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LES MATERIAUX SEMICONDUCTEURS

Rapport rédigé sous la responsabilité de

Michel LANNOO, Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord


Département I.S.E.N. Cité Scientifique - 59652 Villeneuve d'Ascq

CONTRIBUTION DE

FAURIE Jean-Pierre (CRHEA-CNRS Valbonne)


LES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS

Ce document comporte deux parties, une présentation générale ainsi que des annexes sur les
thèmes suivants :
• semiconducteurs à large bande interdite, non linéarités optiques dans
les semiconducteurs et microcavités optiques, nanophysique,
nanotechnologies, microélectronique silicium, microsystèmes, rapport
de conjoncture de la 08.

L’importance croissante des semiconducteurs au niveau mondial est liée au fait que ces
matériaux forment la base de la révolution technologique de ces quarante dernières années dans
le domaine de l’électronique qui, au sens large, représente le marché mondial le plus important à
l’heure actuelle en même temps que celui qui bénéficie de la croissance la plus rapide. Elle
couvre des domaines industriels très divers : informatique, télécommunications, automobile,
branche grand public, applications militaires et spatiales ....
Dans ce marché, la part semiconducteurs est de l’ordre de 10 %, soit actuellement plus de 60
milliards de dollards. Le matériau de base est le silicium, la part relative des semiconducteurs
composés présentant une tendance à la hausse.

I DEFINITION ET LIMITES DU DOMAINE

Les matériaux semiconducteurs interviennent principalement en microélectronique


(dominée par le silicium), dans les domaines radiofréquences et hyperfréquences ainsi qu’en
optoélectronique. De nouvelles disciplines se sont développées récemment, grâce aux progrès
des technologies de la microélectronique : microsystèmes et micromécatronique, couplant
capteurs, micromoteurs , actionneurs et microélectronique.

Une caractéristique essentielle de la microélectronique silicium est la tendance à


l’intégration croissante, répondant à la loi de Moore (croissance exponentielle du nombre de
composants par plaquette), vérifiée depuis 30 ans. En production industrielle on atteint déjà des
densités de l’ordre de 10 millions de transistors par plaquette, correspondant à une longueur de
canal de 0.35 µm. Par ailleurs, des MOS de longueur de canal trente fois plus petite et
fonctionnant à très basse température ont déjà été réalisés en laboratoire. Dans ce contexte il est
couramment admis que la tendance actuelle, représentée par la loi de Moore, devrait pouvoir se
poursuivre au moins pendant une dizaine d’années. Par la suite, elle se heurtera à un mur
constitué à la fois des limites physiques et économiques (coût prohibitif des unités de
fabrication). Pour franchir cet obstacle il y a donc nécessité d’une révolution technologique.
Celle-ci aboutira forcément à la nanoélectronique, domaine où non seulement les composants
seront de taille nanométrique mais où les procédés de fabrication, d’interconnexions,
d’architecture de circuits... seront totalement différents.

Le développement des semiconducteurs ne va pas se limiter à un seul aspect. Dans le


passé les applications radiofréquences et hyperfréquences ont été stimulées par les besoins
militaires. L’accent est plutôt mis maintenant sur des applications commerciales telles que les
téléphones cellulaires, la réduction en taille des dispositifs, l’amélioration de la qualité de
transmission, l’accroissement de puissance et de portée ... Dans ces domaines, on voit
apparaître des matériaux tels que GaAs, InP, SiC ..., présentant chacun des avantages
spécifiques. En optoélectronique, les semiconducteurs composés sont utilisés pour la
fabrication des diodes laser pour l’optique non linéaire et jouent un rôle essentiel dans la
modulation rapide de la lumière. Dans tous les cas, on assiste à une réduction des dimensions
avec des effets de quantification de plus en plus marqués.

Les limites du domaine ne peuvent être marquées nettement. Tout d’abord, les progrès
ne se limitent pas aux seules applications mais permettent en même temps des avancées très
importantes en physique fondamentale (ex : effet Hall quantique). Par ailleurs, les composants
du futur seront de plus en plus basés sur des couplages entre semiconducteurs et matériaux de
nature différente : métaux normaux ou supraconducteurs, matériaux magnétiques, diélectriques
divers, molécules, systèmes biologiques ... La maîtrise des interfaces correspondantes se
révèlera essentielle. Ceci implique des approches pluridisciplinaires en collaboration avec des
chimistes, biologistes, microélectroniciens, informaticiens.

II DIFFERENTS SEGMENTS DU DOMAINE

Nous indiquons ci-dessous un certain nombre de secteurs-clés (les recherches à plus long terme
sont repérées par le signe *) :

• Circuits intégrés silicium


Elaboration et caractérisation de matériaux diélectriques très minces (<5nm) pour le contrôle de
grille - conditions d'élaboration et propriétés de jonctions très peu profondes (<10nm) -
problèmes liés à l'électromigration (rupture des connexions métalliques) - fiabilité de mémoires
à petit nombre d'électrons et difficultés liées aux fluctuations quantiques* - problèmes
d'isolation et de dislocations induites, par exemple, par les contraintes dues au film diélectrique -
croissance et attaque chimique ou par plasma de films - progrès dans les techniques de
lithographie - possibilité d'interconnexions optiques* - silicium optoélectronique*.

• Matériaux à large bande interdite


Ces matériaux revêtent un intérêt majeur pour l'optoélectronique (certains II-VI comme ZnSe,
le diamant et le SiC malgré un gap indirect, les nitrures comme GaN, InN, AlN permettant de
couvrir une grande gamme spectrale). Un autre domaine d'application est la microélectronique
en milieu hostile et l'électronique de puissance. Les difficultés à vaincre sont liées à des
problèmes typiques de matériaux : méthodes de croissance réduisant les défauts natifs - choix
du substrat - contrôle de dopage - utilisation pour composants hyperfréquences et
optoélectroniques.
• Hétérostructures et superréseaux
avec applications aux composants hyperfréquences, à l'optique (en particulier non linéaire) et à
l'optoélectronique. Les efforts doivent continuer à tendre vers une meilleure maîtrise des
couches, en particulier pour les couches sous contrainte où il faut éviter l'apparition de
dislocations (par exemple par croissance métamorphique). Les composés III-V, d’importance
stratégique, restent les meilleurs candidats pour atteindre des performances ultimes en
hyperfréquences. Par contre, il est nécessaire de poursuivre les études sur SiGe de manière à
prolonger les résultats remarquables déjà obtenus avec ce matériau. Sur le plan de l'optique, il
faut poursuivre les avancées sur les microcavités optiques, réflecteurs de Bragg
semiconducteurs ou diélectriques et les matériaux à bande interdite photonique.

• Nanoélectronique et nanophysique
Il s'agit ici d'une recherche à long terme sur l'élaboration et la caractérisation des matériaux de
base de l'électronique du futur. Il est essentiel de soutenir les thèmes suivants (liste non
limitative) :
- Réalisation de composants monoélectroniques : mémoires, transistors*,...
- Lithographie à l'échelle nanométrique : X, électrons, STM
- Application des techniques de champ proche à la caractérisation et la fabrication de
nanosystèmes*.
- Dépôt de couches autoorganisées sur semiconducteurs : couches moléculaires greffées,
formation de fils et boîtes quantiques et de réseaux 3D de cristallites ; application au
silicium optoélectronique*.
- Couplage des semiconducteurs avec des molécules organiques ayant une certaine
fonctionnalité ou avec des molécules biologiques*.
- Interface semiconducteur avec diélectriques supraconducteurs ou matériaux
magnétiques, application à de nouveaux composants (ex : transistors de spin)*.
- Interrupteurs et mémoires mécaniques de taille moléculaire ou atomique*.
- Utilisation des propriétés remarquables des fullerènes, tubules et autres formes de
carbone*.

• Micro et nanocomposants non électroniques


Ce domaine est en plein essor avec les dispositifs micro-électro-mécaniques MEMS, ou même
micro-opto-électro-mécaniques MOEMS (capteurs de pression, accéléromètres,
micromoteurs), les dispositifs de microfluidique (micro-pompes, microvalves...), les capteurs
chimiques ou biochimiques ainsi que les microdispositifs optiques. Les réalisations ont
bénéficié des technologies mises au point pour la microélectronique. Là aussi, les aspects liés
aux caractéristiques des matériaux semiconducteurs en couches minces sont essentiels. L'avenir,
ici, réside dans l'élaboration de nouveaux types de composants, de systèmes dits intelligents,
dans la recherche d'applications spécifiques. Dans un futur beaucoup plus lointain, on peut
prévoir une évolution vers la réduction de dimensions jusqu'à l'échelle nanométrique*.
L'association avec des systèmes issus de la nanoélectronique conduirait alors à des possibilités
de micro et nanorobotique**.

• Semiconducteurs non conventionnels


Certains matériaux semiconducteurs synthétisés dans des Laboratoires de Chimie peuvent
présenter des propriétés extrêmement intéressantes. C'est le cas par exemple des Skutteridites
pour la thermoélectricité (voir Meeting APS 1996). Un autre aspect que l'on peut citer est
représenté par les chalcogénures d'étain et d'antimoine qui présentent un intérêt pour les
microbatteries ainsi que pour l'optoélectronique infrarouge. Dans tous ces cas, des études
physico-chimiques couplées sont indispensables afin d'optimiser le matériau par rapport aux
propriétés désirées.Un autre aspect concerne les polymères semiconducteurs dont des résultats
récents ont montré les possibilités d'utilisation pour l'électroluminescence, la réalisation de
transistors.
• Modélisation
Le domaine des composants, microélectroniques ou non, bénéficie depuis longtemps de l'apport
des techniques de simulation. Celles-ci sont souvent basées sur la résolution d'équations
macroscopiques et incorporent une représentation simplifiée du matériau en termes de
paramètres (masse effective, coefficients de diffusion...). Les progrès des techniques de calcul
vont rendre ces approches de plus en plus réalistes, les processus microscopiques (ex : barrières
pour la diffusion) et la structure de bandes réelle pouvant être mieux décrits. Les codes
numériques obtenus pourront être incorporés dans la description du fonctionnement des
composants réels. Les efforts de modélisation-simulation devront aussi porter sur les
techniques de réalisation de dispositifs : croissance, implantation et gravure.

Enfin, la réduction de taille des composants (tendant vers l'échelle nanométrique), combinée au
progrès incessant des possibilités de calcul commencent à rendre possible l'application directe
de méthodes "ab initio" de la mécanique quantique à des systèmes réels. Beaucoup de travail
reste à faire dans ce domaine, qui doit permettre à terme de prévoir et d'ajuster a priori les
propriétés physiques de certains types de composants élémentaires.

III CONTEXTE SCIENTIFIQUE INTERNATIONAL

Il est clair que la France a pris du retard dans plusieurs domaines stratégiques impliquant
les semiconducteurs par rapport aux deux géants que sont les Etats-Unis et le Japon. En ce qui
concerne le silicium, la recherche technologique se fait principalement dans les grands groupes
industriels mais ceux-ci se préoccupent aussi de recherche très avancée telles les mémoires à un
électron. On voit de plus en plus d'appels de dirigeants de ces sociétés insistant sur la nécessité
et le manque d'études fondamentales dans les Laboratoires Universitaires concernant le matériau
silicium, son oxyde, etc... ce qui est paradoxal vu son importance évidente. Ce phénomène est
encore plus accusé en France.

La France a aussi démarré avec un certain retard d'ensemble les études sur les
semiconducteurs à large bande interdite où les premiers succès (diodes électroluminescentes
dans le bleu, écrans plats) ont été obtenus à l'étranger, en particulier au Japon. Fort
heureusement un effort significatif a été accompli récemment, en particulier sur les II-VI et les
nitrures. Il en est de même pour le SiGe où de nombreux résultats ont été acquis par exemple
chez IBM et où un potentiel important existe en Allemagne alors que peu de nos laboratoires s'y
sont engagés.

Par contre, la France tient une place respectable dans les aspects relatifs aux
hétérojonctions, superréseaux, boîtes et fils quantiques III-V ainsi que leurs applications aux
hyperfréquences et à l'optique.

Pour terminer, un effort considérable a été porté aux Etats-Unis et au Japon sur les
matériaux à l'échelle nanométrique : boîtes quantiques auto-organisées dans des colloïdes,
couplage semiconducteurs - molécules organiques, réseaux de neurones, etc... Nous
accumulons un certain handicap dans cette course à l'électronique ultime. Il en est de même en
général sur les microtechnologies (en particulier la micromécatronique telle que l'appellent les
Japonais) qui couplent aspects mécanique et optoélectronique (forte participation de
l’Allemagne, de la Suisse et plus généralement des pays du nord de l’Europe).

IV RAPPORT DE CONJONCTURE DU COMITE NATIONAL

Nous résumerons ici les rapports des deux Commissions principales du domaine, la 06
et la 08, qui insistent respectivement sur les aspects liés à la Physique et aux applications.

Commission 06 : Le rapport insiste d’abord sur le fait que la maîtrise acquise dans l’élaboration
de certains semiconducteurs est telle que ceux-ci ont pu servir de systèmes modèles pour des
études physiques. Dans cet ordre d’idées, plus de la moitié des contributions à ICPS
(International Conference on the Physics of Semiconductors 1996) sont basées sur l’utilisation
d’hétérostructures nanométriques et structures quantiques. Une tendance lourde est d’utiliser le
progrès technologique pour aboutir à une “ ingénièrie ” des effets physiques.
Cette orientation, voisine du génie des matériaux, nécessite une approche interdisciplinaire et
devrait aboutir à des retombées industrielles.

Parmi les tendances principales soulignées on peut citer : les semiconducteurs à large
bande interdite (massifs ou en couches minces), les hétérostructures et superréseaux (propriétés
de transport, SiGe), la luminescence du silicium poreux ainsi que les nanocristaux. Du point de
vue instrumentation, on relève les diverses nanotechnologies, les techniques de champ proche
(STM, AFM ...) ainsi que l’importance stratégique des moyens mi-lourds de croissance.
Certains contacts avec d’autres disciplines sont mis en relief : traditionnels pour l’optique, plus
récents pour le magnétisme, sous-exploités pour la physique statistique et l'électronique
moléculaire.

Commission 08 : Le rapport aborde successivement trois volets : la microélectronique silicium,


les composés III - V et II - VI et enfin les aspects liés aux microsystèmes.
En microélectronique silicium, on note que ce matériau domine à 99 % le marché des
semiconducteurs, que les alliages SiGe et SiGeC ouvrent la voie pour des composants
hyperfréquences ou même optoélectroniques et qu’enfin le silicium est aussi le matériau de base
des microsystèmes qui se développent rapidement. Le rapport discute ensuite des limites
possibles à la miniaturisation, des avancées considérables à signaler en ce qui concerne la
fabrication scientifique ainsi que des problèmes identifiés qui restent à résoudre. Il note
l’existence des divers projets de transistors dits à "un électron".

Bien que faible par rapport à celui du silicium, le marché des composés
semiconducteurs est noté en progression rapide et continue depuis 1988. Les applications
essentielles concernent les hyperfréquences et l’optoélectronique avec des retombées
importantes dans le domaine des télécommunications.
Pour terminer, le rapport souligne que les microsystèmes sont maintenant une réalité
avec un début d’existence industrielle et la naissance de fonderies opérationnelles. La situation
du domaine est comparée à celles des ASIC il y a 5 ans (outils en développement, besoins par
encore clairement définis).

V DIMENSIONS INTERDISCIPLINAIRES

De plus en plus, la croissance et la synthèse des matériaux à base de semiconducteurs


font appel aux compétences relevant de la Chimie. Il est clair que l'aspect optimisation par
rapport au coût de fabrication demandera des progrès très importants relevant de ce domaine.
Par ailleurs l'utilisation de polymères, de molécules organiques, de nouvelles résines pour la
lithographie etc... relèveront d'une science commune, la physicochimie des matériaux. Les
progrès de l'électronique moléculaire devraient aussi bénéficier à cette discipline. De nouveaux
types de capteurs, actionneurs... seront à base moléculaire. Dans la plupart des cas, il est
raisonnable de penser que la surface du semiconducteur, souvent le silicium pour des raisons de
commodité, servira de support (passif, éventuellement actif ou préstructuré) sur lequel
différentes entités seront greffées ou physisorbées suivant la fonction désirée.

Une extension naturelle de ces considérations conduit à envisager un couplage avec la


biologie. C'est déjà le cas dans divers laboratoires (ex : NRL à Washington où un réseau de
neurones a été greffé sur semiconducteur). Ces recherches peuvent avoir de multiples intérêts :
meilleure connaissance des processus élémentaires du vivant, utilisation de ces processus dans
des composants artificiels (ex : bio-optotransistors). La réalisation de futurs capteurs,
actionneurs etc... de taille nanométrique risque elle aussi d'y trouver une bonne partie de son
inspiration (ex : moteur de la bactérie E. Coli).

Un dernier aspect, tout aussi essentiel, correspond au fait que les composants de taille
nanométrique devront être conçus en fonction de leur intégration dans des systèmes. Ceci
nécessitera une collaboration accrue avec les spécialistes de la conception de circuits et
systèmes. Ce type de problèmes est déjà envisagé plutôt par des physiciens mais une
collaboration avec ces spécialistes s'impose et devrait être engagée dès à présent.

VI FORCES ET FAIBLESSES DU CNRS

Parmi les forces du CNRS, la première est probablement son potentiel en termes de
chercheurs permanents travaillant dans le domaine. Un autre aspect favorable est l’existence de
certains pôles structurés, par exemple dans le domaine des matériaux à grand gap (GaN, SiC),
dans le domaine des III - V et II - VI. Des moyens appréciables de croissance et technologie
sont présents dans des laboratoires bien identifiés. Il existe donc une politique volontariste de
soutien à ces axes.

La faiblesse principale du CNRS est le manque dramatique des moyens d’équipement et


de fonctionnement ce qui, dans ces domaines de progrès technologique très rapide, représente
un handicap extrêmement important. On peut regretter aussi le cloisonnement en diverses
disciplines, peu favorable à des investissements indispensables dans un domaine qui devient par
nature de plus en plus interdisciplinaire. Une autre difficulté résulte de la dissémination sur le
territoire national d’équipes de tailles diverses travaillant sur les semiconducteurs.

