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Chapitre 6

Notions d’électronique
numérique
Triode

Poids : 100 g
Consommation : 20 W
Volume : 40 cm3
Triode

ddp 200 V

- +
Filament
de
chauffage

Cathode Grille Anode


Silicium

IVA
He
B C N O F Ne
Si
Ge
Sn
Pb
Silicium pur - Isolant
Silicium dopé n

VA
He
B C N O F Ne
Si P
As
Sb
Bi
Silicium dopé n
Silicium dopé p

III A
He
B C N O F Ne
Al Si
Ga
In
Silicium dopé p
Jonction pn
Transistor MOS

Al SiO2

N N

Métal – Oxyde - Silicium


Transistor MOS – Canal N
+
- +

+++++
------
N N

P
Transistor MOS – Canal N
+
- +

+++++
N ------ N

e-

P
Transistor MOS bloqué (flat band)
Transistor MOS passant (inversion)
Transistor MOS saturé
Transistor MOS
Transistor MOS – Intégration

Transistor 1 Transistor 2

Circuit intégré
Transistor MOS – Intégration
Transistor MOS – Intégration
Fabrication du silicium pur

SiO2 + 2 C -> Si + 2 CO

Si + 2 Cl2 -> Si Cl4

Si Cl4 + 2H2 -> Si pur + 4 HCL


Fabrication du silicium pur
Transistor MOS – Intégration
Transistor MOS – Intégration
Transistor MOS – Fabrication

1 4

2 5

3 6
Transistor MOS – Fabrication

7 8

8 9
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuit intégré
Transistor MOS

Utilisation en
électronique numérique
= Interrupteur
Transistor MOS

Boole + Shannon

Faire des calculs avec des
interrupteurs
Circuit logique NON

+5 V
Entrée

0V Sortie

NON (NOT)

Entrée Sortie
0 1
1 0
Circuit logique ET

+5 V Sortie

ET (AND)
Circuit logique ET
1
0
0
0
0
0

1
0
1
0

1
1

A B Sortie
0 0
0
1 0
0 0
1
1 1
Circuits logiques
A

+5 V Sortie

B
OU (OR)

A B Sortie
0 0
0
1 1
0 1
1
1 1
Circuits logiques

A
Sortie

NON OU (NOR)

A B Sortie
0 1
0
1 0
0 0
1
1 0
Circuits combinatoires

NON, ET, OU, OU Exclusif, …


Sortie(V,W,X,..) = f(A,B,C,…)

Pas de dépendance de l’état antérieur


=
Pas de dépendance du temps
Algèbre de Boole
Relations fondamentales
OU ET
Elément neutre a+0=a a.1=a
Elément absorbant a+1=1 a.0=0
Idempotence a+a=a a.a=a
_ _
Inverse a+a=1 a.a=0
Commutativité a+b=b+a
Algèbre de Boole
OU ET

Commutativité a + b = b + a a.b=b.a
Associativité a+(b+c) = (b+a)+c a.(b.c) = (a.b).c
Distributivité a+(b.c)=(a+b).(a+c) a.(b+c) = (a.b)+(a.c)
Théorèmes de ____ _ _ ____ _ _
Morgan a+b=a.b a.b=a+b
Formules _
diverses a + a.b = a a + (a.b) = a + b
Méthode de Karnaugh
But : Exprimer sous la forme d’une
combinaison de ET et de OU une fonction

_ _
Exemple : f(a,b,c,d) = a + b .c +d
Méthode de Karnaugh

Exemple : f(a,b) = connu


Décomposition en ET et OU ?
_ _ _ _
a b f a .b a .b a .b a .b
0 1 0 0 0 1
0
1 0 0 0 1 0
0 1 0 1 0 0
1
1 1 1 0 0 0
_ _ _
f(a,b) = a.b + a.b + a.b
Circuit combinatoire

E1 S1
E2 S2
N entrées M sorties

En Sm

Tout système combinatoire binaire


peut être décomposé
en fonctions ET, OU, NON
Circuit combinatoire

Tout système combinatoire binaire


peut être décomposé
en fonctions ET, OU, NON


Réalisé avec des transistor MOS
Circuits séquentiels

R Q

Q
S

Bascule RS
Bascule RS – Ecriture 1

R Q

Q
S

S=1 => Q = 0
R=0
Bascule RS – Ecriture 2

R Q

Q
S

S=1 => Q = 1
R=0
Bascule RS – Mémorisation

R Q

Q
S

Changement d’état ne modifie


pas la sortie

= Mémorisation du
passage à 1
Bascule RS – Effacement

R Q

Q
S

S=0 => Q = 0
R=1
Circuits séquentiels

Sortie(V,W,X,..) = f(A,B,C,…, états antérieurs)

Dépendance des états antérieurs


=
Dépendance du temps
Circuits logiques

11 S3
10 S2
A 01 S1
00 S0
B

Décodeur
Circuits logiques

Instructions lues
dans la mémoire 1111 1111 Lecture clavier
programme
1111 1110 Ecriture en
mémoire
….

0000 0001 Diviseur


0000 0000 Additionneur

Décodeur d’instructions
Circuits logiques

11
E3
A 10
E2
B 01
E1
00
E0

Encodeur
Circuits logiques

+ A+B
Nombre
B
binaire

Nombres binaires

Additionneur
Circuits logiques

E
S
Nombre
binaire
Horloge
0000 0000
0000 0001
0000 0010
0000 0011
0000 0100
Compteur
Mémoire

0 0110 0010
1 1111 0000
Lecture
2 0010 1010
3 1110 1110
Ecriture
4 1000 0001
5 0001 0010

Contenu

n° de la case mémoire
= Contenu de « l’adresse 5 » : 18
Adresse
Mémoire - Fonctionnement
Commande 2 fils

Ecriture Lecture

0110 0010
1111 0000
0010 1010
1110 1110 Bus de données
Bus d’adresses 16 fils
1000 0001 8 fils

0001 0010

Contenu =
n° = choix de la case
1 nombre binaire
16 bits = 65536 n° de case
de 0000 0000
Taille = 64K
à 1111 1111
Mémoire - Lecture
0 1
Ecriture Lecture

0110 0010
1111 0000
0010 1010
1110 1110
5 = 0000 0000 0000 0101 0001 0010
1000 0001
0001 0010
Sur le bus de
Adresse = choix de la case données :
le contenu de la
case
mémoire
Mémoire - Ecriture
1 0
Ecriture Lecture

0110 0010
0101 1010
0010 1010
1110 1110 0101 1010
1 = 0000 0000 0000 0001
1000 0001
0001 0010
Sur le bus de
Adresse = choix de la case
données :
valeur à écrire
dans la case
Systèmes programmables

Manivelle

Accord 1
Accord 2
Accord 3
Accord n

Orgue de Barbarie
Systèmes programmables

0110 0010
1111 0000
0010 1010
1110 1110 Action
Clock 1000 0001
(2 GHz)

Décodeur
Compteur
d’instructions
Mémoire
programme

Système programmable
simple
Systèmes programmables

0110 0010 Décodeur


Compteur
d’instructions
1111 0000
0010 1010
1110 1110
Clock 1000 0001
(2 GHz)
Saut

Modification de l’adresse suivante

Système programmable avec saut


Machine von Neumann

2
+ 5
7

2
7
12
17

Calcul répétitif
Machine von Neumann

Mémoire
programme + données

0 0110 0010 Additionneur


1 0000 0010 activé
Décodeur
2 0000 0101 d’instructions
Compteur 0 3 1110 1110
0110 0010
4 0000 0000
= ADD
Machine von Neumann

Mémoire
programme + données
Additionneur
0 0110 0010
1 0000 0010 0000 0010
2 0000 0101 Décodeur 1er
d’instructions opérande
Compteur 1 3 1110 1110
0000 0010 (mémorisé)
4 0000 0000
Machine von Neumann

Mémoire
programme + données
Additionneur
0 0110 0010
1 0000 0010 0000 0010
2 0000 0101 Décodeur + 0000 0101
d’instructions Résultat
Compteur 2 3 1110 1110
0000 0101 0000 0111
4 0000 0000
Machine von Neumann

Mémoire
programme + données
Additionneur
0 0110 0010
1 1 0000 0010 Résultat
Décodeur
2 0000 0101 d’instructions 0000 0111
Compteur 3 1110 1110
4 0000 0000

Prise de contrôle
du bus d’adresse
Machine von Neumann

Mémoire
programme + données
Stockage du
Additionneur
0 0110 0010 résultat
1 1 0000 0111 Résultat
Décodeur
2 0000 0101 d’instructions 0000 0111
Compteur 3 1110 1110
4 0000 0000
Machine von Neumann

Mémoire
programme + données

0 0110 0010
1 0000 0111
Décodeur
2 0000 0101 d’instructions
Compteur 3 3 1110 1110
1110 1110
4 0000 0000
= SAUT

Reprise en
séquence
Machine von Neumann

Mémoire
programme + données

0 0110 0010
1 0000 0111
Décodeur
2 0000 0101 d’instructions
Compteur 4 3 1110 1110
0000 0000
4 0000 0000 Adresse de
saut

0000 0000
Modification du
compteur programme
Machine von Neumann

Mémoire
programme + données

0 0110 0010 Additionneur


1 0000 0111 activé
Décodeur
2 0000 0101 d’instructions
Compteur 0 3 1110 1110
0110 0010
4 0000 0000
= ADD

Boucle
Architecture von Neumann

Mémoire
Programme et
données

Contrôle Entrées-sorties

Unité arithmétique
et logique
Du clavier à l’écran
10 colonnes = 10 fils
3 lignes = 3 fils

A Z E R T Y U I O P
Q S F G H J K L M %
W X C V B N ? ; : !

Clavier simplifié
Du clavier à l’écran

1 0 0 0 0 0 0 0 0 0

A Z E R T Y U I O P
1

Q S F G H J K L M %
0
0

W X C V B N ? ; : !

0011000000000
Du clavier à l’écran

0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Du clavier à l’écran
Clavier

Lecture
Lecture clavier 0011000000000

Si 0, on boucle
Sinon
Conversion nombre clavier en ASCII
Stockage en mémoire de travail
010000001
Conversion en caractère affichable
Stockage dans la mémoire video 0
0
0
0
0 0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Boucle 0
0
0
0
1 0
1 1
0
1
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Avantages du transistor MOS
TAILLE
Etching 0,1 µm => longueur = 0,4 µm
largeur = 0,1 µm
surface = 0,04 µm 2
densité = 25 millions par mm 2

1 transistor
4 x 0,1 µm
Avantages du transistor MOS
COMPLEXITE

CPU : 10 x 10 mm
Jusqu’à 2,5 milliards par puce
( 500 millions en pratique )

FABRICATION
PLAN => facile par masques ou epitaxie
Avantages du transistor MOS
EVOLUTION

Etching / 2
⇒ Densité x 4

0,2 µm

0,04 µm2
0,2 µm

0,1 µm
0,1 µm

0,01 µm2
Avantages du transistor MOS

Evolution des processeurs Intel

80386 1,5 µm
80486 1 µm
Pentium 0,7 µm
Pentium Pro 0,5 µm
Pentium II 0,35 µm
Pentium III 0,25 µm
Avantages du transistor MOS

Evolution des processeurs Intel

Pentium IV G1 0,18 µm
Pentium IV G2 0,13 µm
Pentium IV G3 0,1 µm
Itanium 0,07 µm
Avantages du transistor MOS
Comparaison avec la triode

VOLUME

Volume = 0,04 µm2 X 1 mm


= 4 10-11 cm3

Rapport = 40 10-11/40 = 10-12

1 / 1000 Milliards
Comparaison avec la triode

MASSE

Masse = 4 10-11 cm3 x 4 g


= 1,6 10 -10 g
Rapport = 1,6 10-10/100 = 1,6 10-12

1 / 600 Milliards
Comparaison avec la triode

CONSOMMATION

Consommation = 10-9 Watt

Rapport = 10-9/20 = 5 10-11

1 / 20 Milliards
ENIAC pesait 30 tonnes.
Disposé en une sorte de U
de 6 mètres de largeur
par 12 mètres de longueur
Elle consommait 200 kilowatts quand
elle était en marche
835 grammes