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Informe 6- Transistor Mosfet: Caracterización y

aplicaciones básicas
Lisseth Tatiana Herrera Rosero - ltherreraro@unal.edu.co
Brayam Santiago Velandia Castillo - bsvelandiac@unal.edu.co
.
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica
Universidad Nacional de Colombia.
Bogotá. Marzo 7 de 2017.

RESUMEN—A continuación, se muestran los resultados en el
estudio del MOSFET y las diversas aplicaciones que se ejecutaron
en el laboratorio. Primero, se muestra una caracterización del
BSS138 con el cual se trabajó, de esta forma se pueden analizar
las caracterı́sticas internas del transistor. Después, se muestran
algunas aplicaciones, como el espejo de corriente, el amplificador
inversor y las compuertas lógicas; para estas se usó el circuito
integrado CD4007.
PALABRAS CLAVE—MOSFET, drenaje, fuente, compuerta,
trı́odo, saturación, corte.
ABSTRACT—In this report, we find the results in the MOS-
FET study and the various applications that were run in the
laboratory. First, a characterization of the BSS138 is shown with
any one worked, in this way the internal characteristics of the
transistor can be analyzed. Then, some applications are shown,
such as the current mirror, the inverting amplifier and the logic
gates; For these the CD4007 integrated circuit was used.
KEYWORDS—MOSFET, drain, source, gate, triode, satura-
tion, cut.
I. INTRODUCCI ÓN
Omo se observó en el manejo de diodos, la unión
C de materiales de diferentes propiedades eléctricas, nos
permite generar distintos fenómenos en el flujo de cargas
a través de un conductor. Para una configuración diferente
como es la del transistor, se tienen nuevos comportamientos
y caracterı́sticas, que han sido de gran importancia para el
avance de la electrónica en los últimos años. Un MOSFET es
un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y
amplificación de señales.
Ası́, podremos observar más adelante que podemos crear
circuitos donde se mantenga una corriente constante sin im-
portar la carga, o generar una ganancia en una señal dada.
Las propiedades de los semiconductores permiten generar tres
comportamientos diferentes en el transistor; corte, saturación
y trı́odo donde cada uno tiene aplicaciones en el manejo de la
información por medio de señales.
II. MARCO TE ÓRICO
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor,
son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo
eléctrico para crear una canal de conducción.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de
canal N (NMOS) y MOSFET de canal P (PMOS). En la
figura 1 se ve la estructura fı́sica NMOS, la puerta, cuya
dimensión es W·L, está separado del substrato por un
dieléctrico dioxido de silicio principalmente, formando una
estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar
una tensión positiva en la puerta se induce cargas negativas
(capa de inversión) en la superficie del substrato y se crea un
camino de conducción entre los terminales drenaje y fuente.
Fig. 1: Esquema Mosfet [1]
La tensión mı́nima para crear ese capa de inversión se
denomina tensión umbral o tensión de threshold (VT H ) y es
un parámetro caracterı́stico del transistor. Si la VGS ¡ VT H , la
corriente de drenador-fuente (VDS ) es nula (corriente ID ).
Según los valores que tome la tensión VGS, se pueden
considerar tres casos:
• VGS = 0. Esta condición implica que VGS = 0, puesto
que VS = 0. En estas condiciones, no existe efecto
campo y no se crea el canal de e–, debajo de la Puerta.
Las dos estructuras PN se encuentran cortadas y aisladas.
IDS = 0 aproximadamente, pues se alimenta de las
intensidades inversa s de saturación.
• La tensión VGS ¿0, se crea la zona de empobrecimiento
o deplexión en el canal. Se genera una carga eléctrica
negativa e– en el canal, debido a los iones negativos de
la red cristalina (similar al de una unión PN polarizada
en la región inversa), dando lugar a la situación de
inversión débil anteriormente citada. La aplicación de un
campo eléctrico lateral VDS ¿0, no puede generar corriente
eléctrica IDS .
• La tensión VGS ¿¿0, da lugar a la inversión del canal y
genera una población de e– libres, debajo del oxido de

