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É L E C T R O N I Q U E - P H OTO N I Q U E

Ti350 - Électronique

Hyperfréquences. Circuits
et émetteurs de puissance

Réf. Internet : 42281 | 3e édition

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III
Cet ouvrage fait par tie de
Électronique
(Réf. Internet ti350)
composé de  :

Électronique analogique Réf. Internet : 42279

Technologies des dispositifs actifs Réf. Internet : 42286

Architecture et tests des circuits numériques Réf. Internet : 42276

Matériaux pour l'électronique et dispositifs associés Réf. Internet : 42271

Matériaux et dispositifs magnétiques et supraconducteurs Réf. Internet : 42282

Électromagnétisme. Propagation Réf. Internet : 42277

Compatibilité électromagnétique dans les systèmes Réf. Internet : 42580

électroniques

Hyperfréquences. Circuits et émetteurs de puissance Réf. Internet : 42281

Antennes Réf. Internet : 42280

Cartes électroniques  : technologies et conception Réf. Internet : 42287

Alimentations et électronique de puissance Réf. Internet : 42283

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IV
Cet ouvrage fait par tie de
Électronique
(Réf. Internet ti350)

dont les exper ts scientifiques sont  :

Guillaume BERNARD
Ingénieur architecte électronique et logiciel, Thales Electron Devices

Jean CHAZELAS
Directeur du Département technologies avancées de Thales Division
Aéronautique

Jean-Pierre GANNE
Ingénieur civil des mines de Paris, Docteur ès sciences - Thales Research and
Technology France

François GAUTIER
Ancien directeur technique adjoint Thales Systèmes aéroportés

Richard LEBOURGEOIS
Docteur de l'Institut national polytechnique de Grenoble, Responsable des
Études Ferrites au Laboratoire Central de Recherches (LCR) de Thomson-CSF,
Ingénieur de l'École Nationale Supérieure d'Électricité de Grenoble

Saverio LEROSE
Hardware Development Engineering, Thales Corporate Services SAS

Olivier MAURICE
Directeur de la recherche et du développement, ESIGELEC

André PACAUD
Ingénieur SUPELEC

André SCAVENNEC
Docteur-ingénieur

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V
Les auteurs ayant contribué à cet ouvrage sont :

Michel BASE Stéphane DELLIER


Pour l’article : E6105 Pour l’article : IN38

Didier BELOT Dominique DIEUMEGARD


Pour les articles : E1425 – E1426 – Pour l’article : E3420
E1427 – E1428 – E1429
Tony GASSELING
Gérard CACHIER Pour l’article : IN38
Pour l’article : E1380
François GAUTIER
Christophe CHARBONNIAUD Pour l’article : E1000
Pour l’article : IN38
Yannick GRASSET
Pascal CHEVALIER Pour l’article : E1472
Pour les articles : E1425 – E1426
Gérard LE CLOAREC
Paul-François COMBES Pour l’article : E3420
Pour les articles : E1400 – E1401 –
E1402 – E1403 – E1404 Thierry LEMOINE
Pour les articles : E1620 – E1621 – E1622
Raymond CRAMPAGNE
Pour les articles : E1400 – E1401 – Michel TURIN
E1402 – E1403 – E1404 Pour les articles : E1610 – E1611

Gilles DAMBRINE Claude TÉTELIN


Pour les articles : E1425 – E1426 – E1428 Pour l’article : E1470

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VI
Hyperfréquences. Circuits et émetteurs de puissance
(Réf. Internet 42281)

SOMMAIRE

1– Circuits hyperfréquences Réf. Internet page

Introduction aux hyperfréquences E1000 11

Bruit en hyperfréquences. Origine et modélisation E1380 13

Mesures et modélisations de composants électroniques hyperfréquences IN38 19

Circuits passifs hyperfréquences. Introduction E1400 21

Circuits passifs hyperfréquences. Guides d'ondes métalliques E1401 23

Circuits passifs hyperfréquences. Filtres et cavités E1402 27

Circuits passifs hyperfréquences. Éléments passifs réciproques E1403 33

Circuits passifs hyperfréquences. Éléments non réciproques à ferrite E1404 39

MMIC : évolution et technologie E1425 43

MMIC : composants. Transistors, technologies et modélisation E1426 47

MMIC  : composants. Composants passifs E1427 51

MMIC . Déphaseurs et ampliicateurs E1428 55

MMIC. Oscillateurs, mélangeurs, convertisseurs E1429 63

Systèmes et techniques RFID E1470 71

Montage d'étiquettes RFID passives. Productivité accrue des solutions d'assemblage E1472 77

2– Émetteurs de puissance en hyperfréquences Réf. Internet page

Nouveaux émetteurs tout état solide de forte puissance E6105 81

Ampliication de puissance radiofréquence à l'état solide. Classes, systèmes et E1610 85


technologies
Ampliication de puissance radiofréquence à l'état solide. Paramètres de mise en oeuvre E1611 91

Tubes électroniques hyperfréquences. Technologies et tubes à grille E1620 97

Tubes électroniques hyperfréquences. Tubes de très forte puissance E1621 103

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VII
Tubes électroniques hyperfréquences. Tubes à onde progressive E1622 109

Méthodes d'assemblage pour tubes et dispositifs hyperfréquences E3420 115

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Hyperfréquences. Circuits et émetteurs de puissance
(Réf. Internet 42281)


1– Circuits hyperfréquences Réf. Internet page

Introduction aux hyperfréquences E1000 11

Bruit en hyperfréquences. Origine et modélisation E1380 13

Mesures et modélisations de composants électroniques hyperfréquences IN38 19

Circuits passifs hyperfréquences. Introduction E1400 21

Circuits passifs hyperfréquences. Guides d'ondes métalliques E1401 23

Circuits passifs hyperfréquences. Filtres et cavités E1402 27

Circuits passifs hyperfréquences. Éléments passifs réciproques E1403 33

Circuits passifs hyperfréquences. Éléments non réciproques à ferrite E1404 39

MMIC : évolution et technologie E1425 43

MMIC : composants. Transistors, technologies et modélisation E1426 47

MMIC  : composants. Composants passifs E1427 51

MMIC . Déphaseurs et ampliicateurs E1428 55

MMIC. Oscillateurs, mélangeurs, convertisseurs E1429 63

Systèmes et techniques RFID E1470 71

Montage d'étiquettes RFID passives. Productivité accrue des solutions d'assemblage E1472 77

2– Émetteurs de puissance en hyperfréquences

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Introduction aux hyperfréquences

par François GAUTIER



Ingénieur de l’Institut national polytechnique de Grenoble (INPG)
Licencié ès sciences physiques
Ancien directeur technique adjoint de Thales Airborne Systems

1. Aperçu historique .................................................................................... E 1 000 – 2


2. Terminologie.............................................................................................. — 2
3. Dispositifs.................................................................................................. — 3
4. Applications .............................................................................................. — 4
Références bibliographiques ......................................................................... — 5

l est généralement admis que le domaine des ondes hyperfréquences, encore


I appelées micro-ondes, correspond à une certaine partie du spectre des ondes
électromagnétiques, celle des ondes submétriques jusqu’aux ondes millimé-
triques, c’est-à-dire au moins la bande de fréquences de 300 MHz à 300 GHz, soit
en longueurs d’onde de 1 m à 1 mm, étendue parfois à la bande de 100 MHz à
1 000 GHz, soit de 3 m à 0,3 mm.
Mais on peut établir une autre ligne de partage avec les autres domaines de
l’électronique en considérant que les conceptions et modélisations de circuits
relèvent du domaine des hyperfréquences lorsque les phénomènes de propaga-
tion et de rayonnement sont pris explicitement en compte, ce qui n’est en géné-
ral pas le cas dans les autres domaines de l’électronique. Il n’y a donc pas en fait
de frontière fixe entre ces domaines, l’importance de ces deux phénomènes de
propagation et de rayonnement par rapport au fonctionnement du dispositif ou
du système en étude servant en pratique de critère pour se placer dans le
domaine des hyperfréquences ou non.
Aux fréquences plus basses, les outils d’analyse et de conception applicables
au rayonnement et à la propagation sont analogues à ceux du domaine des
hyperfréquences mais s’en distinguent souvent par des spécialisations d’applica-
tions. Aux fréquences plus élevées, qui ressortent du domaine des infrarouges
puis des ondes visibles, les outils de l’optique sont le plus souvent bien adaptés.
p。イオエゥッョ@Z@ョッカ・ュ「イ・@RPPU

Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite.
© Techniques de l’Ingénieur E 1 000 − 1

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INTRODUCTION AUX HYPERFRÉQUENCES ___________________________________________________________________________________________________

1. Aperçu historique jusqu’à 20 GHz, bien que ces produits restent majoritairement chers
et volumineux.
● Mais dès les années 1970, on commence sérieusement à envi-
Après une très lente progression tout au long des siècles dans les sager le développement des technologies de miniaturisation : cir-
découvertes de l’électricité et du magnétisme, l’histoire des ondes cuits micro-ruban, composants à l’état solide à la place de tubes, et
électromagnétiques s’accélère au XIXe siècle. Quelques dates en voire plus tard les circuits intégrés hyperfréquences (MMIC : micro-
constituent des repères majeurs [1] [2]. wave monolithic integrated circuit).


● 1820 : Oersted pose les bases de l’électrodynamisme. À sa ● C’est la révolution technologique que verront les années 1980-
suite, Arago et surtout Ampère développent les modèles décrivant 2000 avec progressivement la généralisation de l’emploi des com-
les relations entre champs électrique et magnétique. posants à l’état solide sur circuit micro-ruban et du câblage automa-
● 1832 : Faraday met en évidence l’induction électromagnétique. tique, ce qui conduit à une baisse de coût importante et à une
● 1864 : Maxwell présente sa théorie des ondes électromagné- certaine démocratisation des micro-ondes : radars de navigation
tiques, calcule la vitesse des ondes électromagnétiques et montre pour bateaux, radars météo pour avions, radars de servitude pour
qu’elles se propagent à la même vitesse que la lumière. La lumière l’ouverture de portes par exemple, réception directe de télévision
est donc considérée comme une onde électromagnétique. depuis un satellite, autoroutes « hertziennes » pour les communica-
● 1885 : Hertz débute une série d’expérimentations mettant en
tions, téléphonie cellulaire de première génération... Durant cette
évidence la propagation des ondes électromagnétiques. À cette épo- période, la montée en puissance des moyens informatique, accom-
que, ces ondes ne pouvaient être produites que par des éclateurs et pagnée d’une réduction des coûts de fabrication, permet le dévelop-
ce sont bien des étincelles produites par des éclateurs qui ont per- pement de puissants outils de conception des dispositifs, circuits et
mis les premières transmissions télégraphiques et téléphoniques. antennes hyperfréquences. Il en résulte là aussi un accroissement
de performances et la maîtrise de la miniaturisation accompagnés
À partir du début du XXe siècle, l’histoire s’accélère, en particulier d’une baisse des coûts.
avec l’invention des tubes à vide détecteur (Fleming en 1902) et
● Vers la fin des années 1990, le MMIC devient un produit com-
amplificateur (de Forest en 1907) et la découverte du cristal détec-
teur (1906). La technologie peut alors se développer à partir de ces mercialement plus que compétitif puisqu’il permet une nouvelle
inventions et conduire rapidement à des applications des ondes diminution de coût drastique tout en autorisant plus de complexité
électromagnétiques, en télécommunications commerciales et mili- et en procurant des performances accrues : il ouvre la voie à la télé-
taires, depuis les ondes kilométriques jusqu’aux ondes décamé- phonie cellulaire de deuxième et troisième générations, à l’emploi
triques et métriques. de l’optique en hyperfréquences (cf. dossiers [E 3 330] [E 3 331]
[E 3 332] [E 3 333]), aux antennes actives (dossiers [E 3 294]
● La période 1920-1940 voit une montée en fréquence avec en
[E 3 295]), aux liaisons locales (WLAN : wireless local area network,
particulier l’invention du magnétron par Hull en 1920 et du klystron avec différents standards, Bluetooth, WiFi, ultralarge bande…), aux
par les frères Varian en 1937. On entre maintenant dans le domaine radars en ondes millimétriques pour l’automobile, au GPS (global
des hyperfréquences avec le développement des technologies de positioning system), aux badges et étiquettes sans contact (RFID :
lignes de propagation, de circuits passifs, de tubes à vides et radio frequency identification device).
d’antennes. Les théories du bruit, de la réception en présence de
bruit, du récepteur superhétérodyne aboutissent à des modélisa- La montée en fréquence des horloges des microprocesseurs
tions précises. Le nombre d’applications croît tant en télécommuni- contribue à banaliser le domaine des micro-ondes en le faisant
cations qu’en radio– et télédiffusion, même si le matériel reste très s’interpénétrer avec celui de l’électronique numérique et en ouvrant
encombrant du fait de la conception des circuits passifs et de l’usage la voie à la notion de récepteur hyperfréquence numérique. C’est un
de tubes nécessitant de très hautes tensions. nouveau domaine qui s’ouvre : l’électronique numérique hyperfré-
Bien que l’on sache depuis 1903 (Hull en Allemagne) que les quence.
ondes électromagnétiques se réfléchissent et diffractent sur des
obstacles, c’est seulement à partir de 1934 que se mettent en place
les premières expérimentations grandeur nature de radars. À
Sainte-Adresse, à côté du Havre, Ponte et Girardeau de la compa-
gnie de Télegraphie sans Fil (CSF) réalisent la détection de bateaux
2. Terminologie
à une dizaine de milles à des longueurs d’onde de 80 et 16 cm [3] [4].
De cette expérimentation naissent le radar équipant le paquebot Une onde électromagnétique est caractérisée par :
Normandie ainsi que les premiers radars équipant les bateaux de la
Marine nationale. — la description à tout instant de l’amplitude et de l’orientation
des champs électrique E et magnétique H la constituant. Le rapport
La Seconde Guerre mondiale révèle combien les transmissions des composantes transversales à la direction de propagation ET/HT
sans fil et la détection radar sont indispensables pour la mise en est l’impédance d’onde transverse ZT. L’orientation du champ élec-
sécurité des personnes et des biens lors d’attaques ennemies et trique définit la polarisation (le lecteur est invité à se reporter à l’arti-
pour la conduite des opérations militaires. Elle provoque donc le cle [E 1 020] pour des définitions rigoureuses et exhaustives) ;
développement accéléré, voire forcené, des technologies micro-
ondes, l’approfondissement des théories des circuits et des antennes — sa fréquence f exprimée en hertz (Hz) ou ses multiples ;
et la mise en place de moyens industriels. Le débarquement des for- — sa vitesse de propagation v. Dans le vide, elle est égale à celle
ces alliées en Normandie, le 6 juin 1944, a très largement utilisé les de la lumière, soit c = 2,997.108 m/s. Dans un milieu quelconque
ressources radioélectriques pour détecter, localiser et baliser. v = c/n où n est l’indice du milieu. n dépend généralement de la fré-
quence. La longueur d’onde est λ = v/f. Elle est exprimée en mètres,
Après la guerre, ceci se concrétise aussi bien par la publication ses multiples ou sous-multiples ;
d’une véritable encyclopédie des micro-ondes, la fameuse collection
de 27 volumes publiés sous la direction du Radiation Laboratory — sa direction, définie par les cosinus directeurs du vecteur
(Rad Lab) du Massachusetts Institute of Technology [5] et l’enseigne- d’onde, vecteur k de module égal à 2π/λ, perpendiculaire localement
ment de l’électromagnétisme et des technologies afférentes dans à la surface d’onde ;
les universités et les écoles d’ingénieurs que par la création de labo- — le trièdre direct E, H, k.
ratoires et d’industries dans le domaine. Une onde se propageant dans un « espace libre », c’est-à-dire
● De 1940 à 1980, les technologies deviennent matures, les outils suffisamment loin de tout obstacle ou discontinuité des caractéris-
conceptuels se développent et l’industrie maîtrise bien la production tiques du milieu de propagation, est assimilable localement à une
de dispositifs et de systèmes de télécommunications et de radars onde plane où les champs électrique et magnétique sont pure-

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Bruit en hyperfréquences
Origine et modélisation
Par Gérard CACHIER

Ancien élève de l’École Polytechnique, Docteur ès sciences
Consultant (ancien de Thalès)

1. Sources de bruit externes..................................................................... E 1 380v2 - 2


1.1 Rayonnements électromagnétiques naturels........................................... — 2
1.2 Interférences créées par les équipements électroniques ........................ — 3
2. Sources de bruit internes...................................................................... — 4
2.1 Bruit thermique ........................................................................................... — 4
2.2 Bruit de diffusion......................................................................................... — 4
2.3 Bruits de scintillation .................................................................................. — 5
2.4 Bruits de grenaille ....................................................................................... — 5
2.5 Limite quantique ......................................................................................... — 5
3. Bruit dans les circuits linéaires........................................................... — 6
3.1 Représentations du bruit ............................................................................ — 6
3.2 Théorie des quadripôles avec bruit ........................................................... — 7
3.3 Modèles de bruit des composants pour la réception .............................. — 7
3.4 Conception d’un amplificateur à faible bruit ............................................ — 9
3.5 Mesure de la puissance de bruit................................................................ — 9
4. Bruit dans les circuits non linéaires .................................................. — 10
4.1 Représentation du bruit dans les oscillateurs .......................................... — 10
4.2 Mélangeurs.................................................................................................. — 11
4.3 Multiplicateurs de fréquence ..................................................................... — 12
4.4 Amplificateurs de puissance ...................................................................... — 12
4.5 Outils de simulation.................................................................................... — 12
4.6 Mesure du bruit d’amplitude et du bruit de phase .................................. — 13
5. Bruit dans les sous-ensembles ............................................................ — 13
5.1 Sources de fréquences ............................................................................... — 13
5.2 Chaînes de réception .................................................................................. — 15
5.3 Chaînes d’émission..................................................................................... — 17
5.4 Antennes...................................................................................................... — 18
6. Applications utilisant les propriétés du bruit ................................. — 19
6.1 Radiométrie ................................................................................................. — 19
p。イオエゥッョ@Z@ヲ←カイゥ・イ@RPQS@M@d・イョゥ│イ・@カ。ャゥ、。エゥッョ@Z@ェオゥョ@RPQW

6.2 Brouilleurs ................................................................................................... — 20


6.3 Transmissions ultra large bande ............................................................... — 21
7. Conclusion et perspectives .................................................................. — 21
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 1 380v2

intérêt du bruit dans les hyperfréquences (bande UHF ou décimétrique ou


L’ RF, bande SHF ou centimétrique, bande EHF ou millimétrique) est venu
lorsque ces bandes ont été utilisées pour les équipements courants des applica-
tions hertziennes. Egalement, de nombreux aspects techniques particuliers – les
composants utilisés, les architectures mises en œuvre, et les applications – ont dû
être travaillés pour répondre aux exigences, et ont créé un domaine très innovant.

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est strictement interdite. – © Editions T.I. E 1 380v2 – 1

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BRUIT EN HYPERFRÉQUENCES ________________________________________________________________________________________________________

De façon générale, on appelle bruit « tout phénomène qui se superpose à


un signal et limite la transmission de l’information » (Le Robert). Par exten-
sion, on a pris l’habitude d’appeler bruit les phénomènes physiques
stochastiques à l’origine de ces limitations – il s’agit par exemple du bruit
thermique du courant électrique, et des différentes sources de bruit phy-
sique qui accompagnent sa propagation dans un composant. La définition
du bruit ne comprend pas les distorsions créées par le signal lui-même, qui

Q sont les non-linéarités du circuit. Elle ne comprend pas non plus les phéno-
mènes lents par rapport aux signaux utiles (dérive de température,
vieillissement…) – on les mentionnera toutefois en décrivant certains pro-
blèmes rencontrés dans les matériels.
Ce document comprend la description des sources de bruit électromagné-
tique externes naturelles et celles liées aux activités humaines, ainsi que les
sources physiques de bruit propres des équipements et liées à leur fonc-
tionnement. L’analyse des bruits est ensuite faite pour les différents
composants et fonctions utilisés dans les matériels, ce qui révèle des situa-
tions très différentes et explique la complexité des architectures utilisées.
L’impact du bruit sur les performances des systèmes est abordé à travers
des exemples représentatifs (les lecteurs se reporteront aux références
bibliographiques pour avoir des informations plus complètes sur les sys-
tèmes hyperfréquences concernés). Le dernier paragraphe montre qu’il est
aussi possible d’utiliser le bruit comme un avantage pour réaliser des maté-
riels particuliers.

1. Sources de bruit externes


1.1 Rayonnements électromagnétiques
naturels

1.1.1 Bruits d’origine cosmique


■ Rayonnement cosmologique
Ce rayonnement est le résidu, refroidi par l’expansion ou « big
bang », du rayonnement isotrope de l’univers. Arno Penzias et
Robert Wilson l’ont découvert en 1965 (voir la photo archive en
figure 1), en mesurant pour le fond de ciel une densité spectrale de
corps noir (voir encadré) à 2,7 K. C’est le bruit plancher de l’ensem-
ble des rayonnements électromagnétiques, conforme aux prédic-
tions de G. Gamow, dont la découverte lui a valu le prix Nobel de
physique en 1978 avec P.L. Kapitsa.
■ Bruit galactique
La découverte du bruit galactique en 1932 a marqué le début de Figure 1 – Antenne de Penzias et Wilson ayant servi à la mesure du
la radioastronomie. Il y en a deux composantes, l’une est sphéri- résidu de rayonnement isotrope de l’univers
que, l’autre est une bande brillante de quelques degrés de largeur
suivant le tracé de la voie lactée. C’est un bruit blanc qui nous par-
vient à travers les fenêtres électromagnétiques de l’atmosphère.
Dans les bandes hyperfréquences il décroît quadratiquement avec ■ Bruit solaire
la fréquence ; à 200 MHz, il est équivalent au bruit thermique Le bruit du rayonnement solaire est présent dans les bandes
ambiant (§ 2.1). hyperfréquences. Il est indiqué sur la figure 2 pour un faisceau
d’ouverture 0,5° pointé sur le soleil. En période calme, le facteur de
■ Radiosources galactiques et extragalactiques bruit (voir définition § 3.1.2) dans une bande comprise entre 0,5 et
Ces sources de petites dimensions, peu intenses en hyperfré- 20 GHz, vaut approximativement :
quences correspondent à des nuages gazeux galactiques, super-
novæ, galaxies, quasars. Elles sont répertoriées dans des
catalogues résumant toutes les observations faites à ce jour, don-
nant les positions, intensités, spectres. avec F en dB et f en GHz.

Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie


E 1 380v2 – 2 est strictement interdite. – © Editions T.I.

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_________________________________________________________________________________________________________ BRUIT EN HYPERFRÉQUENCES

en retour à 900 MHz. Une partie de ces bruits est piégée dans le
guide d’onde terre-ionosphère, et donne lieu à basse fréquence
(< 20 MHz) à des bruits atmosphériques dont la valeur est relative-
ment stable.
■ Bruit céleste
Par temps clair, le rayonnement céleste est lié à la diffusion par
l’oxygène et la vapeur d’eau du rayonnement thermique du sol
(inférieur au corps noir). Il augmente avec la fréquence (avec des
pics comme à 60 GHz), mais reste en dessous du bruit thermique à
290 K.

La température de bruit augmente fortement par temps de pluie
pour des fréquences supérieures à 10 GHz, à cause de l’absorption
par l’eau. Ce phénomène concerne surtout les stations terriennes
des satellites. Pour des pluies moyennes, on considère que l’éten-
due de la zone pluviale est quasiment infinie. Pour des forts orages
par contre, le calcul doit être pondéré par la zone de pluie limitée
entrant dans le champ de l’antenne. Dans tous les cas elle est fonc-
tion de l’angle d’élévation du pointage de l’antenne (voir § 5.4.1).
Ce bruit lié aux conditions météorologiques est introduit dans
des statistiques de performances (performances atteintes pour
99,99 % du temps sur une base annuelle par exemple), établies
pour les différentes régions climatiques.
Figure 2 – Bruits électromagnétiques naturels, de 100 MHz
à 100 GHz
1.2 Interférences créées
par les équipements électroniques
Rayonnement du corps noir
1.2.1 Réglementation sur les équipements
électroniques
Le corps noir a été défini par Kirchhoff comme l’absorbant
parfait des ondes électromagnétiques. Il sert de modèle pour Tous les équipements électriques ou électroniques sont à des
évaluer un corps chaud qui perd son énergie interne en rayon- degrés divers des sources de perturbations électromagnétiques.
nant un spectre électromagnétique continu, comme par exem- Ces équipements sont classés en fonction de la nature des
ple un fer chauffé « au rouge ». Le spectre suit aux basses signaux radioélectriques qu’ils créent et des perturbations qu’ils
fréquences la loi en f 2 de Rayleigh, passe par un maximum engendrent :
qui se déplace avec la température (loi de Wien), puis décroît – émissions intentionnelles des émetteurs radioélectriques ;
selon la formule générale de Planck :
– rayonnement non essentiel de ces émetteurs ;
– signaux parasites de tous les équipements électroniques.
Ces rayonnements peuvent parasiter les récepteurs hyperfré-
quences, en particulier ceux installés en zone urbaine ou semi-
avec : c vitesse de la lumière. urbaine. C’est pourquoi les différentes autorités internationales et
h constante de Planck, nationales ont défini des normes à respecter, auxquelles sont
k constante de Boltzmann, associées des procédures de test (voir « Pour en savoir plus »).
T température du corps. Des règles spécifiques existent pour des environnements parti-
culiers (avions, hôpitaux, évènements sensibles). Par ailleurs, une
Historiquement, c’est pour rendre compte de cette décrois- réglementation existe également pour limiter les rayonnements
sance aux hautes fréquences que Max Planck a en 1900 posé la hyperfréquences qui pourraient éventuellement avoir des consé-
première pierre de la théorie quantique en introduisant la quan- quences sur la santé des personnes (téléphonie mobile, chauffage
tification d’un rayonnement électromagnétique de fréquence f par micro-ondes…) du fait de l’échauffement produit par la puis-
en quanta d’énergie individuelle hf, avec h = 6,626 × 10–34 J.s. sance de ces ondes.
Cela lui a valu le prix Nobel de physique en 1918, et les travaux
qui suivirent ont valu le prix Nobel à Einstein en 1921.
1.2.2 Bruits dans les zones urbaines
et suburbaines
■ Bruits de la lune et des planètes
La lune émet le rayonnement thermique d’un corps noir (voir Les bruits « standards » définis pour les différentes zones d’habi-
encadré), d’une température voisine de 220 K. Les planètes sont, tation ne concernent que les signaux parasites des équipements
de même, des sources radio principalement de type corps noir. électroniques (hors émetteurs hyperfréquences). Les lois retenues
(figure 3) sont approximativement (F en dB, f en MHz) :
– en zone urbaine d’activités : F ≈ 25 – 30 lg (f /100) ;
1.1.2 Bruits terrestres naturels
– en zone résidentielle : F ≈ 18 – 30 lg (f /100) ;
■ Activité orageuse – en zone semi-rurale : F ≈ 10 – 30 lg (f /100) ;
Les amplitudes rayonnées par les décharges orageuses sont – en campagne : F ≈ – 8 – 30 lg (f /100).
reçues par trains de 104 paquets par seconde, et ont des amplitu- En zone urbaine d’activités, le bruit créé par les interférences des
des inférieures à 1 mV/m à 10 km. Les rayonnements sont les plus équipements électroniques peut être supérieur au bruit thermique
denses autour de 50 MHz mais sont encore présents avec des arcs jusque vers quelques gigahertz.

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BRUIT EN HYPERFRÉQUENCES ________________________________________________________________________________________________________

Q Figure 4 – Modèles de Norton et de Thévenin

On calcule, suivant la formule de Johnson et Nyquist, que dans


le barreau existe une densité spectrale de courant uniforme (bruit
blanc) :
(2)
Figure 3 – Interférences et bruits électromagnétiques, de 100 kHz
à 1 GHz Cette représentation du bruit en termes de conductance et de
courant s’appelle la représentation de Norton (figure 4). Il existe
une autre représentation, celle de Thévenin, qui est la duale de
celle-ci. Elle est schématisée par une résistance équivalente R
2. Sources de bruit internes développant à ses bornes une tension, telle que :

(3)
avec V densité spectrale de tension, soit par
2.1 Bruit thermique définition : .

2.1.1 Calcul du bruit dans un barreau conducteur 2.1.2 Puissance de bruit


Le bruit thermique est généré par l’agitation de particules électri- Le bruit thermique est présent dans les matériaux conducteurs
sées ou « porteurs », il est observé par Johnson en 1927. et est associé à tous les courants résistifs. Il est absent dans les
matériaux isolants et les courants réactifs.
On considère que dans le barreau conducteur les porteurs sont
en équilibre thermique et transportés d’une électrode à l’autre en De façon générale, si, dans la représentation de Norton, on rem-
subissant de nombreuses collisions. Le barreau voit se développer place la conductance G par un dipôle d’admittance Y dépendant de
à ses bornes une source aléatoire de courant, telle que : la fréquence, le courant de bruit peut être schématisé par un géné-
rateur parfait de courant placé en parallèle, ayant pour densité
spectrale :
(1)

avec Re (Y ) partie réelle de Y.


avec densité spectrale de courant, soit par On démontre que la puissance maximale utilisable Ψ créée par
définition : ι = < I2 >/b, ce générateur de densité spectrale ι est :
b (Hz) bande passante,
n0 (m–3) densité de porteurs libres,
q (C) charge des porteurs, soit pour un électron
1,6 × 10–19 C, avec densité spectrale de puissance (puissance dans
une bande de fréquences).
coefficient de diffusion des porteurs,
La densité spectrale du bruit thermique est donc :
A (m2) section transverse du barreau,
L (m) longueur du barreau. (4)
Comme la conductance G (en Ω–1) de ce barreau conducteur est : ce qui à la température ambiante de 290 K (soit 17 °C) vaut
– 174 dBm/Hz.

2.2 Bruit de diffusion


avec mobilité des porteurs,
et comme le coefficient de diffusion des porteurs à la température Lorsque les porteurs sont accélérés jusqu’à leur vitesse limite
comme par exemple dans le canal d’un transistor à effet de
T vaut :
champ, le modèle du conducteur ohmique ne s’applique plus.
Un grand nombre de porteurs ont des énergies comparables à
celles des phonons thermiques, et tout accroissement du champ
électrique a pour effet principal un transfert de leur énergie vers le
réseau sans accroissement de leur vitesse. Même dans ces condi-
avec T (K) température des porteurs
tions, la distribution de vitesses reste isotrope. En conséquence,
k (J × K–1) constante de Boltzmann qui vaut 1,38 × 10–23 J.K–1. cette distribution moyenne de vitesses dans l’intervalle x-x’ (qui

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_________________________________________________________________________________________________________ BRUIT EN HYPERFRÉQUENCES

progresse à la vitesse moyenne du transport électronique) entraîne posant. Comme le bruit en 1/f (dont il est une variante à plus basse
un parcours aléatoire, et la source de courant associée a une den- fréquence), le bruit de génération-recombinaison est dimensionné
sité spectrale uniforme donnée par la formule (1) : par le nombre et la durée de vie des pièges. Cette variation aléa-
toire du nombre de porteurs est à l’origine de bruits dits burst
noise ou pop corn noise.
Ce type de bruit a une densité spectrale proportionnelle au carré
avec D coefficient de diffusion des porteurs à fort champ, du courant :


n densité de porteurs,
4
fonction de Dirac, égale à 1/∆x en x’.
Par conséquent, à chaque position x dans un intervalle spatial avec τ constante de temps équivalente du piège
∆x, les courants microscopiques se produisent sous forme d’impul- considéré.
sions courtes, décorrélées dans le temps. Une impulsion de cou-
rant dans l’intervalle x-x’ crée un déplacement de charges de x Notons que l’on rencontre ce bruit en basse fréquence entre
vers x + ∆x, créant un champ électrique dipolaire associé à la zone 0,1 Hz et quelques MHz.
de charges en x, égal et opposé à la zone de charges en x + ∆x.
Le bruit de diffusion est un bruit blanc proportionnel au coeffi-
cient de diffusion à haut champ et au courant transporté. Il est pré-
2.4 Bruits de grenaille
sent dans les sources de bruit intrinsèque du transistor à effet de
champ (voir § 3.3.2). 2.4.1 Bruit Schottky
Le bruit Schottky, ou shot noise, existe dans les semi-conduc-
2.3 Bruits de scintillation teurs là où les porteurs doivent franchir une barrière de potentiel
comme une jonction Schottky. On suppose que les porteurs sont
transportés sans se recombiner ni subir de collisions.
2.3.1 Bruit en 1/f Le modèle est basé sur une densité uniforme de porteurs, la
Aux fréquences f proches de zéro, on observe dans tout compo- suite des évènements suivant une loi de Poisson. Le temps de
sant actif (et parfois passif) une composante de bruit dite flicker transit étant supposé très court, la densité spectrale est un bruit
noise présentant une tension de bruit suivant une loi dite en 1/f, la blanc donné par la formule :
tension variant de façon à peu près proportionnelle à l’inverse de
la fréquence. Ce bruit est généralement attribué aux phénomènes (6)
de création-recombinaison de paires électron-trou, les centres où I0 est le courant déterministe traversant la barrière de potentiel
recombinants étant liés aux défauts et à l’inhomogénéité des (figure 5).
matériaux et se situant en surface des semi-conducteurs et aux
interfaces entre les différentes couches.
2.4.2 Bruit d’avalanche
Il est toujours associé à un courant direct et est modélisé empiri-
quement par une densité spectrale : Ce bruit a pour origine des phénomènes d’avalanche dans les
jonctions pn polarisées en inverse où les porteurs peuvent acqué-
rir une énergie suffisante pour créer aléatoirement des paires élec-
(5)
tron-trou par collisions. Ce bruit, caractéristique de l’effet Zener,
est toujours associé à un courant de polarisation. Il est difficile-
avec I0 courant continu traversant le composant, ment prévisible et généralement modélisé par la même expression
α coefficient caractéristique du composant, que le bruit Schottky multiplié par un facteur multiplicatif M com-
pris entre 1 et 100 :
n=2 (loi quadratique), mais peut varier entre 0,5 et 2
suivant la technologie
p = 1, mais peut varier entre 0,8 et 1,3 suivant la
technologie.
La quantité de centres recombinants étant liée aux processus de 2.5 Limite quantique
fabrication, les progrès des technologies permettent de réduire la
valeur du bruit et sa dispersion liée à la fabrication. Le domaine de Pour connaître la limite inférieure infranchissable de la densité
fréquences où cet effet est prédominant par rapport à la compo- spectrale de bruit, si l’on se place dans les conditions où la tempé-
sante de bruit thermique est cependant encore très variable. Il est rature T est très proche du zéro absolu, il faut introduire la notion
plus élevé pour les composants AsGa que pour les composants de bruit quantique [1]. Une transition élémentaire ne peut se pro-
silicium, plus élevé également pour des composants sensibles à duire qu’avec une énergie minimale hf (h = constante de Planck,
l’état de la surface des semi-conducteurs (dans les transistors à voir encadré), qui correspond, pour f = 10 GHz, à une densité spec-
effet de champ en AsGa on peut avoir des effets jusqu’à 100 MHz). trale de bruit de – 202 dBm/Hz. Cette limite est vraiment contrai-
gnante vers les fréquences optiques, 10 000 fois plus élevées.
Cette source de bruit est critique pour les composants utilisés en
oscillateurs, car elle est la principale contribution au bruit d’ampli-
tude et au bruit de phase (voir § 4.1).

2.3.2 Bruit de génération-recombinaison


Dans un semi-conducteur, les porteurs (électrons et trous) peu-
vent subir des captures aléatoires sur les centres de recombinai-
son, et être régénérés durant le temps de transit. Il s’agit de
centres ayant pour origine en particulier des contaminations par
Figure 5 – Modélisation du bruit de grenaille
des ions lourds comme l’or introduit lors de la fabrication du com-

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INNOVATION

Mesures et modélisations
de composants électroniques Q
hyperfréquences
par Tony GASSELING*, Christophe CHARBONNIAUD** et Stéphane DELLIER***

La conception de circuits hyperfréquences et notamment des amplificateurs


de puissance est un défi même pour des ingénieurs expérimentés.
Cet article a pour objet d’éclairer le lecteur sur les différentes techniques de
modélisation actuellement utilisées.

1.1 Analyse au niveau du composant * Gérant de la Sté


Même pour des ingénieurs expérimentés qui AMCAD Engineering
travaillent dans des laboratoires parfaitement Différentes méthodes peuvent être utilisées pour
** Responsable de la
équipés, la conception de circuits hyperfréquen- l’analyse de circuits radiofréquences et hyperfré- modélisation (Sté
ces, et notamment des amplificateurs de puis- quences. AMCAD Engineering)
sance présents au cœur de tous les systèmes, Pour des études effectuées dans le domaine tem- *** Responsable de la
conception de circuits
représente encore un challenge significatif. En porel, le logiciel SPICE [1] développé à Berkeley dans (Sté AMCAD
effet ceux-ci ont la particularité d’avoir un com- les années 1970 est sans doute le plus populaire. Engineering)
portement non linéaire en fonction de la puis- Celui-ci est relativement bon marché et de nombreu-
sance du signal d’excitation. ses start-up ont contribué à développer les exten-
Aujourd’hui, la technique dite du « Try and sions disponibles pour l’amélioration des interfaces
Cut » reste encore très utilisée. Celle-ci consiste utilisateurs. Ce logiciel est approprié pour la concep-
à faire réaliser plusieurs prototypes, puis, en tion de circuits radiofréquences mais ses capacités
fonction des performances délivrées par chaque restent limitées pour les circuits micro-ondes.
élément, des choix technologiques sont effectués En régime établi, l’étude de circuits non linéaires
au cours des différentes itérations pour s’achemi- micro-ondes se fait donc plus souvent en utilisant les
ner progressivement vers la réalisation du circuit techniques de simulation par équilibrage harmonique
offrant les performances optimales. [2]. Cette technique consiste à scinder le circuit étu-
Cette technique est coûteuse et augmente les dié en deux : une partie de la simulation est alors
temps de développement. L’ingénieur peut effectuée dans le domaine fréquentiel, sur le sous-
cependant disposer d’un outil qui lui permet circuit uniquement constitué d’éléments linéaires, et
d’éviter cet écueil, à savoir l’utilisation de modè- une analyse temporelle est effectuée sur le sous-cir-
les fiables et précis de composants électroniques. cuit uniquement constitué d’éléments non linéaires.
Bien que nombre d’ingénieurs soient familiers L’équilibrage harmonique consiste à trouver les solu-
avec ces mesures et ces techniques de modélisa- tions qui satisfont simultanément les lois de Kirchhoff
tion, l’assurance d’effectuer ces tâches en toute obtenues à l’interface de ces deux sous-parties en
rigueur et de garantir la justesse des modèles passant d’un domaine à l’autre par les transforma-
produits reste encore un challenge significatif. tions de Fourier. Cette solution est trouvée par
Cet article a pour objet d’éclairer le lecteur sur l’usage d’un algorithme itératif qui converge progres-
les différentes techniques de modélisation sivement vers la solution. Pour ce type de simula-
actuellement utilisées. tions, les logiciels les plus connus sont ceux des
sociétés Applied Wave Research, Ansoft et Agilent.
La nature des simulations effectuées suivant le
1. Analyse non linéaire type d’algorithme choisi impose certaines contraintes
quant au type de modèle utilisé, et donc certaines
p。イオエゥッョ@Z@ョッカ・ュ「イ・@RPPU

Cette analyse non linéaire peut être effectuée pour contraintes vis-à-vis des mesures réalisées pour bâtir
deux niveaux d’intégration différents, à savoir sur les ce modèle.
composants élémentaires (par exemple les transis- La méthode classique au moyen de l’algorithme
tors), ou directement au niveau système tel que les itératif de Newton est celle permettant d’utiliser les
amplificateurs de puissance. éléments non linéaires les plus simplement définis, et

11 - 2005 © Techniques de l’Ingénieur IN 38 - 1

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INNOVATION

donc de mettre également en œuvre les techniques Par conséquent, en plus de la réponse du circuit
de mesures les plus simples. aux hyperfréquences, les mesures dédiées à la
modélisation doivent exciter les constantes de temps
Par exemple pour une analyse temporelle d’un


thermiques et, s’il y a lieu, les fréquences de réso-
transistor à effet de champ (TEC), entre la grille et nance des circuits de polarisation et des circuits
le canal, la capacité est couramment définie en d’adaptation. L’extraction de modèles boîte noire de
fonction d’une simple charge de déplétion Qg. Le Volterra modifiés dits à « noyaux dynamiques » per-
courant au travers de cette charge est le courant de met désormais d’appréhender avec plus d’exactitude
grille Ig où : ces phénomènes.
∂Q g d V gs ∂Q g d V gd Au final, le challenge de la modélisation boîte noire
I g = ------------------------
- + ------------------------- (1)
∂V gs d t ∂V gd d t est, compte tenu des spécifications du concepteur de
système, de parvenir à adapter un compromis temps
avec Vgs tension entre la grille et la source, de calcul/finesse de description des phénomènes,
permettant d’effectuer la simulation de l’ensemble du
Vgd tension entre la grille et le drain. système ou sous-système dans des délais réalistes.
Cette approche est efficace pour une analyse faite Ce type de modèle est aujourd’hui intégré dans le
dans le domaine temporel où les dérivées des ten- logiciel de simulation circuit GoldenGate développé
sions sont d’ores et déjà disponibles. En revanche, par la société Xpedion en partenariat avec l’Institut
elle n’est pas pertinente pour une analyse en équili- de Recherche en Communications Optiques et Micro-
brage harmonique où la dérivée dans le domaine fré- ondes (Limoges, France). Celui-ci est intégré dans
quentiel s’obtient par une multiplication par le l’environnement Cadence.
nombre complexe jw avec w défini comme pulsation
du signal.
Par conséquent, l’expression des capacités du TEC 2. Principes de modélisation
pour une utilisation en équilibrage harmonique est
faite suivant deux charges distinctes, une charge La modélisation à un niveau d’intégration moindre,
définie entre la grille et la source, et une autre entre à savoir au niveau du composant, est une des phases
le drain et la source. les plus critiques. En effet, celle-ci repose sur trois
points clefs, à savoir le choix de la typologie du
modèle, l’extraction des paramètres du modèle par la
1.2 Analyse au niveau du système mesure, et la validation de ce modèle.
Contrairement à l’analyse précédente où une des- Bien que des modèles du type boîte noire puissent
cription de chaque élément non linéaire représentant être proposés au niveau du composant, la quasi-inté-
le composant est effectuée, l’analyse au niveau sys- gralité de ces modèles sont basés sur des architectu-
tème tend actuellement à utiliser des modèles de res de circuits équivalents, dérivés des lois physiques
type « boîte noire ». ou bien de manière empirique.
Cette technique de modélisation s’applique à un
circuit fermé de conception inconnue, d’où le nom de 2.1 Modélisation suivant
boîte noire. La modélisation s’applique directement les lois physiques
au circuit et non pas à chaque élément le constituant.
Ces techniques de modélisation sont encore en Tout composant peut théoriquement être modélisé
cours de développement [3]. L’un des objectifs visés suivant la physique des semi-conducteurs pour
par l’utilisation de tels modèles est de pouvoir con- représenter les équations de transport des porteurs
duire une analyse non linéaire d’un système complet de charges à travers le dispositif. À partir de ces
en utilisant directement un ensemble de mesures équations, les tensions et courants, ainsi que leurs
couramment disponibles effectuées en large signal dérivées peuvent être déterminés. Cette méthode de
sur les circuits constituant ce système. modélisation présente l’inconvénient d’être très
lourde et peut engendrer des temps de simulation
Les séries de Volterra introduites au début du siè- très longs, voire rédhibitoires pour le concepteur.
cle dernier par V. Volterra [4] est l’un des formalis-
mes les plus élégants et rigoureux pour la description Certaines approches tendent donc à simplifier ces
des phénomènes dynamiques non linéaires. Malheu- modèles tout en restant proche des équations physi-
reusement, sous sa forme classique, ses propriétés ques de base, soit en fractionnant la représentation
de convergence restent faibles, ce qui limite leur por- du composant en plusieurs parties plus facilement
tée à des systèmes faiblement non linéaires. modélisables individuellement, soit en simplifiant ces
modèles par des méthodes de réduction de modèle,
De récents travaux [5] montrent en effet les limites notamment pour les simulations électrothermiques
de cette technique, notamment pour modéliser les [6] [13] [14].
constantes de temps disparates (de la nano à la mil-
liseconde) présentes au sein du circuit. En effet, Il est couramment convenu que la lourdeur engen-
lorsqu’un signal modulé excite le circuit, des phéno- drée par la nature de ces modèles est le prix à payer
mènes de mémoires lentes et rapides doivent être pour produire une approche rigoureuse de la modéli-
pris en compte, car un signal modulé est simultané- sation. Ce constat n’est pas si simple car, dans la pra-
ment constitué de fréquences basses (fréquences tique, des approximations restent nécessaires pour
d’enveloppe), et de fréquences hautes (fréquences pouvoir rendre effective l’utilisation de cette
porteuses du signal). méthode.

IN 38 - 2 © Techniques de l’Ingénieur 11 - 2005

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Circuits passifs hyperfréquences


Introduction
par Paul-François COMBES

Docteur en sciences
Professeur à l’université Paul-Sabatier, Toulouse
et Raymond CRAMPAGNE
Ingénieur de l’École supérieure d’électricité (Supélec)
Docteur en sciences
Professeur à l’Institut national polytechnique de Toulouse (ENSEEIHT)

1. Lignes éléments et dispositifs passifs............................................... E 1 400 - 2


2. Présentation des articles ....................................................................... — 2

es circuits passifs hyperfréquences sont les lignes, les éléments et les dispo-
L sitifs passifs que l’on trouve dans les systèmes hyperfréquences, par exem-
ple, entre l’émetteur ou le récepteur et l’antenne ou le câble de transmission.
p。イオエゥッョ@Z@ヲ←カイゥ・イ@RPPR

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Circuits passifs hyperfréquences


Guides d’ondes métalliques
par Paul-François COMBES

Docteur en sciences
Professeur à l’université Paul-Sabatier, Toulouse
et Raymond CRAMPAGNE
Ingénieur de l’École supérieure d’électricité (Supélec)
Docteur en sciences
Professeur à l’Institut national polytechnique de Toulouse (ENSEEIHT)

1. Fréquences mises en jeu ........................................................................ E 1 401 - 2


2. Guides d’ondes rectangulaires............................................................. — 3
2.1 Expressions des champs............................................................................. — 3
2.2 Relation fondamentale de la propagation guidée .................................... — 4
2.3 Cas particulier des modes TEm0 et TE0n ..................................................... — 4
3. Mode fondamental des guides rectangulaires ................................ — 5
3.1 Expressions des champs............................................................................. — 5
3.2 Coupe transversale du champ. Lignes de courant ................................... — 6
3.3 Puissance active transportée par l’onde TE10 ............................................ — 6
4. Étude des modes TEm0 des guides rectangulaires.......................... — 6
4.1 Cartes des lignes de champs et de courants ............................................. — 6
4.2 Dimensions et bande passante d’un guide d’ondes................................. — 7
5. Atténuation dans les guides d’ondes rectangulaires .................... — 9
6. Guides rectangulaires standards et surdimensionnés .................. — 10
7. Guides d’ondes circulaires .................................................................... — 10
7.1 Expressions des champs............................................................................. — 10
7.2 Caractéristiques des modes de propagation............................................. — 11
7.3 Étude du mode fondamental TE11 .............................................................. — 11
7.4 Atténuation en guide d’ondes circulaire.................................................... — 13
8. Guides d’ondes coaxiaux ....................................................................... — 13
8.1 Guide d’ondes coaxial circulaire ................................................................ — 13
8.2 Guide d’ondes coaxial carré ou rectangulaire .......................................... — 18
9. Autres types de guides métalliques ................................................... — 19
9.1 Guides à nervure ......................................................................................... — 19
9.2 Guides en H, en U et à rainures.................................................................. — 20
Références bibliographiques ......................................................................... — 20

l existe un très grand nombre de guides d’ondes, les uns métalliques, les
I autres diélectriques. Ce sont, dans tous les cas, des structures qui restent
invariantes quand on effectue une translation selon un axe qui constitue la direc-
tion de propagation de la puissance active (figure A).
Le milieu 1 où se propagent les ondes est toujours un milieu diélectrique. Dans
les guides d’ondes métalliques, ce milieu est limité par une interface diélec-
trique-conducteur (milieu 2, métallique) tandis que, dans les guides d’ondes dié-
lectriques, ce milieu est limité par une interface diélectrique-diélectrique
p。イオエゥッョ@Z@ヲ←カイゥ・イ@RPPR

(milieu 2, diélectrique).

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CIRCUITS PASSIFS HYPERFRÉQUENCES ____________________________________________________________________________________________________

2 z
1
z'

1 milieu diélectrique
2 milieu conducteur ou diélectrique

Q Figure A – Structure d’un guide d’ondes

Les guides diélectriques sont très peu utilisés dans les circuits passifs micro-
ondes. En effet :
— le guide diélectrique à section circulaire est surtout utilisé pour les télé-
communications aux fréquences optiques, d’où son nom de fibre optique (voir
Fibres optiques pour télécommunications [E 7 110] dans le traité Télécoms) ;
— les guides diélectriques à structure planaire sont utilisés pour les circuits
intégrés en ondes millimétriques où ils se prêtent bien à l’intégration des com-
posants actifs et passifs. Ils servent aussi à réaliser des circuits passifs, mais aux
fréquences optiques [1] [2].
Nous traiterons donc ici des guides d’ondes métalliques qui sont très
employés en tant que circuits passifs en ondes centimétriques et millimétriques.
Les structures les plus utilisées sont à section transversale rectangulaire ou cir-
culaire. Ils peuvent fonctionner soit en mode fondamental (guides standards),
soit en modes supérieurs (guides surdimensionnés). Nous parlerons aussi de
quelques autres types de guides métalliques, notamment les guides à nervure
centrale ainsi que les guides en U, en H et à rainure qui sont utilisables au-delà
de 100 GHz.
Cet article est la première partie d’un ensemble de quatre articles sur les circuits passifs
hyperfréquences [22], [23] et [24]. Par la suite, les auteurs présentent les filtres et cavités
[E 1 402], les éléments passifs réciproques [E 1 403] puis les éléments non réciproques et des
applications [E 1 404].

1. Fréquences mises en jeu ces que pour les mesurer. Une théorie des circuits à paramètres
répartis a vu le jour à cet effet. Quant aux mesures, elles portent le
plus souvent sur les puissances, incidente, transmise et réfléchie.
Les gammes de fréquences sont souvent classées par décades,
On appelle hyperfréquences ou micro-ondes les bandes de conformément au tableau 1.
(0)

fréquences pour lesquelles les dimensions géométriques des


dispositifs mis en jeu sont de l’ordre de grandeur de la longueur
d’onde associée à l’onde électromagnétique. La fréquence f
d’une onde électromagnétique est liée à sa longueur d’onde λ Tableau 1 – Classification en décades des bandes
dans le vide (air) par la relation : de fréquences
λf = c
Abréviation
où c = 3 ·108m/s Fréquences Longueurs d’ondes
internationale
Les dimensions géométriques usuelles vont du millimètre au
mètre. Le vocable « hyperfréquences » englobe donc toutes les 3 MHz < f < 30 MHz Décamétriques HF (high frequency)
fréquences s’étendant approximativement de 300 MHz à
300 GHz. Le mot « micro-ondes » est la traduction littérale de 30 MHz < f < 300 MHz Métriques VHF (very high
l’anglais microwave, le terme spécifiquement français étant frequency)
hyperfréquences [3].
300 MHz < f < 3 GHz Décimétriques UHF (ultra high
frequency)

Le fait que dimensions géométriques et longueur d’onde de tra- 3 GHz < f < 30 GHz Centimétriques SHF (super high
vail soient du même ordre de grandeur implique que l’on ne peut frequency)
plus utiliser la théorie de Kirchoff prenant pour base les éléments à
paramètres localisés. Des méthodes particulières d’analyse doivent 30 GHz < f < 300 GHz Millimétriques EHF (extremely high
frequency)
être développées, tant pour concevoir les dispositifs hyperfréquen-

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____________________________________________________________________________________________________ CIRCUITS PASSIFS HYPERFRÉQUENCES

(0)

Tableau 2 – Dénomination fonctionnelle des bandes de fréquences


Contre-Mesure Radar Fréquences UTI
Bande M Bande W Bande 11
60 GHz à 100 GHz 80 GHz à 100 GHz 30 GHz à 300 GHz
Bande L Bande V


40 GHz à 60 GHz 60 GHz à 80 GHz
Bande K Bande U
20 GHz à 40 GHz 40 GHz à 60 GHz
Bande J Bande Ka
10 GHz à 20 GHz 27 GHz à 40 GHz
Bande I Bande K Bande 10
8 GHz à 10 GHz 18 GHz à 27 GHz 3 GHz à 30 GHz
Bande H Bande Ku
6 GHz à 8 GHz 12 GHz à 18 GHz
Bande G Bande X
4 GHz à 6 GHz 8 GHz à 12 GHz
Bande F Bande C
3 GHz à 4 GHz 4 GHz à 8 GHz
Bande E Bande S Bande 9
2 GHz à 3 GHz 2 GHz à 4 GHz 300 MHz à 3 GHz
Bande D Bande L
1 GHz à 2 GHz 1 GHz à 2 GHz
Bande C Bande UHF
500 MHz à 1 000 MHz 300 MHz à 1 GHz
Bande B Bande VHF Bande 8
250 MHz à 500 MHz 30 MHz à 300 MHz 30 MHz à 300 MHz
Bande A Bande HF
0 MHz à 250 MHz 3 MHz à 30 MHz
(0)

Tableau 3 – Positionnement des hyperfréquences dans le spectre électromagnétique


3 · 105 Hz 3 · 108 Hz 3 · 1011 Hz 3 · 1014 Hz 3 · 1016 Hz 3 · 1018 Hz 3 · 1020 Hz
Ondes longues Radio AM-FM Hyperfréquences Infrarouge Ultraviolet Rayons X Rayons gamma
Télévision Spectre visible
VHF

La plupart des applications hyperfréquences se situent à l’heure


y
actuelle dans la bande de fréquences comprise entre 1 GHz et
40 GHz. L’évolution de la technologie et des applications fait que l’on
pourra être amené à s’intéresser à des dispositifs qui concernent la b
bande de fréquence allant de 300 GHz à 1 000 GHz ; cette bande de
fréquence est qualifiée de sous-millimétrique. À l’heure actuelle, il O
a x
existe une littérature relativement abondante ([4] par exemple)
concernant la technologie nommée THZ, c’est-à-dire les dispositifs z
travaillant à des fréquences voisines du térahertz (1012 Hz).
Figure 1 – Guide d’ondes rectangulaire

Pour des fréquences situées entre 100 MHz et 100 GHz, les utilisa-
teurs ont pris l’habitude de définir un certain nombre de sous-ban-
des indiquées dans le tableau 2. Les trois colonnes représentent 2. Guides d’ondes
respectivement, les applications Contre-Mesure, les applications
Radar et les normes définies par l’Union technique internationale rectangulaires
(UTI) [5], déjà présentes dans le tableau 1. On remarquera que la
nomenclature des gammes de fréquences élevées n’est pas tou-
jours très explicite et dépend souvent du domaine particulier 2.1 Expressions des champs
concerné par les applications.

Soit un guide d’ondes rectangulaire dont nous notons a le grand


Le tableau 3 représente le spectre des « hyperfréquences » ; la
côté et b le petit côté. Par convention, nous prenons les axes des x
partie inférieure touche les bandes consacrées à la radio et à la télé- et des y respectivement parallèles au grand et au petit côté
vision tandis que la partie supérieure rejoint le spectre infrarouge (figure 1), tandis que l’axe des z est parallèle à l’axe d’invariance du
puis optique. guide.

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CIRCUITS PASSIFS HYPERFRÉQUENCES ____________________________________________________________________________________________________

Le calcul des champs électromagnétiques de ce guide s’effectue 2.2 Relation fondamentale


en recherchant les solutions de l’équation de propagation dans le
diélectrique du guide, compte tenu des conditions aux limites de la propagation guidée
imposées par les parois conductrices. Ce calcul tout à fait classique
[6] [7] [8] montre que la propagation s’effectue selon des modes
transverses électriques (notés TE ou H) pour lesquels Ez = 0 et trans- Dans les relations précédentes :
verses magnétiques (notés TM ou E) pour lesquels Hz = 0. 2 2
 mπ  nπ
k c2 =  --------- +  -------


■ La fonction génératrice des modes TEmn est : (11)
a b
πx πy kc et γ sont liés par la relation fondamentale de la propagation
H z = H cos m ------- cos n ------- exp ( – γ z ) exp ( j ω t ) (1) guidée :
a b

avec m et n entiers positifs ou nuls, k c2 = γ 2 + ω 2 εµ = γ 2 + k 2 (12)


γ paramètre caractéristique de la propagation selon k = 2π/λ
l’axe des z.
avec λ longueur d’onde en espace libre dans le
Les expressions des composantes transversales se déduisent de diélectrique dont est constitué le guide.
la composante longitudinale grâce aux équations de Maxwell et l’on
trouve que : kc peut être écrit sous la forme :
kc = 2π/λc
j ωµ 0 nπ πx πy
E x = H ------------ ------- cos m ------- sin n ------- (2) avec λc longueur d’onde donnée par :
2 b a b
kc
2
j ωµ 0 mπ λ c = ------------------------------------- (13)
πx πy 2 2
E y = – H ------------ --------- sin m ------- cos n ------- (3)  m  n
k2 a a b  ----- +  ---
c a b

γ mπ πx πy Le paramètre de propagation γ est donné par :


H x = H ------ --------- sin m ------- cos n ------- (4)
2 a a b
kc 1 2 1 2
γ = k c2 – k 2 = 2π  ----- –  --- (14)
   
λc λ
γ nπ πx πy
H y = H ------ ------- cos m ------- sin n ------- (5)
kc b2 a b Si λ > λc, γ est réel, soit γ = α, et tous les termes en exp(− γz) qui
affectent les champs caractérisent un affaiblissement exponentiel : il
avec kc nombre d’ondes de coupure (§ 2.2), n’y a pas propagation ; α est appelé le paramètre d’affaiblissement
de la propagation.
µ0 perméabilité du vide.
Si λ < λc, γ est imaginaire pur, soit γ = jβ, et tous les termes en
Nota : les facteurs exp(− γz) exp(jωt) sont sous-entendus dans ces quatre expressions,
ainsi que dans les expressions (7) à (10) ci-après.
exp(− γz) sont des termes de phase caractérisant une onde qui se
propage avec la vitesse de phase vp = ω/β ; β est le paramètre de
■ La fonction génératrice des modes TMmn est : phase de la propagation.
λc est appelée la longueur d’onde de coupure du guide d’ondes ;
πx πy la fréquence fc qui lui correspond, d’après fc = v/λc avec
E z = E sin m ------- sin n ------- exp ( – γ z ) exp ( j ω t ) (6)
a b v = 1 ⁄ ε µ , est la fréquence de coupure :
— si f > fc, il y a propagation ;
Les expressions des composantes transversales, qui s’en — si f < fc, il n’y a pas propagation.
déduisent, sont :
Dans le cas où il y a propagation : k c2 = – β 2 + k 2
γ mπ πx πy De même que : kc = 2π/λc et k = 2π/λ
E = – E ------ --------- cos m ------- sin n ------- (7)
x
k c2 a a b β peut être écrit sous la forme : β = 2π/λg
avec λg longueur d’onde de propagation guidée selon
γ nπ πx πy l’axe des z du guide.
E y = – E ------ ------- sin m ------- cos n ------- (8)
k c2 b a b Dans ces conditions, la relation fondamentale de la propagation
guidée peut s’écrire :
j ωε 0 nπ πx πy 2
H x = E ------------ ------- sin m ------- cos n ------- (9)  1  12  1 2
kc 2 b a b  --- =  ----- +  ------ (15)
λ λc λg
j ωε 0 mπ πx πy
H y = – E ------------ --------- cos m ------- sin n ------- (10)
2 a a b
kc
2.3 Cas particulier des modes TE m0 et TE 0n
Nota : E et H sont des champs constants arbitraires liés par la relation :

Dans les relations (1) et (6) qui donnent les fonctions génératrices,
E⁄H = µ⁄ε
nous voyons que, pour les modes TEmn, m ou n peut être nul tandis
Leur valeur pourrait être calculée en connaissant la puissance transportée par le guide que, pour les modes TMmn, m et n doivent être non nuls. Deux cas
d’ondes. particulièrement intéressants sont ceux des modes TEm0 ou TE0n.

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Circuits passifs hyperfréquences


Filtres et cavités
par Paul-François COMBES
Docteur en sciences

Professeur à l’université Paul-Sabatier, Toulouse
et Raymond CRAMPAGNE
Ingénieur de l’École supérieure d’électricité (Supélec)
Docteur en sciences
Professeur à l’Institut national polytechnique de Toulouse (ENSEEIHT)

1. Filtrage hyperfréquence......................................................................... E 1 402 - 2


1.1 Réalisation d’impédances et de circuits accordés
avec des lignes microbandes ..................................................................... — 2
1.2 Filtres passe-bas et passe-haut en lignes microbandes........................... — 4
1.3 Filtres passe-bande en lignes microbandes .............................................. — 6
1.4 Filtres à cavité en guides d’ondes .............................................................. — 7
1.5 Filtres à lignes couplées.............................................................................. — 8
1.6 Méthode de synthèse des filtres passe-bas .............................................. — 8
1.7 Transposition aux filtres passe-haut et passe-bande ............................... — 12
1.8 Procédure de calcul d’un filtre passe-bas et d’un filtre passe-bande...... — 13
2. Cavités électromagnétiques ................................................................. — 14
2.1 Conditions de résonance ............................................................................ — 14
2.2 Principaux types .......................................................................................... — 15
2.3 Coefficients de surtension .......................................................................... — 18
2.4 Modélisation de l’impédance d’entrée ...................................................... — 19
2.5 Applications ................................................................................................. — 22
Références bibliographiques ......................................................................... — 24

e problème de la conception de filtres aux hyperfréquences est compliqué,


L car les éléments que l’on utilise sont à paramètres distribués ; il n’existe pas
de procédure de synthèse totalement générale. En effet, le comportement fré-
quentiel des éléments de circuits micro-ondes (lignes de transmission, cavités)
est complexe, ce qui rend impossible le développement d’une procédure de
synthèse générale et complète.
Cependant, en dépit de ces complications additionnelles dues aux hyper-
fréquences, de nombreuses techniques ont été développées, permettant de
concevoir des filtres micro-ondes. Le cas des filtres à bande étroite est exem-
plaire car beaucoup d’éléments micro-ondes ont dans une bande de fréquence
étroite, des caractéristiques fréquentielles qui ressemblent à celles des
réactances idéales inductives ou capacitives.
Les filtres hyperfréquences peuvent être utilisés en association avec d’autres
éléments ou dispositifs passifs, comme cela est le cas dans les multiplexeurs
ou les diplexeurs souvent employés en télécommunications. Les filtres hyper-
fréquences sont aussi utilisés dans les circuits actifs tels qu’amplificateurs,
oscillateurs, mélangeurs, etc.
Les cavités électromagnétiques, ou résonateurs micro-ondes, sont utilisées
p。イオエゥッョ@Z@ョッカ・ュ「イ・@RPPR

dans de très nombreuses applications parmi lesquelles on peut citer les filtres,
les oscillateurs, les fréquencemètres, les amplificateurs accordés et les capteurs
micro-ondes. Le fonctionnement des résonateurs micro-ondes est à bien des
égards, semblable au fonctionnement des circuits accordés à éléments localisés

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CIRCUITS PASSIFS HYPERFRÉQUENCES ____________________________________________________________________________________________________

de la théorie des circuits de Kirchhoff. C’est pourquoi il est utile d’avoir toujours
à l’esprit les propriétés fondamentales des circuits résonnants RLC série et
parallèle.
Nous allons décrire le fonctionnement des résonateurs aux hyperfréquences
réalisés à l’aide d’éléments distribués tels que les lignes de transmission, les
guides d’ondes rectangulaires et circulaires et les cavités diélectriques.


1. Filtrage hyperfréquence C’est pour cette raison que beaucoup d’efforts en conception de
filtrage micro-onde prennent directement pour base les techniques
de synthèse de filtrage basse fréquence.
Un dispositif idéal de filtrage est un dispositif qui réalise une Les techniques de synthèse des filtres basse fréquence sont
transmission parfaite pour toutes les fréquences situées dans la essentiellement au nombre de deux : la méthode dite des para-
bande passante et une atténuation infinie dans les bandes cou- mètres image (filtres à k constant ou à dérivée en m ) et la méthode
pées. De telles caractéristiques idéales ne peuvent être obtenues des pertes d’insertion. La méthode des paramètres image conduit
en pratique et le but d’un concepteur de filtres est d’approcher au à une conception globale du filtre ayant les caractéristiques
mieux ces contraintes idéales en acceptant une certaine tolérance. souhaitées dans les bandes passante et coupée mais ne spécifie
Les fréquences de travail des filtres actuellement réalisés sont pas exactement les caractéristiques fréquentielles pour chaque
extrêmement étendues [E 3 100]. région particulière. La méthode des pertes d’insertion, quant à elle,
commence par une spécification très complète des caractéristiques
Les filtres peuvent être divisés en trois catégories : fréquentielles physiquement réalisables : le dispositif de filtrage
— les filtres passe-bas qui transmettent tous les signaux dont les particulier est alors construit à partir de ces contraintes.
fréquences sont comprises entre la fréquence nulle et une certaine Le principal désavantage de la méthode des paramètres image
fréquence limite fc , les fréquences supérieures à fc étant atténuées ; est que de nombreux essais sont souvent nécessaires afin d’obte-
— les filtres passe-haut qui laissent passer toutes les fréquences nir une caractéristique fréquentielle globale acceptable, le filtre réa-
supérieures à une fréquence fc et atténuent toutes les fréquences lisé étant souvent plus compliqué que celui obtenu par la méthode
inférieures ; des pertes d’insertion. C’est pour cette raison que l’on préfère, à
— les filtres passe-bande pour lesquels seules sont transmises l’heure actuelle, la méthode des pertes d’insertion.
les fréquences situées dans l’intervalle [f1 , f2] ; les fréquences à
Les filtres hyperfréquences peuvent être utilisés en association
l’extérieur de cet intervalle sont atténuées.
avec d’autres éléments ou d’autres dispositifs passifs, comme cela
Le dispositif « dual » du filtre passe-bande, c’est-à-dire le filtre est le cas dans les multiplexeurs ou les diplexeurs souvent
« coupe-bande » qui n’atténue que les fréquences situées dans employés en télécommunications. Ils sont aussi utilisés dans les
l’intervalle [f1 , f2], possède aussi certaines applications intéres- circuits actifs tels qu’amplificateurs, oscillateurs, mélangeurs, etc.
santes, en particulier en compatibilité électromagnétique pour éli- L’importance du sujet est telle que nous ne pouvons en donner
miner les fréquences parasites. ici qu’une introduction. Des développements plus complets pour-
Aux fréquences basses, les « briques élémentaires » de filtrage ront être trouvés ailleurs en ce qui concerne la théorie générale du
sont les bobines et les condensateurs. Ces éléments ont des carac- filtrage [1] et en ce qui concerne une vue générale des diverses
téristiques fréquentielles très simples et une procédure de syn- réalisations [2] [3].
thèse très générale et très complète a été développée par les
concepteurs utilisant ces éléments [E 3 120].
Il est possible de mener des développements analytiques très 1.1 Réalisation d’impédances
poussés pour une très grande variété de filtres ayant des caracté- et de circuits accordés
ristiques fréquentielles souvent très sophistiquées [E 3 110].
avec des lignes microbandes
Le problème de la conception de filtres aux hyperfréquences est
beaucoup plus compliqué, car les éléments que l’on utilise sont à
paramètres distribués ; il n’existe pas de procédure de synthèse 1.1.1 Équivalence entre un tronçon de ligne
totalement générale. En effet, le comportement fréquentiel des élé- et une inductance ou une capacité
ments de circuits hyperfréquences (lignes de transmission, cavités)
est complexe, ce qui rend impossible le développement d’une pro- Nous savons qu’un tronçon de ligne d’impédance caractéristique
cédure de synthèse générale et complète. Z c , fermé sur une impédance de charge Z L , présente, à une dis-
tance x de cette dernière, une impédance Z(x ) donnée par :
Cependant, en dépit de ces complications additionnelles dues
aux hyperfréquences, de nombreuses techniques ont été dévelop- Z L + j Z c tan β x
pées permettant de concevoir des filtres hyperfréquences. Z ( x ) = Z c ------------------------------------------- (1)
Z c + j Z L tan β x
Le cas des filtres à bande étroite est exemplaire car beaucoup Les tronçons utilisés ont une longueur x telle que :
d’éléments hyperfréquences ont, dans une bande de fréquence
étroite, des caractéristiques fréquentielles qui ressemblent à celles tan βx ≈ βx à 10 % près
des réactances idéales inductives ou capacitives. Dans ce cas, un
filtre passe-bas prototype peut être réalisé comme modèle. Le filtre soit : βx < π/6 ou x < λ /12
hyperfréquence sera ensuite réalisé en remplaçant les bobines et Dans ces conditions, (1) peut s’écrire :
les condensateurs par les éléments de circuit hyperfréquence
appropriés, ayant des caractéristiques fréquentielles semblables ZL + j Zc β x
Z (x ) = Z c --------------------------------- (2)
pour l’intervalle fréquentiel de travail. Zc + j ZL β x

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■ Z L << Z c ␤ x (cas particulier ZL = 0) :


ω R1 L1
Z (x) ≈ j Zc β x = j Z c -------- x
vp
avec vp vitesse de propagation.
G1 C1
Le tronçon de ligne se comporte comme une impédance induc-
tive Lω et l’on peut dire qu’il est équivalent à l’inductance :
x
L = Z c --------
vp
(3)
Figure 1 – Représentation quadripolaire d’un tronçon de ligne

La réalisation technologique de ce cas peut se faire : avec pertes
— soit par une ligne en court-circuit ;
— soit par une ligne dont l’impédance caractéristique Zc est très
grande devant celle de la ligne qui la charge.
■ ZL ␤ x >> Zc (cas particulier ZL = ∞) : Zc
X=Lω
Zc vp 1 Zc Zc
Z (x) ≈ – j --------- = – j Z c -------- ----- 1 2
βx ω x
Le tronçon de ligne se comporte comme une impédance capaci- ᐉ
tive 1/Cω et il est équivalent à la capacité :
1 x Zc >> Zc ou Zc
C = -------- --------- (4) 1 2
Zc vp

La réalisation technologique de ce cas peut se faire soit par une Figure 2 – Réalisation d’une inductance série en lignes microbandes
ligne en circuit ouvert, soit par une ligne dont l’impédance carac-
téristique Zc est très petite devant celle de la ligne qui la charge.
Nota : il serait possible d’arriver aux mêmes conclusions à partir de la représentation
quadripolaire classique d’un tronçon de ligne de longueur unité (figure 1).
Si nous nous plaçons dans l’approximation des lignes sans
pertes (R1 = G1 = 0, qui est utilisée dans le raisonnement précé-
Zc ᐉ Z c'
dent), le quadripôle se réduit à une inductance en série et à une B= 1
capacité en parallèle, ce qui nous permet de préciser que : Lω
Court-circuit
— un tronçon de ligne inductif modélise une inductance série ;
— un tronçon de ligne capacitif modélise une capacité parallèle.

1.1.2 Réalisation d’inductances et de capacités Figure 3 – Réalisation d’une inductance parallèle


en lignes microbandes
De tout ce qui vient d’être expliqué découle la réalisation
d’inductances et de capacités avec des tronçons de ligne. Cette réa-
lisation est particulièrement aisée en technologie microbande puis-
que l’impédance caractéristique d’une telle ligne est inversement
proportionnelle à la largeur de la bande.
Zc Zc
■ Une inductance série (figure 2) s’obtient par un fort rétrécisse- 1 2
ment de la bande métallique ; en effet, le tronçon de faible largeur, B=Cω Zc
qui présente donc une forte impédance caractéristique, se trouve
chargé à ses extrémités par des lignes dont l’impédance caracté-
ristique est plus faible (§ 1.1.1). ᐉ

■ Une inductance parallèle (figure 3) s’obtient en plaçant en dériva-


tion sur la ligne principale un tronçon de ligne court-circuité. Figure 4 – Réalisation d’une capacité parallèle
■ Une capacité parallèle (figure 4) s’obtient par un élargissement en lignes microbandes
important de la bande métallique ; ce tronçon, qui présente une
faible impédance caractéristique, se trouve chargé à ses extrémités
par des lignes dont l’impédance caractéristique est plus forte 1.1.3 Réalisation de circuits résonnants
(§ 1.1.1). ou antirésonnants
■ Une capacité série est plus délicate à réaliser car elle nécessite de
couper la ligne sur une très petite longueur (quelques micromètres Il résulte de cette difficulté que les seuls circuits accordés que
ou dizaines de micromètres). Quantitativement, la valeur de la capa- l’on peut réaliser avec des tronçons de ligne sont des circuits
cité ainsi obtenue ne peut se calculer qu’avec une approximation résonnants (figure 5) ou des circuits antirésonnants (figure 6)
grossière et, qualitativement, le schéma équivalent d’une telle dis- placés en dérivation sur la ligne principale.
continuité comporte non seulement une capacité en série, mais Pour ce qui est des circuits résonnants ou antirésonnants placés
aussi des capacités parasites en parallèle. en série sur la ligne principale, ils ne peuvent être obtenus, à partir
Nota : toutes ces réalisations présentent des discontinuités dans la largeur w de la ligne des précédents, qu’en utilisant la propriété qu’ont les lignes quart
microbande. La modélisation de ce type de discontinuité est explicitée dans [4]. d’onde d’inverser les impédances. Nous savons, en effet, que

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l’impédance d’entrée Ze d’une ligne λ /4 (quart d’onde), d’impé-


dance caractéristique Zc , chargée par une impédance ZL est :
2
L Zc ᐉ2 Z c Z e = Z c /Z L
2

C Zc ᐉ1 Ainsi, un circuit résonnant parallèle mis en dérivation entre deux


1 lignes quart d’onde est équivalent à un circuit résonnant série mis


sur la ligne principale (figure 7).
Zc >> Zc De même, un circuit résonnant série mis en dérivation entre
2 1
deux lignes quart d’onde est équivalent à un circuit résonnant
parallèle mis sur la ligne principale (figure 8).
Figure 5 – Réalisation d’un circuit résonnant mis en parallèle
Il serait également possible d’utiliser d’autres types de réseaux
en lignes microbandes
inverseurs d’impédance que la ligne λ /4, laquelle présente l’incon-
vénient d’avoir une largeur de bande réduite : réseaux quadri-
polaires ou longueurs de ligne, avec des éléments réactifs en série
ou en parallèle (figure 9).
ᐉ1

Zc 1.2 Filtres passe-bas et passe-haut


1
en lignes microbandes

Zc ᐉ2 Zc
L C 2 1.2.1 Filtres passe-bas
■ Modélisation classique
Le schéma de la figure 10 représente le modèle d’un filtre
passe-bas. Aux fréquences basses, les inductances série présen-
Zc << Zc
1 2 tent des impédances faibles (→ 0) tandis que les capacités en
parallèle ont des impédances élevées (→ ∞) ; ce filtre est donc
transparent. Aux fréquences élevées, c’est le contraire : les induc-
Figure 6 – Réalisation d’un circuit antirésonnant mis en parallèle tances provoquent une réjection partielle des signaux appliqués
en lignes microbandes tandis que les capacités court-circuitent le reste.

λ/4 λ/4
A B
Z=∞
L' C' Z 2c
Z=0 Z=0 A B L' ω0 =
L ω0
L C

Z=0 Z=0 Z 2c
C ' ω0 =
C ω0
avec ω0 pulsation de résonance

Figure 7 – Équivalence entre un circuit antirésonnant mis en dérivation entre deux lignes quart d’onde et un circuit résonnant

λ/4 λ/4
A B L'
Z=0
L Z 2c
Z=∞ Z=∞ A B L ' ω0 =
L ω0

C Z=∞
C'
Z=∞ Z 2c
C ' ω0 =
C ω0
avec ω0 pulsation de résonance

Figure 8 – Équivalence entre un circuit résonnant mis en parallèle entre deux lignes quart d’onde et un circuit antirésonnant

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Zc Zc
L ou C 2 4
50 Ω Zc Zc Zc 50 Ω
L ou C 1 3 5

ᐉ1 ᐉ2 ᐉ3 ᐉ4 ᐉ5


θ/2 θ/2 θ
a b Figure 12 – Réalisation d’un filtre passe-bas en lignes microbandes

2πᐉ
θ longueur angulaire de la ligne = 冢 λ 冣
Figure 9 – Réseaux inverseurs d’impédance
L1 L3 L5

L2 L4 L6

L2 L4
C2 C4 C6

C1 C3 C5

Figure 13 – Modélisation d’un filtre passe-bas du type Cauer

Figure 10 – Modélisation d’un filtre passe-bas

Z c' ᐉ'2 ᐉ'6 Z c'


A (dB) 2 6

Zc Zc
0 2 ᐉ2 ᐉ6 6
–3

– 10 50 Ω Zc Zc Zc 50 Ω
1 3 5
ᐉ1 ᐉ3 ᐉ5
– 30 ᐉ4
Zc
4

Z c' ᐉ'4
4
0 f3 f10 f30 f (Hz)

Figure 11 – Courbe de réponse d’un filtre passe-bas Figure 14 – Réalisation d’un filtre de Cauer en lignes microbandes

La courbe de la figure 11 montre la réponse amplitude-fré-


— de tronçons de ligne de faible largeur, de longueur ᐉj et
quence ou fonction de filtrage de ce filtre. La coupure n’est pas
d’impédance caractéristique Z cj pour matérialiser les inductances :
nette et l’atténuation est progressive à partir d’une certaine fré-
quence. On définit une bande passante du filtre à – 3 dB et des fré- ᐉj
quences de réjection à – 10 dB, – 30 dB, etc., ainsi qu’une pente de L j = Z cj --------
réjection correspondant à la variation de l’atténuation avec la fré- vp
quence autour de ces fréquences.
■ Filtre de Cauer
■ Réalisation avec des tronçons de lignes microbandes
Ce filtre (figure 13) a une coupure plus nette. Pour cela, il suffit
Conformément aux principes technologiques énoncés au de choisir les fréquences de résonance des circuits résonnants
paragraphe 1.1, la réalisation d’un filtre passe-bas va présenter une série (pour lesquelles Z ⁄⁄ = 0) au voisinage de la fréquence de cou-
succession (figure 12) : pure désirée fc . La meilleure solution consiste à échelonner ces
— de tronçons de ligne de grande largeur, de longueur ᐉi et fréquences de résonance f2 , f4 , f6 , de telle sorte que :
d’impédance caractéristique Z ci pour matérialiser les capacités :
f2 = fc ; f4 ⱜ f2 ; f6 ⱜ f4
1 ᐉi
C i = --------- -------- La réalisation d’un tel filtre en technologie microbande s’effectue
Z ci v p
conformément à la figure 14.

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SR
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Circuits passifs hyperfréquences


Éléments passifs réciproques
par Paul-François COMBES

Docteur en sciences
Professeur à l’université Paul-Sabatier, Toulouse
et Raymond CRAMPAGNE
Ingénieur de l’École supérieure d’électricité (Supélec)
Docteur en sciences
Professeur à l’Institut national polytechnique de Toulouse (ENSEEIHT)

1. Dipôles ........................................................................................................ E 1 403 – 2


1.1 Court-circuit fixe .......................................................................................... — 2
1.2 Court-circuit variable ................................................................................... — 3
1.3 Charge adaptée............................................................................................ — 3
1.4 Charge variable ou charge glissante.......................................................... — 4
2. Quadripôles de base................................................................................ — 4
2.1 Atténuateurs................................................................................................. — 5
2.2 Déphaseurs .................................................................................................. — 6
2.3 Changements de direction.......................................................................... — 6
2.4 Transitions entre guides.............................................................................. — 7
2.5 Joints tournants........................................................................................... — 12
3. Caractérisation des quadripôles .......................................................... — 13
3.1 Paramètres s ................................................................................................ — 14
3.2 Mesure des paramètres s............................................................................ — 14
3.3 Analyseur de réseaux.................................................................................. — 15
3.4 Généralisation des paramètres s aux multipôles ..................................... — 15
4. Combineur-diviseur de puissance de Wilkinson.............................. — 15
4.1 Matrice S ...................................................................................................... — 15
4.2 Utilisation ..................................................................................................... — 16
5. Tés ................................................................................................................ — 16
5.1 Tés simples................................................................................................... — 16
5.2 Tés hybrides ................................................................................................. — 17
6. Théorie des coupleurs directifs ........................................................... — 18
6.1 Définition ...................................................................................................... — 18
6.2 Matrice S ...................................................................................................... — 18
6.3 Jonctions hybrides ...................................................................................... — 19
6.4 Coupleurs bidirectionnels pour la réflectométrie ..................................... — 19
7. Divers types de coupleurs directifs.................................................... — 19
7.1 Coupleurs à trous ........................................................................................ — 19
7.2 Coupleurs par proximité ............................................................................. — 20
7.3 Coupleurs à jonctions ................................................................................. — 21
Références bibliographiques ......................................................................... — 22

es systèmes principalement de télécommunications et les radars sont cons-


L titués d’un assemblage important de circuits, lesquels sont eux-mêmes
fabriqués à l’aide de composants actifs ou passifs. Nous ne traiterons dans cet
article que des circuits et composants passifs réciproques, les éléments non
réciproques faisant l’objet de l’article suivant [E 1 404].
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CIRCUITS PASSIFS HYPERFRÉQUENCES ____________________________________________________________________________________________________

Après avoir décrit rapidement leur principe de fonctionnement, nous nous


attacherons à donner un certain nombre d’indications technologiques permet-
tant de bien comprendre leurs caractéristiques pratiques ainsi que leur domaine
d’application.
En fonction de ce que nous avons dit dans les articles [E 1 401] et [E 1 402], il
est clair que la majorité des circuits fonctionnant jusqu’à une vingtaine de giga-
hertz pourra être en technologie coaxiale, microruban ou coplanaire. Pour des
Q fréquences supérieures, c’est-à-dire concernant les ondes millimétriques, ce
sont les guides d’ondes qui sont majoritairement utilisés. Pour des fréquences
supérieures à 200 GHz, des circuits conçus à l’aide des méthodes quasi optiques
sont de plus en plus employés.
Les composants passifs des circuits micro-ondes seront classés en fonction du
nombre d’accès. Plus leur nombre est important, plus la complexité est grande
et plus est sophistiquée la fonction réalisée. Nous traiterons :
— des dipôles qui réfléchissent l’énergie (courts-circuits), l’absorbent entière-
ment (charges adaptées) ou partiellement (charges coulissantes) ;
— des quadripôles qui modifient l’amplitude (atténuateurs) ou la phase
(déphaseurs) de l’onde électromagnétique, mais aussi des quadripôles qui
modifient la direction de propagation de l’onde (coudes, torsades, joints tour-
nants) ou qui permettent de changer la section droite de la structure guidante ;
— des tés, des diviseurs de puissance et des coupleurs directifs qui permettent
d’envoyer une onde d’une voie incidente vers deux autres voies ou plus.
Pour caractériser de tels dispositifs, la technique très particulière des paramè-
tres « s » sera introduite, décrite et appliquée.

1. Dipôles

Nous appellerons « éléments » des appareils qui constituent Vrai court-circuit


une partie d’un circuit, elle-même non décomposable : court-cir-
cuit, charge adaptée, atténuateur, déphaseur, té, coupleur direc-
tif, diviseur de puissance, etc. Γ =–1
Plan d'entrée du coaxial
z
Nous décrirons uniquement les dipôles qui servent de terminai-
son aux supports de propagation. Les dipôles oscillateurs ne seront a en guide coaxial
pas traités ici. Ces terminaisons sont électromagnétiquement carac-
térisées par un seul paramètre qui dépend de la propriété physique
mise en jeu : une impédance (admittance) dont la valeur est un nom- Ergots de centrage
bre réel positif qui modélise une dissipation d’énergie par effet
Joule ; une impédance (admittance) dont la valeur est purement
imaginaire modélise un échange d’énergie réactive. Ce paramètre Bride
unique peut aussi être le coefficient de réflexion associé, qui permet
de chiffrer le régime d’ondes stationnaires. Les principales terminai- Guide rectangulaire
sons développées pour les dispositifs industriels sont le court-circuit
fixe (§ 1.1) ou variable (§ 1.2), la charge adaptée (§ 1.3) et la charge Passage des vis
variable (§ 1.4).
b bride en guide d'ondes rectangulaire

1.1 Court-circuit fixe Figure 1 – Court-circuit fixe

d’ondes stationnaires pour lesquelles le champ électrique peut être


Si l’on termine n’importe quelle structure guidante par un conduc- localement nul. La seule solution pratique pour réaliser d’excellents
teur parfait localisé en un plan d’abscisse z bien précise, donc per- contacts électriques est de terminer la structure guidante par un plan
pendiculaire à la direction de propagation, on a réalisé un dipôle métallique soigneusement soudé ou brasé et débarrassé de toute
appelé « court-circuit ». En théorie, l’impédance présentée dans ce salissure, en particulier les empreintes digitales : on peut obtenir des
plan est nulle, le coefficient de réflexion vaut − 1 et le ROS (rapport ROS de l’ordre de 100. La figure 1a représente un court-circuit en
d’ondes stationnaires) est infini ; la structure guidante est le siège guide coaxial.

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____________________________________________________________________________________________________ CIRCUITS PASSIFS HYPERFRÉQUENCES

Une autre solution est de terminer le guide par une bride et de fer-
mer l’ensemble par une plaque bien plane et très propre, perpendi- Contact à frottement doux
culaire à la direction de propagation, vissée sur la bride au moins en Tige
quatre points ; le moindre défaut de contact entraîne une dégrada- Vrai court-circuit de commande
tion rapide du ROS (≈ 5 à 10) ; si la puissance transportée est élevée,
des flashes de courant peuvent apparaître aux points de contact B
défectueux et entraîner une érosion rapide du métal. Cette techni- A
que est surtout utilisée en guides d’ondes rectangulaires et circulai- Entrée


res. On notera sur la figure 1b la présence de deux ergots de du guide d'ondes
centrage.
B'

d
ᐉ1 = λg /4
Matériau Paroi
1.2 Court-circuit variable à pertes du guide d'ondes

Figure 2 – Court-circuit variable en guide d’ondes rectangulaire


Les courts-circuits ajustables sont utilisés afin d’obtenir dans un
plan du guide donné, une réactance variable Xcc dont la valeur
réduite varie en tan(2πd/λg), où d est la distance du plan de réfé-
rence au plan de court-circuit (figure 2) et λg la longueur guidée. On envisagée, les ordres de grandeur de la puissance mise en jeu peu-
notera que Xcc varie de − ∞ à + ∞ lorsque la distance d varie seule- vent être très différents : du milliwatt au mégawatt. Les charges
ment d’une longueur d’onde. Un problème important associé à ce adaptées auront donc des dimensions fort différentes suivant la
type de réactance variable est le contact ohmique que le conducteur valeur de la puissance mise en jeu.
glissant doit assurer avec le conducteur extérieur : pour obtenir un
bon contact électrique, les exigences sont contradictoires : il fau-
drait une pression mécanique importante, ce qui est incompatible 1.3.1 Charge adaptée en ligne de transmission
avec le glissement souhaité. On peut envisager des contacts assurés
par des doigts élastiques en bronze béryllium (le béryllium conserve
l’élasticité malgré l’usure et le vieillissement). Même en prenant un L’impédance du dispositif de charge doit être égale à l’impédance
très grand soin à la réalisation pratique, des particules de limaille caractéristique de la ligne à laquelle il est connecté. Pour les lignes
sont produites, entraînant un comportement erratique pouvant à faibles pertes, l’impédance caractéristique peut être considérée
compromettre la qualité du contact glissant ; ce problème peut être comme réelle : une charge adaptée peut donc être réalisée en termi-
résolu en utilisant des courts-circuits glissant sans contact dont une nant la ligne par un résistor de valeur R = Zc sous forme d’éléments
réalisation est schématisée sur la figure 2 pour un guide d’ondes localisés. Le modèle à éléments localisés n’est valable que si les
rectangulaire. Le point de départ de cette technique est la réalisation dimensions du dispositif sont petites comparées à la longueur
d’un vrai point à impédance nulle grâce à un bloc de métal bon con- d’onde de travail. Le matériau résistif est généralement évaporé sur
ducteur ou une soudure : c’est le cas pour le point A de la figure 2. un tube diélectrique creux dont l’épaisseur est choisie aussi petite
L’impédance au point A se transforme après une longueur égale à que possible, compatible avec la rigidité mécanique, afin que les
un quart de longueur d’onde en une impédance infinie : ce sont les effets capacitifs soient minimisés. De plus, afin que la résistance soit
points B et B′ de la figure 2. Le courant est nul en ces points puis- constante dans toute la bande fréquentielle d’utilisation, l’épaisseur
que l’impédance est infinie. En B, on trouve donc une impédance du film résistif doit être inférieure à l’épaisseur de peau pour la fré-
infinie en série avec l’impédance de contact entre le piston mobile et quence de travail la plus élevée. Aux hyperfréquences, une attention
le guide d’ondes fixe. Même si, pour que le piston puisse coulisser, toute particulière doit être portée à sa réalisation afin d’éliminer les
le contact mécanique n’est pas très bon, l’impédance résultante ne réactances parasites.
peut qu’augmenter. La longueur ᐉ 1 transforme cette impédance
infinie en une impédance nulle, modélisant un court-circuit directe-
ment sur la face avant du bloc conducteur : il n’est donc pas néces- 1.3.2 Charge adaptée en guide d’ondes
saire que le contact mécanique soit formellement établi pour qu’il y
ait un contact électrique parfait, indépendant de la résistance de Trois exemples de charges adaptées sont représentés sur la
contact. Le raisonnement précédent concerne les grandes faces du figure 3. Ce sont des lames ou des coins de matériau absorbant. Si
guide d’ondes rectangulaire. La question du bon contact sur les l’on souhaite avoir un bon ROS, typiquement inférieur à 1,04, il faut
petits côtés du guide ne se pose pas car les courants sur les parois que la longueur du biseau soit de quelques longueurs d’onde, à la
latérales sont verticaux et de plus, le champ électrique est nul dans fréquence de travail la plus basse. La longueur de la section à
cette région. pertes ᐉ 2 qui remplit entièrement la section droite (figure 3a) est
Cette technique fait intervenir des longueurs de ligne quart choisie de façon que l’atténuation totale dans les lignes ᐉ 1 et ᐉ 2 soit
d’onde : la qualité du court-circuit dépend donc fortement de la fré- d’au moins 20 dB. Le guide se termine en général par une plaque de
quence. Dans une bande étroite de fréquence, le résultat reste bon court-circuit pour éviter tout rayonnement parasite.
si l’on fait en sorte que les deux longueurs quart d’onde soient res- Exemple : supposons que l’atténuation de l’onde progressive soit
pectivement à basse et à haute impédance. On considère que le de 23 dB ; toute l’énergie est renvoyée par le court-circuit terminal. On
fonctionnement d’un court-circuit variable est correct quand le ROS a donc une perte en retour de 46 dB, ce qui conduit à un module du
que l’on obtient pour une position quelconque est supérieur à plu- coefficient de réflexion égal à 0,005, soit un ROS de 1,01.
sieurs dizaines d’unités.
Dans le cas des très faibles puissances, on peut se contenter
d’une lame biseautée située dans le plan médian où le champ élec-
trique est maximum (figure 3b).
1.3 Charge adaptée
Bien entendu, le matériau utilisé doit être à pertes aux
hyperfréquences : typiquement quelques décibels par centimètre.
Par définition, le coefficient de réflexion de la charge adaptée doit Pour les applications basse puissance, on utilisera du fer ou du car-
être voisin de zéro. Le composant « charge adaptée » doit donc bone sous forme de poudre avec un liant époxy. Pour des applica-
absorber toute la puissance incidente. Suivant l’application tions plus haute fréquence, on utilisera des matériaux céramiques

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Plaque de court-circuit
Plaque de court-circuit
ᐉ2 b
Absorbant plein
ᐉ1 Vue de côté
λg /4
Absorbant biseauté

Q a moyenne puissance Absorbant a

Vue de dessus

Figure 4 – Charge adaptée faible puissance, bande étroite


ᐉ2

doit être de l’ordre de grandeur de l’impédance caractérisant le


ᐉ1
guide. Le guide est terminé par une plaque de court-circuit distante
de λg/4 de telle sorte que la longueur de ligne ramène dans le plan
de la plaque absorbante un circuit ouvert et n’a donc aucune
b faible puissance influence. Bien entendu, la bande de fréquences d’utilisation de ce
type de charges est de quelques pour-cent alors que les charges
Tube de verre
biseautées sont intrinsèquement large bande (de l’ordre de 40 %).
Ce type de charge est utilisé lorsqu’on ne dispose pas d’une place
suffisante pour réaliser des charges progressives.
b Plaque
de court-circuit

ᐉ1 Écoulement d'eau 1.4 Charge variable ou charge glissante

c forte puissance
Une des applications des charges adaptées est la mesure des
Figure 3 – Charges adaptées
réflexions d’un quadripôle.
Comme nous le verrons dans le paragraphe sur la caractérisation
des quadripôles (§ 3), la clef de la méthode est de placer une charge
recouverts par évaporation sous vide de conducteurs résistifs inalté- adaptée à la sortie du quadripôle puis de mesurer le coefficient de
rables comme le platine ou le vanadium. réflexion à l’entrée. Avec une charge idéale ne présentant aucune
réflexion, le ROS mesuré Sx est effectivement le ROS dû au quadri-
La charge représentée sur la figure 3a peut être utilisée à des pôle. Si la charge n’est pas parfaite, le coefficient de réflexion à
puissances élevées car la surface du matériau à pertes est en con- l’entrée du quadripôle est dû à l’action cumulée du quadripôle, Sx,
tact intime avec les parois métalliques du guide d’ondes, ce qui per- et de la charge S ᐉ . En faisant l’hypothèse que le quadripôle est sans
met d’évacuer la chaleur générée par la puissance micro-ondes pertes, on démontre que le coefficient de réflexion varie entre les
produite. Le guide peut alors être équipé d’un dispositif de refroidis- deux valeurs extrêmes suivantes S x ⁄ S ᐉ et S x S ᐉ , en supposant que
sement ressemblant à des ailettes de radiateur. Lorsque la charge Sx soit plus grand que S ᐉ . L’incertitude dans la mesure peut être éli-
doit pouvoir supporter des températures élevées, on utilise des minée en utilisant une charge glissante et en mesurant les valeurs
matériaux absorbants composites à base de céramique. On remar- maximales du ROS à l’entrée du quadripôle. Ces valeurs sont
quera que pour ce type de charge adaptée (figure 3a), la transition ensuite utilisées pour mesurer le ROS propre à la charge et le ROS
progressive commence sur le petit côté du guide, là où le champ du quadripôle terminé par une charge adaptée idéale.
électrique est négligeable, réduisant ainsi la possibilité de claquage
aux grandes puissances. La charge glissante est la solution la plus simple pour réaliser une
impédance variable. On utilise une charge adaptée dont le matériau
Enfin, pour les très grandes puissances, on utilisera la propriété
absorbant peut glisser à l’intérieur du guide. On dispose en amont
absorbante de l’eau aux hyperfréquences (les fours à micro-ondes
une tige à enfoncement variable qui peut être modélisée par une
ont banalisé cette propriété). La configuration est alors celle repré-
réactance pure mise en parallèle : le signe positif ou négatif de la
sentée sur la figure 3c où la charge est constituée d’un tube de verre
réactance est fonction de l’enfoncement de la tige. Celle-ci est capa-
ou de quartz parcouru par un courant d’eau qui évacue les joules.
citive pour des enfoncements faibles et devient inductive lorsqu’elle
On insère le tube de façon à minimiser les réflexions ; pour des lon-
traverse pratiquement tout le petit côté du guide.
gueurs de quelques longueurs d’ondes, le ROS est voisin de l’unité
si l’inclinaison du tube dans le guide est de quelques degrés. L’aug-
mentation de température de l’eau est proportionnelle à la puis-
sance micro-ondes absorbée. Si l’on mesure l’élévation de
température et le débit d’eau, on a une méthode très élégante pour
mesurer la puissance des magnétrons ou autres générateurs de très
2. Quadripôles de base
grande puissance dans le cas d’un guide d’ondes rectangulaire.
Un type complètement différent de charge adaptée est représenté Ce sont des quadripôles qui agissent sur chacune des caractéristi-
sur la figure 4. Une plaquette de matériau absorbant remplit entiè- ques de l’onde électromagnétique : l’amplitude, la phase ou la direc-
rement la section droite du guide ; la résistance carrée du matériau tion de polarisation.

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Couteau
Ps Pe
Q
Pe Ps
E
Figure 5 – Quadripôle d’atténuation sur une ligne


L'atténuation est proportionnelle à l'enfoncement du couteau.
a à couteau

Lame

a introduction sur le conducteur central d'un tronçon


de matériau à pertes L'atténuation est proportionnelle au déplacement de la lame vers
le centre du guide.

b à lame

d1 d'2 d2 Figure 7 – Atténuateurs en guides d’ondes


Lame
b diminution locale du diamètre du conducteur extérieur

Figure 6 – Atténuateurs coaxiaux R1 R2


T1 T2
C

2.1 Atténuateurs E
E
E cos2 α
E⬜
α
Un atténuateur est un quadripôle Q inséré sur une ligne qui trans-
met une onde incidente avec une atténuation indépendante du sens
de propagation (figure 5). E⬜ = E cos α

Afin que l’atténuateur n’augmente pas le ROS propre à la ligne, il C guide circulaire
est souhaitable que la différence entre la puissance incidente et la R1 , R2 guides rectangulaires
puissance transmise se retrouve sous forme de puissance perdue
T1 , T2 transitions guide rectangulaire-guide circulaire
par effet Joule dans l’atténuateur lui-même.
Un atténuateur est caractérisé par le rapport, exprimé en décibels
et appelé atténuation, de la puissance incidente Pe à la puissance Figure 8 – Atténuateur de précision en guide d’ondes
transmise Ps :
10lgPe /Ps
Un autre procédé consiste à placer une lame L à l’intérieur du
La réalisation des atténuateurs est basée sur l’introduction sur guide d’ondes parallèlement aux petites faces et à la déplacer
une ligne ou dans un guide d’ondes d’un matériau à pertes. depuis le bord (atténuation minimale) jusqu’au centre (atténuation
maximale) (figure 7b).
■ En ligne coaxiale, une longueur ᐉ du conducteur central peut être
constituée ou recouverte d’un tel matériau (figure 6a). L’atténuation ■ Les atténuateurs de précision sont réalisés de la façon suivante :
est proportionnelle à ᐉ . Un atténuateur peut aussi être réalisé en un guide circulaire C est inséré entre deux tronçons R1 et R2 du
changeant localement les dimensions du coaxial (figure 6b). On guide rectangulaire et leur est relié par des transitions T1 et T2
sait, en effet, que l’atténuation d’un coaxial dépend du rapport d2/d1 (figure 8).
des diamètres de ses conducteurs ; l’atténuation minimale corres-
pond à d2/d1 = 3,6. En donnant à ce rapport une valeur Dans les guides rectangulaires, la polarisation du champ E est
différente d 2′ ⁄ d 1 sur une longueur ᐉ , on obtient une atténuation qui perpendiculaire aux grands côtés. Dans le guide circulaire est placée
dépend de ᐉ et de d 2′ . une lame métallique L qui peut tourner autour de l’axe longitudinal
du guide. Une telle lame ne laisse passer que la composante du
■ En guide d’ondes, des atténuateurs de tarage, non étalonnés, champ E qui lui est perpendiculaire. Le fonctionnement de l’ensem-
sont obtenus en insérant dans le guide, parallèlement au champ E , ble est résumé sur la figure 8.
un couteau C d’un matériau dissipatif. Ce couteau peut pénétrer Pour une position de la lame faisant un angle α avec le plan hori-
plus ou moins dans le guide à travers une fente usinée longitudina- zontal, cet atténuateur introduit une atténuation en cos2 α, soit en
lement au milieu de l’une de ses grandes faces. Il se trouve ainsi décibels :
dans un plan où le champ électrique est maximal et provoque une
atténuation proportionnelle à son enfoncement (figure 7a). 40lgcosα

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Circuits passifs hyperfréquences


Éléments non réciproques à ferrite
par Paul-François COMBES

Docteur en sciences
Professeur à l’université Paul-Sabatier, Toulouse
et Raymond CRAMPAGNE
Ingénieur de l’École supérieure d’électricité (Supélec)
Docteur en sciences
Professeur à l’Institut national polytechnique de Toulouse (ENSEEIHT)

1. Éléments passifs non réciproques à ferrite...................................... E 1404 – 2


1.1 Ferrites .......................................................................................................... — 2
1.2 Non-réciprocité dans les ferrites ................................................................ — 2
1.3 Réalisation de la non-réciprocité en hyperfréquences ............................. — 3
1.4 Atténuation et déphasage non réciproques .............................................. — 4
1.5 Éléments utilisant l’atténuation non réciproque....................................... — 4
1.6 Éléments utilisant le déphasage non réciproque...................................... — 5
1.7 Rotation de polarisation non réciproque................................................... — 6
1.8 Éléments utilisant l’effet Faraday ............................................................... — 7
2. Dispositifs pour circuits passifs.......................................................... — 8
2.1 Duplexeur radar à deux tés magiques et à tubes TR ................................ — 8
2.2 Diplexeur à coupleurs 3 dB et à cavités résonantes ................................. — 9
2.3 Multiplexeur de canaux à coupleurs 3 dB ................................................. — 9
2.4 Diplexeur à circulateurs et à cavité résonante .......................................... — 10
2.5 Multiplexeur-démultiplexeur de canaux à circulateurs et à filtres .......... — 10
2.6 Circulateur à quatre voies ........................................................................... — 10
2.7 Diviseur de puissance variable................................................................... — 11
Bibliographie ...................................................................................................... — 12

es systèmes principalement de télécommunications et les radars sont


L constitués d’un assemblage important de circuits, lesquels sont eux-mêmes
fabriqués à l’aide de composants actifs ou passifs. Nous ne traiterons dans cet
article que des circuits et composants passifs non réciproques.
En fonction de ce que nous avons dit dans les articles [E 1 401] et [E 1 402], il
est clair que la majorité des circuits fonctionnant jusqu’à une vingtaine de giga-
hertz pourra être en technologie coaxiale, microruban ou coplanaire. Pour des
fréquences supérieures, c’est-à-dire concernant les ondes millimétriques, ce
sont les guides d’ondes qui sont majoritairement utilisés. Pour des fréquences
supérieures à 200 GHz, des circuits conçus à l’aide des méthodes quasi optiques
sont de plus en plus utilisés.
Les éléments passifs réciproques font l’objet de l’article [E 1 403].
Les circuits non réciproques occupent une place importante dans le domaine
des radars et des télécommunications. Avant de décrire leur fonctionnement,
nous analyserons le matériau de base, les ferrites, tant du point de vue de leur
constitution physique que du point de vue théorique, en caractérisant leur aniso-
tropie. Les fonctions très particulières des isolateurs, circulateurs et commuta-
teurs pourront alors être clairement expliquées.
Nous terminerons l’article en décrivant le fonctionnement de quelques sous-
systèmes.
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CIRCUITS PASSIFS HYPERFRÉQUENCES ____________________________________________________________________________________________________

1. Éléments passifs Ce sont, en définitive, des diélectriques qui ont un comportement


ferrimagnétique. »
non réciproques à ferrite
1.2 Non-réciprocité dans les ferrites
1.1 Ferrites


1.2.1 Condition de la non-réciprocité
C’est à L. Thourel [1] que nous empruntons les phrases de
définition des matériaux à ferrite. La perméabilité magnétique d’un matériau de ferrite doué de per-
tes peut s’écrire :
« Les ferrites sont des oxydes métalliques complexes, dérivés de
la magnétite par remplacement de l’atome de fer divalent par un µ = µ′ – jµ″
atome d’un autre métal. La formule de la magnétite étant :
Cette formule est à rapprocher de la formule :
Fe++O, Fe 2+++ O 3
ε = ε′ – jε″
la formule générale d’un ferrite sera donc :
relative à la permittivité d’un isolant présentant des pertes.
M++O, Fe 2+++ O 3
µ ′ est la perméabilité magnétique au sens habituel du terme ;
« Les métaux de remplacement utilisables sont évidemment des µ ″ représente les pertes.
métaux divalents tels que le manganèse, le magnésium, le nickel, le Pour l’étude de la propagation d’une onde dans un tel milieu, µ ′
cuivre, le cobalt, le zinc et le cadmium. Cependant, les propriétés du affectera le paramètre de phase β, alors que µ ″ affectera le paramè-
matériau obtenu dépendent de la nature du métal de remplacement tre de pertes α.
et de ses proportions.
Or, il se trouve que lorsqu’une onde, dont le champ magnétique
« Ainsi, quand le fer divalent est entièrement remplacé par du zinc est polarisé circulairement, se propage dans un matériau de ferrite
ou du cadmium, le ferrite réalisé n’est pas magnétique ; quand il est soumis à un champ magnétique continu perpendiculaire au plan de
entièrement remplacé par l’un des autres matériaux mentionnés ci- polarisation, les valeurs de µ ′ et µ ″ dépendent du sens de propaga-
dessus, le matériau est magnétique, avec une perméabilité assez tion de cette onde. Cela est dû à des phénomènes de résonance
élevée, mais de fortes pertes par hystérésis. gyromagnétique affectant les électrons du matériau. L’étude
« Il est également possible d’obtenir des ferrites complexes, où détaillée de ces phénomènes serait trop longue et d’ailleurs inutile
les atomes de fer sont remplacés à la fois par des atomes de deux pour la compréhension de ce qui suit. Nous renvoyons le lecteur
métaux divalents ; on réalise ainsi des ferrites de manganèse- désireux de plus de détails aux ouvrages spécialisés [1].
magnésium, de nickel-zinc, de nickel-cobalt, etc. La formule chimi- Pour une propagation vers les z > 0 ou vers les z < 0, nous aurons :
que devient alors, dans le cas d’un ferrite de nickel-zinc, par
exemple : µ + = µ′+ – j µ +″
α NiO, β ZnO, Fe2O3 ou µ – = µ –′ – j µ –″
avec : α + β = 1. Donc, d’après ce qui a été dit précédemment, le déphasage et les
« Tous ces ferrites cristallisent dans le même système que la spi- pertes dus à la propagation (liés respectivement à µ ′ et µ ″ ) seront
nelle naturelle MgAl2O4. différents selon le sens de propagation. En fait, il faut prendre en
« En 1956, Bertaut et Forat découvrirent une nouvelle structure considération les sens respectifs de :
d’oxydes ferrimagnétiques correspondant à la formule : — la direction de propagation ;
— la rotation de polarisation par rapport à cette direction ;
3 M2O3, 5 Fe2O3 — la direction du champ magnétique continu.
où M est un métal trivalent de la série des terres rares (yttrium, Nous restons dans un cas où µ = µ+ en changeant le sens de deux
gadolinium, gallium, samarium, etc.) ; le plus utilisé est l’yttrium. de ces paramètres. Au contraire, on passe dans le cas où µ = µ− en
Ces nouveaux ferrites cristallisent dans le même système que le ne changeant le sens que de l’un de ces paramètres.
grenat naturel, d’où le nom de grenats qui leur est donné. Ainsi, la Le raisonnement est le même à partir de µ = µ−.
formule du grenat d’yttrium est :
3 Y2O3, 5 Fe2O3
1.2.2 Étude de la perméabilité magnétique
désigné dans les ouvrages par l’abréviation YIG (yttrium iron gar-
net). La figure 1 donne les variations des quatre coefficients µ +′ , µ –′ ,
« On peut aussi fabriquer des grenats mixtes tel le grenat µ +″ et µ –″ en fonction du champ magnétique continu appliqué au
d’yttrium-gadolinium : matériau de ferrite, pour une fréquence HF déterminée. L’examen de
cette figure appelle quelques remarques.
3[Y(2−a)GdaO3], 5 Fe2O3
■ Alors que µ –″ garde une valeur à peu près constante, µ +″ a la
Les caractéristiques générales électriques et magnétiques des fer- forme d’une courbe de résonance.
rites sont les suivantes :
● La valeur maximale de µ +″ (à laquelle correspondent des pertes
— une résistivité très élevée (de 106 à 1010 Ω · cm) ; maximales) est atteinte pour une valeur Hr du champ magnétique
— une permittivité relative en hyperfréquences de l’ordre de 10 à continu appliqué qui est liée à la fréquence f de l’onde à polarisation
12 ; circulaire par la relation définissant la résonance gyromagnétique
— des pertes diélectriques très faibles (tanδ = 10−2 à 10−3) ; du ferrite :
— une perméabilité relative magnétique de quelques dizaines
d’unités. f = 35 186 Hr (Hr exprimé en A/m)

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E 1 404 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique

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____________________________________________________________________________________________________ CIRCUITS PASSIFS HYPERFRÉQUENCES

µ Ferrite
µ'+' y
E x

µ'+ z

µ' Figure 2 – Positionnement d’une plaque de ferrite à l’intérieur

1
µ''–
d’un guide d’ondes rectangulaire

Hc Aimant
∆H

N S

Figure 1 – Variation de µ +′ , µ –′ , µ +″ , µ –″ en fonction du champ


magnétique continu appliqué au matériau ferrite S N
Ferrite

N nord S sud
ou f = 2,8 × 106 Hr (Hr exprimé en œrsteds)
Figure 3 – Réalisation de la non-réciprocité en guide d'ondes
● Par analogie avec la largeur de bande d’une courbe de réso- rectangulaire à l’aide de deux aimants et de deux plaques de ferrite
nance, il est possible de définir la largeur de ligne ∆H du ferrite
comme la différence des champs correspondant aux valeurs de µ +″
égales à la moitié de sa valeur maximale. Ces deux composantes sont en quadrature et donnent lieu à un
champ H polarisé circulairement si :
■ Alors que µ –′ garde une valeur à peu près constante, µ +′ a la
forme d’une courbe de réponse d’un discriminateur : après avoir λ πx λ πx
atteint un maximum dans les valeurs négatives, µ +′ passe très rapi- ------ sin ------- = ± ----- cos -------
dement par un maximum dans les valeurs positives et décroît λg a λc a
ensuite. Cette brusque variation a lieu aux alentours de la valeur Hr πx λ ⁄ 2a
correspondant à la résonance gyromagnétique. Pour cette réso- d’où tan ------- = ± -----------------------------------------
a
nance, les valeurs de µ +′ et µ –′ sont à peu près égales. ( 1 – λ 2 ⁄ 4a 2 ) 1 / 2
Cette condition est réalisée pour les plans verticaux de cotes x1 et
■ Nous voyons qu’en choisissant Hc = Hr, nous obtiendrons une x2 telles que :
valeur élevée pour µ +″ tandis que µ –″ reste faible. Puisque µ ″ est lié
au paramètre d’affaiblissement α, il sera donc possible d’avoir une a λ ⁄ 2a
atténuation non réciproque. x 1 = --- arctan -----------------------------------------
π ( 1 – λ 2 ⁄ 4a 2 ) 1 / 2
En choisissant Hc ≠ Hr, nous obtiendrons deux valeurs différentes
de µ +′ et µ –′ ; en réglant Hc de façon que, simultanément, µ +″ soit et x2 = a − x 1
faible, nous pourrons avoir un déphasage non réciproque puisque
µ ′ est lié au paramètre de phase β. Il faudra donc disposer, dans l’un de ces plans, une plaque de fer-
rite soumise à un champ magnétique continu vertical.
Il est également possible de placer une plaque de ferrite dans cha-
cun des plans ainsi définis. Comme les polarisations y tournent en
1.3 Réalisation de la non-réciprocité sens inverses, il faut appliquer des champs magnétiques continus
en hyperfréquences en sens opposés afin que les effets non réciproques produits don-
nent lieu au même µ+ ou µ− pour un même sens de propagation ;
d’où l’utilisation de deux aimants en forme de U disposés de part et
d’autre du guide, comme cela est indiqué sur la figure 3.
1.3.1 En guides d’ondes
Nous notons que, dans ce montage, la plaque de ferrite est dispo-
sée à plat alors que dans d’autres montages (voir figures 2 et 6), elle
En propagation guidée, il est possible de réaliser les conditions est disposée verticalement. Le premier montage permet de trans-
nécessaires à l’apparition du phénomène de non-réciprocité, par porter de plus fortes puissances que les seconds ; mais dans ces
exemple, avec un guide d’ondes rectangulaire où se propage le derniers, les conditions de la non-réciprocité sont mieux réunies.
mode fondamental.
Pour un champ E polarisé verticalement, nous avons vu dans
l’étude de la propagation guidée [E 1 401] que le champ H a deux 1.3.2 En lignes TEM
composantes dans le plan horizontal xOz (figure 2) :
En lignes TEM, la réalisation des conditions de non-réciprocité est
λ πx plus compliquée. En effet, ces lignes (qu’il s’agisse de la ligne
H x = – H 0 ------ sin ------- exp ( – j2πz ⁄ λ g ) coaxiale, de la triplaque ou de la microbande) ne présentent pas de
λg a
plan où le champ magnétique HF est à polarisation circulaire.
λ πx Pour la faire apparaître, il est nécessaire de charger ces lignes par
H z = jH 0 ----- cos ------- exp ( – j2πz ⁄ λ g ) un diélectrique inhomogène, conformément à la figure 4a pour la
λc a ligne triplaque et à la figure 4b pour la ligne coaxiale.

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MMIC – Evolution et technologie

par Gilles DAMBRINE



Professeur à l’Université de Lille,
Institut d’Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologies, IEMN, France
et Didier BELOT
Ingénieur (PhD, HDR), STMICROELECTRONICS, Crolles, France
et Pascal CHEVALIER
Ingénieur (PhD), STMICROELECTRONICS, Crolles, France

Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1425 intitulé « MMIC – Évolution et
technologie » paru en 2004, rédigé par Christian RYUMELHARD

1. Présentation des MMICs ............................................................................ E 1 425v2 - 2


1.1 Applications des MMICs............................................................................. — 2
1.2 Filières technologiques............................................................................... — 2
1.3 État de l’art des MMICs............................................................................... — 2
1.4 Industrie des MMICs ................................................................................... — 2
1.5 Outils et démarche de conception............................................................. — 3
2. Technologies des MMICs ........................................................................... — 7
2.1 Filières silicium............................................................................................ — 7
2.2 Filières III-V .................................................................................................. — 7
2.3 Fabrication et test des circuits monolithiques.......................................... — 7
3. Conclusion ................................................................................................... — 14
4. Glossaire ...................................................................................................... — 14
5. Acronymes................................................................................................... — 14
Pour en savoir plus .............................................................................................. Doc. E 1 425v2

a première réalisation de circuits intégrés monolithiques analogiques


L micro-ondes (Monolithic Microwave Integrated Circuit : MMIC) en 1975 a
ouvert un nouveau domaine qui n’a cessé d’évoluer. Alors que le développe-
ment de ces circuits a d’abord été entraîné par le secteur militaire, la plupart
des applications sont maintenant civiles : soit pour le grand public telles que
les radiocommunications terrestres, soit à hautes performances comme dans
les répéteurs micro-ondes à bord de satellites. À l’origine, les MMICs concer-
naient exclusivement les technologies III-V, ils se sont étendus par la suite aux
technologies silicium. Dans une première partie, nous présentons l’état de l’art
et les potentialités fréquentielles des MMICs, les principales filières technolo-
giques et leurs domaines d’applications. Nous y décrivons les principales
étapes et outils de conception des MMICs. Une seconde partie est consacrée à
la description générique de la technologie des MMICs suivie des étapes parti-
culières aux technologies III-V et silicium.
Cette étude des circuits intégrés monolithiques micro-ondes se complète de
plusieurs autres articles :
– [E 1426] « MMIC : composants – Transistors, technologies et modélisation »,
p。イオエゥッョ@Z@ュ。ゥ@RPQV

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MMIC – EVOLUTION ET TECHNOLOGIE __________________________________________________________________________________________________

– [E 1427] « MMIC : composants – Composants passifs et circuits de


polarisation »,
– [E 1428] « MMIC – Déphaseurs et amplificateurs »,
– [E 1429] « MMIC – Oscillateurs, mélangeurs, convertisseurs ».
Un glossaire et une liste d’acronymes sont présentés en fin d’article.


1. Présentation des MMICs concerne des technologies plus marginales (HBT III-V pour 10 %,
FET SiC pour 1 %). Une description plus en détail de ces filières
technologiques est donnée au paragraphe 2.

1.1 Applications des MMICs


1.3 État de l’art des MMICs
Les MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits) consti-
tuent une famille de circuits intégrés destinés aux applications En considérant les nombreuses fonctions et systèmes électro-
hautes fréquences. Il faut souligner que la gamme micro-onde niques que couvrent les MMICs, établir un état de l’art exhaustif
couvre des fréquences allant de quelques GHz à quelques dizaines est une tâche complexe, car les critères de performance sont trop
de GHz, néanmoins sous l’appellation MMIC sont regroupés éga- nombreux. Dans cet article, nous nous limiterons aux perfor-
lement les circuits fonctionnant bien au-delà et ce, jusqu’à mances en fréquence de deux fonctions de base que sont les
quelques centaines de GHz. Il s’agit des gammes d’ondes millimé- amplificateurs de réception faible bruit d’une part, et les amplifica-
trique et submillimétrique. teurs de puissance d’autre part.
Les MMICs des filières technologiques III-V et silicium sont pré- La figure 1 représente le facteur de bruit en fonction de la fré-
sents dans les champs applicatifs des télécommunications, de la quence d’amplificateurs faible bruit (de type LNA : Low Noise
défense et du spatial. Ils constituent par exemple les modules Amplifier) faisant l’état de l’art de différentes filières technolo-
d’émission/réception pour les systèmes de télécommunication, les giques. Cette courbe reporte plus particulièrement les résultats en
radars, les instruments de détection, de mesure ou d’observation, gammes millimétrique et submillimétrique donnant un aperçu des
tant pour les applications civiles que militaires. Un MMIC peut performances de la filière HEMT InP jusqu’au THz.
correspondre à une fonction électronique élémentaire (amplifica- La figure 2 correspond à l’état de l’art des amplificateurs de
teur, oscillateur, mélangeur, etc.) ou à un ensemble de fonctions puissance (de type PA : Power Amplifier), elle montre la puissance
constituant un système. Principalement pour les filières technolo- de sortie en fonction de la fréquence pour les filières de MMICs
giques (§ 1.2), les fonctions ou l’ensemble de fonctions électro- III-V et silicium.
niques peuvent être de type analogique, numérique ou mixte.

1.2 Filières technologiques 1.4 Industrie des MMICs


Les principaux acteurs industriels intervenant de la conception à
Nous conseillons au lecteur de consulter l’article [E 1426] où la fabrication des MMICs et leurs intégrations dans les systèmes
sont décrits les principaux types de transistors hautes fréquences relèvent des secteurs :
relatifs aux différentes filières technologiques de MMICs.
– de la microélectronique (on les appelle fonderie),
Il existe deux familles technologiques : les filières silicium et les – des systèmes (communications, aéronautique, spatial, défense,
filières III-V. Ces deux familles technologiques permettent la fabri- automobile)
cation de MMICs soit à base de transistors à effet de champ, soit à – de la conception (on les appelle design center).
base de transistors bipolaires.
Pour le silicium, il existe les filières CMOS et BiCMOS ; pour cette
dernière, les MMICs sont principalement conçus à base de transis-
tors bipolaires à hétérojonctions (HBT) (Heterojunction Bipolar Tran-
sistor) Si/SiGe, en particulier pour les fonctions hautes fréquences.
Les filières III-V disposent d’une grande variété de technologies dif-
férentes liées au matériau et au type de transistors tels que le HEMT 10
Facteur de bruit (dB)

(High Electron Mobility Transistor) ou le HBT. HEMT InP 30 nm


Nous pouvons regrouper les filières autour de trois matériaux HEMT InP 35 nm
différents : HEMT InP 50 nm
– la filière GaAs, 1 HBT SiGe
CMOS
– la filière InP,
HEMT InP 100 nm
– la filière GaN.
De façon très générale, la filière InP est choisie pour ses
grandes performances en gammes millimétrique et submillimé- 0,1
trique ; la filière GaN est remarquable pour ses propriétés de 1 10 100 1000
haute puissance en microonde et en gamme millimétrique. Fréquence (GHz)
Environ 60 acteurs industriels sont impliqués dans la concep-
tion et la fabrication de MMICs (hors technologie CMOS). En 2013,
leur répartition par filière technologique est la suivante : 38 % Figure 1 – Facteur de bruit en fonction de la fréquence pour les
GaAs, 20 % GaN, 18 % SiGe, 13 % InP ; le reste de cette répartition filières technologiques des MMICs de type LNA

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__________________________________________________________________________________________________ MMIC – EVOLUTION ET TECHNOLOGIE

50
Architecture – Cahier des charges
45 Fonctions Fonctions
Puissance de sortie (dBm)

Répartition des fonctions Numériques & Analogiques


40 numériques analogiques
Transfert de registres (RTL) Capture du schéma
35 HEMT InP 35 nm


30 Synthèse logique Analyse / Optimisation
HBT SiGe
25 CMOS Placement et Routage Dessin du circuit (Layout)

20 HEMT InP 100 nm Vérification fonctionnelle Vérification fonctionnelle

15 HEMT GaN Extraction des parasites


Extraction des parasites
HEMT InP 150 nm
10 Vérification physique Vérification physique
HBT InP
5 Assemblage des fonctions
0
1 10 100 1000 Vérification physique du circuit complet

Fréquence (GHz) Vérification fonctionnelle du circuit complet

Génération du GDSII

Figure 2 – Puissances de sortie en fonction de la fréquence pour les


filières technologiques des MMICs de type PA
Figure 3 – IC design flow (étapes ou flux de conception des circuits
intégrés)

Les grands groupes industriels peuvent rassembler l’ensemble de


ces secteurs ; le domaine d’activités de nombreuses PME est plus spécifications électriques. Cette étape précède le choix entre
généralement orienté dans le domaine de la conception ou de conception numérique et ou analogique. Elle détermine toute la
l’assemblage de MMICs pour la réalisation de systèmes spécifiques. suite du procédé et impacte le succès du projet, parce qu’un sys-
tème n’est pas évalué sur ses performances électriques, mais sur
sa capacité à répondre aux besoins applicatifs. Les outils utilisés
1.5 Outils et démarche de conception ici sont essentiellement des outils mathématiques, et le travail
consiste à bien modéliser la demande.
La conception de circuits intégrés, dont les MMICs font partie L’exemple de spécifications d’un système radar rapportées au
intégrante, suit un processus appelé en anglais design flow, ce tableau 1 permettra au lecteur de mieux comprendre ce qui est
processus permet à partir des composants élémentaires d’une attendu lors de cette étape ; il concerne un radar automobile issu
technologie donnée, d’intégrer les fonctions demandées pour d’un projet financé par l’ANR, à la fin des années 2000 (Projet
satisfaire les spécifications d’une application. Dans le cas de la VéLo (ANR-06-TCOM-004)). Le tableau 1 présente, pour le scéna-
conception d’un système complet, on distinguera deux principaux rio « Stop & Go », les spécifications applicatives.
types de flux de conception (design flow) :
Comme on peut le remarquer ici, aucune spécification n’est
– le flux numérique permettant d’intégrer des fonctions numé- décrite en grandeur électrique, pourtant la fonction électrique
rique, et plutôt adapté à l’approche « SOC » (ou System On Chip) ; développée doit répondre seulement à ces spécifications. Il s’agit
– et le flux mixte analogique permettant d’intégrer des fonctions donc ici de modéliser mathématiquement cette fonction, et de la
analogiques et mixte analogique-numérique, et plutôt adapté à traduire en modèle électrique. Le tableau 2 donne les correspon-
l’approche « SIP » (ou System In Package). dances électriques, ou spécifications électriques, permettant au
La figure 3 présente l’ensemble de ces flux. concepteur de travailler.

■ Interprétation des spécifications ■ Simulateurs architecturaux


Cette première étape du flux de conception traduit les spécifica- La seconde étape du flot va permettre de partitionner la fonc-
tions applicatives qui peuvent être physiques, temporelles, en tion en sous-fonctions qui seront soit numériques, soit analo-

Tableau 1 – Spécifications applicatives du radar Stop & Go


Caractéristiques Estimation Commentaire

Portée souhaitée 0 m à quelques dizaines de mètres Valeur généralement considérée 30 m

Type de faisceau Ouvert Symétrique par rapport à l’axe de déplacement


du véhicule

Ouverture totale du faisceau > 50° Faisceau de 2 m de large à 2 m devant le véhicule

Résolution en distance radiale 5 cm Valeur conduisant aux 4 GHz de bande allouée

Résolution en distance latérale 30 cm Séparation entre objets

Mobilité des cibles 0 à 50 km/h Scénario basse vitesse


Résolution en vitesse 0,1 m/s /

Fréquence de rafraîchissement 5 ms Déplacement d’une distance supérieure


des données à la résolution (5 cm) à 50 km/h

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MMIC : composants
Transistors, technologies et modélisation
par Gilles DAMBRINE

Professeur à l’Université de Lille, Institut d’Électronique de Microélectronique
et de Nanotechnologies, IEMN, France
Didier BELOT
Ingénieur (PhD, HDR), STMicroelectronics, Crolles, France
et Pascal CHEVALIER
Ingénieur (PhD), STMicroelectronics, Crolles, France
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1426, paragraphe 1, intitulé « MMIC.
Composants » paru en 2004, rédigé par Christian RUMELHARD

1. Différents types de composants actifs ............................................. E 1 426v2 - 2


1.1 Transistor à effet de champ à hétérojonction HEMT – Filières GaAs
et InP ............................................................................................................ — 2
1.2 Transistor à effet de champ à hétérojonctions HEMT – Filière GaN....... — 2
1.3 Transistor MOSFET..................................................................................... — 3
1.4 Transistor bipolaire à hétérojonction ........................................................ — 3
2. Modélisation électrique des transistors hautes fréquences ....... — 5
2.1 Modèle linéaire pour un transistor à effet de champ............................... — 5
2.2 Modèle linéaire pour un transistor bipolaire à hétérojonction ............... — 8
2.3 Modèles non linéaires ou grand signal de transistors............................. — 9
2.4 Modèles compacts pour filières de composants silicium ....................... — 10
3. Conclusion................................................................................................. — 16
4. Glossaire .................................................................................................... — 16
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 1 426v2

e concepteur de MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) dispose


L de plateformes de conception intégrant tous les outils multiphysiques
(électrique, électromagnétique, thermique, mécanique) lui permettant de
concevoir, d’optimiser une fonction ou un ensemble de fonctions appelé
système et de générer le routage du circuit (on parle de « layout »).
Ces plateformes de conception intègrent également des bibliothèques de
composants actifs et passifs, de fonctions élémentaires et de sous-ensembles.
Des bibliothèques, dédiées aux diverses technologies et compatibles avec ces
environnements de conception, sont mises à la disposition du concepteur par
le fabricant de composants et de circuits. Dans le domaine de la microélectro-
nique et des circuits intégrés, on appelle ces fabricants : les « fondeurs ». Ces
bibliothèques fournies par les fondeurs sont appelées « Design Kit ». Générale-
ment, un « Design Kit » est propre à une technologie et à un fondeur donnés.
Devant de tels moyens, la conception de MMIC semble au premier abord
aisée et très assistée par ces outils. Il n’en est rien pour plusieurs raisons : les
MMIC fonctionnent en haute, voire très haute, fréquence ; les technologies
sont souvent utilisées aux limites de leurs performances. Même pour une fonc-
tion de faible complexité (par exemple un amplificateur HF multiétage), le
p。イオエゥッョ@Z@ョッカ・ュ「イ・@RPQU

nombre de paramètres que doit maîtriser le concepteur est très important et

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MMIC : COMPOSANTS _______________________________________________________________________________________________________________

les effets engendrés et couplés de ces paramètres sur les caractéristiques du


circuit peuvent rapidement dépasser le contrôle du concepteur.
Dans cet article, nous passons en revue les technologies permettant la réalisa-
tion de MMIC, tant pour les filières III-V que silicium. Nous décrivons les grands
principes des transistors à effet de champ et bipolaires. Ensuite, nous passons en
revue la modélisation électrique des transistors à effet de champ et bipolaires.
L’idée générale est de permettre au lecteur d’avoir une vision exhaustive afin
Q d’appréhender le choix d’une technologie donnée pour la conception de MMIC.
Un deuxième article [E1427] est consacré aux composants passifs et à la
polarisation des composants actifs.

Cette hétérojonction GaAlAs/InGaAs ou InAlAs/InGaAs, dont


1. Différents types l’épaisseur totale n’est que de quelques nanomètres voire dizaines
de composants actifs de nanomètres, est réalisée par croissance cristallographique sur
un substrat soit de GaAs (arséniure de gallium) soit de InP (phos-
phure d’indium) dont l’épaisseur, de quelques dizaines à quelques
Les MMIC comportent à la fois des composants actifs tels que les centaines de micromètres, donne la tenue mécanique au circuit.
diodes et les transistors ainsi que des composants passifs tels que Par ailleurs, ces substrats, grâce à leur caractéristique semi-isolante,
les résistances, capacités, inductances, lignes de transmission, etc. constituent également d’excellents supports aux structures de
Les performances, en termes de fréquences de fonctionnement, de propagation hautes fréquences.
bruit, de puissance haute fréquence émise et de puissance continue Le taux d’indium définit la filière technologique. Il modifie la
consommée, sont majoritairement liées à la technologie. Le choix taille de la maille atomique du cristal composite InxGa1-xAs qui est
de ou des filières technologiques pour réaliser le MMIC dépend prin- en désaccord de maille par rapport au substrat GaAs. L’accroisse-
cipalement du cahier des charges, de l’application et du coût. ment du taux d’indium augmente ce désaccord. Par ailleurs selon
Même si les caractéristiques haute fréquence des composants le taux d’indium, le cristal composite InxGa1-xAs peut être en
passifs influent largement sur celles des MMIC, le type et la tech- accord ou désaccord de maille avec le substrat InP :
nologie des transistors sont déterminants. – pour des taux d’indium de l’ordre de 20 %, le cristal InGaAs éla-
Les transistors sont de deux types : les transistors à effet de boré sur GaAs est contraint, on parle de HEMT pseudomorphique et
champ et les transistors bipolaires. Aujourd’hui, pour la réalisa- de filière technologique PHEMT. Le matériau sur lequel est réalisé le
tion de MMIC, les transistors à effet de champ sont majoritaire- transistor est GaAlAs/InGaAs/GaAs. C’est la filière technologique
ment de type MOSFET (MetalOxideSemiconductor Field Effect HEMT III-V la plus industrialisée. Les fréquences caractéristiques de
Transistor) pour les filières silicium et HEMT (High Electron Mobi- coupure sont fT < 150 GHz, fmax < 250 GHz pour une longueur de grille
lity Transistor) pour les filières III-V. Les transistors bipolaires sont de 100 nm. Cette filière est utilisée pour la réalisation de circuits soit
de type HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) pour les filières ultra-faible bruit soit de puissance jusqu’en gamme millimétrique ;
technologiques silicium et III-V. – pour un taux d’iIndium de 53 %, le cristal InGaAs est en accord
Dans les paragraphes 1.1 à 1.4, nous passerons en revue les dif- de maille avec le substrat InP, on parle de HEMT en accord de
férents types de transistors utilisés pour la conception et la réali- maille (Lattice Match) et de filière LMHEMT. Le matériau sur
sation des MMIC et les filières technologiques associées. lequel est réalisé le transistor est InAlAs/InGaAs/InP ;
– enfin pour un taux d’indium de 53 %, le cristal InGaAs est en
Pour les principes de fonctionnement, la technologie et les fort désaccord de maille avec le substrat GaAs. En faisant croître
performances des transistors, nous conseillons au lecteur de lire une couche intermédiaire appelée couche tampon entre le substrat
l’article [E2810] « Composants à semiconducteurs pour de GaAs et le canal InGaAs, ce dernier reprend sa structure de
hyperfréquences » et [E2450] « composants III-V » mais aussi les maille originelle, on parle de HEMT métamorphique et de filière
articles [E2430] « MOSFET et [E2380] « MOSFET SOI ». technologique MHEMT. Le matériau sur lequel est réalisé le tran-
sistor est InAlAs/InGaAs/couche tampon/GaAs.

1.1 Transistor à effet de champ Ces deux dernières filières seront choisies essentiellement pour
leur potentialité en termes de gain important et de faible bruit en
à hétérojonction HEMT – gammes millimétrique et submillimétrique. Des fréquences de
Filières GaAs et InP coupure records ont été obtenues pour ces filières avec fmax (la
définition sera donnée au paragraphe 2.1.2) de l’ordre de 1,4 THz
Les HEMT à canal Ga1-xInxAs constituent la majorité des filières et des amplificateurs fonctionnant jusque 850 GHz ont été réalisés.
technologiques à matériaux composés des colonnes III (alumi-
Il existe quelques autres filières technologiques III-V utilisées pour
nium, gallium et indium) et V (phosphore, arsenic, antimoine) du
la réalisation de MMIC ; par exemple celle où le taux d’indium atteint
tableau périodique. Ces transistors sont de type N ; un gaz bidi-
100 %, on parle alors de la filière InAs, ou bien l’hétérojonction peut
mensionnel d’électrons, dont la densité électronique est contrô-
être du type AlSb/InAs, on parle alors de ABCS-HEMT pour Antimo-
lée par le potentiel de grille, se forme dans le canal conducteur
nide – Based Compound Semiconductor – HEMT.
InxGa1-xAs non intentionnellement dopé (intrinsèque) et ceci grâce à
la présence d’une hétérojonction GaAlAs/InGaAs ou InAlAs/InGaAs.
La couche GaAlAs ou InAlAs dite « couche barrière » est dopée
N+. Le taux x d’indium conditionne la discontinuité de bandes de 1.2 Transistor à effet de champ
conduction (ΔEc) entre les deux couches ; plus x est élevé plus ΔEc à hétérojonctions HEMT – Filière GaN
est grand et plus grande est la densité d’électrons. De façon plus
pratique, un HEMT avec un taux d’indium élevé aura une grande Cette filière suscite une très grande activité de recherche et déve-
densité de courant et des performances fréquentielles accrues. loppement industriel, sans doute la plus importante dans le

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domaine des composants à base de matériaux III-V. Le matériau depuis la fin des années 1970 une feuille de route (International
GaN et les matériaux composites associés formant la couche bar- Technology Roadmap for Semiconductors ou ITRS).
rière des hétérojonctions tels que AlxGa1-xN ou InxAl1-xN sont des Basé sur le même procédé technologique, nous pouvons égale-
semi-conducteurs dits « à grand gap ». Le gap est également le nom ment mentionner le transistor LDMOS (Lateraly Diffused MOS)
attribué à la bande interdite du semi-conducteur. Il est de 3,4 eV qui est un MOSFET utilisé pour les circuits de forte puissance opé-
pour le GaN ; pour comparaison le gap est de 1,12 eV pour le sili- rant dans la gamme de fréquence des GHz.
cium. Cette propriété confère à ces technologies la faculté d’accep-
ter des tensions de polarisation de drain très élevées avant La différence majeure des MOSFET réalisés sur substrat SOI est


d’atteindre le niveau d’avalanche (on parle de tension de claquage), que le transistor est isolé électriquement du substrat de silicium par
de plusieurs dizaines voire centaines de volts tout en fournissant un dioxyde de silicium enterré appelé box réduisant les courants
des densités de courant importantes grâce aux bonnes propriétés parasites tant en régime statique DC que dynamique AC par la
de transport électronique et de densité d’états de ces matériaux. réduction des capacités parasites. Comparativement au MOSFET
bulk, la commande électrostatique du canal par le potentiel appliqué
La croissance cristallographique des hétérojonctions de type sur la grille est plus efficace, les effets de canaux courts en sont
AlGaN/GaN ou InAlN/GaN est effectuée non pas sur un substrat réduits. Selon l’épaisseur du canal de silicium entre l’oxyde de grille
de GaN, dont la dimension des wafers n’excède pas 2 pouces et la et l’oxyde enterré box par rapport à la longueur de la grille, ce canal
croissance entraîne un coût élevé, mais soit sur substrat de SiC peut être soit partiellement soit complètement déserté par les por-
(carbure de silicium) dont le paramètre de maille est le plus teurs de charge. On parle alors de MOSFET SOI Partially Depleted
proche de celui du GaN soit sur silicium de type 111 dont le ou Fully Depleted. Cette filière est particulièrement adaptée pour la
désaccord de maille est important, de l’ordre de 18 %. réalisation de MMIC à très faible consommation.
Pour la réalisation de MMIC destinés aux applications de puis- Pour faire un lien avec le paragraphe 1.4, des transistors de type
sance, les HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN sur substrat de SiC bipolaire à hétérojonction Si/SiGeC peuvent être réalisés sur un
sont les plus performants en fréquence et en puissance grâce à la procédé CMOS bulk ou SOI, dans ce cas la filière technologique se
qualité des matériaux en termes de faible densité de défauts cris- nomme BiCMOS.
tallographiques et de conduction thermique. Les densités de
puissance, exprimées en watts par millimètre de grille (cette Pour la réalisation de MMIC jusqu’aux gammes millimétrique et
dimension correspond à la largeur totale de la grille) sont d’envi- submillimétrique voire d’ensemble de MMIC pour concevoir des
ron 40 W/mm à 4 GHz, 20 W/mm à 10 GHz, 10 W/mm à 40 GHz et systèmes complets, les filières technologiques sur silicium offrent
de l’ordre de 1 W/mm en bande W (75-110 GHz). un large panel aux concepteurs. La possibilité d’intégrer sur la
même puce, des fonctions analogiques hautes fréquences avec
Le nombre de travaux concernant la filière HEMT GaN sur subs- des fonctions numériques, telles que des processeurs ou circuits
trat de silicium ne cesse d’augmenter ; ils sont animés par les logiques dédiés, ou mixtes telles que les convertisseurs analo-
intérêts applicatifs (production de lumière blanche, électronique giques/numériques, et réciproquement, rend ces technologies
de puissance basse fréquence et haute fréquence). En effet la dis- incontournables pour la réalisation des systèmes électroniques
ponibilité et le faible coût des substrats de silicium et la possibilité grand public ou de ceux dédiés aux secteurs de l’aéronautique, du
de croissance de matériaux GaN sur des wafers jusque 200 mm spatial et de la défense.
(environ 8 pouces) entraîne une réelle réduction des coûts par
rapport au substrat SiC (4 à 6 pouces). Le GaN étant en désaccord
de maille avec le substrat de silicium, une couche « tampon » 1.4 Transistor bipolaire à hétérojonction
(couche de nucléation d’AlN et d’un super-réseau constitué d’un
empilement de couches AlN/GaN entre le substrat de silicium et le 1.4.1 Transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe
GaN) est nécessaire. Pour les applications MMIC, les perfor-
mances de cette filière GaN sur silicium dépendent essentielle- 1.4.1.1 Caractéristiques de l’alliage SiGe pseudomorphique
ment de la qualité de ces matériaux. De travaux menés en 2014
ont montré la possibilité de réaliser des transistors AlInN/GaN sur Le transistor bipolaire à hétérojonction (TBH) Si/SiGe diffère du
silicium ayant une densité de puissance de 1,35 W/mm à 94 GHz. transistor bipolaire silicium à homojonction par l’introduction
de l’alliage silicium-germanium dans la base. L’alliage silicium-
Le choix de cette technologie pour la conception de MMIC sera germanium Si1-xGex permet d’améliorer très significativement les
naturellement orienté vers les applications de puissance en performances du transistor. Cela est dû d’une part aux propriétés
gammes de fréquences micro-onde et millimétrique. Les principes intrinsèques du germanium et d’autre part au fait que la couche de
de fonctionnement de ce type de transistors sont décrits dans SiGe est contrainte. Le substrat Si et l’alliage SiGe possèdent la
l’article [E2450]. même structure cristallographique (diamant) mais ont des énergies
de bande interdite (gap) différentes (0,66 eV pour le Ge contre 1,12
pour le Si à T = 300 K et des paramètres de maille différents
1.3 Transistor MOSFET (aSi = 5,431 Å et aGe = 5,657 Å). A titre d’exemple, le paramètre de
maille d’un alliage SiGe comportant 20 % de germanium est égal à
Bien que des travaux récents concernent des MOSFET utilisant 5,476 Å, le désaccord de maille par rapport au substrat Si est alors
des matériaux III-V tels que InGaAs comme canal conducteur, la de 0,83 %. Cela signifie que la croissance du SiGe sur le Si est pseu-
majorité des MOSFET sont réalisés sur silicium. Pour les applica- domorphique, c’est-à-dire que la couche de SiGe conserve le para-
tions HF, les MOSFET de type N sont majoritairement utilisés mètre de maille du substrat de Si, conduisant à une déformation
grâce à une meilleure mobilité des électrons dans le silicium par élastique dans la direction perpendiculaire au plan de l’interface. La
rapport à celle des trous. Généralement, les MOSFET sont polari- croissance pseudomorphique n’est possible que pour une épaisseur
sés en régime d’inversion. limitée de la couche de SiGe (fonction du pourcentage de Ge).
Il y a deux grandes filières technologiques où l’on dispose de L’énergie de bande interdite du SiGe dépend à la fois du pour-
MOSFET. Il s’agit d’une part de la technologie CMOS (Comple- centage de Ge et de la contrainte. Une valeur approximative de
mentary Metal Oxide Semi-conductor) sur substrat silicium massif l’énergie de bande interdite de l’alliage SiGe contraint peut être
(appelé bulk) et d’autre part de la technologie CMOS sur substrat déterminée par l’expression suivante :
SOI (Silicon On Insulator).
(1)
La filière CMOS bulk est la plus industrialisée et réalisée sur des
substrats de silicium (appelés wafers) de 300 mm de diamètre avec E0(T) énergie de bande interdite du Si pur,
voire 450 mm dans le futur. Les technologies CMOS suivent x taux de Ge dans l’alliage SiGe.

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E 1 426v2 – 3

TY
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MMIC : COMPOSANTS _______________________________________________________________________________________________________________

Énergie
SCR SCR SCR Space Charge Region :
BC E B C
ΔEC BC région de charges d’espace
ΔEG
ou zone de déplétion

EGSiGe Substrat SiGe EGSiGe


Électrons
Si contraint

Q ΔEV
BV ΔEV
Trous
BC
E Émetteur
BV ΔEV B Base
C Collecteur

XGe BV
Figure 1 – Schéma du raccordement des bandes entre un substrat Si
et un film de SiGe contraint XGeC

XGeE
Comme représenté sur la figure 1, le raccordement des bandes SiGe
d’énergie entre SiGe contraint et Si est de type (I) avec une varia-
tion pour la bande de conduction (BC) plus modérée que celle
pour la bande valence (BV). L’effet côté bande de conduction étant Figure 2 – Diagramme de bandes du TBH Si/SiGe : C par rapport au
transistor bipolaire à homojonction Si avec un profil de Ge graduel
plus limité, il est généralement négligé. Il est possible de calculer de Ge dans la base
simplement la différence d’énergie ΔEV en fonction de la concen-
tration en germanium x avec la relation suivante :
(2)
1.4.2 Transistor bipolaire à hétérojonction III-V
Dans le cas d’un TBH de type NPN, la différence de dopage Pour plus de détails, le lecteur consultera l’article [E2450].
entre l’émetteur et la base reporte la différence en énergie EG Nous trouvons majoritairement deux filières de TBH III-V :
apportée par l’hétérojonction au niveau de la bande de conduction – la filière sur substrat GaAs dont l’hétérojonction émetteur –
et diminue ainsi la barrière d’énergie visible par les électrons. base la plus utilisée actuellement est In0,49Ga0,51P/GaAs ;
D’autre part, la variation de la hauteur de la barrière d’énergie – la filière InP dont l’hétérojonction émetteur/base est soit
dans la bande de valence vue par les trous est négligeable. InP/Ga0,47In0,53As soit InP/ GaAsSb.
L’injection des trous est donc la même que pour un transistor
bipolaire à homojonction alors que le transport est amélioré pour Cette seconde filière InP donne lieu à des performances accrues
les électrons de la bande de conduction. en gammes millimétrique et submillimétrique par rapport à la
filière GaAs.
Un profil graduel de Ge dans la base, c’est-à-dire avec un pourcen-
tage croissant entre l’émetteur et le collecteur, permet de créer ainsi
Un recapitulatif des différents types de transistors et filières
une bande interdite de largeur variable dans la base. Ce gradient de
selon le substrat est donné dans le tableau 1.
Ge crée un pseudo-champ électrique qui accélère les électrons de
l’émetteur vers le collecteur, et le courant collecteur IC en résultant
est plus élevé que pour un transistor bipolaire Si. On parlera de pro-
Tableau 1 – Résumé des différents types
fil triangulaire si le pourcentage de Ge à l’entrée de la base est nul
de transistors et filières MMIC selon les types
alors que pour un pourcentage non nul, comme sur la figure 2, on
de substrat semi-conducteur
parlera d’un profil trapézoïdal. Un des avantages du profil trapézoï-
dal est, de par la réduction de la hauteur de bande interdite, d’obte- Transistors à effet Transistors
Substrat
nir un courant collecteur plus fort que pour un profil triangulaire. de champ bipolaires
Si MOSFET HBT
1.4.1.2 Influence de l’hétérojonction Si/SiGe:C (technologie (technologie
sur le fonctionnement du transistor bipolaire CMOS) BiCMOS)
L’introduction de germanium dans la base permet une augmenta- LDMOS Si/SiGeC
tion significative du gain en courant. Dans la mesure où cette intro- HEMT
duction modifie la barrière vue par les électrons, cette augmentation AlGaN/GaN
est essentiellement due à IC. Pour donner un ordre de grandeur, le HEMT InAlN/
gain β des transistors bipolaires à homojonction Si est de quelques GaN
dizaines, et il atteint quelques centaines à quelques milliers pour un SOI UTB FD HBTSi/SiGeC
TBH SiGe. Cependant, il est important de noter qu’un fort gain en
courant β, s’il est avantageux pour les performances fréquentielles du SiC HEMT
composant, dégrade considérablement sa tenue en tension VCE0 (ten- AlGaN/GaN
sion de claquage entre l’émetteur et le collecteur). HEMT InAlN/
GaN
Les performances dynamiques d’un TBH Si/SiGe sont significa-
tivement améliorées par rapport à un transistor à homojonction. GaAs PHEMT MHEMT HBT
Cela tient principalement à l’augmentation du courant collecteur GaAlAs/ InAlAs/ GaInP/GaAs
et à la réduction du temps de transit des électrons dans la base InGaAs InGaAs/
pour les profils triangulaires et trapézoïdaux de Ge. Cette forte InP LMHEMT HBT
augmentation du courant collecteur peut ainsi être utilisée pour InAlAs/ InP/InGaAs
réduire la résistance de base RB en augmentant le dopage de la InGaAs InP/GaAsSb
base. Cela permet donc d’améliorer simultanément f T et fmax.

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E 1 426v2 – 4

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MMIC : composants
Composants passifs et circuits
de polarisation

par Gilles DAMBRINE
Professeur à l’Université de Lille, Institut d’Électronique de Microélectronique
et de Nanotechnologies, IEMN, France
Didier BELOT
STMicroelectronics, Crolles, France
Pascal CHEVALIER
STMicroelectronics, Crolles, France
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1426, paragraphes 2 et 3, intitulé « MMIC.
Composants » paru en 2004, rédigé par Christian RUMELHARD.

1. Composants passifs et leurs modèles............................................... E 1 427v2 - 2


1.1 Transistor à effet de champ à VDS = 0 (FET froid) ................................... — 2
1.1.1 Résistance variable ............................................................................ — 2
1.1.2 Capacité variable................................................................................ — 2
1.2 Résistances .................................................................................................. — 3
1.3 Capacités...................................................................................................... — 4
1.4 Lignes........................................................................................................... — 5
1.5 Inductances spirales ................................................................................... — 7
1.6 Inductances rectilignes ............................................................................... — 9
2. Polarisation des composants actifs................................................... — 9
3. Conclusion................................................................................................. — 13
4. Glossaire .................................................................................................... — 13
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 1 427v2

et article se situe dans la suite logique de l’article [E 1426], dédié aux tran-
C sistors et composants actifs constituants des MMIC ; il traite cette fois de
l’ensemble des composants passifs tels que les résistances, capacités, induc-
tances et structures de propagation.
Dans cet article, nous passons en revue la description des composants
passifs et leur modélisation ainsi que la description des architectures des cir-
cuits de polarisation.
Dans la première section, nous décrivons les principaux types de compo-
sants passifs utilisés pour la conception de MMIC ainsi que leur principe de
modélisations électriques. La seconde section traite des architectures relatives
aux circuits de polarisation des transistors qui sont des dispositifs communs
aux circuits MMIC.
p。イオエゥッョ@Z@ョッカ・ュ「イ・@RPQU

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E 1 427v2 – 1

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MMIC : COMPOSANTS _______________________________________________________________________________________________________________

1. Composants passifs
et leurs modèles
Les circuits intégrés monolithiques analogiques comportent de
nombreux éléments passifs tels que résistances, capacités, induc-


tances ou lignes de configurations diverses. Ces composants
seront plus ou moins les mêmes, quel que soit le choix des com-
posants actifs et du substrat. Seules les inductances sur substrat
Si donnent lieu à des études récentes prenant en compte les
pertes dans le substrat ou permettant de s’en affranchir. Ce para-
graphe donne une idée de la structure, des limites physiques et
des modèles de ces composants. Bien que la modélisation d’un Figure 1 – Résistance variable
composant passif tel qu’une self semble acquise depuis de nom-
breuses années, il apparaîtra que c’est loin d’être le cas et ce sera
l’occasion de montrer dans quelles conditions des modèles
peuvent être établis à partir de formulations physiques ou bien à sachant que :
partir de mesures.

(3)
1.1 Transistor à effet de champ
à VDS = 0 (FET froid) avec ε0 permittivité du vide,
ε permittivité relative,
Une partie des structures de transistors décrites dans l’article
[E 1426] peut donner lieu à des composants jouant un rôle très Vd potentiel de diffusion du contact Schottky
important dans les circuits. Pour le transistor à effet de champ, il (spécifique du métal et du semi-conducteur).
s’agit de la structure dans laquelle il n’y a pas de polarisation
■ Lorsque la tension appliquée correspond au pincement,
continue entre les électrodes de source et de drain, d’où le nom
c’est-à-dire que l’épaisseur de la zone déplétée est égale à l’épais-
de transistor froid. En fonction des connexions des électrodes,
seur de la zone active, on a :
cette configuration peut être utilisée comme résistance variable
ou comme capacité variable. Pour le transistor bipolaire, la jonc-
tion base-collecteur ou la jonction émetteur-base peuvent être uti- (4)
lisées comme capacité variable.
avec Vp tension de pincement.
1.1.1 Résistance variable Maintenant, la résistance R peut s’écrire :
La figure 1 représente deux contacts ohmiques (électrodes A et
B) et un contact Schottky (électrode G) au-dessus d’un canal cor-
(5)
respondant à une technologie MESFET. Une tension continue est
appliquée sur l’électrode G, provoquant la présence d’une zone
déplétée de profondeur w et une tension alternative petit signal Cette résistance devient évidemment très grande quand
est appliquée entre les électrodes A et B. Quand la tension VG (V d – V G) = Vp.
devient de plus en plus négative, la hauteur de canal (a – w)
devient de plus en plus petite et la résistance R correspondante En réalité, il faut ajouter à la résistance R les résistances RS cor-
devient de plus en plus grande.ì respondant à la résistance de contact des contacts ohmiques et au
tronçon de couche active compris entre chacune des électrodes A
■ Tant que le signal appliqué entre A et B est faible, la et B d’une part et l’électrode G d’autre part. Il faut aussi ajouter
conductivité électrique (en S/m) du matériau dopé s’écrit (en fai- une capacité en parallèle correspondant aux capacités entre les
sant l’hypothèse que le profil de dopage du canal est électrodes A et B.
rectangulaire) : Le dispositif ci-dessus fonctionne pour une technologie MESFET
(1) et il ne faut pas oublier que les formules ont été établies en sup-
posant un profil de dopage parfaitement rectangulaire.
avec q charge de l’électron, Pour une technologie de transistor à effet de champ à hétérojonc-
µ mobilité des électrons, tion (HEMT) ou une technologie MOSFET, le canal se comporte un
ND densité de donneurs (matériau dopé N). peu différemment puisqu’il est constitué par une charge à l’interface
entre les deux semi-conducteurs différents ou entre un semi-conduc-
La résistance R s’écrit alors, en négligeant les effets de bord : teur et un isolant, mais le principe reste le même et le schéma équiva-
lent est identique. Seule la relation entre R et VG est un peu changée.
(2)
1.1.2 Capacité variable
avec L longueur de l’électrode, Deux structures différentes de varactors peuvent être envisa-
Z largeur de l’électrode, gées. D’une part, une structure verticale à partir de la jonction
base-collecteur d’une technologie de transistor bipolaire. D’autre
a épaisseur de la couche active, part, une structure horizontale à partir d’une technologie MESFET
w épaisseur de la zone déplétée, (structure planaire).

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E 1 427v2 – 2

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_______________________________________________________________________________________________________________ MMIC : COMPOSANTS


Figure 2 – Varactor vertical (technologie bipolaire)

Figure 4 – Capacité et résistance d’un varactor


en technologie MESFET

En résumé
Toutes les technologies des transistors à effet de champ per-
mettent de réaliser des résistances variables et des capacités
variables grâce à une tension. Mais les capacités variables pré-
sentent une résistance série qui peut devenir très élevée dans
une partie de la plage de variation de la capacité.
Les technologies de transistors bipolaires ne permettent pas
Figure 3 – Varactor en technologie MESFET de réaliser une résistance variable. Quant à la capacité, sa résis-
tance série est très faible, ce qui correspond à des pertes aussi
très faibles. Cette particularité associée au faible bruit en 1/F
des transistors permet de faire des oscillateurs accordables par
■ Varactor vertical varactor ayant de très bonnes performances électriques en
technologie de transistor bipolaire.
La figure 2 représente un tel varactor. Cette configuration cor-
respond à la jonction base-collecteur d’un transistor bipolaire. La
capacité C ’ s’écrit, en reprenant la définition donnée plus haut
pour la profondeur w : 1.2 Résistances
La figure 5 schématise les deux moyens de réaliser une résistance :
(6) – le premier (figure 5a) consiste à utiliser un tronçon de
couche active. La résistance d’une telle couche dépend de la
structure de cette zone active qui est elle-même fonction du com-
Cette capacité diminue quand la tension VG appliquée sur l’élec- posant à réaliser (transistor à effet de champ simple ou à hétéro-
trode B devient de plus en plus négative. jonction ou transistor bipolaire). Le contact avec la couche active
doit être établi par un contact ohmique. Les connexions avec
Quant à la résistance R ’, elle est donnée par : d’autres composants sont ensuite assurées par un métal épais ;
– le second (figure 5b) consiste à réaliser un dépôt résistif spé-
cifique. L’établissement du contact électrique ne pose plus de pro-
(7) blème particulier. Les matériaux possibles sont le Cr, le Ti, le Ta, le
NiCr, le TaN et, pour les valeurs de résistances très élevées (par
exemple 100 kΩ), un composé WSiTiN. Habituellement, cette couche
Cette résistance décroît au fur et à mesure que VG devient plus résistive est déposée sur une couche isolante ce qui permet de l’uti-
négatif. liser même avec un substrat non parfaitement isolant comme le Si.
Cette configuration de varactor est très intéressante car la
décroissance de la résistance R ’ donne un dispositif ayant des
pertes très faibles.

■ Varactor planar
Cette fois, la configuration est donnée par la figure 3 qui corres-
pond à une technologie de transistor à effet de champ, donc pla-
naire. Si les électrodes A et A’ sont reliées entre elles, le schéma
équivalent entre l’électrode ‘Grille’ d’une part et les électrodes
A+A’ d’autre part est constitué d’une résistance et d’une capacité
en série. La capacité décroît quand VG devient plus négatif, mais,
dans le même temps, la résistance croît, ce qui rend le varactor
planaire inutilisable dans une partie de la plage de variation de C
(figure 4). Figure 5 – Réalisation de résistances

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E 1 427v2 – 3

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MMIC
Déphaseurs et amplificateurs
par Didier BELOT

Ingénieur
ST-Microelectronics, Crolles, France
et Gilles DAMBRINE
Professeur à l’Université de Lille, Institut d’Électronique de Microélectronique
et de Nanotechnologies, IEMN, France

1. Coupleurs, commutateurs, atténuateur, déphaseurs ................... E 1 428v2 - 2


1.1 Cellules de déphasage................................................................................ — 2
1.2 Coupleurs..................................................................................................... — 4
1.3 Interrupteurs, commutateurs ..................................................................... — 6
1.4 Atténuateurs ................................................................................................ — 7
1.5 Déphaseurs quantifiés ................................................................................ — 8
1.6 Déphaseurs analogiques et vectoriels ...................................................... — 8
2. Amplificateur en petit signal ............................................................... — 9
2.1 Montages de transistors à effet de champ et bipolaires ......................... — 9
2.2 Amplificateurs à bande étroite à un et deux étages ................................ — 12
2.3 Amplificateurs à large bande ..................................................................... — 13
2.4 Amplificateurs distribués ........................................................................... — 17
2.5 Amplificateurs à faible bruit....................................................................... — 21
2.6 Amplificateur : architecture de type différentiel....................................... — 21
3. Amplificateur de puissance.................................................................. — 22
3.1 Fonctionnement en classe A. Définitions.................................................. — 22
3.2 Load pull et source pull — 22
3.3 Classes de fonctionnement ........................................................................ — 23
3.4 Non-linéarités .............................................................................................. — 26
3.5 Conception d’un amplificateur de puissance ........................................... — 27
3.6 Structures d’amplificateurs de puissance................................................. — 27
4. Conclusion................................................................................................. — 29
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 1 428v2

et article décrit les circuits intégrés monolithiques micro-ondes qui per-


C mettent de maîtriser la phase et l’amplitude des signaux micro-ondes.
Les antennes à balayage électronique utilisent des centaines de modules pour
lesquels la phase et l’amplitude du signal émis doivent être commandées pour
chacun des modules. Pour les transmissions numériques sur porteuse micro-
onde (du radiotéléphone aux boucles locales radio), les modulations utilisées,
qu’elles soient à décalage en phase (PSK) ou à modulation d’amplitude en qua-
drature (QAM), impliquent de maîtriser de nombreux déphasages mais aussi
l’amplitude du signal dans les modulateurs et démodulateurs. Enfin, le remplace-
ment des filtres dans les têtes d’émission et de réception par des circuits à
suppression d’oscillateur local ou à suppression de fréquence image supposent
eux aussi l’introduction de déphasages ou de différences de phases. Ces considé-
rations montrent le très grand intérêt qu’il y a à étudier les différentes techniques
de déphasage qui peuvent être introduites dans les MMIC (Monolithic Microwave
Integrated Circuit). C’est ce qui est fait dans le premier paragraphe.
p。イオエゥッョ@Z@ェ。ョカゥ・イ@RPQV

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MMIC ____________________________________________________________________________________________________________________________

Par ailleurs, l’amplitude du signal, soit à la réception, soit à l’émission, soit


en cours de traitement, doit souvent être contrôlée, ce qui nécessite d’utiliser
des cellules à atténuation ou à gain variable.
Mais la fonction d’amplification reste la fonction essentielle de tous ces circuits.
Cela se fait dans des amplificateurs en petit signal où les grandeurs importantes
sont le gain et le facteur de bruit (paragraphe 2). Les facteurs de bruit proches de
1 permettent de recevoir des signaux très faibles, ce qui augmente les distances
Q des liaisons ou ce qui permet de diminuer les puissances d’émission. Les amplifi-
cateurs à large bande peuvent être utilisés pour des applications micro-ondes
telles que les contre-mesures mais ces circuits permettent aussi d’amplifier des
signaux numériques à quelques dizaines de Gbit/s.
La fonction d’amplification se retrouve aussi dans des amplificateurs de puis-
sance où les grandeurs importantes sont le gain, les non-linéarités, la
puissance en sortie et le rendement électrique (paragraphe 3). Par exemple, la
consultation des essais comparatifs de téléphones portables montre que les
durées de fonctionnement en émission-réception sont très variables. Ces
durées sont directement fonction du rendement de l’amplificateur de puis-
sance dans la voie émission. Dans un radar aéroporté, l’augmentation du
rendement électrique permet de diminuer la puissance d’alimentation de
l’antenne et donc diminuer le poids du générateur de puissance. Mais cette
augmentation de rendement permet en même temps de diminuer le poids des
circuits de refroidissement qui doivent évacuer la puissance non convertie en
micro-ondes. Dans ce cas, l’amélioration du rendement est particulièrement
recherchée parce qu’elle a un effet double.
Selon les applications, ces circuits de déphasage et d’amplification sont à
bande étroite ou à large bande ce qui débouche aussi sur des circuits
différents.
Cette étude des circuits intégrés monolithiques micro-ondes se compose de
plusieurs articles :
– [E1425] MMIC – Évolution et technologie traitant de l’évolution et de la
technologie des MMIC,
– [E1426] MMIC – Composants actifs et [E1427] MMIC – Composants passifs,
– [E1428] MMIC – Déphaseurs et amplificateurs,
– [E1429] MMIC – Oscillateurs, mélangeurs, convertisseurs, qui traite de la
modulation, démodulation et conversion de fréquence,

courant. Pour être complet, il faut donc examiner les structures pas-
1. Coupleurs, commutateurs, sives localisées ou distribuées puis certaines structures actives, ce qui
atténuateur, déphaseurs donne lieu à une très grande variété de circuits. Certains aspects de la
conception des déphaseurs peuvent être trouvés dans les références
[2] [3].
Les circuits de déphasage sont un élément clé des circuits micro-
ondes et ils sont réalisés depuis longtemps en technologie hybride à
base d’éléments distribués associés à des diodes PIN ou même 1.1 Cellules de déphasage
des dispositifs à ferrite [1]. Les technologies de circuits mono-
lithiques ont ensuite donné lieu à des circuits particuliers compor- Déphasage d’un tronçon de ligne : entre l’entrée et la sortie
tant des éléments passifs localisés et un nouveau composant : le d’un tronçon de ligne, il existe un retard de phase tel que celui
transistor froid [E1426]. Pour des fréquences supérieures à 30 GHz, indiqué sur la figure 1. La matrice chaîne [ABCD] d’un tel qua-
des éléments distribués ont été réintroduits dans les MMIC et les dripôle, est donnée par :
structures correspondantes, qui semblaient définitivement rempla-
cées par des éléments localisés, redeviennent d’actualité. Certains des
circuits décrits dans cet article peuvent aussi être réalisés à l’aide de
composants actifs, ce qui a pour effet de compenser les pertes des (1)
déphaseurs, mais au prix d’une consommation supplémentaire de

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Figure 1 – Déphasage dû à un tronçon de ligne sans perte
a cellule en T b cellule en ∏

Ces relations sont d’un emploi simple, mais correspondent aux Figure 3 – Cellules à retard de phase (θ de 0 à + 180°)
relations entre la sortie et l’entrée. Une indication plus correcte
peut être donnée par les paramètres S qui peuvent se déduire des
paramètres de chaîne. Toujours en supposant que la ligne est
sans perte, le paramètre donnant la fonction de transfert, entre Quelle que soit la valeur de θ positif (retard de phase), il est
l’entrée et la sortie, est le paramètre S21 qui est représenté par : donc possible de trouver des valeurs de L et C permettant de réa-
liser un tel déphasage (figure 3a).
(2)
Exemple
S21 définit un déphasage entre l’entrée et la sortie et le signe Un retard de phase de 90° (θ = + 90°) donne comme valeur
négatif associé à θ indique bien qu’il s’agit d’un retard de phase. d’éléments :
Cellule de déphasage en éléments localisés : la matrice chaîne Z1 = jZ0 et Z2 = –jZ0
d’éléments symétriques constitués d’éléments localisés réactifs
tels qu’ils sont représentés sur la figure 2 est :
Un gros avantage des éléments localisés est de pouvoir intro-
duire une avance de phase. En effet, rien n’empêche d’introduire
un θ négatif (avance de phase entre l’entrée et la sortie avec la
(3) matrice chaîne) dans les relations (4) et (5). L’impédance Z1 sera
alors représentée par une capacité et Z2 par une inductance
comme cela est montré sur la figure 4a.

L’identification terme à terme des éléments des matrices (1) et Exemple


(3) donne deux séries (à cause de la symétrie) de deux relations
pour déterminer les éléments Z1 et Z2 qui sont donnés par : Avec une avance de phase de 90° (θ = – 90°), les valeurs obtenues
sont à présent :
(4) Z1 = –jZ0 et Z2 = jZ0

(5) Les exemples ci-dessus sont donnés avec des cellules en T.


Le même raisonnement peut être repris avec des cellules en Π
Lorsque la cellule est fermée à l’entrée et à la sortie sur une (figures 3b et 4b).
impédance caractéristique Z0, les valeurs de Z1 et Z2 dépendent
donc du déphasage désiré θ.
Lors d’un retard de phase, Z1 et Z2 étant des impédances, Z1
peut être réalisé par une inductance L, tandis que Z2 est réalisé
par une capacité C. Ces éléments dépendent évidemment de la
fréquence et sont donnés par :

a cellule en T b cellule en Π

Figure 2 – Cellule de déphasage constituée d’éléments localisés Figure 4 – Cellules à avance de phase (θ de 0 à – 180°)

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1.2 Coupleurs ■ Diviseur de Wilkinson localisé


Le paragraphe 1.1 a montré comment réaliser, pour une fré-
quence particulière, une cellule introduisant un déphasage de θ et
Les coupleurs ont pour fonction de coupler un signal venant une impédance caractéristique Z0 et constituée d’éléments locali-
d’une ligne dans une, deux, trois ou quatre lignes différentes (divi- sés. Il est donc possible de réaliser une cellule ayant un dépha-
seurs de puissance) ou bien d’additionner les signaux venant de
plusieurs lignes dans une seule (recombineurs de puissance). sage de 90˚ et une impédance caractéristique . Avec cette
cellule de base, il est possible de réaliser le circuit de la figure 5b.

Q Ces divisions ou recombinaisons doivent se faire avec de


faibles réflexions à l’entrée et à la sortie et en isolant les diffé-
Le coupleur ainsi obtenu a les propriétés décrites au
paragraphe 1.3.1, mais il est réalisé en éléments localisés et peut
donc être dessiné, pour certaines fréquences, de manière beau-
rentes voies les unes des autres. Des fonctions supplémentaires coup plus compacte que le circuit de la figure 5a.
peuvent être remplies telles que l’isolation des tensions de polari- Entre la porte 1 et les portes 2 et 3, il apparaît un retard de
sation continues ou l’amplification pour les circuits actifs. phase de 90o et, en fonction de la matrice (6), les relations sui-
■ Diviseur de Wilkinson distribué vantes peuvent être écrites :
Le schéma d’un coupleur de Wilkinson distribué est donné sur
la figure 5a. (7)
Le fonctionnement en diviseur de puissance se résume de la
Dans les coupleurs de Wilkinson, qu’ils soient distribués ou
manière suivante : si la puissance injectée en 1 est P, il apparaît P/2
localisés, le déphasage entre les voies 2 et 3 est nul.
à chacune des portes 2 et 3. La présence des tronçons de lignes
de longueur quart d’onde λ/4 et d’impédance caractéristique Pour les coupleurs localisés, les cellules choisies sont en T ou
en Π en fonction des facilités de réalisation ou d’association des
a pour effet de ramener à la porte 1 deux impédances 2Z0 en
éléments.
parallèle, soit Z0. Il y a donc adaptation à l’entrée. La résistance R
a pour rôle d’assurer l’isolation entre les voies 2 et 3 et l’adapta- ■ Combineur de Wilkinson ou combineur de puissance
tion à l’entrée des voies 2 et 3. Sa valeur est R = 2Z0. En reprenant le schéma des figures 5a et b et en appliquant un
signal du type onde de Kurokawa :
De même, deux signaux injectés aux portes 2 et 3 s’addi-
tionnent vectoriellement dans la voie 1. A exp (jωt + φ1) sur la voie 2
Ces deux fonctions peuvent être résumées, dans le cas d’un B exp (jωt + φ2) sur la voie 3,
coupleur idéal, par la matrice [S ] du triporte correspondant qui est : le signal dans la voie 1 est la somme vectorielle des deux
signaux en entrée, multipliée par les paramètres S12 et S31 soit :

(8)
(6)
Exemple
Si A = B = 1 et φ1 = φ2, et en puissance, . Mais si
(φ1 – φ2) = 180˚, .

Ce circuit est très intéressant puisque c’est le diviseur de Wilkin-


son utilisé de manière réciproque. Cette propriété remarquable est
utilisée pour faire par exemple un même circuit qui est à la fois un
modulateur et un démodulateur.
■ Coupleur de Lange et coupleur branch line
La figure 6 montre un coupleur de Lange, la figure 7a montre
un coupleur du type branch line distribué tandis que la figure 7b
montre un coupleur du type branch line localisé. Ces coupleurs
sont tous du type « 4 portes » et présentent un déphasage de 90˚
entre les deux sorties.
Pour le coupleur de Lange (figure 6), l’entrée se fait par la voie 1
et les sorties se font par la voie 4 (couplage direct) et la voie 3

Figure 5 – Coupleur de Wilkinson Figure 6 – Coupleur de Lange

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(voie couplée). Les voies 3 et 4 sont en quadrature. Lorsqu’il y a La figure 8b montre la version localisée de ce coupleur. Dans
adaptation aux 4 portes, la voie 2 est isolée. Ce coupleur est très ces deux modèles, la différence de trajet entre les branches λ/4 et
utilisé dans les circuits hybrides à partir de 100 MHz et dans les 3 λ/4 implique une largeur de bande ne dépassant pas 10 à 15 %.
circuits monolithiques à partir de 10 GHz. La solution localisée, avec cellules à avance de phase, offre une
Pour le coupleur du type branch line (figure 7a), l’entrée se fait version à plus large bande consistant à combiner retard et avance
par la voie 1, la sortie 3 est en quadrature par rapport à la sortie 4 de phase comme indiqué sur la figure 8c, ce qui donne une bande
et pour les conditions d’adaptation, la sortie 2 est isolée. La plus large.


matrice [S] de ce quadriporte est la suivante :
■ Coupleur actif
La figure 9a montre un exemple de diviseur de puissance actif
tandis que la figure 9b montre un combineur actif. De tels circuits
(9) doivent présenter un bon isolement entre les voies, ce qui est réa-
lisé par le fait qu’un transistor est un élément non réciproque
(|S21| >> |S12|). Ces circuits doivent aussi être adaptés à l’entrée et
où à la sortie. Les techniques correspondantes sont vues un peu plus
loin pour les amplificateurs.

Pour un coupleur 3 dB, b = 1 et donc, et


Z02 = Z0.

■ Coupleur en anneau
Le principe de ce coupleur, utilisé dans les mélangeurs et repré-
senté sur la figure 8a, est qu’un signal entrant dans la voie 2 sort
en phase entre les voies 1 et 3 tandis qu’un signal appliqué à la
voie 4 sort en opposition de phase entre les voies 1 et 3. La
matrice [S] de ce « 4 portes » est :

(10)

Figure 7 – Coupleur branch line Figure 8 – Coupleurs en anneau

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Figure 10 – Diviseur de puissance associé à un réglage de l’ampli-


tude dans les voies 2 et 3

ces deux valeurs. Il en est de même pour les capacités, mais cette
fois, la variation est proportionnelle à la largeur. Autrement dit, pour
une technologie donnée, les rapports Rp/Rb et Cp/Cb et aussi RpCp/
(RbCb) sont constants. Quant aux produits RpCp ou RbCb, ils
indiquent la limite en fréquence.
Le temps de commutation de cet interrupteur est donné par 1/RCd.
Il est de quelques microsecondes. Ce temps peut être diminué en
étudiant spécialement le circuit de polarisation.
Selon les valeurs d’isolation désirées, les interrupteurs peuvent
Figure 9 – Coupleurs actifs munis des cellules d’adaptation à être utilisés en série ou dans des montages série-parallèle comme
l’entrée et à la sortie des transistors indiqué plus loin pour les atténuateurs.

Il faut remarquer que, contrairement à ce qui se passe pour les


diviseurs et les combineurs de puissance à base d’éléments pas-
sifs, les diviseurs et combineurs à base d’éléments actifs ne sont
pas réciproques : un diviseur de puissance n’a pas la même confi-
guration qu’un additionneur de puissance.
La figure 10 représente un diviseur de puissance actif dans
lequel les transistors sont réalisés avec des transistors bigrilles.
Ce type de circuit assure, d’une part, une division de puissance et,
d’autre part, un réglage de l’amplitude sans aucune variation de
phase grâce à la particularité des transistors bigrilles qui a été
montrée dans [5]. Ce circuit est, entre autres, très utile dans les
déphaseurs. Quant au transistor bigrille, il peut toujours être rem-
placé par un montage cascode qui est équivalent.

1.3 Interrupteurs, commutateurs


■ Interrupteur en petit signal
Le circuit des polarisations est constitué de R et Cd
Il a été vu qu’un transistor froid peut être utilisé comme résistance
variable [E1426]. Ce composant est représenté par un schéma équi-
valent sur la figure 11a où sont repérées les tensions continues et
les électrodes où est appliqué le signal haute fréquence. Au lieu
d’une variation analogique, la tension continue sur la grille peut
maintenant prendre deux valeurs différentes discrètes : d’une part
VG = 0, d’autre part |VG| > Vp où Vp est la tension de pincement du
transistor. La résistance variable présente alors deux états discrets :
Rp Ⰶ Rb et Cp ou Cb = CDS + CG/2
un état « passant » (Rp) et un état « bloqué » (Rb) qui sont schémati-
sés sur la figure 11b. La résistance variable peut être alors considé-
rée comme un interrupteur. Les résistances dans l’état passant et
dans l’état bloqué sont influencées par la hauteur de canal, la lon-
gueur de grille, le creusement sous la grille, etc. Quant à la largeur Figure 11 – Schéma équivalent du transistor froid utilisé comme
du transistor, elle agit de manière inversement proportionnelle sur interrupteur entre A et B

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Figure 12 – Fonctionnement d’un interrupteur en grand signal

■ Interrupteur en grand signal


Un élargissement du transistor froid constituant l’interrupteur
peut être nécessaire quand il faut commuter des puissances impor-
tantes. Il ne faut pas oublier dans ce cas que l’interrupteur peut être
amené à fonctionner en grand signal et que le schéma équivalent
donné ci-dessus n’est plus suffisant. Il faut alors faire appel à un
comportement grand signal et donc à un schéma équivalent tel que
celui qui a été donné en [E1426]. Le fonctionnement de cet interrup-
teur en grand signal avec ses deux états est indiqué sur la figure 12.
■ Commutateur « deux voies »
Un montage particulièrement utilisé est présenté sur la figure
13a. Ce commutateur à deux voies ou SPDT (Single Pole Double
Throw) aiguille un signal d’une voie 1 vers une voie 2 ou une voie
3. Lorsque les polarisations appliquées sur les grilles rendent le
transistor T1 passant et le transistor T2 bloqué, le fonctionnement
du dispositif est le suivant. Le transistor T1 présente en parallèle
une résistance très faible qui peut être assimilée à un court-circuit.
À l’entrée 1, c’est-à-dire à une distance de λ/4, ce court-circuit est
devenu une résistance infinie. Le signal est donc aiguillé vers la
voie 3 où la présence d’une résistance en parallèle très élevée ne
perturbe pas le signal. L’inversion des tensions aiguille le signal
vers la voie 2. Ce dispositif peut évidemment comporter un
nombre de voies de sortie supérieur à deux.
Comme pour le coupleur, les tronçons de ligne quart d’onde
peuvent être remplacés par des cellules localisées introduisant un
retard ou une avance de phase de 90˚. Cela est indiqué sur la
Figure 13 – Commutateur deux voies
figure 13b où le commutateur est constitué de cellules en T. La
figure 13c montre un commutateur réel où les éléments localisés
correspondent à des schémas en Π. Les deux capacités d’entrée
sont rassemblées en une seule tandis que les capacités de sortie Dans notre cas, γ = α + j β ne comporte qu’une partie réelle α
sont les capacités des transistors froids (voir schéma équivalent) correspondant à l’atténuation souhaitée exprimée en nepers. La
qui sont dimensionnés en conséquence. relation (11) devient alors :

(12)
1.4 Atténuateurs
Dans ces relations, Z0 représente l’impédance caractéristique
Une cellule d’atténuation doit introduire une variation de souhaitée pour la cellule pour amener un coefficient de réflexion
l’amplitude du signal sans effet sur la phase de celui-ci. De nul à l’entrée et à la sortie.
plus, cette cellule doit être adaptée à l’entrée et en sortie.
Il va sans dire que les cellules en Π peuvent aussi être utilisées
en fonction des performances désirées ou des circuits qui pré-
■ Atténuateur fixe cèdent ou suivent l’atténuateur.
Une première configuration d’atténuateur est donnée par la
figure 14a. D’après la relation (3) et en adoptant la même ■ Atténuateur variable à base de transistors froids
démarche que pour trouver le déphasage dû à une cellule d’élé- Il est possible de remplacer les éléments du schéma de la
ments localisés, la valeur des éléments R1 et R2 est donnée par les figure 14a par des résistances variables (figure 14b). Les relations
relations suivantes : données en [E 1 426] permettent de se faire une idée de la largeur
des transistors nécessaire pour une technologie et une atténua-
(11) tion données. La simulation complète de l’atténuateur doit évi-
demment prendre en compte les capacités parasites.

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Oscillateurs, mélangeurs, convertisseurs
par Didier BELOT

Ingénieur
ST-Microelectronics, Crolles, France
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1428 intitulé «MMIC – Oscillateurs,
mélangeurs, convertisseurs » paru en 2004, rédigé par Christian RUMELHARD

1. Oscillateurs ............................................................................................... E 1 429 - 2


1.1 Conditions de démarrage des oscillations................................................ — 2
1.2 Comportement en grand signal et stabilité .............................................. — 3
1.3 Oscillateurs accordables par varactor ....................................................... — 4
1.4 Circuit tampon............................................................................................. — 5
2. Modulateurs, démodulateurs ............................................................... — 6
2.1 Principe du mélange : modulation, démodulation, comparaison
de phase....................................................................................................... — 6
2.2 Performances .............................................................................................. — 6
2.3 Composants pour mélangeurs .................................................................. — 8
2.4 Démodulateurs et modulateurs simples................................................... — 9
2.5 Démodulateurs équilibrés et à suppression de fréquence image .......... — 10
2.6 Modulateurs équilibrés et à bande latérale unique ................................. — 11
2.7 Réalisations de démodulateurs et de modulateurs ................................. — 12
3. Multiplicateurs de fréquence............................................................... — 13
3.1 Les multiplicateurs monolithiques et leurs performances ...................... — 13
3.2 Conception des multiplicateurs de fréquence .......................................... — 14
3.3 Exemples de réalisations............................................................................ — 16
4. Diviseurs de fréquence analogiques.................................................. — 17
4.1 Les diviseurs de fréquence analogiques et leurs performances............. — 17
4.2 Conception d’un diviseur de fréquence analogique ................................ — 18
4.3 Exemples de réalisations............................................................................ — 20
5. Sous-ensembles monolithiques........................................................... — 21
5.1 Avantages des sous-ensembles monolithiques....................................... — 21
5.2 Quelques règles de conception ................................................................. — 21
5.3 Exemples de réalisations............................................................................ — 21
6. Conclusion................................................................................................. — 24
7. Glossaire .................................................................................................... — 24
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 1 429

ans les circuits amplificateurs ou déphaseurs, qui ont été présentés par
D ailleurs, la présence des non-linéarités est un inconvénient dont il faut
éventuellement tenir compte. Cet article présente plutôt les circuits pour les-
quels la présence d’une non-linéarité est essentielle pour la réalisation des
fonctions. Ces fonctions sont par exemple l’oscillation, le mélange, la multipli-
cation ou la division de fréquence. Mais ces circuits peuvent aussi présenter
p。イオエゥッョ@Z@。ッエ@RPQV

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des non-linéarités plus globales comportant en particulier des bifurcations qui


deviendront à leur tour des inconvénients à traiter.
Dans les domaines micro-ondes et millimétriques, les applications
concernent des systèmes tels que les boucles locales radio, les liaisons à haut
débit point à point à porteuse millimétrique ou les radars pour voiture. Ces
systèmes imposent leurs types de modulation tels que modulations de phase,


de fréquence ou d’amplitude (MAQ). Dans ces applications, pour des raisons
de coût et de performances, les sous-ensembles sont de plus en plus réalisés
en monolithique. Mais la réalisation monolithique des fonctions a des réper-
cussions sur les circuits eux-mêmes car il faut éliminer le plus possible les
parties qui doivent faire appel à des techniques hybrides. Ainsi pour les oscil-
lateurs, les boucles à verrouillage de phase remplacent dans certains cas des
résonateurs diélectriques, surtout depuis que sont apparus des résonateurs
piézoélectriques qui peuvent être réalisés en technologie MEMS. Mais l’uti-
lisation de ces boucles conduit à employer des circuits diviseurs ou
multiplicateurs de fréquence. De même, lors de réalisations monolithiques de
mélangeurs, les circuits de filtrage à bande étroite qui n’existent généralement
qu’en hybride, sont remplacés par des circuits à suppression d’oscillateur local
ou à suppression de fréquence image beaucoup plus faciles à réaliser en
monolithique.
Ce sont tous ces aspects qui sont évoqués dans les circuits qui sont pré-
sentés dans cet article. Il s’agit d’abord de tous les circuits oscillateurs puis les
circuits de modulation ou démodulation puis des multiplicateurs et enfin des
diviseurs de fréquence. Les circuits diviseurs de fréquence à régénération ont
conduit au développement de méthodes de traitement des non-linéarités
globales, c’est-à-dire comportant des bifurcations. Bien que n’étant pas entiè-
rement décantées, ces méthodes seront évoquées dans la mesure où elles sont
destinées à être utilisées dans d’autres circonstances, par exemple, dans les
circuits fonctionnant en impulsions où les temps de montée et de descente
peuvent comporter des instabilités importantes.
Les techniques de réalisation monolithiques gagnent peu à peu les sous-
ensembles et elles génèrent des règles de conception particulières. Le dernier
paragraphe effectue un survol de ce domaine et présente quelques
réalisations.
L’étude des circuits intégrés monolithiques micro-ondes se compose de
plusieurs articles :
– [E 1 425] MMIC-Évolution et technologie traitant de l’évolution et de la
technologie des MMIC ;
– [E 1 426] MMIC-Composants actifs et [E 1 427] MMIC- Composants passifs
qui passent en revue les composants passifs et actifs micro-ondes ;
– [E 1 428] qui décrit les MMIC déphaseurs et amplificateurs ;
– [E 1 429] MMIC – Oscillateurs, mélangeurs, convertisseurs qui traite de la
modulation, démodulation et conversion de fréquence.

1. Oscillateurs 1.1 Conditions de démarrage


des oscillations
Des oscillateurs ont été réalisés sous de nombreuses formes. La Un schéma possible pour obtenir un oscillateur consiste à réali-
plupart font appel à un élément résonnant en diélectrique, en ser une résistance négative avec un transistor. Cela peut être
quartz ou dont les performances peuvent être changées par un obtenu en réalisant une contre-réaction série comme représenté
champ magnétique (YAG) [1]. La présence de cet élément réson-
sur la figure 1. En remplaçant le transistor par un schéma équiva-
nant fait que tous ces circuits comportent une partie de type
lent très simplifié :
hybride. Mais tous ces circuits peuvent aussi comporter une partie
monolithique constituant un oscillateur fixe ou un oscillateur
accordable par varactor. Il sera d’abord examiné les conditions de
démarrage de l’oscillation puis il sera vu le comportement en
grand signal et les conditions pour obteir un faible bruit.

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il est possible de calculer l’impédance vue à la sortie du montage : Quant à la relation sur la partie imaginaire, si la partie imagi-
Zosc [2]. Cette impédance est donnée par la relation : naire de l’impédance de charge est nulle, elle s’exprime par :

(1) (6)

Si une charge ZL est présentée à cette impédance, les condi- La fréquence d’oscillation est la fréquence F0 qui annule Xosc ci-
tions de démarrage de l’oscillation s’écrivent : dessus :
(2)

(3)
(7)

La première relation implique que Rosc doit être au moins une Cette expression montre que cette fréquence est un peu plus
résistance négative. La deuxième relation fixe la fréquence de faible que celle de l’expression (5) et est donc, pour ce schéma,
l’oscillation. toujours dans la zone de résistance négative.
Pour réaliser la première condition, Z1 est choisi inductif Partant du schéma de la figure 1b, le fait d’ajouter des éléments
de polarisation donne le schéma de la figure 2.
(Z1 = j L1 ω) et Z2 est choisi capacitif . Alors, en intro-
duisant les éléments du schéma équivalent simplifié du transis- 1.2 Comportement en grand signal
tor, la partie réelle de Zosc s’écrit :
et stabilité
(4) Une fois l’oscillation amorcée, l’amplitude A du signal aug-
mente et la résistance devient un peu moins négative (figure 3).
Cette partie réelle est négative tant que CG + C2 > L1 C2 CG ω2, Sa valeur peut être divisée par 3.
c’est-à-dire jusqu’à une fréquence : La plupart des travaux sur les oscillateurs se réfèrent à la même
publication [3]. Les conditions de stabilité d’un tel oscillateur
donnent des relations analytiques relativement complexes ([4]
(5) p. 399). Au-delà de ces formulations analytiques, cette condition

Pour qu’il y ait démarrage de l’oscillation et pour respecter la


relation (2), il faut présenter une charge . Il faudra pré-
voir que cette charge doive, dans certains cas, être inférieure à
50 Ω.

Figure 2 – Schéma d’oscillateur avec polarisation

Figure 1 – Schéma de résistance négative Figure 3 – Variations de p osc en fonction de l’amplitude du signal

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de stabilité maximale peut aussi s’exprimer de la manière sui-


vante. Si l’on pose ZT = Zosc + ZL, deux courbes ZT (ω) et ZT (A)
peuvent être tracées sur un plan complexe représentant les impé- (V)
dances ZT. La première courbe représente la variation de ZT en
fonction de la fréquence d’oscillation à amplitude constante. La
deuxième courbe représente la variation de ZT en fonction de
l’amplitude A à fréquence constante. À partir de ces considéra-


tions, les conditions de stabilité [3] ont été rappelées dans [4]. Si
le courant dû à l’oscillateur et débitant dans la charge ZL est
et que p = α + j ω, il est possible de calculer les
variations de pulsation Δω et d’amplitude du signal Δα en fonction
d’une variation d’amplitude ΔA. Si ZT = RT + j XT, les expressions
sont données par :

Figure 4 – Évaluation par simulation de ZR et ZNL


(8)

Pour une variation d’amplitude ΔA positive, il faut que Δα soit


négative, d’où :

(9)

Et pour qu’une variation d’amplitude n’entraîne pas de variation


de fréquence, il faut :

(10)

La deuxième relation implique que ZT (A) et ZT (ω) soient per-


pendiculaires à leur point de croisement qui correspond au point
de fonctionnement de l’oscillateur.
Cette condition peut être transposée dans le cadre d’une simu-
lation non linéaire de l’oscillateur utilisant un modèle grand signal
du transistor. Cette transposition est présentée dans [60] mais Figure 5 – Variations de ZR et ZNL en fonction de la fréquence et de
sans aucune justification. En se référant à la figure 4, il est pos- l’amplitude
sible de tracer l’impédance ZR (ω) qui représente l’impédance en
fonction de la pulsation ω à amplitude constante et l’impédance
ZNL (V) qui représente l’impédance en fonction de l’amplitude de
la tension V aux bornes du circuit. La figure 5 représente ce tracé Mais, pour pouvoir commander ce varactor avec une tension
pour l’oscillateur étudié dans [5] [6]. Pour que la stabilité soit opti- qui ne perturbe pas les polarisations du transistor, il faut mettre
male, il faut que les deux courbes soient perpendiculaires au point une capacité de découplage Cs en série comme sur la figure 6a. Si
d’intersection. Le mérite des travaux correspondants a été de la capacité du varactor varie entre CVmin et CVmax, la capacité
mettre en évidence que les conditions de maximum de stabilité variable équivalente variera entre :
correspondent aussi au minimum de bruit de phase. Cela
s’explique par le fait que pour ces conditions, la conversion en
bruit amplitude/phase sera minimale.
Les travaux précédents montrent aussi que, pour avoir un fonc-
tionnement optimal sur la fréquence fondamentale, il peut être D’après l’expression (7), le rapport des fréquences pour un
recherché un fonctionnement du transistor se rapprochant du varactor situé dans le circuit de source s’exprimera alors par :
fonctionnement en classe A. Mais, si c’est un maximum de rende-
ment électrique qui est souhaité, il peut être nécessaire de passer
par un fonctionnement dans d’autres classes telles que la classe E (11)
[7], quitte à éliminer ensuite les harmoniques.

