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LE

SILICIUM

I. INTRODUCTION

Le silicium est un élément chimique particulièrement abondant sur Terre. Il se présente sous
différentes formes. De nos jours, il intervient dans bon nombre de situations de la vie de tous les jours
: matériaux, électronique … sans que nous nous en rendions forcément compte.

Dans le cadre de cette fiche, nous proposons de l’étudier. Dans un premier temps, nous verrons
quelques propriétés physico-chimiques de cet élément. Ensuite, nous présenterons ses applications,
sans toutefois prétendre être exhaustif. Nous donnerons au passage des détails sur les méthodes
industrielles de production du silicium, ainsi que sur les semi-conducteurs.

Prérequis : De par les applications du silicium, cette fiche aborde des notions de physique des
matériaux, de cristallographie, de chimie des polymères, de mécanique quantique, d’électronique …
En conséquence, des notions préalables dans ces thématiques sont conseillées, mais la fiche reste
accessible à un très large public.

II. GENERALITES SUR LE SILICIUM



1. L’ATOME DE SILICIUM

Le numéro atomique du silicium est 14. L’isotope les plus abondant (plus de 90 % du silicium
28
terrestre) est 14 Si , c'est-à-dire qu’il comporte 14 protons et 14 neutrons. Son rayon atomique est
voisin de 110 pm. Dans la classification périodique des éléments, il se trouve sur la 3ème période (ligne)
2 2 6 2 2
et appartient au 14ème groupe (colonne). Sa structure électronique est 1s 2s 2 p 3 p 3 p . Il comporte
donc 4 électrons de valence sur sa couche externe, comme le carbone ou le germanium : il est
tétravalent.

2. STRUCTURE CRISTALLINE

Comme les autres éléments du groupe 14 (dont le carbone), le silicium est un cristallogène : il peut
exister sous forme cristalline. Pour le carbone, il s’agit du diamant, qui possède une structure
cristalline caractéristique. Le silicium possède également cette structure cristalline lorsqu’il est pur. Le
paramètre de la maille a, c'est-à-dire la longueur d’une arrête du cube, est de 0,543 071 0 nm.

Structure cristalline du silicium

Le module de Young du silicium est compris entre 130 et 185 GPa, à comparer à celui de l’aluminium
(69 Gpa), de l’acier (aux alentours de 200 GPa) ou du diamant (environ 1 100 GPa). On rappelle que le
module de Young E est une constante intervenant dans la loi de Hooke σ = E ⋅ ε . Cette dernière
établit un lien entre la contrainte exercée (en Pa) en traction sur un matériau et son allongement
ε = ΔL L (sans dimension), où ΔL est l’augmentation de longueur du matériau dont la longueur

initiale est L (en mètre). Un matériau possédant un module de Young élevé est dit rigide.

3. PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES

A température et pression ambiante, le silicium pur est un solide, dont la couleur est gris foncé, aux
teintes bleutées. Sa température de fusion est de 1414 °C et sa température d’ébullition de 3265 °C. A
25°C, sa masse volumique est de 2,33 tonnes par mètre cube.

A la différence du carbone et comme le germanium, c’est un métalloïde. Autrement dit, le silicium


n’est ni un métal, ni un non-métal. Plus précisément, le silicium est un semi-conducteur. Cette notion
sera développée plus loin dans ce document.

III. LE SILICIUM ASSOCIE A L’ELEMENT OXYGENE


1. LA SILICE

Dans la Nature, le silicium se rencontre majoritairement sous forme de dioxyde de silicium SiO2 , la
silice. On parle de silicates pour désigner les minéraux dans lesquels la silice est combinée à des
oxydes métalliques. Les silicates sont les composants principaux de la croûte terrestre.

La silice se présente sous deux formes : cristalline et amorphe. On rappelle que sous forme cristalline,
les atomes sont disposés de manière régulière, afin de former un motif (une maille) qui se répète au
sein du cristal. Au contraire, sous forme amorphe, la disposition des atomes n’est pas régulière.

Sous forme cristalline, la silice est par exemple le principal constituant du quartz. Le quartz est un
composant important de la lithosphère. Il possède des propriétés piézoélectriques. Cela signifie que si
l’on le déforme, une différence de potentiel apparaît aux extrémités du matériau. Inversement, si l’on
lui impose une tension électrique, il se déforme. En électronique, cette propriété du quartz est
exploitée afin de s’en servir comme oscillateur, en le faisant vibrer à sa fréquence de résonance
(montres à quartz).

Le sable est particulièrement riche en silice. En effet, il résulte de la désagrégation de roches, elles-
mêmes étant constituées de silicates, dont le quartz. Les applications actuelles du sable sont
nombreuses : matériau de construction (maçonnerie …), filtre, abrasif, … ainsi que la confection du
verre de silice, qui est le verre minéral que l’on utilise quotidiennement.

Plus précisément, le verre est fabriqué en chauffant du sable mélangé à du carbonate de sodium et du
calcaire à environ 2000 °C, ce qui a pour effet de le faire fondre. Il est fréquemment mélangé à
d’autres matériaux afin d’obtenir un verre ayant les propriétés voulues (solidité …). En phase liquide,

la silice n’est plus sous forme cristalline mais sous forme amorphe. Si l’on refroidit le mélange assez
vite, cet état amorphe subsiste une fois le matériau solidifié, et l’on obtient le verre. D’un point de
vue chimique, celui-ci est quasi-inerte. Seul l’acide fluorhydrique peut le dissoudre. Il est transparent
pour les longueurs d’onde du visible. Par contre, il absorbe dans l’infrarouge et dans l’ultraviolet. Le
verre de silice présente des applications très diverses : vitrages, lentilles optiques, récipients,
communications (fibres optiques), matériaux de construction (laine de verre, fibre de verre), stockage
de déchets radioactifs par vitrification …

Structure amorphe du verre.

Notons que le verre est également produit dans la Nature :

• Soit par volcanisme : en refroidissant assez vite, les silicates fondus constituant la lave peuvent
former du verre.

• Par impact de foudre ou de météorite sur du sable, selon un processus équivalent à celui que
nous avons décrit. On dit alors que le matériau est vitrifié.

• Il existe également un verre dit biologique, produit par des algues unicellulaires du nom de
diatomées, afin de servir de fines carapaces à ces organismes. La création de ce verre se fait

par voie chimique à températures et pressions ambiantes. Des recherches ont actuellement
pour but de fabriquer du verre de manière industrielle selon cette méthode, ce qui serait
moins énergivore que le procédé actuel.

Hormis ce que nous venons de voir, nous pouvons également citer une autre application de la silice :
le gel de silice. Celui-ci se présente habituellement sous forme de petites billes. Le gel de silice est un
absorbeur d’humidité, utilisable pour conserver des aliments, des médicaments, ou protéger des
appareils électroniques. Il intervient également dans les litières pour chat, en en chimie lors de
chromatographies sur couche mince ou sur colonne.

2. LE SILICONE

Les silicones sont des polymères produits par l’Homme dont le point commun est d’être constitués
par une chaîne d’atomes de silicium et d’oxygène, selon le motif

où R désignent des groupements (alkyles …). Ces derniers peuvent être utilisés pour lier différentes
chaînes ensembles. Les liaisons Si–O étant résistantes et les chaînes Si–O–Si particulièrement
flexibles, cela leur confère certaines propriétés. Les silicones possèdent notamment une bonne inertie
chimique (ils résistent bien par exemple à l’action de l’ozone), supportent de hautes températures
sans modification de leurs propriétés, ils sont peu inflammables, résistent aux rayonnements UV. En
outre, ils sont faiblement toxiques, isolants thermiques, certains sont également isolants électriques.

Ils peuvent adhérer à certains matériaux (vitres), sont étanches à l’eau mais pas forcément à l’air.
Selon la longueur de la chaîne et les groupements greffés sur le polymère, les silicones peuvent être
liquides, sous forme de mousses, gels, solides pâteux, solides souples ou rigides.

Les applications des silicones sont nombreuses et variées :

• Des silicones liquides, de par leur viscosité, sont utilisables comme huile de synthèse pour la
lubrification des moteurs thermiques (voitures, avions, etc.).

• Des silicones liquides sont présents dans des implants chirurgicaux (implants mammaires) ou
autres applications médicales. Les silicones sont en effet relativement biocompatibles. On en
retrouve dans des produits cosmétiques et autres produits à usage corporel (lubrifiants).