VII AXES A RENFORCER OU A ABANDONNER

Il est difficile de décréter que tel ou tel thème de recherche doit être abandonné. Il s’agit
en effet d’une appréciation très subjective, susceptible d’aboutir à des erreurs importantes. Une
preuve flagrante en est fournie par les études physiques de matériaux massifs (en particulier
liées aux défauts) qui, peu après être tombées en disgrâce, ont retrouvé une nouvelle vigueur
avec les matériaux à grand gap tels que GaN ou SiC. Par ailleurs, les phénomènes de mode
peuvent aussi avoir des conséquences néfastes sur les performances d’ensemble du domaine.
On peut néanmoins affirmer que les secteurs-clés listés section II méritent tous d’être
soutenus, mais à des degrés divers tenant compte de l’état actuel du secteur.

Les remarques suivantes pourraient constituer une base de réflexion :

• Le domaine des hétérostructures et superréseaux avec applications hyperfréquences et


optoélectroniques (principalement axé sur l’utilisation de composés III - V) est bien
développé en France. L’essentiel est de lui apporter un soutien convenable, principalement
pour le fonctionnement et d’éviter une possible redondance des recherches.

• Les études concernant les semiconducteurs à large bande interdite ont fait l’objet d’un soutien
substantiel bien que tardif. Ce soutien doit être maintenu.

• La microélectronique silicium souffre d’un manque de coordination effective entre


industriels et laboratoires CNRS ou universitaires pour la préparation des nouvelles filières
technologiques des dix années à venir. Une telle coordination est indispensable et doit
impérativement être soutenue et développée rapidement.

• Microsystèmes : Bien que le volant des applications ne soit pas encore bien établi, on peut
s’attendre à de nombreuses innovations dans ce secteur où la France se doit d’être présente.

• Nanotechnologies : Il s’agit du domaine stratégique par excellence pour le long terme. Les
recherches devraient aboutir non seulement à des composants de type nouveau, mais aussi,
en combinaison avec le progrès et la miniaturisation des microsystèmes, devraient conduire à
ce que l’on peut appeler la nanorobotique. L’aspect interdisciplinaire est fondamental et il faut
imaginer des systèmes souples et efficaces de stimulation.

VIII MODALITES D’ACTION

Comme nous l’avons vu, il apparaît nécessaire de recentrer et renforcer une partie du
potentiel existant sur des aspects liés aux études fondamentales dans les domaines suivants :
matériaux pour la microélectronique silicium de la prochaine décennie, grands gaps (déjà fait en
partie), nanoélectronique et micro, puis nano-technologies en général. Cependant il est difficile
d’envisager un accroissement substantiel du potentiel global affecté aux matériaux
semiconducteurs. Il serait donc plus réaliste d’amener certaines équipes de qualité à recentrer
leurs projets sur les axes jugés prioritaires tout en renforçant leur soutien. Divers moyens
pourraient être utilisés pour restructurer et organiser le domaine suivant ces axes. Les GDR
peuvent remplir en partie ce rôle (certains, “ grands gaps ” par exemple existent déjà). Il faudrait
aussi se donner des possibilités d’action plus incitatives concernant le soutien des équipes ou la
réorientation de certaines autres. Enfin, il faut à tout prix rendre plus faciles les coopérations
interdisciplinaires, en ressuscitant peut-être des actions type ATP aux frontières des disciplines
correspondantes. De toutes façons seuls des soutiens avec décision rapide et remise en question
périodique permettront d’être compétitifs.

Il serait aussi nécessaire de disposer d’un certain nombre de centres où seraient réalisés
les matériaux et composants exploratoires, centres qui seraient organisés en services communs
à la disposition des diverses équipes concernées pour études physiques fondamentales et
caractérisation. L’organisation devrait répondre à des objectifs bien identifiés tout en faisant
preuve d’une adaptabilité importante et en facilitant la mise en œuvre efficace de recherches
interdisciplinaires. Il faudrait, par exemple, définir des Programmes d’action suffisamment
souples, correspondants à ces axes jugés prioritaires. Ceux-ci pourraient être gérés par le
CNRS, mais en relation étroite avec les grands groupes industriels et autres établissements
publics. Leur équipe d’animation serait aussi légère que possible avec quelques décisionnels
(pas plus d’une dizaine) des divers grands partenaires. Leur Comité Scientifique serait constitué
de quelques experts de haut niveau, reconnus internationalement et couvrant les aspects
pluridisciplinaires évoqués dans la partie scientifique.

