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MOSFET et IGBT :

circuits de commande

par Stéphane LEFEBVRE


Agrégé de Génie électrique
Docteur de l’École normale supérieure de Cachan
Maître de conférences au Conservatoire national des arts et métiers
et Bernard MULTON
Agrégé de Génie électrique
Docteur de l’université de Paris 6
Professeur des Universités à l’École normale supérieure de Cachan – Antenne de Bretagne

1. Dimensionnement.................................................................................... D 3 233 - 2
2. Protection contre les courts-circuits ................................................. — 3
2.1 Détection par mesure de la désaturation .................................................. — 4
2.2 Détection par mesure du courant............................................................... — 4
2.3 Mise en œuvre d’une protection ................................................................ — 4
3. Transistors low side ................................................................................ — 5
3.1 Principe......................................................................................................... — 5
3.2 Circuits intégrés de commande.................................................................. — 6
4. Transistors high side ............................................................................... — 7
4.1 Problématique.............................................................................................. — 7
4.2 Transmission des impulsions de commande............................................ — 7
4.3 Alimentations............................................................................................... — 10
4.4 Isolation simultanée de la commande et des alimentations
par transformateur d’impulsion ................................................................. — 13
5. IGBT de forte puissance......................................................................... — 14
5.1 Principes de commande.............................................................................. — 14
5.2 Circuits hybrides de commande................................................................. — 15
Références bibliographiques ......................................................................... — 16

es contextes et les principes de la commande des composants MOSFET


L (Metal Oxide Semiconductor Field Effect) et IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor) ont fait l’objet des articles [D 3 230] et [D 3 231].
Dans cet article sont développés les circuits de commande des transistors à
grille isolée MOSFET et IGBT. Des exemples de circuit de commande pour tran-
sistor low side sans isolation et pour transistor high side sont donnés.
Les circuits de commande pour composants bipolaires de puissance sont étu-
diés en [D 3 232].

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MOSFET ET IGBT : CIRCUITS DE COMMANDE ________________________________________________________________________________________________

1. Dimensionnement Il est délicat de dimensionner le circuit de commande à partir des


seules capacités du schéma équivalent, CGD étant fortement non
linéaire. Les fabricants de transistors MOSFET et IGBT indiquent la
charge QG qu’il faut apporter à la grille pour assurer la commuta-
tion, notamment en fonction de la tension d’alimentation du circuit
Pour les notations, le lecteur se reportera en [D 3 231, § 3].
de grille [1] [2].

On remarque en effet que la charge injectée pour une commuta-


Bien que la commande d’un transistor MOSFET ne nécessite que
l’application d’une tension constante, le circuit de commande peut
être amené à délivrer transitoirement des intensités élevées (jusqu’à
tion,
∫ I G dt , est sensiblement indépendante de IGM puisque les

plusieurs ampères) et de très courtes durées (quelques 10 ns) lors temps de commutation sont inversement proportionnels à IGM. La
des phases de commutation pour assurer la charge et la décharge valeur de courant commuté I0 influe assez peu car le temps de pas-
de sa capacité d’entrée. Ainsi, le dimensionnement et le câblage du sage de VT (tension de seuil de commande) à V0 (proche de la ten-
circuit de commande doivent être étudiés et réalisés avec soin. sion de plateau de commande) est généralement très faible (cf.
Exemple : les relevés expérimentaux de la figure 1 sur un transis- [D 3 231, figure 37]. En revanche, la tension commutée joue un rôle
tor MOSFET 600 V, 21 A inséré dans un hacheur série (I0 = 8 A, un peu plus important. Évidemment, la tension maximale de com-
UDC = 400 V) montrent les grandeurs de commande (VGS et IG) et les mande VGS joue un rôle majeur (figure 3).
grandeurs commutées (VDS, ID) lors des phases de mise en conduction
et de blocage. L’énergie WG fournie par le circuit de commande pour assurer la
commutation de mise en conduction s’écrit :
La figure 2 montre un circuit de commande unipolaire élémen-
taire, constitué essentiellement d’un push-pull à deux transistors


bipolaires complémentaires, et d’une résistance RG de limitation du WG = u S i G dt = V CC Q G
courant maximal de grille. Les formes d’ondes simplifiées sont tra-
cées en négligeant l’effet de l’inductance totale de grille. T

1 15 1 20
Courant (A)

Tension (V)

Courant (A)

Tension (V)
0,75 VGS VGS 15
10
IG
0,5 0,5 10
5
0,25 5

0 0 0 0

– 0,25 –5
–5
IG
– 0,5 – 0,5 – 10
– 10
– 0,75 – 15

–1 – 15 –1 – 20
0 0,5 1 1,5 2 0 0,5 1 1,5 2
Temps (µs) Temps (µs)

500 50 10 500
Courant (A)

Tension (V)

Courant (A)

Tension (V)
400 40 8 400
VDS VDS
ID
300 30 6 300

200 20 4 200

100 ID 10 2 100

0 0 0 0

– 100 – 10 –2 – 100
0 0,5 1 1,5 2 0 0,5 1 1,5 2
Temps (µs) Temps (µs)

a mise en conduction b blocage

Figure 1 – Relevés expérimentaux, mise en conduction et blocage d’un transistor MOSFET (APT6030BVR, 600 V, 21 A) avec une tension de grille
bipolaire

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devant fournir une puissance moyenne de 110 mW pour une fré-


VCC quence de découpage de 100 kHz. Pour limiter les pertes par com-
mutation, les commutations devant être rapides, il est courant de
CG rencontrer des dVDS/dt de l’ordre de 10 kV/µs à la mise en conduc-
tion de tels composants (ils sont généralement légèrement infé-
VCC D rieurs au blocage). Pour le composant pris comme exemple ici, le
S G fabricant annonce une valeur de CGD = 300 pF (sous VDS = 25 V).
TP Pour obtenir un dVDS/dt de 10 kV/µs en ce point particulier, le circuit
0V RG
de commande devra fournir un courant de grille de 3 A. Notons que
US S ce courant sera atteint grâce à une résistance de grille inférieure à
4 Ω si VCC = 12 V.
Exemple : pour donner des ordres de grandeurs correspondant à
un IGBT de très forte puissance, on peut relever les valeurs suivantes
VGS
dans la notice constructeur de l’IGBT FZ1200R33KF2 (Eupec), 3 300 V,
US 1 200 A :
VCC
CISS = 150 nF (VCE = 25 V, VGE = 0 V)
CRSS = 8 nF (VCE = 25 V, VGE = 0 V)

