Estructura MOS

La estructura MOS consiste en un metal, referido como compuerta, un óxido

(típicamente óxido de silicio SiO2) y un semiconductor (tipo N o tipo P) llamado substrato. El
material semiconductor más usado es el silicio (Si). La estructura MOS se muestra en la
Figura siguiente

En ausencia de polarización, en el semiconductor hay una distribución homogénea

de portadores, por lo que no se presenta carga en ninguna de las interfaces: metal-óxido y
óxido-semiconductor.

Al aplicar cierto voltaje al metal (usualmente llamado voltaje de compuerta VG) y

poniendo a tierra el substrato, como se ve en la próxima figura, se pueden obtener tres
condiciones de operación en la estructura MOS: condición de acumulación, condición de
empobrecimiento y condición de inversión.

Con el voltaje aplicado, la estructura MOS se comporta como un capacitor de placas

planas y paralelas ya que aparece carga tanto en el metal como en el substrato, formando
el capacitor.

La carga por unidad de área del capacitor MOS está dada por:

Donde C es la capacitancia y VG es el voltaje aplicado entre la compuerta (metal) y el

substrato. Es importante notar que la concentración de portadores en el substrato varía con
el voltaje aplicado, específicamente en la interfaz óxido-semiconductor, de la que se hará
referencia de ahora en adelante como interfaz del óxido simplemente.

La capacitancia por unidad de área presente en el óxido se define como:

 Donde Kox es la constante dieléctrica del óxido, ε0 es la permitividad del vacío y xox
es el espesor del óxido. Se puede ver que esta capacitancia es constante.

A continuación se mostrarán las condiciones de operación de la estructura MOS al

aplicar cierto voltaje. Se utilizará un substrato tipo P durante todo el análisis.

Al aplicar un voltaje negativo a la estructura MOS, se presenta la condición de

acumulación, como se muestra en la Figura.

En esta condición los portadores mayoritarios (huecos), del semiconductor tipo P,

comienzan a acumularse en la interfaz del óxido. Esto se debe al campo eléctrico, producto
del voltaje negativo aplicado. La región de acumulación que se muestra en la Figura 1.3 se
comporta como un semiconductor tipo P más dopado (P+). También, se muestra una zona
homogénea, en la cuál la distribución de carga no varía.

Sí ahora se aplica un voltaje positivo a la estructura MOS, se presenta la condición

de empobrecimiento como se muestra en la siguiente figura.
 En esta condición, los portadores mayoritarios son repelidos de la zona cercana al
óxido, debido al campo eléctrico. Esto produce una región de carga espacial (RCE)
producto de los iones de impurezas. También se tiene una capacitancia por unidad de área,
asociada a la RCE en el silicio dada por:

Donde Ksi es la constante dieléctrica del silicio y xd es el ancho de la RCE. Como se

puede observar, esta capacitancia cambia con xd. Al incrementar VG, el ancho de la RCE
aumenta, por lo que Csi muestra una dependencia con VG.

Si se continúa incrementando el voltaje positivo aplicado se llega a la condición de

inversión, como se muestra en la Figura.
 Con este incremento de voltaje la RCE sigue aumentando. En la interfaz del óxido, el
campo eléctrico confina a los electrones libres generados en la superficie del silicio, esto
produce que la región entre el substrato y el óxido, se comporte como un semiconductor tipo
N. Por lo tanto, se ha invertido el tipo de semiconductor, es decir, el tipo de conductividad.
El comienzo de este proceso se conoce como inversión débil.

La RCE se incrementa hasta un límite, en el cuál un incremento en el voltaje

aplicado, produce un incremento en la concentración de carga móvil en la región de
inversión y por lo tanto la RCE ya no se incrementa. Cuando ocurre esto se tiene una
inversión fuerte.

En el caso de tener una estructura MOS con un semiconductor tipo N, se logra la

condición de acumulación al aplicar un voltaje positivo al metal y poniendo a tierra el
substrato. Al aplicar un voltaje negativo se obtiene la condición de empobrecimiento. Con un
voltaje negativo más intenso se obtiene la condición de inversión, produciendo una región
entre el óxido y el substrato tipo P.

Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y

amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-
Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se
debe a la constitución del propio transistor.

Son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una
canal de conducción. Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte
de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS.

Transistor que se controla con voltaje en la compuerta usado para amplificar o

conmutar señales. Actualmente, la versión de los transistores, el mas utilizado ya que es la
base para la mayoría de los circuitos integrados. El transistor MOSFET desplazó al
transistor BJT, el cual es controlado mediante la corriente de base. Además, respecto a los
transistores BJT los MOSFET, tienen un consumo menor, tamaño inferior, control con
voltaje, independiente de uso de resistencias, velocidades de conmutación mayores, entre
otras ventajas.
 Existen diferentes tipos de MOSFET, dependiendo de la forma cómo están
construidos internamente. Así, tenemos MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de
empobrecimiento, cada uno con su símbolo característico.

Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de

canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o
deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí
únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidos como de
enriquecimiento. La figura a continuación indica los diferentes símbolos utilizados para
describir los transistores MOS.

En la siguiente figura se describe la estructura física de un MOSFET de canal N con

sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se
encuentra conectado a la fuente.

La puerta, cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un dieléctrico
(Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una
tensión positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversión) en la superficie
del substrato y se crea un camino de conducción entre los terminales drenador y fuente.

La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina tensión umbral o
tensión de threshold (VT) y es un parámetro característico del transistor. Si la VGS < VT, la
corriente de drenador-fuente es nula; valores típicos de esta tensión son 0.5 V a 3 V.

Recuerda que un transistor pnp o npn (basados en la unión pn) hace lo mismo, pero
la diferencia es que en los npn o pnp la conducción se produce cuando le llega una
pequeña corriente a la base, en el mosfet es por tensión, se activa cuando ponemos a una
tensión mínima en la patilla del transistor llamada Gate.

Las otras dos patillas se llaman sumidero (entrada) y drenaje (salida). Aunque luego
explicaremos todo con más detalle fíjate en el esquema siguiente. Se ven las 3 patillas y
como cuando conectamos G hay circulación de corriente entre D y S.

La mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología

MOS, debido a que se pueden construir de tamaños más pequeños que los bipolares y su
velocidad de conmutación (apertura y cierra) es muy rápida, unos nanosegundos.

El transistor MOSFET, está basado en la estructura MOS. En los MOSFET

de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la Puerta y el substrato
induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de
campo. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad
eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región
correspondiente al canal, que también es conocida como la zona de inversión.

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N

Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO2) que impide prácticamente
el paso de corriente a su través; por lo que, el control de puerta se establece en forma de
tensión. La calidad y estabilidad con que es posible fabricar estas finas capas de óxido es la
principal causa del éxito alcanzado con este transistor, siendo actualmente el dispositivo
más utilizado.

Además, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que permite una
mayor densidad de integración. Comencemos con la estructura básica del MOSFET,
seguido de sus símbolos.

Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato

semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-
Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado (n+).
 Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de puerta de un MOSFET de tipo
N, se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide perpendicularmente sobre la
superficie del semiconductor P. Este campo, atrae a los electrones hacia la superficie, bajo
la capa de óxido, repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el campo eléctrico es muy
intenso se logra crear en dicha superficie una región muy rica en electrones, denominada
canal N, que permite el paso de corriente de la Fuente al Drenador. Cuanto mayor sea la
tensión de Puerta mayor será el campo eléctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez
creado el canal, la corriente se origina, aplicando una tensión positiva en el Drenador
respecto a la tensión de la Fuente.

En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los portadores son

huecos (cargas de valor positivas, el módulo de la carga del electrón). En este caso, para
que exista conducción el campo eléctrico perpendicular a la superficie debe tener sentido
opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que la tensión aplicada ha de ser negativa. Ahora,
los huecos son atraídos hacia la superficie bajo la capa de óxido, y los electrones repelidos
hacia el sustrato. Si la superficie es muy rica en huecos se forma el canal P. Cuanto más
negativa sea la tensión de puerta mayor puede ser la corriente (más huecos en el canal P),
corriente que se establece al aplicar al terminal de Drenador una tensión negativa respecto
al terminal de Fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.

Si con tensión de Puerta nula no existe canal, el transistor se denomina de

acumulación; y de vaciamiento en caso contrario. Mientras que la tensión de Puerta a partir
de la cual se produce canal, se conoce como tensión umbral, VT. El terminal de sustrato
sirve para controlar la tensión umbral del transistor, y normalmente su tensión es la misma
que la de la Fuente.

El transistor MOS es simétrico: los terminales de Fuente y Drenador son

intercambiables entre sí. En el MOSFET tipo N el terminal de mayor tensión actúa de
Drenador (recoge los electrones), siendo el de menor tensión en el tipo P (recoge los
huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra el funcionamiento de un transistor
MOS tipo N de enriquecimiento.
 REGIONES DE OPERACIÓN

Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se contrae en el lado

del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, más baja y la
zona de transición más ancha. Es decir, siempre que exista canal estaremos en región
óhmica y el dispositivo presentará baja resistencia.

La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de

operación diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un transistor
MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: región de corte, región
óhmica y región de saturación.

REGIÓN DE CORTE

El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del
Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el
dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre Drenador y Surtidor, de modo
que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.

REGIÓN ÓHMICA

Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de RDS(on) viene

dado por la expresión:

VDS(on) = ID(on) x RDS(on)

En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de
Drenaje (ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor.

Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0’1 A; entonces, así mismo, el transistor

estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS – Vt ).

El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y

Surtidor. El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la tensión entre
la Puerta y el Surtidor (VGS).

REGIÓN DE SATURACIÓN

El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión entre

el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de saturación (Vds
sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas características
proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su corriente
de Drenador (ID), independientemente del valor de tensión que haya entre el Drenador y el
Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de
valor ID.

Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt ).
O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se interrumpe o estrangula, lo
que sucede cuando:

Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de

conducción, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del Drenador y
desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al campo
eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.

La parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y la parte casi horizontal corresponde a
la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento, puede funcionar en cualquiera de ellas. En
otras palabras, puede actuar como una resistencia o como una fuente de corriente. El uso
principal está en la zona óhmica.

Funciones y compuertas lógicas

Una función lógica es una expresión matemática que evalúa cuando una variable
lógica toma el valor lógico Verdadero en función de los valores (Verdadero o Falso) de otras
variables lógicas operados mediante las operaciones AND, OR y NOT. Normalmente, para
escribir las funciones lógicas se usan los valores (0, 1) y los operadores típicos del álgebra
de conmutación (de mayor a menor proridad, se pueden alterar mediante paréntesis).

Dentro de la electrónica digital, existe un gran número de problemas a resolver que

se repiten normalmente. Por ejemplo, es muy común que al diseñar un circuito electrónico
necesitemos tener el valor opuesto al de un punto determinado, o que cuando un cierto
número de pulsadores estén activados, una salida permanezca apagada. Todas estas
situaciones pueden ser expresadas mediante ceros y unos, y tratadas mediante circuitos
digitales. Los elementos básicos de cualquier circuito digital son las compuertas lógicas.

Hay disponible una gran variedad de compuertas estándar, cada una con un
comportamiento perfectamente definido, y es posible combinarlas entre si para obtener
funciones nuevas. Desde el punto de vista practico, podemos considerar a cada compuerta
como una caja negra, en la que se introducen valores digitales en sus entradas, y el valor
del resultado aparece en la salida. Cada compuerta tiene asociada una tabla de verdad, que
expresa en forma de lista el estado de su salida para cada combinación posible de estados
en la(s) entrada(s). Si bien al pensar en la electrónica digital es muy común que asumamos
que se trata de una tecnología relativamente nueva, vale la pena recordar que Claude E.
Shannon experimento con relés e interruptores conectados en serie, paralelo u otras
configuraciones para crear las primeras compuertas lógicas funcionales. En la actualidad,
una compuerta es un conjunto de transistores dentro de un circuito integrado, que puede
contener cientos de ellas. De hecho, un microprocesador no es más que un chip compuesto
por millones de compuertas lógicas. Veremos a continuación que símbolo se utiliza para
cada compuerta, y su tabla de verdad.

En seguida se presenta una tabla con las diferentes compuertas lógicos, con sus
respectivas tablas de verdad, símbolos y ecuaciones lógicas.
 A continuación se explican las tres distintas formas de obtener las tres partes que
conlleva un circuito con compuertas lógicas:

● Obtención de la función lógica y el circuito de una tabla de verdad

● Obtención de la tabla de verdad y el circuito de una función lógica
● Obtención de la tabla de verdad y función lógica de un circuito
Obtención de la función lógica y el circuito de una tabla de verdad

A partir de la tabla de verdad presentada se busca obtener la función

lógica y el circuito de la tabla de verdad.

Primero, se obtiene la función lógica, por medio del análisis de suma

mintérminos, lo cuales son cada una de las filas en la tabla de verdad, por lo
que en esta ocasión se obtienen ocho mintérminos. Los mintérminos que se
tomarán en cuenta son los que en el resultado final sea uno “encendido”.
nombrando los mintérminos m1, m2...m8, nuestra función lógica por suma de
mintérminos quedaría cómo:

F=m2+m4+m5+m8

Y esta en función de los valores de entrada sería:

F=X’Y’Z+X’YZ+XY’Z+XYZ

Ahora, para obtener el circuito se observa que la

función es una suma de cuatro términos, por lo que sabemos que la
compuerta lógica de la que se obtiene la salida es una OR de cuatro
entradas, dichas entradas son compuertas AND de tres entradas, ya que se trata de
multiplicaciones de datos señales de entrada, finalmente hay que darse cuenta que algunos
de los valores de X, Y y/o Z se encuentran negados a la entrada de las compuertas de
multiplicación, por lo que se necesitan compuertas NOT, para realizar la inversión de las
señales de entrada correspondientes, por lo que el circuito final quedaría expresado de la
siguiente forma:

Obtención de la tabla de verdad y el circuito de una función lógica

A partir de la función lógica dada, se obtiene la tabla de verdad y el circuito.

F=X’Y’Z’+XY’Z+XYZ
 Al tener tres señales de entrada (X, Y, Z) sabemos que existen ocho combinaciones
para la tabla de verdad, y al saber que se trata de una suma de mintérminos, podemos
saber que combinaciones dan como resultado uno, puesto que estas son las que se toman
en cuenta en la suma de mintérminos, por lo tanto, la tabla de verdad quedaría de la
siguiente forma:

Finalmente para el circuito, de nueva cuenta no fijamos que se trata

de una suma de mintérminos cuyos términos son multiplicaciones de las
señales de entrada, por lo que el circuito estará compuesto por tres
compuertas NOT, tres compuertas AND y una compuerta OR, y en forma de
diagrama se representa como:

Obtención de la tabla de verdad y función lógica de un circuito

Finalmente, partiendo del siguiente circuito

Se obtiene primero la función lógica y posteriormente la tabla de

verdad, se comienza por ver que existen en las señales de entrada tanto de X
como de Z compuertas NOT, caso contrario a Y, por lo que ahora se tendrán
también los valores de X’ y Z’ disponibles para las compuertas. En el caso de la primer
compuerta AND se aprecia que sus valores de entrada son X’ y Y, por lo que se obtendrá a
su salida como resultado la multiplicación X’Y; para la segunda compuerta AND las
entradas son Y y Z’, teniendo como resultado YZ’; ambos resultados se sumarán por medio
de la compuerta OR, y se tendrá como salida final F=X’Y+YZ’.

Para la tabla de verdad se sabe que al tener tres señales de entrada las
combinaciones será ocho, de las cuales solamente en donde se presenten las señales de
entrada con valor X=0 y Y=1 y/o Y=1 y Z=0, por lo que la tabla de verdad quedará como: