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Composants de l’électronique de puissance

Plan

I. Introduction

II. La diode

II.1 Diode réelle et modèle parfait

II.2 Critères de choix

II.3 Protections

III. Le thyristor

III.1 Thyristor réel et modèle parfait

III 2 M

d

es

d

e

bl

. o

ocage

III.3 Critères de choix

III.4 Commande du thyristor

Principes et solutions industrielles

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

IV.1 Types/Fonctionnement

IV.2 Limites et protections

IV.3 Interfaces de commande

VI. Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)

VII. Complément

VI 1 Caractéristique par segments

.

VI.2 Segments dans le cas de la diode, du thyristor et des transistors

VI 3 Recherche de la réversibilité en courant

.

VI 3 Recherche de la réversibilité en courant . IV.1 Types/Fonctionnement IV.2 Limites et protections IV.3

IV.1 Types/Fonctionnement

IV.2 Limites et protections

IV.3 Pertes

IV 4 Interfaces de commande

. Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de
.
Yvan Crévits
Yvan Crévits
Composants de l’électronique de puissance
Introduction à l’électronique de puissance
Septembre 2005
Sept.-Oct. 2005
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de puissance Introduction à l’électronique de puissance Septembre 2005 Sept.-Oct. 2005 2 2 / 37 /

Introduction (1/3)

Électronique de puissance

Étude des convertisseurs statiques d énergie électrique

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Énergie Énergie entrante sortante Convertir l’énergie électrique
Énergie
Énergie
entrante
sortante
Convertir l’énergie
électrique

Convertisseur statique

Constitution des convertisseurs (rappel)

Composants réactifs (inductances couplées ou non, condensateurs)

Éléments non dissipatifs (ne consomment pas de puissance active)

Composants semi-conducteurs

Fonctionnement en commutation de type « tout ou rien »

Fonctionnement en commutation de type « tout ou rien » − Ils se comportent comme des
− Ils se comportent comme des interrupteurs ouverts ou fermés Yvan Crévits Yvan Crévits Composants
− Ils se comportent comme des interrupteurs ouverts ou fermés
Yvan Crévits
Yvan Crévits
Composants de l’électronique de puissance
Introduction à l’électronique de puissance
Septembre 2005
Sept.-Oct. 2005
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de puissance Introduction à l’électronique de puissance Septembre 2005 Sept.-Oct. 2005 3 3 / 18 /

Introduction (2/3)

Interrupteur

Un « dipôle » comme les autres

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Symbole - Notations i(t)

États

IGBT VII. Compléments Symbole - Notations i(t) États v(t) Ouvert − Résistance très élevée ( R

v(t)

VII. Compléments Symbole - Notations i(t) États v(t) Ouvert − Résistance très élevée ( R →

Ouvert

Résistance très élevée (R → ∞),

Courant très faible (i 0)

Fermé

Résistance très faible (R 0),

Tension très faible (v 0)

Caractéristique statique

ii v < 0 i 0 0 v v v < 0 i
ii
v
< 0
i
0 0
v
v
v
< 0
i
statique ii v < 0 i 0 0 v v v < 0 i Yvan Crévits
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
Yvan Crévits
Composants de l’électronique de puissance
Introduction à l’électronique de puissance
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de puissance Introduction à l’électronique de puissance Septembre 2005 Sept.-Oct. 2005 4 4 / 37 /

Introduction (3/3)

Deux types de composants

Non commandables – L’état est spontané

u Composant i
u
Composant
i

Mode d’étude

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Commandables

À la fermeture

À l’ouverture

Commande

l e s − À la fermeture − À l’ ouverture Commande Composant i u Fonctionnement
l e s − À la fermeture − À l’ ouverture Commande Composant i u Fonctionnement
Composant i
Composant
i
À la fermeture − À l’ ouverture Commande Composant i u Fonctionnement : Composants parfaits (sans

u

Fonctionnement : Composants parfaits (sans pertes)

i u Fonctionnement : Composants parfaits (sans pertes) Dimensionnement : Com osant réel tenant com te
Dimensionnement : Com osant réel tenant com te des im erfections p p p Yvan
Dimensionnement : Com osant réel tenant com te des im erfections
p
p
p
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Introduction à l’électronique de puissance
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de puissance Introduction à l’électronique de puissance Septembre 2005 Sept.-Oct. 2005 5 5 / 37 /
La diode C omposan t non commandé
La diode C omposan t non commandé

La diode

Composant non commandé

La diode C omposan t non commandé
La diode C omposan t non commandé

La diode : Présentation

Symbole - Notations

i AK Anode (A) v AK Cathode (K)
i
AK
Anode (A)
v AK
Cathode (K)

Caractéristique statique

I. Introduction II. La diode

II.1 Diode réelle et modèle parfait

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Deux états

Diode passante (ON)

v AK 0 et positive

i AK existe

Interrupteur fermé

Doc . 1
Doc
.
1
i En inverse, le courant i AK est faible AK Tension inverse maximale Avalanche Courant
i
En inverse, le
courant i AK est
faible
AK
Tension inverse
maximale
Avalanche
Courant direct
maximal
Quelques
En direct,
V
est faible
centaines de
volts
AK
v
AK
Quelques
volts
Tension de seuil

Diode bloquée (OFF)

v AK < 0

i AK 0

Interrupteur ouvert

Changements d’états

Mise en conduction : Transition OFF-ON

Ou « amorçage »

Spontané : i AK ou v AK deviennent positifs

Blocage : Transition ON-OFF

Spontané : i AK annule

: Transition ON-OFF − Spontané : i A K annule Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
Yvan Crévits
Composants de l’électronique de puissance
Introduction à l’électronique de puissance
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La diode : Composant idéalisé

Diode parfaite

i AK Caractéristique État ON inverse C arac té i r s directe État OFF
i
AK
Caractéristique
État ON
inverse
C
arac
té i
r s
directe
État OFF
v
AK

ti

que

I. Introduction II. La diode

II.1 Diode réelle et modèle parfait III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Modèle utilisé pour les études de fonctionnement des convertisseurs

pour les études de fonctionnement des convertisseurs Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Introduction à l’électronique de puissance
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de puissance Introduction à l’électronique de puissance Septembre 2005 Sept.-Oct. 2005 8 8 / 18 /

La diode : Choix du composant

Caractéristique statique (rappel)

i AK Tension inverse maximale : V RRM Courant direct maximal : I FM Tension
i
AK
Tension
inverse
maximale :
V
RRM
Courant
direct
maximal : I FM
Tension
d’avalanche
v
AK

I. Introduction II. La diode

II.2 Critères de choix

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Critères « courant »

Courant direct moyen

I FMoy (F pour forward=Direct)

Courant direct efficace (et/ou)

I RMS (RMS pour Root mean Square)

Courant direct maximal répétitif

I FRM (R pour repetitive)

Critère « tension »

Tension inverse maximale répétitive

V RRM

» Tension inverse maximale répétitive − V RRM Doc . 1 Yvan Crévits Yvan Crévits Composants
Doc . 1 Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique
Doc
.
1
Yvan Crévits
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Introduction à l’électronique de puissance
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La diode : Protections contre les surintensités et les surtensions (1/2)

Contre les surintensités

Par fusible

I. Introduction II. La diode

II.3 Protections

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

i
i

D

Contre les variations de tension (dv/dt)

Contre les surtensions

Circuit RC

C R i K D
C
R
i
K
D

Élément non linéaire (diode transil)

i transil

 
 
 
   
     
 
   
  D
 
  D
D

D

  D

i

 
i transil v transil
i
transil
v
transil

Condensateur et/ou circuit RC

Contre les variations de courant (di/dt) :

Inductance

Exemples

C i
C
i
variations de courant (d i /d t ) : Inductance Exemples C i L D D
variations de courant (d i /d t ) : Inductance Exemples C i L D D

L

D D 2 C D 1 R 1 R 2 L i
D
D 2
C
D 1
R 1
R
2
L
i

D

Inductance Exemples C i L D D 2 C D 1 R 1 R 2 L
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
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Introduction à l’électronique de puissance
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La diode : Protections thermiques (2/3) I. Introduction II. La diode II.3 Protections III. Le
La diode : Protections thermiques (2/3)
I. Introduction
II. La diode
II.3 Protections
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
Pertes de puissance : 2 origines
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
État fixé : En conduction
Changement d état : En commutation
VII. Compléments
P
er es en con
t
d
uc on
ti
P
er es en commu a on
t
t
ti
Modèle du composant
Expression de la puissance
A
r D
V D0
K
P
= P
+ P
com
OFF −ON
ON −OFF
i D
1
1
Expression de la puissance
=
I
V
t
f
+
I
V
t
f
P com
D
mi
D
di
2
2
2
=
p t
( )
=
V
i t
( )
+
r
i
( )
t
P cond
D ⋅
0
D⋅
2
=
V
I
+
r
I
P cond
D0 ⋅
moy
D
eff
Pertes totale P d = P cond +P com : Échauffement
U
n di
ss pa eur
i
t
th
erm que
i
li
m
it
e
l
a
t
emp
é
ra ure
t
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Introduction à l’électronique de puissance
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Septembre 2005
Sept.-Oct. 2005

La diode : Dissipateurs thermiques (3/3)

Analogie thermique - électrocinétique Chaîne thermique

I. Introduction II. La diode

II.3 Protections

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

MOS et MOSFET VI. Transistor IGBT VII. Compléments R t h J B : Résistance thermique

R thJB : Résistance thermique jonction-boîtier

Dépend du contact jonction-composant

Valeur donnée par le constructeur

R thBR : Résistance boîtier-radiateur

Dépend du moyen de fixation

+ : Serrage et graisse de silicone

: Isolants électriques (mica)

R thRA : Résistance thermique radiateur-ambiant

T T T T J B R A P d R thJB R thBR R
T
T
T
T
J
B
R
A
P d
R thJB
R thBR
R thRA
(R + R
+ R
)P
= T
−T
=ΔT

+ : Surface de dissipation importante

+ : Radiateurs de faible encombrement / grande surface d’échange

+ : La convection est favorable (ventilation)

d’échange + : La convection est favorable (ventilation) thJB thBR thRA d J A Yvan Crévits
thJB thBR thRA d J A Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance
thJB
thBR
thRA
d
J
A
Yvan Crévits
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Introduction à l’électronique de puissance
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Le thyristor : Présentation

Symbole

i AK I G
i AK
I G
Le thyristor : Présentation Symbole i AK I G Anode ( A ) v AK Cathode
Le thyristor : Présentation Symbole i AK I G Anode ( A ) v AK Cathode
Le thyristor : Présentation Symbole i AK I G Anode ( A ) v AK Cathode

Anode (A)

v AK

Cathode (K)

Gachette (G)

Caractéristique statique Doc . 2 i AK Thyristor Thyristor passant amorçable A I h v
Caractéristique statique
Doc
. 2
i
AK
Thyristor
Thyristor
passant
amorçable
A
I
h
v
Avalanche
AK
Thyristor
bloqué

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

III.1 Thyristor réel et modèle parfait

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Trois états

Th ristor amorçable

y

v AK > 0 et i AK 0

Interrupteur ouvert

Thyristor bloqué (OFF)

Comme une diode : i AK 0 et v AK < 0

Interrupteur ouvert

Thyristor passant (ON)

Comme une diode : i AK existe et v AK 0

Interrupteur fermé

Changements détats

Amorçage (A) : Transition OFF-ON

Courant de gâchette i G quand v AK positive

Blocage : Transition ON-OFF

Spontané quand i AK annule

: Transition ON-OFF − Spontané quand i A K annule Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
Yvan Crévits
Composants de l’électronique de puissance
Introduction à l’électronique de puissance
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Le thyristor : Composant idéalisé

Thyristor parfait

Le thyristor : Composant idéalisé Thyristor parfait i AK État ON A v AK État OFF

i AK

État ON A
État ON
A

v AK

idéalisé Thyristor parfait i AK État ON A v AK État OFF État OFF I. Introduction
idéalisé Thyristor parfait i AK État ON A v AK État OFF État OFF I. Introduction

État OFF

État OFF

I. Introduction II. La diode III. Le thyristor

III.1 Thyristor réel et modèle parfait

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Modèle utilisé pour les études de fonctionnement des convertisseurs

pour les études de fonctionnement des convertisseurs Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
Yvan Crévits
Composants de l’électronique de puissance
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Septembre 2005
Sept.-Oct. 2005
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Le thyristor : Blocage (1/2)

Blocage par commutation naturelle

Schéma d’étude

Th

i AK i G u e R
i
AK
i
G
u e
R

u s

Chronogrammes

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor III.2 Modes de blocage

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Étude

et MOSFET VI. Transistor IGBT VII. Compléments Étude Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
et MOSFET VI. Transistor IGBT VII. Compléments Étude Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
Yvan Crévits
Composants de l’électronique de puissance
Introduction à l’électronique de puissance
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Le thyristor : Blocage (2/2)

Blocage par commutation forcée

Schéma d’étude

ThP

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor III.2 Modes de blocage

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

I P i AK ThE E C I E R – + U c
I P
i AK
ThE
E C
I E
R
+
U c

Étude

u s

Chronogrammes

AK ThE E C I E R – + U c Étude u s Chronogrammes Yvan
AK ThE E C I E R – + U c Étude u s Chronogrammes Yvan
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
Yvan Crévits
Composants de l’électronique de puissance
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Septembre 2005
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Le thyristor : Choix du composant

Caractéristique statique (rappel)

i AK Tension inverse maximale : V RRM Courant direct maximal : I FM Tension
i
AK
Tension
inverse
maximale :
V
RRM
Courant
direct
maximal : I FM
Tension
I
h
d’avalanche
v AK

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor III.3 Critères de choix

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Critères « courant »

Les mêmes que la diode : Thyristor en conduction permanente

Courant direct moyen (I FMoy )

