Efecto Hall cuántico

Varela Mancilla Dhyna Guadalupe

Resumen
Edwin Herbert Hall estudió el comportamiento de una corriente en una lámina de material
conductor y bajo la influencia de un campo perpendicular a la misma. A este fenómeno se le
denominó Efecto Hall. Cien años más tarde, Klitzing, Dorda y Pepper descubrieron que
cambiando algunas condiciones en el experimento éste mostraba diferentes características a las
observadas anteriormente por Hall; tales como temperaturas más bajas y campos magnéticos
más intensos. Algunos resultados importantes, han sido la cuantización de la conductancia de
𝑒2
Hall. Las medidas han resultado ser enteros o múltiplos fraccionarios de ℎ
. Debido a la
trascendencia de este hallazgo, en 1985 se otorgó el premio Nobel a Klitzing.

Efecto Hall
El efecto Hall fue descubierto por el físico estadounidense Edwin Hall en 1879 cuando era
estudiante de posgrado. El Efecto Hall ordinario se produce al aplicar un campo magnético
perpendicular a una lámina conductora en la que se tiene un flujo de corriente. Se crea entonces
un campo eléctrico perpendicular a ambos.1

Figura 1: [12]. Efecto Hall ordinario: la muestra es una fina lámina metálica de anchura δ. El campo magnético es uniforme
y perpendicular a la lámina. La densidad de corriente, j, paralela al eje OX, es estacionaria. El campo magnético desplaza
las cargas creándose un campo eléctrico E, en la dirección OY. El voltaje Hall se mide en la dirección OY

Las cargas que se encuentran circulando experimentan una fuerza magnética, que se puede
expresar como:
𝑣
𝐹𝑚 = −𝑒(𝑐 × 𝐵) [1]
Como consecuencia son desplazadas hacia uno de los bordes de la lámina. Esto hace que
aparezca un exceso de carga negativa en uno de los bordes en tanto que en el otro aparece un

1
Bellisard, J., van Elst, A., and Schulz-Baldes, H. J.Math.Phys. 35, 5374- 5451. 1994.
exceso de carga positiva, lo que genera un campo eléctrico EH, llamado campo Hall. Dicho
campo es perpendicular a la corriente de flujo.
𝑣̅
̅̅̅̅
𝐸𝐻 = − 𝑐 𝑥 𝐵̅ [2]

El campo eléctrico causa una fuerza eléctrica FH. Esta fuerza eléctrica actúa en la misma
dirección pero en sentido contrario a la fuerza magnética. La acumulación de cargas continúa
hasta que el campo eléctrico se hace suficientemente grande como para que la fuerza eléctrica
compense a la magnética. Esta situación se caracteriza por la diferencia de potencial que aparece
entre los bordes denominada voltaje Hall.2

Luego, a partir de la ley de Ohm, se tiene:

𝑗̅ = 𝜎𝐸̅ = 𝑛𝑒𝑣̅ [3]

donde σ es la conductividad definida como:
−𝑛𝑒𝑐
𝜎= [4]
𝐵
Cuando los campos eléctrico y magnético son constantes, y nos restringimos al plano
perpendicular a B, encontramos que el tensor de resistividad se encuentra dado por:
𝐵
𝜌0 𝑛𝑒𝑐
𝜌 = ( −𝐵 ) [5]
𝑛𝑒𝑐
𝜌0

Como el tensor de conductividad es el inverso,𝜎 = 𝜌−1 , sus componentes son, por tanto:
𝜎0
𝜎𝑥𝑥 = 𝜎 𝐵 2 [6]
1+( 0 )
𝑛𝑒𝑐
𝜎0 𝐵
𝜎𝑥𝑦=− 𝜎𝑦𝑥 = 𝑛𝑒𝑐
𝜎 𝐵 2
[7]
1+( 0 )
𝑛𝑒𝑐
La resistencia Hall depende de la densidad de portadores, de la intensidad del
campo magnético y de la anchura de la lámina (δ):
𝜌𝐻 𝐵
𝑅𝐻 = =− [8]
δ 𝑛𝑒𝑐δ

La observación del efecto Hall ordinario requiere que la lámina de material conductor sea muy
delgada, por este motivo fue tan difícil de observar hasta el experimento de E. Hall. La aplicación
más importante de este efecto ha sido la determinación de la densidad de portadores de carga en
materiales semiconductores. La obtención experimental del voltaje Hall, permite deducir la
velocidad de los portadores de carga y su concentración. 3

