Circuit électrique

Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

I. Introduction
II. Grandeurs électriques en régimes sinusoïdaux
III. Notation complexe des grandeurs électriques sinusoïdales
IV. Intérêt de la notation complexe
V. Impédance et Admittance complexe
VI. Association d’impédances
VII. Puissance en régime sinusoïdal
VIII. Mesure de la puissance
Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

1. Introduction |

Dans ce chapitre nous généralisons l’étude faite sur les signaux stationnaire…

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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

2. Grandeurs électriques en régimes sinusoïdaux (1)|

Écriture mathématique

Les circuits que nous allons étudier serons soumis

à une tension sinusoïdale . Graphiquement, on peut  0
dessiner cette fonction ainsi.

x(t )  X m sin wt   

 X m : amplitude du signal
 1
w : pulsation en rad.s

 : phase à l'origine des dates en rad
 (pour la figure ci - dessus f  0

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2. Grandeurs électriques en régimes sinusoïdaux (2) |

Compléments

La pulsation w est reliée à la période T (s) et à la fréquence f (Hz) :

1 2p
f  w  2p f 
T T

Déphasage entre deux signaux sinusoïdaux

Le déphasage est la différence de

phase à l’origine des signaux étudiés.
Il est généralement compris entre
p et p

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2. Grandeurs électriques en régimes sinusoïdaux (3) |

Exemples

La tension VS est en avance sur la La tension VS est en retard sur la

tension VE, le déphasage  de VS sur tension VE, le déphasage  de VS sur VE
VE est positif. est positif.

d  2p d  2p
 
D D

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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

3. Notation complexe des grandeurs électriques sinusoïdales (1) |

Rappels mathématiques

Un nombre complexe écrit dans sa forme cartésienne a pour expression :

z  a  jb
Avec a la partie réelle et b la partie imaginaire, et j le nombre complexe vérifiant
j 2  1

Le module de z noté |z| a pour expression : z  a2  b2

a b b
Son argument  est défini par : cos    et sin     =arctan  
z z a
 

Un nombre complexe écrit sous sa forme polaire a pour expression : z  re j

avec r  z  a 2  b 2 son module et  son argument.

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3. Notation complexe des grandeurs électriques sinusoïdales (2) |

Définition

Soit un signal sinusoïdal d’expression mathématique x(t )  X m sin wt    , on lui

associe une grandeur complexe
x  t   X m e j wt f   X m e jwt e jf
jf
On pourra également définir une amplitude complexe : X  X m e
jwt
x  t  devient: x  t   Xe

On travaillera donc en notation complexe mais il sera facile de revenir au signal

réel :

1. Retour au signal réel complet grâce à la partie imaginaire du complexe :

x  t   Im  x  t  

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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

3. Notation complexe des grandeurs électriques sinusoïdales (3) |

Définition

2. Retour à l’amplitude du signal réel grâce au module de l’amplitude complexe ou du

signal complexe :
X m  X  x t 

3. Retour à la phase initiale grâce à l’argument de l’amplitude complexe:

f  Arg  X 

Propriété
Toutes les informations dont nous avons besoin pour reconstituer le signal réel sont
contenues dans l’amplitude complexe.

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3. Notation complexe des grandeurs électriques sinusoïdales (4) |

Représentation de Fresnel

La représentation de Fresnel d’un nombre complexe, est la représentation

géométrique de ce nombre dans un plan cartésien oxy, ox étant l’axe des réels et oy
l’axe des imaginaires.

A la grandeur x(t )  X m sin wt    , on associe dans le plan complexe un vecteur de

longueur XM et dont l’angle avec l’axe horizontal est wt+f

y  Im  x  t  

x  Re  x  t  

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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

4. Intérêt de la notation complexe |

Étude du dipôle RC

On étudie le dipôle RC en régime sinusoïdal : un générateur impose aux bornes de ce

dipôle la tension
e(t )  E sin wt   

e(t )

Conclusion
La recherche de cette solution sans passer par la notation complexe aurait fait
apparaître des calculs trigonométriques compliqués et nous aurions dû dériver.