IG t QG = 22 µC (VGE = − 15 V à 15 V)

VCC QG En suivant la même démarche que précédemment, on trouve


RG cette fois que le circuit de commande doit fournir une énergie égale
à VCCQG, à chaque commutation, et donc délivrer une puissance
T t valant cette fois 2f VCCQG (la grille étant commandée entre ± 15 V,
V
– CC pour les composants à grille isolée de forte puissance) à savoir
RG 0,7 W à 1 kHz. Si la puissance délivrée par le générateur de com-
mande reste acceptable à cette fréquence, le circuit de commande
Figure 2 – Schéma de principe d’un circuit de commande unipolaire doit pouvoir malgré tout fournir des courants crêtes élevés pour
et formes d’ondes simplifiées assurer des commutations à faibles pertes (jusqu’à une dizaine
d’ampère pour ce composant particulier).
Ces applications numériques montrent la très faible consomma-
tion que nécessite la commande d’un MOSFET ou d’un IGBT, et la
18
valeur transitoire élevée que doit prendre le courant de grille
VGS (V) ID = 18 A VDS = 160 V
lorsqu’une commutation rapide est recherchée.
14 VDS = 100 V
VDS = 40 V Un découplage très efficace de la source d’énergie du circuit de
commande (condensateur CG de la figure 2), ainsi qu’un câblage
12
très soigné (faibles inductances) sont nécessaires pour délivrer de
tels courants impulsionnels.
10

6
2. Protection
contre les courts-circuits
4

2 Le court-circuit est un dysfonctionnement très contraignant pour


les composants à semi-conducteur de puissance (figure 4), car il
0 leur impose en supportant simultanément de fortes tensions et de
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 forts courants d’avoir une aire de sécurité suffisante et d’être capa-
QG (nC) ble de dissiper de façon transitoire des énergies très élevées. Dans
l’exemple suivant, les transistors T1 et T5 d’un onduleur triphasé sont
normalement passants, et un court-circuit apparaît au niveau de la
Figure 3 – Charge de grille pour la commutation (IRFP250N, charge. La tension d’alimentation se retrouve appliquée aux bornes
International Rectifier) (VCC = 12 V) des deux IGBT passants à travers la seule inductance de la maille de
commutation. Le courant va donc croître très rapidement, avec une
vitesse imposée par la tension UDC et l’inductance de la maille. Les
Ici, seule la phase de mise en conduction nécessite un apport transistors MOSFET et IGBT, contrairement aux thyristors, ont la
d’énergie du circuit de commande. Lors du blocage, l’énergie néces- possibilité de limiter le courant à une valeur imposée par la tension
saire à la décharge de la capacité d’entrée est entièrement dissipée de grille en fonctionnant en régime linéaire (désaturation) et,
par RG. Ainsi, la puissance PG que devra fournir le circuit de com- contrairement aux transistors bipolaires courants, grâce à une large
mande, à la fréquence de découpage f, vaut : aire de sécurité. La désaturation des transistors limitera la valeur du
courant de court-circuit, et laissera le temps nécessaire à la détec-
PG = fVCCQG tion du défaut et à la protection des composants.
La figure 3 indique, sous 160 V de tension d’alimentation, et pour Les deux types de composants (MOSFET et IGBT) sont générale-
un courant de 18 A, une charge de grille de 95 nC environ pour une ment spécifiés pour tenir les courants de court-circuit pendant un
tension VCC de 12 V, ce qui nécessitera un circuit de commande temps généralement spécifié de l’ordre de 10 µs. Dans les IGBT, le

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Défaut de VCC
court-circuit

T1 T2 T3
D
+
UDC M Tinhibition

Vref
T4 T5 T6
&
Inhibition C
G
Entrée
IC Régime de Commande E
court-circuit grille
ICC VGE = 15 V

Figure 5 – Détection d’un régime de court-circuit par mesure


de la désaturation
Point
oint de fonctionnement
avant court-circuit
I0
C
G
UDC VBR VCE
E

Figure 4 – Exemple d’un défaut de court-circuit Détection RSense


(protection)

courant de court-circuit peut varier entre environ 3 et 10 fois le cou-


rant nominal.
Figure 6 – Détection d’un régime de court-circuit dans un transistor
IGBT à miroir de courant

2.1 Détection par mesure


de la désaturation capteur intégré de courant peut être mise à profit pour la détection
d’un régime de court-circuit ou de surintensité. On peut noter que
certains transistors intègrent la résistance de sense avec également
Le régime de désaturation des transistors en régime de court-cir- l’électronique permettant la détection et la protection du transistor.
cuit est souvent mis à profit pour la détection des courants de court-
circuit en vue de leur protection (figure 5). En effet, lors de cette
phase de fonctionnement accidentel, on retrouve une tension éle-
vée aux bornes de l’IGBT alors que, compte tenu de la tension appli- 2.3 Mise en œuvre d’une protection
quée sur l’électrode de grille par le circuit de commande, en régime
sans défaut, il devrait être passant avec une très faible chute de ten-
sion à ses bornes. Après détection d’un courant de court-circuit, le transistor doit
Lorsque la tension VCE devient supérieure à Vref (par exemple en être bloqué pour éviter sa destruction. La valeur généralement très
cas de court-circuit), la diode de désaturation D se bloque, ce qui élevée du courant de court-circuit rend délicate sa phase de blocage,
inhibe au bout d’un temps Tinhib le circuit de commande et bloque le car si rien de particulier n’est fait, la rapide décroissance du courant
transistor. La tension Vref fixe le niveau de la tension VCE devant être peut entraîner le claquage en avalanche du transistor par la surten-
considéré comme excessif. La durée d’inhibition Tinhib du circuit de sion due à l’inductance de la maille de commutation. En effet, à
protection est nécessaire pour assurer correctement les phases de résistance de grille RG donnée, le dI/dt au blocage est plus élevé à
mises en conduction (où l’on a également simultanément une fort niveau de courant. Deux techniques sont utilisées pour réduire
entrée de commande à un niveau logique haut et une tension ce risque au blocage d’un courant de court-circuit. La première
V CE significative). consiste, lorsqu’un défaut de type court-circuit est détecté, à blo-
quer le transistor à travers une résistance de grille plus élevée (sous
un faible courant de grille) pour limiter le dI/dt au blocage (figure 7),
et la seconde à réduire préalablement la tension de commande de
2.2 Détection par mesure du courant grille avant l’ouverture, afin de réduire la valeur du courant coupé.
On rencontre également des circuits de commande agissant
directement sur la grille pour limiter la surtension et dissiper l’éner-
La mesure directe du courant à l’aide de capteurs spécifiques est gie d’avalanche dans le composant sans que la tension VCE n’excède
rarement utilisée pour la détection d’un régime de court-circuit, la tension de claquage (écrêteurs actifs) [3] [4] [5]. Le principe d’un
essentiellement à cause de leur prix et de leur encombrement. En tel schéma est indiqué sur la figure 8.
revanche, des transistors MOSFET et IGBT intégrant un miroir de
courant (une petite fraction des cellules isolées pour refléter l’allure Lorsque la tension VCG dépasse la tension VZ de claquage de DZ,
du courant principal) sont disponibles (figure 6). Il faut ensuite relier la petite partie du courant de charge dévié dans cette diode permet
la connexion « Sense » à une résistance pour avoir une image ten- de charger la capacité d’entrée du transistor TP pour le mettre en
sion du courant traversant le transistor. L’information issue de ce conduction. La tension VAG est maintenue égale à la tension VZ,

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IC ∆V IC
ICC ICC
∆V
VCE ∆V
UDC UDC UDC
VCE VCE

IC
I0

t t t
VGE
+ 15 V + 15 V + 15 V

VT VT VT
VGE VGE

t t t

a phase de blocage en fonctionnement b blocage d'un courant de court-circuit sans c blocage d'un courant de court-circuit
normal, surtension acceptable précaution particulière, risque de claquage à travers une résistance de grille élevée
en tension

Figure 7 – Blocage d’un courant de court-circuit, effet de la résistance de grille sur la surtension

+ 15 V VCC
DZ VCC
TC
off TA
on
D C 0V RGon
D
Entrée G
TP G
RG TP
E
S
RC RGoff
TB

– 15 V
– VCC
Figure 8 – Schéma de principe d’un écrêteur actif

l’IGBT fonctionne en régime linéaire (désaturation) et la tension VGE Figure 9 – Exemple d’un circuit de commande sans isolation
s’adapte au courant devant traverser l’IGBT. Le courant traversant
DZ restant négligeable devant IC, toute l’énergie est dissipée dans
l’IGBT. En dehors des circuits de commande pour IGBT de très forte complémentaire (inverseur) et un circuit de commande bipolaire
puissance (cf. § 5), ce procédé est également utilisé dans les alluma- dont l’étage de sortie est constitué d’un push-pull à deux transistors
ges électroniques automobiles.
bipolaires NPN et PNP.

Sur le premier circuit ont été indiquées les résistances RGon et


3. Transistors low side RGoff permettant de contrôler séparément les vitesses de mise en
conduction et de blocage.

Par low side, on qualifie les transistors dont l’électrode de Le transistor MOSFET TC assure le décalage du niveau des ten-
source pour les MOSFET ou d’émetteur pour les IGBT est placée sions de commande et permet de commander le transistor TP entre
au même potentiel que celui de référence du circuit de commande. ± VCC ici. À noter que la polarisation négative de grille (habituelle-
ment choisie entre − 5 et − 15 V pour les transistors à commande
standard) améliore considérablement l’immunité du circuit de com-
3.1 Principe mande aux perturbations. Elle est indispensable pour les transistors
utilisés dans les bras de pont à cause des dV/dt très élevés que
La figure 9 montre un circuit de commande unipolaire élémen- subissent les transistors, mais est également fortement conseillée
taire, constitué d’un push-pull à deux transistors MOSFET de signal dans toutes les autres applications.

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3.2 Circuits intégrés de commande ces circuits une diode haute tension pour la détection de la désa-
turation, mais parfois elle est déjà intégrée dans le circuit de com-
mande qui se trouve alors spécifié en tension).
De nombreux circuits intégrés de commande sont également dis-
ponibles, ils comprennent tous un étage de sortie se comportant Exemple : la figure 10 montre le schéma de principe du circuit inté-
comme une interface de puissance à transistors bipolaires ou à tran- gré MIC4451 (Micrel), capable de fournir des courants crêtes de 12 A
sistors MOSFET capables de délivrer ou de laisser transiter les pics (les deux diodes à l’entrée du circuit intégré de commande sont des
de courant nécessaires à la charge et à la décharge de la grille lors diodes d’écrêtage, pour la protection du circuit de commande, mais en
des commutations. aucun cas pour la protection du transistor de puissance).
L’entrée est généralement compatible avec des circuits logiques.
Certains circuits intègrent également la fonction de protection Le tableau 1 décrit les principales spécificités de quelques circuits
contre les régimes de court-circuit (généralement, il faut associer à intégrés de commande de grille.
(0)

Tableau 1 – Principales caractéristiques de quelques circuits intégrés de commande


Référence Tension d’alimentation Courant maximal Spécificités,
Fabricant recommandée de sortie Protections intégrées
IR VCC = 12 à 18 V + 1 A, − 2 A Protection contre les surintensités et courts-circuits pour
IR2121 transistors possédant une broche « Sense »
Unitrode VCC = 5 à 40 V 1,5 A Intègre deux circuits de commande
UC1707
On VCC = 6,5 à 18 V 1,5 A Intègre deux circuits de commande
MC34151
Microchip VCC = 4,5 à 18 V 1,5 A Intègre deux circuits de commande
TC4426A
Elantec VCC = 4,5 à 16,5 V 2A Intègre deux circuits de commande
EL7202C
On VCC = 4,5 à 20 V 6A
NCP4420
Ixys VCC = 4,5 à 25 V 8A
IXDD408PI
Micrel VCC = 4,5 à 18 V 12 A
MIC4451
Fairchild VCC = 13 à 18 V + 1 A, − 2 A Protection contre les courts-circuits (détection par mesure
FAN8800 VEE = − 13 à − 18 V (bipolaire) extérieure de la désaturation)
Blocage du transistor en régime de court-circuit sous faible
courant (35 mA) pour éviter les surtensions destructives
ST VCC = 12,5 à 18 V ±8A Protection contre les surintensités et courts-circuits
L6353 VEE = 0 à − 7,5 V (bipolaire) (détection par mesure extérieure de la désaturation)
VCC tension maximale d’alimentation positive pour la mise en conduction.
VEE tension maximale négative pour le blocage.

Vs

0,3 mA MIC4451
inverseur
0,1 mA

Out
2 kΩ
In
MIC4452
non inverseur

GND
GND ground

Figure 10 – Schéma de principe des circuits MIC4451 (inverseur) et MIC4452 (non inverseur) Micrel

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4. Transistors high side UDC

Alimentations isolées,

autoalimentation
4.1 Problématique

flottantes ou
Transistor
Commande high side
Dans de nombreux cas, une isolation entre les circuits logiques de rapprochée
commande et le circuit de commande rapprochée est nécessaire
(figure 11). Notamment, la commande d’un bras d’onduleur sou-
lève le problème de la commande de l’interrupteur high side, la
source de ce dernier se trouvant à un potentiel qui varie entre 0 V et Potentiel
UDC. Par high side (haut niveau de tension), on qualifie les transis- flottant
tors dont l’électrode de source pour les MOSFET ou d’émetteur pour Isolation ou décalage
les IGBT est placée à un potentiel flottant pouvant être élevé, et pou- des niveaux logiques
vant varier rapidement par rapport à celui de référence du circuit de
commande. 5 V ou 15 V VCC
Transistor
Il faut donc créer une alimentation du circuit de commande high Logique de Commande low side
side pouvant suivre ces variations de potentiel très rapides, et éga- commande rapprochée
lement isoler ou décaler le potentiel des ordres logiques de com-
mande au potentiel du circuit de commande rapprochée de
l’interrupteur high side. Les tableaux 2 et 3 comparent les différents VEE
modes d’isolation de la logique de commande et les alimentations,
sur la base de circuits existants. Figure 11 – Principe de commande d’un bras de pont
(0)

Tableau 2 – Caractéristiques usuelles des différents modes d’isolation de la logique de commande


Transformateur
Caractéristique Fibre optique Opto-coupleur « Level shifter »
d’impulsion
dV/dt > 100 kV/µs Jusqu’à 100 kV/µs Jusqu’à 50 kV/µs < 50 kV/µs
Tension d’utilisation > 10 kV > 10 kV, avec précautions Environ 1 200 V maximum Environ 1 200 V maximum
particulières de réalisation pour les composants pour les composants
usuels usuels
Temps de propagation Faible avec des interfaces 10 ns à 100 ns 100 ns à 1 µs Très faible
rapides
Possibilité d’intégration Non (sauf pour l’interface Non (en dehors des circuits Oui Oui
optique) hybrides)
(0)

Tableau 3 – Caractéristiques usuelles des différents modes d’alimentation isolée


Caractéristique Transformateur Bootstrap Pompes à charges
dV/dt > 100 kV/µs < 50 kV/µs Non spécifié
Tension d’isolement ou tension > 10 kV Environ 1 200 V maximum pour < 100 V usuellement
maximale admissible les composants usuels
Calibres usuels des composants Tous calibres Dépend de la capacité de 100 V, 50 A
commandés bootstrap CB maximum usuellement
Usuellement : Jusqu’à 1 200 V
50 A
Intégration Non (en dehors des circuits Possible (mais capacité externe Oui (faible capacité intégrée)
hybrides) requise)

4.2 Transmission des impulsions Toutefois, certains fabricants proposent notamment des circuits
de commande intégrés de commande dédiés à la commande de bras d’onduleur
avec isolation des impulsions de commande par transformateurs
d’impulsion spécifiés.
4.2.1 Transformateur d’impulsion
Exemple : on peut citer le circuit de commande IXBD4411 (IXYS),
Le transformateur d’impulsion peut permettre le décalage des dédié à la commande de transistor high side ou de bras de pont (asso-
niveaux de la partie logique vers le circuit de commande rapprochée cié au circuit IXBD4410), prévu pour être associé à un transformateur
de l’interrupteur high side. Cette solution simple permet des temps d’impulsion. Ce circuit fonctionne jusqu’à 1 200 V, est capable de four-
de transit extrêmement brefs, mais ne peut être intégrée économi- nir des courants crêtes de 2 A et permet d’assurer la protection des
quement dans des circuits intégrés spécialisés, exception faite de transistors contre les courts-circuits (par sense ou par mesure de ten-
circuits hybrides de commande, dédiés aux commandes de transis- sion à l’aide d’un pont diviseur résistif à câbler entre collecteur et émet-
tors de forte puissance, et qui seront détaillés par la suite (cf. § 5). teur) [6].

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Écran interne VCC

RL
LED Photodiode C
Circuit de G
commande
de grille
E

Opto-coupleur

LED Light Emilting Diode

Figure 12 – Écran électrostatique interne d’un opto-coupleur Figure 13 – Utilisation d’un opto-coupleur pour la commande d’un
pour l’amélioration du taux de tenue aux dV/dt (réjection du mode composant à grille isolée
commun)

Enfin, de nombreux circuits à base d’opto-coupleurs intègrent des


4.2.2 Isolation par opto-coupleur fonctions particulières d’amplification ou de protection. L’amplifica-
tion intégrée permet à un opto-coupleur de commander directe-
L’isolation optique permet d’isoler la logique de commande, et ment le composant à grille isolée sans circuit d’amplification
ainsi autoriser le décalage de niveau des impulsions pour la com- supplémentaire [7]. On peut noter l’existence de circuits dédiés à la
mande des interrupteurs high side. Certains opto-coupleurs dédiés commande de bras intégrant dans un même boîtier deux circuits
aux applications de commande de CSCP (composants à semi-con- opto-coupleurs et les amplificateurs associés, tel le circuit HCPL314J
ducteurs de puissance) sont équipés d’écrans électrostatiques (Agilent).
(figure 12) qui leur confèrent une grande immunité aux perturba-
La protection contre les courts-circuits peut être également inté-
tions de mode commun (réduction de la capacité parasite entre
grée, avec une détection généralement effectuée par mesure de
l’entrée et la sortie). La plupart des dispositifs opto électronique dis-
désaturation.
ponibles sont capables de supporter des dV/dt de l’ordre de 15 kV/
µs, et ont des tensions d’isolation supérieures à 1 500 V. Les temps Exemple : le circuit HCPL-316J (Agilent technology) (figure 14)
de propagation vont de quelques 100 ns, pour les composants les intègre cette fonction, avec une entrée « désaturation » qui lorsqu’elle
plus rapides jusqu’à 1 µs environ, ce qui reste encore aujourd’hui est active place la sortie au niveau VEE (potentiel nul ou négatif). Il intè-
bien supérieur à ce qu’une isolation par transformateur d’impulsion gre également une fonction de diagnostic du défaut de court-circuit
peut laisser espérer. dont le signal d’identification est également isolé.
Les opto-coupleurs transmettent l’information de commande et
non l’énergie. L’énergie de commande est prélevée sur des alimen- Le tableau 4 présente les principales caractéristiques de quelques
tations auxiliaires qui doivent être isolées ou recréés à partir de la circuits de commandes à base d’opto-coupleurs, dédiés aux com-
tension de collecteur ou de l’alimentation de puissance UDC. La mandes de transistors high side ou de bras d’onduleur. Tous ces cir-
figure 13 montre le schéma de principe d’un circuit de commande cuits sont limités à des tensions maximales comprises entre 600 V
isolé à partir d’un opto-coupleur. et 1 500 V (selon les circuits).

