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Universidad Nacional de Ingeniería

Preguntas unidad II.

Nombre: 1- Hugo José Miranda Rodríguez.


2- Wilson Contreras
3- Marcos Cabrera

Docente: Msc.Dora Ines Reyes.

Fecha: 14/08/2017.

Grupo: 2M2-EO
1. Dígame por qué el cobre es un buen conductor de la electricidad.

Un átomo de cobre neutro sólo tiene un electrón en su orbital más externo. Puesto que tiene
un único electrón puede separarse fácilmente del átomo, y se le denomina electrón libre. El
cobre es buen conductor porque incluso la tensión más pequeña hace que los electrones libres
fluyan de un átomo al siguiente.

2. ¿En qué se diferencia un semiconductor de un conductor?


Incluya esquemas en su explicación.

Los materiales conductores poseen una conductividad elevada mientras que los
semiconductores poseen una conductividad baja.

Lo mismo pero al revés puede decirse sobre la resistividad.


Con el aumento de la temperatura, para los conductores disminuye su conductividad mientras
que para los semiconductores aumenta.

Tambien los semiconductores aumentan su conductividad cuando se los exita con luz.
Los semiconductores no necesitan necesariamente estar dopados (poseer impurezas) para
conducir la electricidad.

La ley de ohm la cumplen tanto los semiconductores como los conductores


Pero tiené en cuenta que estas clasificaciones (cond, semicond) derivan del análisis de la
estructura de bandas

3. Hábleme sobre los huecos y en qué se diferencian de los


electrones libres. Incluya algunos esquemas.

La temperatura ambiente es la temperatura del aire circundante. Cuando la temperatura


ambiente se encuentra por encima del cero absoluto (_273°C), la energía térmica del aire
circundante hace que los átomos de un cristal de silicio vibren. Cuanto mayor sea la
temperatura ambiente, más fuertes serán las vibraciones mecánicas. Cuando se toca un objeto
caliente, el calor que se siente es el resultado de la vibración de los átomos.

En un cristal de silicio, las vibraciones de los átomos ocasionalmente pueden hacer que se
desligue un electrón del orbital de valencia. Cuando este ocurre, el electrón liberado gana la
energía suficiente como para pasar a un orbital de mayor nivel energético.

En dicho orbital, el electrón es un electrón libre. Pero esto no es todo. La salida del electrón
deja un vacío en el orbital de valencia que se denomina hueco. Este hueco se comporta como
una carga positiva porque la pérdida del electrón da lugar a un ión positivo. El hueco atraerá
y capturará cualquier electrón que se encuentre en la vecindad inmediata. Los huecos
permiten a los semiconductores hacer toda clase de cosas que son imposibles en los
conductores.

A temperatura ambiente, la energía térmica sólo da lugar a que se creen unos pocos huecos y
electrones libres. Para aumentar el número de huecos y de electrones libres, es necesario
dopar el cristal. En una sección posterior se abordará este tema más en detalle.
4. Coménteme la idea básica del dopaje de semiconductores.
Me gustaría que hiciera algunos esquemas para apoyar su
Exposición.

El dopaje consiste en añadir átomos de impurezas a un cristal intrínseco con el fin de alterar
su conductividad eléctrica. Un semiconductor dopado se denomina semiconductor extrínseco.

5. Demuestre, mediante dibujos y explicaciones, por qué existe


corriente en un diodo polarizado en directa.

El terminal negativo de la fuente se conecta al material de tipo n y el terminal positivo se


conecta al material de tipo p. Esta conexión da lugar a una polarización directa.

la batería empuja a los huecos y electrones libres hacia la unión. Si la tensión de la batería es
menor que la barrera de potencial, los electrones libres no tienen la suficiente energía para
atravesar la zona de deplexión.

Cuando entran en esta zona, los iones se ven empujados de vuelta a la región n, por lo que no
circula corriente a través del diodo. Cuando la tensión de la fuente de corriente continua es
mayor que la barrera de potencial, la batería de nuevo empuja a huecos y electrones libres
hacia la unión.

En este caso, los electrones libres tienen suficiente energía para atravesar la zona de
deplexión y recombinarse con los huecos. Si se imagina todos los huecos de la región p
moviéndose hacia la derecha y todos los electrones libres moviéndose hacia la izquierda,
obtendrá una idea básica de
lo que ocurre. En algún lugar en las vecindades de la unión, estas cargas opuestas se
recombinan.

Puesto que los electrones libres entran continuamente por el extremo derecho del diodo y se
crean huecos continuamente en el extremo izquierdo, existe una corriente continua a través
del diodo.

6. Dígame por qué existe una corriente muy pequeña en un


diodo polarizado en inversa.
Esta corriente se conoce como corriente superficial de fugas y es debida a las impurezas e
imperfecciones de la superficie de la estructura del cristal.

La corriente inversa total de un diodo consta de una corriente de portadores minoritarios y


una corriente superficial de fugas. En la mayoría de las aplicaciones, la corriente inversa en
un diodo de silicio es tan pequeña que no se suele tener en cuenta. La idea principal que debe
recordar es la siguiente: en un diodo de silicio polarizado en inversa, la corriente es
aproximadamente cero.

7. Un diodo semiconductor polarizado en inversa entrará en


disrupción bajo determinadas condiciones. Deseo que me
describa en detalle el fenómeno de avalancha, de manera que
yo pueda comprenderlo.

Justo en el límite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electrones. Y estos
electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes. Choca el electrón y
rebota, pero a VRuptura la velocidad es muy grande y por ello la EC es tan grande que al chocar
cede energía al electrón ligado y lo convierte en libre. El electrón incidente sale con menos
velocidad que antes del choque. O sea, de un electrón libre obtenemos dos electrones libres.

Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrón de un enlace
covalente, ceden su energía... y se repite el proceso y se crea una Multiplicación por
Avalancha.

Y ahora IR ha aumentado muchísimo, tenemos una corriente negativa y muy grande (-100
mA). Con esta intensidad el diodo se estropea porque no está preparado para trabajar a esa IR.

8. Deseo saber por qué un diodo LED emite luz. Hábleme sobre
ello.

Después de que un electrón ha saltado a un orbital mayor, puede volver a caer en un nivel de
energía inferior. Si esto ocurre, perderá su energía adicional en forma de calor, luz y otras
radiaciones.
En un diodo LED (light-emitting diode), la tensión aplicada eleva a los electrones a niveles de
energía mayores. Cuando estos electrones caen en niveles de energía inferioes, emiten luz.
Dependiendo del material utilizado, la luz puede ser roja, verde, naranja o azul. Algunos
diodos LED emiten radiaciones infrarrojas (no visibles), que resultan útiles en sistemas de
alarma antirrobo.

9. ¿Hay flujo de huecos en un conductor? ¿Por qué? ¿Qué les


ocurre a los huecos cuando llegan al extremo del semiconductor?
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque
solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica.

En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la


corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se
producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres
como huecos con lo que la corriente total es cero.

La tensión aplicada en la figura forzará a los electrones libres a circular hacia la derecha (del
terminal negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la izquierda.

Un electrón va de n a p y luego en p baja de BC.

10. ¿Qué es la corriente superficial de fugas?

La corriente superficial de fugas es directamente proporcional a la tensión inversa. Por


ejemplo, si se duplica la tensión inversa, la corriente superficial de fugas ISL se duplica.
Podemos definir la resistencia superficial de fugas del siguiente modo:
RSL _
VR_ISL

11. ¿Por qué, en un diodo, es importante la recombinación?

Para que pueda funcionar bien a frecuencias altas, por ejemplo rectificando.
Si después de conducir un semi-periodo positivo, no se ha producido la recombinación, el
diodo no está dispuesto a soportar tensión inversa durante el siguiente semi-periodo negativo.

12. ¿En qué difiere el silicio extrínseco del silicio intrínseco y por
qué es tan importante esta diferencia?

semiconductores intrínsecos: un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro, cuando


se le aplica una tensión externa los electrones libres fluyen hacia el terminal positivo de la
batería y los huecos hacia el terminal negativo de la batería.

semiconductor extrinseco: es aquel que se puede dopar parta tener un exceso de electrones
libres o un exceso de huecos. aquí encontraremos dos tipos de unión en el que es la unión tipo
p y la unión tipo n.
sucede que los semiconductores intrínsecos actúan como un aislante en el caso del silicio
cuando es un cristal puro, ahora cuando lo dopamos con impurezas se llega al material
extrinseco y en ese caso tendremos un material semiconductor por ejemplo un diodo.

13. Describa con sus propias palabras lo que ocurre en una unión
pn cuando se crea. Su exposición debe incluir información
sobre la formación de la zona de deplexión.

Una de las claves cruciales en la electrónica de estado sólido es la naturaleza de la unión P-N.
Cuando los materiales de tipo p y tipo n se colocan en contacto uno con otro, la unión se
comporta de manera muy diferente a como lo hacen cada uno de los materiales por si solos.
Específicamente, la corriente fluirá fácilmente en una dirección (polarización directa) pero no
en la otra (polarización inversa), creando un diodo básico. Este comportamiento no
reversible, surge de la naturaleza del proceso de transporte de carga en los dos tipos de
materiales.

Cuando se forma una unión p-n, algunos de los electrones libres en la región n, se difunden a
través de la unión y se combinan con los huecos para formar iones negativos. De esta manera
dejan detrás iones
positivos en los
lugares donantes de
impurezas.

14. En un diodo de unión pn, ¿cuáles son los portadores que se


mueven? ¿los huecos o los electrones libres?

Los electrones libres.