Mais en retournant à l’expression (7), il apparaît qu’il est aussi


1.3 Oscillateurs accordables par varactor possible de faire varier la capacité CG du transistor. Pour cela, il
suffit de mettre un varactor en série avec cette capacité, c’est-à-
En se reportant à l’expression (6), il apparaît qu’il suffit de faire dire dans le circuit de grille (figure 6b). Pour pouvoir changer la
varier la capacité C2 pour faire varier la fréquence de l’oscillateur. tension appliquée à ce nouveau varactor, il faut aussi ajouter une
Cela peut être obtenu en remplaçant cette capacité par un varactor. capacité en série Cs. Cette fois, la capacité équivalente à

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Toutes ces relations ne sont évidemment qu’indicatives car le


schéma équivalent du transistor est très simplifié alors que les
varactors, capacités et inductances comportent en réalité des élé-
ments parasites. Toutefois, les tendances qu’ils donnent sont tout
à fait utiles.
La figure 6a représente un oscillateur accordable avec varactor
dans le circuit de source et la figure 6b représente un oscillateur


accordable avec varactor dans le circuit de grille.
Un exemple de tels oscillateurs fonctionnant autour de 10 GHz
donne une bande d’accord d’environ 2 GHz.
À titre indicatif, les valeurs des éléments de ces schémas sont :
C2 = 0,25 pF ; L1 = 1,2 nH ; Cs = 5 pF ; Lc = 2,5 nH ; R = 2 000 Ω.

1.4 Circuit tampon


Les oscillateurs seront toujours suivis d’un circuit tampon
(buffer) dont la présence est indispensable et qui a plusieurs fonc-
tions (figure 7).
La relation (3) montre que la fréquence d’oscillation est suscep-
tible de varier dès que la partie imaginaire de la charge varie. Ce
phénomène est appelé le pulling de l’oscillateur. Pour diminuer
cette influence, le circuit de sortie doit avoir les caractéristiques
d’un isolateur. Il doit transmettre le signal entre l’entrée et la sor-
tie et l’atténuer dans le sens inverse. Cela est réalisé par une
structure d’amplificateur en cascade qui introduit une atténuation
d’environ 15 dB entre sortie et entrée à 10 GHz. Mais il faut se rap-
peler aussi que le coefficient de réflexion Γ1 d’une charge ΓL vue à
travers un quadripôle défini par ses paramètres S est donné par :

(14)

Cette relation indique que, pour que le deuxième terme soit


négligeable, il faut que . Pour cela, il faut que le gain
ne soit pas trop élevé, par exemple quelques dB si
. Il ne faudra donc pas trop compter sur cet « ampli-
ficateur » pour augmenter la puissance du signal généré par
l’oscillateur.
Il a été aussi mis en évidence qu’il peut être avantageux de pré-
senter à la sortie de l’oscillateur une impédance inférieure à 50 Ω,
par exemple 15 ou 20 Ω. Ceci ne présente aucune difficulté avec la
Figure 6 – Oscillateur accordable par varactor structure d’amplificateur en cascade.
Une troisième fonction amenée par ce circuit consiste à filtrer
les harmoniques de l’oscillateur. Il faudra veiller à ce que ce cir-
l’ensemble de ces trois capacités en série (CV, Cs et CG du transis- cuit ne fonctionne pas trop en compression, sinon, ce serait lui qui
tor) variera entre : amènerait des harmoniques.
Il faut aussi s’assurer que la présence de ce circuit ne modifie
pas les conditions de stabilité qui ont été résumées dans la
figure 5. La simulation résumée dans les figures 4 et 5 doit être
reprise en présence de ce circuit.

Et le rapport des fréquences que l’on peut attendre est :

(12)

Il est enfin possible de mettre un varactor dans le circuit de


source et en même temps un varactor dans le circuit de grille. Si
ces varactors sont commandés par la même tension, le rapport
des fréquences qui peut être espéré est :

(13)
Figure 7 – Exemple de circuit tampon

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2. Modulateurs, Si ω2 correspond à un signal ωRFH, le produit devient :

démodulateurs (19)

Dans ces deux relations, les termes de la première ligne


2.1 Principe du mélange : modulation, (signaux à fréquence intermédiaire) sont des signaux utiles alors
démodulation, comparaison de phase que les termes de la deuxième ligne (fréquences élevées) sont des

Q Deux signaux X1 = A1 cos(ω1t + φ1) et X2 = A2 cos(ω2t + φ2) sont


appliqués à l’entrée d’une cellule de mélange (figure 8). Si la
signaux parasites.
Si les deux signaux aux fréquences ωRFB et ωRFH sont présents à
l’entrée, si ωOL – ωRFB = ωRFH – ωOL = ωFI et si les phases sont
réponse de cette cellule est quadratique (Y = X + X2), la sortie nulles, les termes utiles, ayant la même fréquence, vont s’addi-
s’écrira : tionner en sortie alors que les termes parasites seront à des pulsa-
tions différentes. L’expression du signal utile en sortie sera alors :

(15) (20)

■  Comparateur de phase
Dans cette relation, les quatre premiers termes génèrent du Si à l’entrée, X1 = A1 cos(ω 0 t + φ1) et X2 = A2 cos(ω 0 t + φ 2),
continu, des pulsations ω1 et ω2 et des harmoniques 2 qui ne sont c’est-à-dire si les pulsations sont identiques, alors le produit
devient :
pas utiles au mélange : ce sont des signaux parasites. Seul le
terme (2 X1 X2), qui représente un produit, sera conservé dans la (21)
suite. Pour effectuer un mélange, il suffira donc d’une non-linéa-
rité faible ou même d’une cellule effectuant un produit. En fonc- La cellule mélangeuse est devenue un comparateur de phase.
tion des fréquences des signaux qui sont appliqués à l’entrée, la Le signal continu correspondant au premier terme est nul quand
cellule de mélange aura différentes fonctions. Passons ces fonc- φ1 – φ2 = 90o. Le signal correspondant au deuxième terme est un
tions en revue. signal parasite.

■  Modulation ■  Schéma général d’un mélangeur


Si ω1 correspond à un oscillateur local ωOL et si ω2 correspond à Qu’il s’agisse de faire un modulateur ou un démodulateur, la
un signal de fréquence intermédiaire ou en bande de base qui configuration sera semblable :
sera appelé ωFI, le produit s’écrit : – le schéma comportera un élément de mélange qui générera
des fréquences utiles et de nombreuses fréquences parasites ;
– dans chacune des voies, des éléments d’adaptation seront dis-
(16) posés pour chacune des fréquences correspondantes : FI, OL ou
RF ;
– enfin, des éléments de filtrage ou de découplage seront char-
Le premier terme correspond à une pulsation RF basse ωRFB et gés de ne conserver dans chacune des voies que la fréquence par-
le second à une pulsation RF haute ωRFH. La relation (16) peut ticulière concernée.
donc être réécrite :
La figure 9 représente le schéma d’un démodulateur (ωOL, ωRFB
et ωRFH à l’entrée) ou d’un démodulateur (ωOL et ωFI à l’entrée).
(17) Une autre manière de considérer le démodulateur et le modula-
teur consiste à regarder les fréquences utiles et les fréquences
parasites par exemple dans le cas où la non-linéarité est du troi-
Chacun des deux termes de la relation (17) peut être un signal
sième degré. Cela est représenté dans le tableau 1 où les fré-
utile. quences sont repérées par : OL, RF, FI, etc.
■  Démodulation
Si ω1 correspond à un oscillateur local ωOL et si ω2 correspond à 2.2 Performances
un signal ωRFB, le produit devient :
Un certain nombre de grandeurs vont caractériser les perfor-
mances des démodulateurs ou modulateurs. Toutes les défini-
(18)
tions ci-dessous sont d’abord données pour un démodulateur. Un
dernier paragraphe montrera leur transposition pour un modula-
teur.
■ Gain de conversion
Pour les démodulateurs, la première valeur est le gain de
conversion, il est défini par :

(22)

ou bien en dB :

Figure 8 – Principe du mélange (23)

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Figure 9 – Schéma général d’un démodulateur ou d’un modulateur

Tableau 1 – Fréquences utiles et parasites dans les démodulateurs et modulateurs


avec une non-linéarité du troisième ordre
Fréquences utiles Fréquences parasites Autres fréquences
Type de mélangeur Fréquences en entrée
en sortie dues au produit parasites

Démodulateur OL, RF FI OL + RF 2OL, 2RF, 3OL, 3RF, 2OL – RF,


2RF – OL, 2OL + RF, 2RF + OL
Modulateur OL, FI RFB, RFH 2OL, 3OL, 2FI, 3FI OL – 2FI, OL
+ 2FI 2OL – FI, 2OL + FI
Comparateur de phase (RF, φ1) (RF, φ2) Continu : cos (φ1 – φ2) 2RF 3RF

■ Compression
Une première performance à observer pour les démodulateurs
est celle obtenue en traçant la puissance de sortie (à la fréquence
FI) en fonction de la puissance d’entrée à la fréquence RF. Cette
courbe comporte une partie linéaire, puis il apparaît une satura-
tion qui se caractérise par une compression comme dans les
amplificateurs (figure 10). La puissance de sortie sera liée aux
adaptations qui auront été réalisées dans la voie RF et dans la
voie FI et aux polarisations des composants servant au mélange.
Ce gain sera aussi fonction de la puissance OL qui sera injectée
dans le mélangeur. En général, une première démarche consiste à
tracer la puissance de sortie en fonction de la puissance OL ce qui
conduit à une courbe comportant une saturation. La puissance
d’OL choisie sera celle correspondant à cette saturation. Elle
pourra ainsi varier sans changer les performances du modulateur.
Figure 10 – Compression dans un démodulateur
■ Facteur de bruit
Comme pour les amplificateurs, un facteur de bruit, plutôt
utilisé pour les démodulateurs, sera défini comme étant :
cuits qui seront capables d’éliminer tout ce qui vient de RFB qui
sera considéré comme une fréquence image par rapport à RFH.
(24) ■ Produits d’intermodulation
Comme pour les amplificateurs, si deux fréquences RF proches
l’une de l’autre sont présentes à l’entrée d’un démodulateur, il
avec Pe et Be puissance du signal et du bruit à l’entrée sur la existera des termes d’intermodulation. Comme pour les amplifica-
fréquence RF, teurs, les termes d’ordre 3 permettront de définir un point d’inter-
ception d’ordre 3, IP3.
Ps et Bs puissance du signal et du bruit à la sortie sur la
fréquence FI. ■ Suppression des fréquences parasites
Il ne faut pas oublier qu’un démodulateur détectera le bruit dans Dans chacune des voies, les fréquences parasites ou les fré-
la bande RFH où se trouve en général le signal, mais aussi le bruit quences indésirables telles que la fréquence OL dans la voie RF
dans la bande RFB (voir les relations (18) et (19)). Même si aucun ou dans la voie FI seront éliminées au maximum par des circuits
signal ne se trouve dans cette deuxième bande, le bruit en sortie de filtrage ou de découplage. La puissance résultante sera compa-
sera doublé, ce qui n’est pas souhaité. D’où l’importance des cir- rée à la puissance du signal utile dans la voie en question et il

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Systèmes et techniques RFID

par Claude TETELIN



Ingénieur ISEN, Docteur de l’Université de Lille, France
Directeur technique du Centre National RFID,
Président de la commission nationale AFNOR CN31
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l'article E1470 intitulé « Systèmes et techniques
RFID » paru en 2010, rédigé par Claude TETELIN

1. Principes généraux de la RFID............................................................. E 1 470v2 - 2


2. Familles de systèmes RFID et caractéristiques .............................. — 3
2.1 RFID active ou passive................................................................................ — 4
2.2 Champ proche ou champ lointain ............................................................. — 4
2.3 Lecture seule ou lecture/écriture ............................................................... — 6
2.4 Protocole ITF ou TTF................................................................................... — 6
3. Téléalimentation des étiquettes RFID ............................................... — 6
3.1 Téléalimentation en HF, couplage magnétique........................................ — 6
3.2 Téléalimentation en UHF, équation de Friis ............................................. — 9
3.3 Adaptations d’impédance interrogateur et étiquette ............................... — 10
4. Communication et codage des informations .................................. — 11
4.1 Modulations en RFID .................................................................................. — 11
4.2 Codes utilisés en RFID ................................................................................ — 13
4.2.1 Codes dans la communication « uplink » ........................................ — 13
4.2.2 Codes dans la communication « downlink » ................................... — 13
5. Protocoles d’anticollision ..................................................................... — 16
5.1 Algorithmes déterministes......................................................................... — 16
5.2 Algorithmes aléatoires ............................................................................... — 17
6. Normes et réglementations.................................................................. — 18
6.1 Régulations.................................................................................................. — 19
6.2 RFID et santé publique................................................................................ — 19
6.3 Normes techniques..................................................................................... — 20
7. Conclusion................................................................................................. — 20
8. Glossaire .................................................................................................... — 21
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 1 470v2

nsérer une clé pour démarrer un véhicule, badger pour accéder à un bâti-
I ment ou une salle, utiliser les remontées mécaniques lors d’un séjour au ski,
valider un titre de transport dans le bus ou le métro sont des gestes entrés
dans le quotidien de bon nombre d’entre nous. Nous utilisons, sans en être
toujours conscients, des technologies de capture automatique de données
basées sur les ondes et rayonnements radiofréquence. Cette technologie est
connue sous le nom de RFID pour Identification RadioFréquence. De même
que chaque individu peut être identifié grâce à un passeport biométrique ou
p。イオエゥッョ@Z@ョッカ・ュ「イ・@RPQU

encore un badge d’accès personnel, les objets sont aujourd’hui de plus en plus

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SYSTÈMES ET TECHNIQUES RFID ______________________________________________________________________________________________________

souvent porteurs d’étiquettes RFID contenant un identifiant unique et parfois


quelques bytes ou kilobytes de données. La différence entre les objets et nous,
c’est qu’ils ne présentent pas « volontairement » leur étiquette ou badge RFID
lorsqu’on leur demande. Les conditions de lecture de ces étiquettes sont donc
différentes et demandent généralement des distances de détection plus impor-
tantes. L’objectif de cet article est de présenter les techniques qui sont mises
en œuvre dans les systèmes d’identification par radiofréquence. Il s’agit princi-

Q palement de téléalimentation, de télécommunications et d’encodage. Les


personnes qui recherchent une solution à leur besoin d’automatisation de la
traçabilité (identification, inventaire, authentification, etc.) trouveront dans cet
article les bases permettant de choisir la technologie RFID la plus adaptée. Les
notions telles que le retour sur investissement ou l’intégration de la RFID à un
système informatique ne sont pas abordées et demandent généralement une
étude au cas par cas.

Ayant cette source d’énergie à disposition, la puce de l’étiquette


1. Principes généraux pourra alors décoder les commandes venant de l’interrogateur et
de la RFID répondre à ses commandes (ou transmettre des informations sans
attendre que l’interrogateur lui demande). La manière de répondre
aux commandes d’un interrogateur est, comme la téléalimenta-
Pour transmettre des informations à un interrogateur (encore tion, caractéristique des systèmes RFID. Nous pouvons (naturelle-
appelé « station de base » ou plus généralement « lecteur »), une ment) imaginer que la puce de notre étiquette possède un
étiquette RFID est munie d’une puce électronique associée à une émetteur radiofréquence capable de générer son propre signal.
antenne. Cet ensemble, appelé « inlay », est ensuite packagé pour On parle alors de RFID active. Un tel émetteur complexifie le cir-
résister aux conditions dans lesquelles il est amené à vivre. cuit électronique de la puce ce qui la rend plus chère. D’autre part,
L’ensemble ainsi formé est appelé « tag », « label » ou encore l’énergie récupérée par téléalimentation ne sera certainement pas
« transpondeur ». La figure 1 représente les éléments d’un sys- suffisante pour alimenter correctement un tel émetteur.
tème RFID : étiquette, interrogateur et système hôte. Pour éviter cette complexité tout en pouvant communiquer avec
Si l’interrogateur possède sa propre source d’énergie électrique l’interrogateur, l’étiquette RFID va donc devoir modifier ses carac-
(batterie ou branchement sur le secteur), qu’en est-il de téristiques propres (impédance, surface équivalente radar). Ceci
l’étiquette ? Pour qu’une puce électronique puisse fonctionner, va avoir pour effet de modifier les caractéristiques (amplitude et/
chacun sait qu’il faut l’alimenter. Dans bon nombre d’applications, ou phase) du signal réfléchi par le tag vers l’interrogateur. Cette
le simple fait de devoir ajouter à notre tag une source d’énergie technique, appelée rétromodulation est la base de communica-
(pile ou batterie) est simplement inconcevable. Le tag serait trop tion des étiquettes RFID passives (sans émetteur RF propre). La
volumineux, coûterait trop cher et une maintenance deviendrait figure 2 schématise cette technique de communication. Dévelop-
nécessaire pour recharger la batterie ou changer la pile. Les éti- pée pour des applications radar dans les années 1930, elle a été
quettes RFID doivent donc tirer leur énergie d’une autre source et appliquée pour des communications par Harry Stockman dès
c’est naturellement l’interrogateur qui va la fournir. L’antenne de 1949.
notre étiquette va non seulement servir pour communiquer avec Bien sûr, si l’application le permet ou le requiert, il est toujours
l’interrogateur mais va également servir à capter l’énergie possible d’embarquer, dans ces tags passifs, une source d’énergie
radiofréquence issue de ce dernier. On parle alors de téléalimen- propre. Celle-ci sert alors à alimenter des « périphériques » au tag
tation ou alimentation à distance. RFID comme des capteurs ou sert à améliorer les performances

Données ou
données + énergie

Antenne(s)
interrogateur Antenne
Liaison câble
ou sans fil
Interrogateur Support
Système hôte
fixe ou portable
Puce

Étiquette/tag
Émission RF ou
rétromodulation

Figure 1 – Les éléments principaux d’un système RFID

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_______________________________________________________________________________________________________ SYSTÈMES ET TECHNIQUES RFID

Nous mettons ce dernier terme entre guillemets car nous verrons


plus tard dans cet article que la lecture de plusieurs étiquettes pré-
Signal RF transmis par l’interrogateur sentes face à un même interrogateur se fait par étapes et de
pour téléalimentation du tag manière séquentielle. Néanmoins, pour certains protocoles de
communication, l’interrogateur peut identifier plusieurs centaines
d’étiquettes différentes en quelques secondes. L’effet macrosco-
pique est celui d’avoir identifié ces étiquettes de manière quasi-
instantanée.
Un dernier avantage de la RFID (parmi ceux les plus importants)
réside dans le fait que cette technologie est basée sur une puce
électronique. Son contenu est par définition le numéro (unique)

Superposition des signaux

d’identification de l’objet auquel le tag sera attaché. Suivant


l’application, ce numéro unique d’identification peut être plus ou
moins long. La technologie EPC (Electronic Product Code) prévoit
Signal rétromodulé par le tag un numéro d’identification sur 96 bits. Cela laisse imaginer jusque
variations amplitude et/ou phase 296 ou 832 identifiants différents ou encore près de 8.1028 possibi-
lités. Pour comparaison, on pourrait identifier individuellement
chaque grain de sable de toutes les plages du monde avec 51 bits
et tous les atomes du corps humain avec 93 bits. On pourrait
donc, avec 96 bits, identifier individuellement chaque grain de riz
produit sur la terre pendant huit mille milliards d’années. Au-delà
de cet identifiant, la puce peut posséder une zone mémoire pro-
grammable ou réinscriptible permettant à l’utilisateur d’accéder à
Signal RF « vu » par l’interrogateur
de l’information directement en lisant le contenu de cette
mémoire. Il peut également compléter ou modifier cette informa-
tion lors des étapes de la vie de l’objet. Cette information peut
bien sûr être cryptée et la zone mémoire peut être partagée par
Antenne tag plusieurs utilisateurs avec une gestion des droits d’accès.
Avec toutes ces caractéristiques, nous voyons bien que la ques-
Données en tion qui vient rapidement à l’esprit lorsque l’on parle d’un sys-
bande de base
tème RFID : « à quelle distance puis-je lire une étiquette RFID ? »
est bien sûr importante mais ne peut être que la première d’une
longue série au cours de laquelle l’utilisateur potentiel devra
décomposer son processus et parfois remettre en cause ses prin-
cipes pour tirer parti du meilleur de cette technologie.
Charge

2. Familles de systèmes RFID


Figure 2 – Principe de la rétromodulation pour les tags passifs
et caractéristiques
L’identification par radiofréquences ou RFID est basée sur le fait
globales du tag. La méthode de communication du tag vers le lec- que des informations contenues dans une puce électronique
teur restant basée sur la rétromodulation, on est toujours dans le peuvent être transmises sans contact via un lien RF à un interro-
cas de tags passifs, ils sont simplement assistés d’une source gateur fixe ou mobile. Pour ce faire, la puce électronique est reliée
d’énergie propre. On parle alors de RFID BAP (Battery Assisted à une antenne, l’ensemble constituant ce que l’on appelle
Passive). « inlay ». Cet inlay est finalement packagé pour répondre aux
diverses contraintes de l’application finale.
La RFID n’est pas la seule technologie permettant la saisie auto-
matique de données (avec geste volontaire ou non) et/ou l’identi- Tous les tags ou étiquettes RFID ne fonctionnent pas de la
fication. Les codes à barres (1D ou 2D), la reconnaissance optique même manière. Nous pouvons classifier de plusieurs façons les
systèmes RFID suivant des critères différents. Le premier critère
de caractères sont largement répandus et ont l’avantage d’être
qui vient à l’esprit est la fréquence à laquelle le système fonc-
(pour leur forme la plus simple) relativement bon marché. Cepen-
tionne. De 125 kHz à 2,4 GHz, voire 5,7 GHz en passant par
dant, la RFID a, par rapport à ces techniques, certains avantages
13,56 MHz et 900 MHz, on trouve de nombreuses applications
que nous allons détailler ci-dessous.
répondant à des besoins et contraintes différentes. Cette première
Basée sur le rayonnement ou la propagation d’ondes électroma- classification peut se résumer au fait que le couplage entre l’inter-
gnétiques, la technologie RFID ne requiert pas de visibilité rogateur et les étiquettes est soit principalement magnétique soit
optique pour la lecture des étiquettes. Bien sûr, le métal et cer- principalement électromagnétique. On parle également de fonc-
tains matériaux peuvent fortement perturber cette lecture. tionnement en champ proche ou en champ lointain.
Un deuxième avantage est que la lecture se fait sans contact. Une deuxième classification possible peut se faire suivant que
Suivant les fréquences et/ou les tailles d’étiquettes, la distance à l’étiquette RFID possède un émetteur RF propre (on parle alors de
laquelle une étiquette peut être lue varie de quelques millimètres RFID active) ou qu’elle ne fait que rétromoduler un signal RF issu
à quelques mètres en technologie passive sans batterie. En tech- de l’interrogateur (on parle alors de RFID passive). Il faut bien
nologie active (avec un émetteur RF à bord du tag RFID), cette dis- noter ici que les termes actif et passif n’ont rien à voir avec le fait
tance peut dépasser la centaine de mètres sans difficultés. que l’étiquette embarque ou non une source d’énergie.
Un autre avantage à mettre à l’actif de la technologie RFID est Une troisième classification des systèmes RFID peut se faire sui-
sa capacité à lire plusieurs étiquettes « simultanément ». vant que la puce embarquée sur l’étiquette est en lecture seule ou

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que l’on peut écrire (une fois ou plusieurs fois) de nouvelles infor-
mations via des commandes transmises par l’interrogateur.
Antenne Tag
Enfin, une quatrième classification peut se faire suivant le pro-
tocole de communication entre l’étiquette et l’interrogateur. Dans
une première famille, l’étiquette, une fois présente dans le champ
de l’interrogateur, attend une commande de la station de base Téléalimentation
pour transmettre des informations. On parle de protocole ITF AC/DC


(Interrogator Talk First). Dans d’autres cas, l’étiquette transmet Récupération
des informations dès son activation dans le champ de l’interroga- d’énergie
teur. On parle alors de protocole TTF (Tag Talk First). Bien sûr, on
trouvera des variantes de ces protocoles dans diverses normes
ISO ou propriétaires.
Démodulateur Data IN
Logique et
mémoire
2.1 RFID active ou passive Commutation
Data OUT
de charge
Dans les systèmes RFID actifs, l’étiquette possède une puce
électronique ayant un émetteur RF. La communication entre
l’interrogateur et l’étiquette peut donc se faire comme dans
n’importe quel système pair à pair, en utilisant des protocoles
full duplex par exemple. Généralement, l’énergie rayonnée par a tag passif
l’interrogateur et captée par l’étiquette n’est pas suffisante pour
alimenter correctement la puce électronique. Les systèmes actifs
doivent donc prévoir l’embarquement d’une source d’énergie Antenne Tag
propre à l’étiquette. Ajouté au fait que la puce possède son Assistée par batterie
propre circuit d’émission, cela peut augmenter fortement le coût
de l’étiquette RFID. La norme ISO/IEC 18000-7 prévoit le fonction-
nement de systèmes actifs à 433 MHz. Avec de tels systèmes, la Alimentation DC
portée de communication entre un interrogateur et une étiquette
peut atteindre sans difficulté la centaine de mètres. Le mode 3
de la norme ISO/IEC 18000-4 propose également un protocole
basé sur l’utilisation de tags actifs dans la bande de fréquence
2,405 – 2,483 GHz. Ce protocole est d’ailleurs lui-même basé sur
la couche physique (NPL : Network Physical Layer) de la norme Démodulateur Data IN
Logique et
IEEE 802.15.4 également utilisée dans les protocoles ZigBee et mémoire
6LoWPAN. Émetteur RF Data OUT
Le principe de fonctionnement des systèmes RFID passifs
repose quant à lui sur la rétromodulation de l’onde provenant
de l’interrogateur. Cette onde (ou ce champ) est alors partielle-
ment réfléchie par l’étiquette. Quels que soient les fréquences
ou les modes de couplage, le moyen utilisé pour réaliser cette
rétromodulation, consiste à commuter une charge (impédance) b tag actif
placée en parallèle entre la puce électronique et l’antenne de
l’étiquette.
Figure 3 – Schémas de principe des étiquettes (a) passive
et (b) active
Nota : il est clair que ce système de commutation de charge fait partie intégrante de la
puce RFID.

Le signal réfléchi par l’étiquette vient alors se superposer au source d’énergie peut également servir à alimenter d’autres sys-
signal provenant de l’interrogateur. Dans le cas, très majoritaire- tèmes électroniques associés à l’étiquette RFID comme des cap-
ment rencontré, des étiquettes passives ne possédant pas de teurs. L’étiquette RFID peut alors récupérer de l’information issue
source d’énergie embarquée, le rapport entre la puissance du de ces capteurs, la stocker dans une zone mémoire particulière de
signal émis par l’interrogateur (pour alimenter la puce) et la puis- la puce électronique sans pour autant être dans le champ rayonné
sance du signal rétromodulé par l’étiquette peut atteindre 60 dB. par un interrogateur. Ces systèmes, appelés BAP (Battery Assisted
L’interrogateur doit donc présenter une bonne sensibilité pour Passive), se comportent comme des systèmes passifs sans source
détecter et décoder l’information issue de l’étiquette. La difficulté d’énergie une fois cette source épuisée.
de ces systèmes consiste donc à trouver la meilleure charge per-
mettant de créer de fortes variations de signal réfléchi sans pour
autant pénaliser l’alimentation du circuit lui-même. 2.2 Champ proche ou champ lointain
La figure 3 schématise les grandes différences entre tags actifs
et passifs, séparant ces notions de la présence ou non de source Les systèmes RFID passifs peuvent fonctionner à différentes fré-
d’énergie embarquée par l’étiquette. quences. Dans un premier temps, l’interrogateur doit émettre un
Dans la majorité des cas, la distance de communication entre signal permettant la téléalimentation de la ou des étiquettes pré-
une étiquette passive et son interrogateur est limitée par la dis- sentes à proximité. Pour rayonner et de la même manière recevoir
tance de téléalimentation (sauf dans les cas, de plus en plus rares, un signal radio, il faut se poser la question de l’antenne la mieux
où l’interrogateur n’a pas la sensibilité nécessaire). Une manière adaptée. Le concepteur a le choix entre deux grandes familles
d’augmenter cette distance est d’ajouter à l’étiquette une source d’antennes : les antennes fermées (boucles) ou ouvertes (dipôles).
d’énergie propre. Cette source d’énergie va permettre d’alimenter Les premières vont plutôt créer un champ magnétique dans leur
le circuit de la puce électronique sans pour autant devoir capter entourage proche alors que les secondes créeront plutôt un
l’énergie issue du signal RF transmis par l’interrogateur. Cette champ électrique. Au fur et à mesure que l’on s’éloigne de la

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E 1 470v2 – 4

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_______________________________________________________________________________________________________ SYSTÈMES ET TECHNIQUES RFID

structure rayonnante, le champ électromagnétique se forme et les


célèbres équations de Maxwell permettent de relier champs
magnétique et électrique. On parle alors de champ formé ou Champ proche Champ lointain
champ lointain. La distance à laquelle on peut considérer que le
champ est formé dépend de la fréquence du signal et des dimen-
sions de l’antenne.
La figure 4 résume les ordres de grandeur des extensions des
0,63 2


zones de champ proche et de champ lointain. Les limites
dépendent de D, la plus grande dimension de l’antenne rayonnant
le champ électromagnétique et de λ la longueur d’onde du signal.
Il n’est pas dans l’objectif de cet article de détailler plus en avant
ces notions et le lecteur pourra se référer aux ouvrages [1] et [2]. Région de Rayleigh Région de Fresnel Région de Fraunhofer

Les champs E et H Les champs E et H


Zone de transition
Prenons l’exemple de système RFID fonctionnant à 13,56 MHz. décroissent en 1/R3 décroissent en 1/R
Dans l’air (ou dans le vide), la longueur d’onde associée à cette fré-
quence est de plus de 22 m. Vu les champs maximaux que l’on est
autorisé à rayonner, les distances auxquelles on pourra lire une éti- Impédance d’onde Impédance d’onde
quette ne dépasseront jamais 1 à 2 m. Cela signifie que les systèmes variable constante
RFID fonctionnant à cette fréquence seront toujours dans la zone de
champ proche. On peut alors se poser la question du type d’antenne. R : distance à l’antenne
Allons-nous rayonner principalement un champ électrique (antenne
dipôle) ou un champ magnétique (antenne boucle). Pour rayonner cor-
Figure 4 – Définition des zones de champs proche et lointain
rectement un champ électrique, une antenne doit avoir des dimen-
sions proches de la longueur d’onde. Avec des étiquettes de l’ordre
de 22 m, aucune application RFID n’aurait pu voir le jour à 13,56 MHz. Pour être tout à fait complet, nous pouvons remarquer que la
Le choix est donc par défaut celui des antennes boucle créant un notion de champ proche peut parfaitement s’appliquer pour des
champ magnétique. systèmes RFID UHF. En effet, si l’étiquette se rapproche de
l’antenne de l’interrogateur, le champ n’est pas encore formé et
nous sommes dans un régime de champ proche. Dans ce cas, on
Si on travaille à présent à 900 MHz, la longueur d’onde est d’envi-
peut très bien utiliser une antenne boucle pour récupérer le
ron 33 cm dans l’air libre. Les puissances que l’on peut rayonner dans
champ magnétique comme dans les applications RFID HF.
cette gamme de fréquence permettent d’envisager des distances de
communication comprises classiquement entre 5 et 10 m. Nous Les bandes de fréquence dans lesquelles peuvent fonctionner
sommes cette fois dans la zone où le champ électromagnétique est les systèmes RFID font partie des bandes non soumises à licence.
formé. On peut véritablement parler de propagation d’onde entre Ces bandes, réservées aux applications industrielles, scientifiques
l’interrogateur et l’étiquette. Se pose encore une fois le choix entre et médicales (bandes ISM), si elles ne sont pas soumises à
des antennes boucle ou des antennes de type dipôle. Cette fois, la licence, ne sont utilisables qu’en respectant scrupuleusement des
taille du dipôle optimal est de l’ordre de λ/2 c’est-à-dire 15 cm. Cette gabarits d’émission (largeur de bande autorisée, puissance ou
taille est tout à fait compatible avec les contraintes des applications champ maximal à ne pas dépasser, taux d’occupation à respec-
RFID. Les équations de Maxwell, valables dans le cas du champ loin- ter). Les utilisateurs de ces bandes veilleront à respecter les règle-
tain, indiquent que pour une onde électromagnétique se propageant ments et régulations propres à chaque région du globe où sera
en espace libre, le rapport entre l’amplitude du champ électrique et déployée l’application RFID. Ceci sans compter les règlements liés
celle du champ magnétique est constant. Ce rapport est égal à l’impé- à la sécurité sanitaire et à l’exposition humaine aux rayonnements
dance du milieu de propagation et vaut, pour le vide, 377 Ω. La valeur non ionisants (la RFID n’utilise pas encore de rayons X ou
de ce rapport montre que le choix des antennes de type dipôle gamma !). La figure 5 synthétise les fréquences couramment utili-
électrique est tout à fait logique. sées pour les applications RFID.

Ondes Ondes Infrarouge Ultraviolet Rayons X


électriques radio

Fréquence

Spectre radio

9 kHz 30 kHz 300 kHz 3 MHz 30 MHz 300 MHz 3 GHz

VLF LF MF HF VHF UHF SHF EHF

125 kHz 13,56 MHz 5,8 GHz


et 134,2 kHz
2,45 GHz

433 et 860-960 MHz

Figure 5 – Fréquences couramment utilisées en RFID

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E 1 470v2 – 5

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Montage d’étiquettes RFID passives


Productivité accrue des solutions
d’assemblage Q
par Yannick GRASSET
Ingénieur ESIEE
Directeur technique et président RFIDeal

1. Fabrication d’étiquettes RFID. Définitions ...................................... E 1 472 - 2


1.1 Support ....................................................................................................... — 2
1.2 Antenne....................................................................................................... — 2
1.3 Puce ou circuit intégré (CI) ........................................................................ — 3
1.4 Assemblage par collage ............................................................................ — 4
1.5 Pick and Place............................................................................................. — 4
1.6 Inlay............................................................................................................. — 5
1.7 Produit final : l’étiquette RFID ................................................................... — 5
2. Coûts de production RFID..................................................................... — 5
2.1 Coût des puces (ou circuits intégrés) ........................................................ — 5
2.2 Coût des inlays ............................................................................................ — 6
2.3 Coût de la colle............................................................................................ — 6
2.4 Facteur de forme ......................................................................................... — 6
2.5 Impact des volumes de production ........................................................... — 7
2.6 Impact du coût des machines de production ........................................... — 7
2.7 Impact des coûts de main-d’œuvre ........................................................... — 7
3. Pourquoi le marché peine à décoller aujourd’hui .......................... — 7
4. Avenir de la production RFID............................................................... — 8
4.1 Coût du silicium .......................................................................................... — 8
4.2 Inlay HF et UHF............................................................................................ — 8
4.3 Moyens de production................................................................................ — 8
4.4 Facteur de forme ......................................................................................... — 9
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 1 472

e nombreuses études de marché annoncent des volumes d’affaires très


D importants, voire incroyables, pour les applications de la technologie RFID.
Les applications RFID tardent pourtant à se déployer en masse et ce malgré
de nombreux intérêts économiques apportés par les services rendus par la
technologie :
• Traçabilité automatisée et en temps réel versus pertes d’informations ou
difficultés à acquérir ces informations, pour la production comme pour la
distribution de produits par exemple ;
• Logistique maîtrisée, versus manque de visibilité de la circulation des pro-
duits, entraînant un besoin de surstock pour palier d’éventuelles « pertes
en ligne » ;
p。イオエゥッョ@Z@ョッカ・ュ「イ・@RPQQ

Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie


est strictement interdite. – © Editions T.I. E 1 472 – 1

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MONTAGE D’ÉTIQUETTES RFID PASSIVES _______________________________________________________________________________________________

• Système antivol performant intégré très tôt dans la chaîne de valeur, ver-
sus système antivol installé chez le distributeur final et non valorisé sur la
totalité de la chaîne de distribution ;
• Système d’authentification pour lutter contre la contrefaçon…
le tout pouvant être réalisé par un seul et même élément : une étiquette RFID.
Pourtant de nombreuses applications requièrent aujourd’hui l’usage de cette

Q technologie RFID : le transport aérien par exemple, traitant environ 1,5 milliard
de bagages par an, souffre d’un taux de lecture incomplet qui entraîne la perte
annuelle de 25 millions de bagages et un coût d’environ 2 milliards de dollars
par an pour les compagnies aériennes. Mais comment produire 1,5 milliard d’éti-
quettes demain quand le marché total en 2010 représentait environ 4 à
5 milliards d’unités ? Le marché peut-il absorber une croissance de près de 35 %
sur une seule application, qui plus est, sur une application pour laquelle l’un des
critères dominant est le prix ?
Le coût de l’étiquette RFID semble actuellement trop élevé pour que certaines
applications fassent le pas, mais est-ce vraiment la seule raison de ce retard ?
L’inadéquation entre les capacités de production et la taille annoncée des
marchés n’est-elle pas elle aussi un élément qui perturbe l’adoption des tech-
nologies RFID ?
La baisse du prix des étiquettes RFID est un élément indispensable pour que
cette technologie s’impose, mais est-ce suffisant ?
Les volumes de production sont-ils adaptés aux tailles des marchés existants
et à venir (représentés par les nouvelles applications) ?
Cet article se propose de présenter les techniques de montage actuellement
employées et leur adéquation aux demandes du marché. De même nous
ferons le point sur les axes de recherches permettant de favoriser le déploie-
ment de la RFID.

1. Fabrication d’étiquettes Avant de devenir un ticket, un jeton, une carte, etc., le support
isolant est traité en rouleau de grande longueur, voire parfois en
RFID. Définitions feuille. Ensuite, une étape de découpe sera nécessaire pour sépa-
rer les différents éléments les uns des autres.

Le sujet de la RFID pouvant être compris par des profils de lec-


teurs très distincts, il semble pertinent de commencer par un lexique 1.2 Antenne
qui aura l’avantage de poser les bases ou prérequis de cet article.
Une étiquette RFID est en fait une étiquette usuelle (sous- Sur le support isolant précédemment décrit est réalisée une
entendu lisible par l’œil humain) sur laquelle la fonctionnalité antenne. Le but de cette antenne, élément conducteur, est de parti-
« RFID » a été ajoutée. Le plus souvent, un « inlay » RFID est ainsi ciper à la réception des signaux radiofréquences nécessaires au
associé à une étiquette « classique ». fonctionnement de l’étiquette RFID.
L’inlay (ou cœur d’objet) est constitué d’un support isolant L’antenne peut être réalisée avec différents matériaux conduc-
(papier, PET, PVC, autre), d’une antenne réalisée sur le support teurs tels que du cuivre, de l’aluminium, de l’argent, du carbone…
(conducteur en aluminium, cuivre, argent…), ainsi que d’une puce Les épaisseurs déposées varient couramment de 1 à 10 µm. Les
ou circuit intégré (CI) répondant à un standard de communication. largeurs de la partie conductrice formant l’antenne peuvent des-
cendre à 600 µm de finesse voire moins.
Suivant le mode de réalisation et les matériaux utilisés, il existe
1.1 Support un impact sur la précision de la réalisation de cette antenne, sur le
coût, sur les quantités produites.
Les supports d’étiquettes RFID sont bien souvent des supports La conception de l’antenne est liée à de nombreux paramètres :
souples. Dans tous les cas de figure, ils se doivent d’être isolants.
Le papier, teslin, PET, PVC, polyimide, capton, etc. sont des maté- – matériau du support, de l’étiquette ainsi que de l’objet à
riaux couramment employés. L’épaisseur et le matériau de ce sup- identifier : avec leur épaisseur, leur constante diélectrique…, ils
port participeront à la souplesse ou à la rigidité de l’inlay. Les impactent la propagation des ondes radiofréquences.
épaisseurs courantes de ces supports sont de l’ordre de 20 à – environnement de l’étiquette : tout objet conducteur proche de
150 µm d’épaisseur pour les versions souples. l’étiquette influencera les ondes.
– matériel conducteur : suivant son épaisseur, ses caractéristi-
Nota : PET : polyéthylène téréphtalate ques électriques…
PVC : polychlorure de vinyle (polyvinyl chloride en anglais) –…

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E 1 472 – 2 est strictement interdite. – © Editions T.I.

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Hyperfréquences. Circuits et émetteurs de puissance
(Réf. Internet 42281)

1– Circuits hyperfréquences R
2– Émetteurs de puissance en hyperfréquences Réf. Internet page

Nouveaux émetteurs tout état solide de forte puissance E6105 81

Ampliication de puissance radiofréquence à l'état solide. Classes, systèmes et E1610 85


technologies
Ampliication de puissance radiofréquence à l'état solide. Paramètres de mise en oeuvre E1611 91

Tubes électroniques hyperfréquences. Technologies et tubes à grille E1620 97

Tubes électroniques hyperfréquences. Tubes de très forte puissance E1621 103

Tubes électroniques hyperfréquences. Tubes à onde progressive E1622 109

Méthodes d'assemblage pour tubes et dispositifs hyperfréquences E3420 115

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Nouveaux émetteurs tout état solide


de forte puissance

par Michel BASE


Ingénieur du Conservatoire National des Arts et Métiers
Responsable Études Réalisation Radio de Thomcast

1. Principaux objectifs techniques........................................................... E 6 105 - 2


1.1 Réalisation des économies d’énergie ......................................................... — 2
1.2 Augmentation de la disponibilité de service.............................................. — 3
1.3 Réduction des contraintes de maintenance du système
de refroidissement ....................................................................................... — 3
2. Description fonctionnelle d’un bloc d’amplification...................... — 4
3. Module d’amplification RF en classe D .............................................. — 5
3.1 Description du module de puissance ......................................................... — 5
3.2 Puissance de sortie du module ................................................................... — 6
3.3 Optimisation du rendement ........................................................................ — 7
3.4 Limitations du module d’amplification....................................................... — 8
4. Couplage des modules d’amplification .............................................. — 8
4.1 Couplage série .............................................................................................. — 8
4.2 Couplage parallèle........................................................................................ — 9
4.3 Couplage mixte série parallèle.................................................................... — 10
5. Stratégie de modulation numérique ................................................... — 10
5.1 Alimentations par impulsions modulées en largeur ................................. — 11
5.2 Modulation par échelons d’amplitude........................................................ — 11
6. Couplage direct de type N – 1............................................................... — 13
6.1 Circuit d’adaptation en sortie bloc amplificateur....................................... — 13
6.2 Bloc de filtrage couplage direct................................................................... — 14
7. Système d’alimentation .......................................................................... — 14
7.1 Source d’alimentation principale ................................................................ — 14
7.2 Sources secondaires .................................................................................... — 14
8. Système de commande et de supervision ......................................... — 14
8.1 Système de commande et de supervision d’un bloc amplificateur......... — 15
8.2 Système central de commande et de supervision (Multiblocs) ............... — 15
9. Caractéristiques techniques d’un émetteur radio nouvelle
génération................................................................................................... — 16
9.1 Performances RF .......................................................................................... — 16
9.2 Fréquence d’émission .................................................................................. — 16
9.3 Modulation audio ......................................................................................... — 16
9.4 Fiabilité .......................................................................................................... — 16
9.5 Conditions d’environnement....................................................................... — 18
9.6 Rendement global ........................................................................................ — 18
9.7 Exploitation ................................................................................................... — 18
9.8 Installation..................................................................................................... — 18
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. E 6 105
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NOUVEAUX ÉMETTEURS TOUT ÉTAT SOLIDE DE FORTE PUISSANCE ______________________________________________________________________________

e
l’approche du XXI siècle, la radiodiffusion sonore par voie hertzienne reste
À un mode de communication toujours très employé dans les gammes ondes
longues et ondes moyennes :
— ondes longues ou kilométriques (OL en français et LW en anglais) : 153 à
281 kHz ;
— ondes moyennes ou hectométriques (OM en français et MW en anglais) :
531 à 1 705 kHz.
La modulation d’amplitude (AM ou A3 E) est la seule technique de modulation
utilisée dans ces bandes de fréquence. Elle souffre pourtant d’imperfections mul-
tiples, telle qu’une bande passante limitée à 9 ou 10 kHz, une forte sensibilité aux


parasites, aux brouillages et aux bruits radioélectriques. Malgré tout, elle est
encore considérée par les radiodiffuseurs comme le seul moyen opérationnel
pour atteindre le plus grand nombre d’auditeurs à l’échelon d’une région ou d’un
pays.
Cet intérêt s’explique simplement par l’existence de plus de deux milliards de
récepteurs AM de par le monde. Ces récepteurs sont aujourd’hui d’un prix rela-
tivement modique. Basés sur une détection d’enveloppe, ils sont très simples
techniquement, ils sont faciles et pratiques à utiliser. Ils ne nécessitent pas d’ins-
tallations d’antennes particulières et permettent une bonne réception dans de
multiples conditions, même à l’intérieur des bâtiments.
Du côté émission, c’est un parc mondial de plus de 175 000 émetteurs qui
assurent la transmission des programmes. Bien que leur durée de vie moyenne
dépasse souvent 25 ans, les équipements d’émission existants doivent être
renouvelés pour continuer à assurer le service dans de bonnes conditions.
Un changement de technologie important gagne les équipements d’émission
de forte puissance. Les tubes sous-vide (triode, tétrode) modulés par la tension
d’anode sont désormais délaissés au profit d’émetteurs entièrement transistori-
sés utilisant des stratégies de modulation à base de traitement numérique du
signal.

1. Principaux objectifs matériel par réduction des contraintes thermiques (moins de pertes
donc moins d’échauffements, vieillissement ralenti).
techniques ■ Par des modes de modulation spécifiques permettant de réduire
la consommation
En plus de la modulation d’amplitude normale (A3E) incluant une
1.1 Réalisation des économies d’énergie porteuse d’amplitude complète et deux bandes latérales, les modu-
lateurs numériques offrent différentes possibilités de réduire de
■ Par l’amélioration du rendement façon dynamique l’amplitude de la porteuse. Ces modes de modula-
tion sont encore appelés DCC (Dynamic Carrier Control ).
Au premier rang, cette très importante caractéristique concrétise
le rapport de la puissance délivrée à l’antenne (Pa) et de la puissance Il faut se rappeler que la porteuse ne contient pas d’information,
totale consommée au réseau (Ptr). Le rendement global hg incorpore mais reste un support nécessaire pour le bon fonctionnement du
l’ensemble des consommations, les ventilateurs, les pompes détecteur de crête à la réception. Il est cependant possible sur les
hydrauliques et toutes les pertes, y compris les pertes des transfor- blancs de modulation et pour des indices de modulation faibles de
mateurs d’alimentation en énergie : réduire l’amplitude de la porteuse sans introduire de gêne à
l’écoute.
P Le signal en sortie de l’émetteur e (t ) pour un signal modulant
h g = ------a-
P tr a cos(W t ) (figure 1) est de la forme suivante :
a
Les émetteurs état solide permettent des rendements très élevés, e (t ) = A0 1 + ------- cos ( Wt ) cos(wt )
A0
de 88 % mesurés en onde moyenne, jusqu’à 90 % en onde longue.
Ces chiffres sont à comparer avec les rendements moyens effectifs, a
avec m = -------
de 65 à 70 % obtenus sur des émetteurs à tube de même puissance A0
d’anciennes générations. Suivant la nature du programme diffusé et suivant l’importance
Une différence de rendement de plus de 20 % représente non seu- de la réduction de porteuse A0 en fonction de l’indice de modulation
lement une économie substantielle sur le budget énergie d’exploita- m, ces modes permettent une réduction moyenne de 25 à 30 % de la
tion mais également une assurance de longévité et de fiabilité du puissance consommée.

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______________________________________________________________________________ NOUVEAUX ÉMETTEURS TOUT ÉTAT SOLIDE DE FORTE PUISSANCE

1.2 Augmentation de la disponibilité


A0 de service
L’architecture modulaire des émetteurs état solide permet d’assu-
1mA 1mA rer, à travers deux niveaux de redondance active, une excellente dis-
2 0 2 0 ponibilité de service. L’émetteur exploite la redondance des blocs
d’amplification et la redondance des modules d’amplification élé-
mentaires inclus dans les blocs.
ω -- Ω ω ω +Ω Pulsation
En outre, plusieurs versions de puissance croissante sont réalisa-
bles en couplant un nombre de blocs donné par le tableau 1.
Figure 1 – Spectre du signal de sortie

Historique
Tableau 1 – Puissance de sortie en fonction
du nombre de blocs R
Puissance de sortie Nombre de blocs
Démarrée en 1974 sur les émetteurs de très petite puissance,
de l’ordre de 2 kW sur des applications marines (radiophares), il (kW) RF
faudra attendre le début des années 1990, l’avènement de nou-
250 à 400 1
veaux transistors à effet de champs MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor) pour que la technologie 600 à 800 2
du « tout état solide » commence son ascension vers les puis-
900 à 1 200 3
sances plus élevées (5 à 50 kW). Le passage au « tout état
solide » a gagné d’années en années les émetteurs de forte 1 300 à 1 600 4
puissance. Les premières réalisations ont très vite permis de
1 700 à 2 000 5
faire la preuve que cette nouvelle technologie était capable de
soutenir les plus sévères conditions d’exploitation et présentait
des avantages importants par rapport aux tubes. Chacune des versions à plusieurs blocs utilise une stratégie
C’est en 1988 que sont apparues les premières réalisations combinatoire de fonctionnement par commutation jusqu’à N – 1
d’émetteurs entièrement transistorisés avec un niveau de puis- blocs actifs sur le couplage de sortie.
sance significatif de 100 kW. Ces équipements ont été spéciale-
Lorsqu’un bloc amplificateur est non opérationnel ou pendant les
ment étudiés pour transmettre des données stratégiques à bas
phases de maintenance, il est automatiquement commuté sur une
débit dans les gammes de fréquence VLF (Very Low
charge de test. Les autres blocs d’amplification restent en fonction-
Frenquency ) et LF (14 à 60 kHz).
nement, connectés au bloc de couplage et de filtrage (figure 2).
1994 a vu le début de mise en service d’émetteurs de radiodif-
fusion entièrement transistorisée sur la gamme de moyenne
puissance (100 à 300 kW). Spécialement bien placé par rapport
aux anciens émetteurs à tube, pour réduire des coûts d’exploita-
1.3 Réduction des contraintes
tion, de nombreux émetteurs de ce type sont actuellement en de maintenance du système
opération à la grande satisfaction des opérateurs et des radio- de refroidissement
diffuseurs.
Désormais, le « tout état solide » s’impose au niveau interna- Le refroidissement des blocs d’amplification est principalement
tional jusqu’à des niveaux de puissance de 1 000 à 2 000 kW. À assuré par de l’eau sur un circuit fermé, l’air étant seulement utilisé
ce jour, dans cette technologie, seules deux sociétés Harris et à faible débit en moyen complémentaire pour les parties autres que
Thomcast sont à la pointe de ce domaine des fortes puissances. les amplificateurs (systèmes de couplage, transformateurs).
Thomcast a depuis développé une famille d’émetteurs de
seconde génération couvrant en ondes longues et moyennes la
gamme de puissance de 250 à 2 000 kW. Cette nouvelle généra-
tion d’émetteurs, plus compacte et plus performante est prise
en exemple dans cet article pour décrire l’état de l’art du Sortie
50 à 120 Ω
domaine des émetteurs de radiodiffusion tout état solide de Bloc d’amplification 1
forte puissance.
Ce matériel, de conception modulaire, est basé sur un bloc
d’amplification standard pouvant délivrer jusqu’à 400 kW de Bloc d’amplification 2
puissance de sortie. Chaque bloc comprend des modules
d’amplification RF, un modulateur numérique, une alimentation
Couplage
principale en courant continu à partir du réseau moyenne ten- Bloc amplificateur
et
sion et un circuit de couplage et d’adaptation. Chaque bloc pos- en maintenance
sède son propre système de commande et de supervision. Filtrage
En jouant sur le nombre de modules d’amplification installés,
il est possible de faire varier la puissance du bloc d’amplification Bloc d’amplification
entre 250 et 400 kW.
Chaque bloc d’amplification est autonome. Pour constituer un
émetteur de 250 à 400 kW il suffit de rajouter un bloc de filtrage. Bloc d’amplification N
Toutes les versions multiblocs s’obtiennent au travers d’un cou-
plage direct incorporant un filtrage complémentaire. Dans ce Charge
cas, un système de gestion d’un niveau supérieur assure la de test
supervision d’ensemble des amplificateurs et du couplage fil-
trage.
Figure 2 – Structure d’amplification de type N – 1

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NOUVEAUX ÉMETTEURS TOUT ÉTAT SOLIDE DE FORTE PUISSANCE ______________________________________________________________________________

L’eau n’étant pas au contact d’un potentiel élevé, le circuit de


refroidissement utilise de l’eau du robinet avec comme seule qualité 2. Description fonctionnelle
requise, un taux faible en calcaire (inférieur à 15 mg/L pour éviter les
dépôts).
d’un bloc d’amplification
Le circuit est un circuit fermé, hermétique par construction, sans
La composition d’un bloc d’amplification (figure 3) correspond
aucun raccordement sur les modules d’amplification. L’eau circule
aussi à un découpage fonctionnel modulaire regroupant pour
dans une barre de radiateur contre laquelle viennent en contact ther-
400 kW, jusqu’à 256 modules d’amplification.
mique les transistors. Pour remplacer un module amplificateur,
aucune intervention n’est nécessaire sur le circuit hydraulique. Compte tenu des puissances élevées, les modules d’amplification
sont couplés sur deux lignes série de 128 modules maximum. Un
Le refroidissement à eau assure une température de jonction fai- circuit de couplage parallèle inclus dans le bloc d’adaptation réalise
ble des transistors des modules, ce qui assure un fonctionnement la sommation des puissances. Le bloc d’adaptation comprend aussi
fiable à long terme.


une transformation d’impédance vers le feeder de sortie. Les circuits
Chaque bloc d’amplification dispose de son propre circuit d’eau du bloc d’adaptation remplissent les conditions indispensables pour
qui peut être isolé en cas de maintenance sur les pompes. un couplage direct pour les versions à plusieurs blocs.

Dans les régions présentant un risque de gel, du glycol est Afin de réduire la connectique, les signaux à destination des
mélangé à l’eau du circuit. modules transitent via des cartes de répartition. Toutes les informa-
tions de commande sont transmises en série et font l’objet d’une
Le circuit de refroidissement à eau des émetteurs est semblable à conversion parallèle. Une carte de répartition assure le contrôle de
celui utilisé sur les voitures sans plus de contraintes. 32 modules.

Défauts
Commande et contrôle des
modules
1 N 128
Modules d’amplification

Exciteur + + +
RF α Ligne 1
Séparateur RF Sortie RF
250 400 kW

Codeur
Défauts ADAPTATION Réflectomètre
modulateur
numérique Commande et contrôle des
RF β modules
1 N 128
Ligne 2
Sondes UV

+ + +

Séparateur RF Courant
lignes
1 et 2

Blocage rapide

Système de contrôle et de supervision


Défauts des modules
Boucles de contrôle
Entrée Pilote
audio interne 330 Vdc –22 Vdc

Panneau de
Entrée pilote externe contrôle LCD

Alimentation Alimentation Ventilation


principale auxiliaire pompes
Système de contrôle
et de supervision centrale

MT : 20 000 Vac 410 Vac

Figure 3 – Constitution fonctionnelle d’un bloc d’amplification

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E 6 105 - 4 © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique

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Amplification de puissance
radiofréquence à l’état solide
Classes, systèmes et technologies

par Michel TURIN
Ingénieur de l’Institut national des sciences appliquées (INSA)
Expert en puissance hyperfréquences

1. Définitions .................................................................................................. E 1 610 - 3


2. Classes d’amplification .......................................................................... — 4
3. Systèmes d’amplification RF ................................................................ — 12
4. Systèmes de couplages .......................................................................... — 17
5. Définition des paramètres de mise en œuvre .................................. — 18
6. Technologies des semi-conducteurs................................................... — 19
7. Conclusion.................................................................................................. — 20
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. E 1 610

et article et le suivant [E 1 611] traitent de l’amplification de puissance


C radiofréquence état solide. Les domaines d’application concernent tous
les systèmes qui doivent délivrer une puissance en sortie significative pour le
produit considéré. On peut grossièrement les classer en deux catégories, selon
les contraintes de linéarité :
– applications non linéaires, telles que les télécommunications à enveloppe
constante, les dispositifs à impulsions (radars, médical) et le domaine
industriel ;
– applications linéaires qui sont de plus en plus indispensables aux services
de télécommunications modernes.
Le domaine de fréquences envisagé ici recouvre la gamme de quelques
dizaines de kilohertz jusqu’aux limites technologiques actuelles, soit plus de la
centaine de gigahertz. Dans la majorité des applications, le sous-ensemble
d’amplification de puissance excite une antenne destinée à l’émission d’ondes
électromagnétiques. Dans le domaine industriel, celui des plus basses fré-
quences, l’organe de sortie du système est généralement un solénoïde
induisant un champ magnétique.
Dans notre propos, la notion de puissance est toute relative : ainsi, dans le
domaine industriel, on parlera de dizaines ou centaines de kilowatts, alors que
dans certains domaines des télécommunications, la puissance de sortie peut
n’être que de l’ordre du watt (téléphones portables par exemple).
Dans tous les cas cependant, il s’agit de puissance au sens où le
sous-ensemble d’amplification consomme la plus grande partie de l’énergie
nécessaire au fonctionnement du système complet, et doit donc faire l’objet
d’une attention particulière lors de la conception, de façon à optimiser le
budget consommation et dégrader le moins possible les paramètres de défini-
tion du signal. Ces deux aspects constituent le point commun entre toutes les
applications d’amplification de puissance, indépendamment des puissances
p。イオエゥッョ@Z@ュ。ゥ@RPPX

mises en jeu en valeur absolue.

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AMPLIFICATION DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE À L’ÉTAT SOLIDE _________________________________________________________________________

Si ces critères sont une constante, nous verrons que les solutions proposées
peuvent différer, essentiellement pour des raisons technologiques, selon les
puissances en valeurs absolues et les gammes de fréquence des systèmes.
Les particularités mentionnées induisent deux conséquences fondamentales
sur la conception des amplificateurs de puissance : d’une part, l’optimisation
du rendement de conversion de la source d’alimentation vers le signal
radiofréquence, d’autre part, la prise en compte des distorsions non linéaires.
Un troisième aspect, sous-jacent de la mise en œuvre de puissance, concerne
la compréhension des phénomènes thermiques et le traitement de la dissipa-
tion de puissance.


Par rapport à l’amplification de petits signaux, pour laquelle les dissipations
restent faibles et les distorsions négligeables, l’amplification de puissance sera
caractérisée par la mise en œuvre de la plus grande dynamique possible du
signal de sortie de l’étage amplificateur, c’est-à-dire qu’on cherchera à appro-
cher les limites de la saturation et du blocage lors de l’excursion du signal.
S’agissant d’état solide, les tensions d’alimentation sont limitées, engendrant
des courants importants et par conséquent les impédances d’accès relative-
ment faibles.
Cet article constitue une première partie sur l’amplification de puissance
radiofréquence. Après un rappel des définitions des quelques grandeurs utili-
sées spécifiquement dans le domaine de la puissance, cette partie décrira les
principes et les structures de base des amplificateurs de puissance RF (classes
d’amplification). Nous présenterons ensuite leurs évolutions, ainsi que des
montages plus complexes, proposés pour optimiser certaines performances.
Enfin, l’évolution des systèmes allant vers une globalisation de leur conception
en vue d’optimiser leurs performances et leurs coûts par une approche pluri-
disciplinaire, nous aborderons la présentation de procédés d’amplification plus
originaux associant d’autres parties du système (traitement de signal). Pour
chaque sujet, quelques éléments de décision seront donnés grâce à des indica-
tions quantitatives des principales performances. L’amplification état solide
faisant appel à des composants dont les puissances unitaires sont limitées (par
rapport aux tubes), un paragraphe sera consacré à une présentation succincte
des procédés de couplage mis en œuvre pour multiplier cette puissance.
Les paramètres à considérer pour la conception d’amplificateurs de puis-
sance radiofréquence sont : le rendement en puissance, les adaptations
d’impédance, la linéarité, les problèmes thermiques et la fiabilité. Nous défini-
rons ces paramètres et un paragraphe sera consacré aux différentes
technologies de semi-conducteurs assorties d’une comparaison de leurs carac-
téristiques respectives.
Un deuxième article traitera plus en détail de la mise en œuvre des amplifi-
cateurs à partir des composants disponibles, des caractéristiques de linéarité
et des systèmes de correction indispensables aux applications modernes.

Sigles et abréviations Sigles et abréviations (suite)


Abréviation Définition Abréviation Définition
BF basse fréquence FM frequency modulation
CDMA code division multiple access FSK frequency shift keying
CW continuous wave Ft fréquence de transition
DB dynamic bias GMSK Gaussian minimum shift keying
DSP digital signal processing GSM global system for mobile communication
EER envelope elimination and restoration HBT heterojunction bipolar transistor
ET envelope tracking HEMT high electron mobility transistor
FET field effect transistor IGBT insulated gate bipolar transistor

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E 1 610 – 2 est strictement interdite. – © Editions T.I.

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__________________________________________________________________________ AMPLIFICATION DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE À L’ÉTAT SOLIDE

Sigles et abréviations (suite)

Ps (dBm)
Abréviation Définition
Idéale
IM3 intermodulation d’ordre 3
IMD inter modulation distorsion Réelle

IRM imagerie par résonance magnétique


LDMOS laterally-diffused metal oxide silicon
LINC linear amplification using nonlinear components
MESFET metal semiconductor field effect transistor
Pe (dBm)
MMIC
MOSFET
monolithic microwave integrated circuit
metal oxide semiconductor field effect transistor
a non-linéarité AM/AM

Phase sortie/entrée
OFDM orthogonal frequency division multiplexing
Idéale
PAE power added efficiency
PDM pulse duration modulation Réelle

PHEMT pseudomorphic high electron mobility transition


PWM pulse width modulation
QAM quadratic amplitude modulation
RF radiofréquence
Pe (dBm)
ROS rapport d’ondes stationnaires
b non-linéarité AM/PM
SCS signal components separator
UHF ultra high frequency Figure 1 – Linéarités d’amplitude (AM/AM) et de phase (AM/PM)

VHF very high frequency


Ps (dBm)

1. Définitions
Raies
Rapport d’IM3 (dB)
utiles
1.1 Grandeurs caractéristiques
Nous rappelons les définitions des principales grandeurs néces-
saires à la compréhension des paragraphes suivants. Raies d’intermodulation
d’ordre 3
1.1.1 Rendement électrique et PAE
Le rendement collecteur η (électrique) d’un étage amplificateur Fréquence (Hz)
est par définition le rapport de la puissance RF délivrée à la charge
à la puissance consommée sur la source d’alimentation continue : Figure 2 – Évaluation de la non-linéarité par mesure du rapport d’IM3

η = Ps / Pa (1)
où P s est la puissance délivrée par le dispositif et P a la puissance La linéarité AM/PM (amplitude/phase) (figure 1b ) exprime la
délivrée par la source d’énergie. variation de la phase du signal de sortie en fonction de la puis-
Le rendement en puissance ajoutée, PAE, est le rapport de la puis- sance du signal d’entrée. Idéalement cette phase est invariable.
sance RF délivrée à la puissance absorbée totale, exprimé en % : Dans la pratique, ces deux grandeurs dévient de leur réponse
idéale, et cette déviation exprime le taux de non-linéarité (figure 1).
PAE = Ps / (Pa + Pe ) (2)
Plusieurs méthodes sont utilisées pour mesurer les non-linéari-
où P e est la puissance du signal d’entrée. tés d’un amplificateur : elles seront décrites dans la deuxième
partie [E 1 611], mais la plus courante est l’IMD, et plus particu-
Cette notion est plus pertinente en puissance dans la mesure où
lièrement l’IM3, rapport de la puissance des raies d’intermodula-
le gain d’un étage de puissance peut être modeste, et donc la puis-
tion d’ordre 3 à la puissance du signal utile (figure 2).
sance d’entrée non négligeable.

1.1.2 Linéarité 1.1.3 Bande passante


La linéarité AM/AM (amplitude/amplitude) (figure 1a ) exprime la La bande passante d’un amplificateur est la plage de fréquences
variation du rapport de la puissance de sortie à la puissance utiles à l’application. Sauf cas très particulier, les caractéristiques
d’entrée en fonction de la puissance d’entrée. Pour un amplifica- de l’amplificateur doivent rester constantes sur toute la largeur de
teur idéalement linéaire, ce rapport est une constante, la courbe la bande passante. Cette notion peut avoir des implications diffé-
P s/P e est une droite. rentes suivant la destination de l’amplificateur.

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AMPLIFICATION DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE À L’ÉTAT SOLIDE _________________________________________________________________________

Tension de saturation Avalanche Tension de pincement Avalanche


Ic Ids

β 2nd claquage

Ib Vce Vgs Vds


Vbe Droite de charge Droite de charge

a bipolaire b MOSFET

Figure 3 – Comparaison entre transistors bipolaire et MOSFET

■ Il peut s’agir d’amplifier un seul signal modulé, auquel cas Rappelons enfin que les transistors MOSFET peuvent être à
l’amplificateur devra maintenir ses caractéristiques sur une largeur déplétion (la tension de grille est négative par rapport à la tension
de bande correspondant au spectre du signal modulé. Il sera dans de source), ou à enrichissement (la tension de grille est positive).
ce cas relativement sélectif (1 à 10 % de bande suivant le type de
modulation utilisée). Les principes exposés dans ce document sont valables pour
Exemple : a a
mplificteur de c
a l GSM.
na les deux technologies, mais, sauf cas particuliers, les schémas
présentés font référence à des transistors MOSFET à déplétion.
■L’amplificateur peut être standardisé pour amplifier des signaux
à des fréquences différentes, à raison d’un seul signal modulé à la
fois. La bande passante pourra alors approcher une octave, et les
caractéristiques devront être garanties quelle que soit la fréquence
d’utilisation à l’intérieur de cette bande.
2. Classes d’amplification
Exemple : amplificateur d’émetteur de télévision hertzienne. Considérant un étage simple d’amplification RF, différents types
de circuits sont utilisés, et leurs définitions ont été répertoriées en
■Enfin, l’amplificateur sera conçu pour amplifier simultanément « classes ». Certains montages plus complexes ont été inventés,
plusieurs porteuses modulées, auquel cas il devra non seulement ont fait et font constamment l’objet d’études particulières. Nous
maintenir ses caractéristiques sur toute la bande, mais il devra allons passer en revue les classes de fonctionnement analogique A
avoir des caractéristiques de linéarité telles qu’elles évitent les à C, les classes à haut rendement D à F, puis quelques montages
interactions entre les différents signaux (cross-modulations et destinés à améliorer le rendement, la linéarité ou le compromis
intermodulations). linéarité-puissance.
Exemple : amplificateur de télédistribution par câble.
2.1 Classes d’amplification analogique
1.2 Technologies bipolaire et MOSFET
Le fonctionnement des classes analogiques d’amplification
Le propos se rapportant à l’état solide, il est utile de rappeler quel- radiofréquence est déterminé par l’angle de conduction du
ques particularités des transistors et quelques différences entre les signal sinusoïdal appliqué à l’entrée de l’étage amplificateur.
technologies bipolaire et MOSFET, pour appréhender correctement
le fonctionnement des amplificateurs de puissance RF. Ces classes concernent les procédés analogiques d’amplification,
Une similitude entre les technologies concerne la présence où le signal de sortie est censé être proportionnel au signal d’entrée.
d’une tension de sortie minimum (de saturation ou de pincement) Le schéma de base de référence d’un étage amplificateur RF est
et d’une tension d’avalanche. La première limite la tension du côté représenté sur la figure 4. Le transistor Q1 représenté ici est un
des faibles niveaux par la technologie, alors que l’autre la limite du FET, mais les descriptions qui vont suivre ne préjugent pas de la
côté des niveaux élevés par volonté d’éviter les destructions. Ces technologie de semi-conducteur utilisée. La tension continue d’ali-
aspects sont illustrés sur la figure 3. mentation V d est appliquée au drain (D) par l’intermédiaire de la
Aux faibles niveaux, le comportement diffère entre les self de choc L c , et le signal RF est transmis à la charge RL au tra-
technologies : zone de tension de saturation pour les bipolaires, et vers de la capacité C D . Un circuit oscillant centré sur la fréquence
zone à résistance variable pour les MOSFET. Du côté des niveaux fondamentale f 0 du signal symbolise le filtrage de sortie. Le cou-
élevés, le bipolaire possède une caractéristique dite de « second rant de repos est déterminé par la tension continue appliquée
claquage », dont le MOSFET est exempt. La zone de fonction- entre grille (G) et source (S). v e , vL et is sont respectivement la
nement de sécurité des bipolaires doit donc satisfaire un para- tension du signal RF d’entrée, la tension RF aux bornes de la
mètre supplémentaire. Enfin, les deux types présentent des charge RL et le courant RF dans le transistor.
comportements différents en température : alors que le bipolaire
est sujet à un effet d’emballement thermique lors de l’échauffe- 2.1.1 Classe A
ment (dû à la diminution de la tension de base et l’augmentation
du gain en courant β avec la température), la technologie MOSFET, Utilisée universellement en petite puissance, la classe A est
a contrario, bénéficie d’un effet régulateur. Ce sont ces différences caractérisée par une polarisation correspondant à un courant
qui font largement préférer la technologie MOSFET à la technolo- continu moyen dans le transistor, la tension d’alimentation V d
gie bipolaire pour les transistors au silicium. étant inférieure à la moitié de la tension d’avalanche (figure 5). La

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Vd Ids

polarisation
Lc Is
Vd
Vd

Point de
CD
vL
Q1 D
is
ve f0 RL Vgs Vds t
G S
ve vs

Figure 4 – Schéma de base des amplificateurs de classe A à C Figure 5 – Classe A


Ids Ids

Point de
polarisation
Vgs Is

V
Vdd

Vgs Vds t

ve vs

Zoom sur la non-linéarité de blocage

Figure 6 – Classe B

droite de charge traverse tout le domaine des caractéristiques I (V) la demi-sinusoïde de conduction. La tension de sortie est rendue
de sortie du dispositif. L’angle de conduction du signal (référence sinusoïdale par la présence du circuit de filtrage qui élimine les
au temps de conduction ramené à la période du signal) est de harmoniques en sortie. La consommation est directement propor-
2π rad (zone grisée sur la figure 5). Cette classe présente les tionnelle à l’amplitude du signal.
meilleures caractéristiques de linéarité, mais un faible rendement
Le rendement est donné par l’expression :
électrique : le point de polarisation étant placé au centre de la
droite de charge, la consommation reste constante et le rendement
dépend de l’amplitude du signal. Le rendement maximum théo- η = π ⋅v s / 4 ⋅VD (3)
rique, lorsque l’amplitude du signal décrit la totalité de la droite de
charge, est limité à 50 % en RF, mais en fait reste dans une gamme Il est proportionnel à la tension de sortie avec un maximum
de 10 à 25 % pour des applications pratiques en radiofréquences, théorique de 78,5 % (= π/4) en négligeant la tension de départ et
compte tenu de la tension de déchet et des non-linéarités engen- toutes les pertes, mais le rendement maximum pratique se situe
drées par l’approche de la saturation et du blocage. vers 60 à 70 %.
Le signal de sortie, en première approximation symétrique par La classe B ne s’utilise quasiment qu’en montage push-pull (cha-
rapport au point de polarisation, contient peu d’harmoniques que transistor conduit pendant le bocage de l’autre) de façon à
pairs. Ce type d’amplificateur ne nécessite donc que peu de fil- réduire la génération d’harmoniques pairs et faciliter le filtrage de
trage en sortie. Lorsque l’amplitude croît, la distorsion intervient sortie (figure 7).
par aplatissement des sommets de sinusoïde, générant des pro- Cependant, quelle que soit la technologie de transistor utilisée
duits d’ordres impairs. L’utilisation d’amplificateurs classe A est (matériau semi-conducteur, topologie de transistor), l’allure de la
réservée à des étages intermédiaires, dont la consommation ne fonction de transfert au voisinage du blocage est fortement non
grève pas trop le budget de l’ensemble, ou à des applications très linéaire (figure 6). Ceci engendre d’une part une grande impréci-
linéaires : quelques dizaines de watts dans le bas du spectre RF à sion sur la tension de polarisation correspondant au blocage, et
quelques centaines de milliwatts en hyperfréquences. d’autre part une variation importante du gain en fonction de
l’amplitude du signal pour les faibles amplitudes provoquant une
2.1.2 Classe B distorsion de croisement (figure 8). Cette imprécision est d’autant
plus sensible que la fréquence de fonctionnement du semi-conduc-
En amplification classe B, le point de polarisation est choisi juste teur est élevée, ce qui fait que l’utilisation du push-pull classe B
au seuil de conduction, de telle sorte que la consommation soit reste marginale et réservée aux fréquences basses, dans la pra-
nulle sans signal (figure 6). L’angle de conduction est alors de tique inférieures à 100 MHz. Pour les fréquences plus élevées, on
π rad (en grisé sur la figure 6) et le courant de sortie correspond à privilégie la classe AB.

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Amplification de puissance
radiofréquence à l’état solide
Paramètres de mise en œuvre

par Michel TURIN



Ingénieur de l’Institut national des sciences appliquées (INSA)
Expert en puissance hyperfréquences

1. Composants : caractéristiques et caractérisation .......................... E 1 611 - 3


1.1 Structure des composants de puissance ................................................... — 3
1.2 Spécifications de base ................................................................................. — 4
1.3 Données d’utilisation ................................................................................... — 5
1.4 Influence de la température ........................................................................ — 5
1.5 Caractérisations............................................................................................ — 6
2. Conception ................................................................................................. — 9
2.1 Polarisation................................................................................................... — 9
2.2 Stabilité RF.................................................................................................... — 10
2.3 Adaptations d’impédance ........................................................................... — 11
2.4 Thermique .................................................................................................... — 13
2.5 Robustesse et fiabilité.................................................................................. — 15
2.6 Compatibilité électromagnétique ............................................................... — 16
3. Distorsions non linéaires ....................................................................... — 16
3.1 Problématique .............................................................................................. — 16
3.2 Produits de distorsion.................................................................................. — 17
3.3 Caractérisation ............................................................................................. — 21
3.4 Systèmes de correction de linéarité .......................................................... — 21
4. Conclusion.................................................................................................. — 23
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. E 1 611

près une première partie ayant présenté les classes, systèmes et technolo-
A gies des amplificateurs de puissance radiofréquence état solide [E 1 610],
ce document en constitue la deuxième partie et traite de leur mise en œuvre.
Le champ d’applications concerne tous les systèmes qui doivent délivrer une
puissance RF en sortie, dont le niveau est significatif par rapport à la puissance
consommée par le produit considéré.
Si l’on considère les évolutions technologiques actuelles, on constate une
pénétration croissante de l’état solide dans les systèmes industriels de puis-
sance grâce à la généralisation du traitement numérique de signal, qui apporte
une gestion fine et rapide des circuits de commande et d’autoprotection, apte
à les rendre de plus en plus robustes. L’explosion des télécommunications
hertziennes, avec le développement des procédés de transmission de signaux
complexes conduit, en particulier, à l’intégration de plus en plus importante
des fonctions électroniques sur les substrats semi-conducteurs, sous forme de
circuits intégrés RF (RFIC) et de composants de puissance complexes, si bien
que la fonction d’amplification de puissance implique toute la chaîne de déve-
loppement, du composant au système complet.
La conception des amplificateurs RF doit satisfaire les spécifications de besoins
de chaque application spécifique et donc répondre à des critères de définition qui
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AMPLIFICATION DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE À L’ÉTAT SOLIDE _________________________________________________________________________

garantiront, avec une importance relative plus ou moins grande, la puissance, le


rendement, et éventuellement le gain et la linéarité. Ces caractéristiques décou-
lent d’un certain nombre de paramètres de mise en œuvre que le concepteur aura
à préciser pour le développement du produit : le choix du type d’amplificateur
(voir [E 1 610]), l’application des tensions d’alimentation de l’étage (polarisation),
la gestion des charges (adaptations d’impédances), le traitement de la thermique
(système de refroidissement) et la compatibilité électromagnétique (blindage).
En général, cela ne se fait pas sans aborder l’aspect fiabilité prévisionnelle,
sachant que ce sous-ensemble est le plus sensible dans le système.
La définition de ces paramètres suppose une bonne connaissance des


composants à utiliser et pour cela, on dispose des outils suivants :
– les spécifications constructeur : certaines grandeurs sont établies par le
constructeur pour l’usage auquel il destine le composant et n’ont en général pas
besoin d’être recaractérisées : domaine d’utilisation (gamme de fréquence, puis-
sance, spécifications mécaniques), limites d’utilisation « maximum ratings » et
thermique. D’autres données ne sont qu’indicatives : exemples de performances
(courbes), paramètres S, impédances en puissance ;
– les moyens d’investigation complémentaires dont un laboratoire peut
disposer : outils et méthodes de caractérisation. En effet, les données indicatives
mentionnées ci-avant ne correspondent pas toujours exactement à l’utilisation
envisagée, et elles ressortent de toute façon de montages de tests propres au
constructeur, élaborés pour illustrer une utilisation exemplaire, standard ou
moyenne.
La q ualité des signaux restitués par l’amplificateur de puissance fait partie
de la méthodologie de conception et doit être traitée pour satisfaire les
contraintes de l’application. Dans le domaine industriel, les soucis seront
d’ordre essentiellement écologique et de fiabilité : pollution hertzienne, rayon-
nements parasites, robustesse et échauffement. Dans le domaine des
télécommunications, les systèmes actuels, de plus en plus gourmands en
débits de données, évoluent vers une optimisation de l’efficacité spectrale
définie en bits par hertz de bande passante qui suppose des modulations de
plus en plus complexes (QAM, OFDM, CDMA...). Dans les domaines de l’inves-
tigation, les outils fonctionnant en radiofréquence (radar et applications
médicales ou scientifiques) demandent des résolutions de plus en plus éle-
vées, supposant de maîtriser la forme des impulsions. Le respect de ces
impératifs passe nécessairement par un traitement de plus en plus précis de la
linéarité des systèmes. La linéarité propre des amplificateurs étant tributaire
des contraintes de rendement électrique, il faut donc en général en corriger les
défauts par des circuits extérieurs et complémentaires.
L’approche de cette présentation se veut pragmatique et est articulée selon
les trois volets suivants :
– quels sont les éléments qui permettent de choisir les composants et les
caractérisations complémentaires éventuellement nécessaires pour pouvoir les
utiliser efficacement ;
– quelles sont les règles de conception proprement dites pour la mise en
œuvre des composants actifs et les points particuliers à surveiller pour garantir
un fonctionnement prévisible en fonction des signaux à traiter ;
– puisque la plupart des applications d’amplification de puissance RF exigent
le respect, ou du moins une bonne connaissance, de la linéarité, un paragraphe
est dédié aux distorsions non linéaires : leurs différentes définitions, les
comportements des étages de puissance et la description de quelques procédés
d’amélioration proches de l’amplification ou impliquant une approche système.
Le domaine abordé etant très vaste et fortement diversifié en termes d’appli-
cations, nous avons fait le choix d’approfondir les aspects analogiques de la
mise en œuvre par opposition à des aspects plus proches de la génération de
puissance RF, tels les besoins purement industriels fonctionnant dans les plus
basses fréquences du spectre RF, et pour lesquels les développements se
concentrent sur les circuits annexes de surveillance et de sécurité de
fonctionnement.

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E 1 611 − 2 est strictement interdite. − © EditionsT.I.

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__________________________________________________________________________ AMPLIFICATION DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE À L’ÉTAT SOLIDE

Sigles et abréviations 1. Composants :


Abréviation Définition caractéristJ ues
ACLR adjacent channel leakage ratio et caractérisation
ACPR adjacent channel power ratio

CALLUM combined analog locked-loop universal Le lecteur est invité à se reporter à l’article précédent [E 1 610]
modulator dans lequel sont définies les grandeurs caractéristiques.

CDMA code division multiple access


La conception d’un amplificateur débute par le choix du transis-
CEM compatibilité électromagnétique
tor de puissance et est suivie de l’analyse de ses caractéristiques.
CW continuous wave Les paramètres de ce choix seront illustrés avec des éléments
réels de fiches de spécifications constructeurs de transistor de
DSP digital signal processing puissance RF, choisies arbitrairement mais représentatives des
informations qui sont, en général, données par les fabricants.
DST dispositif sous test

EVM error vector magnitude 1.1 Structure des composants


FET field effect transistor de puissance
FI fréquence intermédiaire Avant de voir comment les choisir, il n’est pas inutile de rappe-
ler brièvement sous quelles formes les composants actifs (transis-
HBT heterojunction bipolar transistor tors) sont proposés sur le marché, pour comprendre le sens de
certaines caractéristiques, mais aussi pour évaluer les contraintes
HEMT high electron mobility transistor qu’elles peuvent apporter dans la conception des amplificateurs,
comme nous le verrons au paragraphe 2.3.3. On peut les classer
IMD inter modulation distorsion par rapport à leur conditionnement.

IP3 point d’interception d’ordre 3 ■ Les puces nues sont destinées à une utilisation en technologie
hybride (figure 1a). Cette technologie associe, par des moyens de
JFET junction field effect transistor fabrication de microélectronique, les composants actifs à des
circuits passifs imprimés sur substrat hyperfréquence, soit circuits
LDMOS laterally-diffused metal oxide silicon imprimés à faibles pertes (Duroïd, Teflon...), soit alumine métallisée.

LINC linear amplification using nonlinear ■ Le développement des circuits intégrés monolithiques (RFIC) se
components rapproche de la technologie précédente, même si dans ce cas une
compétence spéciale de conception, alliant connaissances en élec-
MESFET metal semiconductor field effect transistor tronique et en physique des semi-conducteurs, est requise.

MOSFET metal oxide semiconductor field effect Ces deux techniques sont utilisées pour les plus hautes
transistor fréquences, en tout cas au-delà de quelques gigahertz et pour des
puissances limitées (gamme de 1 à 10 W). Dans les deux cas, la
MTTF mean time to failure flexibilité qu’apporte cette intégration dans la conception a une
contrepartie en ce sens qu’elle nécessite une phase supplémen-
NPR noise power ratio taire dans le développement du produit : il s’agit de l’encapsula-
tion du circuit complet, dont la qualité de réalisation peut avoir
OBO output back-off une influence non négligeable sur la fiabilité.

OFDM orthogonal frequency division multiplexing ■ Les boîtiers préadaptés (figure 1b) fonctionnent dans la gamme
de 100 MHz à 10 GHz (voire plus), les transistors disponibles en
PAR peak to average ratio boîtier sont pour la plupart « préadaptés ». Ces boîtiers présentent
plusieurs spécificités : l’encapsulation étant réalisée, les problèmes
PN pseudo noise de fiabilité qui y sont liés sont traités par le fabricant. L’interface
thermique de la puce avec le boîtier a été optimisée par le fabri-
QAM quadratic amplitude modulation cant, au détriment, cependant, d’une interface supplémentaire
constituée par le report du boîtier sur le dissipateur.
QPSK quadrature phase shift keying
■ Pour les boîtiers plastique à trois accès (figure 1c), aucune préa-
RF radiofréquences daptation en boîtier n’est réalisée pour les plus basses fréquences
(en dessous de 100 MHz environ) et leurs spécificités sont iden-
RFIC radio frequency integrated circuit tiques à celles des boîtiers précédents.
ROS rapport d’ondes stationnaires ■ Enfin, il y a les boîtiers adaptés (figure 1d) : certains transistors
en technologie AsGa, pour les gammes de fréquences allant de la
SCS signal components separator bande L à la bande Ku (1 à 15 GHz) sont proposés en boîtiers adap-
tés directement à 50 Ω en entrée et en sortie. Ce sont en fait des
SOA Safe operating area amplificateurs en technologie hybride (voir plus haut, alinéa Les
puces nues). La conception se limite alors à la mise en œuvre des
VNA vector network analyser circuits de polarisation et au traitement de la thermique.

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AMPLIFICATION DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE À L’ÉTAT SOLIDE _________________________________________________________________________

50 50
Parameter Symbol Rating Units
75
Drain-Source Voltage 120 VDC
72 Gate-Source Voltage – 20, + 3 VDC

Storage Temperature – 55, 150 ˚C


50 52 52 52 52 52 50
35 35 35 35 35 35
Operating Junction Temperature 250 ˚C
+ 30 dBm typical Output Power at 12 GHz
11,5 dB typical Small Signal Gain at 12 GHz Thermal Resistance Junction to Case 0,75 ˚C/W


60 % typical PAE at 12 GHz
0.3 × 900 Micron Refractory Metal/Gold Gate Soldering Temperature 225 ˚C
Sorted into 15 mA Idss Bin Ranges
Absolute maximum rating (not simultaneous) at 25 ˚C Case Temperature
a puce nue pour montage hybride :
MwT- PH16 : 28 GHz Medium Power AlGaAs/InGaAs PHEMT a valeurs maximales admissibles d’un MESFET SiC
(d’après Cree : CRF-24060-101 - 60 W SiC RF Power MESFET)

Output Power = 175 Watts P-Sync


Output Power = 110 (CW) 100
Courant
Gain = 10 dB Min ID maximal
55 % Collector Efficiency at 110 Watts TC = 25 ˚C
Class AB Characteristics Hyperbole de
Gold Metallization puissance
Silicon Nitride Passivated maximale
10 (produit courant
b transistor de puissance préadapté ici pour montage push-pull : x tension = Cste)
PTB 20101 : 175 W P-Sync, 470-860 MHz UHF TV Tension
Power Transistor maximale

D 1
Output Power = 300 W (40,68 MHz) 2 20 200
Gain = 16 dB Typ AB class VDS (V)
75 % Drain Efficiency C class
Low Vth thermal coefficient G S b zone de fonctionnement de sécurité à 25 ˚ C
Low Thermal Resistance (d’après M/A-Com, MOSFET MRF157/D - 600 W, 30 MHz)
Optimized SOA
Pulse Test : width < 380µS, Duty Cycle < 2 %
Figure 2 – Spécifications de base : exemples de données
constructeur
c transistor de puissance plastique : ARF 466A et B :
300 W, 200V, 45 MHz Power MOSFET

■ Tension drain-source : elle tient compte, de la part du fabricant,


des dispersions de fabrication sur la caractéristique d’avalanche.
Elle permet de choisir la tension maximale d’alimentation, sachant
qu’en aucun cas, la tension de sortie ne pourra dépasser sans
risque la tension d’avalanche. Ainsi, en classe B la tension d’ali-
mentation ne devra pas dépasser la moitié, ou en classe E (la
tension de sortie peut dépasser 3,5 fois la tension d’alimentation
en classe E) le quart de la tension maximale admissible.

d transistor incluant l’adaptation à 50 Ω : ■ Tension grille-source : dans cet exemple d’un MESFET, l’espace
X,Ku-Band Internally Matched FETFLM1414-15F grille-source est une diode Shottky. La tension de grille est donc
limitée en valeur négative par sa tension d’avalanche (tension de
Zener), et en valeur positive par son courant direct maximum
Figure 1 – Exemples de composants de puissance
admissible. L’impédance d’entrée étant très faible, l’excursion du
signal d’entrée ne pose en général pas de problème, mais, dans cer-
tains cas, la puissance maximale admissible en entrée est spécifiée.
1.2 Spécifications de base
■ Température de jonction (ou température de canal) : aucun
Une première sélection d’un transistor de puissance se fait au vu point de la surface de la ou des puces du transistor ne doit dépas-
de l’en-tête de la fiche technique qui précise la gamme de fré- ser cette limite, sous peine de destruction.
quence pour laquelle le transistor a été développé et la puissance
qu’il peut délivrer. Viennent ensuite, après une brève description ■ Résistance thermique : c’est la résistance thermique jonc-
du produit, les spécifications techniques qui vont permettre de tion-boîtier. Elle permet de calculer la température maximale du
confirmer le choix et d’appréhender les premières grandeurs de boîtier pour garantir celle de la jonction, pour une puissance dissi-
mise en œuvre. Elles concernent les valeurs maximales à ne pas pée donnée.
dépasser (maximum ratings). Passons-les en revue, avec leurs inci-
dences, à partir d’un extrait de la fiche technique d’un transistor ■ Dissipation totale : elle n’est pas indiquée dans l’exemple de la
SiC pris comme illustration (figure 2a). figure 2a, mais se déduit par calcul à partir de la température

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__________________________________________________________________________ AMPLIFICATION DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE À L’ÉTAT SOLIDE

a tableau : d’après APT, MOSFET ARF1505 - 750 W, 40 MHz

Return Loss (dB) Efficiency (%)


10 60
Gain (dB)
8 50

40
Gain (dB)

6 VCC = 26 V Efficiency (%)

ICQ = 200 mA –5
4 Pout = 50 W – 15

2 – 25
Return Loss (dB)
0 – 35
1900 1925 1950 1975 2000
Frequency (MHz)

b courbes : d’après Ericsson, MOSFET PTB20125 - 100 W, 1,8-2 GHz

Figure 3 – Exemples de données d’utilisation

maximale de jonction et la résistance thermique. C’est la dissipa- 1.3 Données d’utilisation


tion que peut assurer le transistor si la température du boîtier est
maintenue, par convention, à 25 oC : Les données d’utilisation sont présentées de manières variées
et plus ou moins précises suivant les produits et les fabricants.
PD = (TJ − TC ) / R ΘJC (1) Elles concernent les performances du transistor dans des
conditions d’utilisation spécifiées. En général, on y trouve sous
forme de tableau (figure 3a) et/ou de courbes (figure 3b) les carac-
soit dans cet exemple : 300 W. téristiques de gain, puissance, rendement, linéarité et plus rare-
ment fiabilité. Les conditions spécifiées précisent les tensions et
P D , TJ , T C , R ΘJC sont respectivement la puissance dissipée, la
courants de polarisation (sans signal), la température de boîtier, la
température de jonction, la température du boîtier et la résistance
fréquence de mesure et le type de signal de mesure.
thermique jonction-boîtier.
Si le composant est fourni sous forme de puce nue, destiné à un
■ Le ROS maximum admissible n’apparaît pas dans l’exemple cité, montage en technologie hybride, des consignes de mise en œuvre
et n’est pas toujours précisé. Cette donnée est nécessaire pour les physique et mécanique sont indiquées : précautions de manipula-
applications industrielles où la charge peut être fortement réactive, tion, méthode de report, températures maximum de brasage, etc.
ou pour les cas ou l’adaptation d’antenne n’est connue qu’approxi-
mativement, où peut varier notablement (cas des radars, par
exemple). 1.4 Influence de la température
■ Pour certains types de composants, d’autres valeurs à ne pas Dans l’interprétation des spécifications techniques, la tempéra-
dépasser sont spécifiées : courant drain ou collecteur, courant ture de mesure est indiquée pour chaque grandeur. Cette tempéra-
direct de grille (pour un JFET ou MESFET), etc. ture est en général la température ambiante de 25 oC, or le
fonctionnement en puissance suppose une élévation de tempéra-
ture dont il doit être tenu compte pour choisir le composant. En
fonction des possibilités d’évacuation des calories, et des
Remarque 1 : les spécifications de tension, puissance et conditions climatiques envisagées pour l’application, une plage de
courant maximum admissibles, sont souvent résumées par températures de fonctionnement sera estimée, permettant d’affi-
une courbe qui délimite la zone de fonctionnement de sécurité ner les caractéristiques, au vu des indications ou des courbes
(SOA), comme l’illustre l’exemple de la figure 2b, extrait des contenues dans la fiche technique.
caractéristiques d’un transistor 600 W, 30 MHz. Cette zone
peut être variable notamment pour les transistors RF fonction- En particulier, la puissance maximale dissipable, comme le
nant en impulsions (voir § 2.4 sur la thermique). montre l’illustration de la figure 4a, et donc la puissance maximale
de sortie de l’amplificateur seront limitées par la température
Remarque 2 : les données de températures de stockage et maximale de fonctionnement prévue, somme de la température
de brasure concernent l’industrialisation, mais pas la
ambiante maximale et de l’échauffement résultant des possibilités
conception. de refroidissement.