Puerta y p+ al fondo del substrato. Se forma el CANAL
N o canal de electrones, entre el Drenaje y la Fuente (tipo
n+) que, modifica las caracterı́stica eléctricas originales
del sustrato. Estos electrones, son cargas libres, de modo
que, en presencia de un campo eléctrico lateral, podrı́an
verse acelerados hacia Drenaje. Sin embargo, existe un
valor mı́nimo de VGS para que el número de electrones,
sea suficiente para alimentar esa corriente, es VT H .
A. Regiones de operación del MOSFET
Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando,
el canal se contrae en el lado del Drenaje, ya que la
diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto,
más baja y la zona de transición más ancha. Es decir,
siempre que exista canal estaremos en región óhmica y
el dispositivo presentará baja resistencia.
La operación de un transistor MOSFET se puede dividir
en tres regiones de operación diferentes, dependiendo
de las tensiones en sus terminales. Para un transistor
MOSFET de enriquecimiento se tienen las siguientes
regiones: región de corte, región óhmica y región de
saturación.
En la figura 2 Se puede ver la gráfica IDS vs VDS donde
se puede ver las diferentes zonas de trabajo del diodo, en
la zona óhmica tiene un comportamiento lineal, mientras
en la zona de saturación se estabiliza la corriente.
Fig. 2: Gráfica ID vs VGS regiones de funcionamiento [2]
1) Región de corte: El transistor estará en esta región,
cuando VGS ¡VT H . En estas condiciones el transistor MOS-
FET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los
terminales del D-S. De acuerdo con el modelo básico del
transistor, en esta región, el dispositivo se encuentra apagado.
No hay conducción entre Drenaje y Source (fuente), de modo
que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto [2].
2) Región óhmica: El transistor estará en la región óhmica,
cuando VGS ¿ VT H y VDS ¡ ( VGS – VT H ). El MOSFET
equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenaje y
Source (fuente). El valor de esta resistencia varı́a dependiendo
del valor que tenga la tensión entre la Puerta y el Surtidor
(VGS ).
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Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica,
el valor de RDS(on) viene dado por la expresión [2]:
VDS = ID(on) x RDS(on)
3) Región de saturación: El transistor MOSFET entra en
esta zona de funcionamiento cuando la tensión entre el Drenaje
y source (fuente) (VDS ) supera un valor fijo denominado
tensión de saturación (Vds.sat ) D-S; este valor viene deter-
minado en las hojas caracterı́sticas proporcionadas por el
fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su
corriente de Drenaje (ID ), independientemente del valor de
tensión que haya entre el Drenaje y source (fuente) (VDS ).
Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente
continua de valor ID .
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS ¿
VT H y VDS ¿ ( VGS GS – VT H ) [2].
III. SIMULACIONES Y CALCULOS
Fig. 3: Circuito en saturación
En la figura 3 se puede analizar la malla de entra y salida,
se tendrı́a la ecuación 1 concerniente a la malla de entrada
y la ecuación 2 de estas ecuaciones se puede deducir que
VDS = VGS , esto garantiza que el transistor esta trabajando en
saturación por lo cual se puede usar la ecuación 3, donde k
son parámetros datos por el fabricante y VGST H también. Al
resolver estas ecuaciones se puede hallar la corriente IDS y el
voltaje VGS , se espera sea de 1.37m A y VGS = 52.6mV, esto
se tomo de la simulación (Ver figura 4) pues precisamente el
objetivo de esta practica es conoces el parámetro k luego de
caracterizar el dispositivo.
− VDD + R1 · ID + VGS = 0 (1)
− VDD + R1 · ID + VDS = 0 (2)
ID = K(VGS − VGST H )2 (3)
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el parámetro k, despejamos la ecuación de la corriente a través

del transistor.
ID = k ∗ (VGS − VGS(th) )2
1.062v = k ∗ (1.212v − 1v)2
k = 24.08 mA
V2

El valor de VGS(th) se tomó del datasheet del BSS138,

donde 0.5v es el mı́nimo y 1,5 es el valor máximo. Como se
mostraba anteriormente, el transistor permanece en saturación
debido a que VDS = VGS , cumpliendo con la condición de
que VDS sea mayor o igual que VGS − VGS(th) .