Courant direct efficace (I RMS )

Courant direct maximal répétitif (I FRM )

Critères « tension »

Mêmes contraintes que la diode :

Tension inverse maximale répétitive

(V RRM )

Protection du thyristor

maximale répétitive ( V RRM ) Protection du thyristor Les mêmes protections que la diode Yvan
Les mêmes protections que la diode Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance
Les mêmes protections que la diode
Yvan Crévits
Yvan Crévits
Composants de l’électronique de puissance
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Septembre 2005
Sept.-Oct. 2005
Doc . 2 17 17 / 18 / 37
Doc
. 2
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Le thyristor : Principes de commande (1/2)

Schéma équivalent du circuit de gâchette

G

R GK

i G

A

G

K

     

v GK

V GK0

v GK V GK0

K

A G K       v GK V GK0 K I. Introduction II. La diode

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor III.4 Commande du thyristor - Principes

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Quand commander l’amorçage ?

En accord avec le réseau sinusoïdal (en redressement) : Synchronisation

Attendre le passage à zéro du réseau

Cet instant sert de référence (le « zéro »)

L’amorçage du thyristor est retardé par rapport à cet instant

Illustration/Exemple

Références de tension diffé

Séparation électrique :

Isolement galvanique ren es t Interface i G Réseau (ex 220 V – 50 Hz)
Isolement galvanique
ren es
t
Interface
i
G
Réseau
(ex 220 V – 50 Hz)
Charge
Interface
i
G
Commande
Passage à zéro
(électronique)
Consigne : retard par rapport à zéro
(électronique) Consigne : retard par rapport à zéro Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
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Septembre 2005
Sept.-Oct. 2005
18 18 / 37 / 18
18 18
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Le thyristor : Principes de commande (2/2)

Séparer la commande et la puissance

I. Introduction II. La diode III. Le thyristor III.4 Commande du thyristor - Principes

i G N N u 2 (t)
i G
N
N
u 2 (t)

Le signal de commande permet au

transistor T d’être alternativement passant puis bloqué pendant chaque demi-période.

+E

2

+

Pour la sécurité des personnes

Pour la sécurité du matériel

Isolement galvanique

Doc. 5a/b
Doc.
5a/b

E

i 1 u 1 (t)
i 1
u 1 (t)
du matériel Isolement galvanique Doc. 5a/b E i 1 u 1 (t) Dz Isolement magnétique par

Dz

Isolement magnétique par transformateur d’impulsion (TI)

L intermédiaire est magnétique

Transformateur

Se référer à la commande d’un TI

Isolement optique par opto-coupleur

L’intermédiaire est optique (infra-rouge)

Opto-coupleur

Circuit d’émission

Circuit de réception

D

Cmde− Circuit d’émission − Circuit de réception D +E 1 T R 1 T R 2

Circuit d’émission − Circuit de réception D Cmde +E 1 T R 1 T R 2

+E 1

T
T
R 1
R
1
− Circuit de réception D Cmde +E 1 T R 1 T R 2 Th Doc.

T

− Circuit de réception D Cmde +E 1 T R 1 T R 2 Th Doc.
R 2 Th
R 2
Th
− Circuit de réception D Cmde +E 1 T R 1 T R 2 Th Doc.
Doc. 6
Doc.
6
Circuit de réception D Cmde +E 1 T R 1 T R 2 Th Doc. 6
Circuit de réception D Cmde +E 1 T R 1 T R 2 Th Doc. 6
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19 19 / 18 / 37
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Le thyristor : Commande industrielle

Circuit intégré de synchronisation avec le réseau d’alimentation

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor III.4 Commande du thyristor – Commande industrielle

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

MOS et MOSFET VI. Transistor IGBT VII. Compléments Circuit TCA 785 (Siemens) Assure la détection du

Circuit TCA 785 (Siemens)

Assure la détection du zéro secteur

Broche de V SYNC

Délivre l’enveloppe des impulsions de gâchette

2 groupes de thyristors commandables

Associer l’isolement galvanique (magn., optique)

Associer l’isolement galvanique (magn., optique) Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Associer l’isolement galvanique (magn., optique) Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
Yvan Crévits
Composants de l’électronique de puissance
Introduction à l’électronique de puissance
Septembre 2005
Sept.-Oct. 2005
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de puissance Introduction à l’électronique de puissance Septembre 2005 Sept.-Oct. 2005 20 20 / 37 /
Le transistor Composant commandé
Le transistor
Composant
commandé

Transistor bipolaire : Présentation (1/2)

2 types de transistors

Symboles

Type NPN

i B

i C V i BE E
i
C
V
i
BE
E

V CE

NPN : Courants et tensions positifs
NPN : Courants et
tensions positifs

Le seul transistor utilisé en EnPu

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

IV.1 Types/Fonctionnement

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Type PNP

i B

i C V i BE E
i
C
V
i
BE
E

V CE

PNP : Courants et tensions négatifs
PNP : Courants et
tensions négatifs

Propriétés principales du transistor NPN (seul décrit)

Commandé à la fermeture (OFF-ON) à l’ouverture (ON-OFF) Non réversible en courant

à l’ouverture (ON-OFF) Non réversible en courant − Seul un courant de collecteur positif Non réversible

Seul un courant de collecteur positif

Non réversible en tension

− Seule une tension v CE positive est supportée Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
− Seule une tension v CE positive est supportée
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Introduction à l’électronique de puissance
Septembre 2005
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de puissance Introduction à l’électronique de puissance Septembre 2005 Sept.-Oct. 2005 22 22 / 37 /

Transistor bipolaire : Présentation (2/2)

Modes de fonctionnement i B = i C = 0

Transistor bloqué Interrupteur ouvert

i C proportionnel à i B : i C = βi B

Transistor en régime linéaire

i C ne change pas : i C = i Csat

Transistor saturé Interrupteur fermé

Conclusion

Satisfaire la condition de non dissipation

i C = 0 quand v CE existe : p = 0

v CE = 0 quand i C existe : p = 0

Mode de fonctionnement utilisé en EnPu

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

IV.1 Types/Fonctionnement

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

i i B B i Bsat i B >i Csat /β t t 0 0
i
i
B
B
i
Bsat
i B >i Csat /β
t
t
0
0
i
i
i c constant
C
C
i
=βi
C
B
i
Csat
t
t
0
0
v
v
CE
CE
t
t
0
0
i =βi C B i Csat t t 0 0 v v CE CE t t
− Fonctionnement tout ou rien : En commutation Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique
− Fonctionnement tout ou rien : En commutation
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Septembre 2005
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Transistor bipolaire :

Fonctionnement « parfait »

Fonctionnement en commutation : 2 états

Transistor bloqué (OFF)

i C = 0 et v CE existe

Interrupteur ouvert

Transistor passant (ON)

i C = i Csat et v CE = 0

Interrupteur fermé

Changements d’états : Transitions

OFF-ON : Mise en conduction

i B > i Bsat

ON-OFF : Blocage

i B = 0

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

IV.1 Types/Fonctionnement

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Caractéristique tension-courant

i C Transistor passant (ON) S B v CE Transistor bloqué (OFF)
i
C
Transistor
passant (ON)
S
B
v
CE
Transistor
bloqué (OFF)
passant (ON) S B v CE Transistor bloqué (OFF) Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
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Septembre 2005
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Transistor bipolaire :

Limites de fonctionnement « réelles »

À l’état ON

Limite en puissance

p = v CE. i C < P max

Courant de collecteur moyen maximal

I Cmoymax

Tension C-E de saturation

v CEsat de quelques volts

A l’état OFF

Tension collecteur-émetteur maximale

À l’état OFF : v CEmax

Courant de collecteur résiduel (« fuite »)

I C0 très petit (souvent négligé)

Choix d’un transistor

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

IV.2 Limites et protections

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Protections

En courant : Action rapide

Commande de base

∞ + & T Réglage du seuil de – courant i E Mesure de i
+
&
T
Réglage du
seuil de
courant
i E
Mesure de i E
T Réglage du seuil de – courant i E Mesure de i E Courant de collecteur

Courant de collecteur mo en : I

y

Cmoy

Tension maximale collecteur-émetteur V CE max

Thermique Dissipateur comme diodes et thyristors

Doc . 3 Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique
Doc
. 3
Yvan Crévits
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Septembre 2005
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de puissance Introduction à l’électronique de puissance Septembre 2005 Sept.-Oct. 2005 25 25 / 37 /
Transistor bipolaire réel : I. Introduction II. La diode Pertes en fonctionnement III. Le thyristor
Transistor bipolaire réel :
I. Introduction
II. La diode
Pertes en fonctionnement
III. Le thyristor
IV. Transistor bipolaire
IV.3 Pertes
Chronogrammes des courants et tension
V. Transistor MOS et MOSFET
VI. Transistor IGBT
i
i
B
B
VII. Compléments
I I
Bsat
Bsat
Qua re
t
d
ur es yp ques
é
t
i
t t
t d : Temps de retard du courant
0 0
i
i
Saturation
C
C
I I
Csat
Csat
t r : Temps de montée du
I I
C0
C0
t t
courant
0 0
v v
t d
t r
t s
t f
CE CE
t s : Temps de stockage
t t
v v
(prolongement du courant)
CEsat
CEsat
0 0
p p
T T
t f : Temps de descente du
courant
t t
0 0
Deux types de pertes
Quand les grandeurs sont établies : Pertes en conduction
Quand les grandeurs changent : Pertes en commutation
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Introduction à l’électronique de puissance
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Septembre 2005
Sept.-Oct. 2005