VCC2

Signal de commande
IdC Sortie
de la photodiode
Désaturation
Désaturation

VCC
VEE

Détection de Défaut VE
court-circuit

IdC interface de commande

Figure 14 – Opto-coupleur intégrant les fonctions d’amplification et de protection contre les courts-circuits (Agilent HCPL 316J)

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Tableau 4 – Principales caractéristiques de quelques circuits de commande à base d’opto-coupleur


Temps
Référence dV/dt maximal et tension Tension VCC Courant Spécificités,
de
fabricant maximale d’utilisation maximal Protections
propagation
Agilent > 15 kV/µs (sous 1 500 V) 30 V < 1 µs
HCPL4504
Infineon > 15 kV/µs (sous 1 500 V) 0 à 30 V < 1 µs
SFH6345
Toshiba > 5 kV/µs (sous 600 V) 10 à 35 V 0,5 µs 0,5 A Amplificateur de sortie intégré
TLP250
Agilent > 10 kV/µs (sous 1 500 V) 10 à 30 V 0,7 µs 0,4 A Intègre deux opto-coupleurs avec amplifica-
HCPL314J 890 V teurs de sortie intégrés
Agilent > 15 kV/µs (sous 1 500 V) 15 à 30 V 0,5 µs 2,5 A Amplificateurs de sortie intégrés
HCPL316J 890 V Protection contre les courts-circuits
Diagnostic isolé
Powerex > 15 kV/µs VCC = 18 V < 1 µs ± 2A Protection contre les courts-circuits
M57959L 1 400 V VEE = − 15 V
bipolaire
Powerex 1 200 V VCC = 18 V < 1 µs 5A Protection contre les courts-circuits (mesure
M57160AL-01 VEE = − 15 V du VGS, pas de diode d’antisaturation à pré-
bipolaire voir) (spécialisé pour la commande de transis-
tors Powerex 600 et 1 200 V dans la série F)
Omnirel > 15 kV/µs (sous 1 500 V) VCC = 16 V 0,55 µs 5A Amplificateurs de sortie intégrés
OM9401SF 1 200 V VEE = − 14 V Protection contre les courts-circuits (diode
bipolaire de désaturation 1 200 V intégrée
dans le circuit de commande)
Diagnostic isolé
Omnirel > 15 kV/µs (sous 1 500 V) VCC = 16 V 0,55 µs 8A 2 circuits de commande intégrés
OM9405SM 1 200 V VEE = − 14 V Amplificateurs de sortie intégrés
bipolaire Protection contre les courts-circuits (diodes
de désaturation 1 200 V intégrées
dans le circuits de commande)
Diagnostic isolé

4.2.3 Isolation par fibre optique

L’utilisation de fibres optiques est réservée aux transistors IGBT


de forte puissance, dans les environnements haute tension, et
DB
lorsqu’une très forte immunité est requise. Les fibres ne transmet-
VB
tent que les informations de commande. Comme avec les opto-cou- VCC UDC
pleurs, l’énergie doit être fournie par une alimentation isolée à
transformateur.
TA

4.2.4 Décalage de niveau level shifter


CB Ampli MOS
Une solution consiste à générer une source de courant haute ten- high side
sion à partir de signaux logiques variant entre 0 V et VCC et de se
servir de cette source de courant pour commander le transistor high TB
side.
Le schéma de la figure 15 détaille un circuit permettant le
décalage des niveaux. En l’absence d’impulsion sur la grille du tran-
sistor MOSFET « haute tension » TC, le transistor NPN TA conduit et VCC TC
permet d’appliquer la tension proche de VCC portée par la capacité 0V MOS
de bootstrap CB (cf. § 4.3.2) entre grille et source du transistor high low side
side qui devient donc passant. Lorsque la tension VCC est appliquée
sur la grille du transistor MOSFET TC, la source de courant qu’il
constitue permet d’extraire via le transistor PNP TB la charge portée
Source
par la grille du transistor high side et de le bloquer [8]. de courant
On peut remarquer sur la figure 15, qu’une fois le transistor high commandé
side bloqué, le transistor low side étant conducteur, il faut que la
somme des chutes de tension à travers la source de courant et à tra-
vers la jonction EB du transistor PNP TB soit inférieure à la tension
de seuil du transistor high side afin de ne pas le mettre en conduc-
tion. De plus, ce circuit est susceptible de dissiper une énergie consé- Figure 15 – Schéma de principe d’un circuit permettant le décalage
quente pendant toute la phase de blocage du transistor high side. de niveau et une alimentation bootstrap

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Pour toutes ces raisons, ce type de circuit à décalage de niveau


réagit en pratique aux fronts du signal logique de commande pour VB VB VB
activer pendant un temps très court la source de courant. La
figure 16 présente le schéma de principe de la solution générale-
ment retenue dans les circuits spécialisés de commande de ce type

Conditionnement
[9], et la figure 17 à titre indicatif, le schéma complet du circuit de R R
commande IR2113 (International Rectifier). Deux transistors MOS-
FET haute tension sont utilisés pour la génération des sources de
courant impulsionnelles et sont commandés par impulsion de très MOSFET HT
courte durée. Une impulsion pour la mise en conduction du transis- VCC VCC
tor high side et une pour son blocage. MOSFET HT
0V 0V
Exemple : le tableau 5 présente les principales caractéristiques de VS
quelques circuits de commande dédiés à la commande de bras d’ondu-
leur, ou d’onduleurs triphasés, et utilisant un level shifter pour décaler
le niveau logique de commande vers le potentiel flottant des interrup-
teurs high side. Commande
high side
Pour tous les circuits présentés, l’alimentation du circuit de com- VCC
mande high side s’effectue à l’aide d’une capacité de bootstrap,
dont le principe est détaillé au (§ 4.3.2). 0V
t

Figure 16 – Schéma de principe d’un circuit permettant le décalage


4.3 Alimentations de niveau et une faible consommation [9]

signaux logiques de commande, VCC, et de la tension UDC d’alimen-


tation du bras, et ainsi, de créer la tension de polarisation UPOL sus-
L’alimentation flottante du transistor high side peut être obtenue
ceptible de maintenir passant l’interrupteur high side [8] [11].
par une alimentation à découpage avec isolation galvanique. Le cir-
cuit de commande rapprochée est alors identique à ceux déjà pré-
L’utilisation des circuits à base de pompes à charges est extrême-
sentés pour la commande des transistors low side.
ment courante dans les applications de faible tension (automobile et
Nous nous attacherons dans ce paragraphe à la description des portables). La figure 18 présente également une pompe à charges
circuits à pompe de charge et à capacité de bootstrap, couramment permettant d’obtenir à partir d’un faible niveau de tension (5 ou
utilisés dans les circuits intégrés dédiés à la commande des bras 15 V), une tension supérieure au bus d’alimentation de tension UDC.
d’onduleur de faible puissance. En l’occurrence, la tension de polarisation UPOL vaut ici VCC (en
négligeant les chutes de tension directes à travers les diodes D1 et
D2). La sortie du circuit de contrôle étant au niveau bas, le conden-
4.3.1 Pompe à charges sateur C1 est chargé sous le potentiel UDC. Lorsque la sortie du cir-
cuit de contrôle passe à VCC, en supposant initialement C2 déchargé,
Pour rendre passant un transistor high side, dont le drain (MOS- la diode D1 entre en conduction, et une partie de la charge portée par
FET) ou le collecteur (IGBT) est relié au potentiel haut du circuit de C1 est transférée vers C2 (réservoir de capacité supérieure à C1). La
puissance, UDC, et appliquer entre grille et source la tension adé- répétition du cycle permet de charger la capacité C2 à une tension
quate, il faut que le potentiel de grille excède la tension UDC. La avoisinant VCC. Le potentiel de grille peut alors être porté à
pompe à charges se charge de générer une alimentation de tension UDC + VCC, potentiel qui permet d’imposer une tension VGS valant
supérieure à la tension UDC, à partir de la tension d’alimentation des VCC pour rendre et maintenir passant l’interrupteur high side.
(0)

Tableau 5 – Principales caractéristiques de quelques circuits de commande à base de level shifter


Tension maximale Alimentation et
Référence Fonction Spécificités intégrées
Courant maximal transmission
Intersil Commande de bras de pont UDC = 500 V Bootstrap Protection contre les courts-circuits
SP600 Level shifter (par Sense)
IR Commande de bras de pont UDC = 600 V Bootstrap Génération des temps morts
IR2113 Iout = ± 2 A Level shifter
Powerex Commande de bras de pont UDC = 600 V Bootstrap
M63992FP Iout = ± 2 A Level shifter
Intersil Commande de pont H UDC = 80 V Bootstrap
HIP4080 Iout = 2,5 A Level shifter
IR Commande de pont triphasé UDC = 600 V Bootstrap Génération des temps morts
IR2130 Iout = + 0,2 A, − 0,4 A Level shifter
IR Commande de pont triphasé UDC = 1 200 V Bootstrap
IR2233 Iout = + 0,2 A, − 0,4 A Level shifter
IR Pont triphasé UDC = 600 V Bootstrap Protection contre les courts-circuits
IR2137 Iout = 0,22 A Level shifter (par désaturation)

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VB
VDD Détection des
sous-tensions
d'alimentation
HV
R Q R Q
S level
shift Filtre R
VDD /VCC
HIN d'impulsions S
level shift
HO
Générateur
d'impulsions

SD VS
Détection des
sous-tensions VCC
d'alimentation

LO
VDD /VCC
LIN
level shift
Retard
S COM
R Q

VSS

Figure 17 – Schéma block du circuit de commande IR2113 (International Rectifier)

Selon les applications et la valeur de VCC (5 ou 15 V), des dou-


VCC Pompe à
bleurs ou tripleurs de tension peuvent être utilisés pour fabriquer UDC
une tension de polarisation valant 2 ou 3 fois VCC. charges

Dans certaines applications basse tension (remplacement de UDC + UPOL


commutateurs mécaniques), les faibles vitesses de commutation
requises et la faible charge de grille des transistors utilisés permet-
tent d’utiliser des circuits de commande qui intègrent le condensa-
teur de pompe à charges de faible capacité. Lorsque des Commande Commande
rapprochée MOSFET
commutations plus rapides sont souhaitées, une plus grande capa- high side
cité est requise. Un condensateur de capacité élevée ne pouvant
être facilement intégré, ces circuits offrent généralement la possibi-
lité de rajouter un condensateur extérieur.
Récepteur
VCC
Exemple : le tableau 6 présente quelques circuits de commande
de transistors à grille isolée utilisant une capacité de pompe à charges
Commande MOSFET
et dédiés principalement aux applications automobiles. Commande
rapprochée low side
Comme le montre la figure 19 à titre indicatif, les capacités de pompes
à charge du circuit TDS340 (ST) (circuit directement interfaçable avec
un micro-contrôleur) forment un tripleur de tension.

UDC
4.3.2 Bootstrap
C2
La technique de bootstrap permet de créer une alimentation flot-
tante pour le circuit de commande de l’interrupteur high side, à partir VCC
de l’alimentation du circuit de commande du transistor low side [8]. D2 UDC + VCC
VCC
Le principe (figure 20) consiste à profiter de la conduction de
l’interrupteur low side pour charger une capacité de bootstrap CB Circuit de 0V
sous la tension VCC à travers la diode DB. Lorsque l’interrupteur low contrôle
C1 D1
side se bloque et que la tension réapparaît à ses bornes, la diode DB
se bloque à son tour, et elle doit donc être capable de supporter la Pompe à charges
« haute tension » UDC. La charge alors portée par CB sert à l’alimen-
tation du circuit de commande de l’interrupteur high side, à charger
sa capacité d’entrée et à la maintenir chargée pendant toute la durée Figure 18 – Fonction d’une pompe à charges pour la commande
de conduction désirée. d’un bras de pont et exemple de réalisation

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Batterie +

OSC
UVLO/OVLO
VBATT
5V VOUT CB1
Régulateur 5 V

RESET H1
RESET
CWD
S1

Chien de garde

WD Oscillateur
CB2

microcontrôleur
Pompe à charges Q2H Q1H
STBY H2
STBY

TEMP S2
T°C TDS340
M

IN1 + L2 Q2L Q1L
1,2 V

Mer
+

IN2 L1

3,6 V

CF GND

Batterie –
Le pont à quatre transistors n'est pas utilisé en hacheur

Figure 19 – Schéma Block du circuit de commande TDS340 à pompe à charges pour l’alimentation d’un moteur à courant continu dans les deux
sens de rotations

(0)

Tableau 6 – Exemples de circuits de commande à base de pompes à charges

Tension maximale
Référence Fonction Alimentation et transmission Spécificités intégrées
Courant maximal

Micrel Commande high side UDC = 32 V Pompe à charge (60 µs de temps de Capacités de pompe à charges
MIC50H commutation pour charger 1 nF, Zener de protection de grille
moins en rajoutant des capacités de
pompe à charge externes)
NS Commande high side UDC = 60 V Pompe à charge (1,5 ms de durée Capacités de pompe à charges
LM9061 de commutation pour charger un Zener de protection de grille
condensateur de 25 nF) Protection des courts-circuits
ST Circuit de commande UDC = 60 V Pompe à charge Capacités de pompe à charges
TDS340 pour hacheur 4 quadrants pour les transistors high side
Zener de protection de grille
Infineon Circuit de commande UDC = 55 V Pompes à charges pour transistors Capacités de pompe à charges
TLE6280GP pour onduleur triphasé Iout = + 0,6 A, low side Protection des courts-circuits
− 0,85 A Bootstrap pour transistors high side Contrôle des dI/dt lors des commutations
Contrôle des temps morts
Diode de bootstrap intégrée

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UDC
UDC
Alimentation
DB flottante
Commande
CB VCC high side

Level
shift
C
VCC VCC G
Commande de grille
(protection)
VCC Commande
low side E
0V

Opto-coupleur

Figure 20 – Alimentation flottante pour la commande Figure 21 – Principe de la génération de l’alimentation


de l’interrupteur high side d’un opto-coupleur à partir de la source d’alimentation de puissance

La durée de conduction du transistor low side doit être suffisante


pour que le condensateur de bootstrap puisse se charger totale- + VCC UDC
ment. De la même façon, la durée de conduction du transistor high
side est limitée pour éviter la décharge du condensateur de boot
strap, compte tenu de la consommation du circuit de commande ;
pour la même raison, la fréquence de découpage ne peut être trop
basse. Le dimensionnement de la capacité de bootstrap est imposé Transistor
high side
par ces deux contraintes. Pour des raisons technologiques, elle n’est
Commande
généralement pas intégrée dans les circuits de commande et doit rapprochée
t
donc être rajoutée, de même que la diode de bootstrap dans de
nombreux cas.

4.3.3 Alimentations isolées


– VCC
Les alimentations du transistor high side peuvent être isolées par
un transformateur (alimentations à découpage). Cette solution per-
met d’obtenir une grande immunité aux perturbations à conditions
que les transformateurs utilisés aient été dimensionnés et conçus
dans cet objectif. On peut noter l’existence d’alimentations dédiées Figure 22 – Principe de l’alimentation d’un interrupteur high side
aux commandes isolées de transistors MOSFET ou IGBT. par transformateur d’impulsion
Exemple : le convertisseur DC/DC (DC pour courant continu) isolé
par transformateur M57145L-01 (Powerex) de faible encombrement,
délivre en sortie deux alimentations régulées (+ 15,8 V/− 8,2 V) et est plus, si une source de tension flottante est nécessaire (alimentation
capable de fournir un courant moyen de 100 mA. des circuits de protection par exemple), le transformateur peut per-
mettre de les créer en même temps qu’il transporte l’information et
l’énergie de commande (figure 22).
4.3.4 Autoalimentation Enfin, un rapport de transformation supérieur à 1 peut permettre
d’utiliser directement une source de tension continue primaire
On peut chercher à alimenter le circuit de commande du transistor adaptée aux niveaux logiques (par exemple 5 V) alors que les com-
high side à partir de la tension continue d’alimentation. mandes des transistors de puissance nécessitent des tensions (par-
fois positives et négatives) de l’ordre de 15 V. Le transformateur
Exemple : la figure 21 donne le schéma de principe d’un circuit de d’impulsion peut ainsi éviter des sorties supplémentaires à l’alimen-
commande à base d’opto-coupleur avec alimentation prélevée sur le tation générale des circuits de commande.
bus continu de puissance.

4.4.1 Circuits de commande à rétention de charge


4.4 Isolation simultanée de la commande
et des alimentations La figure 23 montre l’exemple d’un circuit de commande avec
isolation galvanique [11] [12]. Les transistors MOSFET de signal TA
par transformateur d’impulsion et TB sont commandés par des impulsions courtes de durée TI. Les
impulsions transmises au secondaire du transformateur rendent
passants T2 lorsque V2 = VCC et T1 lorsque V3 = − VCC, ce qui permet
Le transformateur d’impulsion permet, tout en assurant l’isolation
galvanique, de transmettre simultanément l’information et l’énergie d’appliquer l’impulsion sur la capacité d’entrée du transistor à com-
nécessaires aux commutations de transistors MOSFET ou IGBT et mander. Une fois la capacité d’entrée chargée sous ± VCC, et lorsque
peut donc permettre de s’affranchir d’une alimentation auxiliaire. De les transistors TA et TB sont tous deux bloqués, la charge est

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mémorisée sur la capacité d’entrée du transistor TP, qui est ainsi


maintenu dans un état conducteur ou bloqué. Il faut pour cela que M1
les transistors M1 et M2 restent bloqués lors de la phase de déma- TA N1 N2 D
gnétisation du transformateur qui s’effectue à travers la résistance G
de démagnétisation RD. Soient, TP
ET produit caractéristique du transformateur d’impulsion, V1
VCC S
Lµ inductance magnétisante primaire,
V3 RD
N1, N2 nombre de spires primaire et secondaire,
Iµm courant magnétisant maximal, V2
TI durée des impulsions de commande.
TB N1
Pour ne pas saturer le circuit magnétique, la durée des impulsions M2
doit vérifier :
Ga Tl
V CC T 1  ET
VCC

