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INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR

DE SAN ANDRÉS TUXTLA

Materia
Electrónica Analógica

Profesor

Alumnos:

Grupo
302-A
Carrera
Ing. Electromecánica

Miguel. IEM Páá giná 1


Miguel. IEM Páá giná 2
EL DIODO

1 INTRODUCCION

El diodo es uno de los dispositivos más importantes en la electrónica moderna. El diodo


permite el paso de corriente sólo en una dirección.
También puede dirigir la corriente en una dirección dada. Puede ser usado como
interruptor y como un medio para cambiar corriente alterna en corriente directa o
continua. Estos son sólo algunos usos del diodo.

En la Figura 1 se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del


funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.
.

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1.1 Construcción del diodo

Para la construcción de diodos se utilizan materiales semiconductores, como el silicio o


el Germanio que en su estado puro se denominan semiconductores de carbón. Para
conseguir los efectos deseados, éstos semiconductores se dopan con impurezas
obteniéndose así dos tipos de semiconductores extrínsecos.

Semiconductores tipo n:

Se añaden átomos de valencia 5 (fósforo, arsénico.antinomio) con o que al combinarse


con el silicio queda un electrón libre por cada átomo pentavalente

Semiconductores tipo p:

Se añaden átomos de valencia 3 (boro, galio) con lo que al combinarse con el silicio
queda un hueco por cada átomo trivalente que se comporta como una carga positiva.

Los diodos termoiónicos:

Son dispositivos de válvula termoiónica (también conocida como tubo de vacío), que
consisten en un arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vacío. Los primeros
modelos eran muy parecidos a la lámpara incandescente.

En los diodos de válvula termoiónica, una corriente a través del filamento que se va a
calentar calienta indirectamente el cátodo, otro electrodo interno tratado con una
mezcla de Bario y óxido de estroncio, los cuales son óxidos alcalinotérreos; se eligen
estas sustancias porque tiene una pequeña función de trabajo (algunas válvulas usan
calentamiento directo, donde un filamento de tungsteno actúa como calentador y como
cátodo).

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El calentamiento causa emisión termoiónica de electrones en el vacío. En polarización
directa, el ánodo estaba cargado positivamente por lo cual atraía electrones. Sin
embargo, los electrones no eran fácilmente transportados de la superficie del ánodo
que no estaba caliente cuando la válvula termoiónica estaba en polarización inversa.
Además, cualquier corriente en este caso es insignificante. En la mayor parte del siglo
xx, los diodos de válvula termoiónica se usaron en aplicaciones de señales análogas,
rectificadores y potencia.

Actualmente, los diodos de válvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como


rectificadores en guitarras eléctricas, amplificadores de audio, así como equipo
especializado de alta tensión.

Diodo semiconductor:

Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al


lado del otro. Un material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente
cargado de partículas negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo
semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas

Cuando se aplica un voltaje de paralización directa (voltaje de corriente directa) la


región iónica en la unión se reduce y los portadores negativos en el material tipo n
pueden superar la barrera negativa restante iones positivos y continuar su camino
hasta el potencial aplicado.

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1.1.1 Semiconductores contaminados P y N.

Semiconductor

Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de


diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la
radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

Tipo N:
En este caso se contamina el material con átomos de valencia
5, como son Fósforo (P), Arsénico (As) o Antimonio (Sb). Al Introducirlos, fuerzo al
quinto electrón de este átomo a vagar por el material semiconductor, pues no encuentra
un lugar estable en el que situarse. Al conjunto de estos electrones se les llama
electrones mayoritarios. Al material tipo N se le denomina también donador de
Electrones.

Tipo P:
En este caso se contamina el material semiconductor con átomos de valencia 3, como
son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In). Si se introduce este átomo en el material, queda
un hueco donde debería ir un Electrón. Este hueco se mueve fácilmente por la
estructura como si fuese un portador de carga positiva. En este caso, los huecos son
Portadores mayoritarios. Al material tipo P se le denomina donador de Huecos (o
aceptador de electrones).
Resumen: Los semiconductores tipo N tienen exceso de portadores de carga negativos
(electrones) y los semiconductores tipo P tienen exceso de portadores de carga
positiva (huecos).