La sélection et la mise en œuvre de ces Programmes d’action pourraient faire l’objet


d’un appel d’offre large, avec Comité Scientifique, ayant pouvoir de modifier l’amplitude du
soutien accordé suivant l’évolution du projet et la nécessité de l'adapter,en comparaison avec la
concurrence étrangère (hors Europe). Ils pourraient revêtir la forme de GDR mais avec plus de
moyens qu’actuellement, création de centres communs d’élaboration de matériaux soutenus de
manière à pouvoir être effectivement au service de la Communauté Nationale, et
éventuellement, européenne. Parmi les modes d’incitation, on pourrait retenir le soutien, avec
des circuits de décision aussi rapides que possible, à des propositions faites dans le cadre
d’appels d’offres sur les grands programmes retenus (recherche fondamentale comme
finalisée) ou même à des propositions originales dont le contenu n’avait pu être anticipé dans la
définition des programmes (nécessité d’un soutien cohérent couvrant équipement,
fonctionnement et personnel).

IX SECTEURS SUSCEPTIBLES DE PARTENARIAT

Les aspects interdisciplinaires évoqués précédemment impliquent des actions concer-


tées de la part des départements SPM, SPI, Chimie et même Sciences de la Vie pour certains
projets avancés.

D’autres partenariats sont indispensables et existent déjà en partie : CEA, France


Télécom, les grands groupes industriels. Ils doivent certainement être renforcés dans le cadre de
ces Programmes d’action et, de plus, doivent s’inscrire dans le cadre d’une politique
européenne pour les plus ambitieux d’entre eux.
ANNEXE 1

SEMI-CONDUCTEURS A LARGE BANDE INTERDITE


SEMICONDUCTEURS A LARGE BANDE INTERDITE

Jean-Pierre FAURIE, CRHEA CNRS (UPR 10) 06560 Valbonne

Les semiconducteurs à large bande interdite (Eg > 2,5 eV) sont la nouvelle frontière
dans la physique et la technologie des semiconducteurs. Leur potentiel est immense en
optoélectronique (émetteurs de lumière dans le bleu et le proche ultraviolet, détecteurs) et en
microélectronique opérant à haute température ou à forte puissance. Ils connaissent depuis
quelques années un développement considérable. Ces semiconducteurs qu'ils soient des III-V,
II-VI ou des IV-IV, partagent de nombreux points en communs dans leurs études physiques,
leur croissance et la technologie de leurs composants. De nombreux symposia, ateliers et
conférences éclosent autour de ce thème. Scientifiques et industriels commencent à se structurer
dans ce domaine aux Etats-Unis, au Japon ainsi que chez certains de nos partenaires européens.
En France, un projet de GDR présenté à la session d'automne du Comité National en décembre
1995 (sections 06, 08 et 04) a été accepté.
Les enjeux économiques étant considérables, il est hautement souhaitable que la France
soit parmi les leaders dans le domaine des semiconducteurs à large bande interdite. Ceci
implique un effort de recherche conséquent compte-tenu des challenges scientifiques et
technologiques qui se posent.

INTERET SCIENTIFIQUE
La croissance épitaxiale d'alliages et d'hétérostructures à base de semiconducteurs à large
bande interdite destinés à la réalisation de dispositifs optoélectroniques ou microélectroniques
performants présente, quels que soient les matériaux ou les techniques de croissance, de
nombreuses similitudes en ce qui concerne les problèmes relatifs à :

• la préparation de la surface du substrat avant épitaxie,


• la compréhension de la formation et du rôle des défauts qu'ils soient étendus ou ponctuels,
• le dopage n et surtout le dopage p,
• le contrôle de la composition dans les alliages ternaires et quaternaires,
• la réduction de la densité de dislocations,
• l'obtention de contacts ohmiques,
• la gravure.

La maîtrise de ces difficultés implique des études approfondies en physique et


technologie des hétérostructures semiconductrices. Par rapport aux semiconducteurs classiques,
l'existence de grandes discontinuités de bandes électroniques (> 1eV) dans ces hétérostructures
ouvre des perspectives nouvelles.

APPLICATIONS
Les applications des semiconducteurs à large bande interdite sont très nombreuses et
leur impact économique sera considérable.

* Emetteurs de lumière (du vert au proche ultra-violet)

Le principal avantage lié à l'utilisation d'une longueur d'onde courte provient de la


possibilité de réduire le diamètre de focalisation du faisceau laser et ainsi de pouvoir le confiner
dans un petit guide d'onde. Il en résulte une réduction en taille et un accroissement en densité de
stockage des systèmes optiques.
Aujourd'hui, les performances des systèmes d'enregistrement, qu'ils soient optiques
(λ = 780 nm) ou magnétiques, sont sensiblement identiques à savoir 500 Mbit/in2. L'utilisation
combinée de lumière bleue (λ = 450 nm) dont le diamètre de focalisation est plus petit et d'un
support magnéto-optique optimisé pour le bleu, permettra d'atteindre une densité de stockage
optique vingt fois supérieure (10 Gbit/in2 ).

Le spectre d'application d'émetteurs bleus (diodes électroluminescentes (DEL) et diodes


lasers (DL) ) est tout-à-fait impressionnant. Outre les mémoires magnéto-optiques à très haute
densité déjà mentionnées, citons l'impression laser à haute résolution, les mémoires
holographiques, l'ordinateur optique, l'affichage couleur, la télévision à projection, les feux
tricolores, l'imagerie digitale, les communications protégées et les applications médicales.

Quelques chiffres permettent d'illustrer l'importance économique de certains marchés :

• stockage optique de données : 3,7 milliards de dollars en 1995,


• production annuelle mondiale de 20 à 30 milliards de diodes électroluminescentes.
• Les DEL vertes à base de nitrures actuellement commercialisées sont assez brillantes (6 cd)
pour pouvoir remplacer les lampes à incandescence des feux tricolores avec une économie
d'énergie de 85% à 90% (marché mondial 10 milliards de diodes).
• La possibilité de combiner des diodes superbrillantes bleues, vertes et rouges non seulement
permet l'affichage couleur (Full color display), mais surtout donne accès à une partie de
l'immense marché des sources de lumière blanche. Il a été calculé que le remplacement des
ampoules par des DEL permettrait aux Etats Unis une économie d'énergie de 35 milliards de
dollars par an.

* Microélectronique en milieu hostile

Les dispositifs électroniques à base de silicium ou de GaAs ne tolèrent pas des


conditions hostiles telles que haute température, forte puissance ou radiations.

Les transistors à effet de champ à base de semiconducteurs de la filère GaAs sont


capables d'amplifier des signaux électriques jusqu'à des fréquences de 94 Ghz. Ces composants,
portés à haute température, voient leurs performances se dégrader très rapidement (par exemple
de 15 à 20 % lorsque la température passe de 20° à 120°). Les composants à base de silicium
quant à eux sont sensibles à la température et aux radiations.

D'un autre côté, de nombreuses applications nécessitent des composants à


semiconducteurs pouvant fonctionner dans des conditions extrêmes et en particulier à des
températures supérieures à 350°C et/ou supporter des flux de radiation élevés. Dans cette
perspective, les semiconducteurs à large bande interdite présentent d'excellents atouts. Ils sont
résistants aux radiations et disposent d'une grande stabilité chimique et thermique.

Les applications sont extrêmement nombreuses dans le secteur automobile, aéronautique


et spatial. Dans un satellite en particulier, la réduction en nombre et en dimension des radiateurs
nécessaires au refroidissement (T < 100°C) permettrait une diminution considérable de la
masse relative à l'électronique embarquée.

MATERIAUX

Parmi les matériaux, GaN et ZnSe apparaissent comme les candidats qui offrent le
potentiel scientifique et technologique le plus élevé car (1) ils sont à gap direct ce qui n'est ni le
cas pour SiC ni pour le diamant et (2) l'utilisation d'alliages (Al,In,Ga,N) et
(Zn,Cd,Mg,Be,S,Se) permet la réalisation d'hétérostructures nécessaires aux filières
optoélectroniques (lasers) et microélectroniques (HEMT).

RESULTATS

• Etat de l'Art

Diodes Lasers ZnSe


Très brièvement en ce qui concerne les diodes lasers à base de ZnSe, un laser bleu-vert
(λ = 515 nm) fonctionnant à 300K en mode continu pendant 101,5 heures, a été présenté
(31/1/1996) par la Société SONY. Ceci constitue un résultat remarquable, car la durée de vie de
ces lasers étaient de quelques secondes seulement en 1993. L'industrialisation pourrait
commencer lorsque la durée de vie atteindra 1000 heures. La technique de croissance adoptée
par la quasi totalité des équipes est l'épitaxie par jets moléculaires (MBE).

Diodes Lasers GaN


Il aura fallu un quart de siècle entre la première mise en évidence de l'effet laser par
pompage optique dans GaN (1971) et la réalisation d'une diode laser à base de nitrures.
Longtemps le développement des composants à base de nitrures a souffert de difficultés
intrinsèques inhérentes au matériau : résiduel n élevé, difficulté de réaliser le dopage p. Ces
obstacles ont été, en partie du moins, surmontés par l'utilisation de méthodes modernes
d'épitaxies (Epitaxie en Phase Vapeur par Pyrolyse d'Organométalliques (EPVOM)). En 1995,
la compagnie japonaise NICHIA a annoncé la réalisation de la première diode laser violette (λ=
417 nm) à base de InGaN/GaN qui a fonctionné à 300K en mode pulsé. En sept. 1996, une
diode laser (λ = 400 nm), qui elle opére en mode continu à 233K pendant 4 heures, a été
réalisée.

Diodes Electroluminescentes
Des diodes électroluminescentes (LED) superbrillantes à base de GaInN couvrant le
domaine spectral du violet (400 nm) à l'orange (600 nm) sont actuellement fabriquées
industriellement. Leurs rendements quantiques sont élevés : 6,3 % pour le vert (520 nm), 8,7 %
pour le bleu (450 nm) et 9,20 % pour le violet (450 nm). Leur durée de vie est estimée à 105
heures. Les LED à base de ZnSe ont, quant à elles, des largeurs de raies plus fines (∆λ = 11,7
nm, λ = 513 nm) un rendement quantique plus élevé dans le vert (7,2%) et une pureté de
couleur remarquable (95,5%). Leur durée de vie se situe actuellement entre 103 et 104 heures.

Composants microélectroniques
Des transistors MESFET et HEMT ont déjà été réalisés. Les meilleures performances
sont obtenues sur des structures HEMT de longueur de grille de 0,2 µm. Les fréquences
maximales d'oscillation fmax et de coupure du gain en courant ft atteignent respectivement 70 et
22 GHz, ce qui permet d'envisager très sérieusement des applications en microondes.
Ces performances ont pu être obtenues grâce aux avantages particuliers de la filière
GaN. La possibilité de réaliser des hétérostructures AlGaN/GaN à grand décalage de bande de
conduction permet d'obtenir des densités surfaciques d'électrons de l'ordre de 1013 cm -2 (4 à 5
fois plus que dans les filières traditionnelles) et des mobilités qui sont celles du GaN non dopé
(1000 cm2/Vs). De telles densités sont très favorables à l'obtention de courants et de
transconductances élevées. Enfin, la large bande interdite du GaN permettra d'appliquer des
tensions élevées aux composants et de les faire fonctionner sans dégradation à haute
température.

• Au plan national
Hétérostructures à base de ZnSe
Le travail expérimental sur ce thème a débuté au CRHEA en mars 1994 avec
l’installation d’un bâti EJM. La croissance de ZnSe et de ZnCdSe a été rapidement optimisée.
Des structures à QW Zn1-xCdxSe/ZnSe avec 0.1 x 0.2 ont été caractérisées en détail
par spectroscopie optique. Une étude détaillée a révélé que l’épaulement basse énergie des raies
de PL est dû à des excitons localisés à faible excitation et à des biexcitons à plus forte excitation.
Ces résultats dénotent l’excellente qualité des structures QW épitaxiées. Notons en outre qu’il a
récemment été montré que les biexcitons jouent un rôle très important dans les mécanismes
d’émission stimulée.
Nous avons préparé des diodes lasers dites de la première génération, i.e. sans alliage
quaternaire de confinement. Bien que ces structures soient rudimentaires (pas de confinement
optique, faible confinement électronique, pas de contact ohmique côté p, structure relaxée...)
l’effet laser a été obtenu à 490 nm en mode pulsé à 80K Des échantillons sont testés dans
différents laboratoires et en particulier le LPMC à l'ENS.
Des substrats massifs de ZnSe d'excellente qualité structurale, élaborés au LPSB
(Bellevue), sont actuellement utilisés au CRHEA en homoépitaxie. Les résultats obtenus sont,
en particulier pour les propriétés optiques, comparables, voire supérieurs, aux meilleurs
résultats publiés.

Hétérostructures à base de GaN


Le CRHEA a entrepris dès 1993 l'étude des nitrures III-V. Après avoir développé un
bâti de croissance en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques (EPVOM), équipé d'un
réflectomètre laser, l'effort du CRHEA a tout d'abord porté sur le choix du meilleur précurseur.
Après avoir testé différents plasmas (N2, NH 3) générés par microondes comme source d'azote,
il a été démontré que l'utilisation de NH3 conduit aux meilleures propriétés optoélectroniques
pour GaN. GaN épitaxié sur saphir présente des caractéristiques conformes à l'état de l'art,
µ300K=470cm 2V-1s-1, n=4.1016cm-3, largeur des pics de photoluminescence à 9K < 4meV (2
meV en homoépitaxie), 3 excitons visibles en réflectivité, diffraction Rayons X - FWHM (en
ω) = 65 arcsec. La première DEL a été réalisée en septembre 1996.

L'IEMN a commencé une étude d'implantation de matériau pour le dopage de type n et


p. Un premier essai concluant de gravure plasma par SiCl4 a été effectué. La modélisation du
transport par la méthode Monte Carlo a démarré. Tout semble donc réuni pour que l'IEMN
entreprenne avec succès l'étude des composants de la filière GaN.
La croissance épitaxiale de GaN a également été entreprise dans le Groupe d'Etudes des
Semiconducteurs (GES) de Montpellier par OMCVD.