LABORATORIO N°3

Circuito de Potencia para el Control de Carga

TEORÍA

Los transistores de potencia han controlado las caracteríísticas de encendido y apagado. Los
transistores, que se utilizan como elementos de conmutacioí n, funcionan en la regioí n de
saturacioí n, lo que provoca una baja caíída de voltaje en estado de conduccioí n encendido. La
velocidad de conmutacioí n de los transistores modernos es mucho mayor que la de los
tiristores y tienen un amplio uso en convertidores de CD a CD y de CD a CA. Sin embargo, sus
capacidades de voltaje y corriente son menores que la de los tiristores y lo comuí n es
utilizarlos en aplicaciones de baja a mediana potencia. Con el avance en la tecnologíía de
semiconductores de potencia, las capacidades de los transistores de potencia mejoran de
forma continua, como sucede con los IGBTs que se utilizan cada vez maí s en aplicaciones de
alta potencia. Los transistores de potencia se pueden clasificar en cinco categoríías:
1. Transistores de efecto de campo semiconductores de oí xido metaí lico (MOSFET)
2. COOLMOS
3. Transistores bipolares de unioí n (BJT)
4. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)
5. Transistores estaí ticos de induccioí n (SIT)
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje y requiere soí lo una pequenñ a
corriente de entrada. La velocidad de conmutacioí n es muy alta y los tiempos de conmutacioí n
son del orden de nanosegundos. Los MOSFET de potencia se utilizan cada vez maí s en
convertidores de alta frecuencia y baja potencia.
El control de los MOSFET es mucho maí s faí cil que el control de los BJT de potencia, ya que
estos son controlados por voltaje y no es necesario mantener una corriente para que se
mantenga en conduccioí n, y no tiene problemas con el fenoí meno de segunda ruptura como los
BJT.
Sin embargo, los MOSFET tienen los problemas de descarga electrostaí tica y requieren un
cuidado especial en su manejo. Ademaí s, es relativamente difíícil protegerlos en condiciones de
falla por cortocircuito.
MATERIALES

 Equipos y materiales utilizados en los laboratorios 1 y 2.

 Fuente ATX para PC.
 Transistor IRF540
 Disipador de Calor para Transistor TO220 81F046 (los caí lculos se detallan en el
procedimiento).
PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS

1. Se escogioí el MOSFET IRF540 ya que se necesita manejar una carga de 12 V y 5A.

Sus caracteríísticas son
V =100V y I =22 A
DSS D .
2. Se realizaron los caí lculos para escoger el disipador de calor para el transistor
Datos
 V DSS =100V T JMAX =175° C T A =32° C
I D=22 A para doblar la fiabilidad T J =160 °C
R DS ( ON ) =0 .077 Ω compensador de R DS (ON )=2 . 125
°C
Rθ JC =1 t r =44 ns
W
°C
Rθ CS =0 .5 t f =43 ns
W

PON =R DSS (ON ) I 2O D

2
PON =( 0 . 077 ) ( 5 ) ( 0 . 9 ) ( 2. 125 )
PON =3 . 68W

PS =V O I O f S ( t r +t f )
PS =( 12 ) ( 5 ) ( 5×10 3 ) ( 44 +43 )×10−9
PS =26 . 1×10−3 W

PT =PON + P S
PT =3 . 70W

T J −T A
Rθ SA = −R θ JC−R θCS
PT
°C
Rθ SA =32 ,78
W

3. Con los caí lculos de disipador se escoge el siguiente disipador

Ilustración 1:Especificaciones del

disipador escogió para el transistor
4. Se determina que la carga que se va utilizar en el laboratorio es un foco de 12V y 55W,
la corriente seria de 4.58A.
55 W
IO = =4 . 58 A
12V
5. El circuito maneja demasiada corriente para una protoboard, por lo que se tiene que
trabajar en una baquelita. El circuito se disenñ oí en Proteus.

Ilustración 4: Parte de inferior de la placa

Ilustración 3: Transistor con el disipador de
calor, circuito armado en baquelita
Ilustración 2: Diseño del circuito en Proteus
6. Se imprimioí el circuito y se traspasoí a la baquelita. Una vez se limpioí el cobre y
quedaron los caminos se soldoí el circuito.
7. Una vez armado su circuito y conectado al circuito de comando se varía la potencia que
llega a la carga entre 10% y 90%

Ilustración 5:carga al 10% de la potencia

Ilustración 6: Carga al 90% de la potencia

8. Utilizamos la cámara termográfica para determinar el patrón térmico del transistor, de la
carga y del circuito de control.

Ilustración 7: Imagen térmica de la carga Ilustración 8: Imagen térmica del transistor

 Ilustración 9: Imagen térmica del disipador Ilustración 10: Imagen térmica del circuito
de calor de control

9. Cálculos de la potencia disipada operando a 10% y 90%

P10 =12 ( 0 . 45 ) =5 . 4 W
P90 =12 ( 4 . 1 )=49 . 2W
CONCLUSIONES

A Diferencia de un relay que se utiliza para controlar una carga del mismo amperaje que el de
este laboratorio, el solo se disiparaí y permite el que se active la carga, un transistor permite
activar una carga y variar la potencia que pasa por la carga. El circuito de comando de un
transistor es algo complica, pero si se disenñ a bien y cumple su funcioí n, escogiendo el
transistor correcto para la carga que va a manejar se tiene un circuito que responde mejor y
con mayor control sobre la carga.
Calcular el disipador de voltaje es importante ya que si se calienta mucho el transistor deja de
funcionar correctamente y hasta se puede llegar a danñ ar, porque maneja voltajes y corrientes
muy altas. Cuando disenñ amos los circuitos tenemos que tomar en cuenta la potencia que va a
disipar cada componente, como vemos en este informe una de las resistencias del circuito de
comando se calienta mucho lo que limita el tiempo que permanece encendido el circuito para
impedir que se queme la resistencia.
RECOMENDACIONES

1. Realizar los caí lculos de la potencia que, disipada por cada componente, para tomar las
medidas para proteger el circuito de sobrecalentamiento.
2. Al realizar el disenñ o del PCB hay que tomar en cuenta la corriente que va a manejar
para colocar el grosor correcto.
3. Tomar las precauciones debidas cuando se manejan corrientes y voltajes muy altos.
BIOGRAFÍA

1. Electroí nica de potencia, cuarta edicioí n. Muhammad H. Rashid

2. Documento guíía curso: Electroí nica de Potencia. Ing. Abdiel Bolanñ os.