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Parcial 3

Amplificadores FET
Duque C. Jorge H., Ocampo B Juan. J. Programa de Tecnología en Electrónica, Universidad del
Valle sede Cartago - Colombia.

Los amplificadores con transistores de efecto de


Resumen— Mediante el desarrollo del parcial se campo proporcionan una ganancia de voltaje
expondrán definiciones y conceptos relevantes acerca de excelente con la característica adicional de una alta
los transistores de efecto de campo o más conocidos como impedancia de entrada. Además son considerados
transistores FET, además ,se hará uso de ecuaciones y de
como configuraciones de bajo consumo de potencia
software de simulación, todo con el fin de llegar a una
buena comprensión de esta importante clase de con un adecuado rango de frecuencia y un tamaño y
semiconductores. peso mínimos. Tanto los dispositivos JFET como los
MOSFET de tipo decremental pueden emplearse
Palabras claves— FET, software de simulación, para diseñar amplificadores que cuenten con
ecuaciones. ganancias similares de voltaje. Sin embargo, el
circuito de MOSFET decremental tiene una
I. INTRODUCCIÓN impedancia de entrada mucho mayor que la de una
configuración JFET similar. [1].
. Mientras que un dispositivo BJT controla una
corriente de salida (colector) grande mediante una
Manuscrito entregado en el mes 06 el día 14 del año 2018. E.L.F, O.J.J, están corriente de entrada (base) relativamente pequeña, el
con la Universidad del Valle Sede Cartago, Escuela de Ingeniería, Programa
de Tecnología en Electrónica, Campus el Rosario. Colombia. dispositivo FET controla una corriente de salida
E-mail: jrghd1996@gmail.com, juansocampo11@gmail.com. (drenaje) por medio de un voltaje de entrada (voltaje
II. OBJETIVOS
de la compuerta) pequeño. Por tanto y en general, el
BJT es un dispositivo controlado por corriente y el
FET es un dispositivo controlado por voltaje. [1].

IMPEDANCIA DE SALIDA Zo DEL FET


Objetivo general
La impedancia de salida de los FETs es de magnitud
Comprender el funcionamiento y el comportamiento similar a la que tienen los BJTs convencionales.
del transistor de efecto de campo. En las hojas de especificaciones, la impedancia de
salida se presenta, por lo general, como yos con
Objetivos específicos unidades de μS. El parámetro yos es un componente
de admitancia de un circuito equivalente, el
Reconocer los parámetros y conceptos importantes subíndice o indica que se trata de un parámetro de la
para el buen manejo de esta clase de transistor red de salida (del inglés output) y las indica la
unipolar. terminal (fuente, source) de referencia del modelo.
La impedancia de salida se define sobre las
Hacer uso de las formulas vistas previamente en características de la figura 9.6 como la pendiente de
clase con el fin de llegar a un buen desarrollo la curva característica horizontal en el punto de
practico. operación. Mientras más horizontal sea la curva,
mayor será la impedancia de salida. Si ésta es
III. MARCO CONCEPTUAL perfectamente horizontal, se tendrá la situación ideal
de que la impedancia de salida sea infinita (un
circuito abierto), lo cual es una aproximación
aplicada con regularidad. [2].

FIG.0.2. Definición de gm mediante la característica


de transferencia. [3]

FIG. 0.1. Definición de rd mediante las ECUACIONES UTILIZADAS PARA LA


características del drenaje del FET. [2] RESOLUCIÓN DEL PARCIAL:

Si ahora revisamos las características de transferencia Contando con las siguientes ecuaciones:
de la FIG. 0.2., encontramos que gm es en realidad la
pendiente de las características en el punto de 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝐼𝐷𝑄 = (1)
operación. Es decir, al seguir la curvatura de las 2
características de transferencia, queda claro que la
pendiente, y por tanto gm, se incrementa a medida 𝑉𝐺𝑆𝑄 = 0,3 ∙ 𝑉𝑝 (2)
que se va de VP a IDSS. O en otras palabras, a
medida que VGS se acerca a 0 V, la magnitud de gm 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐷𝑆𝑄 = (3)
se incrementa. La Ecuación 9.2 muestra que se puede 2
calcular gm en cualquier punto Q sobre las
𝐼𝐷𝑆𝑆
características de transferencia, simplemente al 𝑔𝑚 = 1,42 ∙ (4)
seleccionar un incremento finito en VGS (o en |𝑉𝑝|
ID) cercano al punto Q y luego al localizar el cambio
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆𝑄
correspondiente en ID (o VGS, respectivamente). 𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 = (5)
Los cambios resultantes en cada cantidad 𝐼𝐷𝑄
posteriormente se sustituyen en la ecuación 9.2 para
(𝑅𝐷 || 𝑅𝐿)
determinar gm. 𝐴𝑣 = − (6)
1
+ 𝑅𝑠
𝑔𝑚

𝑉𝐺𝐺 = 𝑉𝐺𝑆𝑄 + 𝐼𝐷𝑄 ∙ 𝑅𝑆 (7)

−𝑏 ± √𝑏 2 − 4𝑎 ∙ 𝑐
𝑅𝐷 = (8)
2∙𝑎

A través de las anteriores ecuaciones será posible dar


solución a los datos requeridos para dar solución al
problema planteado y de tal forma llevar a cabo una 20000 ∙ 𝑅𝐷
5=
correcta simulación. (32040000 − 18398 ∙ 𝑅𝐷 − 𝑅𝐷2 )

5(32040000 − 18398 ∙ 𝑅𝐷 − 𝑅𝐷 2 ) = 20000 ∙ 𝑅𝐷


IV. DESARROLLO Y PROCEDIMIENTOS
160200000 − 91990 ∙ 𝑅𝐷 − 5𝑅𝐷2 = 20000 ∙ 𝑅𝐷

En el ejercicio para parcial se nos plantea, diseñar un 5𝑅𝐷 2 + 111990 ∙ 𝑅𝐷 − 160200000 = 0


amplificador JFET canal N tipo fuente común (FC),
con un 2N5459, el cual presenta las siguientes 𝑅𝐷 2 + 22398 ∙ 𝑅𝐷 − 32040000 = 0
características: VDD= 20V, RL = 20KΩ, Ren = 100KΩ,
y Av = -5, VGS = -8V, IDSS = 16mA. Con ayuda de la ecuación (8) podemos determinar el
valor de RD:
Haciendo uso de las ecuaciones planteadas dentro
del marco conceptual es posible dar solución al −22398 ± √223982 − 4(1) ∙ (−32040000)
ejercicio requerido. 𝑅𝐷 =
2 ∙ (1)
Al resolver la ecuación tenemos 2 resultados de RD:
Comenzando con la ecuación numero 1:
RD1= 1,350Ω
0.016𝐴
𝐼𝐷𝑄 = = 0.008 𝐴
2 RD2= -23,747Ω

𝑉𝐺𝑆𝑄 = 0,3 ∙ (−8𝑉) Como no existen resistencias negativas entonces se


𝑉𝐺𝑆𝑄 = −2,4𝑉 determina que el resultado correcto es RD1.
20𝑉
𝑉𝐷𝑆𝑄 = Teniendo entonces la ecuación (5) y al despejarla:
2
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 10𝑉
𝑅𝑆 = 1250Ω − 1350
0.016𝐴
𝑔𝑚 = 1,42 ∙ A partir de lo anterior es propio concluir que la
|8𝑉|
𝑔𝑚 = 0.00284𝑠 resistencia RS es aproximadamente 0.

20𝑉 − 10𝑉 Después de tener los valores anteriormente


𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 = expuestos se concluyó que estos valores eran
0.008
𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 = 1250Ω incorrectos para realizar una práctica por medio de
𝑅𝑆 = 1250Ω − 𝑅𝐷 software de simulación, y a partir de ello se
20000 ∙ 𝑅𝐷 reestructuraron los datos necesarios por medio de las
𝐴𝑣 = −
1
(𝑔𝑚 + 1250 − 𝑅𝐷) ∙ (20000 + 𝑅𝐷) siguientes ecuaciones:

𝑅𝑆 = 0
1 1
=
𝑔𝑚 0.00142 𝑉𝐺𝐺 = −2.4 + 0.008𝐴 ∙ 0
1
= 352
𝑔𝑚 𝑉𝐺𝐺 = −2.4

20000 ∙ 𝑅𝐷 𝑉𝐺𝐺 = 0 → 𝑅𝑆 = ∞
−5 = −
(352 + 1250 − 𝑅𝐷) ∙ (20000 + 𝑅𝐷)
0 = −2,4𝑉 + 0.008𝐴 ∙ 𝑅𝑆
2,4𝑉 de la resistencia RS para obtener un valor más
𝑅𝑆 =
0,008𝐴 aproximado a una ganancia de -5; de esta manera se
𝑅𝑆 = 300Ω obtuvo finalmente el siguiente circuito:
𝑅𝐷 = 1250Ω − 300Ω
𝑅𝑆 = 950Ω

Al realizar las ecuaciones necesarias para obtener los


datos requeridos para la simulación se procedió a
realizar el siguiente montaje:

FIG. 3. Circuito montado a partir de los cambios en


RS.

Generando finalmente la siguiente gráfica:

FIG. 1. Circuito montado a partir de los datos


obtenidos.

Este montaje nos generó una gráfica en el


osciloscopio que no era la que se pretendía obtener
con la realización del ejercicio.

FIG. 4. Grafica obtenida del circuito de la FIG .3.

Al realizar los cambios mencionados anteriormente


en RS y mostrados en la FIG 3. Fue posible conseguir
un valor en tensión de 500mV en la salida a partir de
100mV de entrada con una fuente senoidal.

FIG. 2. Grafica obtenida del circuito de la FIG .1.

V. RESULTADOS
Tras ver que el voltaje de salida no tenía la
amplificación deseada se procedió a variar el valor
Tras la realización de los análisis cuantitativos de un REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
FET se pretende hacer un análisis de ID conforme a
los requerimientos solicitados para el análisis del [1] R. Boylestad. Y L. Nashelsky. “Electrónica:
comportamiento propio de un FET. Teoría de circuitos y dispositivos”. Ed. 10, pp 462.
[2] R. Boylestad. Y L. Nashelsky. “Electrónica:
TABLA I Teoría de circuitos y dispositivos”. Ed. 10, pp 468.
VALORES OBTENIDOS PARA GRAFICA ID VS [3] R. Boylestad. Y L. Nashelsky. “Electrónica:
VDS. Teoría de circuitos y dispositivos”. Ed. 10, pp 463.

Mediante esta tabla es posible analizar la


disminución del valor de la corriente ID con respecto
a un aumento constante de VGS, comprendido desde
su voltaje mínimo hasta un voltaje máximo
proporcionado por el datasheet.

VI. CONCLUSIONES

Se pudo entender el modo de operación del


transistor de efecto de campo, comprendiendo que
su funcionamiento radica en la creación de un campo
eléctrico que controla la anchura del camino de
conducción por el cual conducirá la corriente de
drenaje.
Los transistores FET son dispositivos fáciles de
fabricar a comparación de los transistores BJT,
además son más eficientes con respecto a la
incidencia de ruido que se puede presentar en esta
clase de dispositivos.
Los transistores FET son más estables en cuanto a la
temperatura con respecto a los BJT y además son
transistores con más capacidad de disipación de
potencia y de conmutación de altas intensidades de
corriente.