora

Ing. Mayra Velázquez García

Metepec, Estado de México, a 11 de julio de 2017

 INTRODUCCION
Denominado BJT (Bipolar Junction Transistor). De acuerdo con la unión de sus
componentes se clasifican en transistores de tipo NPN y PNP:

Fig. 1. Transistores PNP y NPN

El funcionamiento de un transistor BJT puede ser explicado como el de

dos diodos PNP pegados uno a otro.

Puede distinguirse cuatro zonas del transistor:

 REGION DE CORTE: Donde ambas uniones están conectadas en contra. La
corriente de base es muy pequeña, y no fluye, para todos los efectos, corriente al
emisor.
 REGION LINEAL ACTIVA: El transistor actúa como un amplificador lineal. La
unión BE está conectada en directo y la unión CB está en reversa.
 REGION DE SATURACION: Ambas uniones están conectadas en directo.
Cuando un transistor trabaja en esta región este funciona como interruptor.
 REGION DE RUPTURA: Que determina el límite físico de operación del transistor.

Polarización del BJT

Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo
mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Fig.2 Polarización de un transistor NPN y PNP

 La selección del punto de trabajo de un transistor se realiza a través de
diferentes circuitos de polarización que fijen sus tensiones y corrientes.
 La polarización con una fuente sin resistencia de emisor es poco recomendable
por carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva
térmica que autodestruye el transistor.
 La polarización con una fuente es mucho más estable aunque el que más se
utiliza con componentes discretos es el circuito de auto polarización.
 La polarización de colector-base asegura que el transistor nunca entra en
saturación al mantener su tensión colector-base positiva.
 DESARROLLO
Material
 Protoboard
 Resistencia 10 k
 Resistencia 1k
 Transistor

Lo primero es elaborar el siguiente circuito:

Practico:

Tuvimos que calcular la corriente en la base, en el colector y en el emisor, estos

fueron los cálculos realizados:

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 5 − 0.7

𝐼𝐵 = = = 4.3𝑥10−3 𝐴
𝑅𝐵 10𝑘

𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵 = (100)(4.3𝑥10−4 𝐴) = 43𝑚𝐴

 𝑉𝑐𝑐 − 𝐶𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) 12 − 0.3
𝐼𝑐(𝑠𝑎𝑡) = = = 0.0117
𝑅𝑐 1𝑘

𝐼𝐸 = (4.3𝑥10−4 ) + 1.62𝐴 = 2.05𝑥10−3 𝐴

Los cálculos teóricos realizados fueron muy aproximados a nuestros resultados

prácticos.
 CONCLUSIONES

El BJT tiene distintas estructuras de redes de polarización. Para determinar el

punto Q, es necesario plantear la malla de salida y la malla de entrada en cada
una de las configuraciones. Para diseño de una red de polarización se debe
establecer un punto de trabajo (diseño en corriente continua), se definen los
valores de VCEQ e ICQ (IBQ), pero pueden requerirse datos adicionales, tales
como los voltajes disponibles para polarización y/o valores para los RTH o RB de
las configuraciones. La intersección de la recta de carga de salida con las curvas
de salida establece el punto de operación