2
Marina de la Torre Mayado. Electrodinámica Cuántica Bidimensional: Sobre la Teoría del Efecto Hall
Cuántico. Departamento de Física, Ingeniería y Radiología Médica Universidad de Salamanca. Noviembre
2017.
3
Cage, M.E. Capítulo 2 contenido en: “The Quantum Hall Effect”. Editado por: R. E. Prange & S. M. Girvin.
Segunda Edición. Springer-Verlag. 1990.
Efecto Hall cuántico

En febrero de 1980, Klaus von Klitzing intentaba mejorar la movilidad electrónica en

transistores de efecto de campo de silicio (MOSFET) en el Laboratorio de Altos Campos
Magnéticos en Grenoble cuando descubrió que la resistencia Hall de estos dispositivos estaba
cuantizada casi exactamente. El efecto Hall Cuántico, se observa bajo condiciones muy distintas
a las del efecto Hall ordinario. La muestra es de material semiconductor; y en particular, en el
primer experimento, se utilizaron transistores de efecto de campo de silicio, en los cuales es
posible conseguir un gas bidimensional de electrones. Al aplicar un campo magnético intenso,
la energía de los estados electrónicos se cuantiza en los llamados niveles de Landau. Para ello se
requieren temperaturas del orden de pocos kelvin. En especial, dicha muestra se sometió a un
campo magnético muy intenso (del orden de 15 T), perpendicular, y a temperaturas muy bajas
(por debajo de los 2K).

Bajo dichas condiciones se observó que la resistividad Hall no variaba linealmente con el campo
magnético, sino que aparecen una serie de mesetas en las cuales la resistividad es constante, e
independiente de las características del experimento. Además, se observó que la conductividad
longitudinal, en la dirección del flujo de corriente, se anula precisamente en los intervalos
correspondientes a estas mesetas. En definitiva, la conductividad Hall aparecía cuantizada como
𝑒²
un múltiplo entero de ℎ , donde e es la carga del electrón y h la constante de Planck. Las mesetas
están separadas por intervalos de comportamiento normal.4

Figura 2: Representación de VH y Vx frente a B para una heteroestructura enfriada a 1.2K. La corriente es de

25.5µA y la densidad de portadores n = 5.6 1011electrones/cm² .

En los intervalos correspondientes a las mesetas el tensor de conductividad es:

𝑒²
0 −𝑖 ℎ
𝜎=(
𝑒²
) , i=1,2,… [9]
𝑖ℎ 0
Y la resistencia Hall (que para una muestra bidimensional (δ → 0) coincide con la resistividad)
medida con una precisión mayor que 10−8 es3:

4
Klitzing, K.v., Dorda, G. and Pepper, M. Phys. Rev. Lett 45, 494. 1980.
 ℎ 25812.80Ω
𝑅𝐻 ≡ 𝜌𝐻 = 𝑖𝑒 2= [10]
𝑖

Donde i es un número entero que caracteriza cada meseta de Hall, que es por definición la región
de campos magnéticos donde la resistividad está cuantizada. Dentro de cada meseta, la
resistividad longitudinal se anula. Hasta el descubrimiento de este efecto se pensaba que tanto la
conductividad como la resistividad eran magnitudes que dependían de las características del
material, así como de la temperatura, campo magnético, etc. En particular, la conductancia y la
resistencia, que son las magnitudes medibles, dependían además de la geometría y del tamaño
de la muestra.
Bajo las condiciones expuestas para la observación del Efecto Hall Cuántico, esta dependencia
desaparece dando lugar a cantidades constantes y cuantizadas. Se trata, pues, de un fenómeno
universal. Las muestras utilizadas en los experimentos del Efecto Hall Cuántico pertenecen a
dos categorías diferentes. La primera está formada por los transistores de efecto de campo de
metal-óxido de silicio, denominados MOSFET. En este dispositivo se consigue una fina lámina
de electrones de conducción en la separación entre silicio dopado y óxido de silicio, que es un
aislante. Esta muestra era muy utilizada a principios de los ochenta. La otra categoría está
formada por las heterouniones; aquí la lámina de electrones se consigue en la separación entre
arseniato de Galio, GaAs, y una aleación de arseniato de aluminio, AlxGa1−xAs. Estas
muestras son las utilizadas en los experimentos que se realizan hoy en día sobre el Efecto Hall
Cuántico. La diferencia esencial entre las dos muestras es que los electrones tienen mucha más
movilidad en las heterouniones, aunque, en ambas hay muchas fuentes de defectos que producen
desorden microscópico3.
El EHC se explica por el comportamiento individual cuántico de los electrones bidimensionales
en campos magnéticos, el cual ya ha sido descrito por Landau por medio del oscilador armónico.
El Hamiltoniano de un electrón sometido a un campo magnético B en dos dimensiones se
describe como
1 𝑒
𝐻= (𝑝 − 𝐴)² [11]
2𝜇 𝑐

Donde 𝑝 = −𝑖∇𝑦𝐴 es el potencial vector en el gauge simétrico y tal que 𝐵 = ∇𝑥𝐴. Los
autoestados de [11] dependen de dos números cuánticos n y m. En donde n=0,1,… es un número
cuántico principal que determina la energía de estado según la fórmula del oscilador armónico
1
𝐸𝑛,𝑚 = ℏ𝜔𝑐 (𝑛 + 2) [12]

En donde 𝜔𝑐 es la frecuencia ciclotrónica de las órbitas clásicas. Mientras que m=0,1,2,… es el

momento angular orbital del estado. El principio de indeterminación de Heisenberg implica la
1
ℏ𝑐 2
existencia de un radio mínimo ℓ𝑐 = (𝑒𝐵) para las órbitas ciclotrónicas.5 A esta cantidad
también se le denomina longitud magnética. Los niveles de Landau etiquetados por n, están
degenerados en energía, pero el carácter fermiónico de los electrones y la existencia de un radio
mínimo impiden que éstos se puedan “amontonar” en un mismo nivel. Así, la degeneración de

5
Sakurai, J. J. Advanced Quantum Mechanics. Addison-Wesley Publ. 1967.
cada nivel de Landau n, definida como el número de estados en ese nivel por unidad de área de
la muestra, viene dada por
1 𝑒𝐵
𝜌ℓ = = [13]
2𝜋ℓ²𝑐 ℎ𝑐

El primer nivel de Landau (n=0) se llena, cuando la densidad ρ iguala a la densidad de Landau
𝜌ℓ . El paso al siguiente nivel conlleva un gasto de energía finita dado por ℏ𝜔𝑐 . El llenado de los
dos primeros niveles se consigue para una densidad ρ el doble de la densidad de Landau.
Definiendo así una razón
ρ
𝑣=𝜌 [14]
𝑐

De manera que un valor entero de 𝑣 correspnde a un llenado completo de los 𝑣 primeros niveles.

Así, finalmente podemos reintroducir a la resistencia Hall [10], esto se puede hacer a partir de
[8] y utilizando la cuantización de Landau.
ℎ
𝑅𝐻 = 𝑒 2 𝑣 [15]

Donde 𝑣 coincide con el entero i. Concluyendo de esta forma que el EHC es una manifestación
microscópica de la cuantización de Landau.
Una de las aplicaciones inmediatas de este efecto es la determinación de la constante de
estructura fina (constante que caracteriza la fuerza de interacción electromagnética) con una
exactitud mayor que la obtenida en trabajos anteriores.6 La constante de estructura fina puede
ℎ
expresarse en términos de 𝑒 2 y, por tanto, está directamente relacionada con la resistencia Hall.

Conclusiones
Uno de los resultados más importantes es que el Efecto Hall Cuántico resulta ser una
manifestación microscópica de la cuantización de Landau. Este resultado observado
experimentalmente, es sorprendente si se tiene en cuenta que la medida se realiza directamente
sobre el material macroscópico. La observación de las mesetas en el Efecto Hall Cuántico
requiere varias condiciones; la primera es crear un gas de electrones bidimensional,
posteriormente someterlo a temperaturas muy bajas, del orden de muy pocos grados Kelvin. Así
como una muestra con un cierto grado de desorden producido por las impurezas y campos
eléctricos poco intensos para producir la corriente en la muestra. A medida que se incrementa el
desorden, las mesetas se vuelven más prominentes y no menos, como se esperaría.
Finalmente, otro resultado curioso resultó ser el que la conductancia y la resistencia dependían
también de la geometría y del tamaño de la muestra.

6
Störmer, H. L., and Tsui, D. C. Science. 220, 1241. 1983.