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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

5. Impédance et Admittance complexe (1)|

Définitions

En régime sinusoïdal, l’impédance d’un dipôle linéaire passif est le rapport de la tension
complexe par l’intensité complexe :
u
Z
i
On définit également l’admittance complexe d’un dipôle, inverse de l’impédance:
i
Y (exprimée en Siemens (S))
u

Impédances des composants usuels

En régime établi sinusoïdal de pulsation w on associe à la tension u(t) aux bornes du
dipôles et l’intensité i(t) du courant qui le traverse, respectivement:

u  t   U m e jfu e jwt i  t   I m e jfi e jwt

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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

5. Impédance et Admittance complexe (2)|

Résistance

Pour une résistance, la relation entre u(t) et i(t) s’écrit simplement:

u  Ri soit u  ZR i avec ZR  R

Remarque
L’impédance complexe d’une résistance est réelle, car le courant et la tension sont en
phase (f=0)
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5. Impédance et Admittance complexe (3)|

Condensateur
du
Pour un condensateur, de capacité C, la relation entre u(t) et i(t) est: iC
dt
1
Il vient, en régime sinusoïdal et en notation complexe: u  Z C i avec Z C 
jCw

Remarque
L’impédance complexe d’un condensateur est un nombre imaginaire: le courant et la
tension sont quadrature, précisément (f=-p/2) ( u est en retard de p/2 sur i)
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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

5. Impédance et Admittance complexe (4)|

Bobine
di
Pour une bobine, d’inductance L, la relation entre u(t) et i(t) est: uL
dt
Il vient, en régime sinusoïdal et en notation complexe: u  Z L i avec Z L  jLw

Remarque
L’impédance complexe d’une bobine est un nombre imaginaire: le courant et la tension
sont quadrature, précisément (f=p/2) ( u est en avance de p/2 sur i)
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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

6. Association d’impédances (1) |

Les lois d’association des impédances complexes sont identiques à celles relatives aux
résistances en régime stationnaire

Association en série
Comme les différents dipôles associés en série sont parcourus par le même le courant et
que la tension aux bornes du dipôle équivalent est la somme des tensions aux bornes
des dipôles qui le composent, on trouve, en notation complexe:

i  i1  i2  ...  in avec u  u1  u2  ...  un

Il en résulte: u1 u2 un
Ze    ... 
i i i

Z1 Z2 Zn
I n
Ze   Zk
k 1
U

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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

6. Association d’impédances (2) |

Association en parallèle

Comme les différents dipôles associés en parallèle sont soumis à la même tension et que
le courant qui traverse le dipôle équivalent est la somme des intensités dans chaque
dipôle qui le compose, on trouve, en notation complexe:

i  i1  i2  ...  in u  u1  u2  ...  un

Il en résulte:
i1 i2 in
Ye    ... 
u u u
Z1

Z2 n
I
Ye   Yk
Zn k 1

U
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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

6. Association d’impédances (3) |

Exemples

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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

7. Puissance en régime sinusoïdal |

Puissance instantanée

En régime variable, la puissance instantanée Pi reçue par un dipôle s’obtient à partir de

l’expression:

Pi  t   u  t  i  t 

Soit Pi  t   umim sin wt  u  sin wt  i 

umim
=   cos  2wt  u  i   cos u  i  
2 

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7. Puissance en régime sinusoïdal (2)|

Puissance moyenne et facteur de puissance

La puissance instantanée Pi varie sinusoïdalement avec la pulsation 2w autour de la

valeur moyenne P
Tp
u i
P mm
2Tp    cos  2wt  
0
u  i   cos u  i  

umim
= cos  avec   u  i
2
=U eff Ieff cos

Le terme cos f est appelé facteur de puissance.

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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

7. Puissance en régime sinusoïdal (3)|

Puissance apparente

La puissance moyenne reçue par un dipôle ne peut dépasser la valeur S  U eff I eff . Pour
distinguer cette quantité S de la puissance active P exprimé en watt, on l’appelle
puissance apparente et on l’exprime en volt-ampère (VA)

Puissance apparente
La puissance réactive exprime les rôles des composants, tels qu’un condensateur ou une
bobine. Ainsi, définition la puissance réactive Q selon: u i
Q  m m sin  =U eff Ieff sin 
2
Si Q>0, le système reçoit de la puissance réactive, puisque sinf>0 installation inductif)
Si Q<0, le système fournit de la puissance réactive, puisque sinf<0 installation capacatif)

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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

7. Puissance en régime sinusoïdal (4)|

Propriété
Notons que les puissances active, apparente et réactive, sont reliées parla relation
simple suivante:
S 2  P2  Q2

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Chapitre 4 : Analyse en régime sinusoïdal

7. Puissance en régime sinusoïdal (5)|

Exemple

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8. Mesure de la puissance|

Fonctionnement
Un wattmètre présente quatre bornes d’entrée, deux pour la mesure de l’intensité du
courant qui traverse le dipôle considéré et deux pour celle de la tension à des bornes.
Il indique la puissance active UIcosf dissipée dans le dipôle, et non la puissance
apparente UI.

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