“Año del Diálogo y Reconciliación Nacional”

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA

Informe previo n°2

Amplificador básico a transistor

Docente:
Huamani Huamani Edilberto

Alumno:
 Carbajal Jara Wilder Javier 20141237A
Sección: “A”
Fecha: 17/05/2018

LIMA-PERU
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Contenido
OBJETIVOS..................................................................................................................3
FUNDAMENTO TEORICO...........................................................................................4
Parámetros característicos del transistor..................................................................4
Curvas características...............................................................................................9
El transistor como amplificado................................................................................15
Bibliografía..................................................................................................................19

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OBJETIVOS

 Construir y operar un circuito amplificador básico a transistor. reconocer en la

práctica la configuración de emisor común.

 fortalecer el conocimiento utilidad y función del transistor trabajó en DC y en AC.

 operar el circuito amplificador básico para determinar el correspondiente punto de

operación del transistor, sus componentes: corriente de base, corriente de colector y
voltaje entre colector y emisor. reconoce del transistor a partir de valores medidos.

 Operar el circuito amplificador básico con pequeña señal, determinar la ganancia de

tensión a partir de los valores medidos. reconocer la máxima excursión simétrica y
las razones por las cuales hay distorsión en la tensión de salida.

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FUNDAMENTO TEORICO

Parámetros característicos del transistor

En este capítulo, se exponen los principales parámetros que se utilizarán para el trabajo con
transistores.

Parámetro α

El parámetro α de un transistor indica la relación de semejanza que se produce en la

corriente de colector y las variaciones de las corrientes del emisor.

Así, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variación de la
corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una variación de 8
mA en la corriente de emisor, tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequeña, en la mayor parte de los
transistores el valor del parámetro α se acerca a la unidad.

Ganancia de corriente o parámetro β de un transistor

La circunstancia de que una pequeña corriente de base controle las corrientes de emisor y
colector mucho más elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para conseguir
una ganancia de corriente. Así, la ganancia de corriente de un transistor es la relación que
existe entre la variación o incremento de la corriente de colector y la variación de la
corriente base.

Así, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variación de corriente
de colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia será:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales varía bastante de unos a otros. Así,
nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen una β de tan sólo 20. Por otro
lado, los transistores de pequeña señal pueden llegar a tener una β de 400. Por todo ello,
se pueden considerar qe los valores normales de este parámetro se encuentran entre 50 y
300.

En las tablas de especificaciones técnicas, que facilitan los fabricantes de transistores, en

vez de utilizarse la β para identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar h FE. Así, por
ejemplo, para el transistor de referencia BC108 se lee en sus hojas de características, una
hFE entre 150 y 290; lo que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede
encontrarse entre estos valores.

¿Cómo es posible que en las hojas de características del transistor BC 108 nos indiquen
que posee una ganancia comprendida entre 150 y 290?

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La respuesta está en que la ganancia de corriente de un transistor varía de una forma

sustanciosa con la corriente de colector. Además, la temperatura ambiente influye
positivamente en el aumento de dicha corriente. Hay que pensar que al aumentar la
temperatura de la unión del diodo colector aumenta el número de portadores minoritarios y,
por tanto, se produce un aumento de la corriente de colector.

Para poder cuantificar este fenómeno, los fabricantes de transistores proporcionan, en las
hojas de especificaciones técnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se relacionan
las variaciones que sufre β con respecto a la corriente de colector y a la temperatura
ambiente.

En estas curvas, se puede apreciar cómo la ganancia de corriente aumenta hasta un valor
máximo mientras la corriente de colector aumenta; sobrepasado ese límite, para mayores
valores de dicha corriente, la ganancia decrece. También, se hace observar la existencia de
tres curvas distintas, que indican diferentes condiciones de trabajo para diferentes
temperaturas ambiente.

Cuando se diseña un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas variaciones de
la ganancia de corriente, de lo contrario se podrían cometer errores sustanciales, que
invalidarían las condiciones de trabajo requeridas por el diseño inicial.

Relación entre los parámetros α y β

Combinando las expresiones de los parámetros anteriores: α = IC/IE y β = IC/IB y teniendo en

cuenta la relación existente entre las diferentes corrientes que se dan en el transistor I E =
IC+IB, se pueden encontrar las expresiones matemáticas que relacionen ambos parámetros,
tal como se indica a continuación.

Así, por ejemplo, para determinar el parámetro α de un transistor que tuviese una ganancia
de corriente de 150, operaríamos así:

Tensiones de ruptura

Al igual que ocurría con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera de las
uniones de un transistor aparecen pequeñas corrientes inversas, que no provocarán la
ruptura de dichas uniones si la tensión que se aplica no supera los valores máximos fijados
en las hojas de especificaciones técnicas.

1. Tensión inversa colector-base (VCBO) con el emisor abierto

En este caso, la unión formada por la base y el colector

están polarizadas inversamente con la tensión VCB. Como
ocurría con los diodos, esto provoca la circulación de una
pequeña corriente de fuga (ICBO) que no será peligrosa
hasta que no se alcance la tensión de ruptura de la
unión. Normalmente esta tensión suele ser elevada (del
orden de 20 a 300 V).

Nunca deberá trabajarse, por supuesto, con una tensión

superior a la indicada por el fabricante en sus hojas técnicas. Este dato suele aparecer
indicado con las siglas VCBO.

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2. Tensión inversa colector-emisor con la base abierta

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se

aplica una tensión entre el colector y el emisor que es
igual a la suma de las tensiones de las fuentes de
emisor a colector. Esta fuerte diferencia de potencial
provoca un pequeño flujo de electrones que emite el
emisor y que se sienten fuertemente atraídos por el
potencial positivo de la fuente. El resultado es una
pequeña corriente de fuga de emisor a colector I CEO. Al
igual que ocurría anteriormente, el valor de esta corriente está determinado por la tensión
colector-base (VCEO) aplicada. En las hojas técnicas también aparece la tensión máxima de
funcionamiento (VCEO) que en ningún caso debe ser superada, para evitar el peligro de
destrucción del semiconductor.

Así, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de especificaciones técnicas
aparecen los siguientes valores para las tensiones de ruptura: V CBO = 30V y VCEO = 20V, lo
que significa que este transistor nunca deberá operar con tensiones superiores a estos
valores especificados.

Resistencia de entrada

Se podría decir que la resistencia de entrada de un

transistor es la que presenta éste, visto desde los bornes
de entrada.

Al observar la característica de transferencia del transistor,

representada en la figura de abajo, se puede ver que la
intensidad de base aumenta con la tensión base-emisor.

Pues bien, a la relación existente entre las variaciones de

tensión base-emisor y las de la corriente de base, que se
corresponden con la tensión y la corriente de entrada, se la
denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el cálculo de la resistencia de entrada nos

valdremos de la curva característica de transferencia.

Regiones de trabajo

Existen cuatro condiciones de polarización

posibles. Dependiendo del sentido o del signo
de los voltajes de polarización en cada una de
las uniones del transistor, éste se puede
encontrar en alguna de las cuatro regiones
que se pueden observar en el gráfico de la
derecha. Estas regiones son; Región activa
directa, Región de saturación, Región de corte
y Región activa inversa. A continuación,
podemos observar el comportamiento de cada
una de estas regiones.

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La región activa directa corresponde a una polarización directa de la unión emisor-base.

Esta es la región de operación normal del transistor para amplificación.

La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

Centrando la atención en la
recombinación de los electrones
en la base procedentes del
emisor podemos observar que allí
donde había un hueco pasa a
haber, tras la recombinación, un
ión negativo inmóvil. Si
desaparecen los huecos de la
base y se llena de iones
negativos, se carga
negativamente, y se repelen los
electrones procedentes del
emisor. En este caso se impediría
la circulación de la corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga
huecos para que haya corriente de colector.

Por tanto, por cada electrón recombinando hay que introducir un hueco nuevo que
neutralice la carga negativa. Si la reposición de huecos es lenta (corriente I B pequeña) la
capacidad de inyectar electrones será baja, debido a la repulsión eléctrica. Este fenómeno
tiene la propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional, denominada ganancia directa de corriente, o

bien ganancia estática de corriente.

Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atraídos por el potencial
positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unión BC, y dar origen a la corriente de
colector IC

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Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drásticamente el número de

portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta
también

Región activa inversa

Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor-base y a una polarización

directa de la unión colector-base. Esta región es usada raramente.

Región de corte

Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La operación en ésta región

corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo aplicaciones de conmutación en el
modo apagado, pues el transistor actúa como un interruptor abierto (IC 0).

En este caso las dos uniones están

polarizadas en inversa, por lo que
existen zonas de deflexión en torno a
las uniones BE y BC. En estas zonas
no hay portadores de carga móviles,
por lo tanto, no puede establecerse
ninguna corriente de mayoritarios. Los
portadores minoritarios sí pueden
atravesar las uniones polarizados en
inversa, pero dan lugar a corrientes
muy débiles. Por lo tanto, un transistor
en corte equivale a efectos prácticos, a
un circuito abierto.

Región de saturación

Corresponde a una
polarización directa de
ambas uniones. La
operación de esta
región corresponde a
aplicaciones de
conmutación en el
modo encendido, pues
el transistor actúa como
un interruptor cerrado
(VCE 0).

Avalancha secundaria. Curvas SOA.

Si se sobrepasa la mácima tensión permitida entre colector y base con el emisor abierto
(VCBO), o la tensión máxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (V CEO), la
unión colector - base polarizada en inverso entre en un proceso de ruptura similar al de
cualquier diodo, denominado avalancha primaria. Sin embargo, puede darse un caso de
avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por debajo de los límites anteriores
debido a la aparición de puntos calientes (focalización de la intensidad de base), que se
produce cuando tenemos polarizada la unión base - emisor en directo. En efecto, con dicha
polarización se crea un campo magnético transversal en la zona de base que reduce el
paso de dicha polarización se crea un campo magnético trransversal en la zona de base
que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequeña zona del dispositivo (anillo

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circular). La densidad de potencia que se

concentra en dicha zona es proporcional al
grado de polarización de la base, a la corriente
de colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor,
se produce en los puntos calientes un
fenómeno degenerativo con el consiguiente
aumento de las pérdidas y de la temperatura. A
este fenómeno, con efectos catastróficos en la
mayor parte de los casos, se le conoce con el
nombre de avalancha secundaria (o también
segunda ruptura).

El efecto que produce la avalancha secundaria

sobre las curvas de salida del transistor es producir unos codos bruscos que desvían la
curva de la situación prevista (ver gráfica inferior derecha).

El transistor puede funcionar por encima de la zona límite de la avalancha secundaria

durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra
unas curvas límite en la zona activa con los tiempos límites de trabajo, conocidas como
curvas FBSOA.

Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de cruvas para
corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.

Todo lo descrito anteriormente se

produce para el ton del dispositivo.
Durante el toff, con la polarización
inversa de la unión base-emisor se
produce la focalización de la corriente
en el centro de la pastilla de Si, en un
área más pequeña que en polarización
directa, por lo que la avalancha puede
producirse con niveles más bajos de
energía. Los límites de IC y VCE durante
el toff vienen reflejados en las curvas
RBSOA dadas por el fabricante.

Curvas características
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parámetros para
determinar el estado eléctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las
leyes básicas de resolución de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parámetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y

bajo la acción de unas excitaciones concretas, existirán unos valores de estos cuatro
parámetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se
denomina punto de operación (Q).

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Las curvas características más

empleadas en la práctica son las que
relacionan VBE con IBy VCE con IC e IB. Con
frecuencia, estas curvas son facilitadas
por los fabricantes.

Características VBE-IB

Mediante esta curva podemos determinar

los efectos que producen las variaciones
de la tensión de polarización VBE sobre la
corriente de base IB. Estas gráficas
reciben el nombre de curvas
características de transferencia. Las
curvas que se obtienen son muy
similares a la de un diodo cuando se
polariza directamente.

Estas tensiones permanecen prácticamente

constantes, por lo que serán de gran ayuda para
localizar averías en circuitos con transistores.

La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede aplicarse dado que la
unión base - emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al polarizarla, seguirá el
mismo comportamiento que aquel.

La curva representada en la figura sigue la expresión:

Características VCE-IC

Estas características también son conocidas

como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensión e intensidad del
colector. En la siguiente figura, se muestran una
familia de curvas de colector para diferentes
valores constantes de la corriente base.

Idealmente, en la Región Activa, la corriente de

colector depende exclusivamente de la de base, a
través de la relación IC=β+IB. Por lo tanto, en el
plano VCE-IC la representación estará formada por rectas horizontales (independientes de
VCE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para
β=100).

Evidentemente, no se dibujan más que unos valores de I B para no emborronar el gráfico.

Para IB=0, la corriente de colector también debe ser nula. La región de corte está
representada por el eje de abscisas. Por contra, para VCE=0 el transistor entra en saturación,
luego esta región queda representada por el eje de ordenadas.

Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un
poco más compleja, y las curvas quedarán como representa la siguiente figura:

Las diferencias son claras:

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 En la Región Activa la corriente del colector

no es totalmente independiente de la
tensión colector-emisor. Para valores altos
de la corriente cobra importancia la
resistencia interna del transistor.

 La región de saturación no aparece

bruscamente para VCE=0, sino que hay una
transición gradual. Típicamente se suele
considerar una tensión de saturación
comprendida entre 0.1V y 0.3V.

Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se

puede comprobar que, para una tensión constante de colector-emisor, si se producen
pequeñas variaciones de la corriente de base (del orden de µA) esto origina unas
variaciones en la corriente de colector mucho más elevadas (del orden de mA), de lo cual se
deduce la capacidad del transistor para amplificar corrientes.

Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensión V CE afecta muy poco a la corriente
de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de VCEO), la unión del colector
entra en la región de ruptura y éste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensión
VCE es muy pequeña (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector será muy débil,
obteniéndose una ganancia de corriente muy baja. En conclusión, para conseguir que el
transistor trabaje como amplificador de corriente, la tensión de polarización inversa V CE debe
mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensión de ruptura.

Recta de carga del transistor

Hemos de conocer el comportamiento del

transistor trabajando con una determinada
resistencia de carga y averiguar el punto
de funcionamiento del mismo. Para ello,
trazamos la recta de carga del transistor en
las curvas de colector para poder
determinar los puntos de funcionamiento.

Para determinar la corriente que circula por el

colector (emisor común), podemos aplicar la
ley de Ohm entre los extremos de la
resistencia de carga RL. La tensión
aplicada a esta resistencia se
corresponderá con la tensión total aplicada
por la fuente VCC menos la caída de tensión
que se produce entre el colector y el
emisor VCE. De esta forma obtendremos la
siguiente expresión, que se corresponderá con la ecuación de la recta de carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva característica, lo primero que hay que hacer es
encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0).

Para VCE=0

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Para IC=0

Llevando estos valores a la curva característica de

colector, obtendremos la recta de carga para una
determinada resistencia de carga RL y una fuente VCC.

A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres

partes fundamentales: puntos de corte, punto de
saturación, punto de trabajo.

El punto de corte es donde la línea de carga corta a

la curva correspon-
diente a la corriente de base igual a cero (I B=0). Dada
la escasa polarización directa a que queda sometido
el diodo de emisor-base, la corriente que aparece por
el colector es prácti-
camente nula (sólo circula una pequeñísima corriente
de fuga ICEO). Haciendo una aproximación, se puede
decir, sin equivocarse mucho, que el punto de corte
se da en la intersección de la recta de carga con el
eje horizontal, es decir cuando VCecorte=VCC.

El punto de saturación aparece donde la línea de

carga corta a la intensidad de base de saturación. En este punto, la corriente de colector es
la máxima que se puede dar para la operación de transistor, dentro de los límites de la recta
de carga. Haciendo una aproximación, se puede decir que el punto de saturación aparece
en la intersección de la recta de carga con el eje vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturación se produce también el efecto de

saturación en el transistor.