Transistor bipolaire :

Interfaces de commande

Fonctions réalisées par l’interface de commande

Fonction « amplifier »

Courant de base du transistor

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

IV.4 Interfaces de commande

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Fonction « isoler »

Isolement galvanique entre la commande-puissance

Fonction « adapter »

MΠentrante

Démagnétisation rapide du circuit magnétique

− I n er ace t f I n er ace t f Action Alimenter
I
n er ace
t
f
I
n er ace
t
f
Action
Alimenter
Distribuer
Convertir
transmettre
Chaîne d’énergie
Distribuer Convertir transmettre Chaîne d’énergie MŒ sortante Énergie d’entrée Yvan Crévits Yvan

MΠsortante

Convertir transmettre Chaîne d’énergie MŒ sortante Énergie d’entrée Yvan Crévits Yvan Crévits

Énergie d’entrée

Chaîne d’énergie MŒ sortante Énergie d’entrée Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
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Transistor MOS et MOSFET :

Présentation

2 types de transistors

Symboles

Canal N Grille (G) v GS
Canal N
Grille (G)
v GS

i D

Drain (D)

Substrat

Source (S)

v DS

Canal N : Courants et tensions positifs
Canal N :
Courants et
tensions
positifs

Le seul transistor MOS utilisé en EnPu

Propriétés (transistor canal N, seul décrit)

I. Introduction II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET IV.1 Types/Fonctionnement

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Canal P Grille (G) v GS
Canal P
Grille (G)
v GS

i D

Drain (D)

Substrat

Source (S)

Canal P : v DS Courants et tensions négatifs
Canal P :
v
DS
Courants et
tensions
négatifs

Commandé à la fermeture (OFF-ON) à l’ouverture (ON-OFF)

Non réversible en courant

(ON-OFF) N o n ré ve r s ibl e en cou r a nt −

Courant de drain positif exclusivement

Non réversible en tension

− Tension v DS positive seulement supportée Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de
− Tension v DS positive seulement supportée
Yvan Crévits
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Transistor MOS–MOSFET parfait :

Fonctionnement

Fonctionnement en commutation : 2 états

Transistor ouvert (OFF)

i C = 0 et v DS existe

Interrupteur ouvert

I. Introduction II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET IV.1 Types/Fonctionnement

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Caractéristique tension-courant

Transistor fermé (ON)

i D = i Dmax et v DS = 0

Interrupteur fermé

Changements d’états : Transitions

OFF-ON : Mise en conduction

v GS > 0

ON-OFF : Ouverture

v GS = 0

v G S > 0 ON-OFF : Ouverture − v G S = 0 i D

i

D

G S > 0 ON-OFF : Ouverture − v G S = 0 i D Transistor
G S > 0 ON-OFF : Ouverture − v G S = 0 i D Transistor

Transistor

fermé F O
fermé
F
O

v DS

− v G S = 0 i D Transistor fermé F O v DS Transistor ouvert

Transistor

G S = 0 i D Transistor fermé F O v DS Transistor ouvert Yvan Crévits
G S = 0 i D Transistor fermé F O v DS Transistor ouvert Yvan Crévits
ouvert Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de
ouvert
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Transistor MOS–MOSFET réel :

Interfaces de commande

Imperfections

I. Introduction II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET V.3 Interfaces de commande

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Moins contraignantes qu’en bipolaire

Le contrôle en tension rend la commande plus simple

Contrainte majeure : Faire transiter les charges dans la grille

Modèle équivalent : Une capacité entre la grille et la source

Effet dynamique : Appel de courant à la fermeture (v GS passe de 0 à V GS max)

Fonctions réalisées par l’interface de commande

Adaptation en tension

Di

t

t

ti

rec emen en sor e

d

i

it

un c rcu

é i

num r que

Fourniture du courant de grille

Circuit spécialisé d’interface

Isolement galvanique entre commande-puissance

d’interface Isolement galvanique entre commande-puissance − Opto-coupleur Doc . 6 Yvan Crévits Yvan Crévits
− Opto-coupleur Doc . 6 Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction
− Opto-coupleur
Doc
. 6
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Septembre 2005
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Doc . 4
Doc
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Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) :

Hybride bipolaire-MOS

Constitution

Commande en tension des MOS

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments

Facilité de commande

Partie de puissance des bipolaires

Faible chute de tension en conduction

Insulated Gate Bipolar Transistor

Symbole C B E
Symbole
C
B
E

C

D G Substrat S
D
G
Substrat
S

Conséquence

Prendre les avantages de chaque transistor Pour obtenir de meilleures performances

Mêmes propriétés que les bipolaires et MOS

G
G

Commandes : Fermeture (OFF-ON) et Ouverture (ON-OFF)

Non réversible en courant

E

(OFF-ON) et Ouverture (ON-OFF) Non réversible en courant E N on r vers é ibl e
N on r vers é ibl e en ens on t i Yvan Crévits Yvan
N
on r vers
é
ibl
e en ens on
t
i
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Compléments :

Caractéristique par segments

Mode de description des états Représentation d’une portion de la caractéristique tension-courant Conséquence pour un composant parfait

Soit le courant, soit la tension est nul Un segment coïncide avec un axe

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments VII.1 Caractéristique par segments

Suivant le nombre d’états, on distingue le nombre de segments

le nombre d’états, on distingue le nombre de segments Deux états au minimum Quatre états au

Deux états au minimum Quatre états au maximum

Avantages de cette représentation

Permet de décrire la réversibilité en tension et en courant Fournit une indication claire de la « fonction » réalisée par le composant Permet une classification des composants Aide à la recherche du composant hybride obtenu par assemblage de composant élémentaires

hybride obtenu par assemblage de composant élémentaires Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Compléments : Segments dans le cas de la diode, du thyristors et des transistors

dans le cas de la diode, du thyristors et des transistors I. Introduction II. La diode

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments VII.2 Segments : diode, thyristor et transistors

Diode

Thyristor

Transistors

diode, thyristor et transistors Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3
diode, thyristor et transistors Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3

i

thyristor et transistors Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments
thyristor et transistors Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments
thyristor et transistors Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments
thyristor et transistors Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments

v

thyristor et transistors Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments

Interrupteur 2 segments

Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur

i

Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur
Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur
Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur
Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur

v

Diode Thyristor Transistors i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur

Interrupteur 3 segments

i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur 2 segments Signe

i

i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur 2 segments Signe
i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur 2 segments Signe
i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur 2 segments Signe
i v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur 2 segments Signe

v

v Interrupteur 2 segments i v Interrupteur 3 segments i v Interrupteur 2 segments Signe unique

Interrupteur 2 segments

Signe unique (positif) de la tension et courant :

Aucune réversibilité

La tension change de signe :

Réversible en tension Non réversible en courant (unidirectionnel)

Signe unique (positif) de la tension et courant :

Aucune réversibilité

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Yvan Crévits
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Compléments :

Recherche de la réversibilité en courant

Constat

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments VII.3 Recherche de la réversibilité en courant

Transistors unidirectionnels en courant

Pas de conduction du courant dans les deux sens

Conséquence : Obtenir un élément bidirectionnel en courant par association

un élément bidirectionnel en courant par association I T v T Transistor + i v ?
I T v T
I
T
v
T

Transistor

+

en courant par association I T v T Transistor + i v ? = i com

i

v
v
v
v
v
v

v

v
v
v

?

=

en courant par association I T v T Transistor + i v ? = i com

i com

v

com

com

Association

Résultat

i B

i > 0 I > 0 C D V BE
i
> 0
I
> 0
C
D
V
BE

i com (dans les 2 sens)

V CE

i

com

v com

i com (dans les 2 sens) i Dr > 0 I D > 0 v
i com (dans les 2 sens)
i Dr > 0
I D > 0
v
DS
v
GS
(dans les 2 sens) i Dr > 0 I D > 0 v DS v GS
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Septembre 2005
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de puissance Introduction à l’électronique de puissance Septembre 2005 Sept.-Oct. 2005 34 34 / 37 /

Compléments :

Recherche de la réversibilité en courant

Cas du thyristor

Unidirectionnel en courant

Une diode peut compléter la fonction

I. Introduction

II. La diode

III. Le thyristor

IV. Transistor bipolaire

V. Transistor MOS et MOSFET

VI. Transistor IGBT

VII. Compléments VII.3 Recherche de la réversibilité en courant

Schéma de l’association thyristor-diode

en courant Schéma de l’association thyristor-diode i com v AK i AK I G I D
i com v AK i AK
i com
v AK
i AK
Schéma de l’association thyristor-diode i com v AK i AK I G I D v D

I

G

I D
I D

v D

i com

v com

Analyse

i com v AK i AK I G I D v D i com v com

i AK

v AK
v AK
v AK
v AK

v AK

+

i AK I G I D v D i com v com Analyse i AK v

–i D

–v D
–v D
–v D
–v D

–v D

–v D
–v D
–v D
–v D

=

D i com v com Analyse i AK v AK + –i D –v D =

i com

v com

Conclusion

i AK v AK + –i D –v D = i com v com Conclusion Thyristor
Thyristor Diode antiparallèle Association Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance
Thyristor
Diode antiparallèle
Association
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Septembre 2005
Sept.-Oct. 2005
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35 35
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Références

Férieux J.-P., Forest P, Alimentations à découpage – Convertisseurs à résonance – Principes-Composants- modélisation. 2ème édition. Masson. 1994.

Séguier Guy, Bausière Robert, Labrique Francis. Électronique de puissance – Structures, fonctions de base, principale applications. 8ème édition. Dunod. 2004.

base, principale applications. 8ème édition. Dunod. 2004. Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de
Yvan Crévits Yvan Crévits Composants de l’électronique de puissance Introduction à l’électronique de puissance
Yvan Crévits
Yvan Crévits
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36 36 / 18 / 37
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Annexes

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Yvan Crévits
Yvan Crévits
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Septembre 2005
Sept.-Oct. 2005

Complément sur Les composants de l’électronique de puissance

LE TRIAC

1. Définition – Symbole

Le TRIAC est un dispositif semi-conducteur à trois électrodes (anode 1 A1, anode 2 A2, gâchette G) pouvant passer de l'état bloqué à l'état de conduction dans ses deux sens de polarisation. En d'autres termes, il s'agit d'un composant de la même famille que le thyristor, mais qui est BIDIRECTIONNEL (le thyristor étant unidirectionnel). La structure du TRIAC intègre dans un même cristal, deux thyristors disposés tête-bêche.

G

A2 i A 21 A1
A2
i A 21
A1

V A 21

Symbole du TRIAC

G

A2

G A2 i A 21 A1 V A 21 Symbole du TRIAC G A2 A1 G

A1

G

Equivalent du TRIAC

2. Caractéristiques Statiques i A 21 Etat passant Point de retournement Point de retournement I
2. Caractéristiques Statiques
i A 21
Etat passant
Point de retournement
Point de retournement
I
H
Etat
bloqué
V
A 21
− I
H
Etat passant
Etat direct bloqué

Caractéristiques statiques du

TRIAC

Etat direct bloqué Caractéristiques statiques du TRIAC Complément sur les composants d’électronique de puissance

Complément sur les composants d’électronique de puissance

Le triac peut passer d'un état bloqué à un état conducteur dans les deux sens de polarisation (directe et inverse) et repasser à l'état bloqué par inversion de tension ou par diminution du

courant au-dessous d’une valeur minimum critique

En l'absence de signal sur la gâchette, aucun courant ne circule dans le triac, sauf un très léger courant de fuite négligeable. La mise en conduction du triac s’obtient par application d’un impulsion (de courant ou de tension) positive ou négative sur la gâchette, quelque soit la polarité (polarisation directe ou inverse). Dès que le triac conduit, pour le bloquer, il est nécessaire de réduire l'intensité du courant, à

une valeur en dessous du courant de maintient

I

H appelée courant de maintien.

I

H , ou bien par inversion de la polarisation.

LE THYRISTOR GTO (Gate Turned OFF)

Le thyristor GTO, ouvrable par la gâchette, est capable de commuter de l’état passant à l’état direct bloqué par application d’un courant de gâchette, sans qu’il soit nécessaire d’inverser la polarité de la tension anode –cathode. Comme le thyristor, le GTO peut être commandé de l’état bloqué (direct) à l’état passant par une impulsion de courant brève appliquée sur la gâchette. Le GTO peu en plus être commandé de l’état passant à l’état bloqué par application d’une tension gâchette - cathode négative. La chute de tension à l’état passant est (2 à 3 V) aux bornes du GTO est supérieur à celui d’un thyristor classique (1.1V). Le symbole du GTO et sa caractéristique statique réelle et idéalisée sont représentés à la figure ci - après. Grâce à leur capacité à supporter des tensions importantes (> 4.5 kV) et de forts courants (1 kA), les GTOs sont utilisé dans les applications de très forte puissance à des fréquences allant de quelques centaine de Hz à 10 kHz.

A

V AK i G G A i G K
V
AK
i
G
G
A
i
G
K

A

V AK i A i G K
V
AK
i
A
i
G
K

Symbole

i A V AK Caractéristique statique idéalisée
i
A
V AK
Caractéristique statique idéalisée
i A Etat passant Point de retournement i H V R i R V V
i
A
Etat passant
Point de retournement
i
H
V
R
i
R
V
V
RT
AK
Etat inverse
Etat direct bloqué

Caractéristique statique réelle du GTO

Etat direct bloqué Caractéristique statique réelle du GTO Complément sur les composants d’électronique de puissance

Complément sur les composants d’électronique de puissance