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1.1.2 Unión PN

Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos


comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Está
formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque
también se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a
nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto
químico. Es la base del funcionamiento de la energía solar fotovoltaica.

 Silicio puro o intrínseco


 Silicio extrínseco tipo P
 Silicio extrínseco tipo N
 Barrera interna de potencial
 Polarización directa de la unión PN
 Polarización inversa de la unión PN
 Véase también
 Enlaces externos

 Silicio puro o intrínseco


Malla cristalina de silicio puro.
Los cristales de Silicio están formados a nivel atómico por una malla cristalina basada
en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de valencia del
átomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe mencionar: el de hueco.
Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja un electrón cuando deja la
capa de valencia y se convierte en un electrón libre. Esto es lo que se conoce como
pares electrón hueco y su generación se debe a la temperatura (como una aplicación,
al caso, de las leyes de la termodinámica) o a la luz (efecto fotoeléctrico). En un
semiconductor puro (intrínseco) se cumple que, a temperatura constante, el número de
huecos es igual al de electrones libres.
 Silicio extrínseco tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
sustituyéndole algunos de los átomos de un semiconductor intrínseco por átomos con
menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrión, normalmente trivalente,
es decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al semiconductor
para poder aumentar el número de
pá g. 7
portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos).El propósito del dopaje tipo
P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, una impureza trivalente
deja un enlace covalente incompleto, haciendo que, por difusión, uno de los átomos

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vecinos le ceda un electrón completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes
crean los "huecos". Cada hueco está asociado con un ion cercano cargado
negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en
general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del
átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado
por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva.
Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan
ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los
materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B),
son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
 Silicio extrínseco tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo
un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la
capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso, negativos, electrones libres).Cuando el material dopante es
añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del
semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como impurezas
donantes ya que cede uno de sus electrones al semiconductor. El propósito del dopaje
tipo N es el de producir abundancia de electrones libres en el material. Para ayudar a
entender cómo se produce el dopaje tipo N considérese el
caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia
atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente
con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA
de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio
(Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo
de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces
covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da
como resultado la formación de electrones libres, el número de
electrones en el material supera ampliamente el número de
huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos
con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados
átomos donantes. Nótese que cada pág. g. 8 electrón libre en el semiconductor nunca
está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente
tiene una carga eléctrica neta final de cero.

 Barrera interna de potencial


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Formación de la zona de la barrera interna de potencial.
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).Al
establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unión, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de potencial,
zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexión, de vaciado,
etc. A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión.
Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la
zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n
con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de
electrones y terminará deteniéndolos. Este campo eléctrico es equivalente a decir que
aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial
(V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. La
anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
 Polarización directa de la unión PN
En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad. Se produce cuando se conecta el polo
positivo de una batería a la parte P de la unión P - N y el negativo a la N. En estas
condiciones podemos observar que:
 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la
unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que
la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es
atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega
hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente
eléctrica constante hasta que la batería se consume.

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 Polarización inversa de la unión PN

Polarización inversa del diodo PN.


En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a
la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a
continuación:
· El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta
llegar a la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el
orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver
semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en
iones positivos.
· El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la
zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que
una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen
solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco.
El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p,
caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8
electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así
en iones negativos.

1.2 Tipos de diodos

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SIMBOLOGIA GENERAL

NOMBRE SIMBOLO NOMBRE SIMBOLO

Diodo Rectificador Diodo Zener

Diodo Led Fotodiodo

Diodo Tunel Diodo Schottky

Diodo Semiconductor.

El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente por una unión P-N, El diodo
deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo de la batería al
ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexión
opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversión de
corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificación. En
efecto. si se aplica a este diodo una tensión alterna,
únicamente se producirá circulación de corriente en las
ocasiones en que el ánodo sea más positivo que el cátodo,
es decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado
en las ascendencias negativas, lo que impide el paso de la
corriente por ser en estas ocasiones el ánodo más negativo
que el cátodo .

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Diodos rectificadores

El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los
de baja y media potencia se emplea el plástico hasta un límite de alrededor de 1 vatio.
Por encima de este valor se hace necesario un encapsulado metálico y en potencias
más altos deberá estar la cápsula preparada para que pueda ser instalado el diodo
sobre un radiador de color, por medio de un sistema de sujeción a tornillo. Cualquier
sistema rectificador de corrientes, tanto monofásicas como trifásicas o polifásicas, se
realiza empleando varios diodos según una forma de conexión denominada en puente.
No obstante, también se utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del
puente en algunos circuitos de alimentación monofásicos.

Fotodiodos
Algo que se ha utilizado en favor de la técnica electrónica moderna es la influencia de
la energía luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno
constitutivo de un diodo. Los fotodiodos no son diodos en los cuales se ha optimizado
el proceso de componentes y forma de fabricación de modo que la influencia luminosa
sobre su conducción sea la máxima posible. Esto se obtiene, por ejemplo, con
fotodiodos de silicio en el émbito de la luz incandescente y con fotodiodos de germanio
en zonas de influencia de luz infrarroja.

Diodos de señal

Los diodos de señal de use general se emplean en funciones de tratamiento de la


señal, dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital formando
parte de «puertas» lógicas y circuitos equivalentes, Son de baja potencia. Las
características de estos diodos son:
- Tensión inversa (Vr), hasta 75 V como máximo. - Corriente directa (If), 100 mA. -
Potencia máxima (P/tot), 200 milivatios (mW)
El encapsulado es en forma de un cilindro miniatura, de plástico o vidrio, estando los
dos terminales de conexión situados en los extremos. Sobre el cuerpo deberá estar
marcado el hilo de conexión que corresponde al cátodo, mediante un anillo situado en
las proximidades de éste.

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DIODOS LED (LUMINISCENTES):
Este tipo de diodos es muy popular, sino, veamos cualquier equipo electrónico y
veremos por lo menos 1 ó más diodos Led. Podemos encontrarlos en diferentes
formas, tamaños y colores diferentes. La forma de operar de un Led se basa en la
recombinación de portadores mayoritarios en la capa de barrera cuando se polariza
una unión Pn en sentido directo. En cada recombinación de un electrón con un hueco
se libera cierta energía. Esta energía, en el caso de determinados semiconductores, se
irradia en forma de luz, en otros se hace de forma térmica.
Dichas radiaciones son básicamente monocromáticas (sin color). Por un método de
"dopado" del material semiconductor se puede afectar la energía de radiación del
diodo. El nombre de LED se debe a su abreviatura en ingles (Light Emmiting Diode)
Además de los diodos Led existen otros diodos con diferente emisión, como la
infrarroja, y que responden a la denominación IRED (Diodo emisor de Infra-rojos).

Los diodos PN
Son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n, por lo que
también reciben la denominación de unión pn.
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo
está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.
Polarización directa
Para que un diodo esté polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo
de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo.
Polarización inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido ósea desde el cátodo al
ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prácticamente
como un circuito abierto.

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Diodos zener

Los diodos estabilizadores de tensión se emplean, como su nombre indica, para


producir una tensión entre sus extremos constante y relativamente independiente de la
corriente que los atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy
interesante que presenta la unión semiconductora cuando se polariza inversamente por
encima de un determinado nivel.

Normalmente un diodo que recibe una polarización inversa no permite el paso de la


corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilísima. Sin embargo, al alcanzar
una determinada tensión, denominada tensión zener se produce un aumento de la
cantidad de corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos
se mantiene prácticamente constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base
de variar la intensidad que lo atraviesa. Existe una amplia gama de tipos clasificados
por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de
disipar, desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios, con encapsulado plástico o
metálico. Los parámetros que caracterizan a un diodo zener son:
- Tensión zener (Vz). - Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia máxima
(P/tot).

Diodos especiales

Dentro del grupo de diodos especiales están comprendidos los diodos varicap, diodos
túnel y diodos Led Los primeros se construyen buscando acentuar al máximo la
propiedad que presente la unión P-N de comportarse de una forma análoga a un
condensador, cuando se la polariza inversamente. La capacidad resultante es, además,
variable con la tensión aplicada; lo cual permite disponer de una forma muy simple de

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condensadores variables, controlados por una diferencia de potencial. Su empleo está
muy generalizado en etapas de sintonía de receptores de radio y TV.
1.3 Aplicación del Diodo

Desde el inicio del empleo de las antiguas válvulas termoiónicas de tipo diodo en los
circuitos electrónicos analógicos hasta los diodos de estado sólido utilizados en la
actualidad, su principal función ha sido “rectificar” corrientes alternas para convertirlas
en directa (C.D.) y “detectar” corrientes de alta frecuencia (A.F.) o radiofrecuencia (R.F.)
para reconvertirlas en audibles

1.3.1 Circuitos Recortadores

Un limitador o recortador es un circuito que, mediante el uso de resistencias y diodos,


permite eliminar tensiones que no nos interesa que lleguen a un determinado punto de
un circuito. Mediante un limitador podemos conseguir que a un determinado circuito le
lleguen únicamente tensiones positivas o solamente negativas, no obstante esto
también puede hacerse con un sólo diodo formando un rectificador de media onda, de
forma que nos vamos a centrar en un tipo de limitador que no permite que a un circuito
lleguen tensiones que podrían ser perjudiciales para el mismo.

Recortador de diodo paralelo:

En la figura siguiente se muestra el circuito y la forma de onda obtenida a la salida del


mismo. Como se observa la señal de entrada es una señal sinusoidal y el circuito
cuenta con una resistencia, un diodo en serie con una fuente polarizado en inversa y
una R de carga. Cuando el voltaje de la fuente se hace mayor que la suma del voltaje
de la fuente y el voltaje umbral de conducción del diodo, el diodo se polariza en directa
y obtenemos la forma de onda mostrada.

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Recortador sin polarizar:

Imaginemos que en un caso como en el de la figura, no nos interesa que al circuito que
estamos protegiendo (en este caso el elemento que vamos a proteger es la resistencia
de carga RL) le lleguen tensiones superiores a 0.7 V, tanto positivos como negativos.
Montando los dos diodos y la resistencia limitadora como se vé en la figura, nosotros
conseguimos que cualquier tensión que exceda de 0.7 V o disminuya de -0.7 V, se vea
recortada por los diodos.

Estos 0.7 V de los que hablamos son la barrera de potencial del diodo. Hay que tener
en cuenta que la resistencia limitadora (Rlim) es mucho menor que la resistencia de
carga (RL), de este modo la tensión que cae en la resistencia limitadora es
prácticamente nula y podemos despreciarla.

Aunque la resistencia limitadora pueda parecer innecesaria, es importante entender


que en realidad es parte imprescindible del limitador, ya que si no estuviera conectada,
al polarizarse uno de los diodos directamente (los dos diodos no pueden estar
polarizados directamente al mismo tiempo), este comenzaría a conducir la corriente
eléctrica sin control y se destruiría. Como su propio nombre indica, la resistencia
limitadora tiene como función limitar la corriente que atraviesa los diodos.

De este modo, si la tensión de entrada supera por cualquier motivo los 0.7 V el diodo
D1 quedará polarizado directamente y recortará el exceso de tensión. De igual forma,
cuando la tensión de entrada disminuya de -0.7 V, el diodo D2 quedará polarizado
directamente y recortará el exceso de tensión que podría dañar nuestra carga.

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Recortador polarizado:

Muchas veces no nos interesa que los diodos recorten las tensiones de entrada a los
0.7 V o a los -0.7 V. Por ejemplo, puede que lo que estemos buscando es que a la
entrada no le lleguen tensiones superiores a los 10 V o inferiores a los -10 V (estas
tensiones son aleatorias, nosotros elegimos las que más nos interesen), en ese caso
no podemos usar el circuito antes mencionado, ahora necesitamos un limitador
polarizado. La única diferencia respecto al anterior limitador es que en este caso vamos
a polarizar los diodos con baterías, a fin de que sea necesaria una tensión de entrada
mayor que 0.7 V para que los diodos se polaricen directamente.

Si lo que buscamos es que la tensión en la carga no sea mayor de 10 V ni inferior de


-10 V, montaremos el siguiente circuito.

Veamos cómo funciona el circuito:

 Cuando la tensión de entrada se mantiene dentro de sus límites normales, esto es,
entre 10 V y -10 V, ninguno de los diodos hace nada.

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 En el momento en que la tensión es superior a los 10.7 V (los 10 V de la batería más
los 0.7 V de la barrera de potencial del diodo), el diodo D1 queda polarizado
directamente y empieza a conducir, de esta forma no permite que la tensión en la carga
aumente.

 Si la tensión de entrada disminuye de los -10.7 V, en este caso es el diodo D2 el que


se polariza directamente y comienza a conducir, no permitiendo que la tensión en la
carga disminuya hasta niveles peligrosos.

Fig. Circuito recortador sin polarizar

Fig. Circuito recortador polarizado

pá g. 15

Hay que destacar que en lugar de baterías, también podrían conectarse diodos zener
polarizados inversamente cuya tensión Zener fuera igual a la de las baterías que
necesitamos colocar. Además las dos baterías o diodos zener no tienen por qué tener
el mismo potencial, todo depende de qué niveles de tensión queramos proteger el
circuito.

Formas de ondas

Ahora estudiaremos más a fondo qué es lo que hace el limitador estudiando las
distintas formas de onda de la tensión en la entrada y en la carga, en el caso concreto
en el que nuestra carga no soporta tensiones mayores de 10 V o menores de -10 V.

Imaginemos que alimentamos el circuito con una tensión de entrada Vi senoidal de 30


V eficaces, en el figura 1 es la línea sinusoidal de color verde.

Esta tensión de entrada tiene picos cuyo valor alcanza los 42 y -42 V respectivamente.
El caso es que si estos valores de tensión llegaran a la carga esta quedaría dañada o

Miguel. IEM Páá giná 18


se destruiría. Para evitar que esto ocurra, conectamos la resistencia limitadora, los
diodos y las baterías o diodos zener, como hemos visto antes.

1.3.2 REGULACIÓN CON DIODO ZENER

El diodo zener se puede utilizar para regular una fuente de voltaje. Este semiconductor
se fabrica en una amplia variedad de voltajes y potencias. Estos van desde menos de 2
voltios hasta varios cientos de voltios, y la potencia que pueden disipar va desde 0.25
watts hasta 50 watts o más.

La potencia que disipa un diodo zener es simplemente la multiplicación del voltaje para
el que fue fabricado por la corriente que circula por él. Pz = Vz x Iz. Esto significa que la
máxima corriente que puede atravesar un diodo zener es: Iz = Pz/Vz. (en amperios).
Dónde:

 Iz = Corriente que pasa por el diodo Zener

 Pz = Potencia del diodo zener (dato del fabricante)

 Vz = Voltaje del diodo zener (dato del fabricante)

Ejemplo: La corriente máxima que un diodo zener de 10 Voltios y 50 Watts puede


aguantar, será: Iz = Pz/Vz = 50/10 = 5 amperios.

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Fig. regulador de voltaje

El cálculo del resistor Rs está determinado por la corriente que pedirá la carga (lo que
vamos a conectar a esta fuente de voltaje). Ver esquema del regulador de voltaje con
diodo zener, con el resistor Rs conectado entre Vin y el cátodo del zener. Este resistor
se puede calcular con la siguiente fórmula: Rs = [Venmin - Vz]/1.1 x ILmáx., donde:

 Ven (min): es el valor mínimo del voltaje de entrada. (Acordarse que es un


voltaje no regulado y puede variar)

 IL (max): es el valor de la máxima corriente que pedirá la carga.

Una vez conocido Rs, se obtiene la potencia máxima del diodo zener, con ayuda de la
siguiente fórmula: PD = [[ Venmin-Vz ] / Rs-ILmin] x Vz

1.4 REGULADORES DE VOLTAJE CON CIRCUITO INTEGRADO


Los reguladores de voltaje comprenden una amplia clase de C.I. utilizados. Estas
unidades contienen la circuitería para la fuente de referencia, el amplificador de error, el
dispositivo de control y la protección de sobre carga. Todas estas contenidas en una
sola pastilla en el C.I. Aunque la construcción interna es algo diferente que la que se
describió para los reguladores de voltaje discretos, la operación externa es
prácticamente la misma. Examinaremos la operación de algunos de los reguladores de
voltajes fijos de 3 terminales tanto para voltajes positivos como negativos y los que
permiten tener un voltaje de salida ajustable.

Los reguladores de voltaje son usados para mantener una salida de voltaje
predeterminada, a pesar de las variaciones en la entrada de la fuente (voltaje AC) y a
pesar también de las variaciones que se puedan dar en la carga. El regulador de voltaje
se inserta entre la carga y la salida de la fuente sin regular:

Los reguladores de voltaje en circuitos integrados, simplifican considerablemente el


diseño de fuentes de poder, pues reemplazan a componentes tales como transistores y
tubos al vacío. Además, éstos poseen la ventaja de tener bajo precio, alto desempeño,
tamaño pequeño y fácil manejo.

Los circuitos integrados (reguladores de voltaje) tienen la ventaja de que proporcionan


una salida bastante estable, además limitan la corriente y tienen protección térmica.

Estos tipos de reguladores integrados ofrecen una amplia gama de variaciones y


distintas clasificaciones para el tipo de fuente que se desee implementar.

Regulador de voltaje en serie

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El regulador en serie detecta un cambio en la salida de voltaje de la carga por medio de
un circuito de muestreo que suministra un voltaje de realimentación para ser
comparado con una referencia, así sí:

1. El voltaje de salida aumenta, el comparador hace que el elemento de control baje el


voltaje de salida.

2. Si el voltaje de salida disminuye el comparador indica al elemento de control que


suba el voltaje de salida.

Una fuente de suministro puede construirse en una forma simple utilizando un


trasformador conectado al suministro de C.A. para aumentar o disminuir el valor
deseado, posteriormente rectificándolo con un circuito de ½ onda u onda completa,
filtrarlo para obtener el nivel de voltaje deseado y finalmente regular el voltaje de C.C.
utilizando un regulador de voltaje en C.I.

1.5 CONSTRUCCIÓN DE UNA FUENTE REGULADA

Básicamente, una fuente de tensión consta de 4 partes:

1. El transformador

2. Circuito rectificador

3. Circuito de filtro

4. Regulador

-Circuito de Protección

*Muchas fuentes utilizan un circuito de protección el cual nos alerta si hay sobrecargas
en el circuito utilizando un diodo LED, su utilización no interfiere en ninguno de los
procesos de la fuente (transformación, rectificación, filtrado, regulación)

Miguel. IEM Páá giná 21


Conclusión

Lo que aprendí en estas experiencias analizando diodos y estudiando su


funcionamiento fue que son dispositivos semiconductores que permite el
paso de la corriente en una dirección con características similares a un
interruptor. De forma más simple la curva normal de un diodo consta de
dos polos: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como
un circuito abierto, y por encima de ella como un circuito cerrado con una
resistencia muy pequeña.

Bibliografías

Miguel. IEM Páá giná 22


 https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

 https://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PN

 https://sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos

 http://www.asifunciona.com/fisica/ke_diodo/ke_diodo_5.htm

 http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbasees/electronic/diodecon.html

 https://es.wikipedia.org/wiki/Limitador

 http://unicrom.com/regulador-de-voltaje-con-diodo-zener/

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