Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
Hablar de los IGBT son mayores palabras puesto que estos transistores
son especiales, son de grandes prestaciones y aplicaciones de gran
envergadura sobre todo en el campo industrial. Suponga que tiene un
transistor bipolar en sus manos y que en vez de base tenga un pin
llamado puerta. ¡pues muy bien! Este transistor que en inglés se le
conoce como: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR. Es conocido
también como: TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA. Y por lo
general sus aplicaciones las podemos encontrar en sistemas de
electrónica de potencia y electrónica de control. Es un dispositivo
versátil para trabajar en estas dos áreas de la electrónica por sus
grandes manejos de corriente y el pequeñísimo voltaje de saturación
que normalmente maneja un transistor bipolar y al igual que el
transistor de efecto de campo FET, en la puerta o gate tiene las mismas
características. La forma de conducción de corriente es similar a la de un
transistor JFET. De acuerdo a lo mencionado anteriormente, se puede
decir que el transistor BJT y el JFET se fusionan y logran crear el IGBT,
sin duda un poderoso componente electrónico.
Con un IGBT se han podido lograr grandes cosas: desde diseñar y
fabricar dispositivos de control y variación hasta sistemas de
optimización y generación de energía. Dentro de los dispositivos de
control podemos clasificar perfectamente a los variadores de velocidad y
frecuencia, que sin duda en la industria son muy importantes y
necesarios para controlar la velocidad en bombas de impulsión y
motores industriales como elementos finales de control o plantas, y
también tenemos a las UPS o bancos de baterías que lo que hacen es
proporcionarnos voltajes con muy buenas capacidades de corriente en
caso de cortes de suministro eléctrico y de esta manera nos permitan
trabajar de forma ininterrumpida.
FABRICANTES
Dentro de los fabricantes de estos versátiles dispositivos tenemos como
destacados a MITSUBISHI, FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, IXYS,
INFINEON TECHNOLOGIES, STMICROELECTRONICS, ya llevan varios
años en el mercado mundial distribuyendo este tipo de componentes.
CARACTERISTICAS PRINCIPALES
SIMBOLO
https://www.electronics-tutorials.ws/power/insulated-gate-
bipolar-transistor.html
COMPOSICIÓN INTERNA.
La sección transversal de silicio de un IGBT, es muy similar a la de un
MOSFET, exceptuando el sustrato p+. sin embargo el comportamiento
de este dispositivo es muy similar al de un BJT que al de un transistor
MOSFET. Lo anterior se debe básicamente al sustrato p+ que es el
responsable por decirlo así de la inyección de portadores minoritarios en
la región n.
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Tiristores-Especiales.php
https://www.electronics-tutorials.ws/power/insulated-gate-
bipolar-transistor.html
curvas característica de los IGBT.
Solución
El valor de R1 viene determinado por la necesidad del pico inicial de
corriente. Despejando R1 en la siguiente fórmula:
La corriente de puerta en conducción en régimen permanente determina el valor de R2: