MOSFET MOS-FET.

Principio de operación
MOSFET significa “FET de Metal Oxido Semiconductor” o FET de compuerta
aislada. Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra
PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFETde
canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2)
(también llamada “sílice” o “sílica”) es colocada del lado del semiconductor y
una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura).

En el MOSFET de canal N la parte “N” está conectado a la fuente (source) y al

drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte “P” está conectado a la
fuente (source) y al drenaje (drain)

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es

controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de
los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensión de
entrada (un campo eléctrico). En este caso no existe corriente de entrada.
Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que
manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se
puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay electricidad estática.

Principio de operación del MOSFET

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en
la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente
(Source).
Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se
debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente
(source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta () y pasan por el
canal P entre ellos. El movimiento de estos electrones, crea las condiciones
para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente.
La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es
controlada por la tensión aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar.
Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia
de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la
compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos, creando un puente
entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de
corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta. Debido a la delgada
capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no
hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente
es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.
Nota: El sentido de la corriente mostrada en los diagramas el es convencional,
no la del flujo de electrones.

https://unicrom.com/mosfet-mos-fet/
NTRODUCCIÓN.
Los problemas que vienen presentando los transistores
bipolares o BJT, como son la corriente que soportan y la
dependencia de la temperatura a la que se ven sometidos, unas
veces por su emplazamiento, otras por un mal trazado y la mas
evidente, el efecto llamado de avalancha. Estas evidencias, han
llevado a que se sustituyan por otros transistores más
avanzados, hasta la llegada de los MOSFET.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a
que ocupen un lugar importante dentro de la industria,
desplazando a los viejos BJT a otros fines. Los MOSFET de
potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensión,
baja potencia y conmutación resistiva en altas frecuencias, como
fuentes de alimentación conmutadas, motores sin escobillas y
aplicaciones como robótica, CNC y electrodomésticos.
La mayoría de sistemas como lámparas, motores, drivers de
estado sólido, electrodomésticos, etc. utilizan dispositivos de
control, los cuales controlan el flujo de energía que se transfiere
a la carga. Estos dispositivos logran alta eficiencia variando su
ciclo de trabajo para regular la tensión de salida. Para realizar la
parte de conmutación, existen varios dispositivos
semiconductores, a continuación se muestra una tabla con
algunos de ellos.
La siguiente es una tabla comparativa de las diversas
capacidades entre potencia y velocidad de conmutación de los
tipos de dispositivos.

LOS TRANSISTORES MOSFET.

Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa
en uniones PN, como el transistor bipolar, ya que en éste, el
movimiento de carga se produce exclusivamente por la
existencia de campos eléctricos en el interior del dispositivo.
Este tipo de transistores se conocen como, efecto de campo
JFET (del inglés, Juntion Field Effect Transistor).
El transistor MOSFET, como veremos, está basado en la
estructura MOS. En los MOSFET de enriquecimiento, una
diferencia de tensión entre el electrodo de la Puerta y el
substrato induce un canal conductor entre los contactos de
Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo. El
término enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la región correspondiente al canal, que
también es conocida como la zona de inversión.

LA ESTRUCTURA MOS.
La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres
capas: Un Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre
el cual se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO ) que, posee
2

características dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta

impedancia de entrada. Por último, sobre esta capa, se coloca
una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee
características conductoras. En la parte inferior se coloca un
contacto óhmico, en contacto con la capsula, como se ve en la
figura.

La estructura MOS, actúa como un condensador de placas

paralelas en el que G y B son las placas y el óxido, el aislante. De
este modo, cuando V =0, la carga acumulada es cero y la
GB

distribución de portadores es aleatoria y se corresponde al

estado de equilibrio en el semiconductor.
Cuando V >0, aparece un campo eléctrico entre los terminales
GB

de Puerta y substrato. La región semiconductora p responde

creando una región de empobrecimiento de cargas
libres p (zona de deplexión), al igual que ocurriera en la
+

región P de una unión PN cuando estaba polarizada

negativamente. Esta región de iones negativos, se incrementa
con V .
GB

Al llegar a la región de V , los iones presentes en la zona

GB

semiconductora de empobrecimiento, no pueden compensar el

campo eléctrico y se provoca la acumulación de cargas negativas
libres (e ) atraídos por el terminal positivo. Se dice entonces que
–

la estructura ha pasado de estar en inversión

débil a inversión fuerte.
El proceso de inversión se identifica con el cambio de polaridad
del substrato, debajo de la región de Puerta. En inversión
fuerte, se forma así un CANAL de e libres, en las proximidades
–

del terminal de Puerta (Gate) y de huecos p en el extremo de la

+

Puerta.
La intensidad de Puerta I , es cero puesto que, en continua se
G

comporta como un condensador (GB). Por lo tanto, podemos

decir que, la impedancia desde la Puerta al substrato es
prácticamente infinita e I =0 siempre en estática.
G

Básicamente, la estructura MOS permite crear una densidad de

portadores libres suficiente para sustentar una corriente
eléctrica.

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE
CANAL N.
Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO ) que
2

impide prácticamente el paso de corriente a su través; por lo

que, el control de puerta se establece en forma de tensión. La
calidad y estabilidad con que es posible fabricar estas finas
capas de óxido es la principal causa del éxito alcanzado con este
transistor, siendo actualmente el dispositivo más utilizado.
Además, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo
que permite una mayor densidad de integración. Comencemos
con la estructura básica del MOSFET, seguido de sus símbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que
el substrato semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos
lados de la interfase Oxido-Semiconductor se han practicado
difusiones de material n, fuertemente dopado (n ).+
Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de puerta de
un MOSFET de tipo N, se crea un campo eléctrico bajo la capa
de óxido que incide perpendicularmente sobre la superficie del
semiconductor P. Este campo, atrae a los electrones hacia la
superficie, bajo la capa de óxido, repeliendo los huecos hacia el
sustrato. Si el campo eléctrico es muy intenso se logra crear en
dicha superficie una región muy rica en electrones, denominada
canal N, que permite el paso de corriente de la Fuente al
Drenador. Cuanto mayor sea la tensión de Puerta (Gate) mayor
será el campo eléctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez
creado el canal, la corriente se origina, aplicando una tensión
positiva en el Drenador (Drain) respecto a la tensión de la
Fuente (Source).
En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que
los portadores son huecos (cargas de valor positivas, el módulo
de la carga del electrón). En este caso, para que exista
conducción el campo eléctrico perpendicular a la superficie
debe tener sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que la
tensión aplicada ha de ser negativa. Ahora, los huecos son
atraídos hacia la superficie bajo la capa de óxido, y los
electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie es muy
rica en huecos se forma el canal P. Cuanto más negativa sea la
tensión de puerta mayor puede ser la corriente (más huecos en
el canal P), corriente que se establece al aplicar al terminal de
Drenador una tensión negativa respecto al terminal de Fuente.
La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.
 Si con
tensión de Puerta nula no existe canal, el transistor se denomina
de acumulación; y de vaciamiento en caso contrario. Mientras
que la tensión de Puerta a partir de la cual se produce canal, se
conoce como tensión umbral, V . El terminal de sustrato sirve
T

para controlar la tensión umbral del transistor, y normalmente

su tensión es la misma que la de la Fuente.
El transistor MOS es simétrico: los terminales de Fuente y
Drenador son intercambiables entre sí. En el MOSFET tipo N el
terminal de mayor tensión actúa de Drenador (recoge los
electrones), siendo el de menor tensión en el tipo P (recoge los
huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra el
funcionamiento de un transistor MOS tipo N de
enriquecimiento.
El símbolo más utilizado para su representación a nivel de
circuito se muestra en la figura siguiente. La flecha entre el
terminal de Fuente y Gate, nos informa sobre el sentido de la
corriente.