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Tubes électroniques hyperfréquences


Technologies et tubes à grille
par Thierry LEMOINE
Directeur Technique


THALES Microwave & Imaging Subsystems, Vélizy, FRANCE
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1620 intitulé « Tubes électroniques hyper-
fréquences – Technologies, tubes à grille et klystrons » paru en 2008, rédigé par Thierry
LEMOINE

1. Contexte et classification........................................................................... E 1 620v2 - 2


2. Technologies des tubes électroniques ..................................................... — 3
2.1 Cathodes ...................................................................................................... — 3
2.2 Optiques électroniques............................................................................... — 5
2.3 Canon d’un tube linéaire ............................................................................ — 6
2.4 Confinement magnétique (tubes linéaires) .............................................. — 7
2.5 Focalisation PPM......................................................................................... — 8
2.6 Collecteurs ................................................................................................... — 8
2.7 Collecteurs déprimés .................................................................................. — 9
3. Technologies du vide.................................................................................. — 10
3.1 Qualité du vide ............................................................................................ — 10
3.2 Effets de surface et interaction avec les champs électrostatiques
et RF ............................................................................................................. — 10
3.3 Émission secondaire................................................................................... — 11
3.4 Effet multipactor.......................................................................................... — 11
3.5 Émission thermoïonique parasite.............................................................. — 12
4. Tubes à grille ............................................................................................... — 12
4.1 Fonctionnement d’une triode..................................................................... — 12
4.2 Tétrodes ....................................................................................................... — 13
4.3 Fonctionnement dynamique et classes d’utilisation................................ — 14
4.4 Fonctionnement en « cathode commune » et en « grille commune »...... — 15
4.5 Gammes d’utilisation et limitations .......................................................... — 16
4.6 Fonctionnement d’une tétrode sur charge désadaptée........................... — 18
4.7 Durée de vie d’une tétrode......................................................................... — 18
4.8 Utilisation des tubes à grille....................................................................... — 18
5. IOT ................................................................................................................ — 19
5.1 Principe de fonctionnement ....................................................................... — 19
5.2 Gammes d’utilisation et limitations .......................................................... — 20
5.3 Rendement d’interaction et IOT à collecteur déprimé ............................. — 20
5.4 Durée de vie d’un IOT ................................................................................. — 20
5.5 Utilisation des IOT....................................................................................... — 21
6. Conclusion ................................................................................................... — 21
7. Glossaire et acronymes.............................................................................. — 21
8. Symboles ..................................................................................................... — 21
Pour en savoir plus .............................................................................................. Doc. E 1 620v2
p。イオエゥッョ@Z@ヲ←カイゥ・イ@RPQW

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TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES ____________________________________________________________________________________________

i notre connaissance théorique sur les tubes radioélectriques doit beau-


S coup aux travaux de recherche menés entre 1940 et 1970, notre capacité à
réaliser des composants de plus en plus performants a été décuplée grâce à la
maîtrise d’outils de simulation puissants et sophistiqués. Jusque dans les
années 1970, nous devions nous fier à des expressions analytiques limitées
aux régimes linéaires. Il était difficile d’optimiser un tube au voisinage du point
de saturation. Les choses ont changé à partir des années 1980, et des progrès
fantastiques ont été enregistrés : une multiplication par 40 de la puissance déli-
vrée par des tubes fonctionnant au-delà de 30 GHz ; une bande passante des
tubes de contre-mesure multipliée par trois (on dépasse aujourd’hui les
3 octaves) ; un rendement électrique multiplié par deux (avec une fabrication

R en série de tubes au rendement électrique supérieur à 70 % en bande étroite et


à 50 % en très large bande) ; l’amélioration de la fiabilité d’un facteur compris
entre 10 et 100 ; ainsi, les amplificateurs spatiaux présentent des MTBF supé-
rieurs à 5 millions d’heures et une durée de vie de presque 20 ans en
fonctionnement continu !
Cet article donne un aperçu des technologies de base à tout tube électro-
nique : fonctionnement et durée de vie des cathodes, conception de l’optique
électronique, vide et haute tension... Dans un deuxième temps, les tubes à
grille (triodes, tétrodes et diacrodes), puis les IOT (Inductive Output Tubes)
sont introduits : leur principe de fonctionnement est présenté, leurs perfor-
mances sont décrites. Ces dispositifs sont caractérisés par l’utilisation d’une
grille pour moduler le faisceau à la fréquence du signal, comme dans un tran-
sistor à effet de champ.
L’article [E1621] est consacré aux tubes hyperfréquence de forte puissance
(klystrons, tubes à champs croisés (dont les magnétrons) et gyrotrons), et
l’article [E1622] aux tubes à ondes progressives.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire des termes et une liste d’acro-
nymes importants de l’article, ainsi qu’un tableau des symboles utilisés.
L’auteur tient à exprimer sa reconnaissance envers les experts techniques de
Thales, en particulier MM. Alain Durand, Christian Robert, Michel Grezaud et
Philippe Thouvenin.

de l’inventeur aux sciences physiques – il ne comprit d’ailleurs


1. Contexte et classification pas la nature de ces « rayons cathodiques ». Vingt ans plus tard,
John A. Fleming, chercheur à l’University College of London et
Les technologies de tubes électroniques ont, au fil des ans, conseiller chez Marconi, fit un pas supplémentaire en brevetant la
pénétré de nombreux domaines de l’industrie et des sciences. première diode rectifieuse ; l’année 1904 marque rétrospective-
Elles utilisent un faisceau d’électrons très énergétiques, car accé- ment la naissance des composants électroniques. Mais, l’idée la
lérés par une tension élevée (d’un à plusieurs centaines de kilo- plus révolutionnaire revient à Lee de Forest (États-Unis, 1906), qui
volts), et qui traversent une enveloppe à vide. Cette description fit fonctionner une triode en plaçant une grille de modulation sur
englobe des dispositifs qui ne sont pas traités ici : des sources de le chemin du faisceau électronique, démontrant ainsi le premier
rayons X (« tubes de Coolidge »), les amplificateurs de brillance amplificateur. À cette époque (et pendant des dizaines d’années),
(ou « intensificateurs d’images » : IIL et IIR), les photomultiplica- l’ampoule était en verre, et on a pris l’habitude d’appeler ces
teurs (PM), les sources d’électrons, bien sûr les tubes cathodiques tubes des « lampes ». Aujourd’hui, le verre a cédé la place aux
(CRT : Cathode Ray Tube) et les accélérateurs de particules, céramiques, et le terme de « lampe » est tombé en désuétude.
grands (« sources de lumière » comme SOLEIL) et petits (équipe- Du point de vue des industriels, deux marchés ont coexisté en
ments de radiothérapie, par exemple). Ceux qui nous intéressent relative indépendance. La capacité des tubes à générer des puis-
ici sont les tubes électroniques où, par des procédés variés, une sances HF élevées a permis l’émergence des faisceaux hertziens
partie de l’énergie du faisceau est convertie sous forme d’une dans les années 1910-1920, puis des émetteurs de radiodiffusion,
onde électromagnétique radiofréquence (RF). Dans la suite de de télédiffusion…, jusqu’à la mise au point des radars dans les
l’article, l’expression « tube électronique » sera réservée à cette années 1930-1940 : c’est le marché de l’électronique profession-
famille de composants ; on préférera ce terme à celui de tube nelle. Parallèlement, il a fallu développer des récepteurs de télévi-
hyperfréquence, dont l’usage a curieusement exclu les tubes à sion, de radio, et les tubes électroniques (triodes, pentodes…) ont
grille. envahi le domaine de l’électronique grand public. Dans les
S’il faut attribuer une date de naissance aux tubes électro- années 1950-1960, l’électronique « état-solide » (les transistors)
niques, l’année 1883 pourrait être retenue. Cette année-là, Thomas s’est imposée à son tour [E1610] [E1611], au point de rendre obso-
Edison et son équipe de Menlo Park dans le New Jersey mirent en lètes les tubes électroniques dans les matériels grand-public, à
évidence un courant électrique entre une cathode chauffée à blanc l’exception des magnétrons pour fours micro-ondes et des tubes à
et une anode placées face à face dans une ampoule sous vide : la grille pour quelques marchés de niche (hi-fi très haute de gamme,
découverte de l’émission thermoïonique fut l’unique contribution amplificateurs pour guitare électrique). Aujourd’hui, traiter du

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_____________________________________________________________________________________________ TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES

Optique Zone d’interaction Collecteur


Cathode électronique

Enveloppe
à vide
Faisceau d’électrons

Entrée RF Sortie RF
(optionnelle)

Ce schéma présente les principales briques d’un tube électro-


nique. L’exemple retenu s’apparente à un tube linéaire. Si le tube
est un oscillateur, il n’y a pas d’entrée RF.

Figure 2 – Schéma simplifié d’un tube

Figure 1 – Classification des tubes par typologie


immédiat de la cathode. Il suffit alors d’appliquer un champ élec-
trique Ek en surface de la cathode pour former un faisceau en pui-
domaine des tubes électroniques revient à s’intéresser à l’électro- sant dans cette « charge d’espace ». Plus Ek est élevé, plus le
nique professionnelle, où ces dispositifs restent inégalés dans de courant J dans le faisceau est intense (loi de Child-Langmuir,
nombreuses applications essentielles (les satellites de télécommu- § 2.2), jusqu’à une limite Jc, définie par la quantité maximale
nication, par exemple). Ils représentent un marché de l’ordre de d’électrons que la cathode peut fournir par seconde et par unité
1 milliard d’euros par an. de surface : selon la loi de Richardson-Dushman, Jc est fonction
Par souci de clarté, il est d’usage de commencer par un exposé de la température T à laquelle est portée la cathode.
des technologies communes à tous les tubes (§ 2 et § 3). Ensuite,
nous abordons les grandes familles de composants (figure 1), en
partant de leur principe de fonctionnement, pour nous intéresser
aux performances actuelles ou accessibles, et aux paramètres avec CR constante de Richardson (1,20.10-6 A.m–2.K–2),
physiques qui les encadrent [E1620] [E1621] [E1622]. Enfin, kB constante de Boltzmann (1,38.10–23 J.K–1),
comme il existe depuis les années 1980 une « compétition » entre
T température réelle de la cathode (en Kelvin),
tubes et transistors, nous tentons d’éclairer ce débat en présen-
légèrement inférieure à celle relevée à l’aide d’un
tant les principaux arguments des deux technologies [E1623].
pyromètre et connue comme la température de
brillance.
Cette loi découle de la distribution de Maxwell des vitesses
2. Technologies des tubes électroniques dans le métal : ceux dont l’énergie cinétique (dans
l’axe perpendiculaire à la surface) dépasse le travail de sortie du
électroniques métal φ sont éjectés dans le vide. La loi de Richardson-Dushman
souligne ainsi l’importance du travail de sortie des électrons (φ, en
eV) : plus φ est faible, plus la cathode est simple d’utilisation. Pour
Tous les tubes électroniques sont constitués de briques univer- s’en convaincre, il suffit de se souvenir que l’énergie cinétique
selles : la cathode fournit les électrons, l’optique électronique les moyenne (selon un axe) des électrons dans un métal porté à une
accélère et les focalise, l’interaction entre le faisceau et l’onde température T est égale à .
électromagnétique contraint les électrons à céder une part impor-
tante de leur énergie au signal RF (énergie cinétique pour les À 300 K (27 °C), kBT = 25,9 meV (1 eV = 1,6.10-19 J).
tubes linéaires ‘O’, énergie potentielle pour les tubes à champs Le travail de sortie d’une bonne cathode est compris entre 1 à
croisés ‘M’), le collecteur les récupère en fin de parcours, et 3 eV, ce qui explique qu’il faille la chauffer à des températures de
l’enveloppe à vide contient l’ensemble et assure son refroidisse- l’ordre de 1 000 °C, voire davantage. Cette nécessité limite le choix
ment (figure 2). Dans certains tubes (magnétrons, tubes à grille), des matériaux disponibles.
l’anode de l’optique électronique et le collecteur sont confondus,
et seule l’interaction entre le faisceau et l’onde électromagnétique Le tableau 1 résume les technologies de cathodes thermo-
est vraiment spécifique à chaque famille de dispositifs. ïoniques en fonction des additifs utilisés, et les familles de tubes
qui en ont l’usage.

2.1 Cathodes 2.1.1 Cathodes en tungstène (W) et en tungstène-


thorium (W-Th).
Les cathodes qui nous intéressent ici émettent des électrons
dans le vide. Il s’agit par exemple d’un matériau conducteur sou- La valeur élevée du travail de sortie (4,6 eV) fait qu’une cathode
mis à un fort champ électrique orienté de telle sorte qu’il en en tungstène pur doit être portée à des températures dépassant
arrache des électrons. On parle d’émission froide. C’est une 2 000 °C. En pratique, on réserve ce matériau peu onéreux à de
méthode peu utilisée, car elle exige un champ extrêmement élevé très grandes cathodes obtenues par tressage d’un filament :
(voir ci-dessous). Presque tous les tubes utilisent des cathodes cathodes de triodes de puissance. La plupart des tubes à grille et
thermoïoniques : un métal est chauffé à très haute température, les magnétrons pour cuisinière micro-onde utilisent des cathodes
l’énergie cinétique des électrons est telle que certains quittent le en tungstène dopé avec du thorium : leur travail de sortie est de
métal spontanément et sont émis dans le vide. Ils ne vont pas l’ordre de 2,6 eV, ce qui abaisse leur point de fonctionnement aux
loin, car la neutralité électronique les maintient au voisinage alentours de 1 700 °C.

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TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES ____________________________________________________________________________________________

Tableau 1 – Différents types de cathodes thermoïoniques

Travail de sortie φ Température typique de Densité de courant


Type de cathode Applications
(en eV) fonctionnement (en °C) maximum Jc (en A.cm–2)

Tungstène pur 4,6 2 200 0,3 tubes radio (anciennes


générations)

Tungstène thorié 2,6 1 700 1à3 triodes et tétrodes, magnétrons


pour fours micro-ondes


Cathodes à oxydes 1,5 800 0,3 (40 sur 2 μs) triodes planes, anciennes
générations de klystrons
et de magnétrons

Cathodes imprégnées : 2,1 – 1,8 1 000 – 1 200 1 à 10 TWT, klystrons, IOT, gyrotrons,
type B ou S (W-Ba) et magnétrons
type M et MM (W-Ba-Os)

Scandates (Sc2O3/BaO/W) 1,2 1 000 10 à 100 en développement

2.1.2 Cathodes à oxyde ture de fonctionnement est environ 150 °C inférieure à celle de la
cathode S, pour un même courant de fonctionnement. L’impact
Les cathodes à oxyde sont constituées d’oxyde de baryum sur la durée de vie est considérable. Depuis les années 2000, les
(BaO). Cet oxyde possède une affinité très faible (écart entre cathodes au scandium font l’objet de nombreuses recherches, car
l’énergie du vide et le bas de la bande de conduction) de 0,6 eV. elles permettent de réduire encore davantage le travail de sortie.
Malheureusement, le gap est élevé (4,4 eV), de sorte qu’à D’autres matériaux sont également à l’étude, comme l’oxyde de
l’état intrinsèque, le travail de sortie reste important strontium et de vanadium (structures pérovskites), qui permet-
(2,2 eV + 0,6 eV = 2,8 eV). Mais, si l’oxyde est mis en contact avec traient d’atteindre 1 eV.
des particules de nickel chargées par des métaux réducteurs
Rappelons que les électrons émis par le métal convertissent une
(magnésium, tungstène, zirconium), on constate une réaction
partie appréciable de leur énergie cinétique sous forme d’énergie
entre ces métaux et l’oxygène présent dans le BaO : les métaux
potentielle φ. La température du métal baisse donc légèrement,
réducteurs chassent l’oxygène, créant des lacunes dans l’oxyde
mais sensiblement si le courant extrait est très élevé. L’énergie
qui se comportent alors comme des impuretés donneuses d’élec-
cinétique moyenne résiduelle des électrons dans le vide est de
trons. Le niveau de Fermi s’approche alors de la bande de con-
2 kBT, dont l’écart-type constitue le principal contributeur au bruit
duction (à 0,9 eV), et le travail de sortie est réduit à
électronique d’un tube.
0,9 eV + 0,6 eV = 1,5 eV. Ces cathodes ont été découvertes par le
physicien allemand Arthur Wehnelt en 1904 et fortement utilisées
dans les années 1940-1950, et plus récemment dans les tubes 2.1.4 Durée de vie d’une cathode
cathodiques des téléviseurs. Elles autorisent des courants extrê-
mement élevés, mais sur des périodes très brèves. De nos jours, Le choix d’un matériau pour une cathode répond à plusieurs cri-
elles sont souvent remplacées par des cathodes imprégnées. tères : le travail de sortie, mais aussi sa stabilité au cours du
temps. Dans le cas d’une cathode S (ou M), les additifs comme le
baryum présentent un inconvénient : sous vide et à très haute
2.1.3 Cathodes imprégnées température, ils s’évaporent, ce qui se traduit par l’apparition
d’îlots de plus en plus gros dépourvus de baryum, mettant à nu la
Bien qu’utilisant également l’oxyde de baryum, les cathodes
matrice de tungstène. Cette usure induit un abaissement de Jc au
imprégnées relèvent d’un autre principe. On utilise une matrice de
fil du temps, qui finit par descendre en dessous de la densité de
tungstène dont on cherche à abaisser le travail de sortie. Pour ce
courant requise, entraînant ainsi la dégradation des performances
faire, une couche mono-moléculaire de petits dipôles O- Ba+ est
et la fin de vie du tube. Cette dégradation a été modélisée par plu-
disposée à sa surface, l’oxygène étant en contact avec le métal, le
sieurs auteurs (lois de Longo et de Vaugham) et peut être synthé-
baryum pointant vers l’extérieur. Chaque petit dipôle crée locale-
tisée en écrivant que la baisse de Jc (δJc) est proportionnelle à la
ment un champ électrique confiné en surface du tungstène, qui
racine carrée de la durée pendant laquelle elle a fonctionné. Pour
fait chuter le travail de sortie de 4,6 à 2,1 eV. Tel est le principe de
limiter cet effet, dans la plupart des tubes, J (le courant extrait) est
la cathode imprégnée, inventée par R. Levi de Philips en 1955.
inférieur à Jc : ces tubes fonctionnement en régime de charge
L’imprégnation de la poudre de tungstène se fait à l’aide d’un
d’espace (§ 2.2), les seules exceptions notables étant les gyrotrons
mélange d’aluminates de baryum et de calcium, dont il existe
et les magnétrons. Ce régime présente deux avantages : un
deux formulations : 5BaO:3CaO:3Al2O3 (cathode B) et
contrôle simple en courant (grâce à une tension), et un impact
4BaO:1CaO:1Al2O3 (cathode S, la plus utilisée car deux fois plus
plus faible d’une dégradation de Jc, donc une augmentation de la
efficace).
durée de vie. La figure 3 montre, pour différentes technologies, la
Les aluminates remplissent les interstices de la matrice en durée de vie en regard du courant extrait J.
tungstène poreux et l’ensemble est porté à haute température
Concluons sur les points suivants :
sous vide, ce qui tend à décomposer les aluminates, libérant le
baryum qui migre des interstices vers la surface de la cathode : • la moindre pollution de surface peut « empoisonner » la
c’est le procédé d’activation de la cathode. cathode, d’où une contrainte d’absolue propreté dans sa
On peut abaisser le travail de sortie de 0,25 eV supplémentaires manipulation ;
en ajoutant une fine couche d’osmium. On obtient ainsi une • le chauffage de la cathode peut être assuré par un courant
cathode M (en général à partir d’une cathode S), dont la tempéra- électrique qui circule dans la cathode (chauffage direct) : c’est

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E 1 620v2 – 4

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_____________________________________________________________________________________________ TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES

A et B sont deux constantes.


100 La justification théorique de cette formule fut un des premiers
succès de la mécanique quantique, acquis dès 1928 grâce à
Scandium Robert Oppenheimer.
En pratique, les cathodes froides sont des cathodes métalliques
gravées (cathodes de Spindt de forme pyramidale), ou des subs-
trats à la surface desquels on a fait croître des nanotubes de car-
J (A.cm–2)

M+ bone (CNT), structures cylindriques fortement anisotropes. De


10 nombreux travaux de recherche ont été publiés utilisant ces
M cathodes, allant jusqu’à une intégration dans des tubes électro-
niques, mais il n’existe pas à ce jour de dispositif commercial les
MAGNÉTRONS KLYSTRONS utilisant.


Oxydes
TOP Soulignons que l’émission électronique froide est aussi (et
avant tout) un phénomène parasite qui peut être activé involontai-
GYROTRONS TOP
W-Th TÉTRODES SPATIAUX rement sur n’importe quelle surface métallique du tube où le
1 champ électrique est élevé, et dont il convient de se prémunir
1 000 10 000 100 000 (§ 3.2).
Durée de vie (h)

Figure 3 – Diagramme d’estimation « courant extrait – durée de vie 2.2 Optiques électroniques
maximale » pour différentes technologies de cathodes
En régime de charge d’espace, la densité de courant électro-
nique J < Jc n’est fonction que du champ électrostatique Ek en
le cas de la plupart des tubes à grille. Pour les cathodes à surface de la cathode (à ne pas confondre avec l’effet Schottky
oxyde et les cathodes imprégnées, le chauffage s’effectue (§ 2.1.5) qui concerne Jc). La zone d’extraction et de mise en
grâce à un filament en tungstène-rhénium placé immédiate- forme du faisceau s’appelle l’optique électronique du tube. Après
ment derrière le matériau émissif (chauffage indirect). L’isola- l’avoir traversée, les électrons arrachés à la cathode forment un
tion électrique de ce filament, le champ magnétique qu’il crée faisceau caractérisé, entre autres, par un courant électrique Ik
au voisinage du faisceau, sa capacité à chauffer plus ou (produit de la densité d’électrons par leur vitesse moyenne ve et
moins vite la cathode, sont autant de problèmes technolo- par la section du faisceau), et une tension d’accélération Vk. La loi
giques à prendre en compte lors de la conception. de Child-Langmuir relie ces deux grandeurs :

2.1.5 Cathodes Schottky et cathodes froides


k s’appelle la pervéance du faisceau, ou micropervéance, en pra-
Jusqu’à présent, nous avons négligé l’influence du champ élec- tique elle est comprise entre 0,05 et 2,5.10−6 A.V–3/2.
trique Ek sur l’extraction des électrons de la cathode (donc sur Jc).
Orienté perpendiculairement à la surface du métal, le champ Cette relation ne doit pas surprendre, car une fois accélérés par
Vk, les électrons (de masse m et de charge e) (préalablement à
donne aux électrons un surplus d’énergie potentielle, ce qui
vitesse nulle) ont acquis une vitesse ve telle que ½mve2 = eVk, qui
revient à abaisser le travail de sortie effectif. C’est l’effet Schottky,
intervient directement dans le calcul de Ik. Il est intéressant de
du nom du physicien allemand du même nom, ingénieur chez Sie- l’appliquer dès à présent au cas des tubes linéaires (TWT, klys-
mens, qui le découvrit vers 1915 sur les triodes et l’étendit dans trons, IOT), où il y a une séparation nette entre l’optique électro-
les années 1920 à des dispositifs état-solide (postes à galène). Le nique qui accélère et focalise le faisceau grâce à un « canon »
courant JC est ainsi légèrement supérieur à ce que prédit la for- (constitué de la cathode et d’une anode), la « ligne » du tube où
mule de Richardson-Dushman (JRD) : agissent les champs radioélectriques, et le collecteur (pour un
magnétron ou une triode, ces trois fonctions sont imbriquées).
Les lois de l’optique électronique dans un canon ont été
décrites dans les années 1940 par John Robinson Pierce, cher-
avec e charge de l’élection, cheur aux Bell Labs, d’où le nom de « canon de Pierce ». Pour des
ε0 permittivité diélectrique du vide. raisons de symétrie, on donne à la cathode la forme d’une calotte
sphérique et l’anode est annulaire, de sorte que les trajectoires
Si le champ électrique est très élevé sur une distance impor-
des électrons convergent au travers de l’ouverture aménagée
tante, un puits de potentiel se creuse au fur et à mesure qu’on
dans l’anode (figure 4). Dans un canon de Pierce, l’anode ne récu-
s’éloigne de la cathode. Il est séparé du puits de potentiel que père pas les électrons (c’est la fonction du collecteur), elle se
constitue le métal par une barrière de potentiel (de hauteur contente de les accélérer en imprimant une forme particulière aux
approximative φ), que les électrons peuvent franchir par effet tun- lignes de champ.
nel. Sur une surface parfaitement plane, le champ électrique doit
être très élevé pour que ce phénomène se manifeste La loi de Child-Langmuir est une loi d’échelle : le coefficient k ne
(Ek > 0,5 M V.mm–1 environ), mais ce seuil est très sensible aux dépend que de la forme du canon, et non de ses dimensions
effets de pointe. Plus exactement, le champ électrique Ek appliqué exactes (deux faisceaux issus de canons homothétiques ont la
même pervéance).
en surface d’un métal qui présente une aspérité pointue est loca-
lement renforcé d’un facteur β qui tient compte de la forme de la Quelle est la signification physique de k ? Un calcul rapide
pointe : β est compris entre 10 et 1000, selon qu’elle est émoussée montre que k est liée au rapport entre densité électronique et
ou non. D’une manière générale, le courant émis ne dépend plus énergie cinétique de chaque électron. Autrement dit, pour une
de la température du métal (on parle d’émission froide) et il est section de faisceau et un courant Ik donnés, plus k est élevé, plus
décrit par la formule de Fowler-Nordheim (1928) : la densité électronique est forte au regard de la vitesse moyenne
des électrons, et donc plus les forces de répulsion électrostatique
sont importantes et s’opposent à la focalisation du faisceau ; on
comprend pourquoi, dans un canon de Pierce, une forte valeur de

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Tubes électroniques hyperfréquences


Tubes de très forte puissance
par Thierry LEMOINE
Directeur Technique
THALES Microwave & Imaging Subsystems, Vélizy, France

Cet article est la réédition actualisée de l’article [E 1 620] intitulé « Tubes électroniques


hyperfréquences – Technologies, tubes à grille et klystrons » paru en 2008, rédigé par
Thierry LEMOINE.

1. Klystrons........................................................................................... E 1 621v2 –2
1.1 Guides d’Onde .................................................................................... — 2
1.2 Cavités hyperfréquences .................................................................... — 5
1.3 Excitation d’une cavité dans le cas d’un klystron ............................. — 7
1.4 Bunching du faisceau (théorie balistique) ......................................... — 7
1.5 Coefficient d’interaction ..................................................................... — 9
1.6 Bunching du faisceau (prise en compte de la charge d’espace) ...... — 9
1.7 Klystrons multi-cavités ....................................................................... — 10
1.8 Efficacité de l’interaction ................................................................... — 11
1.9 Klystrons à interaction étendue (EIK) ................................................ — 11
1.10 Relation entre efficacité d’interaction, pervéance et rendement ...... — 12
1.11 Gammes d’utilisation et limitations en puissance ............................ — 13
1.11.1 Puissance maximale du faisceau ............................................ — 13
1.11.2 Impact du rendement d’interaction et des pertes ohmiques . — 14
1.11.3 Limites thermiques liées au collecteur ................................... — 14
1.11.4 Limites thermiques liées au champ RF dans la cavité de sortie — 15
1.12 Klystrons multifaisceaux (MBK) et klystrons à faisceau plat (SBK) . — 15
1.13 Fonctionnement sur charge désadaptée ........................................... — 15
1.14 Bande passante d’un klystron ........................................................... — 16
1.15 Durée de vie d’un klystron ................................................................. — 16
1.16 Utilisation des klystrons .................................................................... — 16
2. Magnétrons ...................................................................................... — 17
2.1 Principe de fonctionnement ............................................................... — 17
2.2 Gammes d’utilisation et limitations des magnétrons ....................... — 19
2.3 Durée de vie d’un magnétron ............................................................ — 19
2.4 Utilisation des magnétrons ................................................................ — 19
3. Gyrotrons.......................................................................................... — 20
3.1 Principe de fonctionnement du gyrotron .......................................... — 20
3.2 Fonctionnement sur un mode élevé .................................................. — 21
3.3 Rendement électrique et puissance maximale d’un gyrotron .......... — 22
3.4 Gyrotrons fonctionnant sur harmonique supérieur .......................... — 22
3.5 Gammes d’utilisation et limitations .................................................. — 22
4. Autres familles de tubes électroniques...................................... — 22
5. Conclusion........................................................................................ — 23
6. Glossaire ........................................................................................... — 23
7. Notations et symboles ................................................................... — 23
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 1 621v2

es tubes à grille présentés dans l’article [E 1 620] souffrent de la même limi-


L tation que les dispositifs état-solide : le temps mis par un électron pour par-
courir les structures d’interaction (la distance cathode – grille dans ce cas) doit
être petit par rapport à 1/f, où f est la fréquence du signal. Cependant, à la dif-
férence d’un transistor où ces structures peuvent atteindre des tailles sub-
microniques, dans un tube à grille il est impossible de descendre sous des dis-
tances de l’ordre de la centaine de microns.
p。イオエゥッョ@Z@ュ。ゥ@RPQW

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TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Les klystrons souffrent d’un problème analogue (les premiers klystrons dispo-
saient de grilles en entrée/sortie des tunnels de glissement), mais leur principe
de fonctionnement très différent (modulation de vitesse plutôt que modulation
de densité) engendre des performances en fréquence supérieures.
Toutefois, la plupart des tubes hyperfréquences exploitent une idée totalement
différente, basée sur le synchronisme entre un faisceau d’électrons et une onde
électromagnétique suivant le même chemin. L’idée est la suivante : si un électron
est placé dans un champ électromagnétique RF de telle façon qu’il subisse pen-
dant une durée « relativement longue » ce qui signifie sur une durée supérieure à
1/f, l’influence d’un champ décélérateur (E>0), alors il rayonnera son énergie.
Mais, comment un électron accéléré dans le vide peut-il aller à une vitesse proche
de la vitesse de la lumière dans le vide ? C’est l’objet de cet article et de l’arti-
R cle [E 1 622] portant sur les TWT. Si l’électron est animé d’un mouvement parfai-
tement rectiligne à la vitesse ve, cette condition de synchronisme implique que ve
est égal à vf la vitesse de phase de l’onde, sachant que vf est égal à w / b où b le
vecteur d’onde et w la pulsation. Si au mouvement rectiligne de l’électron se
superpose un mouvement oscillant transversal (à la pulsation W), la conservation
de la quantité de mouvement impose de remplacer ve par ve + W / b dans la condi-
tion de synchronisme. La première condition s’applique aux magnétrons, TWT ou
EIK ; la seconde aux gyrotrons, mais aussi aux lasers à électrons libres (FEL).
La condition de synchronisme comporte une petite subtilité : pour que l’élec-
tron cède un maximum d’énergie à l’onde, elle doit être légèrement violée
(l’électron doit être à peine plus rapide que l’onde) : c’est un principe très géné-
ral en physique, connu en optique sous le nom d’effet Tcherenkov.
Dans tous les tubes hyperfréquences, un faisceau d’électrons est émis par une
cathode et pénètre une structure d’interaction constituée de conducteurs métalli-
ques (cavités pour un klystron, hélice pour un TWT, guide d’onde pour un gyro-
tron ou un magnétron). Un électron étant une particule chargée, des lignes de
champ partent de la particule pour rejoindre les conducteurs placés à un autre
potentiel. Lorsqu’il entre dans la zone d’interaction, la forme des conducteurs se
modifie, et il en va de même des lignes de champ. Ces modifications ne peuvent
pas être instantanées : elles se propagent à la vitesse de la lumière ; en d’autres
termes, la particule rayonne de l’énergie (§ 1.3). Chaque électron du faisceau émet
un rayonnement incohérent, de sorte que le faisceau émet spontanément du bruit,
qui est blanc en l’absence de contrainte sur la fréquence du rayonnement émis, et
qui peut accrocher sur les fréquences de résonance de la structure d’interaction.
Intimement lié au caractère corpusculaire du faisceau électronique, ce phénomène
explique comment des oscillations prennent naissance : oscillations parasites
dans un amplificateur comme un klystron (on parle d’oscillation monotron) ou à
la base du fonctionnement du tube dans un magnétron ou un gyrotron.
Cet article se focalise sur les tubes de très forte puissance et à bande étroite,
utilisés notamment pour alimenter des accélérateurs de particules et des réac-
teurs de fusion nucléaire. Il est suivi de l’article [E 1 623] sur les tubes à onde
progressive, large bande, destinés à l’amplification de signaux à forme d’onde
complexe pour les radars et les systèmes de télécommunication.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire des termes importants de
l’article, ainsi qu’un tableau des notations et symboles utilisés.

lecture de cet article, consulter [E 1 401] [E 1 402] pour une présen-


1. Klystrons tation approfondie. Il y a plusieurs façons d’aborder ces cavités,
une des plus simples part de la notion de guide d’onde métallique.
Pour simplifier, nous considérons des guides de section rectangu-
1.1 Guides d’Onde laire, qui sont aussi les plus classiques : dans la suite de ce para-
graphe, a et b représentent les dimensions de la section du guide
Les klystrons sont des amplificateurs hyperfréquences dont le selon les axes x et y. La lettre z désigne l’axe de propagation des
fonctionnement est intimement lié à celui des cavités hyperfré- ondes guidées. Nous notons f la fréquence de l’onde (supposée
quences, et une bonne compréhension de celles-ci facilitera la monochromatique) et w sa pulsation (w = 2p.f). L’onde guidée est

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES

caractérisée par un champ électrique E (x,y,z,t) et un champ magné- Tout d’abord, rappelons qu’une onde électromagnétique se pro-
tique H (x,y,z,t) (les lettres grasses désignent des vecteurs) qui pageant dans le vide à l’intérieur du guide est par essence une
s’écrivent sous la forme : onde plane (dont les champs seront notés ( E et H ) qui se propage
à la vitesse c de la lumière dans le vide (300 000km/s) et se réfléchit
E ( x, y, z, t ) = E 0 ( x, y ) .exp ( j βz) .exp ( j ω t) sur les murs métalliques, et le mode guidé (champs E et H) qui se
H ( x, y, z, t ) = H 0 ( x, y ) .exp ( j βz) .exp ( j ω t ) propage selon z est une figure d’interférence résultat de ces
réflexions multiples. Nous noterons k le vecteur d’onde de cette
onde plane (que nous supposons pour simplifier dans le plan xOz,
avec E0 et H0 vecteurs perpendiculaires ayant des compo- faisant un angle q avec l’axe Oz (figure 1) et l sa longueur d’onde.
santes selon les trois axes de l’espace, Comme pour toute onde plane, les relations suivantes sont
j courant électrique, vérifiées :

b vecteur d’onde de l’onde guidée (donc paral- k = 2π / λ et f = c / λ, donc k = ω /c


lèle à l’axe z), dont le module est relié à la lon-
gueur d’onde de l’onde guidée lg par la for- Établir une relation entre b et w revient à trouver une relation
mule classique : entre b et k.
Les équations de Maxwell imposent des conditions aux limites
β = 2π / λg sur les champs au contact des parois. Supposer que la conductivité
électrique s du matériau est excellente, en théorie infinie (ce que
La relation fondamentale qui relie b (ou lg) à w (ou f) est connue nous ferons dans un premier temps), revient à dire que la compo-
comme l’équation de dispersion du milieu où l’onde se propage (ici sante tangentielle du champ électrique total (incident + réfléchi)
le guide d’onde). Si elle ne se réduit à une simple relation de pro- est nulle au contact de la paroi (sinon le courant électrique j = s.E
portionnalité, on dit que le milieu est dispersif. Pour la calculer, les serait lui-même infini). Donc l’onde plane réfléchie a un champ
manuels modernes procèdent souvent de manière mathématique électrique tangentiel Ez réfl. en opposition de phase avec celui de
en injectant les expressions ci-dessus dans les équations de Max- l’onde incidence Ez inc. à l’endroit de la réflexion. Par déduction,
well. Pour un guide d’onde rectangulaire, le calcul est aisé. Nous le champ électrique longitudinal total (celui de l’onde guidée)
préférons ici une méthode plus intuitive qui permettra de mieux Ez = E z inc.+ E z réfl. est nul sur la paroi et, par conséquent, le champ
« sentir » la physique. longitudinal total présente des ventres et des nœuds dans l’axe Ox

x
Sens de propagation de l’onde

Plan équi-phase
paroi
Plan équi-amplitude
t = t2

a
vg = c.cos θ
c
t = t1
vg vφ = c.cos θ
θ vφ
vφ ⋅ vg = c2
paroi

z
Onde plane

a dans l’espace réel

kx

Vecteurs d’onde à t = t1

π/a
k2 = β2 + kc2

kc = π/a (mode (1, 0))


kc k
kc = ν((nπ/a)2 + ((mπ/b)2) (mode (n, m))

θ kc = ω/c
0
β
kz

b dans l’espace des vecteurs

Figure 1 – Réflexions dans un guide d’onde

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TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

perpendiculaire à la paroi Ez(x) (figure 2). La seconde paroi en fréquence de coupure la plus basse (si on fait l’hypothèse que
vis-à-vis de la première doit être placée sur un autre nœud pour a > b, c’est le mode n = 1, m = 0 (onde dans le plan xOz), kc = p/a) :
que l’onde puisse se propager (le champ longitudinal total doit aucune onde ne peut se propager dans le guide à une pulsation infé-
aussi être nul sur cette paroi). Un raisonnement identique doit être rieure à cp/a.
tenu pour les deux autres parois.
Conséquence de ce qui vient d’être dit, la composante longitudi-
En termes mathématiques, les contraintes aux limites sur les nale des champs guidés satisfait l’équation d’onde suivante (dite de
parois imposent une condition de quantification sur la propagation Helmholtz) :
transversale (perpendiculaire à Oz) de l’onde. Pour l’écrire, expri-
mons k sous la forme vectorielle suivante (figure 1) : ∂2E z / ∂x2 + ∂2E z / ∂y 2 + k c2E z = 0 et
∂2H z / ∂x2 + ∂2H z / ∂y 2 + k c2H z = 0
k = β + kc
Les composantes transverses s’en déduisent par simple dériva-
b est le vecteur d’onde longitudinal (parallèle à l’axe z), kc le vec- tion (gradient) du champ longitudinal (équations de Maxwell).


teur d’onde transversal (perpendiculaire à l’axe z : kc = 2p/lc), et k le On distingue deux cas : celui où l’onde plane se propage avec un
vecteur d’onde de l’onde plane (qui fait un angle q par rapport à
vecteur E orthogonal à Oz (pas de composante longitudinale Ez),
l’axe z : k = w/c). b et kc étant orthogonaux, on peut donc écrire :
et celui où c’est H qui est orthogonal à Oz (dans une onde plane,
k 2 = β2 + k c2 ou 2π / λ2 = 2π / λg2 + 2π / λc2 comme E et H sont orthogonaux entre eux et orthogonaux à l’axe
de propagation, l’hypothèse sur l’un suffit pour définir la direction
La condition de quantification ci-dessus se reporte sur kc qui ne de l’autre). Tous les autres cas s’en déduisent comme combinai-
peut prendre que des valeurs quantifiées : kc = n.p/a, où n est un sons linéaires de ces deux cas. Dans le premier cas, le champ
nombre entier (figure 2). Rappelons que a désigne la hauteur du guidé E a une composante nulle selon Oz : il est entièrement trans-
guide selon l’axe x, et qu’on a fait l’hypothèse que l’onde plane se verse, d’où le nom de mode TE donné à ces modes. L’autre cas
propage dans le plan xOz. Plus généralement, le vecteur kc s’écrira donne naturellement naissance aux modes TM (H a une compo-
comme la somme de deux vecteurs perpendiculaires kcx et kcy, cha- sante nulle selon Oz). On parle de modes TEnm et TMnm.
cun étant quantifié, de sorte que : Si ET et HT sont les composantes transversales des champs gui-
dés, quel que soit le mode ils sont orthogonaux entre eux et leur
k c = (n π / a ) + (m π / b ) , n et m étant deux entiers naturels,
2 2 2
rapport est constant. Le rapport ET /HT est l’impédance de l’onde Z.
Ce paramètre permet de définir les conditions d’adaptation en
avec k relié à w, la relation k2 = b2 + kc2 est bien la relation de extrémité d’un guide (calcul du taux d’ondes stationnaires). La
dispersion w (b) recherchée. valeur de l’impédance dépend du type de mode TE ou TM. Sa
valeur asymptotique (w >> wc) est égale à 377W, soit l’impédance
& Résumons-nous : dans un guide de section rectangulaire, une de l’onde dans le vide.
onde guidée ne peut se propager que selon certains modes caracté-
risés par deux entiers n et m. Pour un couple (n, m), il existe une
valeur de kc qui permet de définir une pulsation de coupure wc. En (
Z TM = 377. 1 − (ωc / ω )
2
) et Z TE = 377 / (1− (ω / ω ) )
c
2
(en Ω)
effet, la relation de dispersion peut s’écrire (w/c)2 = b2 + kc2, fonction
croissante de b. Pour b = 0, w = c.kc = wc. Une onde de pulsation infé- & Toutes les valeurs possibles de n et de m sont-elles possibles ?
rieure à c.kc ne peut donc pas se propager sur le mode ayant cette A priori oui, à une exception : le couple (0, 0) est interdit. Imagi-
valeur de kc. Le mode fondamental est celui qui présente la nons un mode TE00 (qui par nature serait identique au mode TM00,

Ezr Ezi

Première paroi

n=1

x λ
Onde plane
réfléchie Emplacements
n=2
possibles pour
la seconde paroi
(distance a) :
n=3 a = n λc/2 ou
Onde plane λc kc = 2π/λc = nπ/a
incidente

θ n=4

Ez = Ezi + Ezr
λc = λ.sinθ
(onde guidée, stationnaire selon x)

La phase de Ez tourne de π lors de la réflexion.

Le cas n = 0 n’est pas représentable, il ne signifie pas que les deux parois sont confondues,
mais que l’onde plane est perpendiculaire à l’axe Ox (donc dans le plan yOz).

Figure 2 – Réflexion d’une onde plane sur une paroi métallique et condition de propagation entre deux plans métalliques

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et que l’on appelle mode TEM). Pour ce mode, kc = 0, donc k (qui 1.2 Cavités hyperfréquences
décrit l’onde plane) est parallèle à l’axe z : l’onde guidée se propage
comme l’onde plane qui lui a donné naissance, le mode n’est pas Les cavités hyperfréquences sont des cavités résonantes sur une
dispersif et les champs électrique et magnétique n’ont pas de com- ou plusieurs fréquences discrètes. Leur fonctionnement s’explique
posante longitudinale (selon z). Par conséquent, et considérant aisément en considérant un guide d’onde (selon l’axe z) fermé
qu’au voisinage de la paroi le champ magnétique est partout paral- (court-circuité) à ses deux extrémités par un plan métallique. Une
lèle à la paroi (condition de continuité sur une paroi métallique), les onde plane se propageant à l’intérieur (par réflexions sur les parois
lignes de champ magnétique forment des boucles fermées dans le du guide d’onde) sera réfléchie sur une extrémité, et l’onde résul-
plan xOy. tante (la somme de l’onde incidente et de l’onde réfléchie) consti-
tuera une onde stationnaire selon l’axe z avec un premier nœud
Selon la première équation de Maxwell (rotH = j + e0 m0 ∂E/∂t) sur le champ électrique transverse (parallèle au plan de court-
(avec e0 la permittivité du vide et m0 la perméabilité magnétique du circuit) à l’emplacement de cette extrémité. L’autre extrémité consti-
vide), ces boucles de champ doivent être traversées par un courant tuant également un court-circuit, l’onde stationnaire ne pourra
perpendiculaire, parallèle à l’axe Oz. L’intérieur du guide étant vide,


exister que si la deuxième extrémité se situe sur un autre nœud,
j = 0, et il en va de même du courant de déplacement ∂E/∂t car le ce qui s’exprime par une condition de quantification sur le vecteur
champ électrique n’a pas de composante longitudinale. On arrive d’onde b (ou sur la longueur d’onde lg). L’onde est donc station-
donc à une contradiction. On peut faire un raisonnement similaire naire selon les trois axes, et décrite dans une cavité hyperfréquence
sur le champ électrique. Il ne peut pas y avoir de mode TEM qui se parallélépipédique par trois entiers n, m et p, qui, comme
propage dans un guide d’onde, il faut pour qu’un tel mode existe précédemment, peuvent éventuellement être nuls (mais pas les
au moins deux conducteurs isolés l’un de l’autre comme dans une trois à la fois).
ligne bifilaire, coaxiale, stripline (triplaque) ou microstrip.
Dorénavant, nous réserverons l’axe z pour l’axe du faisceau dans
& Il reste à dire un mot des vitesses de propagation qui caractéri- un klystron. Les modes peuvent être désignés de façon analogue à
un guide d’onde, TEnmp et TMnmp, n et m décrivant la quantification
sent les modes guidés. Nous écrivons vitesses au pluriel, car on
selon les axes perpendiculaires au faisceau, et p la quantification
peut en définir deux (vitesse de phase et vitesse de groupe), repré-
selon z. Si la cavité est cylindrique, ce que nous supposerons doré-
sentées visuellement sur la figure 1. Si on mesure la vitesse à
navant (c’est en général le cas dans un klystron ou une cavité accélé-
laquelle se propage le plan équiphase de l’onde plane sur l’axe z,
ratrice), on conservera la même notation : n pour la coordonnée
il s’agit de la vitesse de phase vf. Si, par contre, on imagine un
radiale, m pour la coordonnée angulaire, p pour la coordonnée lon-
« photon » attaché à l’onde plane et on mesure la vitesse à laquelle
gitudinale (z, l’axe du faisceau). Si le mode a une symétrie de révolu-
celui-ci se propage, projetée sur l’axe z (plan équi-amplitude), on
tion, ce que nous supposerons également, l’indice m est nul et nous
définit la vitesse de groupe vg. Notons que phase et amplitude se
l’omettrons, de sorte que nous parlerons de modes TEnp et TMnp.
déplacent l’une et l’autre à la même vitesse c, si on fait cette
mesure sur l’axe de propagation de l’onde plane plutôt que sur Dans un accélérateur comme dans un klystron, il faut freiner ou
l’axe Oz. On dit souvent que la vitesse de groupe est la vitesse de accélérer un faisceau de particules chargées parallèle à l’axe z. Il
propagation de l’énergie électromagnétique (hf, où h est la cons- faut donc que le champ électrique soit non nul selon cet axe, ce
tante de Planck) et que, pour cette raison, elle ne saurait être supé- qui impose des modes de type TMnp. Le plus simple, et aussi le
rieure à c, en accord avec le principe de la relativité restreinte. Les plus utilisé, est le mode TM10 (figure 3) : l’onde stationnaire est
relations suivantes (et très générales) se déduisent aisément : alors radiale. En pratique, les cavités ont une forme plus complexe
qu’une simple section de cylindre, mais la symétrie de révolution
vφ = ω / β et v g = ∂ω / ∂β est respectée. La notation TM10 devient malgré tout un abus de
langage. Dans une cavité cylindrique TM10, le champ H est trans-
Remarquons la relation suivante (qui n’est pas universelle) : verse par définition, et sa composante radiale est nulle. Quant au
champ E, il n’a qu’une composante longitudinale. Dans une cavité
v φ .v g = c 2 de klystron, les becs renforcent localement l’intensité du champ
électrique par effet de pointe. Sur le mode fondamental, les
Au voisinage de la fréquence de coupure, b est voisin de 0 et k propriétés du champ H sont inchangées, mais le champ E acquiert
est presque perpendiculaire à l’axe Oz. On peut donc représenter (sauf sur l’axe) une composante transverse « parasite ».
cette situation en imaginant l’onde plane faisant des réflexions suc-
Une cavité parfaite n’est pas très utile : comment exciter le
cessives sans progresser selon l’axe Oz. La vitesse de groupe est
champ à l’intérieur d’une boı̂te fermée, et en supposant que ce
pratiquement nulle, mais comme le plan équi-phase est presque
champ existe, en quoi serait-il utile ? Il faut donc pratiquer dans
parallèle à l’axe Oz, la vitesse de phase est presque infinie, ce qui les parois des ouvertures suffisamment petites pour ne pas (trop)
se déduit immédiatement des deux formules ci-dessus. perturber les modes tout en permettant d’injecter ou de soustraire
& Quelques mots pour conclure sur le rapport b/a dans un guide de de l’énergie électromagnétique. Dans une cavité de klystron, ces
section rectangulaire. En général, les guides sont utilisés sur le ouvertures sont soit un iris ou une petite antenne qui relie la cavité
mode fondamental, souvent le mode TE10 pour que l’atténuation à un guide externe (couplage inductif là où le champ H est
soit minimale. La condition de résonance concerne l’axe x (kc = p/a), maximum), soit deux trous alignés selon l’axe z à l’emplacement
la fréquence de coupure fixe a, mais rien n’est dit de la dimension du des becs permettant à un faisceau d’électrons de traverser la cavité
guide selon l’axe y (valeur de b). Comme les fréquences d’utilisation en son centre (figure 3) (couplage capacitif là où le champ E est
sont significativement au-delà de la fréquence de coupure pour que maximum).
le guide ne soit pas trop dispersif, il faut qu’à ces fréquences les À tout instant, une cavité stocke une quantité d’énergie électro-
modes supérieurs (dont le mode TE01) ne soient pas excités, ce qui magnétique W donnée par la formule classique :
impose b << a. Cependant, le rapport a/b ne peut pas être trop élevé,
car les pertes linéiques du mode fondamental tendent vers l’infini ( )
W = ∫∫∫ µ0 H 2 / 2 + ε0 E 2 / 2 .dv (intégrale sur le volume de la cavité)
lorsque la fréquence s’approche de la fréquence de coupure ou
lorsqu’elle tend vers l’infini, avec entre les deux une plage de Dans une cavité cylindrique TM10, énergies électrique et magné-
fréquence où les pertes sont minimales. La valeur des pertes à ce tique sont réparties dans toute la cavité. Par contre, dans une cavité
minimum est d’autant plus élevée que a/b est élevé. Par conséquent, de klystron, du fait de sa forme, l’énergie électrique est concentrée
a/b est de l’ordre de 2 (les dimensions des guides commerciaux sont entre les deux becs et l’énergie magnétique est principalement
normalisées). dans le reste de la cavité.

