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Diseño Electrónico I
Comprobar experimentalmente las caracteristicas mas relevantes del transistor de efecto campo (
OBJETIVO simluacion (Modelos Matematicos) y la teoria (Analisis de Circuitos).
ELEMENTOS
Cantidad Nombre
2 Transistor
2 Transistor
3 Resistor
3 Resistor
3 Resistor
INSTRUMENTOS
Cantidad Nombre
2 Multímetro
EQUIPOS
Cantidad Nombre
1 Fuente de Voltaje D.C.
Laboratorio
Constantes del Diodo Semiconductor
Licenciatura en Electrónica
Diseño Electrónico I
as mas relevantes del transistor de efecto campo (MOSFET), a fin de contrastar la respuesta real con la
Analisis de Circuitos).
Descripción
IRF630 MosFET canal N Tipo E
IRF9630 MosFET canal P Tipo E
330Ω - 1/2 W
39kΩ - 1/4 W
10Ω - 1 W
Descripción
Con Baterías y Puntas en buen estado
Descripción
Ajustar las perillas de corriente al máximo
Laboratorio
Constantes del Diodo Semiconductor
Licenciatura en Electrónica
Diseño Electrónico I
REFERENCIAS
http://www.vishay.com/docs/91031/sihf630p.pdf
http://www.vishay.com/docs/91084/91084.pdf
http://www.technologyuk.net/physics/electrical_principles/electrical_measurement.shtml
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/magnetic/movcoil.html#c1
Laboratorio
Constantes del Diodo Semiconductor
MEDIDAS DE VAR
VOLTAJE COR
CORRIENTE RESISTENCIA
mperímetro es un instrumento para medir la corriente La forma estándar de medir la resistencia es en ohmios, se
trica en amperios, que fluye sobre una rama de un circuito suministrando un voltaje constante a la resistencia objeto y se mide
trico. Se debe colocar en serie con la rama a medir y debe tener la corriente que fluye a su través. Se debe conectar en paralelo con e
baja resistencia para evitar una alteración significativa de la resistor sobre el que se quiere realizar la medida, teniendo en cuent
ente que se va a medir. que no debe tener alimentación alguna de energía.
A
a es en ohmios, se
resistencia objeto y se mide
be conectar en paralelo con el
a medida, teniendo en cuenta
de energía.
IMPLEMENTACIÓN
ESQUEMA ELECTRICO 1
Montaje V GG V DD RG
1 Variable 0V - 5V Fijo 12V 39kΩ
2 Fijo 3,3V Variable 0V - 30V 39kΩ
ESQUEMA ELECTRICO 2
Montaje V GG V DD RG
1 Variable 0V - 5V Fijo 12V 39kΩ
2 Fijo 3,3V Variable 0V - 30V 39kΩ
PRE-LABORATORIO
IMPLEMENTACIÓN
ESQUEMA ELECTRICO 1
RD T1 Descripción
330Ω IRF630 Circuito 1 MOSFET CANAL N
10Ω IRF630 Circuito 2 MOSFET CANAL N
ESQUEMA ELECTRICO 2
RD T1 Descripción
330Ω IRF9630 Circuito 1 MOSFET CANAL P
10Ω IRF9630 Circuito 2 MOSFET CANAL P
IDENTIFICACIÓN
Voltaje Gate Voltaje Gate
V GG Source V GS
0.0 0.0
0.2 0.0
0.4 0.0
0.6 0.0
0.8 0.0
1.0 0.0
1.2 0.0
1.4 0.0
V GG Variable 0v - 5V 1.6 0.0
V DD 12V 1.8 0.0
RD 330Ω 2.0 0.0
RG 39kΩ 2.2 0.0
2.4 0.0
2.6 0.0
2.8 0.0
3.0 0.0
3.2 0.0
3.4 0.0
3.6 0.0
3.8 0.0
4.0 0.0
4.2 0.0
4.4 0.0
4.6 0.0
4.8 0.0
5.0 0.0
Potencia Trans
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4
0.0 0.0
0.2 0.0
0.4 0.0
0.6 0.0
0.8 0.0
1.0 0.0
1.2 0.0
1.4 0.0
V GG Variable 0v - 5V 1.6 0.0
V DD 12V 1.8 0.0
RD 330Ω 2.0 0.0
RG 39kΩ 2.2 0.0
2.4 0.0
2.6 0.0
2.8 0.0
3.0 0.0
3.2 0.0
3.4 0.0
3.6 0.0
3.8 0.0
4.0 0.0
4.2 0.0
4.4 0.0
4.6 0.0
4.8 0.0
5.0 0.0
Potencia Tran
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4
Simule TO
Corr
Voltaje Drain Corriente de Gate Corriente de Drain Potencia Voltaje (VGS -
Source V DS IG (mA) ID (mA) Transistor P(W) VTH)^2 1.0
0.9
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.8
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.7
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.6
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.5
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.4
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.3
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.2
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.1
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.0
0.0 0.1 0.2 0.3
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 V
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 1.0
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.9
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.8
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.7
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.6
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.5
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.4
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.3
0.0 0.0 0.0 0.0 9.0 0.2
0.1
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3
Simule TODOS los esquemas eléctricos en el programa que prefiera y llene la tabla correspondientes con los datos de la simulación
V DD
V GG
RD
.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 RG
Voltaje DS / Voltaje GS
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
V DD
V GG
RD
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
RG
Voltaje DS / Voltaje GS
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
0.0 0.0
0.2 0.0
0.4 0.0
0.6 0.0
0.8 0.0
1.0 0.0
1.2 0.0
1.4 0.0
V GG Variable 0v - 5V 1.6 0.0
V DD 12V 1.8 0.0
RD 330Ω 2.0 0.0
RG 39kΩ 2.2 0.0
2.4 0.0
2.6 0.0
2.8 0.0
3.0 0.0
3.2 0.0
3.4 0.0
3.6 0.0
3.8 0.0
4.0 0.0
4.2 0.0
4.4 0.0
4.6 0.0
4.8 0.0
5.0 0.0
Potencia Trans
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4
0.0 0.0
0.2 0.0
0.4 0.0
0.6 0.0
0.8 0.0
1.0 0.0
1.2 0.0
1.4 0.0
V GG Variable 0v - 5V 1.6 0.0
V DD 12V 1.8 0.0
RD 330Ω 2.0 0.0
RG 39kΩ 2.2 0.0
2.4 0.0
2.6 0.0
2.8 0.0
3.0 0.0
3.2 0.0
3.4 0.0
3.6 0.0
3.8 0.0
4.0 0.0
4.2 0.0
4.4 0.0
4.6 0.0
4.8 0.0
5.0 0.0
Potencia Tran
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4
Circuito 1 MOSFET CANAL N
Voltaje Drain Voltaje Resistor Voltaje Resistor Potencia Voltaje (VGS - Corriente de Gate
Source V DS Gate V RG Drain RD Transistor P(W) VTH)^2 IG (mA)
Voltaje Drain Voltaje Resistor Voltaje Resistor Potencia Voltaje (VGS - Corriente de Gate
Source V DS Gate V RG Drain RD Transistor P(W) VTH)^2 IG (mA)
Mida TODAS las variables eléctricas que se requieran para completar las tablas correspondien
0.0 0.9
0.0 0.8
0.0 0.7
0.0 0.6
0.0
0.5
0.0
0.0 0.4
0.0 0.3
0.0 0.2
0.0 0.1
0.0
0.0
0.0 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
0.0
0.0
0.0 Voltaje DS / Voltaje GS
0.0
1.0
0.0
0.0 0.9
0.0 0.8
0.0 0.7
0.0
0.6
0.0
0.0 0.5
0.0 0.4
0.0 0.3
0.0
0.2
0.1
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Ci
0.0 0.0
0.2 0.0
0.4 0.0
0.6 0.0
0.8 0.0
1.0 0.0
1.5 0.0
2.0 0.0
V DD Variable 0v - 30V 2.5 0.0
V GG 3,3V 3.0 0.0
RD 10Ω 3.5 0.0
.9 1.0
RG 39kΩ 4.0 0.0
4.5 0.0
5.0 0.0
5.5 0.0
6.0 0.0
6.5 0.0
7.0 0.0
7.5 0.0
8.0 0.0
8.5 0.0
9.0 0.0
9.5 0.0
10.0 0.0
11.0 0.0
12.0 0.0
13.0 0.0
14.0 0.0
0.9 1.0
15.0 0.0
16.0 0.0
17.0 0.0
18.0 0.0
19.0 0.0
20.0 0.0
21.0 0.0
22.0 0.0
23.0 0.0
24.0 0.0
25.0 0.0
26.0 0.0
27.0 0.0
28.0 0.0
29.0 0.0
30.0 0.0
7.0 18.0
0.0 0.0
0.2 0.0
0.4 0.0
0.6 0.0
0.8 0.0
1.0 0.0
1.5 0.0
2.0 0.0
V DD Variable 0v - 30V 2.5 0.0
V GG 3,3V 3.0 0.0
RD 10Ω 3.5 0.0
0.9 1.0 RG 39kΩ 4.0 0.0
4.5 0.0
5.0 0.0
5.5 0.0
6.0 0.0
6.5 0.0
7.0 0.0
7.5 0.0
8.0 0.0
8.5 0.0
9.0 0.0
9.5 0.0
10.0 0.0
11.0 0.0
12.0 0.0
13.0 0.0
14.0 0.0
15.0 0.0
0.9 1.0
16.0 0.0
17.0 0.0
18.0 0.0
19.0 0.0
20.0 0.0
21.0 0.0
22.0 0.0
23.0 0.0
24.0 0.0
25.0 0.0
26.0 0.0
27.0 0.0
28.0 0.0
29.0 0.0
30.0 0.0
7.0 18.0
Circuito 2 MOSFET CANAL N
e Drain ID / Voltaje GS
e Drain ID / Voltaje GS