De plus, afin de ne pas remettre en conduction les transistors M1


et M2 lors de la phase de démagnétisation du transformateur par le t
secondaire, on doit vérifier : Gb
VCC

N1
------- R D I µm < V T
N2 t

V CC T I
avec I µm = ---------------- , Iµm

VT tension de seuil des transistors M1 et M2. t


Ces deux relations permettent de choisir la durée des impulsions – Iµm
et la valeur de la résistance de démagnétisation adaptées à un trans- V3
formateur particulier. VCC
Pour s’affranchir de la résistance de démagnétisation qui à haute RDIµm
fréquence peut dissiper plusieurs watts, on peut signaler le circuit
– RDIµm t
symétrique de la figure 24 basé sur le même principe de rétention
de la charge portée par la grille. La continuité du flux dans le circuit – VCC
magnétique du transformateur d’impulsion est ici assurée par la VGK
conduction des diodes internes des MOSFET de commande et ne
VCC
nécessite pas l’introduction de la résistance de démagnétisation RD
du montage précédent.

Les deux circuits présentés introduisent des butées de rapport t


cyclique pour les valeurs minimales et maximales liées aux phases – VCC
de démagnétisation du transformateur.

Figure 23 – Exemple de circuit de commande isolé à rétention


4.4.2 Circuits de commande pour conduction de charge et formes d’ondes idéalisées, dans le cas où N2 = N1
de longue durée

Les exemples de circuits de commande à rétention de charge pré- 5. IGBT de forte puissance
sentés précédemment sont bien adaptés pour des transistors de fai-
ble puissance (faible CISS) lorsque les durées de conduction sont
courtes (fréquences de découpage de quelques kilohertzs). Pour de
plus faibles fréquences, le risque de décharge de la capacité
d’entrée oblige à choisir d’autres structures. C’est également vrai 5.1 Principes de commande
pour des composants de forte puissance possédant une capacité
d’entrée élevée qui peut être difficilement chargée par une seule
impulsion à travers un transformateur d’impulsion de petite taille. Les circuits de commande de transistors de très forte puissance
L’idée est ici de moduler par un signal haute fréquence (plusieurs (VBR > 1 700 V) nécessitent quasi systématiquement une alimenta-
mégahertzs) le signal de commande de l’interrupteur, pour conser- tion isolée, même pour les transistors low side, notamment pour
ver un faible produit ET au niveau du transformateur (faibles dimen- des questions de sécurité.
sions et faible capacité parasite primaire-secondaire). À la sortie du
transformateur d’impulsion, le signal est démodulé (par l’intermé- L’isolation de l’alimentation des circuits de commande rappro-
diaire d’un pont de diodes dans l’exemple suivant). Le redresseur chée est assurée par des transformateurs (alimentation à
s’opposant aux courants négatifs, un circuit de décharge de la capa- découpage) et celle de la logique de commande (impulsions logi-
cité d’entrée du transistor à commander est à prévoir. Ce peut être ques de commande et les retours de diagnostic) par des transforma-
un circuit de décharge rapide comme indiqué sur la figure 25. teurs d’impulsion ou par fibre optique (figure 26).

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VCC

C
Tl
TA TC G
TP

On M1 S
Off M2
Tl
TB TD

Figure 24 – Circuit de commande à transformateur d’impulsion symétrique

VCC
C
G
TP
& RG
E

Oscillateur HF H Q

D Q VCC

Circuit de
décharge
rapide
&

Commande

Figure 25 – Circuit de commande pour impulsions longues

On peut noter la série des circuits SKHI de Semikron et les circuits


Fibre optique ou développés par la société CT Concept (plus particulièrement dédiés
transformateur d'impulsion aux IGBT de très forte puissance). Ces circuits permettent la com-
mande d’interrupteurs seuls, de bras d’onduleur, voir d’onduleurs
C triphasés. Dans tous les cas, l’alimentation des circuits de com-
Circuit de G mande rapprochée des interrupteurs est obtenue par une alimenta-
Logique de
commande Isolation commande tion à découpage (isolation par transformateur) à partir de
rapprochée l’alimentation du module de commande. La transmission des
E
niveaux logiques de commande s’effectue par un transformateur
VCC d’impulsion (ou par fibre optique pour certains modules de com-
15 V Isolation V mande CT Concept), l’utilisation de transformateur pouvant garantir
EE
et mise des taux de réjection de mode commun supérieurs à ce que l’on
0V en forme peut escompter avec des circuits opto-coupleurs (jusqu’à 50 kV/µs
pour le circuit SKHI60 Semikron et supérieurs à 100 kV/µs pour les
circuits de commande CT Concept).
Alimentation
à découpage
Tous ces circuits intègrent des fonctions de protection (par détec-
tion de la désaturation à l’aide d’une diode de désaturation intégrée
Figure 26 – Principe de commande d’un IGBT de forte puissance dans les circuits de commande), avec ouverture d’un courant de
court-circuit qui s’effectue sous une résistance de grille élevée pour
limiter le risque d’avalanche.
5.2 Circuits hybrides de commande Le circuit SCALE HVI, donné à titre indicatif sur la figure 27, dédié
à la commande d’IGBT de très haute tension (3,3 kV), et capable de
délivrer des courants crêtes de ± 18 A, possède les particularités
Quelques fabricants proposent des circuits hybrides de com- supplémentaires suivantes, à savoir une isolation de la logique de
mande intégrant plusieurs fonctions généralement très évoluées à commande par fibre optique et un écrêtage actif de la tension VCE
partir seulement d’une alimentation (15 V généralement) et des pour limiter notamment la surtension apparaissant au blocage d’un
niveaux logiques de commande. courant de court-circuit.

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RTH

IGD
VDD
RG

LDI Viso 1

RTH
GND
IGD
RG

Viso 2

VDC
Viso 1

Oscillateur
PWM
Viso 2
GND

Circuit de modulation Isolation Alimentations à Semi-conducteur


des alimentations à électrique découpage isolées de puissance
découpage des circuits pour IGD (externe)
de commande

Module de commande SCALE

IGD Intelligent Gate Drive


LDI interface de commande logique isolée
Commande SCALE, principe (transformateurs pour les isolations) Circuit de commande SCALE HVI associé à un module de puissance

Figure 27 – Schéma de principe d’une commande SCALE (CT Concept) et photographie du circuit de commande SCALE HVI à commande par fibres
optiques

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