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TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

avec IRF courant RF se propageant en surface de la


Champ E Champ H cavité,
VRF tension RF entre les becs.
Champ H
Bec
intense
Champ E Les valeurs de L et de C dépendront de la répartition des champs
intense et donc du mode considéré. Dans une cavité cylindrique et sur le
mode TM10, les énergies électrique et magnétique sont superpo-
Tunnel
de glissement
sées, mais dans une cavité de klystron, toujours sur le mode fonda-
du faisceau mental, l’énergie électrique est concentrée entre les becs (la capa-
(sous coupure) cité dépend de la distance entre les deux becs et des surfaces en
regard) et l’énergie magnétique est répartie dans la cavité (l’induc-
a cavité cylindrique pill box b cavité d’un klystron tance dépend des distances parcourues par les courants en surface
(vue en perspective) : sont (vue en coupe, symétrie de la cavité, donc de la taille de celle-ci). On peut alors jouer assez


représentés les champs de révolution) : déformée facilement sur les valeurs de C et de L. La résistance shunt s’en
de symétrie de révolution, (avec des becs) pour former déduit par une formule très simple :
magnétique (circulaire) et une cavité de klystron ;
électrique (longitudinal). le champ électrique
est concentré entre les deux R /Q = (L /C )
becs à cause de leur profil effilé,
la symétrie de révolution Les valeurs exactes de L et C ne sont pas directement accessibles
est respectée. à la mesure ni au calcul, mais il en va autrement de R/Q et de wc, et
L et C s’en déduisent.
Figure 3 – Représentation d’une cavité TM10 Avant de conclure sur les cavités hyperfréquences et le cas parti-
culier des cavités de klystron, il reste à dire un mot sur le problème
Le facteur de qualité d’une cavité de klystron est sa capacité à des « pertes » (nous englobons dans ce terme tout ce qui contribue
interagir avec le faisceau. Ce paramètre est quantifié au travers de à une baisse de l’énergie stockée W au travers d’une puissance dis-
l’impédance shunt de la cavité R (en W), définie de la façon suivante : sipée Pdiss). À la résonance, ces pertes sont résumées dans un fac-
teur unique appelé facteur de surtension, universellement noté par
R = VRF2 / 2Pdiss la lettre Q, et défini par la formule suivante :

Q = ω.W / Pdiss
avec VRF tension crête entre les becs (le champ élec-
trique multiplié par la distance entre becs), qui
Q peut avoir plusieurs origines, chacune apportant sa contribu-
agit sur le faisceau,
tion Qi. Le QT (Q total, aussi noté QL pour Q « chargé ») s’écrit
Pdiss puissance RF dissipée dans la cavité (dans alors sous la forme suivante :
cette définition, on ne retient que les pertes
ohmiques dans les parois). 1/QT = Σ1/Q i

R traduit la capacité du champ RF à moduler le faisceau. Cette défi- En pratique, trois facteurs produisent une dissipation de l’éner-
nition de l’impédance shunt est souvent retenue par les concepteurs gie stockée : les pertes intrinsèques à la cavité (par effet Joule sur
de cavités accélératrices. Les concepteurs de klystrons en préfèrent les parois), les pertes par couplage à un guide extérieur, et les per-
une autre où la résistance shunt est normalisée, c’est-à-dire divisée tes par couplage au faisceau. Les pertes par effet Joule supposent
par le facteur de surtension de la cavité à vide (sans autres pertes une conductivité finie des parois, généralement en cuivre dans un
que les pertes ohmiques), qui s’écrit Q = wW/Pdiss (cf. ci-dessous). klystron (jusqu’à présent, nous avions supposé cette conductivité
Dans ces conditions, l’impédance shunt (en W) devient : infinie). La contribution à Q des pertes par effet Joule est souvent
notée Q0 (surtension de la cavité à vide). Si on retient l’analogie des
R /Q = VRF2 / 2ωW constantes localisée, elle peut s’écrire sous la forme :

Avec une telle définition, qui n’a de sens qu’à la fréquence de Q0 = Lω / r


résonance de la cavité, l’impédance shunt R/Q ne dépend que de
la géométrie de la cavité, elle est indifférente aux pertes. Plus R/Q r désigne ici l’équivalent d’une résistance (à ne surtout pas
sera élevée, plus efficace sera l’interaction entre le faisceau et la confondre avec l’impédance shunt R), qui du fait de l’effet de peau
cavité. Il y a donc intérêt à l’augmenter, ce que permet de faire les augmente avec la racine carré de la fréquence.
becs. En pratique, le R/Q est compris entre 60W (absence de becs) Lorsqu’on monte en fréquence, la taille de la cavité (donc L)
et 180W (becs très effilés), la valeur typique se situant vers diminue d’autant,
100-120W. Au-delà de 180W, le champ électrique en surface des p et le produit Lw est à peu près constant. Donc
Q0 décroı̂t en w-1 et vaut environ 5000 à 1GHz pour une cavité
becs est si intense qu’il peut induire des claquages. Dans un accé- de klystron en cuivre. Les deux autres contributions à QT : QX (décri-
lérateur de particules, on parle vers 1GHz d’impédance shunt R de vant les pertes par couplage vers l’extérieur) et QBL (décrivant
l’ordre de 1012 W pour une cavité supraconductrice, 106 W pour une l’énergie injectée dans le faisceau, ou beam loading) seront traitées
cavité en cuivre, soit un R/Q de l’ordre de 100W dans les deux cas. ultérieurement. Donc :
On peut faire à ce stade un rapprochement utile entre une cavité
et un circuit résonant obtenu en mettant en parallèle une induc- 1/QT = 1/Q0 + 1/QX + 1/QBL
tance L et une capacité C. On sait qu’alors :
Concluons sur une relation essentielle entre facteur de surten-
ωc = 1/ (LC ) sion et bande passante de la cavité Df (fc étant la fréquence de réso-
nance de la cavité) :
QT = fc / Δf
Définissons une inductance L et une capacité C propres à la
cavité, en écrivant l’énergie stockée sous la forme :
Une cavité sans pertes possède un QT infini et une bande pas-
W = L IRF2 / 2 + CVRF2 / 2 sante nulle, ce qui n’a pas de sens physique. Dans certains accélé-
rateurs de particules, une cavité supraconductrice non chargée (en

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Tubes électroniques hyperfréquences


Tubes à onde progressive
par Thierry LEMOINE
Directeur technique
THALES Microwave and Imaging Subsystems, Vélizy, France
Cet article est la réédition actualisée de l’article [E 1 621] intitulé « Tubes électroniques
hyperfréquences – Tubes à onde progressive et à champs croisés » paru en 2009, rédigé
par Thierry LEMOINE. R
1. TWT à hélice ..................................................................................... E 1 622 –2
1.1 Fonctionnement d’un TWT ................................................................ — 2
1.2 TWT à hélice ....................................................................................... — 5
1.3 Gammes d’utilisation et limitations des TWT à hélice ..................... — 9
1.4 Rendement total d’un TWT à hélice à collecteur déprimé ................ — 10
1.5 Oscillations des TWT à hélice ............................................................ — 11
1.6 Linéarité d’un TWT à hélice ............................................................... — 12
1.7 Facteur de bruit d’un TWT à hélice .................................................... — 16
1.8 Durée de vie d’un TWT à hélice ......................................................... — 17
1.9 TWT ring & bar et ring & loop ........................................................... — 17
1.10 Utilisation des TWT ............................................................................ — 17
2. TWT à ligne métallique................................................................... — 17
2.1 Fonctionnement des TWT à ligne métallique .................................... — 17
2.2 Gammes d’utilisation et limitations d’un TWT à ligne métallique ... — 19
2.3 Durée de vie d’un TWT à ligne métallique ........................................ — 19
2.4 Applications aux fréquences submillimétriques ............................... — 19
3. Conclusion........................................................................................ — 20
4. Glossaire ........................................................................................... — 20
5. Acronymes et symboles................................................................. — 21
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 1 622

Q u’il s’agisse de tubes électroniques ou d’accélérateurs de particules,


il existe deux grands processus d’interaction entre un faisceau électro-
nique et une onde électromagnétique se propageant le long d’une structure
linéaire, permettant un échange d’énergie : le faisceau interagit soit avec une
onde stationnaire (standing wave) comme dans un klystron, soit avec une
onde en mouvement (traveling wave). Ces deux processus diffèrent par la
condition de synchronisme entre le faisceau et l’onde qui permet l’échange
d’énergie. Comme leur nom l’indique, les TWT (Traveling-Wave Tubes,
TOP pour Tubes à Onde Progressive en français) appartiennent à la deuxième
catégorie, et pour une raison qui apparaı̂tra dans la suite de cet article,
on appelle ces dispositifs des tubes à onde lente. Les TWT se distinguent des
klystrons par une bande passante plus importante (de 10% à plus de deux octa-
ves) et ils se prêtent bien à l’amplification de signaux radar ou de communica-
tion au-delà de 1GHz. Les principes de fonctionnement sont expliqués, d’abord
dans les grandes lignes, puis à l’aide de la théorie de Pierce : le fonctionnement
d’un TWT n’est pas intuitif et, de l’avis de l’auteur, l’exposé de cette théorie est
nécessaire. Les performances actuelles et accessibles des tubes à hélice sont
déduites, et les principaux domaines d’utilisation sont introduits, en insistant
particulièrement sur les télécommunications spatiales ; on s’intéressera à cette
occasion aux performances en linéarité, mono- ou multi-porteuses, avec ou
sans linéariseur. Dans une deuxième section, les tubes à ligne métallique sont
p。イオエゥッョ@Z@。ッエ@RPQW

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TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

décrits. Ces tubes permettent d’atteindre des puissances importantes (jusqu’à


quelques centaines de kilowatts) en bande basse (sous 10GHz) et il en existe
jusque vers 100GHz, voire au-delà ; un point sera fait sur l’état de la recherche
dans les bandes millimétriques, très active depuis 2005 environ.
L’auteur tient à exprimer sa reconnaissance envers les experts techniques de THALES, en
particulier MM. Alain Durand, Alain Laurent, Jean-François David et Philippe Thouvenin.

Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire des termes importants de


l’article, ainsi qu’un tableau des acronymes et un tableau des symboles utilisés.


conditions, il n’existe aucun échange d’énergie entre l’onde et le
1. TWT à hélice faisceau, puisqu’il y a autant d’électrons ralentis que d’électrons
accélérés. Pour que le faisceau cède de l’énergie, il faut davantage
d’électrons ralentis qu’accélérés, et que l’onde soit plus lente que le
faisceau de quelques pourcents : les paquets quittent alors les
Les TWT ont été imaginés quatre ans après l’invention du klys- zones de champ nul pour s’approcher des zones où le champ Ez
tron (1942) par l’Autrichien Rudolph Kompfner, chercheur pendant est élevé (et positif). Le champ freine ces paquets, qui cèdent leur
la seconde guerre mondiale aux Clarendon Laboratories (Oxford). énergie à l’onde.
Mais c’est John R. Pierce, autre chercheur de grand talent aux Bell
Labs, qui le premier a compris le fonctionnement de ces dispositifs
et en a établi la théorie entre 1944 et 1947 : le faisceau se couple à 1.1 Fonctionnement d’un TWT
une onde électromagnétique dont la vitesse de phase est voisine,
mais très légèrement inférieure à celle des électrons. Intervient Les quelques lignes ci-dessus donnent une idée des TWT, mais
alors un principe physique connu sous le nom d’effet Tcherenkov : ne permettent pas vraiment de saisir leur fonctionnement. Il faut
une particule chargée, animée d’une vitesse à peine supérieure à faire un peu de théorie pour sentir comment une onde électroma-
celle de la lumière dans ce milieu, rayonne de l’énergie. gnétique et un plasma d’électrons interagissent. La théorie de
Ce phénomène est d’ailleurs général en physique ondulatoire : Pierce, qui fournit ces explications, date de la fin des années 1940.
chacun sait qu’un avion volant légèrement au-dessus de la vitesse On n’en reproduira pas ici les détails qui figurent dans plusieurs
du son cède une partie de son énergie cinétique sous forme d’une traités [1] [2] [3] [4], mais on peut tracer les grandes lignes du rai-
onde de choc acoustique (le « double bang »). L’originalité du TWT sonnement et en déduire les principaux résultats.
à hélice (pour prendre cet exemple) tient à la façon dont l’onde est
ralentie pour assurer ce « quasi » synchronisme. Au lieu de se pro- 1.1.1 Notations
pager dans un milieu matériel d’indice supérieur à 1, qui ferait obs- Fixons au préalable quelques notations. La théorie de Pierce
tacle au faisceau, l’onde suit une trajectoire hélicoı̈dale dans le décrit l’interaction entre deux systèmes couplés : un faisceau élec-
vide, qui la ralentit d’un facteur 1,5 à 8 ; la physique ne s’oppose tronique de section cylindrique S, qui se propage selon l’axe Oz, et
donc pas à ce que les électrons qui circulent sur l’axe de l’hélice une onde électromagnétique de pulsation w et de symétrie égale-
soient plus rapides que la lumière. ment cylindrique, qui suit le même chemin : par exemple, en
À très grosses mailles, un TWT à hélice fonctionne de la manière s’enroulant le long d’une hélice. L’onde est caractérisée par un
suivante : délivré par un canon et caractérisé par une tension champ électrique E et un champ magnétique H. L’axe Oz étant
d’accélération Vk et un courant Ik, un faisceau continu d’électrons l’axe du faisceau et celui de l’hélice, pour des raisons de symétrie,
ces champs, lorsqu’ils sont mesurés sur l’axe où circule le faisceau,
suit l’axe Oz de l’hélice à la vitesse v 0 fixée par 1 mv 2
2 0 = eVk dans
n’ont qu’une composante parallèle à cet axe (Ez et Hz). Comme ce
l’approximation non relativiste valable pour un TWT dans la plu- sont les échanges d’énergie entre le faisceau et l’onde que nous
part des cas (avec m et e respectivement masse et charge de cherchons à décrire, seule Ez nous intéresse.
l’électron) :
Nous noterons v 0 et r0 la vitesse des électrons et la densité électro-
c /v 0 ≈ 16 / Vk (Vk en kV ) nique dans le faisceau (supposée uniforme sur la section S) en
l’absence d’interaction avec le champ (donc en entrée de la ligne).
Un champ électromagnétique externe de faible puissance et de
pulsation w est couplé à une extrémité de l’hélice (celle qui est pro-
Vk ( 12 (m/e).v 02 ) et lk (S .v 0 .ρ0 ) représentent respectivement la tension
che du canon) et se propage le long de celle-ci dans la même direc- d’accélération du faisceau et le courant non modulé en entrée de
tion que les électrons. Mesuré sur l’axe, le champ électrique de la ligne. Et nous noterons be et le deux grandeurs caractéristiques du
cette onde est, pour des raisons de symétrie, parallèle à l’axe Oz, faisceau, homogènes (par construction) à des vecteurs et à des
et si Vk et les caractéristiques géométriques de l’hélice sont conve- longueurs d’onde :
nablement choisies, il se propage à la même vitesse que les élec- βe = ω /v0 = 2π / λe
trons. Il y a alors interaction entre l’onde et le faisceau qui, dans
un premier temps, « bunche » le faisceau (le scinde en paquets). L’onde se propage dans une structure de guidage dispersive
Cela se conçoit aisément si on se place dans le référentiel des élec- comme une hélice, choisie telle que sa vitesse de phase vf
trons. Ceux-ci, grâce au synchronisme, voient un champ RF Ez cons- (en l’absence d’interaction avec le faisceau) soit inférieure à
tant et les zones du faisceau où Ez est maximal se dépeuplent au la vitesse de la lumière dans le vide c (ce qui exclut par exemple
profit des zones où le champ est nul ; peu à peu, des paquets se que cette structure guidée soit un simple guide d’onde). Cette
forment là où le champ est voisin de zéro. Sauf que, dans ces structure dispersive est de plus choisie de sorte qu’à la

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES

pulsation w, v φ ≈ v 0 : c’est la condition de synchronisme sur du mouvement d’ensemble du faisceau (dv/dt = ∂v/∂t + v0.∂v/∂z), et
la charge d’espace ajoute une composante Ece au champ RF :
laquelle nous reviendrons. Pour garder un caractère général aux Ez = EzRF + Ece. Cependant, la charge d’espace satisfait l’équation
propos qui vont suivre, nous n’en dirons pas davantage sur la de Poisson : divEce + r/e0 = -jb.Ece + r/e0 = 0. En combinant ces
structure de guidage, sauf qu’elle est homogène sur toute la lon- équations, on obtient l’équation électronique :
gueur d’interaction entre le faisceau et l’onde. Nous l’appelle-
δi / E z = j.βe .Ik / 2Vk × 1/ ⎡⎢ωq2 /v 02 − ( β − βe ) ⎤⎥
rons ligne à retard parce qu’elle retarde l’onde. Il pourra s’agir 2
d’une hélice métallique, de cavités couplées, d’un guide d’onde ⎣ ⎦
replié, ou d’un guide d’onde chargé périodiquement.
Avant de poursuivre, il importe de saisir la physique que résume
Nous adopterons les notations suivantes concernant l’onde cette équation. Si nous calculons le rapport entre dv (modulation de
électromagnétique : vitesse) et dr (modulation de densité), nous trouvons :
– k(w) pour le vecteur d’onde de l’onde électromagnétique dans
la structure guidée, en l’absence de faisceau : vf (w) = w /k(w) ; δv /v 0 = δρ / ρ0 . ( βe − β ) / β


– b (w) pour le vecteur d’onde de l’onde électromagnétique dans
la structure guidée en présence de faisceau (l’onde en présence du La condition de synchronisme implique que b soit proche de be.
faisceau est une onde couplée qui n’existe qu’au voisinage du Imaginons un instant que ces deux valeurs soient égales. Alors, il
synchronisme). n’y a pas de modulation de vitesse, et di se réduit à une modulation
de densité. Dans ces conditions, b n’a pas de composante imagi-
k et b sont deux vecteurs parallèles à l’axe Oz. naire et l’onde n’est ni atténuée, ni amplifiée. Pour qu’il y ait ampli-
La courbe de dispersion b(w) au voisinage du synchronisme est fication, il faut que l’onde, qui au premier ordre « ressemble » à
celle que nous cherchons à établir. Comme l’objectif est de décrire une onde de densité, possède une modulation de vitesse qui, bien
un mécanisme d’échange d’énergie entre le faisceau et l’onde, que moins prononcée, explique le phénomène d’amplification.
conduisant à une amplification de cette dernière, b(w) doit possé- Il existe une différence fondamentale entre le faisceau d’électron
der une composante réelle et une composante imaginaire, la com- dans un klystron et celui dans un TWT. Un klystron exploite essen-
posante imaginaire reflétant l’amplification de l’onde couplée – ou tiellement la modulation de vitesse, qui induit ponctuellement des
son atténuation, selon son signe, au fur et à mesure qu’elle se pro- pics de densité. Un TWT, par contre, fonctionne avant tout sur une
page le long de Oz. onde de densité, même si la modulation de vitesse est sous-jacente
Concernant le faisceau électronique, nous ferons les hypothèses et nécessaire pour en expliquer le fonctionnement.
suivantes : suite à l’interaction avec le champ électrique Ez, la & L’équation du circuit décrit comment le faisceau modulé rayonne
vitesse électronique est modulée, ainsi que la densité électronique,
son énergie. Pour l’établir, il faut connaı̂tre les conditions aux limi-
et par conséquent le courant électrique ; c’est une onde « plasma »
tes, donc la géométrie de la ligne à retard. Procédant de manière
car la charge d’espace s’oppose à cette modulation et introduit une
plus générale, Pierce pose qu’en tout point de la ligne de coordon-
fréquence propre de résonance (la fréquence plasma). La modula-
née z0, le champ électromagnétique est la somme de deux contri-
tion du courant électrique est à la même pulsation w que l’onde
butions : le champ RF injecté en entrée de la ligne et qui se propage
électromagnétique en entrée. Pour des raisons de continuité,
en l’absence d’interaction avec le faisceau (facteur multiplicatif
l’onde plasma et l’onde électromagnétique en présence du faisceau
exp(-jkz0)), et le champ électromagnétique correspondant à l’éner-
(l’onde couplée) possèdent la même loi de dispersion b(w).
gie cédée par le faisceau. Celle-ci est générée en tout point z de la
ligne (contribution dE(z)), et la contribution totale en z0 est la
1.1.2 Théorie de Pierce somme de toutes les micro-contributions dE(z π z0) en prenant en
Même si elle fait intervenir la charge d’espace, la théorie de compte l’impact de la propagation entre z et z0 (facteur multiplicatif
Pierce que nous allons décrire reste une théorie « petits signaux ». exp(-jb(z - z0)). Comme l’onde peut se propager dans les deux
En présence d’interaction avec l’onde RF, vitesse v, densité r et cou- sens, la contribution totale en z0 intègre les contributions pour
rant i à tout instant et en tout point du faisceau modulé prennent la z < z0 (onde progressive) et les contributions pour z > z0 (ondes
forme suivante : régressives).
v (z, t ) = v 0 + δv .expj (ω t − βz) Reste à estimer la contribution élémentaire dE(z). Pierce procède
par analogie en introduisant l’impédance de couplage Z, qui quan-
ρ (z, t ) = ρ0 + δρ expj (ω t − βz)
tifie le transfert d’énergie du faisceau vers l’onde :
i (z, t ) = Ik + δi .expj (ω t − βz) = S .ρ (z, t ) .v (z, t )
p Z = E z2 / 2β2P
Par hypothèse, dv<<v0 et dr<<r0. Nous notons wp = (er/me0) la
fréquence plasma dans le faisceau et wq = F.wp, la fréquence de avec P puissance RF véhiculée par le faisceau (P = vg.W,
plasma réduite ; F est le « facteur de réduction » de la fréquence où vg est la vitesse de groupe de l’onde et W
plasma, de l’ordre de 0,35 pour un TWT [E 1 621]. (en J/m), l’énergie stockée par unité de longueur
Pour établir la relation de dispersion b(w), il nous faut écrire deux du faisceau),
équations qui l’une et l’autre relient le champ Ez à la modulation de Ez champ électrique crête (parallèle à Oz)
courant di. La première indique comment un champ Ez induit une moyenné sur la section du faisceau.
modulation de courant di, c’est l’équation électronique. La seconde
précise comment une modulation de courant di modifie le champ Ez En utilisant la représentation symbolique de Pierce (où la ligne à
par rayonnement du faisceau, c’est l’équation du circuit. retard est assimilée à une succession de cellules LC – la ligne
p
& L’équation électronique se déduit en écrivant l’équation de du télégraphiste classique), Z = (L/C), mais faute d’une représen-
Lorentz pour chaque électron (m.dv/dt=-eEz), complétée par l’équa- tation physique de L et C, cette formule ne nous apprend pas
tion de conservation de la charge électrique (ou équation de conti- grand-chose – si ce n’est que l’impédance de couplage est un para-
nuité : ∂i/∂z=-S∂r/∂t). Comme les termes quadratiques dr.dv sont mètre géométrique présentant une certaine analogie avec l’impé-
négligeables, la conservation de la charge électrique s’écrit : dance shunt introduite à propos des cavités électromagnétiques.
L’expérience montre qu’elle est comprise entre 10 et 150W. Sans
δi = ω.δρ.S / β autre hypothèse sur la ligne à retard, on déduit du raisonnement
ci-dessus que l’équation de circuit doit avoir la forme suivante :
Le traitement de l’équation de Lorentz est plus compliqué. Il faut
prendre en compte dans le calcul de l’accélération (dv/dt) l’impact (
δi / E z = k β2Z / β2 − k 2 )

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TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Cette équation n’est d’aucune aide pour évaluer l’impédance de Notons que b1 peut s’écrire sous la forme :
couplage. Pour la calculer, il faudrait exprimer le fait que le courant
d’influence IRF dans la structure de la ligne à retard est égal à la β1 ≈ βe . (1 + C / 2) .expj ( 3C / 2 )
modulation de courant dans le faisceau dI (théorème de Ramo).
De ce courant d’influence, on déduirait le champ magnétique RF, l1 associé à b1, est plus petit que le et l dans un rapport 1 + C/2,
donc le champ électrique Ez. Mais ce calcul exige de savoir com- et l’onde couplée est légèrement
ment la ligne à retard est constituée physiquement (§1.2.5 pour p déphasée par rapport à l’onde
non couplée, d’un angle égal à 3C/2 : 0,86.C << p/2.
une hélice).
La vitesse de phase de l’onde couplée vfc = w /b est donc diffé-
L’équation de dispersion b(w) se calcule en éliminant le quo- rente de la vitesse de l’onde en l’absence de faisceau vf = w /k intro-
tient di/Ez des deux équations (électronique et circuit), soit : duite précédemment. Cette théorie donne une estimation du gain
du tube G dans le cas de l’onde lente b1, déduite de la composante
2 βe .k .β2.C 3 = ⎡⎣ β2 − k 2 ⎤⎦ . ⎡⎢ βq2 − ( β − βe ) ⎤⎥
2
⎣ ⎦ imaginaire de b1 :

(( ) )

Nous avons introduit dans cette équation le vecteur d’onde G = (1/ 3) .exp 3 / 2 .C .βe .L ou G (dB) = − 9,45 + 47,3.C .N
plasma bq = wq /v0 et le premier coefficient de Pierce C (sans dimen-
sion), défini par la formule suivante : L représente la longueur de la ligne et N = L/le. Il s’agit d’une
estimation du gain en petits signaux, qui néglige l’impact de la
C 3 = Ik .Z / 4Vk = Z / 4Z f charge d’espace.

avec Zf impédance du faisceau = Vk /Ik. Si les calculs avaient été faits à une pulsation w telle que k π be,
ils auraient donné un gain plus faible, et plus l’écart entre k et be
aurait été important, plus le gain aurait été faible, jusqu’à atteindre 0
Rappelons que βe (ω / v 0 ) caractérise le faisceau non modulé, avec (§1.2.6). En l’absence de charge d’espace, la condition k = be est
k = w/vf l’onde en l’absence de faisceau, b(w) l’onde couplée, et donc la condition de synchronisme pour une interaction maximale.
La bande de fréquence dans laquelle le gain est non nul est la
βq = βq / v 0 l’oscillation plasma. bande d’amplification du TWT, en général supérieure à la bande
passante du dispositif, limitée par d’autres facteurs comme des
1.1.3 Interaction faisceau – Champ RF en l’absence désadaptations en entrée ou en sortie.
de charge d’espace
1.1.4 Interaction faisceau – Champ RF en présence
Supposons dans un premier temps que l’effet de la charge
de charge d’espace
d’espace soit négligeable (bq = 0), et plaçons-nous à la pulsation w
telle que k = be (nous supposons que la courbe k(w) et la Aurions-nous tenu compte de la charge d’espace, nous aurions
droite be (w) présentent un point d’intersection). Faisons de plus trouvé deux conditions de synchronisme plutôt qu’une :
l’hypothèse que b (qui décrit l’interaction, donc l’onde couplée)
est peu différent de k, donc de be, ce qu’on peut écrire sous la
forme :
(
v φ = ω / k = v 0 / 1 + ωq / ω ) (
ou k = βe + βq βq = ωq /v 0 ) et
(
v φ = ω / k = v 0 / 1 − ωq / ω ) ou k = βe − βq
β = βe + ζ
Plus remarquable, nous aurions retrouvé associées à la condi-
avec z grandeur (inconnue) petite devant be. tion k = be + bq les deux solutions à ondes lentes, et à la condi-
tion k = be - bq la solution à ondes rapides (§ 1.2.6). Du fait de la
L’équation de dispersion se simplifie alors considérablement : charge d’espace, ondes lentes et ondes rapides ne coexistent pas
à la même fréquence.
ζ 3 = − βe3C 3 Pour les ondes lentes, on pose souvent wq /w = C.g, g étant com-
pris entre 1 et 1,5. L’écart entre vf et v 0 est de l’ordre de 8 à 12%
Cette équation a trois racines (correspondantes aux trois racines jusque vers 15GHz et ensuite décroı̂t jusqu’à des valeurs de l’ordre
cubiques de (-1) : expjp/3, exp-jp/3 et -1), qui donnent trois valeurs de 3 à 4% au-delà de 30GHz. Ces équations fournissent une
possibles pour b : description assez exacte de la réalité.

β1 = βe + βeC / 2 + j ( )
3 / 2 .βeC
Revenons sur la physique du phénomène en portant notre atten-
tion sur l’onde amplifiée : au fur et à mesure que l’onde lente pro-
β2 = βe + βeC / 2 − j ( 3 / 2 ) .βeC gresse de concert avec le faisceau, son intensité augmente alors
β3 = βe − βeC que les paquets d’électrons se creusent. Cependant, le front
d’onde et le front des ondulations de courant possèdent une
Trois ondes couplées se propagent. La seconde b2 va en s’atté- vitesse (la vitesse de phase) plus faible que la vitesse moyenne
nuant et disparaı̂t rapidement ; elle ne présente aucun intérêt pra- des électrons, elle-même à peu près égale à la vitesse initiale du
tique. La première b1 va en s’amplifiant (c’est l’objectif recherché), faisceau. Cela tient au fait que le courant di est la somme d’une
et la dernière b3 n’est ni amplifiée, ni atténuée (absence de compo- onde de densité dr et d’une onde de vitesse dv, déphasées l’une
sante imaginaire). Les deux premières ondes sont des ondes lentes par rapport à l’autre d’environ 60 ; l’écart de phase entre di et dr
(parties réelles de b1 et b2 >be : elles se déplacent moins vite que le est lui-même très faible (0,86.C), compris entre p/40 (4,5 ) et p/180
faisceau), et la dernière est une onde rapide (b3 < be ; le faisceau, (1 ) selon la valeur de C.
plus lent, ne cède pas d’énergie à l’onde).
Dans un tube à hélice, C vaut entre 0,02 et 0,07 et dépend du rap-
(
δv /v 0 = δρ / ρ0 . ( βe − β ) / β ≈ δρ / ρ0 .C .expj π / 3 − 3C / 2 )
port entre le diamètre du faisceau et celui de l’hélice. La compo-
sante réelle de b donne la vitesse de phase de l’onde couplée, qui De la même façon, Ez est déphasé par rapport à di de 150 . En
peut s’écrire : effet, l’équation électronique s’écrit, en négligeant la charge
d’espace :
v φc = ω / β ≈ v 0 . (1 − C / 2) (ondes lentes, ≈ v 0 − 1 à 3 %)
v φc = ω / β ≈ v 0 . (1 + C ) (onde rapide, ≈ v 0 + 2 à 7 %)
( )
δi / E z = − j .βe .Ik / 2Vk × 1/ ( β − βe ) ≈ Ik / 2C 2 βeVk × expj 5π / 6
2

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– TUBES ÉLECTRONIQUES HYPERFRÉQUENCES

électrons occupent dans l’espace des phases (position et vitesse)


δv/v un volume incompressible (ce qu’on appelle l’émittance du fais-
ceau : théorème de Liouville). Pour creuser cette piste, il faut
décrire le faisceau et le champ électromagnétique dans le forma-
Ez lisme de Hamilton, au prix de calculs d’une grande complexité.
π/2 Une approche simplifiée a été proposée par F. André et al en
π/3 δρ/ρ 2013 [5], qui ouvre la voie à des méthodes de calcul puissantes.
0,86.C N’oublions pas que les progrès intervenus à partir des années
δi 1970 firent suite à l’introduction d’outils de simulation électroma-
gnétiques performants (codes d’interaction, basés sur une descrip-
tion classique du champ électromagnétique). Quoiqu’il en soit,
on sait à présent que pour un TWT à hélice optimisé en rendement
(tel celui utilisé par l’industrie spatiale) et fonctionnant à
saturation :

Figure 1 – Déphasage entre l’onde RF couplée Ez, la modulation


ηint ≃ 5C ( ± 10 %) R
de courant di, l’onde de densité du faisceau dr/r et l’onde de vitesse alors que pour des tubes à très large bande (plusieurs octaves) :
du faisceau dv/v, lorsque la condition de synchronisme est respectée
(onde lente avec amplification) ηint ≃ 2,5C ( ± 10 %)

Que ce déphasage soit inférieur à 180 explique que les électrons L’explication théorique de ces formules n’est pas évidente, et il
sont davantage ralentis qu’accélérés (figure 1). est remarquable de constater que le premier coefficient de
Pierce, introduit dans une théorie « petits signaux », décrit très
Une limite du raisonnement saute aux yeux : pour que l’onde bien le comportement à saturation des TWT. Attention, il s’agit
gagne en énergie, il faut que le faisceau en moyenne ralentisse, ce du rendement d’interaction (PRF /Ik.Vk), et non pas le rendement
qui contredit le fait que la vitesse des électrons est en moyenne total (PRF /PDC), en général très supérieur (§ 1.4).
égale à v 0 . Que la présence d’harmoniques (générant une distor-
sion de l’onde plasma) ait été négligée va dans le même sens :
cette théorie permet de comprendre ce qui se passe à bas niveau, 1.2 TWT à hélice
mais elle est impuissante à quantifier le fonctionnement à
saturation. 1.2.1 Description d’un TWT à hélice
1.1.5 Fonctionnement à saturation Imaginée par Kompfner dès 1942, la structure la plus classique de
ligne à retard d’un TWT est une hélice. À quoi ressemble-t-elle ?
À bas niveau, le gain d’un amplificateur TWT est proportionnel à Imaginons un câble coaxial dont on déforme l’âme pour la rendre
la longueur L de la ligne : au fur et à mesure que l’on progresse le hélicoı̈dale, tout en conservant la masse électrique inchangée. Si la
long de celle-ci, les paquets d’électrons se forment tout en cédant déformation est faible, la propagation de l’onde dans ce milieu
un peu de leur énergie cinétique (sinon il n’y aurait pas d’amplifica- « pseudo-coaxial » reste proche d’un mode TEM, c’est-à-dire
tion). Peu à peu, leur ralentissement devient sensible et le faisceau, absence de coupure aux basses fréquences et vitesse de phase
en moyenne ralenti, s’écarte de la condition de synchronisme. Très peu dépendante de la fréquence. Mais, par rapport au mode TEM,
souvent, on compense cette perte de synchronisme en introduisant certaines lignes de champ électrique quittent l’âme hélicoı̈dale
en bout de ligne un taper, c’est-à-dire une modification du pas de pour se refermer sur l’âme (et non plus sur la masse), un peu plus
l’hélice (pour un TWT à hélice) qui maintient le synchronisme en loin : le champ électrique acquiert une composante longitudinale Ez.
ralentissant un peu plus l’onde. Si la déformation est importante, la composante Ez est renforcée, la
courbe de dispersion reste peu dispersive, mais les lignes de champ
Enfin, au fur et à mesure de l’amplification, la modulation se partant de l’hélice se referment essentiellement sur l’hélice. Le cylin-
creuse et les électrons se regroupent, mais passé un certain point dre métallique (le fourreau) conserve pour principale fonction de
leur étalement se stabilise aux alentours de 100 (sur 360 ). Incapa- blinder l’hélice et de fournir un pont thermique entre celle-ci et le
bles de se regrouper davantage, les électrons cèdent de moins en monde extérieur ; il doit de plus être transparent au champ magné-
moins d’énergie, tout en réabsorbant une partie croissante, jusqu’à tique pour permettre une focalisation du faisceau grâce à un focali-
ce qu’ils en absorbent autant qu’ils en cèdent : parvenu à satura- sateur situé à l’extérieur de l’enveloppe à vide.
tion, le tube cesse d’amplifier. C’est ici que la sortie RF du TWT
doit être située ; le processus de bunching est donc moins efficace La réalisation physique d’une hélice est compliquée, car pour
que dans un klystron, puisqu’à saturation les électrons les plus que le faisceau d’électrons puisse circuler sur son axe, elle doit
lents sont loin d’avoir une vitesse presque nulle ; de plus, la pro- être suspendue dans le vide. On l’obtient en bobinant sur un man-
fondeur de modulation est d’environ 1,4 contre 1,6 - 1,7 pour un drin un fil de métal réfractaire (tungstène ou molybdène). L’hélice
klystron, le maximum théorique étant de 2. Dernière différence par est maintenue en position par trois barreaux en céramique de
rapport aux klystrons, les électrons en sortie de ligne se divisent en faible permittivité (les « montants », en BeO ou en BN) qui s’inter-
deux populations : ceux qui ont été freinés (ils ont perdu entre 40 et calent, espacés de 120 , entre l’hélice et la paroi interne du fourreau
50% de leur vitesse initiale), et ceux qui n’ont pratiquement pas été cylindrique. L’ensemble hélice + montants + fourreau constitue la
freinés. ligne à retard du TWT (figure 2).

Dans les années 1950 à 1960, les chercheurs ont consacré beau- 1.2.2 Propagation de l’onde en l’absence
coup d’énergie pour décrire les TWT à saturation. Pierce a introduit
de faisceau
( )
un second coefficient QC QC = ωp2 / 4C 2ω 2 , lié à la charge
d’espace, et il a suggéré que le rendement
p d’interaction à satura- En théorie, en l’absence de faisceau, la bande passante d’un TWT
tion serait de l’ordre de h
pint = 8C. QC (d’autres ont proposé la for- à hélice est infinie. En pratique, bien sûr, il n’en est rien, même si
mule suivante : hint = 4C. QC (Cutler)). Influencés sans doute par le elle peut atteindre plusieurs octaves. Pour comprendre les lois qui
fonctionnement du klystron, Pierce et Cutler attribuaient la satura- gouvernent la propagation de l’onde le long de l’hélice (en
tion à la charge d’espace. Cependant si l’étalement du faisceau se l’absence de faisceau : vecteur d’onde k), mieux vaut procéder par
stabilise autour de 100 , c’est peut-être aussi parce que les étapes. L’outil le plus pédagogique est le diagramme de Brillouin

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Méthodes d’assemblage pour tubes


et dispositifs hyperfréquences

par Dominique DIEUMEGARD


Responsable du Laboratoire d’Analyses R
et Gérard LE CLOAREC
Direction Technique. Expert en Technologies
SBU Tubes et dispositifs hyperfréquences
Thales Electron Devices S.A.

1. Principaux matériaux à assembler et caractéristiques utiles ..... E 3 420 - 2


1.1 Principaux matériaux .................................................................................. — 2
1.2 Caractéristiques utiles pour les assemblages ........................................... — 3
2. Méthodes d’assemblage de pièces métalliques .............................. — 3
2.1 Brasage......................................................................................................... — 3
2.2 Assemblage par diffusion ........................................................................... — 5
2.3 Soudage électrique par points (par résistance électrique) ...................... — 5
2.4 Soudages argon-arc, miniplasma, par bombardement électronique
et par laser.................................................................................................... — 7
3. Scellement de pièces en verre ............................................................. — 9
3.1 Scellement direct ......................................................................................... — 9
3.2 Scellement avec interposition de verres de soudure ............................... — 9
3.3 Scellement avec les métaux ....................................................................... — 10
3.4 Scellement avec les céramiques ................................................................ — 10
4. Scellements céramique-métal .............................................................. — 10
4.1 Modes d’accrochage d’un métal ou alliage sur une céramique.............. — 10
4.2 Principaux procédés de scellement ........................................................... — 10
4.3 Comparaison des trois procédés................................................................ — 12

es éléments entrant dans la fabrication de systèmes électroniques tels que


L
p。イオエゥッョ@Z@。ッエ@RPPT@M@d・イョゥ│イ・@カ。ャゥ、。エゥッョ@Z@ウ・ーエ・ュ「イ・@RPQV

les composants, les tubes électroniques, etc., sont constitués de matériaux


conducteurs ou isolants (métaux ou alliages divers, verres, céramiques) et de
composés particuliers (émetteurs thermoélectroniques ou photoélectriques par
exemple). L’association de matériaux aux propriétés si différentes impose la
mise en œuvre de méthodes d’assemblage adaptées spécialement aux impé-
ratifs des industries électroniques. Certains de ces assemblages jouent un rôle
d’enveloppe assurant le maintien d’une atmosphère gazeuse bien définie
autour des éléments actifs des composants :
— pression ⭐ 10 –7 Pa dans la plupart des tubes électroniques ;
— pression de 10 –4 à 10 Pa de gaz neutres ou réducteurs : argon, hydrogène,
xénon, etc., dans d’autres types de tubes électroniques dits à décharge ;
— protection contre les atteintes de l’atmosphère ambiante pour les semi-
conducteurs.
L’objet de cet article est de décrire les procédés d’assemblage généralement
utilisés actuellement dans les productions de composants électroniques.
Certains procédés spécifiques aux semi-conducteurs et aux circuits intégrés,
non utilisables dans d’autres industries, ne seront pas abordés.

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M ÉTHODES D’ASSEM B LAGE POUR TUB ES ET DISPOSITIFS HYPERFRÉQUEN CES ____________________________________________________________________

1. Principaux matériaux
à assembler 5 000

Charge de rupture à la traction (MPa)


4 000 Tungstène fil de diamètre
tre 30 mm
µm
et caractéristiques utiles 3 000 Inconel
Acier inoxydable 304
2 000
Molybdène
Molybd fritté tige de diamètre
tre 3 mm
1 500
Tungstène tige de diamètre
tre 3 mm
1.1 Principaux matériaux
1 000
800
■ Matériaux conducteurs
600


Les principaux matériaux à assembler sont les aciers inoxydables 500
austénitiques et ferritiques ; le cuivre à haute conductivité 400 Nickel
électrique ; les alliages cupronickel (comprenant les monels) ; le fer 300 Tantale
non allié ; les alliages fer-nickel, fer-nickel-cobalt, fer-nickel-chrome ;
200 Niobium
le graphite conventionnel, les alliages Inconels, le molybdène non
allié, les alliages molybdène-rhénium, le nickel non allié, les nickels Fe-Ni-Co (Kovar)
150
alliés, le niobium, le tantale, le titane, le tungstène non allié, les allia- Titane
ges tungstène-rhénium, le zirconium. Cette liste n’est pas complète 100 Zirconium
et ne contient pas, entre autres, des métaux et alliages d’apport 80 Cuivre
pour brasages qui font l’objet du paragraphe 2.1.7. 60 Graphite polycristallin
50
■ Matériaux isolants 40
Les principaux sont les alumines frittées à teneur en Al2O3 de 93 30
à 98 % ou supérieure à 99 %, la forstérite, la glucine (oxyde de
béryllium), la magnésie, le saphir, la stéatite, les verres durs et ten- 20
dres, le nitrure de bore, le diamant. 15

0
0 500 1 000 1 500 2 000 2 500
Température (°C)

10
Allongement relatif ∆L /L (en 10– 3)

Figure 2 – Charge de rupture à la traction des métaux à l’état adouci


Acier inoxydable 304 en fonction de la température
Cuivre
9
Nickel
(0)
Inconel
8 Fer Tableau 1 – Température de fusion (liquidus)
Ferronickel (49 % Ni) des matériaux conducteurs
7 Titane Température
Fe-Ni-Co (Kovar) Matériau conducteur
(oC)
6 Aciers inoxydables austénitiques 18/8 à 18/12..... 1 499
Acier inoxydable ferritique à 17 % de chrome ..... 1 505
5
Cuivre à haute conductivité électrique.................. 1 083
Cupronickel (70 % Cu – 30 % Ni) :.......................... 1 230
— Monel.................................................................. 1 300
4 — Monel 404........................................................... 1 350
— Monel K500 ........................................................ 1 315
Fer non allié............................................................. 1 537
3 Niobium Fer-nickel (52 % Fe – 48 % Ni) ................................ 1 448
Zirconium Fer-nickel-cobalt...................................................... 1 450
2 Tantale Fer-nickel-chrome (42 % Ni – 6 % Cr) .................... 1 450
Molybdène
Molybd Inconel (76 % Ni – 16 % Cr – 7 % Fe) ..................... 1 395
Tungstène Molybdène non allié ............................................... 2 625
1
Graphite polycristallin Molybdène à 50 % de rhénium.............................. 2 550
Nickel non allié........................................................ 1 453
0 Niobium ................................................................... 2 465
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1 000 Tantale ..................................................................... 2 996
Température (°C) Titane ....................................................................... ≈ 1 670
Tungstène non allié ................................................ ≈ 3 390
Tungstène à 3 % de rhénium ................................. 3 360
Figure 1 – Allongement thermique des métaux Zirconium ................................................................ 1 850
en fonction de la température

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___________________________________________________________________ M ÉTHODES D’ASSEM B LAGE POUR TUB ES ET DISPOSITIFS HYPERFRÉQUEN CES

1.2 Caractéristiques utiles


pour les assemblages 3 000

Charge de rupture
à la compression (MPa)
2 500
Lors de la description des différentes méthodes d’assemblage, il
sera fait appel à certaines propriétés comme la température de 2 000 A l um
fusion, l’allongement thermique et la charge de rupture ; ces pro- in e à
99 %
priétés sont rappelées par les courbes des figures 1, 2, 3 et 4 et les 1 500
Alum
tableaux 1 et 2. ine à
1 000 95 %
(0)
Oxyd
Stéatite, e de b
é r y ll i u m
500 forstérite
Tableau 2 – Températures limites d’utilisation et de fusion


de quelques matériaux isolants 0
0 500 1000 1500
Te m pé rature Température (°C)

lim ite a à la compression


M até riau m ax im ale de fusion
d’utilisation (oC) 500

Charge de rupture
à la traction (MPa)
(1) (oC)
400
Alum ine fritté e (te ne ur e n Al 2O 3 : 93 à 98 % ) .. 1 650 à 1 700
S a p h ir
Alum ine fritté e (te ne ur e n Al 2O 3 >99 % ) ......... 1 725 2 000 à 2 050 300
Alumine à 99 %
Forsté rite ............................................................... 1 400 1 890
200
Gluc ine (te ne ur e n B e O : 93 à 98 % ) ................. 1 700 Alumine à 95 %
Gluc ine (te ne ur e n B e O >99 % ) ........................ 1 850 2 570 100
Forstérite, oxyde de bé
Saphir .................................................................... 1 800 2 050 ryllium, st
éatite
0
(1) En atm osphè re non ré duc tric e , e n l’abse nc e de toute c ontrainte . 0 500 1000 1500
Température (°C)

b à la traction

10
Allongement relatif ∆L /L (en 10– 3)

Figure 4 – Charge de rupture des céramiques


en fonction de la température
9

8
2. Méthodes d’assemblage
7
de pièces métalliques
%
0
,5

6 2.1 Brasage
99
et
e

96
rit

à

5
um

Le brasage est un procédé de jonction consistant à faire péné-


rs
Fo

lli

trer un métal ou un alliage d’apport à l’état fondu entre deux piè-


ry

ces à solidariser, celles-ci restant à l’état solide pendant l’opération


4
de

(dans la suite du texte et afin d’alléger la rédaction, le terme de


s
de

métal d’apport pourra désigner également un alliage d’apport).


xy
,o

3
it e
at

La pénétration ne se fait correctement que si le métal d’apport



,s

mouille suffisamment les pièces à braser donc si l’angle de


%

2 mouillage est petit entre ces éléments ; cela implique que ceux-ci
98
à

93
se combinent partiellement pour former une solution solide ou
e s bien un composé intermétallique. Un métal d’apport doit donc être
1 in sélectionné soigneusement, parmi les matériaux possibles, d’après
um
Al sa température de fusion et son aptitude à former des alliages avec
les éléments à braser, et cela indépendamment d’autres caractéris-
0
tiques nécessaires pour l’utilisation particulière qui est envisagée :
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1 000
qualités mécaniques, électriques, chimiques, résistance à la corro-
Température (°C) sion, etc. Les métaux d’apport sont dits pour brasage tendre (ou
soldering en anglais) ou pour brasage fort (ou brazing en anglais)
Figure 3 – Allongement thermique des céramiques suivant que leur température de fusion est inférieure ou supérieure
en fonction de la température à 450 oC. Les points importants à prendre en considération pour un