Universidad Tecnológica de Panamá Electrónicos II

Universidad Tecnológica
Sede Regional de Chiriquí
Facultad de Ingeniería Eléctrica
Ingeniería Electromecánica

Materia:
Laboratorio de Electrónicos

Laboratorio:
Par Darlington

Profesora:
Gloria Gutiérrez

Realizado por:
Angel Santamaria 4-780-434
Alfredo Guerra 4-774-629

Fecha: 29/6/2018
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Introducción

En este caso trabajaremos con el mosfet de canal N y protección de compuerta además se

demostrara cómo funcionan los voltajes de operación y determinación de su ganancia incluso
de medir la relación de fase entre los voltajes de la compuerta, la fuente y el drenaje, cabe
destacar que es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro
tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en
transistores MOSFET. Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura
MOS. Los primeros son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un
canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta y Los MOSFET de
empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe
hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la puerta, lo cual ocasiona
una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de la
conductividad
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Objetivos:
 Verificar que la ganancia de corriente del par Darlington es mucho mayor que la
ganancia de corriente de un seguidor de emisor con un solo transistor.
 Verificar que la ganancia de corriente del par Darlington es mucho mayor que la
ganancia de corriente de transistores conectados en paralelo.
 Calcular y comparar la impedancia de entrada de un seguidor de emisor con par
Darlington con un seguidor de emisor de un solo transistor.

Equipos y Materiales:

Fuente de energía 0-9 Vcd, 75 mA Tablero

Elvis Computadora
Sistema de capacitación en electrónica
Q1,Q2 Transistor NPN, 2N2219A
R1 Potenciometro 500KΩ ,1W
R2 1 kΩ ,1W
R3 100Ω ,1W
R4 47Ω ,1W

Procedimiento con su respectiva respuesta:

Objetivo A. Verificar que la ganancia de corriente del par Darlington es mucho mayor que
la ganancia de corriente de un seguidor de emisor de un solo transistor.

1.a) Conecte el circuito seguidor de emisor indicado en la figura 18.2. En este experimento de
laboratorio el VOM se utiliza como micro amperímetro de cd y como voltímetro de cd para medir
la corriente de Base y el voltaje de emisor. Deje conectadas en todo tiempo las puntas del VOM
para lograr mayor exactitud. El potenciómetro R1 se utiliza para variar el voltaje de polarización
de la base. La resistencia R2 limita la corriente de base para proteger el transistor. La resistencia
R3 es la resistencia de carga del emisor inicialmente ajuste R1 al rango intermedio.

b)Ajuste 𝑉𝑐𝑐 a 9 𝑉𝑐𝑑

c) Ajuste R1 hasta que el micro amperímetro indique 4 µA.

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d) Mida y registre 𝑉𝐸 el voltaje a través de R3 entre emisor y tierra.

𝑉𝐸 = 0.07208 𝑉𝑐𝑑

e) Calcule la corriente 𝐼𝐸 de emisor utilizando la ley de ohm.

R= 𝐼𝐸 = 𝑉𝐸 /𝑅3

𝐼𝐸 = 0.07208/100𝛺 = 7208 µA.

f) Ajuste R1 para una corriente de base de 8 µA.

g) Mida y registre 𝑉𝐸 .

𝑉𝐸 = 0.14285 𝑉𝑐𝑑

h) Calcule 𝐼𝐸 .

𝐼𝐸 = 𝑉𝐸 /𝑅3
𝐼𝐸 = 0.14285/100𝛺
𝐼𝐸 = 1428.5 µ𝐴.

i) La ganancia de corriente es la medida del cambio en corriente de emisor producida como

resultado del cambio en la corriente de base. Calcule el cambio en la corriente de base restando
el valor de la corriente de base del paso c) al valor del corriente de base del paso f).

∆𝐼𝐵 = 8µ𝐴 − 4µ𝐴

∆𝐼𝐵 = 4µ𝐴

j) Calcule ∆𝐼𝐸 restando el valor de 𝐼𝐸 del paso e) del valor de 𝐼𝐸 del paso h).

