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I.- OBJETIVOS
EL JFET
El JFET está constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una
barra o anillo de silicio tipo P tal como se muestra en la Fig. A
También se construyen JFET’s con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N,
denominándose “JFET canal P”.
Entre Drenador y surtidor, el valor óhmico exclusivamente del material del canal. Su
valor varía entre 2K y 10K, siendo el mismo en ambos sentidos.
Un transistor 2N3904
Un JFET K373
Potenciómetro de 10KΩ.
IV.- PROCEDIMIENTO
MEDICION DE IDSS Y VP
c
IG 0 mA
VALOR
x
MAGNITUD
MEDIDO
D2
RV1(3) LED-BIRG VDS 9.9 V
V=-2.49997 D2(A2)
V=9.94586
VGS -2.5 V
RV1
Q2 VGD 12.9 V
2N3819
IS 0 mA
B2
5V
10k c ID 0 mA
V=0
IG 0 mA
Arme el siguiente circuito, ubique en forma adecuada los instrumentos tal que pueda
medir ID y VGS; encienda las fuentes y anote los valores de ID y VGS así también VDS.
De ser posible cambie el transistor con otra mesa y anote las nuevas medidas.
R2
2k
Q3(D)
V=8.17321 VALOR VALOR
MAGNITUD
R1(1) MEDIDO CALCULADO
V=-0.69799 Q3 VDS 8V 6.13V
k373
VGS -0.7V -0.7V
AUTOPOLARIZACION
Todo circuito debe ser armado con las fuentes apagadas previamente ajustadas al
valor dado en el diagrama.
VALOR VALOR
MAGNITUD
MEDIDO CALCULADO
VDS 5.8 V 5.23 V
IS 2 mA 2.3 mA
ID 2.3 mA 2.3 mA
IG 0 mA 0 mA
Q4(G) Q4
V=0.00200767
k373
Q4(S)
V=0.550568
R5 R4
1M 270
VGS = - ID. RS
Eligiendo ID = 4 mA
Tenemos: VGS = - (4 mA) (270)
VGS = - 1.1 V
IDQ = 2.3 mA
VGSQ = - 0.65 V
Tenemos además que ID = IS
VDS = 10V – (ID) (RD+ RS)
VDS = 10V – (2.3 mA) (1800+270)
VDS = 5.23 V
VD = 10V – (2.3 mA) (1800)
VD = 5.86 V
VG = 0V
VGD = VD – VG = 5.86 V – 0 = 5.86 V
Arme el circuito mostrado y haga las medidas de ID así como las tensiones en los
diferentes nudos y puntos del circuito.
V=2.48088
100k 270
R8(2)
Q5(D)
V=9.45283
Q5
k373
Q5(S)
V=3.03147
R7 R6
33k 1.5k
VG = 2.48 V
IDQ = 2.1 mA
VGSQ = - 0.7 V
VDS = 6.28 V
VD = 9.43 V
VG = 2.48V
Arme el circuito mostrado y realice las medidas de ID, IC y las tensiones entre
terminales de los dispositivos (JFET Y BJT) así como en los demás puntos del circuito.
R12
470
Z1(D)
V=9.07296
Z1(G)
V=1.00785e-06
Z1
k373
Z1(S)
V=0.985564
Q6
R10 2N3904
100k
R11
4.7k
R11(2)
VGD 8.3 V 9V
IS 1.97 mA 1.97 mA
ID 2 mA 1.97 mA
IG 0 mA 0 mA
VE = -10V - (-0.7V)
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0
VE = - 9.3 V
Luego IE = (9.3V)/(4.7K)
IE = 1.97 mA
Además: IE = IC = ID = IS
Usando el valor de ID = 1.97 mA, se puede determinar el valor VGS mediante la gráfica
mostrada en papel milimetrado.
VGS = - 0.80 V
VC = VB – VGS = 0 V – (-0.80V)
VC = 0.8 V
VDS = 8.27 V
VGD = VD – VG = 9 V – 0 V = 9 V
V.- CUESTIONARIO
La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de que el BJT es
un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo
controlado por voltaje. En otras palabras, la corriente IC es una función directa del nivel
de IB. Para el FET la corriente ID será una función del voltaje VGS aplicado a la entrada
del circuito.
La semejanza que hay entre el JFET y un transistor bipolar es que ambos dispositivos
tienen tres terminales de conexión externas, ambos tiene dos diodos internos con una
barrera de potencial de 0.7 V y ambos tienen tres regiones de interés. Además ambos
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pueden amplificar una señal de entrada y son dispositivos de control de corriente IC ó
ID.
El JFET tiene una impedancia de entrada casi infinita, pero el precio que se paga por esto
es una pérdida de control sobre la corriente de salida. En otras palabras, un JFET es
menos sensible a cambios de voltaje de entrada que un transistor bipolar. En casi
cualquier FET un cambio en VGS de 0.1 V produce una variación de la corriente de
Drenador menor que 10 m. Pero en un transistor bipolar el mismo cambio en VBE
produce una variación en la corriente de salida mayor que 10 mA.
¿Qué significa esto? Significa que un amplificador JFET tiene mucha menor ganancia de
voltaje que un amplificador bipolar. Por esta razón la primera regla de diseño que
gobierna a los dispositivos es ésta: utilice bipolares para ganancia de voltaje alta y
emplee JFET para alta impedancia de entrada.
Cuando un receptor se sintoniza de una estación débil a una estación fuerte, la bocina
produce un sonido muy intenso a menos que el volumen se reduzca inmediatamente. O
el volumen pueda variar debido a un desvanecimiento, una variación en la fuerza de la
señal causada por un cambio eléctrico en la trayectoria entre las antenas de recepción
y transmisión. Para evitar cambios no deseados en el volumen, la mayoría de los
receptores utilizan control de ganancia automática (CGA).
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6.- Analizar la gráfica obtenida ID = f (VGS) y determine el valor de IDSS y VP
En la gráfica se puede observar que cuando el voltaje VGS = 0 se tiene una corriente
máxima de Drenador de 4.78 mA. Además mientras se aumenta el voltaje negativo de
compuerta la corriente de Drenador va disminuyendo tal como se puede observar en la
gráfica en papel milimetrado mostrado. Cuando el voltaje negativo de compuerta está
en –1.6 V se tiene una corriente de 0 mA.
IDSS = 4.7 mA
Y VP = -1.6 V
ANEXO
IDSS = 4.78 mA
VP = -1.6 V
VGS(V) ID(mA)
-1.6 V 0 mA
- 1.5 V 0.02 mA
- 1.4 V 0.08 mA
- 1.3 V 0.20 mA
- 1.2 V 0.37 mA
- 1.1 V 0.56 mA
-1V 0.77 mA
- 0.9 V 1.18 mA
- 0.8 V 1.38 mA
- 0.7 V 1.70 mA
- 0.6 V 2.30 mA
- 0.5 V 2.44 mA
- 0.4 V 2.85 mA
- 0.3 V 3.28 mA
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3
- 0.2 V 3.78 mA
- 0.1 V 4.26 mA
0V 4.78 mA
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