UNIVERSIDADE POSITIVO

TÉCNICO EM AUTOMAÇÃO INDUSTRIAL

ELETRÔNICA ANALÓGICA

RELATÓRIO DE AULA PRÁTICA

CIRCUITOS COM DIODOS

Equipe: Kácio Ferreira.

Raphael Cassiano da Silva.

Curitiba
2015
Lista de ABREVIATURAS, SIGLAS E SÍMBOLOS

A – Ampère

k – quilo

M – mega

m – mili

 – micro

n – nano

p – pico

V – Volt ( tensão)

W – Watt

 – Ohm

Ms – milisegundo

mA- miliampere

Vd – Tensão direta no diodo

V2p – Tensão de pico na entrada

Vbr – Tensão de Break-Down

Vrlp – Tensão de pico na carga

Vrlmd – Tensão média na carga

Tv2 – Período na entrada

Fv2 - frequência da entrada

Tvd – Período no diodo

Fvd – frequência no diodo

Tvrl – período na carga

Fvrl – frequência na carga

V2ap – Tensão de pico no lado A do circuito de retificação com derivação central

V2bp - Tensão de pico no lado B do circuito de retificação com derivação central

Tv2a – período no lado A do circuito de retificação com derivação central

Tv2b – período no lado B do circuito de retificação com derivação central

Fv2a – frequência no lado A do circuito de retificação com derivação central

Fv2b – frequência no lado B do circuito de retificação com derivação central

Fripple – Frequência de ripple

Vripple – Tensão de ripple

 SUMÁRIO

1 INTRODUÇÃO ................................................................................................................................5
2 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA ..................................................................................................6
2.1 SEMICONDUTOR INTRÍNSECO E EXTRÍNSECO ..................................................................................7
2.1.1 Materiais Tipo N.........................................................................................................................7
2.1.2 Materiais Tipo P .........................................................................................................................8
2.1.3 Portadores de carga ...................................................................................................................8
2.1.4 Junção P-N ..................................................................................................................................9
2.1.5 Polarização direta da junção PN...............................................................................................9
2.1.6 Polarização indireta da junção PN .........................................................................................10
2.2 DIODOS ..........................................................................................................................................11
2.2.1 O princípio de funcionamento do diodo .................................................................................11
2.2.2 Curva característica .................................................................................................................12
2.2.3 Tensão de ruptura (Break-down) ...........................................................................................14
2.2.4 Ponto de Operação ...................................................................................................................14
2.3 TIPOS DE DIODOS ..........................................................................................................................14
2.3.1 Diodo Retificador .....................................................................................................................14
2.3.2 Diodo Zener ..............................................................................................................................15
2.3.3 Efeito Zener ..............................................................................................................................16
2.3.4 Efeito de Avalanche..................................................................................................................16
2.3.5 Diodo Emissor de Luz ( LED) .................................................................................................16
2.3.6 Diodo Varicap ...........................................................................................................................17
2.3.7 Fotodiodo ..................................................................................................................................18
2.3.8 Diodo Schottky .........................................................................................................................19
2.3.9 Diodo Túnel...............................................................................................................................20
2.3.10 Diodo Gunn .............................................................................................................................20
2.4 CAPACITORES ................................................................................................................................21
2.4.1 Capacitância .............................................................................................................................22
2.4.2 Tipos de Capacitores ................................................................................................................22
2.4.2.1 Capacitores planos...................................................................................................................22
2.4.2.2 Capacitores de Papel e óleo .....................................................................................................23
2.4.2.3 Capacitores de Poliéster ..........................................................................................................23
2.4.2.4 Capacitor Cerâmico .................................................................................................................24
2.4.2.5 Capacitores de Mica ................................................................................................................24
2.4.2.6 Capacitores Eletrolíticos .........................................................................................................25
2.5 TRANSFORMADOR MONOFÁSICO ..................................................................................................26
2.5.1 Características e tipos de Transformadores ..........................................................................27
2.5.1.1 Enrolamentos...........................................................................................................................27
2.5.1.2 Transformador Elevador .........................................................................................................27
2.5.1.3 Transformador Rebaixador .....................................................................................................28
2.5.1.4 Transformador Isolador ...........................................................................................................28
2.6 RETIFICADOR DE MEIA ONDA .......................................................................................................28
2.7 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM DERIVAÇÃO CENTRAL ..................................................29
2.8 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE .............................................................................30
2.9 FILTRO CAPACITIVO PARA O RETIFICADOR ..................................................................................30
3 RESISTOR......................................................................................................................................31
3.1 TIPOS DE RESISTORES....................................................................................................................32
3.1.1 Resistores de Carvão ................................................................................................................32
3.1.2 Resistores de Filme Metálico ...................................................................................................32
3.1.3 Resistores de Fio .......................................................................................................................33
3.1.4 Potenciômetro ...........................................................................................................................34
4 DESENVOLVIMENTO ................................................................................................................35
4.1 PRÁTICA 01 – TESTE DE DIODO ...................................................................................................35
4.1.1 Objetivo .....................................................................................................................................35
4.1.2 Materiais e componentes utilizados ........................................................................................35
4.1.3 Experimentos e Resultados Obtidos .......................................................................................36
4.2 PRÁTICA 02 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ......................................................................36
4.2.1 Objetivo .....................................................................................................................................36
4.2.2 Materiais e componentes utilizados ........................................................................................37
4.2.3 Experimentos e Resultados Obtidos .......................................................................................37
4.3 PRÁTICA 03 – CIRCUITOS RETIFICADORES ........................................................................39
4.3.1 Objetivo .....................................................................................................................................39
4.3.2 Materiais e componentes utilizados ........................................................................................39
4.3.3 Experimentos e Resultados Obtidos .......................................................................................39
4.4 PRÁTICA 04 – REGULADORES DE TENSÃO .....................................................................................44
4.4.1 Objetivo .....................................................................................................................................44
4.4.2 Materiais e componentes utilizados ........................................................................................44
4.4.3 Experimentos e Resultados obtidos ........................................................................................45
5 CONSIDERAÇÕES FINAIS ........................................................................................................46
6 REFERÊNCIAS .............................................................................................................................47
 5

1 INTRODUÇÃO

Na eletrônica, um dos componentes mais utilizados são os diodos semicondutores. Tais

dispositivos tem por característica principal, deixar com que a corrente e seus terminais fluam
de forma mais fácil em uma direção do que em outra. Os diodos são amplamente utilizados
em circuito multiplicadores de tensão, ceifadores ou ainda em circuitos retificadores,
responsáveis por converter uma tensão de entrada alternada em uma saída de tensão contínua,
portanto, para o estudo da eletrônica, é de fundamental importância entender as características
e o funcionamento dos dispositivos semicondutores denominados diodo, o qual o trabalho é
direcionado.
 6

2 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA

A matéria é formada por moléculas que podem ainda ser visualizadas, de forma
microscópica, como a combinação entre átomos de um mesmo elemento químico ou entre
átomos de elementos químicos diferentes e podem ser encontrados nos estados líquido, sólido
e gasoso. Os átomos por sua vez, são constituídos por três partículas elementares: prótons,
com carga positiva e nêutrons, eletricamente neutro, no núcleo de cada átomo, e com os
elétrons, com carga negativa, circundando ao redor do núcleo através de sete orbitas ou
camadas eletrônicas. Os átomos possuem carga neutra, pois o número de prótons e elétrons
em sua estrutura são os mesmos, assim, um anula a carga do outro por possuírem carga com
mesmo valor em módulo, porém com sinais contrários. Um átomo pode conter no máximo
oito elétrons na camada de valência, sendo este, considerado estável. Porém, os átomos
podem também se transformar em íon negativo ou positivo, ganhando ou perdendo elétrons
da camada de valência, respectivamente. Os elétrons livres de um átomo são responsáveis
pelo surgimento da corrente elétrica num determinado material. Logo se pode classificar os
materiais em condutores, isolantes e semicondutores, conforme a estrutura do átomo que o
compõe. Nos materiais condutores, a camada de valência é composta, por no máximo três
elétrons, pois estes necessitam de pouca energia para deixarem sua órbita. Já os materiais
isolantes possuem entre 5 e 8 elétrons, sendo estes mais difíceis de se movimentarem ou
deixarem sua órbita na estrutura atômica. Na intermediária, os materiais semicondutores
possuem 4 elétrons na camada de valência, ficando a resistência desses elétrons entre a
resistência dos elétrons dos materiais condutores e isolantes, por isso são denominados
semicondutores. Como os átomos dos materiais tendem a se estabilizar com oito elétrons na
camada de valência, e os semicondutores possuem apenas quatro, os átomos dos materiais
semicondutores são organizados de forma simétrica, caracterizando uma estrutura cristalina
através de ligações covalentes.
 7

2.1 SEMICONDUTOR INTRÍNSECO E EXTRÍNSECO

Semicondutor intrínseco é aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou

seja, a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de portadores de
carga negativa. Semicondutores extrínsecos ou dopados são semicondutores intrínsecos onde
introduzimos uma impureza para controlarmos as características elétricas do semicondutor.
No caso do silício, como material semicondutor estas impurezas são elementos da coluna III
(trivalentes) ou da coluna V (pentavalente) da tabela periódica.

2.1.1 Materiais Tipo N

Quando introduzimos um átomo de uma impureza trivalente este possui somente três
elétrons para completar as ligações covalentes, logo uma das ligações covalentes do silício
ficará incompleta.

Figura 1- Diagrama representando um conjunto de átomos de silício, apresentando um átomo central trivalente,
gerando uma lacuna na rede.
 8

2.1.2 Materiais Tipo P

Quando introduzimos um átomo de uma impureza pentavalente este possui cinco

elétrons para completar as ligações covalentes, sendo que um elétron excedente torna-se livre
para se conduzir.

Figura 2 - Diagrama representando um conjunto de átomos de silício, e na impureza pentavalente central,

gerando um elétron livre.

2.1.3 Portadores de carga

Os portadores de carga são partículas que transportam a carga elétrica de um ponto a

outro. O portador de carga negativa é o elétron (-) partícula está muito conhecida e estudada
por todos. O portador de carga positiva é a lacuna (+) que na realidade é a posição deixada
pelo elétron na estrutura cristalina. Ou seja, é um "vazio" que se comporta como uma carga
positiva.
 9

2.1.4 Junção P-N

Denomina-se junção PN a estrutura fundamental dos componentes eletrônicos

comumente denominados semicondutores, principalmente diodos e transistores. É formada
pela junção metalúrgica de dois cristais, geralmente silício (Si) e (atualmente menos comum)
Germânio (Ge), de natureza P e N, segundo sua composição a nível atómico. Estes dois tipos
de cristais são obtidos ao se dopar cristais de metal puro intencionalmente com impurezas,
normalmente algum outro metal ou composto químico.

2.1.5 Polarização direta da junção PN

Para que um diodo esteja polarizado diretamente, temos que conectar o polo positivo
da bateria ao anodo (zona P) do diodo e o polo negativo ao catodo (zona N). Neste caso, a
bateria diminui a barreira de potencial da zona de carga espacial (cedendo elétrons livres à
zona N e atraindo elétrons de valência da zona P), permitindo a passagem da corrente de
elétrons através da junção; isto é, o diodo polarizado diretamente conduz a eletricidade.

Figura 3 - Polarização direta.

 10

2.1.6 Polarização indireta da junção PN

Neste caso o polo negativo da bateria é conectado à zona P e o polo positivo à zona N,
o que faz aumentar a zona de carga espacial, e a tensão nesta zona até que se alcança o valor
da tensão da bateria. Nesta situação, o díodo não deveria conduzir a corrente; não obstante,
devido ao efeito da temperatura formam-se os pares elétron-lacuna em ambos os lados da
junção produzindo-se uma pequena corrente (da ordem de 1μA) denominada corrente inversa
de saturação. Além disso, existe também uma corrente denominada corrente superficial de
fugas a qual, como o próprio nome indica, conduz uma pequena corrente pela superfície do
díodo; já que na superfície, os átomos de silício não estão rodeados de suficientes átomos para
realizar as quatro ligações covalentes necessárias para obter estabilidade. Este faz com que os
átomos da superfície do díodo, tanto da zona N como da P, tenham lacunas em seus orbitais
de valência e por isto os elétrons circulam sem dificuldade através deles. Não obstante, assim
como a corrente inversa de saturação, a corrente superficial de fugas é desprezível.

Figura 4 - Polarização inversa.

 11

2.2 DIODOS

O diodo semicondutor é um componente que pode se comportar como condutor ou

isolante elétrico, dependendo de como a tensão é colocada em seus terminais. Essa
característica permite que o diodo possa ser utilizado em diversas aplicações.

2.2.1 O princípio de funcionamento do diodo

A corrente elétrica fornecida pelas empresas energéticas é alternada, ou seja, mudam

sua polaridade entre positivo e negativo com uma frequência de 60 Hz. Porém, a maioria dos
aparelhos eletrônicos que utilizamos funciona somente com corrente contínua, ou seja, uma só
polaridade. Dizemos que o diodo funciona como uma chave fechada (resistência zero) para
uma polaridade da tensão de entrada e como uma chave aberta (resistência infinita) para a
polaridade oposta. Sendo assim, a função do diodo em um circuito é deixar passar a corrente
elétrica em apenas uma polaridade.

Figura 5 - O gráfico mostra a tensão de entrada do diodo oscilando entre o positivo e o negativo.
 12

Figura 6 - O gráfico mostra a tensão de saída do diodo. Agora ela tem apenas polaridade positiva.

O diodo é construído a partir de materiais semicondutores, como o silício ou o

germânio, que são fundidos para criar uma junção PN, sendo que P representa a polaridade
positiva e N, a negativa. A polaridade positiva P de um diodo é onde há falta de elétrons,
sendo essa região também chamada de lacuna ou buraco. A parte negativa N possui excesso
de elétrons.

A condução de corrente elétrica dependerá da forma como o diodo está polarizado, podendo
ser de duas formas:

 Polarização direta: Nesse tipo de polarização o polo positivo da fonte de tensão está
conectado ao lado P do diodo. Isso faz com que o lado positivo se torne ainda mais
positivo, e o lado N, ainda mais negativo. As cargas elétricas conseguem atravessar a
barreira de potencial existente entre o lado P e o lado N do diodo, portanto, há
condução de corrente;

 Polarização inversa: O terminal positivo da fonte de tensão é conectado ao lado p da

junção PN do diodo. Isso faz com que a barreira de potencial aumente. Nesse caso, a
resistência do circuito é muito alta, e a corrente elétrica não consegue atravessá-la.

2.2.2 Curva característica

A curva característica de um diodo mostra que em polarização direta só haverá

corrente significativa depois de vencida completamente a barreira de potencial interna que
impõem uma queda de tensão de aproximadamente 0,7V entre seus terminais. A partir desse
 13

ponto a corrente aumenta muito para pequenos acréscimos de tensão aplicada. Pode-se dizer
que a tensão entre seus terminais permanece praticamente constante quando o diodo conduz.

Em polarização reversa, a corrente é praticamente nula até que se atinja certo valor de
tensão, diferente para diferentes tipos de diodos, conhecida como (tensão de Break Down). A
partir desse valor, inicia-se um processo de condução no sentido inverso. Diz-se que nesta
condição o diodo está no estado de ruptura, pois foi vencida a barreira de potencial interna.
Há diodos fabricados para trabalhar na condição de polarização inversa e suportar a
dissipação de potência que ocorre nessa situação. São os diodos conhecidos como ZENER e
diodos de efeito avalanche.

Figura 7 - Imagem mostrando a curva característica do diodo.

 14

2.2.3 Tensão de ruptura (Break-down)

Também referida como “tensão de Zener” corresponde à tensão de polarização reversa

para a qual o dispositivo rapidamente passa a conduzir elevados níveis de corrente no sentido
reverso, ou seja, do cátodo para o ânodo.

2.2.4 Ponto de Operação

Chamado de “ponto quisciente” ou ponto Q é o ponto de interseção no plano

Corrente-Tensão entre a curva característica do diodo e a reta de carga do circuito de
polarização.

2.3 TIPOS DE DIODOS

2.3.1 Diodo Retificador

O diodo retificador é um dispositivo que permite que uma tensão ou corrente (CA)
(normalmente senoidal) seja retificada, sendo transformada em contínua. Existem vários
processos de retificação e vários tipos de retificação. Considerando o mais comum das
retificações, a transformação de uma corrente alternada senoidal em corrente contínua.
 15

Figura 8- Diodo Retificador 1N4007

2.3.2 Diodo Zener

O Diodo Zener é um dispositivo semicondutor especialmente projetado para operar na

região reversa ou reversamente polarizado. Tal como o diodo retificador ele é formado por um
Junção PN. O físico responsável pela descoberta dessa propriedade foi Clarence Zener (1905-
1993), e o nome do diodo zener é uma homenagem a esse cientista. O Funcionamento desse
dispositivo está relacionado a dois fenômenos: efeito Zener e o efeito avalanche.

Figura 9 - Diodo Zener

 16

2.3.3 Efeito Zener

Ao polarizar um diodo Zener com uma tensão reversa igual a Vz há o rompimento das
ligações covalentes no semicondutor, esse efeito se chama ruptura Zener e depende do grau de
dopagem do material semicondutor.

2.3.4 Efeito de Avalanche

Com o aumento da tensão reversa sobre o diodo também a um aumento da velocidade

das cargas elétrica no semicondutor. Esse aumento de velocidade faz com que os choques dos
elétrons livres contra a rede cristalina produza energia suficiente para libertar elétrons da
camada de valência (ionização). O Elétron que foi libertado também é acelerado libertando
outros elétrons, isso dá origem a uma reação em cadeia conhecida com efeito avalanche.

2.3.5 Diodo Emissor de Luz ( LED)

O LED é um componente eletrônico semicondutor, ou seja, um diodo emissor de luz

(LED = Light emitter diode ), mesma tecnologia utilizada nos chips dos computadores, que
 17

tem a propriedade de transformar energia elétrica em luz. Tal transformação é diferente da

encontrada nas lâmpadas convencionais que utilizam filamentos metálicos, radiação
ultravioleta e descarga de gases, dentre outras. Nos LED’s, a transformação de energia
elétrica em luz é feita na matéria, sendo, por isso, chamada de Estado sólido (Solid State).

O LED é um componente do tipo bipolar, ou seja, tem um terminal chamado anodo e

outro, chamado catodo. Dependendo de como for polarizado, permite ou não a passagem de
corrente elétrica e, consequentemente, a geração ou não de luz.

Figura 10 - Imagem do LED.

2.3.6 Diodo Varicap

Os diodos de junção têm uma região de depleção entre as camadas P e N.

Um diodo varicap é um diodo que tem uma capacidade variável em função da tensão
aplicada. São basicamente diodos construídos especificamente para funcionarem como
condensadores (capacitores) variáveis cuja capacitância varia de acordo com a tensão
aplicada.
 18

Figura 11 - Diodo Varicap.

2.3.7 Fotodiodo

É basicamente um diodo de junção com características construtivas para direcionar a

incidência de luz para a camada P. Esta, por sua vez, é bastante fina e sua espessura tem
relação com o comprimento de onda da luz a detectar.

Figura 12 – Fotodiodo.
 19

2.3.8 Diodo Schottky

Nos diodos schottky utiliza-se em vez de material semicondutor tipo P um metal, não
haverá lacunas que possam prender elétrons vindos dos outros materiais durante a corrente
direta. Diodos de junção metálica e semicondutor não são recentes. Os primitivos rádios de
galena, do início do século XX, usavam um fio metálico e um cristal de galena (sulfeto de
chumbo) para formar um diodo detector de radiofrequência.

O principal destaque do diodo schottky é o menor tempo de recuperação, pois não há

recombinação de cargas do diodo de junção. Outra vantagem é a maior densidade de corrente,
o que significa uma queda de tensão direta menor que a do diodo comum de junção. A
contrapartida é uma corrente inversa maior, o que pode impedir o uso em alguns circuitos.
São usados principalmente em circuitos de alta frequência, de alta velocidade de comutação.

Figura 13 - Diodo Schottky.

 20

2.3.9 Diodo Túnel

São diodos de junção PN com elevadas concentrações de impurezas (dopagem) em

ambas as camadas. Nesta situação, a região de depleção é muito estreita, na faixa de "algumas
dezenas de átomos" de espessura. A proximidade das partes ativas das camadas permite o
efeito túnel. O resultado é o comportamento de resistência negativa, isto é, a corrente
diminui com o aumento da tensão, em uma parte da curva de polarização direta. A
característica de resistência negativa permite a construção de osciladores simples como o
circuito da figura. A elevada dopagem faz com que a maior parte dos portadores sejam
buracos e elétrons, que têm ação bastante rápida. Assim, pode operar em frequências
elevadas. Os diodos túnel são pouco usados atualmente. As principais desvantagens são a
baixa potência e o custo, fatores com vantagem em outras tecnologias.

Figura 14 - Imagem do Diodo Túnel.

2.3.10 Diodo Gunn

O diodo GUNN é usado como oscilador local cobrindo as frequências de micro-ondas

de 1Ghz a mais de 100Ghz. O diodo Gunn tem uma característica bastante particular: é
construído apenas com semicondutor tipo N, ao contrário do par PN. Na realidade, é um
oscilador de micro-ondas. Denominado-se Diodo Gunn em homenagem a J Gunn que, em
1963, descobriu o efeito de produção de micro-ondas por semicondutores N.
 21

Figura 15 - Diodo Gunn.

2.4 CAPACITORES

Também chamado de condensador, ele é um dispositivo de circuito elétrico que tem

como função armazenar cargas elétricas e consequente energia eletrostática, ou elétrica. Ele é
constituído de duas peças condutoras que são chamadas de armaduras. Entre essas armaduras
existe um material que é chamado de dielétrico. Dielétrico é uma substância isolante que
possui alta capacidade de resistência ao fluxo de corrente elétrica. A utilização dos dielétricos
tem várias vantagens. A mais simples de todas elas é que com o dielétrico podemos colocar as
placas do condutor próximas sem o risco de que eles entrem em contato. Qualquer substância
que for submetida a uma intensidade muito alta de campo elétrico pode ser tornar condutor,
por esse motivo é que o dielétrico é mais utilizado do que o ar como substância isolante, pois
se o ar for submetido a um campo elétrico muito alto ele acaba por se tornar condutor.
 22

2.4.1 Capacitância

É denominada capacitância C a propriedade que os capacitores têm de armazenar

cargas elétricas na forma de campo eletrostático, e ela é medida através do quociente entre a
quantidade de carga (Q) e a diferença de potencial (V) existente entre as placas do capacitor,
matematicamente fica da seguinte forma:

C = Capacitância.
Q = Quantidade de carga.
V = D.d.p (Tensão elétrica).

2.4.2 Tipos de Capacitores

2.4.2.1 Capacitores planos

São capacitores em que as armaduras são planas assim como os dielétricos, como
ocorre com capacitores de mica e cerâmicos.
 23

2.4.2.2 Capacitores de Papel e óleo

São construídos colocando-se entre duas folhas de alumínio papel comum ou papel
embebido em óleo. São tubulares e suas características os tornam apropriados apenas para
aplicações em circuitos de baixas frequências. Já não são utilizados mais nas aplicações
modernas.

Figura 16 - Capacitores a óleo.

2.4.2.3 Capacitores de Poliéster

Trata-se de um tipo bastante comum de capacitor que utiliza uma espécie de plástico,
sendo obtido colocando-se folhas de alumínio como armaduras e folhas de poliéster entre elas
para formar o dielétrico. Sua construção pode levar tanto a capacitores planos como tubulares.

Figura 17 - Capacitor de Poliéster.

 24

2.4.2.4 Capacitor Cerâmico

Estes são os mais comuns atualmente. Um tipo comum é tubular, se bem que suas
características não sejam indutivas. É obtido a partir de um tubo oco de cerâmica sendo,
depositadas por meios eletrolíticos uma armadura internamente e outras externamente, outro
tipo é o construído com pedaços planos de cerâmicas onde as armaduras são depositadas nas
faces, para se obter maior capacitância podem ser empilhados diversos conjuntos. Pelas suas
características, estes capacitores podem ser usados numa ampla gama de aplicações que vão
dos circuitos de corrente contínua aos circuitos de frequências muito altas.

Figura 18 - Capacitores cerâmicos.

2.4.2.5 Capacitores de Mica

Estes tipos duas placas metálicas são colocadas de modo a haver uma ou mais folhas
de mica entre elas, formando o dielétrico. Como a mica não é flexível, estes capacitores só
admitem a construção plana. Pelo fato de a mica ser um material muito estável e com
propriedades ideais para aplicações em altas frequências, estes capacitores são empregados
em instrumentação, transmissão e outras aplicações semelhantes.
 25

Figura 19 - Capacitor de Mica.

2.4.2.6 Capacitores Eletrolíticos

Estes capacitores são construídos a partir da formação de uma camada de óxido de

alumínio (eletrolíticos de alumínio) ou óxido de tântalo (para os capacitores de tântalo) numa
armadura do mesmo metal. Como a camada de óxido é muito fina e tem uma constante
dielétrica elevada, podem ser obtidos capacitores de valores elevados ocupando pequeno
espaço. São mais utilizadas em desacoplamento, acoplamento e filtragem de sinais de baixas
frequências.
 26

Figura 20 - Capacitor Eletrolítico.

2.5 TRANSFORMADOR MONOFÁSICO

O Trafo ou transformador pode ser considerado a máquina elétrica responsável por

realizar a transformação da energia elétrica proporcionando a redução ou elevação da tensão
elétrica alternada. Podemos observar a aplicação desta máquina elétrica em sistemas de
redução da tensão em circuitos eletrônicos presente em diversos equipamentos, como por
exemplo, em eletrodomésticos onde a tensão deve ser rebaixada para níveis menores
disponibilizando tensões de pequenas escalas utilizadas por estes circuitos eletrônicos.
Baseado no princípio de indução eletromagnética, o transformador (trafo) realiza a
transformação da energia elétrica (mais precisamente a tensão elétrica) a partir de um fluxo
magnético variável originado de uma corrente elétrica alternada. A tensão elétrica alternada
inserida ao enrolamento primário do transformador irá gerar um fluxo magnético variável que
será responsável por induzir no secundário uma tensão elétrica induzida de polaridade oposta.

Figura 21 - Transformador Monofásico.

 27

2.5.1 Características e tipos de Transformadores

Um transformador monofásico simples (também conhecido como Trafo) pode ser

dividido em três principais partes.

2.5.1.1 Enrolamentos

O Enrolamento Primário de um trafo simboliza o a bobina responsável por receber a

tensão elétrica que será transformada no Enrolamento Secundário, estes dois enrolamentos,
comumente chamados de bobinas, envolvem um material ferromagnético (o Núcleo).

2.5.1.2 Transformador Elevador

O transformador Elevador irá realizar a elevação da tensão elétrica disponibilizada na

entrada do transformador (enrolamento primário), isto se dá em função do enrolamento
secundário possuir maior quantidade de espiras em relação ao primário, tornando a indução
magnética maior no secundário e disponibilizando, respectivamente, uma maior tensão
elétrica.
 28

2.5.1.3 Transformador Rebaixador

Este tipo de transformador realiza o rebaixamento da tensão elétrica presente no

enrolamento primário do transformador, somente se torna possível este processo de
transformação em função do transformador possuir um número de espiras inferior no
enrolamento secundário, fazendo com que a indução magnética seja menor, causando
respectivamente a redução da tensão elétrica.

2.5.1.4 Transformador Isolador

O transformador isolador possui a característica de manter no secundário a tensão que

recebe no enrolamento primário, ou seja, se uma tensão de 127V é adicionada ao primário do
transformador isolador teremos em seu secundário os mesmos 127V. Tradicionalmente
utilizado em circuitos eletrônicos, este tipo de transformador isola a tensão do secundário em
relação ao primário proporcionando o isolamento físico entre os enrolamentos e,
principalmente, a redução de ruídos no secundário.

2.6 RETIFICADOR DE MEIA ONDA

O diodo tem a característica de conduzir corrente somente num sentido e devido a esta
característica unidirecional, o mesmo é utilizado para retificar. O diodo ideal com polarização
 29

direta comporta como uma chave fechada e com polarização reversa comporta como uma
chave aberta. O diodo real tem resistência direta muito baixa e resistência reversa muito alta.

Figura 22 - Retificador de meia onda

2.7 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM DERIVAÇÃO CENTRAL

No circuito retificador de onda completa com derivação central, a diferença para o

circuito de meia onda consiste na adição de um diodo a mais no circuito, com isso o circuito
é equivalente a dois retificadores de meia onda, porém enquanto um diodo retifica o semiciclo
positivo da onda senoidal, o outro diodo faz o mesmo papel, porém com o semiciclo negativo
da tensão, ocasionando assim uma forma de onda retificada completamente para o ciclo
positivo.

Figura 23 - Retificador com derivação central

 30

2.8 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE

Este é com certeza o mais usado entre os retificadores conhecidos, pois apresenta um
melhor desempenho em relação aos outros.
Em cada pico de tensão dois diodos conduzem em sequência, efetuando assim a
retificação do sinal, e outra característica importante é a menor perca de tensão do sinal
alternado para o contínuo em relação aos outros retificadores citados anteriormente.

Figura 24 - Retificador em ponte

2.9 FILTRO CAPACITIVO PARA O RETIFICADOR

A tensão de saída de um retificador sobre um resistor de carga é pulsante como.

Durante um ciclo completo na saída, a tensão no resistor aumenta a partir de zero até um valor
de pico e depois diminui e retorna a zero. No entanto a tensão de uma bateria (por exemplo)
 31

deve ser estável. Para Obter esse tipo de tensão retificada na carga, torna-se necessário o uso
de um filtro.
O tipo mais comum de filtro para circuitos retificadores é o filtro com capacitor, onde
o capacitor é colocado em paralelo ao resistor de carga.

Figura 25 - Filtro capacitivo.

3 RESISTOR

Um resistor pode ser definido como sendo um dispositivo eletrônico que tem duas
funções básicas: ora transforma energia elétrica em energia térmica (efeito joule), ora limita a
quantidade de corrente elétrica em um circuito, ou seja, oferece resistência à passagem de
elétrons. Os resistores são fabricados basicamente de carbono, podendo apresentar resistência
fixa ou variável. Quando os resistores apresentam resistência variável passam a ser chamados
de potenciômetros ou reostatos. Encontramos resistores mais comumente nos chuveiros
elétricos, nos filamentos das lâmpadas incandescentes, em aparelhos eletrônicos, etc.
 32

3.1 TIPOS DE RESISTORES

3.1.1 Resistores de Carvão

São os mais antigos e geralmente mais baratos. Neles, os grãos de carvão são
misturados com um material de preenchimento e inseridos em um envoltório tubular. Nos
primeiros resistores, o carvão era misturado com borracha vulcanizada, contudo, hoje utiliza-
se um preenchimento cerâmico. O valor da resistência é determinado pela quantidade de
carvão adicionada à mistura. Possuem uma faixa de tolerância maior (10% a 20%), ou seja,
seu valor não pode ser determinado com muita precisão. São mais apropriados para aplicações
que envolvem grandes picos de tensão, em relação a outros tipos de resistores.

Figura 26 - Resistor de carvão

3.1.2 Resistores de Filme Metálico

São feitos de pequenos bastões de cerâmica revestidos por uma liga metálica ou de
óxido metálico. O valor da resistência é controlado primeiramente pela espessura do
 33

revestimento (quanto mais espesso menor a resistência). Além disso, uma fina espiral pode ser
cortada ao longo do bastão, por meio de um laser, criando uma longa tira, a qual formará
efetivamente o resistor. Devido a este processo de fabricação, podem ser obtidos resistores
com valores bem mais precisos (cerca de 1% de tolerância). Também existem os resistores de
filme de carvão, similares aos de filme metálico, porém, mais baratos e menos precisos (5%
de tolerância). Estes últimos são, sem dúvida, os mais utilizados em circuitos eletrônicos.

Figura 27 - Resistor de filme metálico

3.1.3 Resistores de Fio

Tais resistores variam bastante em construção e aparência física. Seu elemento

resistivo é geralmente feito de longos fios, principalmente de uma liga metálica chamada
Nicromo (niquel + cromo), os quais são enrolados ao longo de um bastão cerâmico ou de
fibra de vidro e revestidos por um cimento resistente ao calor. São fabricados para potências
mais elevadas e resistências de menor valor.
 34

Figura 28 - Resistor de Fio

3.1.4 Potenciômetro

É um componente eletrônico que possui resistência elétrica ajustável. Geralmente, é

um resistor de três terminais onde a conexão central é deslizante e manipulável. Se todos os
três terminais são usados, ele atua como um divisor de tensão.

Figura 29 - Potenciômetro
 35

4 DESENVOLVIMENTO

Neste roteiro de aula prática serão estudadas várias aplicações para o diodo em
circuitos retificadores e multiplicadores de tensão.

4.1 PRÁTICA 01 – TESTE DE DIODO

Nesta prática de laboratório colocamos os conhecimentos aplicados em aula para os

diodos, especialmente o diodo retificador.

4.1.1 Objetivo

O objetivo desta experiência é determinar as polarizações direta e reversa dos diodos,

realizando medições e com isso comparar os resultados obtidos com a teoria vista em aula.

4.1.2 Materiais e componentes utilizados

 Fonte de alimentação CC.

 Protoboard.
 Multímetro digital.
 Diodo 1N4007.
 36

4.1.3 Experimentos e Resultados Obtidos

As condições de funcionamento de um diodo são verificadas pela medição da

resistência através do multímetro. Esses testes se resumem na verificação da resistência do
componente nos sentidos da condução e do bloqueio, utilizando a tensão fornecida pela bateria.
Obtivemos os seguintes valores:

Resistência Valor ( Ω)
Polarização Direta 420Ω
Polarização Reversa ∞Ω

4.2 PRÁTICA 02 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO

4.2.1 Objetivo

O objetivo desta experiência é comprovar de forma prática a curva característica do

diodo comparando com as informações do fabricante.
 37

4.2.2 Materiais e componentes utilizados

 Fonte de alimentação CC.

 Protoboard.
 Multímetro digital.
 Diodo 1N4007.
 Resistor 1kΩ.
 Potenciômetro 1kΩ.

4.2.3 Experimentos e Resultados Obtidos

Neste ensaio, vamos verificar essas características levantando a curva característica do

componente num sistema de eixos. Ajustamos a Fonte CC para 10V, variamos a posição do
potenciômetro de forma a obter os valores de tensão no diodo. Obtivemos os seguintes
valores:

Tensão no Diodo (VD) [V] 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Corrente no Diodo (Id)
[mA] 4,76 4,76 4,76 4,76 4,77 4,77 4,78 4,89 8,42

a) O que você pode concluir da experiência à cima?

R = Concluímos que até o diodo atingir o seu valor de atuação que é de 0,7V, o valor
da corrente permanece inalterado.

b) Como se comporta a corrente no diodo quando a tensão VD (direta) atinge os valores

em torno de 0,6V?
 38

R = Ela sofre uma alteração mínima, mas ainda não ocorre o pico de corrente.

c) Determine a resistência interna do diodo com tensão direta :

R = VD = 0,5V R = 0,104Ω
VD = 0,7V R = 0,125Ω

d) O que acontece com a resistência interna do diodo quando a tensão VD aumenta?

R = Ela visivelmente sofre um aumento.

e) Trace o gráfico correspondente à curva característica do diodo.

5 Tensão no Diodo (VD)

[V]
4
Corrente no Diodo (Id)
3 [mA]

0
1 2 3 4 5 6 7 8 9
 39

4.3 PRÁTICA 03 – CIRCUITOS RETIFICADORES

4.3.1 Objetivo

O objetivo desta experiência é estudar as diferentes formas de circuitos retificadores

de sinais alternados, realizando medições e com isso comparar os resultados obtidos com a
teoria vista em sala de aula.

4.3.2 Materiais e componentes utilizados

 Osciloscópio
 Gerador de Funções
 Fonte de Alimentação CC
 Protoboard
 Multímetro
 Diodo 1N4007
 Resistor de 1kΩ
 Transformador 127/12V
 Capacitor 100µF
 Capacitor 1000µF

4.3.3 Experimentos e Resultados Obtidos

Nesta segunda de uma série de experiências com diodos retificadores, utilizaremos o

método de retificação por meia onda, por onda completa com derivação central e o método de
retificação por onda completa em ponte. Estaremos demonstrando os cálculos e os valores
medidos em laboratório.
 40

Figura 30 - Retificador de meia onda

Retificador de meia onda

Parâmetro Valor Calculado ou estimado Valor Medido

V2p 14,55V 14,51V

VD | VBR 0,7V (-) 4,05V 0,7V (-) 5,88V
VRLp | VRLmd 13,86 V 4,63V 6,78V 5,18V
TV2 | fV2 16,70ms 59,88Hz 16,70ms 59,88Hz
TVD | fVD 16,70ms 59,88Hz 16,70ms 59,88Hz
TVRL | fVRL 16,70ms 59,88Hz 16,70ms 59,88Hz

Fizemos os seguintes cálculos:

V2p  Vm *√2  10,3 * √2  14,56V Tvrl  T = 1 / 60 = 16,70ms

Vd  0,7V ( Tensão direta no diodo). Fvrl  F = 1 / 16,70ms = 59,88Hz

Vbr  - 14,51V

Vrlp  V2p – 1,4  14,56 – 0.7  13,86 V

Vrlmd  V2p / п = 14,56 / 3,14 = 4,63V

Tv2  T = 1 / 60(F)  16,70ms.

 41

Fv2  f = 1 / 0,01670 = 59,88Hz

Tvd  T = 1 / 60 = 16,70ms

Fvd  F = 1 / 16,70 ms = 59,88Hz

Figura 31 - Retificador de onda completa com derivação central

Retificador de onda completa com derivação central

Parâmetro Valor Calculado ou estimado Valor Medido

V2p 35,46V 38,0V

V2ap | V2bp 17,73V 17,73V 18,8V 18,8V
VRLp | VRLmd 34,21V 11,22V 18,0V 5,55V
TV2 | fV2 16,70ms 59,88Hz 16,70ms 59,88Hz
TVD | fVD 16,70ms 59,88Hz 16,70ms 59,88Hz
TVRL | fVRL 16,70ms 59,88Hz 16,70ms 59,88Hz
T v2a | f V2a 16,67ms 59,88Hz 16,70ms 59,88Hz
Tv2b | f V2b 16,67ms 59,88Hz 16,70ms 59,88Hz
Vd | Vbr 1,4V (-) 35,46V 1,4V (-) 35,46V

Fizemos os seguintes cálculos:

V2p  √2 * V2 = 25 * 1,41 = 35,25V Vd = 0,7 +0,7 = 1,4V

V2ap  V2p / 2 = 35,25 / 2 = 17,73V Vbr = 35,46V

V2bp  V2p / 2 = 35,25 / 2 = 17,73V

Vrlmd = V2p / п = 35,25/ 3,14 = 11,22V

 42

Vrlp  V2p – 1,04 = 35,25 – 1,04 = 34,21V

Tv2 = 1 / 60 = 16,70ms Fv2 = 1 / 16,70ms = 59,88Hz

Tvd = 1 / 60 = 16,70ms Fv2 = 1 / 16,70ms = 59,88Hz

Tvrl = 1/120 = 8,33ms Fv2 = 1/ 8,33ms = 120Hz

Tv2a = 1/ 60 = 16,70ms Fv2a = 59,88Hz

Tv2b = 16,70ms Fv2b = 59,88Hz

Figura 32 - Retificador de onda completa em ponte

Retificador de onda completa em ponte

Parâmetro Valor Calculado ou estimado Valor Medido

V2p 17,67V 18,8V

Vd | Vbr 1,4V (-) 17,73V 1,4V (-)18,8V
Vrlp | Vrlmd 16,27V 5,62V 16,27V 10,7V
Tv2 | fv2 16,70ms 59,88Hz 16,70ms 59,88Hz
Tvd | fvd 16,70ms 59,88Hz 16,70ms 59,88Hz
Tvrl | fvrl 8,36ms 120Hz 8,36ms 120Hz

Fizemos os seguintes cálculos:

Vd = 0,7 + 0,7 = 1,4V
Vbr = 17,73V
Vrlp = V2p – 1,4 = 17,67 – 1,4 = 16,27V
 43

Vrlmd = V2p / п = 17,67/ 3,14 = 5,62V

Tv2 = 1 / 60 = 16,70ms
Fv2 = 1 / 16,70ms = 59,88Hz
Tvd = 1/60Hz = 16,70ms
Fvd = 1/ 16,70ms = 59,88Hz
Tvrl = 1 / 120Hz = 8,33ms
Fvrl = 1 / 8,33ms = 120Hz

Figura 33 - Retificador de onda completa em ponte com filtro capacitivo

Fonte não-regulada com filtro de 100µF

Parâmetro Valor calculado ou estimado Valor medido
V2p 35,25V 36,8V
Vrlmd 11,22V 35,2V
fripple 120Hz 120Hz
Vripple 2,93V 2,98V
Fonte não-regulada com filtro de 1000µF
V2p 34,4V 34,4V
Vrlmd 10,95V 33,9V
fripple 120Hz 120Hz
Vripple 293,73mV 298,6mV

Fizemos os seguintes cálculos:

V2p = 25 * 1,41 = 35,25V
Vrlmd = 35,25 / 3,14 = 11,22V
Vripple = Vmf / f*rl*C = 35,25 / 120*1000*1000µF = 35,25/120 = 293,73mV
Vripple = 35,25 / 120 * 1000 * 100µF = 2,93V
 44

4.4 PRÁTICA 04 – REGULADORES DE TENSÃO

Diodo Zener ( também conhecido como diodo regulador de tensão ) é um dispositivo

semelhante a um diodo comum, especialmente projetado para trabalhar em regime de
condução reversa, neste caso há dois fenômenos envolvidos: o efeito Zener e o efeito
avalanche.

4.4.1 Objetivo

O objetivo desta experiência é estudar a aplicação do diodo Zener como regulador de tensão.

4.4.2 Materiais e componentes utilizados

 Osciloscópio
 Gerador de Funções
 Fonte de Alimentação CC
 Protoboard
 Multímetro
 Diodo 1N4007
 Diodo Zener 1N4733
 45

 Potenciômetro 1kΩ
 Transformador 127/12V
 Capacitor 1000µF

4.4.3 Experimentos e Resultados obtidos

Montaremos o circuito com o diodo Zener embutido, e responderemos as seguintes

questões com o circuito montado:

a) Medir a tensão na carga;

R= 38Vcc
b) Comparar a forma de onda da tensão na carga obtida com e sem o regulador da tensão
acoplado ao circuito retificador;
R = Comparando as formas de onda notamos que a frequência aumenta juntamente
com a amplitude do sinal e recebemos uma forma de onda bem aproximada da “linha”
esperada.

Figura 34 – Imagem representativa de um circuito regulador de tensão com diodo Zener

 46

5 CONSIDERAÇÕES FINAIS

Com o término de todas as práticas e análises feitas, podemos considerar que os

resultados confirmam totalmente os detalhes teóricos estudados em sala de aula, para todos os
tipos de retificadores, ocorrem pequenas diferenças em valores medidos e calculados, porém
isso pode ser justificado devido a arredondamentos, tolerância de componentes, variações e
perdas, entre outros fatores que influenciam em pequenos detalhes, mas que são aceitáveis.
 47

6 REFERÊNCIAS

DE SOUZA, Ivair José. Circuitos Retificadores. Disponível em:

<http://ivairsouza.com/circuitos_retificadores.pdf> Acesso em 19/04/2011

MALVINO, A. P. Eletrônica. V.1. 4. ed. São Paulo: Makron,1995.

BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY. L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 8.

ed. Rio de Janeiro: Pearson do Brasil, 2004

MARQUES, A. E. B.; CRUZ, E. C. A.; CHOURI JÚNIOR, S. Dispositivos

Semicondutores: Diodos e Transistores. Coleção: Estude e Use. Série Eletrônica Analógica.
1. ed. São Paulo: Érica, 1996

DA SILVA FILHO, Matheus Teodoro. Eletrônica Analógica Básica. 3.ed. Curitiba: 2007