• Des silicones en gel ou pâteux sont utilisables en tant que mastic, pour faire des joints
d’étanchéité, colles, graisses, …

• En tant que mousses, des silicones ont une action contre le feu.

• Sous forme solide souple, des silicones permettent de réaliser des gaines électriques isolantes
supportant de hautes températures.

• Des silicones solides souples sont employés comme moules, par exemple en cuisine, ou pour
des applications où ils sont capables de remplacer le caoutchouc naturel : on parle alors de
caoutchouc de silicone.

• Des silicones solides rigides peuvent servir à confectionner des ustensiles de cuisine, ou plus
généralement être utilisés comme matières plastiques.

• Des silicones entrent également dans la composition de résines.

Les silicones sont produits industriellement à partir de la silice, à partir de laquelle on récupère le
silicium. Ensuite, la réaction de Müller-Rochow est couramment employée. Elle consiste à faire réagir

le silicium avec du chlorure de méthyle CH 3 − Cl , à des températures voisines de 300 °C et des


pressions allant de 2 à 5 bars, en présence du cuivre (catalyseur), afin de produire notamment du
SiCl2 ( CH 3 )2
diméthylchlorosilane :

2CH 3 − Cl + Si → SiCl2 ( CH 3 )2

Diméthylchlorosilane.

Cette molécule est un précurseur des silicones. En effet, en mettant le diméthylchlorosilane au


contact de l’eau, l’hydrolyse qui en résulte produit des silicones. On a ainsi, par exemple :

n SiCl2 (CH3 )2 + n H 2O → ⎡⎣−Si (CH3 )2 − O − ⎤⎦ + 2n HCl


n

Il existe d’autres variantes, notamment celle faisant intervenir du méthanol CH 3 − OH , ce qui produit
le chlorure d’hydrogène HCl pendant la première réaction, mais pas dans la réaction de
polymérisation, c’est à dire la seconde réaction présente ci-dessous :

n SiCl2 ( CH 3 )2 + 2nCH 3OH → n Si ( CH 3 )2 ( OCH 3 )2 + 2n HCl



n Si (CH3 )2 (OCH 3 )2 + n H 2O → ⎡⎣−Si (CH 3 )2 − O − ⎤⎦ + 2nCH 3OH


n

IV. PRODUCTION DU SILICIUM


Le silicium se présente rarement sous la forme d’un corps pur dans la Nature, mais sous forme de
silice, comme vu plus haut. Or, nous avions constaté avec la synthèse des silicones qu’il peut être
nécessaire d’extraire le silicium de la silice. En outre d’autres applications requièrent elles aussi du
silicium, quelquefois avec un degré de pureté très fort. Dans cette partie, nous allons voir les
méthodes industrielles employées pour extraire le silicium et le purifier.

1. LE SILICIUM METALLURGIQUE

On parle de silicium métallurgique pour désigner le silicium extrait de la silice par un procédé de
métallurgie. Le silicium n’étant pas un métal, le terme métallurgique se réfère en effet au processus
d’extraction du silicium, comparable à celui mis en œuvre pour les métaux (zinc, fer) ou alliage
(aciers), c'est-à-dire une carboréduction de l’oxyde à traiter, à hautes températures. La silice est
introduite dans un four à arc électrique. Dans la pratique, elle provient de galets, de morceaux de
quartz, etc., laquelle est mélangée à des sources de carbone. Des électrodes en carbone portent alors
le matériau à des températures de l’ordre de 3000 °C. La silice est réduite en silicium, selon la
réaction globale :

SiO2 + C → Si + CO2 .

La pureté du silicium obtenu est d’environ 98 % ou 99%. Réduit en poudre, il peut être utilisé pour la
fabrication des silicones dont nous avions parlé. Sous formes de morceaux, il est utilisable pour

réaliser des alliages avec des métaux, comme l’alliage aluminium-silicium servant à la confection de
pièces dans les secteurs aéronautiques et automobiles. La fabrication du ferrosilicium (alliage
fer/silicium), utilisé en sidérurgie, s’effectue selon le même procédé que nous venons de décrire. La
seule différence est du fer est introduit dans le four à arc électrique contenant la silice.

