UNIVERSIDAD de las fuerzas

armadas
“espe”
SEDE - LATACUNGA

INGENIERÍA
ELECTROMECÁNICA

Integrantes:

Vicente Álvarez
Erick Andrade
José rodríguez

TEMA:

CONFIGURACIÓN CON TRANSISTORES –

ACCIÓN AMPLIFICADORA EN C.A

DOCENTE:

ING. Daniel galarza

2018
Tema:
Configuración con transistores – acción amplificadora en C.A

Objetivos:
 Armar circuitos con las diferentes polarizaciones en configuración de emisor
común.
 Comprobar valores de corriente y voltaje calculados y medidos con un
voltímetro.
 Revisar la acción amplificadora en corriente alterna del transistor.
 Comprobar la inversión de sentido de la onda sinusoidal a la salida del
transistor.
Materiales:
 Fuente de alimentación DC y AC.
 Multímetro.
 Osciloscopio.
 Proto Board.
 Transistor 2N3904.
 Resistencias especificadas en las Actividades.
 Cable de conexión.
Introducción:

Transistor Bipolar
El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas de su denominación
inglesa Bipo-lar Junction Transistor), es un dispositivo de tres terminales denominados
emisor, base y colector.

La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente dependiente
de corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es
controlada por la corriente en el terminal de base. La mayoría de funciones electrónicas
se realizan con circuitos que emplean transistores, sean bipolares o de efecto de campo,
los cuales son los dispositivos básicos de la electrónica moderna.

Estructura Física
La estructura física de un transistor bipolar consta de dos uniones PN dispuestas una a
continuación de la otra. Entre los terminales de emisor y base hay una unión PN,
denominada unión emisora, y entre los de base y colector otra unión PN, llamada unión
colectora.

Tipos
Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP. Estos nombres proceden de la
descripción de su estructura física. En el transistor NPN el emisor es un semiconductor
tipo N, la base es tipo P y el colector es tipo N. La estructura física del transistor PNP es
dual a la anterior cambiando las regiones P por regiones N, y las N por P.
 Figura 1. Transistor bipolar

Funcionamiento del transistor

Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el
terminal de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que se controla la potencia.
Con pequeñas variaciones de corriente a través del terminal de base, se consiguen grandes
variaciones a través de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una resistencia
se puede convertir esta variación de corriente en variaciones de tensión según sea
necesario. (Neudeck, 1994)

Fundamento físico del efecto transistor

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre
el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor
se puede considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una
corriente elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en principio,
no debería circular corriente, pero que actúa como una estructura que recoge gran parte
de la corriente que circula por emisor-base.

Figura 2. Terminales del Transistor bipolar

Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa (diodo A) y otro en inversa (diodo
B). Mientras que la corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es muy pequeña
(IB). Si se unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unión (lo que llamaremos
base del transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que circulaba por A
(IA), va a quedar absorbida por el campo existente en el diodo B.

De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que por la
base una corriente muy pequeña. El control se produce mediante este terminal de base
porque, si se corta la corriente por la base ya no existe polarización de un diodo en inversa
y otro en directa, y por tanto no circula corriente.

Polarización del Transistor Bipolar

Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas
que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es
posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o en corte, cambiando las
tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.

Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.
Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en corte
cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición indica que la
corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevaría en funcionamiento normal).
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión base-emisor
del mismo, es decir, basta con que VBE=0.

Activa
La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos
sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa y
la colector-base en inversa.

Saturación
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-
colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se
verifica sólo lo siguiente:

donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores

determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).

Es de señalar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturación circula

también corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relación: II CB = ⋅ β
(C.J. Savant, 1992)
 Figura 3. Corrientes y voltajes del Transistor bipolar

Actividades por desarrollar:

1. Resolver los siguientes ejercicios.

Preparatorio
Determinar:

Ejercicio 1.
 IE
 IC e IB
 VCE,
 VBC
 ZI, Zo.
 AV
Dato:𝐵 = 100

Figura 4. Ejercicio 1

𝑴𝒂𝒍𝒍𝒂 𝟏: a) 𝑅𝐶
26𝑚𝑉 𝐴𝑣 = −
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0 𝑟𝑒
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 𝑟𝑒 = 3𝐾𝑜ℎ𝑚
𝐼𝐸 𝐴𝑣 = −
𝐼𝐸 = 26𝑚𝑉
𝑅𝐵 𝑟𝑒 = = 10.7𝑜ℎ𝑚 10.7𝑜ℎ𝑚
2.4𝑚𝐴 𝐴𝑣 = −280.37𝑣
 (12 − 0.7)𝑉 b)
𝐼𝐵 = 𝒎𝒂𝒍𝒍𝒂 𝟐
470𝐾𝑜ℎ𝑚
𝐼𝐵 = 0.024𝑚𝐴. 𝑍𝑖 = 𝐵 ∗ 𝑟𝑒 𝑉𝑐𝑐 − (𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶) = 𝑉𝐶𝐸
𝑍𝑖 = 100 ∗ 10,7 𝑉𝐶𝐸 = (12 − 7.2)𝑣
𝐼𝐶 = 1.07 𝑜ℎ𝑚 𝑉𝐶𝐸 = 4.8𝑣
𝐵= c)
𝐼𝐵

𝐼𝐶 = 100 ∗ 0,024𝑚𝐴 𝑅𝐵 = 10 ∗ 𝐵 ∗ 𝑟𝑒
𝐼𝐶 = 2.40𝑚𝐴 470𝐾𝑜ℎ𝑚 ≥ 10.7𝐾𝑜ℎ𝑚
d)
𝐼𝐸 = (𝐵 + 1)𝐼𝐵
𝐼𝐸 = (101 ∗ 0.024) 𝑟𝑐 ≥ 10 ∗ 𝑅𝐶
𝐼𝐸 = 2,42𝑚𝐴 𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 = 3𝐾𝑜ℎ𝑚

Calculados Medidos
𝑰𝑩 0.024[mA] 24.1[mA]
𝑰𝑪 2.4[mA] 3.5[mA]
𝑰𝑬 2.42[mA] 3.5[mA]
𝑽𝑪𝑬 4.8[V] 0.13[V]
𝑽𝑩𝑪 - 0.5[V]
𝒁𝒊 1.07[Ω] -
𝒁𝒐 3[KΩ] -
𝑨𝒗 - -

Ejercicio 2.
 IE
 IC e IB
 VCE,
 VBC
 ZI, Zo.
 AV
Dato:𝐵 = 100

Figura 5. Ejercicio 2

𝐵 ∗ 𝑅𝐸 ≥ 10 ∗ 𝑅2 a) c)
100 ∗ 1.5 ≥ 10 + 8.2𝐾Ω 26𝑚𝑉 𝑧𝑜 = 𝑅𝐶 = 6.8𝐾Ω
𝑟𝑒 =
150𝐾Ω ≥ 83𝐾Ω 𝐼𝐸 d)
𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑅2 26𝑚𝑉 𝑅𝐶
𝑉𝐵 = 𝑟𝑒 = = 18.48Ω 𝐴𝑣 = −
𝑅2 + 𝑅1 1,4𝑚𝐴 𝑟𝑒
22 ∗ 8.2 𝑅1 ∗ 𝑅2 6.8
𝑉𝐵 = 𝑅𝑝 = 𝐴𝑣 = −
(8.2 + 56)𝐾Ω 𝑅1 + 𝑅2 18.48
𝑉𝐵 = 2.8𝑉 𝐴𝑣 = −323.59
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 e)
 𝑉𝐸 = 2.8 − 0.7 = 2.1𝑣 56 ∗ 8.2 𝑧𝑜 = 𝑅𝑂 ⫫ 𝑅𝐶
𝑅𝑝 = 50 ∗ 6.8
56 + 8.2
= 7.15𝐾Ω 𝑧𝑜 =
50 + 6.8
b) = 5.8𝐾𝑜ℎ𝑚
𝑧𝑖 = 𝑅𝑝 ⫫ 𝐵 ∗ 𝑟𝑒 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐸
7.15 ∗ 1.66 𝑉𝐶𝐸 = 22 − 2.1 − 9.18
𝑧𝑖 =
7.15 + 1.66 𝑉𝐶𝐸 = 10.72𝑣
𝑧𝑖 = 1.34Ω 𝐼𝐶 = 1.35𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 0.05𝑚𝐴

Calculados Medidos
𝑰𝑩 0.05 [mA] 24.1[mA]
𝑰𝑪 1.35[mA] 3.5[mA]
𝑰𝑬 - 3.5[mA]
𝑽𝑪𝑬 10.72[V] 0.13[V]
𝑽𝑩𝑪 - 0.5[V]
𝒁𝒊 1.34[Ω] -
𝒁𝒐 5.8[KΩ] -
𝑨𝒗 -323.59 -

c.
Ejercicio 3.
 IE
 IC e IB
 VCE,
 VBC
 ZI, Zo.
 AV
 Dato:𝐵 = 100

Figura 6. Ejercicio 3

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝑅𝐸 𝑅𝐶 𝑀𝐴𝐿𝐿𝐴 1

𝐴𝑣 = −
=0 𝑟𝑒 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑅𝐸
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 2.2𝐾Ω =0
𝐼𝐵 = 𝐴𝑣 = −
𝑅𝐵 ∗ (𝐵 + 1) ∗ 𝑅𝐸 (7.02 + 560)Ω 20 − 2.072 − 8.05 = 𝑉𝐶𝐸
(20 − 0.7)𝑉 𝐴𝑣 = −3.87 𝑉𝐶𝐸 = 9.87 𝑉
𝐼𝐵 = 26𝑚𝑉
470 ∗ (100 + 1) ∗ 0.56 𝑟𝑒 =
𝑧𝑏 = 𝐵(𝑟𝑒 + 𝑅 ∗ 𝐶) 3.70𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 36.65µ𝐴 𝑧𝑏 = 100 ∗ (7.02 𝑟𝑒 = 7.02Ω
𝐼𝐸 = (101) ∗ 36.65µ𝐴 + 580) 𝑧𝑜 = 𝑅 ∗ 𝐶
𝐼𝐸 = 3.70𝑚𝐴 𝑧𝑏 = 58.7𝐾Ω
𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵 𝑧𝑖 = 𝑧𝑏 ⫫ 𝑅𝐵
𝐼𝐶 = (3.70 − 0.03665)𝑚𝐴 (58.7 ∗ 470)𝑘Ω
𝐼𝐶 = 3.66 𝑚𝐴 𝑧𝑖 =
(58.6 + 470)𝐾Ω
𝑧𝑜 = 2.2𝐾Ω 𝑧𝑖 = 521.82

Calculados Medidos
𝑰𝑩 3.65 [uA] 24.1[mA]
𝑰𝑪 3.66 [mA] 3.5[mA]
𝑰𝑬 3.70 [mA] 3.5[mA]
𝑽𝑪𝑬 9.78 [V] 0.13[V]
𝑽𝑩𝑪 - 0.5[V]
𝒁𝒊 521.82[Ω] -
𝒁𝒐 2.2[KΩ] -
𝑨𝒗 -3.87 -

Imagen 7. Circuito en Proto board

Fuente: Estudiantes ESPE-L
 Conclusiones:

 Se comprobó las diferentes polarizaciones en configuración de emisor

común.
 Se analizó el comportamiento de la tensión y corriente de diodos en
configuración de emisor común.
 Verificamos la acción amplificadora en corriente alterna.
 Identificamos la inversión de sentido de onda sinusoidal.

Recomendaciones:

 Revisar las conexiones antes de alimentar el circuito.

 Cuidar los equipos utilizados en los experimentos.
 Revisar la escala de medición.

Referencia Bibliográfica:

C.J. Savant, M. R. (1992). Diseño electrónico. Circuitos y sistemas. Addison-Wesley

Iberoamericana.
Neudeck, G. W. (1994). El transistor bipolar. Addison-Wesley Iberoamericana.

Anexos: