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( ) con ;
a. Ley Masa-acción
Cuando un cristal semiconductor puro o intrínseco es sometido a cierta temperatura, se generan
pares electrón-hueco, y con ello, la concentración de electrones1 libres ( ) es igual a la
concentración de huecos ( ): (el subíndice i, indica que se trata de un material intrínseco)
Si se hace el mismo ejercicio para el caso del germanio, con 4.4x1022 átomos/cm3 y una
concentración de 2.5x1013 electrones libres/cm3, se tiene que hay un electrón libre por cada 1760
millones de átomos.
De acuerdo con la ley masa-acción, el producto debe ser siempre constante para una
misma temperatura.
1
Concentración de electrones: Cantidad de electrones libres (banda de conducción) por metro cúbico.
Si se toma un material semiconductor de silicio intrínseco y se dopa con átomos trivalentes al
0.000001%, tenemos que la concentración de átomos aceptores , que dan un hueco extra, será
aproximada de 1 por cada 100 millones de átomos (vs un electrón libre por cada 3.3 billones de
átomos en el material original). Con ello los portadores mayoritarios serán los huecos en el nuevo
material p.
Si se hace un proceso similar dopando otro silicio intrínseco con una concentración de átomos
donadores pentavalentes. Entonces la concentración de portadores minoritarios (huecos) en el
material n será (1.2).
Al pasar electrones de N a P, algunos átomos que están cerca de la unión en el lado del material N
pierden estos electrones y se vuelven iones positivos y del otro lado de la unión, los átomos que
ganan estos electrones se vuelven iones negativos. Esta ionización produce una diferencia de
potencial (o barrera de potencial) que provoca una corriente de conducción en la unión cuya
densidad es por la ley de ohm . Esta corriente va de N a P y contrarresta la corriente de
difusión de forma tal que la corriente total en equilibrio es 0. Para el caso de los electrones libres
en la banda de conducción = 0. La conductividad se puede expresar en
términos de la movilidad de los electrones en la banda de conducción ( ) como . De
esta forma se obtiene la relación (2.1). De la teoría del campo se sabe que
. Como solamente estamos en una dimensión la relación anterior se puede expresar
como (2.2) y combinando (2.1) y (2.2) se tiene o . Pero si
entonces .
A esta fórmula es necesario aplicarle un factor de corrección , que para corrientes pequeñas
como el silicio y corrientes mayores como el germanio , entonces la fórmula
anterior queda
∫ ∫
Ejemplo:
Si se hace un dopado con átomos pentavalentes y trivalentes de una parte en 108 átomos de silicio
y al considerar que en un cristal de silicio hay 5x1022 átomos/cm3, entonces la concentración de
portadores mayoritarios tanto en el material N como en el material P, será
( )
, .
Para el cálculo anterior hay que recordar que es constante y para el caso de la temperatura
ambiente su valor es (ver gráfico de la sección a).
∫ ∫ + -
𝑉
(3.4).
d. La ecuación de continuidad.
Por otro lado la disminución de la concentración de electrones en el material P debe ser igual a la
generación de está concentración , para garantizar la operación en estado estable (en equilibrio
térmico).
Sea dQ el diferencial de carga que se tiene en un diferencial de volumen , y sea este diferencial
de volumen con un área constante A de forma tal que . La carga total Q será igual a la
carga de q de un electrón multiplicado por el número de electrones. Para ello, se tiene que el
número de electrones en este diferencial de volumen dV debido a la difusión2 es
y por tanto Si definimos un diferencial de corriente de difusión producto de la
variación de está carga en el tiempo , entonces .
de difusión de los electrones que pasan del material n al material p, y con ello (4.3).
2 3
La concentración de electrones es el número de electrones por m
En la sección b, se definió la densidad de corriente de difusión como (4.4) y ( )
donde es la constante de difusión. Entonces sustituyendo (4.4) en (4.3), queda que la
disminución de la concentración de electrones producto del proceso de difusión será:
(4.5)
a. Factores térmicos:
b. Proceso de difusión:
Entonces en estado estable se puede obtener la siguiente ecuación conocida como “ecuación de
continuidad”, que está basada en el hecho de que la carga no puede ser creada ni destruida y
permite representar la concentración de electrones en el material p, en función tanto del tiempo
como de la distancia: . Puesto que la concentración total de electrones
(5.2). Del resultado anterior, se puede definir la corriente que pasa por la
unión (x=0) como , pero como la densidad de electrones total en el material p está
dado por , la corriente que pasa por la unión será entonces
.
El proceso de difusión en la unión, se da tanto para los electrones que pasan del material n al
material p, provocando la corriente que se acaba de obtener, pero también se debe a los
huecos que pasan del material p al material n, provocando una corriente total .
( )
como (1.2).
√ √
√ ( ) , con , o finalmente:
√ √
√ ( ) con
De aquí vemos que la corriente de saturación inversa (corriente no deseada ya que es debida a los
portadores minoritarios) va a depender de:
Referencia: Millman y Halkias, Integrated Electronics: analog and digital circuits and systems,
1972, McGraw-Hill. Capítulos 1,2,3 y 19.