Octubre 2018 – Febrero 2019

Los dispositivos de semiconductores de potencia disponibles

se clasifican en tres grupos, de acuerdo con su grado de
controlabilidad:

1. Diodos. Estados de conexión y desconexión controlados

por el circuito de potencia.

2. Tiristores. Son activados mediante una señal de control,

pero pueden ser desactivados por medio del circuito de
potencia (control por fase) o por un circuito de control
externo.

3. Interruptores controlables. Se conectan y desconectan

mediante señales de control.
 Tiristores
Se llaman tiristores a los semiconductores de 4 capas.
Además se los conoce como dispositivos PNPN.

1. Según el sentido de conducción de corriente

Diodo de 4 capas
Unidireccionales SCR
GTO
SCS
SUS

Bidireccionales DIAC
TRIAC
SBS
 Tiristores

2. Según la forma de operar (disparo de corriente)

SCR
TRIAC
GTO
SCS

3. Por ruptura de voltaje

Diodo de 4 capas
DIAC
SBS
SUS
La categoría de interruptores controlables abarca varios tipos de
dispositivos, como transistores de unión bipolar (bipolar junction
transistors, BJT), transistores de efecto de campo óxido metálico
semiconductor (metal-oxide-semiconductor field effect
transistors, MOSFET), tiristores desactivables por puerta (GTO) y
transistores bipolares de puerta aislada (insulated gate bipolar
transistors, IGBT). Durante los últimos años se registraron
avances importantes en esta categoría de dispositivos.
•DIODOS DE POTENCIA
Su funcionamiento es similar a los diodos normales con la
diferencia que manejan grandes corrientes y soportan altos
voltajes en polarización inversa.
 •DIODOS
Según los requisitos de la aplicación, están disponibles varios tipos de
diodos:
1. Diodos Schottky. Estos diodos se usan donde se requiere una caída
baja de tensión directa (normalmente 0.3 V) en circuitos de tensión de
salida muy baja. Estos diodos están limitados en su capacidad
de tensión de bloqueo a 50 - 100 V.
2. Diodos de recuperación rápida. Estos diodos están diseñados para el
uso en circuitos de alta frecuencia, en combinación con interruptores
controlables donde se necesita un tiempo corto de recuperación
inversa. En niveles de energía de varios cientos de voltios y varios
cientos de amperios, estos diodos tienen un grado de trr de menos que
unos cuantos milisegundos.
 •DIODOS
3. Diodos de frecuencia de línea. El voltaje de estado de encendido de
estos diodos está diseñado para ser lo más bajo posible, y en
consecuencia tienen tiempos trr más grandes, aceptables para
aplicaciones de frecuencia de línea. Estos diodos están disponibles con
magnitudes de voltaje de bloqueo de varios kilovoltios y magnitudes de
corriente de varios kiloamperios. Además, se pueden conectar en serie
y paralelo para satisfacer cualquier requisito de corriente.
 •TIRISTORES
El tiristor puede dispararse para entrar en el estado activo por medio de
la aplicación de un pulso de corriente de puerta positiva durante un
periodo breve, en tanto que el dispositivo esté en estado de bloqueo
directo.
Una vez que el dispositivo empieza a conducir, se enclava (conduce) y
la corriente de puerta puede eliminarse. El tiristor no puede apagarse
por la puerta, y el tiristor conduce como un diodo. Sólo cuando la
corriente del ánodo intenta volverse negativa (por influencia del circuito
en el que el tiristor está conectado) se apaga el tiristor y la corriente va
a cero. Esto permite que la puerta recupere el control, a fin de encender
el dispositivo en algún momento controlable después de que
nuevamente haya entrado en el estado de bloqueo directo.
 •TIRISTORES
En polarización inversa y con tensiones debajo del voltaje de ruptura
inversa, sólo una corriente de fuga muy insignificante fluye en el tiristor
•TIRISTORES
 •CARACTERÍSTICAS DESEADAS EN INTERRUPTORES CONTROLABLES
BJT, MOSFET, GTO e IGBT, pueden encenderse y apagarse mediante
señales de control aplicadas a la terminal de control del dispositivo.
Cuando el interruptor está apagado, no fluye corriente alguna, y cuando
está encendido, la corriente fluye sólo en la dirección de la flecha. El
interruptor controlable ideal tiene las siguientes características:
1. Bloquea de forma arbitraria grandes tensiones directas e inversas
con flujo de corriente cero.
2. Conduce en forma arbitraria grandes corrientes con caída cero de
tensión cuando está encendido.
3. Conmuta de encendido a apagado o viceversa en forma instantánea
cuando se dispara.
4. Se requiere una cantidad de energía insignificante de la fuente de
control para disparar el interruptor.
 •TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR
Los transistores de unión bipolar son dispositivos controlados por
corriente, y se les tiene que suministrar corriente de base de manera
continua para mantenerlos en estado activo. La ganancia de corriente
CChFE es normalmente en promedio de sólo 5-10 en transistores de
alta potencia, así que estos dispositivos en ocasiones están conectados
en una configuración Darlington o triple Darlington.
En esta configuración se acumulan algunas desventajas, como valores
generales VCE(sat) un poco más altos, así como velocidades de
conmutación más lentas.
•TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR
•TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
DE METAL-ÓXIDO-SEMICONDUCTOR
•DESACTIVACIÓN POR PUERTA DE TIRISTORES
•TRANSISTORES BIPOLARES DE PUERTA AISLADA (IGBT)
•COMPARACIÓN DE INTERRUPTORES CONTROLABLES
 •EL DIODO DE 4 CAPAS

El diodo de 4 capas (conocido también como diodo Shockley y SUS) es

un tipo de tiristor, una clase de dispositivos construidos de cuatro
capas de semiconductor.
 •EL DIODO DE 4 CAPAS

El diodo de 4 capas (conocido también como diodo Shockley y SUS) es

un tipo de tiristor, una clase de dispositivos construidos de cuatro
capas de semiconductor.
 •EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

El SCR tiene dos estados posibles de operación. En el estado apagado,

actúa idealmente como circuito abierto entre el ánodo y el cátodo; en
realidad, en lugar de una abertura, existe una resistencia muy alta. En
el estado encendido, el SCR actúa idealmente como un cortocircuito
del ánodo al cátodo; en realidad, existe una pequeña resistencia en el
estado encendido (en directa).

Un SCR (rectificador controlado de silicio, silicon-controlled rectifier)

es un dispositivo pnpn de 4 capas similar al diodo de 4 capas pero
con tres terminales: ánodo, cátodo y compuerta.
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Encendido del SCR

•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Apagado del SCR

•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Características y valores nominales de un SCR

•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
SCR activado por luz (LASCR)
El rectificador controlado de silicio activado por luz (LASCR) es
un dispositivo semiconductor de cuatro capas (tiristor) que opera
esencialmente como lo hace un SCR convencional, excepto
porque también puede ser activado por luz.
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Funcionamiento en CC SCR Funcionamiento CC.pdsprj

Con P1 Abierto
IAK=0
VAK=VCC
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Funcionamiento en CC SCR Funcionamiento CC.pdsprj

Con P1 Cerrado
se activa conmuta
IG = IGmin

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐴𝐾
𝐼𝐴𝐾 =
𝑅𝐿
VAK  1V

Se queda enclavado
siempre que:
IAK > IH

𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐺𝐾
𝑅𝐺 =
𝐼𝐺𝑚𝑖𝑛
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Apagado SCR Funcionamiento CC.pdsprj

• PC en serie
• Pa en paralelo
• Invertir el voltaje VAK (V> VCC)
• Extrayendo I de la Gate (no recomendado)
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Control de activación y desactivación de la corriente
La figura muestra un circuito de SCR que permite cambiar la
corriente a una carga mediante el cierre momentáneo del
interruptor SW1 y eliminar de la carga mediante el cierre
momentáneo del interruptor SW2.
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Control de activación y desactivación de la corriente
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Control de activación y desactivación de la corriente
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Funcionamiento en CA Funcionamiento SCR en CA.pdsprj
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Control de potencia de media onda
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Control de potencia de media onda
•EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Control de potencia de media onda

Control de potencia de media onda.pdsprj

• EL DIAC
Un diac es un dispositivo semiconductor de cuatro capas y dos
terminales (tiristor) que conduce corriente en una u otra
dirección cuando se activa.
Las dos terminales, designadas A1 y A2.
La conducción ocurre en un diac cuando se alcanza el voltaje de
ruptura con una u otra polaridad a través de las dos terminales.
Una vez que se presenta la ruptura, la corriente fluye en una
dirección según la polaridad del voltaje a través de las
terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente se reduce
por debajo del valor de retención.
• EL DIAC
• EL DIAC
• EL TRIAC
Un triac es como un diac con una terminal compuerta. Un triac
puede ser disparado por un pulso de corriente en la compuerta y
no requiere voltaje de ruptura para iniciar la conducción, como
el diac.
Básicamente, se puede pensar en un triac simplemente como dos
SCR conectados en paralelo y en direcciones opuestas con una
terminal común, la compuerta.
A diferencia del SCR, el triac puede conducir corriente en una u
otra dirección cuando es activado, según la polaridad del voltaje
a través de sus terminales A1 y A2.
• EL TRIAC
• EL TRIAC
• EL TRIAC