En la estructura MOS de la
siguiente figura, aparecen diversas fuentes de tensión
polarizando los distintos terminales: V , V . Los terminales de
GS DS

substrato (B) y Fuente (S) se han conectado a GND. De este

modo, V =0 (tensión Surtidor-sustrato=0) , se dice que no
SB

existe efecto substrato.

Según los valores que tome la tensión V , se pueden considerar
GS

tres casos:
1) V =0. Esta condición implica que V =0, puesto que V =0. En
GS GS SB

estas condiciones, no existe efecto campo y no se crea el canal

de e , debajo de la Puerta. Las dos estructuras PN se encuentran
–

cortadas (B al terminal más negativo) y aisladas. I =0 DS

aproximadamente, pues se alimenta de las intensidades

inversas de saturación.
2) La tensión V >0, se crea la zona de empobrecimiento o
GS

deplexión en el canal. Se genera una carga eléctrica

negativa e en el canal, debido a los iones negativos de la red
–

cristalina (similar al de una unión PN polarizada en la región

inversa), dando lugar a la situación de inversión
débilanteriormente citada. La aplicación de un campo eléctrico
lateral V >0, no puede generar corriente eléctrica I .
DS DS

3) La tensión V >>0, da lugar a la inversión del canal y genera

GS

una población de e libres, debajo del oxido de Puerta y p al

– +

fondo del substrato. Se forma el CANAL N o canal de electrones,

entre el Drenador y la Fuente (tipo n ) que, modifica las
+

característica eléctricas originales del sustrato. Estos electrones,

son cargas libres, de modo que, en presencia de un campo
eléctrico lateral, podrían verse acelerados hacia Drenador o
Surtidor. Sin embargo, existe un valor mínimo de V para que el
GS

número de electrones, sea suficiente para alimentar esa

corriente, es V , denominada TENSIÓN UMBRAL (en algunos
T

tratados se denomina V ). TH

Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de operación para

valores de V positivos:
GS
– Si V < V la intensidad I =0 (en realidad sólo es
GS T DS

aproximadamente cero) y decimos que el transistor opera

en inversión débil. En ella, las corrientes son muy pequeñas y
su utilización se enmarca en contextos de muy bajo consumo de
potencia. Se considerará que la corriente es siempre cero. De
otro lado;
– Si V >=V , entonces I es distinto de cero, si V es no nulo. Se
GS T DS DS

dice que el transistor opera en inversión fuerte.

Cuanto mayor sea el valor de V , mayor será la concentración de
GS

cargas libres en el canal y por tanto, será superior la corriente

I .
DS

REGIONES DE OPERACIÓN.
Cuando ya existe canal inducido y V va aumentando, el canal se
DS

contrae en el lado del Drenador, ya que la diferencia de

potencial Puerta-canal es en ese punto, más baja y la zona de
transición más ancha. Es decir, siempre que exista canal
estaremos en región óhmica y el dispositivo presentará baja
resistencia.

La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres

regiones de operación diferentes, dependiendo de las tensiones
en sus terminales. Para un transistor MOSFET N de
enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: región de
corte, región óhmica y región de saturación.

REGIÓN DE CORTE.
El transistor estará en esta región, cuando V < V . En estas
GS t

condiciones el transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un

circuito abierto, entre los terminales del Drenador-Surtidor. De
acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el
dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre
Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta
como un interruptor abierto.
REGIÓN ÓHMICA.
Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el
valor de R viene dado por la expresión:
DS(on)

V DS(on) =I D(on) xR DS(on)

En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de R a una DS(on)

corriente de Drenaje (I ) específica y el voltaje Puerta-Surtidor.

D

Por ejemplo, si V DS(on) =1V y I =100mA = 0’1 A; entonces,

D(on)

Rds(on)= 1V = 10 Ohms
100mA
Así mismo, el transistor estará en la región óhmica,
cuando V > V y V < ( V – V ).
GS t DS GS t

El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre

el Drenador y Surtidor. El valor de esta resistencia varía
dependiendo del valor que tenga la tensión entre la Puerta y el
Surtidor (V ). GS

REGIÓN DE SATURACIÓN.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento
cuando la tensión entre el Drenador y el Surtidor (V ) supera un DS

valor fijo denominado tensión de saturación (V ) Drenador- ds sat

Surtidor; este valor viene determinado en las hojas

características proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el
MOSFET mantiene constante su corriente de Drenador (I ), D

independientemente del valor de tensión que haya entre el

Drenador y el Surtidor (V ). Por lo tanto, el transistor equivale a
DS

un generador de corriente continua de valor I . D

Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando V > GS

V y V > ( V – V ).
t DS GS t

O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se

interrumpe o estrangula, lo que sucede cuando:
VDS ≥ VGS – VT → Región de saturación
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite,
el canal de conducción, bajo la Puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanías del Drenador y desaparece.
La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es
debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.

En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona

óhmica, y la parte casi horizontal corresponde a la zona activa.
El MOSFET de enriquecimiento, puede funcionar en cualquiera
de ellas. En otras palabras, puede actuar como una resistencia o
como una fuente de corriente. El uso principal está en la zona
óhmica.

REGIÓN DE RUPTURA.
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde
sus propiedades semiconductoras y se puede llegar a romper el
componente físico. La palabra ruptura hace referencia a que se
rompe la unión semiconductora de la parte del terminal del
drenador.
Los transistores unipolares están limitados en tres magnitudes
eléctricas:
–En tensión: no se puede superar el valor máximo de
tensión entre la puerta y el surtidor. Este valor se
denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor
máximo de tensión entre el drenador y el surtidor
denominado BVds.
–En corriente: no se puede superar un valor de corriente
por el drenador, conocido como Idmax.
–En potencia: este límite viene marcado por Pdmax, y es
la máxima potencia que puede disipar el componente.

RESUMIENDO:
Máxima Tensión Puerta-Fuente. La delgada capa de
dióxido de silicio en el MOSFET funciona como aislante, el cual,
impide el paso de corriente de Puerta, tanto para tensiones de
Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET están
protegidos con diodos zener internos, en paralelo con la Puerta
y la Fuente. La tensión del zener, es menor que la tensión
Puerta-Fuente que soporta el MOSFET V . GS(Max)

Zona Óhmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutación,

por lo que evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona
activa. La tensión de entrada típica tomará un valor bajo o alto.
La tensión baja es 0 V, y la tensión alta es V , especificado en
GS(on)

hojas de características.
Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de
enriquecimiento se polariza en la zona activa, es equivalente a
una resistencia de R , especificada en hojas de características.
DS(on)

En la curva característica existe un punto Q en la zona óhmica.

test

En este punto, I y V están determinados, con los cuales se

D(on) DS(on)

calcula R .
DS(on)

CAPACIDADES PARÁSITAS.
Al igual que en los transistores bipolares, la existencia de
condensadores parásitos en la estructura MOS origina el retraso
en la respuesta del mismo, cuando es excitado por una señal de
tensión o intensidad externa. La carga/descarga de los
condensadores parásitos, requiere un determinado tiempo, que
determina la capacidad de respuesta de los MOSFET a una
excitación. En la estructura y funcionamiento de estos
transistores se localizan dos grupos de capacidades:
1) Las capacidades asociadas a las uniones PN de las
áreas de Drenador y Fuente. Son no lineales con las
tensiones de las uniones. Se denominan Capacidades
de Unión.
2) Las capacidades relacionadas con la estructura MOS.
Están asociadas principalmente a la carga del canal
(iones o cargas libres) y varían notoriamente en
función de la región de operación del transistor, de
modo que, en general, no es posible considerar un
valor constante de las mismas. Se denominan
Capacidades de Puerta.
De ellas, las capacidades de Puerta suelen ser las más
significativas y dentro de ellas, la capacidad de Puerta-
Fuente C y de Drenador-Fuente, C son en general, las
GS DS

dominantes.
En la siguiente figura, se muestran las curvas de entrada y
salida de un transistor MOSFET N con V = 2V conectado en t

Fuente común (SC), es decir, el terminal de Fuente, es común la

señal de entrada V y las señales de salida I y V .
GS D DS

Estas curvas de salida, se obtienen al representar las variaciones

de I al aumentar V , para diferentes valores de V , es decir,
D DS GS

I =ƒ(Vds)
D VGS=cte.

La curva más baja es la curva de V . Cuando V es menor que GS(T) GS

V , la corriente de Drenador es extremadamente pequeña.

GS(T)

Cuando V es mayor que V , fluye una considerable corriente,

GS GS(T)

cuyo valor depende de V . GS

Si V ≤V , el transistor MOSFET, estará en la región de corte y

GS T

la corriente I =0. D

Si V ≥V , el transistor MOSFET, estará en la región de

GS T

conducción y se pueden dar dos casos:

a) Si V ≥V -V , el transistor MOSFET, estará en la región de
DS GS T

saturación y la corriente será constante para un valor

determinado de V . La curva de transferencia de la figura que
GS

representa I =ƒ(V ) , se obtiene a partir de las curvas de

D DS VGS=cte.

salida para una tensión V constante que sitúe al transistor en DS

saturación. Se observa que aproximadamente corresponde a la

curva de una parábola con vértice en V y por tanto, la corriente T

puede determinarse de forma aproximada por:

ID=k(VGS-VT2
donde k es el parámetro de transconductancia del
MOSFET N y se mide en mA/V . 2

b) Si V ≤V -V , el transistor MOSFET, estará en la región

DS GS T

óhmica de forma que, al aumentar V , también lo harán la DS

corriente y la resistencia del canal. El comportamiento del

transistor puede asociarse a la resistencia que presenta el canal
entre Drenador y Fuente.

EL MOSFET COMO INVERSOR.

El funcionamiento del transistor MOSFET en conmutación
implica que la tensión de entrada y salida del circuito posee una
excursión de tensión, elevada (de 0 a V ) entre los niveles
DD

lógicos alto H (asociada a la tensión V ) y bajo L (asociada a la

DD

tensión 0). Para el nivel bajo, se persigue que V > V y que el GS t

transistor se encuentre trabajando en la región óhmica, con lo

cual V << 1. Mientras que para en el nivel alto, se persigue que
DS

la tensión de salida sea elevada, y en general, que el transistor

esté funcionando en la región de corte, con V >> 1. Se puede
DS

considerar que, el transistor MOSFET es capaz de funcionar

como un interruptor.
El funcionamiento como inversor del transistor MOSFET N se
basa en sus características en conmutación: pasando de
la región de corte a la región óhmica.
El transistor MOSFET en conmutación, basado en un
interruptor con resistencia de Drenador, es fundamental en
circuitos digitales, puesto que la conmutación de corte a
saturación y viceversa, implica unos tiempos de retardo de gran
importancia en estos sistemas.
Inversor con carga pasiva. La palabra pasiva se refiere a una
resistencia normal como R . En este circuito V puede ser alta o
D in

baja.
Cuando V esta en nivel bajo, el MOSFET esta en corte y V es
in out

igual a la tensión de alimentación. Cuando V esta en nivel alto,

in

el MOSFET esta en conducción y V cae a un nivel bajo. Para

out

que este circuito funcione la corriente de saturación I tiene D(sat)

que ser menor que I .D(on)

RDS(on) << R D
Se denomina inversor, por que la tensión de salida, es de nivel
opuesto a la tensión de entrada. Lo único que se requiere en los
circuitos de conmutación, es que las tensiones de entrada y de
salida se puedan reconocer fácilmente, ya sea en nivel alto o
bajo.

EL MOSFET COMO INTERRUPTOR.

Sabemos que si en un MOSFET la tensión entre la Puerta y la
Fuente es menor que la tensión umbral, V <V , el transistor está
GS T

cortado. Es decir, entre los terminales de Fuente y Drenador, la

corriente es nula, ya que existe un circuito abierto. Sin embargo,
cuando V es mayor que V se crea el canal, y el transistor entra
GS T

en conducción. Cuanto mayor es la tensión de puerta menor es

la resistencia del canal, y ésta puede llegar a aproximarse a un
cortocircuito. Así, el MOSFET es capaz de funcionar como un
interruptor.
El MOSFET como interruptor se emplea frecuentemente en
electrónica digital, para transmitir o no, los estados lógicos a
través de un circuito. Existe, sin embargo, una pequeña
dificultad: cuando el MOSFET tipo N actúa como cortocircuito
es capaz de transmitir las tensiones bajas; sin embargo las
tensiones altas se ven disminuidas en una cantidad igual al
valor de la tensión umbral.
Para que exista el canal bajo la puerta, la tensión en ésta ha de
ser V (V > V ). Al transmitir V , el terminal de la izquierda
H H T H

actúa como Drenador, ya que está a una tensión más alta, y el de

la derecha como Fuente. A medida que la tensión en el terminal
de Fuente aumenta, la tensión entre la Puerta y la Fuente, V , GS

disminuye. Todo esto ocurre hasta que la tensión de la Fuente

alcanza el valor V -V , momento en que V iguala la tensión
H T GS

umbral y el transistor deja de conducir.

En cambio, al transmitir la tensión V el terminal de la izquierda
L

actúa como Fuente y el de la derecha como Drenador. La

tensión entre la Puerta y la Fuente permanece en todo momento
constante, a igual a V -V (valor que debe ser superior a la
H L

tensión umbral), por lo que en el Drenador se llega a alcanzar

VL.
De forma similar, el MOSFET tipo P transmite correctamente
las tensiones altas, y falla en las bajas. Para evitar estos
inconvenientes se conectan en paralelo dos transistores
MOSFET, uno N y otro P.

Para terminar este punto, las tensiones bajas son transmitidas

sin error por el MOSFET tipo N, mientras que las altas lo son
por el tipo P. Esta configuración, se denomina puerta de
paso. Para su funcionamiento, las tensiones en las puertas han
de ser complementarias (cuando una es alta la otra es baja, y
viceversa); esto se indica añadiendo un círculo a una de las
puertas, o una barra sobre una de las tensiones.
POLARIZACIÓN DE MOSFET.
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido,
son similares al circuito de polarización utilizados para JFET.
La principal diferencia entre ambos es el hecho de que el
MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos de
funcionamiento con valor positivo de V para canal n y valor
GS
negativo de V para el canal p. Para tener un valor positivo de
GS

V de canal n y el valor negativo de V de canal p, es adecuado

GS GS

un circuito de auto polarización. Por lo tanto hablamos de

recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para
mejorar el tipo MOSFET.
REALIMENTACIÓN, CIRCUITO DE POLARIZACIÓN.
La siguiente figura, muestra el circuito de polarización con
realimentación típico para MOSFET canal n de
enriquecimiento.

Como se mencionó anteriormente, para el análisis en corriente

continua, podemos reemplazar el condensador de acoplamiento
por circuitos abiertos y también reemplazar el resistor R por su
G

equivalente en corto circuito, ya que I = 0.

G

La figura, también muestra, el circuito simplificado, para el

análisis con recorte de realimentación CC. Como los terminales
de Drenaje y Puerta están en cortocircuito,
VD=VG
y VDS=VGS=> Vs=0 [1]
Aplicando la segunda Ley de Kirchhoff a los circuitos de salida,
obtenemos,
VDD-IDxRD-VDS=0
si VDS=VDD-IdxRd [2]
o VGS=VDD-IDxRD; si VDS
=VGS [3]
Ejemplo practico: Para el circuito dado en la siguiente figura,
calcular V , I y V .
GS D DS
Solución: Tenemos que,
VDD = 12 V
VGS = 8 V
VT = 3 V

Como, VGS = VDD – ID x RD = 12 – ID x RD

tenemos que,

ID = K(VGS-VT)2
Sustituyendo valores de V tenemos, GS

ID=K((12-Id x Rd)-Vt)2 =0.24 x 10-3[12-ID x 2 x 10-3-3]2

=0.24×10-3 [81 – 36000 ID + 4000000 I2D]
Así; ID = 0.01944 – 8.64 ID + 960 I2d
960 x I2D – 9.64 x ID + 0.01944 = 0
Esto es una ecuación de segundo grado y se puede resolver
usando la fórmula habitual.
Resolución de ecuaciones cuadráticas, usando la

fórmula tendremos;
960xI2D-9.64xID+0.01944=0 donde,

Si calculamos el valor de V teniendo I = 7.2477mA nos

DS D

quedará,
Vds=Vdd-IdxRd=12-7.2477×10-3x2x103=12-14.495=-2.495
En la práctica, el valor de V debe ser positivo, por lo tanto
DS

I =7.2477mA, no es valido.
d

Ahora, calculemos el valor de V teniendo I = 7.2477mA,DS D

obtenemos que,
Vgs=12-2.794×10-3x2x103=12-5.588=6.412V
VGS=6.412V

INVERSOR CON CARGA ACTIVA.

En la figura se muestra un conmutador con carga activa, el
MOSFET inferior actúa como conmutador, pero el superior
actúa como una resistencia de valor elevado, el MOSFET
superior tiene su Puerta conectada a su Drenador, por esta
razón, se convierte en un dispositivo de dos terminales, como
una resistencia activa, cuyo valor se puede determinar con:

Donde V DS(activa) eI
DS(activa) son tensiones y corrientes en la zona activa.
Para que el circuito trabaje de forma adecuada, la R del D

MOSFET superior, tiene que ser mayor que la R del MOSFET D

inferior.

En la figura anterior se indica como calcular la R del MOSFET D

superior. Al ser V =V , cada punto de trabajo de este MOSFET

GS DS

tiene que estar en la curva de dos terminales, si se comprueba

cada punto de la curva de dos terminales, se vera que V =V . GS DS

La curva de dos terminales significa que el MOSFET superior

actúa como una resistencia de valor R . Este valor R cambiaD D

ligeramente para los diferentes puntos.

En el punto más alto; I = 3mA y V =15V
D DS

En el punto mas bajo; I = 0.7mA y V =5v

D DS

Una sencilla y práctica explicación del funcionamiento de un

transistor MOSFET puede resumirse en que; al aplicar una
determinada tensión (positiva respecto a GND) sobre la Puerta
o Gate, dentro del transistor, se genera un campo eléctrico que
permite la circulación de corriente entre el terminal Drenador y
el terminal Fuente. La tensión mínima de Puerta para que el
transistor comience a conducir (depende de su hoja de datos),
por ej. para un IRFZ44N está ubicada entre 2 y 4V, mientras
que la máxima tensión que podremos aplicar, respecto al
terminal Fuente, es de 20V.
En conmutación y en saturación, en el caso del transistor
MOSFET IRFZ44N, nos interesa aplicar 10V de tensión en la
Puerta, para lograr la mínima resistencia entre Drenador y
Fuente. En otro caso, no obtendremos el mejor rendimiento,
por la mayor disipación de calor, debido a una mayor
resistencia a la circulación de corriente entre Drenador y
Fuente. No se debe sobrepasar la tensión V máxima de 20V, ya
GS