B. Curva caracterı́stica BSS138

A continuación se muestran las curvas obtenidas para las
diferentes variaciones R de un valor de 2,6 ω hasta 10.32 ω.
Fig. 4: Simulación del circuito 3

En el circuito de la figura 5 se puede ver una configuración

de Mosfet que se denomina espejo de corriente ya que como
se verá en el análisis la corriente de cada una de las ramas es
exactamente igual.

Fig. 6: Curva caracterı́stica del transistor BSS138 con RL=

2,6 ω

Fig. 5: Configuración Espejo de corriente

Lo primero que se puede observar es que los voltajes

VDSQ1 = VGSQ1 = VGSQ2 y aplicando mallas se tiene la
ecuación 4 y se garantiza que VDS ≥ VGSQ2 − VGST H , se Fig. 7: Curva caracterı́stica del transistor BSS138 con RL=
tiene tambien la ecuacion 5 y finalmente despejando se tiene 2.3 k Ω
VDD = IRL · RL + VDSQ2 (4)
VDG2 = VDD − IRL · RL − VDSQ2 (5)
VDD + VGST H − VGS
RL = (6)
IRL
Se pide que la corriente IRL sea de 1mA tomando VDD =
10V y sabiendo que VGST H = 0.9V sacado de la hoja
de datos y reemplazando en la ecuacion 6 se tiene que
RL =7.22KΩ
IV. AN ÁLISIS DE RESULTADOS
A. Circuito BSS138 en saturación
Al realizar el montaje propuesto, se encontró un voltaje Fig. 8: Curva caracterı́stica del transistor BSS138 con RL=
VDS = 1.212V y corriente IDS = 1, 062mA. Por la configu- 5,65 k Ω
ración del circuito, sabemos que VDS = VGS . Para encontrar

Fig. 9: Curva caracterı́stica del transistor BSS138 con RL=
6,98 k ω
Fig. 10: Curva caracterı́stica del transistor BSS138 con RL=
8,37 k ω
Fig. 11: Curva caracterı́stica del transistor BSS138 con RL=
10.32k ω
Las señales del canal 1, correspondiente al voltaje entre el
terminal negativo de la fuente V1 y la resistencia de 100 ω, y
el canal 2 entre drenaje y el diodo, se muestran a continuación:
Fig. 12: Señal del canal 1 y canal 2
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La resistencia R1 posee ese valor para restringir los valores
de VGS , si no se tuviera se tendrı́an valores muy elevados,
por ende, ante la señal de entrada actuarı́a en zona de corte
o trı́odo.Sin la resistencia 100 ω no se tendrı́a voltaje en ese
nodo.
Se observa que a medida que disminuye el VGS , la curva
comienza a desplazarse hacia la parte inferior. Aunque no se
ve la curva completa, se hacen aproximaciones con respecto al
comportamiento observado en la guı́a y en las simulaciones.
C. Espejo de corriente
En este circuito, se estableció un valor de Rref de 7.22 k
ω. Cuando se realizó el montaje del circuito no se logró que
el valor de la corriente en IDQ2 se mantuviera fijo ante los
cambios de la resistencia RL . Se establece como la principal
causa el daño del circuito integrado por error en la conexión
o por la electrostática al tocar alguno de los terminales.
En la primera parte, cuando la resistencia RL =Rref si se
obtuvo el mismo valor de 1 mA para la corriente a través de
los dos transistores. El objetivo del montaje es igualar los VGS
para forzar a que la corriente sea la misma en las dos ramas,
sin importar los cambios de RL .
Fig. 13: Espejo de corriente
D. Configuración MOSFET Inversor
El funcionamiento como inversor del transistor MOSFET
se basa en sus caracterı́sticas en conmutación: pasando de la
región de corte a la región óhmica. Como se puede ver en el
circuito 14, se puede ver que VGS > VGST H y el transistor
se encuentre trabajando en la región óhmica, con lo cual VDS
¡¡ 1. Mientras que el otro Mosfet funcionando en la región de
corte, con VDS ¿¿ 1. Se puede considerar que, el transistor
MOSFET es capaz de funcionar como un interruptor, es por
esto que la señal se invierte.
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Fig. 14: Circuito inversor