∆𝐼𝐸 = 1428.5µ𝐴 − 720.8µ𝐴

∆𝐼𝐸 = 707.7µ𝐴

k) Calcule la ganancia de corriente del seguidor de emisor utilizando los valores de ∆𝐼𝐵 y ∆𝐼𝐸 que
se encontraron en i) y j).

Ganancia de Corriente= ∆𝐼𝐸 / ∆𝐼𝐵

Ganancia de Corriente= 707.7µA / 4µ𝐴

Ganancia de Corriente= 176.925 µA

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l) Reduzca 𝑉𝑐𝑐 a cero.

2.a) Ahora medirá la ganancia de corriente del par Darlington. Conecte el circuito mostrado en
la figura 18-3. Asegúrese de que el emisor de Q1 este conectado a la base del Q2 y que los
colectores estén unidos y a 𝑉𝑐𝑐 .

b) Ajuste 𝑉𝑐𝑐 a 9 𝑉𝑐𝑑 .

c) Ajuste R1 para una corriente de base a 1µA.

d) Mida y registre 𝑉𝐸 , el voltaje a través de R4 entre el emisor y tierra de Q2.

𝑉𝐸 = 0.666 𝑉𝑐𝑑
e) Calcule 𝐼𝐸 utilizando la ley de Ohm.

𝐼𝐸 = 𝑉𝐸 /𝑅4
𝐼𝐸 = 1417.21 µ𝐴
f) Ajuste R1 para una corriente de base de 2µA.

g) Mida y Registre 𝑉𝐸

𝑉𝐸 = 1.380 𝑉𝑐𝑑
h) Calcule 𝐼𝐸 .

𝐼𝐸 = 𝑉𝐸 /𝑅4
𝐼𝐸 = 290361.70 µ𝐴

i) Calcule el cambio en la corriente de base ∆𝐼𝐵 restando el valor de 𝐼𝐵 de 2 f).

∆𝐼𝐵 = 2µ𝐴 − 1µ𝐴

∆𝐼𝐵 = 1µ𝐴
j) Calcule ∆𝐼𝐸 restando el valor de 𝐼𝐸 de 2 e) del valor de 𝐼𝐸 de 2 h).

∆𝐼𝐸 = 29361.70µ𝐴 − 14170.21µ𝐴

∆𝐼𝐸 = 15191.49µ𝐴
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k) Calcule la ganancia de la corriente.

Ganancia de Corriente= ∆𝐼𝐸 / ∆𝐼𝐵

Ganancia de Corriente= 15191.49µA / 1µ𝐴

Ganancia de Corriente= 15191.49 µA

l) Reduzca 𝑉𝑐𝑐 a cero.

m) compare el valor de ganancia de corriente para el seguidor de emisor de una sola etapa del
procedimiento 1 k) contra la ganancia de corriente para el par Darlington del procedimiento 2
k). Indique si la Ganancia Darlington es mucho mayor.

R= En el procedimiento 1 k) la ganancia de corriente fue 176.925 µA mientras que en

procedimiento 2 k) la ganancia de corriente fue de 15 191.49 µA, como podemos ver en el
procedimiento 2 k) obtuvimos un valor mucho mayor que en el procedimiento 1 k).

Objetivo B. Verificar que la ganancia de corriente del par Darlington es mucho mayor que la
ganancia de corriente de transistores conectados en paralelo.

3. a) A veces se conecta en paralelo a los transistores para aumentar la capacidad total de

manejo de corriente del circuito. En este procedimiento medirá la ganancia de corriente de los
transistores en paralelo y la copara contra la del par Darlington. Conecte el circuito mostrado en
la figura 18-4. Asegúrese de que Q1 y Q2 estén conectados en paralelo en vez de en la
configuración Darlington.

b) Ajuste 𝑉𝑐𝑐 a 9 𝑉𝑐𝑑 .

c) Ajuste R1 para una corriente de base a 2µA.

d) Mida y registre 𝑉𝐸 , el voltaje a través de R3 entre el emisor y tierra.

𝑉𝐸 = 0.03098 𝑉𝑐𝑑
e) Calcule 𝐼𝐸 total utilizando la ley de Ohm.

𝐼𝐸 = 𝑉𝐸 /𝑅3
𝐼𝐸 = 309.8 µ𝐴

f) Ajuste R1 para una corriente de base de 4µA.

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g) Mida y Registre 𝑉𝐸

𝑉𝐸 = 0.06410 𝑉𝑐𝑑
h) Calcule 𝐼𝐸 .

𝐼𝐸 = 𝑉𝐸 /𝑅3
𝐼𝐸 = 0.06410 𝑉/100𝛺
𝐼𝐸 = 641 µ𝐴.

i) Calcule el cambio en la corriente de base ∆𝐼𝐵 restando el valor de 𝐼𝐵 de 3 f).

∆𝐼𝐵 = 4µ𝐴 − 2µ𝐴

∆𝐼𝐵 = 2µ𝐴
j) Calcule ∆𝐼𝐸 restando el valor de 𝐼𝐸 de 3 e) del valor de 𝐼𝐸 de 3 h).

∆𝐼𝐸 = 641µ𝐴 − 309.8µ𝐴

∆𝐼𝐸 = 331.2µ𝐴

k) Calcule la ganancia de la corriente.

Ganancia de Corriente= ∆𝐼𝐸 / ∆𝐼𝐵

Ganancia de Corriente= 331.2µA / 2µ𝐴

Ganancia de Corriente= 165.6 µA

l) Reduzca 𝑉𝑐𝑐 a cero.

m) Compare la ganancia de corriente de los transistores conectados en paralelo contra la

ganancia del par Darlington que encontró en el procedimiento 2. ¿Cuál tiene la mayor
ganancia de corriente?

R= La ganancia en este procedimiento fue de 165.6 µA mientras que la obtenida en el par

Darlington fue de 15191.49 µA evidentemente la del par Darlington fue mucho mayor a la de
los transistores en paralelo.
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Objetivo C. Calcular y comparar la impedancia de entrada de un seguidor de emisor de emisor

con un par Darlington contra un seguidor de emisor de un solo transistor.

4.a) Los valores de Ganancia de corriente que se encontraron para el seguidor de emisor en 1 k)

Y para el par Darlington en 2 k) representa realmente la beta de ca de los transistores que se

utilizan en estos 2 circuitos. La impedancia de entrada a cualquiera de estos dos circuitos se
puede aproximar multiplicando el valor de β por la resistencia de carga , en este caso la
resistencia de emisor. Usando la ganancia de corriente de 1 k) y el valor de 100 ohms de la R3
de emisor, calcule la impedancia 𝑍𝑖 de entrada del seguidor de emisor.

𝑍𝑖 = 𝛽 × 𝑅𝐿 = 𝛽 × 𝑅3
𝑍𝑖 = 176.925 µ𝐴 × 100𝛺
𝑍𝑖 = 17.6925 𝐾𝛺

b) Ahora calcule 𝑍𝑖 para el par Darlington utilizando la ganancia de corriente de 2 k) y el valor

de 47 Ω de la resistencia de emisor R4.

𝑍𝑖 = 𝛽 × 𝑅𝐿 = 𝛽 × 𝑅4
𝑍𝑖 = 15791.49 µ𝐴 × 47𝛺
𝑍𝑖 = 714.000 𝐾𝛺

c) Compare los 2 valores de la impedancia de entrada. ¿Cual es mayor, el seguidor de emisor o

el par Darlington?.

R= La impedancia de entrada del par Darlington (714 𝐾𝛺) es mucho mayor que la impedancia
de entrada del seguidor de emisor de un solo transistor (17.6925 𝐾𝛺).

Resumen

En este experimento de laboratorio se vieron algunas características importantes del par

Darlington en comparación con otros circuitos relacionados. Primero determinó la ganancia de
corriente de un seguidor de emisor de un solo transistor. Variando la corriente de base y
midiendo los cambios en el voltaje de emisor, pudo calcular la ganancia de corriente. Luego en
la misma manera determinó la ganancia de corriente de un seguidor de emisor con el par
Darlington, y encontró que su ganancia es mucho mayor que la del seguidor de emisor de un
solo transistor (Aproximadamente igual a beta al cuadrado). Mediante medición y calculo,
determinó la ganancia de corriente de los transistores conectados en paralelo. De nuevo, por
comparación, encontró que la ganancia de par Darlington es la mayor de los dos circuitos, por
amplio margen. Finalmente, Calculó la impedancia de entrada del par Darlington y el seguidor
de emisor de un solo transistor y encontró que es mucho mas alta para el par Darlington.
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Cuestionario

1-¿ Cuál de las siguientes conexiones de transistor tiene la mayor ganancia de corriente?

a) Darlington
b) Paralelo.
c) Serie.
d) Seguidor de emisor.

2-Se conectan dos transistores en una configuración Darlington, uno de los cuales tiene una beta
de 75 y la beta del otro es de 125. La beta del circuito Darlington será:

a) 125.
b) 200.
c) 937.
d) 9375.

3-En determinado transistor, un cambio en la corriente de base de los micro amperes provoca
un cambio en la corriente de colector de 100 micro amperes. La beta del transistor es:

a) 100.
b) 25.
c) 50.
d) 75.

4-Se mide el voltaje de emisor para determinado transistor y se encuentra que es de 2.2 volts.
Si se utiliza una resistencia de 220 ohms, ¿Cuál es la corriente de emisor?:

a) 100 µA.
b) 1000 µA.
c) 10 000 µA.
d) 100 000 µA.

5-En el circuito Darlington de la pregunta 2, ¿ Cuál es la impedancia de entrada si la carga es una

Bocina de 8 ohms?

a) 64 Ω.
b) 75 KΩ.
c) 7496 Ω.
d) 1600 Ω.
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6-Al par Darlington se le puede llamar:

a) Amplificador de Corriente.
b) Amplificador de Potencia.
c) Amplificador de Beta.
d) Todos los Anteriores.

Análisis y Resultados
Circuito Armado para sus previas mediciones:

Fig.9.1.1 Circuito con Mosfet con ambas compuertas conectada.

Objectivo B. Mostrar cómo funciona un amplificador de voltaje con MOSFET y determinar su

ganancia de voltaje.
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Fig.9.2.1 Generador ajustado con onda senoidal a 1 Khz.

Fig.9.3.1 Señal de salida de pico a pico en el drenaje del amplificador que se muestra en azul.

𝑽𝟎 = 𝟐𝟎𝟎𝒎𝒗 𝒗𝒑𝒑
Como se muestra en el osciloscopio

Donde

𝑉𝑖 = 20.0 𝑚𝑉
𝑉𝑜 = 200𝑚𝑉
Para la ganancia de voltaje
𝑉𝑜 200𝑚𝑉
𝐴𝑣 = = = 10
𝑉𝑖 20.0𝑚𝑉

 Fig.9.4.1 señal de salida de pico a pico en el drenaje del amplificador con el capacitor
de 25uF conectado en paralelo con la resistencia 𝑅4
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Voltaje de entrada del amplificador

𝑉𝑖 = 20𝑚𝑉
Voltaje de entrada del amplificador

𝑉𝑜 = 200𝑚𝑉

La ganancia calculada sigue manteniendo la misma relación pero se amplifica más debido al
capacitor conectado en paralelo.

Ganancia de voltaje de este amplificador, si la transconductancia es de 6000

micromhs

𝐴𝑣 = 𝑔𝑚 𝑅𝐿

𝐴𝑣 = (6𝑥10−3 )(1𝑘Ω) = 6

Objetivo C. Medir la relación de fase entre los voltajes de compuerta, fuente y drenaje de un
amplificador de voltaje con MOSFET.

Fig.9.3.1 Capacitor de acoplamiento horizontal conectado a la compuerta del

amplificador.
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Fig.9.3.2 Capacitor de acoplamiento horizontal conectado al drenaje del

amplificador.

Fig.9.3.3 Capacitor de acoplamiento horizontal conectado al drenaje del

amplificador.

Conclusión

En este laboratorio pudimos observar al el mosfet de canal N y protección de compuerta en el

experimento se demostró cómo funcionan los voltajes de operación y pudimos determinar las
ganancias, aparte de observar y poner a prueba su funcionamiento, también pudimos medir la
relación de fase entre los voltajes de la compuerta, la fuente y el drenaje, este es el transistor
más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.