Notons que lors du processus décrit, de la poussière de silice amorphe est produite. Celle-ci peut être
captée par filtrage des gaz quittant le four, et utilisée pour la confection de bétons hautes
performances.

2. TRAITEMENTS CHIMIQUES

Pour des applications nécessitant du silicium très pur, on fait également appel à du silicium
métallurgique, mais comme première étape, les opérations ultérieures visant alors à le purifier.
L’étape suivante peut ainsi faire intervenir des traitements chimiques, qui consistent à combiner le

silicium pour former des chlorosilanes (dont le trichlorosilane HCl3 Si ) et/ou du silane SiH 4 .

3. PRODUCTION DE SILICIUM PAR DEPOT

Du silicium pur peut être produit par exemple par dépôt chimique en phase vapeur (CVD : chemical

vapor deposition). Pour cela, les gaz silane SiH 4 ou trichlorosilane HCl3 Si sont injectés dans un four

où règne des basses pressions mais des hautes températures. Sous l’effet de la chaleur, SiH 4 et
HCl3 Si se dissocient. Le silicium ainsi libéré se dépose alors sur les parois sur lequel il forme une

couche mince. Selon la méthode utilisée, la couche de silicium peut être monocristalline,
polycristalline ou amorphe. Ces trois types sont utilisés pour la confection de cellules photovoltaïques,
décrites plus loin dans ce document. Le terme d’amorphe, déjà rencontré pour la silice, signifie
également que les atomes de silicium sont disposés au sein du matériau de manière non régulière, à
la différence d’un cristal. Cela implique que certains atomes de silicium ne sont reliés qu’à trois autres
atomes. Dans la pratique, pour le silicium amorphe, il est alors courant que combler ces manques
avec des atomes d’hydrogène, afin d’assurer les qualités électriques du matériau.

4. LE SILICIUM POLYCRISTALLIN

Le silicium polycristallin, nommé aussi multicristallin, est constitué par du silicium sous forme
cristalline. Son nom vient du fait que l’orientation cristalline peut changer d’un point à un autre du
matériau. Autrement dit, le matériau résulte de l’assemblage de cristaux (cristallites) de silicium,
chacun présentant une orientation cristalline indépendante des autres. La CVD est la méthode la plus
connue pour produire du silicium polycristallin, par le procédé Siemens. Avec cette méthode, on
utilise des barres de silicium pur comme germe (terme défini plus loin) : les atomes de silicium issus

de la dissociation de HCl3 Si se déposent alors sur lesdites plaques. Le silicium polycristallin est
employé dans des panneaux solaires ou pour certaines applications en électronique.

5. LE SILICIUM MONOCRISTALLIN

Comme son nom l’indique, du silicium monocristallin est un échantillon macroscopique formé d’un
seul cristal. Autrement dit, si le cristal est orienté d’une certaine manière en un point d’un matériau,
cette orientation sera la même en tout autre point dudit matériau.

Un matériau monocristallin est obtenu par épitaxie. Cela consiste à mettre en présence un échantillon
cristallisé (germe) au contact d’atomes libres, se trouvant en phase gazeuse ou liquide. Au fur et à
mesure, lesdits atomes libres se déposent sur le cristal, en adoptant la même structure cristalline que
lui. On parle de croissance cristalline pour désigner ce phénomène.

Pour le silicium, cette méthode est utilisable de deux manières : en phase gazeuse ou en phase
liquide. En phase gazeuse, cela concerne une CVD avec présence d’un germe. Cette technique est
lente et couteuse dans le cadre du silicium monocristallin. En phase, liquide, il s’agit du procédé de
Czochralski. Dans cette méthode, le silicium à traiter est fondu. Le germe monocristallin est amené au
niveau de la surface du silicium fondu alors qu’il est en train de se solidifier. Par épitaxie,
l’environnement proche du germe adopte alors la structure monocristalline. On élève alors
légèrement le germe. Le silicium venant de cristalliser propage alors ladite structure cristalline au
silicium situé au-dessous. On élève ensuite le germe, et ainsi de suite. En fin de processus, on obtient
un cylindre de silicium très pur. Le procédé de Czochralski est assez répandu et est relativement bon
marché.

6. PURIFICATION DU SILICIUM MONOCRISTALLIN

Si l’on souhaite augmenter davantage la pureté du silicium monocristallin obtenu, on peut faire appel
à la méthode de la zone fondue. Cette méthode repose sur le fait que la solubilité des impuretés
puisse être différente en phase solide et en phase liquide. Ainsi, on fait fondre une partie du cylindre
de silicium. En déplaçant progressivement la zone fondue, on fait alors migrer les impuretés à une
extrémité du cylindre pour s’en débarrasser.

Le silicium monocristallin est utilisé dans la pratique pour la réalisation de panneaux solaires et en
électronique1. Pour la première application, une pureté de 99,999 9 % est requise, contre 99,999 999
99 % pour la seconde. Dans les deux cas, le cylindre de silicium (lingot) est coupé en tranches
circulaires minces, du nom de wafer en Anglais. Ces dernières subissent alors divers traitements pour
exploiter le fait que le silicium est un semi-conducteur. En électronique, la création de micro-
structures permet la confection de composants électroniques comme des transistors,
microprocesseurs, …

V. LE SILICIUM EN TANT QUE SEMI-CONDUCTEUR


1. LES SEMI-CONDUCTEURS

Quand un atome est isolé, ses électrons occupent des niveaux d’énergie discrets, tel que le montre la
mécanique quantique. Quand deux atomes sont liés par une liaison chimique, lesdits niveaux
électroniques sont légèrement dédoublés. Quand N atomes sont liés, les niveaux sont divisés en N
états très proches. Dans un cristal, on admet que N tend vers l’infini, de sorte que les niveaux
d’énergie forment alors des bandes d’énergies. La bande la plus énergétique totalement remplie à
température nulle ( T = 0 K ) est la bande de valence. La bande située juste au-dessus est la bande de
conduction.


1
Il existe également une application du silicium monocristallin à vocation de Recherche. Il s’agit de
l’Avogadro project nommé aussi the International Avogadro Coordination. En utilisant du silicium
monocristallin ultra-pur, l’idée est de produire une sphère de silicium de 1 kilogramme. Connaissant
très bien la structure cristalline du silicium, y compris son paramètre de maille, grâce à la diffraction X
et en mesurant les caractéristiques de la sphère (masse, volume), la finalité de l’expérience est de
tenter de déterminer le nombre d’Avogadro avec une précision supérieure à celle obtenue par les
techniques utilisées auparavant (Jean Perrin en 1908 par exemple via l’étude du mouvement
Brownien ou Bower et Davis en 1975 par électrolyse).

Dans un matériau conducteur électrique, la bande de valence et la bande de conduction sont


partiellement superposées. Il en résulte que des électrons sont mis en commun à l’ensemble du
cristal, ce qui permet la conduction du courant électrique. Les métaux sont dans ce cas. La tendance
générale est que quand la température augmente, l’agitation thermique gêne ce mouvement des
électrons, ce qui implique une diminution de la conductivité du matériau.

Théorie des bandes.

A l’opposé, quand les bandes de conduction et de valence sont non superposées, une bande interdite
est présente entre ces deux bandes. On appelle « gap » d’énergie la largeur de ladite bande interdite.
−19
Dans un isolant électrique, la valeur de ce gap dépasse plusieurs électronvolts, où 1 eV ≈ 1,6 × 10 J .

En conséquence, quelle que soit la température, les électrons de valence ne sont pas capables de
passer sur la bande de conduction, ce qui confère au matériau sa capacité d’isolant électrique.

Les semi-conducteurs ont une structure électronique voisine de celle des isolants électriques. La seule
différence est que leur gap est de l’ordre de l’électronvolt. Ainsi, quand la température augmente, de

plus en plus d’électrons de la bande de valence passent sur la bande de conduction, à cause de
l’agitation thermique. La conductivité du matériau augmente alors, mais il reste un mauvais
conducteur.

2. DOPAGE D’UN SEMI-CONDUCTEUR : CREATION D’UNE


JONCTION PN

Le gap de la bande interdite du silicium est de 1,12 eV, ce qui confirme son caractère semi-
conducteur. En fait, comme les autres semi-conducteurs utilisés en électronique, il peut subir un
dopage. Autrement dit, par l’ajout d’ « impuretés », c’est à dire d’atomes qui viennent prendre la
place de quelques atomes de silicium, on modifie ses propriétés électriques :

• Quand ces impuretés sont des atomes comportant 5 électrons sur leur couche de valence
(phosphore …), alors on a un dopage de type N (négatif), car ils permettent d’avoir plus
d’électrons que le silicium qui en comporte 4. Ces électrons sont alors localisés juste en
dessous de la bande de conduction du silicium, au sommet de la bande interdite, sur un état
discret. Par agitation thermique, ils peuvent sans difficulté passer sur la bande de conduction.
Ces électrons se propagent ainsi librement dans le matériau, augmentant sa conductivité. En
parallèle, les atomes pentavalents rajoutés sont donc ici des donneurs d’électrons, et
deviennent des ions +.

• Quand ces impuretés sont des atomes comportant 3 électrons sur leur couche de valence
(bore …), nous avons un dopage P (positif) car il y a alors un déficit en électrons. Dans la
pratique, le manque d’un électron est nommé « trou ». Dans le diagramme d’énergie du
silicium dopé P, les trous se situent juste au-dessus de la bande de valence. Par agitation
thermique, un électron de la bande de valence, appartenant à un atome de silicium, peut venir
combler ce trou. En faisant cela, ledit atome de silicium devient alors porteur d’un trou,

pouvant être comblé par un électron donné par un autre atome, etc. Un trou se propage ainsi
comme un électron, de proche en proche, au sein du matériau. En parallèle, les atomes
trivalents rajoutés sont donc ici accepteurs d’électrons, et deviennent des ions –.

Pour les wafers de silicium dont nous avions parlé, le dopage constitue une étape importante, qui
peut être réalisé de différentes manières : par LASER, par diffusion, implantation ionique ou
23
transmutation nucléaire. Typiquement, un centimètre cube de silicium contient 1,5 × 10 atomes de
13
silicium, et on insèrera environ 1,5 ×10 atomes d’impuretés dans ce volume.

Quand un semi-conducteur dopé N est mis en contact avec un semi-conducteur dopé P, on obtient
une jonction PN. A l’interface entre les deux, des électrons de la zone N migrent vers la zone P pour
venir combler les trous. En faisant cela, la densité d’électrons et de trous au niveau de la jonction

diminue fortement : on parle de zone de déplétion, dont l’épaisseur est proche de 0,5 µm . Dans la
partie dopée N de cette zone, les ions + font apparaître une charge positive qui n’est plus compensée
par les électrons. De la même manière, dans la partie P de cette zone, les ions – induisent une charge
négative qui n’est plus compensée par les trous. En conséquence, il apparaît un champ
électrostatique au niveau de la jonction PN, orienté de la zone N vers la zone P, qui freine la diffusion
des électrons de N vers P.

3. LES DIODES ET LE TRANSISTOR

Quand une jonction PN est polarisée en inverse (borne + d’un générateur appliquée sur la zone N et
borne – sur la zone P), le champ électrique imposé par le générateur renforce le champ électrique
interne de la jonction, refoulant ainsi davantage les électrons et les trous de la zone de déplétion. Cela

empêche alors le courant électrique de passer dans la jonction, qui est alors bloquée. A l’opposé,
quand la jonction est polarisée en direct (+ sur P et – sur N), le champ électrique provoqué par le
générateur arrive à compenser le champ interne. Les électrons et les trous peuvent alors traverser la
jonction, les uns en sens inverse des autres, rendant alors la jonction passante.

Une jonction PN peut donc être utilisée pour imposer un sens à un courant électrique. Elle est à la
base du fonctionnement des diodes utilisées en électronique et en électricité, par exemple pour
redresser un courant (convertir un courant alternatif en courant continu). En outre, lorsqu’un électron
et un trou se combinent, cela correspond à une transition électronique dudit électron. Cette
transition peut être radiative, c'est-à-dire correspondre à l’émission d’un photon. Cet effet est mis à
profit dans les diodes électroluminescentes (DEL, ou LED en Anglais). Les longueurs d’onde émises
sont liées au gap de la bande interdite. Ainsi, le choix du semi-conducteur utilisé aura une incidence
sur la couleur émise par la diode.

D’autre part, si l’on interpose une fine zone P entre deux zones N, on obtient un transistor bipolaire
dit NPN2. Ce composant comporte trois connexions : l’émetteur E, la base B et le collecteur C. On
connecte C à la borne + d’un générateur et E à la borne –. Si B n’est pas connectée ou portée à un
potentiel électrique négatif, le transistor est bloqué. Cela s’explique aisément en disant que la
jonction PN entre C et B est polarisée en inverse. Par contre, si B est alimentée en la reliant à une
borne + (potentiel électrique positif), des électrons sont émis par l’émetteur E (d’où son nom),
passent à travers la jonction PN entre E et B, puis diffusent à travers la zone P. Certains quittent le

transistor à travers B, ce qui induit l’apparition d’un courant I B de B vers E. Toutefois, une partie non


2
Il est également possible de considérer une zone N entre deux zones P, formant alors un transistor
PNP, dont le principe de fonctionnement est équivalent à celui d’une NPN, mais qui est passant quand
la base est portée à un potentiel négatif.

négligeable des électrons, entre 95 % et 99,5 % 3, est également captée par la jonction PN entre B et

C, et est collectée par le collecteur C (d’où son nom), ce qui provoque un courant I C . Le transistor est

ainsi passant. On a I E = I B + I C . Les transistors sont utilisables en tant que commutateurs


(interrupteurs commandés électriquement). Ils peuvent également amplifier des signaux électriques.

Transistor NPN dans un circuit électrique.

4. LA CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE

Principe de fonctionnement.

Une autre application de la jonction PN est la cellule photovoltaïque. Quand un photon frappe un
atome de la jonction, il peut l’ioniser par effet photoélectrique. Au sein du matériau, il se créé ainsi
une paire électron/trou. Normalement, l’électron et le trou devraient se combiner. Toutefois, le
champ interne de la jonction est capable de les séparer : l’électron est refoulé dans la zone N et le
trou dans la zone P. Au fur et à mesure, les électrons s’accumulent donc d’un côté de la jonction, et


3
Ce pourcentage α varie d’un transistor à l’autre. Par contre, il est constant pour un transistor
donné.

les trous de l’autre, ce qui provoque l’apparition d’une différence de potentiel aux bornes de ladite
jonction. Cette dernière se comporte alors comme un générateur de tension continue. Inséré dans un
circuit électrique, les électrons vont alors se déplacer dans ledit circuit à partir de la zone N (borne –)
pour regagner la zone P (borne +) où ils pourront alors se combiner avec les trous.

Les différents types de cellules photovoltaïques.

Divers types de matériaux semi-conducteurs dopés sont utilisables pour la réalisation des cellules
photovoltaïques. Toutefois, le silicium est très employé pour ce type d’applications. Plus précisément,
on peut citer :

• Cellules photovoltaïques au silicium amorphe. Ce type de cellule se reconnaît facilement à sa


couleur gris foncé caractéristique. Elle est relativement bon marché à fabriquer. En outre, elle
présente l’avantage de pouvoir fonctionner avec un faible éclairement, y compris en lumière
artificielle. Par contre, leur rendement est limité. En d’autres termes, elles captent un faible
pourcentage de l’énergie lumineuse solaire. En conséquence, ce type de cellule est utilisable
dans des appareils électroniques autonomes de faibles dimensions, comme des calculatrices
ou des montres solaires.

• Cellules photovoltaïques au silicium monocristallin. Ces cellules présentent une coloration


bleue uniforme. Elles sont assez chères à fabriquer. Lorsque l’éclairement solaire est bon, elles
ont un rendement particulièrement intéressant. Par contre, elles sont nettement moins
efficaces en faible éclairement. Ainsi, ces cellules sont couramment montées sur des panneaux
solaires pour produire de l’énergie photovoltaïque, notamment dans des régions bien
exposées au Soleil.

• Cellules photovoltaïques au silicium polycristallin. Elles sont bleues, mais il est possible de
distinguer différentes teintes de bleues, correspondant aux différents cristaux composant le

matériau. Elles sont moins chères à fabriquer que celles au silicium monocristallin. Par contre,
leur rendement est un peu plus faible que ces dernières. En outre, elles présentent les mêmes
limitations en faible éclairement. En conséquence, elles équipent elles aussi les panneaux
solaires.