Fig. 16: Compuerta logica NOR con mosfet

En la figura 15 se puede ver el resultado donde en el canal

1 se ve la señal de entrada cuadrada y en la salida se ve que
la señal esta invertida y con una menor amplitud, debido al
funcionamiento del mosfet.
Fig. 15: Inversor gráfica osciloscopio
Cuando ambas entradas están en nivel bajo (estado 0), Q1
y Q2 conducen y Q3 y Q4 están al corte. A la salida llega
VDD (estado 1).
Cuando la entrada A esta en 0 y la B en 1, Q1 y Q4
conducen y Q2 y Q3 están al corte. Hay un camino de baja
impedancia hacia tierra provocado por la conducción de Q4,
llega a la salida una masa-tierra (estado 0).
Cuando la entrada A esta en 1 y la B en 0, es el caso
contrario al anterior. Q1 y Q4 están al corte y Q2 y Q3
conducen. Hay un camino de baja impedancia hacia tierra
provocado por la conducción de Q3 , llega a la salida una
masa-tierra (estado 0).
Cuando ambas entradas está en 1, Q1 y Q2 están al corte
y Q3 y Q4 conducen. Ahora a través de Q3 y Q4 llega a la
salida una masa -tierra (estado0).
En la tabla I se puede ver la tabla de la verdad del transistor
1 cuando hay voltaje y 0 cuando no.

A B Q1 Q2 Q3 Q4 salida
0 0 S S C C 1
0 1 S C C S 0
1 0 C S S C 0
1 1 C c S S 0

TABLA I: La tabla de conmutación de los transistores

E. Configuración MOSFET Conmutador

S: Saturado (conduce)
C: Cortado
En la figura 16 se puede ver que los transistores PMOS 1: VDD ver figura 17
conectados en serie forman el camino de baja impedancia 0: tierra ver figura 18 En la figura 17 y 18 se el estado 1 es
hacia VDD cuando ambos conducen y los dos transistores decir VDD y el estado 0 es decir tierra respectivamente, este
NMOS en paralelo forman el camino de baja impedancia hacia tipo de configuraciones son muy útiles sobre todo cuando se
tierra cuando uno de ellos o ambos conducen. trata de electrónica digital.
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[2] A. Sedra and K. ”Señales”Smith, Microelectronic circuits, 4th ed. Oxford:

Toronto pp. 2-6.
[3] M. Sadiku, C. Alexander and S. Musa, Applied circuit analysis, 1st ed.
New York, NY: McGraw-Hill, 2013, pp. 457-483.

Fig. 17: conmutador estado (1) gráfica osciloscopio

Fig. 18: conmutador estado (0) gráfica osciloscopio

V. CONCLUSIONES
• Los transistores mosfet al trabajar en varias zonas debido
a su estructura fı́sica semiconductora y con una parte
aislada, permite que según el voltaje aplicado trabaje
en de forma diferente lo cual tiene muchas aplicaciones
como el espejo de corriente o la conmutación.
• Los Mosfet depende del modo como son fabricados y los
materiales según esto se comportan de forma diferente es
por esto que son sensibles a cambios en la temperatura,
etc. Ya que esto afecta los compuestos con los cuales
están hechos y cambia por completo su funcionamiento
• En el caso del Mosfet B138 al ser de efecto de campo
es muy sensible a que si se toca por la electrostática del
cuerpo puede dejar de funcionar adecuadamente ademas
con el calor al soldarlo también se puede afectar.
• Los Mosfet tiene gran utilidad tanto en electrónica
análoga como digital ya que se pueden comportar como
una fuente dependiente de corriente o de voltaje y de
igual manera se pueden comportar como un interruptor
arrojando estados de conducción y no conducción.

R EFERENCIAS
[1] R. Boylestad, Boylestad and Nashelsky’s electronic devices and circuit
theory, 1st ed. Toronto: Prentice Hall, 2001, pp. 77-114.