FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES E INGENIERA

Ingeniería Electromecánica

TIRISTORES CONTROLADOS POR FET (FET-CTH)

Presentado a:
Alexander

Presentan:

Cristhian David Daza Hernández—1005084164

Cristian Andres Zuluaga Blanco- 1102378952
Néstor Carrillo Camacho - 1098618109
Danilo Andrés Triana Esparza - 1095821082
Miguel Angel Vitta Rincon - 1101208438
Grupo E112A

Bucaramanga, Santander, 18 oct 2018

LOS TIRISTORES
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas
(pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante
circuitos electrónicos de bajo consumo de potencia.
Los tiristores se usan en forma extensa en circuitos electrónicos de potencia.
Operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a uno
conductor. Para muchos los tiristores son interruptores o conmutadores ideales.

Transistor FET-CTH
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales:
FUENTE (Source), DRENAJE (Drain) y PUERTA (Gate) que trabajan controlando
la corriente entre drenaje y fuente a través del campo eléctrico establecido mediante
la tensión aplicada al terminal de puerta.
El terminal de puerta, que funciona como terminal de control, no maneja
virtualmente corriente, salvo alguna corriente de fuga. El dispositivo presenta, en
consecuencia, una elevada impedancia de entrada (puede llegar a valores del orden
de 10 MΩ) que resulta esencial en variadas aplicaciones como ser: llaves
analógicas, amplificadores de muy alta impedancia de entrada, etc. Son muy
utilizados, también, como resistencias controladas por tensión y fuentes de
corriente.

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

• ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como

una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que
aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0
(rds on), y distintos valores de VGS. Para tensiones de drenaje - fuente
pequeñas la corriente aumenta linealmente con ellas y el dispositivo se
comporta como una resistencia cuyo valor está determinado por la tensión
de puerta
• ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y
se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS. Se produce
 para tensiones de puerta que en valor absoluto son mayores que la tensión
de contracción. La puerta está polarizada tan inversamente que el ancho del
canal se hace nulo debido a la recombinación de cargas libres.

Este dispositivo combina un MOSFET y un tiristor en paralelo figura . Si a la

compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje, en el tiristor se origina una corriente
de disparo. Este tiristor se puede activar como los demás, pero no se puede
desactivar mediante el control de compuerta.

En el MOSFET de enriquecimiento o acumulación el canal se induce al polarizar

positivamente la puerta respecto al surtidor de forma que la repulsión de los huecos
crea un canal enriquecido en electrones libres que permite la conducción de
drenador a surtidor. El MOSFET deja de ser un dispositivo n-p-n en estas
circunstancias. Se pueden realizar FET con las polaridades de dopado contrarias
a las mostradas en las figuras anteriores, sin embargo es el MOSFET canal N de
acumulación el que se adecua más a la fabricación multielemento de dispositivos
de potencia, debido a su simplicidad y menor tamaño.
Como vemos, el MOSFET de potencia es básicamente una resistencia entre los
terminales drenador y surtidor que depende de la tensión aplicada entre la puerta y
el surtidor, es decir, es una resistencia variable. Los responsables son los
portadores mayoritarios del canal semiconductor entre el drenador y el surtidor. La
caída de tensión solo depende de la resistencia del camino entre drenador y
surtidor, RDS(on).
El comportamiento dinámico del MOSFET es mucho más rápido que el del BJT por
estar exento de los fenómenos de difusión de portadores minoritarios, principales
causantes de los retardos de conmutación de los semiconductores. De todas
maneras durante la conmutación existen unas pérdidas que deben ser estimadas
para un correcto diseño del circuito.

CUESTIONARIO (GP 5)

1. Existen dos tipos básicos de MOSFET, los de canal n y los de canal p, si bien en
Electrónica de Potencia los más comunes son:
a) Tipo P
b) Tipo N
c) Tipo PN
d) Toda las Anteriores
2. Tiristores controlados por FET (FET-CTH). Este dispositivo combina un MOSFET
y:
a) Un diodo
b) Un Zener
c) Un Tiristor
d) ByC
3. De forma análoga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de
trabajo bien diferenciadas:

a) Corte, Óhmica, Saturación.

b) segmentación, separación y Finalización.
c) Balance, Saturación, Activación.
d) Ninguna De las Anteriores

4. Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la potencia que

pueden manejar es:
a) Alta
b) Media
c) Bastante reducida.
d) No Maneja Potencia
5. Para evitar los inconvenientes del MOSFET y del bipolar y aprovechar las
ventajas de ambos, los fabricantes han introducido un dispositivo nuevo,
denominado:
a) Radiac
b) Transistor
c) FET
d) IGBT