El punto de trabajo es aquél donde el transistor trabaja de una forma normal y que,
normalmente, se encuentra entre la zona de corte de saturación. Para determinar el punto

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de trabajo (Q) de transistor para una determinada corriente de base (I B), se busca el punto
de intersección de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base.

Por último, hay que indicar que, cuando se diseña un circuito para un transistor, se tiene que
procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia máxima. Esto se
consigue eligiendo valores adecuados de la tensión de fuente V CC y de la resistencia de
carga RL, de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores, esté siempre por
debajo de la curva de potencia máxima. En la figura siguiente, es esquematiza esta
situación:

Obtención de la Ganancia a partir de las curvas características

La ganancia en corriente de un transistor se definía como la relación que se da entre la

variación de la corriente d el colector y la variación de corriente de base. Para determinar
dicha ganancia se puede recurrir a las características del colector.

Como ejemplo, supongamos que las curvas características del transistor ensayado es la
que se muestra en la figura de la izquierda.

Para un punto de funcionamiento situado en VCE=20V, según las cruvas de la figura de la

izquierda, la intensidad de colector variará entre IC=28mA e IC=43mA, mientras que la
intensidad de base lo hará entre IB=0.10mA e IB=0.15mA. La ganancia se calcula así:

Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra trabajando el

transistor, es decir, la tensión que se le está aplicando al mismo, y con ello, la ganancia
calculada, será para esa tensión de trabajo, siendo para otra, otra ganancia diferente de la
calculada en otro punto.

Curva de máxima potencia del transistor

Una de las aplicaciones de las curvas características de un transistor, es que, a partir de

éstas se pueden determinar los límites de funcionamiento del mismo. Estos límites están
determinados por una potencia máxima que puede desarrollar un transistor sin provocar su
destrucción.

Veamos en qué consiste éste fenómeno:

El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que varía en función dela
intensidad que se le aplique a su base I B. Por esta resistencia variable circula una corriente
IC, relativamente grande, que provoca en la misma una potencia calorífica o calentamiento,
debido al efecto Joule. Esta potencia se calcula realizando el producto de la tensión V CE,
aplicada entre el colector y el emisor, por la intensidad de colector IC. (P = VCE·IC).

Como esta potencia se transforma íntegramente en calor, provoca un aumento de la

temperatura en el transistor que, en el caso de salirse de los límites admisibles, provocará la
destrucción del mismo.

La potencia máxima trabajo de un transistor es un dato que proporciona los fabricantes en

las hojas de especificaciones técnicas.

Así, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia máxima de 300mW.

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Con este dato se puede trazar una curva de potencia máxima sobre la familia de curvas de
colector, para así poder determinar para qué tensiones de colector-emisor y corrientes de
colector es posible trabajar con el transistor sin que se deteriore.

Por ejemplo, para no superar los valores límite, en el caso del transistor BC107 se deberá
cumplir en todo momento la expresión:

Luego la curva de potencia máxima para este

transistor será tal que el producto VCE·IC=0.3W.

En la figura de la derecha, se muestran las curvas

correspondientes a la familia de colector del transistor
BC107, y en las que se ha añadido la curva de
potencia máxima.

La hipérbola divide a la característica en dos zonas

diferenciadas: la zona prohibida de funcionami-
ento, que queda por encima de la misma (sombreado
con naranja), en la cual la potencia es mayor de
300mW y, por lo tanto, es donde el transistor corre
peligro de destrucción por la acción del calor; y la zona
de trabajo, que queda por debajo de la hipérbola, y en la cual la potencia es inferior a
300mW.

Influencia de la temperatura ambiente en la potencia máxima de un transistor

La potencia máxima que puede disipar un transistor, en forma de calor, depende de la

temperatura máxima permitida en la unión colector T j(max). Esta temperatura nunca debe
ser superada, ya que a partir de ella se puede destruir el transistor. Este dato aparece en las
hojas de características del componente. Así, por ejemplo, el transistor BC107 posee una
Tj (max) de 175ºC.

La potencia máxima a que puede trabajar un transistor también depende de la temperatura

ambiente. Hay que tener en cuenta que el calor producido en las uniones se conduce a
través del encapsulado del transistor y se disipa al aire que le rodea. Cuanto mayor sea la
temperatura de este aire (temperatura ambiente), peor será la ventilación del transistor, y
por lo tanto, menor la potencia máxima que se le puede exigir al mismo.

Por lo general, en las hojas de características técnicas se indica la potencia máxima para
una temperatura ambiente de 25ºC.

En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habría que encontrar la potencia
máxima de funcionamiento para que el transistor trabaje dentro de sus límites de
temperatura admisibles. En algunas hojas de especificaciones técnicas aparece la curva de
reducción, como la que se encuentra en la figura de la derecha.

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Esta curva, nos indica que para una temperatura

ambiente de 25ºC, la potencia máxima es de 125mW.
Sin embargo, para 55ºC, la potencia máxima disminuye
a 50mW.

En el caso de que se desee aumentar la potencia de un

transistor, se puede acoplar un disipador de calor, o
aleta de refrigeración en la superficie de la cápsula del
mismo, de esta forma, se consigue que el calor se
evacúe con mayor facilidad hacia el aire exterior.

El transistor como amplificado

La necesidad de amplificar las señales es casi una
necesidad constante en la mayoría de los sistemas
electrónicos. En este proceso, los transistores desarrollan un papel fundamental, pues bajo
ciertas condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de señal mayor
de la que absorben.

El aálisis de un amplificador mediante su asimilación a un cuadrípolo (red de dos puertas),

resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de parámetros
relativamente simples que nos proporcionan información sobre su comportamiento.

En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los sonidos y

de las señales en general. El amplificador posee una entrada por donde se introduce la
señal débil y otra por donde se alimenta con C.C. La señal de salida se ve aumentada
gracias a la aportación de esta alimentación, siguiendo las mismas variaciones de onda que
la de entrada.

La señal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan
dispositivos como el micrófono (transforman ondas sonoras en señales eléctricas que
siguen las mismas variaciones que las primeras), sensores térmicos, luminosos, etc.

Cuando un amplificador realiza la función de elevar la señal que ha sido aplicada a su

entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la
ganancia de un amplificador es la relación que existe entre el valor de la señal obtenida a la
salida y el de la entrada. Dependiendo de la magnitud eléctrica que estemos tratando, se

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pueden observar tres tipos de ganancia: ganancia en tensión, ganancia en corriente y

ganancia en potencia.

De esta forma podemos definir los siguienteas parámetros:

1. Ganancia de tensión (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi

2. Impedancia de entrada (ohmnios): Zi = Vi / Ii

3. Impedancia de salida (ohmnios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0)

4. Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii

5. Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi

Un amplificador será tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea su
impedancia de entrada y salida.

En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo que es

válido para un margen de frecuencias no tiene porqué serlo necesariamente para otro. De
todas formas, en todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia
permanece prácticamente constante (banda de paso del amplificador). El margen dinámico
de un amplificador es la mayor variación simétrica de la señal que es capaz de presentar sin
distorsión a la salida; normalmente expresado en voltios de pico (V p) o Voltios pico-pico
(Vpp).

Ampliación

Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partirá del circuito
de la figura, en el que el transistor se conecta en la configuración denominada de emisor
común.

El generador Veb asegura que la unión base-emisor esté polarizada en sentido directo. Una
batería Vc (Vc>> Vbe) proporciona la tensión de polarización inversa a la unión del emisor.

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El circuito de entrada, en el que se aplicará la señal que se desea amplificar, es el que

contiene a la base y el emisor. El circuito de salida está conectado a las terminales del
colector y del emisor. Rc es la resistencia de carga del circuito de salida.

Supondremos que, cuando la tensión de entrada es nula (terminales de entrada

cortocircuitadas), las corrientes que circulan por cada terminal son I e, Ib e I0, con los sentidos
indicados en la figura.

A continuación, se calcularán cuales son los incrementos que se producen en dichas

intensidades si se modifica ligeramente la tensión Web, aplicando una ddp adicional a la
entrada.

En este desarrollo, se admitirá que el incremento de tensión aplicado, es lo suficientemente

pequeño para que las variaciones de intensidad que provoca estén relacionadas
linealmente con él.

Asimismo, se despreciarán los efectos dinámicos producidos por la aplicación de una

diferencia de potencial, aplicada muy lentamente.

a. Variación de la intensidad de salida (-I0).

Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de salida es -I 0. Dicha intensidad tiene,

tres componentes: Ipb, Ibb e Inc. Ahora bien, en un transistor polarizado en el modo activo, la
corriente Ipb es muy superior a las otras dos (unas mil veces superior en el ejemplo anterior)
por lo que, a efectos de cálculo de las variaciones en la intensidad del colector, es admisible
suponer que:

Suponiendo que la variación de Veb, incremento de V, es pequeño, la variación de la

corriente de salida es:

... y llamando transconductancia, gm, al factor I0/VT, resulta que:

La transconductancia tiene las dimensiones de una conductancia y su valor depende de la

temperatura y del punto de funcionamiento. A la temperatura ambiente, g m vale unos 0.04
mOhmnios por mA de intensidad en el colector.

b. Variación de la intensidad de entrada (-Ib)

La corriente de base, tiene, según hemos expuesto, tres componentes: I ne, Ibbe Inc. De ellas,
tan sólo las dos primeras dependen directamente de la tensión V eb. Nos limitaremos, por
tanto a calcular sus variaciones.

De las ecuaciones anteriores se deduce que:

Por otra parte, el término exponencial puede expresarse en función de la intentsidad del
colector:

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El incremento de la corriente de base es:

Denominando a todo el término entre corchetes, tendremos que:

El parámetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de base, produce un incremento

de la tensión Veb. Así al disminuir la barrera de potencial en la unión emisor-base, se
produce un aumento de huecos inyectados desde el emisor, aumentando la concentración
de portadores minoritarios en la base, lo que conduce a un incremento de la tasa de
recombinación. Debido a ello, Ibb crece.

Por otra parte, la disminución de la barrera de potencial antes citada, supone un incremento
del número de electrones inyectados en el emisor desde la base, con lo que se produce un
aumento de la corriente Ine.

c. Variación de la tensión colector-emisor (Vce).

La tensión colector-emisor es:

Por tanto, si Veb se incrementa, Vce variará como:

La expresión anterior implica que el incremento de la tensión colector-emisor puede

aumentar sin límite, sin más que incrementar suficientemente la resistencia de carga R 0. Tal
suposición no es cierta cierta ya que hay que tener presente que, en el modelo simplificado
que se ha desarrollado, no se ha tenido en cuenta el efecto de la tensión de polarización
inversa Vcb sobre la anchura de la base, W. Valores muy elevados de gmRm suponen una
importante variación de Vcb, lo que modificaría notablemente la anchura W, no siendo
válidas entonces las premisas del modelo utilizado.

d. Ganancias de corriente y de tensión:

Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica una señal alterna
de pequeña amplitud, y frecuencia lo suficientemente pequeña para que puedan ser
despreciados los efectos dinámicos que no han sido tenidos en cuenta en el modelo
anterior.

En estas condiciones, por el circuito de entrada circulará una corriente alterna -I b-AIb. Es
decir, sobre la corriente -Ib que existía para un incremento de tensión 0, se superpone una
corriente alterna de amplitud incremento de la intensidad de base.

De forma análoga, en el circuito de salida aparecerá una corriente alterna de amplitud igual
al incremento de la intensidad de colector, superpuesta a -I c(corriente de colector para un
incremento de tensión 0).

Se define ganancia en intensidad como:

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Obsérvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de instensidad puede tomar
valores muy elevados.

De forma análoga, se defina la ganancia de tensión como:

En definitiva, la señal de entrada, se ve amplificada tanto en intensidad como en tensión.

Bibliografía
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