que el transistor se estropeará. En cambio, si la tensión de

Puerta no alcanza los 2 a 4V, el transistor no entrará en
conducción.
RECAPITULEMOS.
Consideremos, el caso de utilizar el MOSFET en conmutación,
se debe aplicar la señal de activación del MOSFET con un flanco
de subida muy corto en tiempo, al igual que el flanco de bajada.
Tal vez con un ejemplo quede más claro.
No es conveniente aplicar la salida de un microcontrolador
directamente a un MOSFET, las razones son evidentes. Existe
gran variedad de drivers comerciales, adecuados para cada
necesidad. Por lo tanto, siempre, se debe emplear un driver. El
más sencillo sería un transistor, como se muestra en la figura
que sigue.

En el esquema de la figura, la salida del micro, se aplica a R1,

cuando la tensión sea positiva, el NPN conducirá en saturación,
por lo tanto, su colector estará aproximadamente a GND y como
consecuencia, el MOSFET, no conducirá. En el caso de que a la
base del NPN le llegue una tensión negativa o cercana a GND, el
transistor no conducirá y la tensión en su colector será cercana
a la tensión Vcc, esto hace que el MOSFET se comporte como un
interruptor cerrado, dejando pasar la máxima intensidad
(IDds).
Que hace el transistor NPN, conmuta su estado entre Vcc y
GND, la cuestión es que, lo debe hacer con un tiempo muy
corto, al pasar de un estado alto a un estado bajo y viceversa.
Esto se consigue, reduciendo en lo posible las capacidades,
existentes incluso en los propios transistores BJT. Puesto que lo
que pretendemos es que el MOSFET, no trabaje en la zona
óhmica, para evitar las perdidas que se evidencian con el calor
que desprenderá en su caso.
Mejorando el circuito anterior, podríamos añadir un par de
transistores BJT más, para reducir el tiempo se subida y bajada
al conmutar los niveles de tensión, veamos la siguiente figura.

Cómo se comporta en este

caso el circuito. Supongamos un nivel alto, en la salida del
primer transistor NPN, al llegar a la base del transistor NPN de
arriba, éste, conducirá en saturación y por tal motivo, también
lo hará el MOSFET. Entre tanto, el ante dicho nivel, al llegar el
transistor PNP de abajo, hará que se corte dicho transistor, no
conduciendo. En el supuesto de tener, un nivel bajo en la salida
del primer transistor NPN, el llegar a la base del segundo NPN,
éste no conducirá, sin embargo, el transistor PNP se comportará
como un interruptor cerrado, conduciendo en saturación, lo que
hará que el MOSFET, se bloquee o corte su paso de corriente.
Supongo que ahora está, más claro.
Naturalmente, el estudio del transistor MOSFET, requiere un
calado mayor, aquí, sólo he querido hacer hincapié en los
conceptos más relevantes, si bien es cierto, sin entrar en
demasiados detalles. Entiendo que los lectores, actualmente
disponen de medios y lugares donde adquirir conocimientos
más profundos si es de su interés.
Esto es todo, por este tutorial de teoría, los que quieran leer más
sobre el tema, lo pueden hacer consultando libros de texto de
los distintos autores.
REFERENCIAS.
-Bakshi, U.A.; Godse, A.P. (2007) “8.2
The depletion mode MOSFET”. Electronic Circuits
ISBN 978-81-8431-284-3.
-“1960 – Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor
Demonstrated”: John Atalla and Dawon Kahng
fabricate working transistors and demonstrate the
first successful MOS field-effect amplifier
(issued in 1963).
-“The Silicon Engine | 1948 – Conception of the
Junction Transistor”. Computer History Museum (2007).
-TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA. L. Gomez de Tejeda.
-Técnicas electrónicas digitales.
A. Hermosa Donate. 1997
-“El transistor MOSFET capitulo4”
-“Tema4 El MOSFET”
-“Tema6 – transistores MOSFET“

https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet