Unidad II

Transistores Bipolares y Unipolares BJT y FET

2.1 Construcción de un transistor

TRANSISTORES BJT

El transistor de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor) o BJT es un

dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero
tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan

generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones
de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
• Colector, de extensión mucho mayor.

Transistor NPN Transistor PNP

En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el
emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de
portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

Estructura Interna:
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:
la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones
son, El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una
zona de material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se
denomina transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada
lado, en cuyo caso estaríamos hablando de un transistor npn.
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de
las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales
se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base)
y C (colector).
La zona de emisor es la más fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada
de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de
un transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su
misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el
emisor hacia el colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o
“colectar” los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de
atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
Sentidos de Corrientes y voltajes del BJT
 TRANSISTORES FET

A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET

(Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:

Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect Transistor)

Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET (Metal

Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

Vamos a comenzar el estudio de este tipo de transistores viendo algunas de las

principales analogías y diferencias existentes entre los transistores FET y los BJT.

En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el

transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los
transistores FET son dispositivos controlados por tensión. En ambos casos, la
corriente del circuito de salida es controlada por un parámetro del circuito de
entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada.

En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del
camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la
magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).

De forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y
pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de
canal n y de canal p.

Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que

mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente
intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores FET
son unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá únicamente de un
único tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en
los de canal p.

Una de las características más importantes de los FETs es su alta impedancia de

entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de
megaóhmios, muy superiores a la que presentan los transistores bipolares que
presentan impedancias de entrada del orden de unos pocos kiloóhmios. Esto
proporciona a los FET una posición de ventaja a la hora de ser utilizados en
circuitos amplificadores.

Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la

señal aplicada, es decir, la variación de la corriente de salida es mayor en los BJT
que en los FET para la misma variación de la tensión aplicada. Por ello,
típicamente, las ganancias de tensión en alterna que presentan los amplificadores
con BJT son mucho mayores que las correspondientes a los FET.

En general los FET son más estables con la temperatura y, normalmente, más
pequeños en construcción que los BJT, lo que les hace particularmente útiles en
circuitos integrados (sobre todo los MOSFET).

Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se

tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realización de
circuitos utilizando única y exclusivamente transistores FET.

Estructura Básica.

JFET (Junction Field Effect Transistor)

Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:

JFET de canal n

JFET de canal p

En la Figura se ve la construcción básica de un JEFT de canal n.

Estructura básica de un JFET de canal n

D = Drenador: (Del inglés Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del
dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p)

S = Fuente: (Del inglés Source). Es el terminal por el que entran los portadores.
G = Puerta: (Del inglés Gate). Es el terminal mediante el que se controla la
corriente de portadores a través del canal.

Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n

ligeramente dopado formando un canal con contactos óhmicos en ambos
extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se encuentra inserto entre
dos regiones de compuerta tipo p + (material tipo p fuertemente dopado) con
sendos contactos óhmicos que constituyen los terminales de puerta. En algunos
casos los dos terminales de puerta están accesibles (JFET de doble puerta)
aunque lo más habitual es que ambos terminales estén cortocircuitados teniendo
un único terminal de puerta (dispositivo de tres terminales).

En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen están sin
polarizar. El resultado es una región de vaciamiento o zona de deplexión (región
carente de portadores libres) de forma similar a la que se vio al analizar en el
diodo la unión p-n en ausencia de polarización.

Polarización del FET:

Para el funcionamiento más habitual, los transistores de canal n se polarizan

aplicando una tensión positiva entre drenador y fuente (V DS) y una tensión
negativa entre puerta y fuente (V GS ). De esta forma, la corriente circulará en el
sentido de drenador a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensión V DS a
aplicar debe ser negativa y la tensión V GS positiva, de esta forma la corriente
fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenador.
 Funcionamiento del JFET

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR.

(MOSFET)

Visto el transistor JFET vamos ahora a ver el otro gran grupo de transistores de
efecto de campo: Los transistores MOSFET. Vamos a ver que existen dos tipos de
transistores MOSFET.

MOSFET de acumulación o de enriquecimiento

MOSFET de deplexión o empobrecimiento

MOSFET de Acumulación:
Como podemos ver en la Figura 7.13. En la que aparece representada la
estructura básica para un MOSFET de canal n, partimos de una zona de material
semiconductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n + con contactos
metálicos a los terminales de drenador y fuente. La zona roja representada
corresponde a una capa de material aislante, en este caso óxido de silicio. Por
tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como tenemos una zona
metálica (correspondiente al contacto óhmico) una zona de óxido y una zona de
semiconductor. Es precisamente debido a esta estructura de dónde le viene el
nombre al dispositivo de Metal – Óxido – Semiconductor (MOS). Además, este
dispositivo tendría un cuarto terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque
habitualmente éste se encuentra conectado a la fuente.

Es preciso que notemos una característica fundamental de este dispositivo y es

que la puerta está aislada eléctricamente del dispositivo, es decir, no hay conexión
eléctrica entre la puerta y el sustrato.

Por otra parte, indicar que en este caso y en las sucesivas representaciones de los
transistores MOSFET a lo largo de este capítulo no se han representado las zonas
de carga de espacio que evidentemente aparecerán en las uniones pn por
simplificar los dibujos, ya que en este caso, y a diferencia del JFET, las zonas de
carga de espacio no juegan un papel primordial en el funcionamiento del
dispositivo.

Estructura básica del MOSFET de acumulación canal n.

Los símbolos más habituales utilizados para la representación en circuitos de los

MOSFET de acumulación son los que aparecen representados a continuación:

MOSFET de acumulación canal n

MOSFET de acumulación canal p

Notar dos aspectos significativos del símbolo, en primer lugar que el terminal de
puerta no tiene conexión con el resto de terminales, ya que tal y como hemos visto
anteriormente, está aislado eléctricamente del resto del dispositivo. En segundo
lugar que los terminales de drenador y fuente están unidos a través de una línea
discontinua, esta línea hace referencia al canal que se va a formar y que veremos
más adelante. De nuevo, la flecha indica el sentido en que circularía la corriente
en el caso de que la unión pn estuviera polarizada en directa.

Para el funcionamiento más habitual, los transistores MOSFET de acumulación se

polarizan de la siguiente forma:
Los transistores MOSFET de acumulación de canal n se polarizan aplicando una
tensión positiva entre drenador y fuente (V DS ) y una tensión positiva entre puerta
y fuente (V GS ). De esta forma, la corriente circulará en el sentido de drenador a
fuente. En el caso del MOSFET de acumulación de canal p la tensión V DS a
aplicar debe ser negativa y la tensión V GS negativa, de esta forma la corriente
fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenador.

Principio de Funcionamiento:

En primer lugar, si aplicamos una tensión V GS =0, ( Figura 7.16 a ) aunque

apliquemos una tensión V DS no circulará corriente alguna por el dispositivo, ya
que la unión de drenador está polarizada en inversa.
 a) b)

Figura 7.16. Efecto de V GS ; a) V GS = 0 b) V GS > 0.

Sin embargo, cuando V GS >0 aparece un campo eléctrico que lleva a los
electrones hacia la zona de la puerta y aleja de dicha zona a los huecos, no
pudiéndose establecer una corriente por estar la puerta aislada. Para valores
pequeños de esta tensión V GS aplicada se creará una zona de carga de espacio
(sin portadores), sin embargo, si seguimos aumentando el valor de esta tensión, la
acumulación de electrones se hará lo suficientemente importante como para decir
que tenemos una zona n, es decir, se formará un canal de tipo n que unirá los
terminales de drenador y fuente ( Figura 7.17. ).

De esta forma, cuanto mayor sea la tensión V GS aplicada mayor será la anchura
del canal formado, es decir, de nuevo tenemos un efecto de modulación de
anchura del canal con la tensión V GS .

Por otra parte, vemos que en este dispositivo se produce un efecto de variación de
una carga almacenada con una tensión aplicada. Este es precisamente el efecto
que se produce en un condensador. De esta forma, estamos viendo que, de
alguna manera, este dispositivo puede comportarse como un condensador.

Si ahora nos fijamos en la Figura 7.17 b al estar los terminales de fuente, sustrato
y drenador a la misma tensión (por ser V DS = 0) las tensiones V GS y V GD
serán iguales, y por lo tanto el canal simétrico respecto de la puerta.
 a) b)

Figura 7.17.- Efecto de V GS.

Por tanto, vemos que con la tensión V GS podemos modular la anchura del canal,
pero no basta con que esta tensión sea positiva, sino que deberá superar un de
terminado nivel de tensión. A esta tensión umbral a partir de la cual hay canal
formado que permite la circulación de corriente entre el drenador y la fuente en
algunos libros se le suele llamar V T (tensión de threshold). Aunque en realidad
tiene el mismo significado que la tensión V GSoff vista para el transistor JFET, ya
que en ambos caso se trata del valor mínimo de tensión para el que existe canal
que permite la circulación de corriente.

Al igual que en el caso del JFET, si ahora aplicamos valores de tensión V DS

pequeños, la relación entre la corriente I D y la tensión V DS aplicada será lineal,
es decir, de nuevo el dispositivo se comporta como una resistencia cuyo valor
dependerá de la anchura del canal y por lo tanto de la tensión V GS .

MOSFET de Deplexión.
 Figura 7.24.- Estructura básica del MOSFET de deplexión canal n.

Como podemos observar en la Figura 7.24. La estructura básica para un

MOSFET de deplexión es similar al caso del de deplexión, con la importante
diferencia de que en este caso disponemos de un canal inicial realizado en el
proceso de fabricación del dispositivo.

Los símbolos más habituales utilizados para la representación en circuitos de los

MOSFET de acumulación son los que aparecen representados en la Figura 7.25.

Al igual que en el caso anterior el terminal de puerta no tiene conexión con el resto
de terminales, ya que tal y como hemos visto anteriormente, está aislado
eléctricamente del resto del dispositivo. Pero, a diferencia del caso anterior, en el
MOSFET de acumulación los terminales de drenador y fuente están unidos a
través de una línea continua, esta línea hace referencia al canal que ahora si que
existe desde un principio. De nuevo, la flecha indica el sentido en que circularía la
corriente en el caso de que la unión pn estuviera polarizada en directa.

MOSFET de deplexió canal n

MOSFET de deplexión canal p

Figura 7.25.- Símbolos del MOSFET de deplexión.

Para el funcionamiento más habitual, los transistores MOSFET de acumulación se

polarizan tal y como aparece en la Figura 7.26.
 Figura 7.26.- Polarización del MOSFET de deplexión.

Los transistores MOSFET de deplexión de canal n se polarizan aplicando una

tensión positiva entre drenador y fuente (V DS ) y una tensión entre puerta y
fuente (V GS ) que puede ser negativa o positiva, según veremos al analizar el
funcionamiento del dispositivo. De esta forma, la corriente circulará en el sentido
de drenador a fuente. En el caso del MOSFET de acumulación de canal p la
tensión V DS a aplicar debe ser negativa y la tensión V GS positiva o negativa, de
esta forma la corriente fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenador.

Figura 7.27.- Funcionamiento del MOSFET de deplexión canal n.

En este caso, si aplicamos una tensión V GS > 0, se atraerán más electrones
hacia la zona de la puerta y se repelerán más huecos de dicha zona, por lo que el
canal se ensanchará. Por lo tanto, el efecto que tenemos es el mismo que en el
caso del MOSFET de acumulación, es decir, para valores V GS > 0 el MOSFET de
deplexión tiene un comportamiento de acumulación. Si por el contrario damos
valores V GS < 0 el efecto será el contrario, disminuyéndose la anchura del canal.
En definitiva, volvemos a tener de nuevo un efecto de modulación de la anchura
de un canal en función de una tensión aplicada V GS. Sin embargo, si seguimos
disminuyendo el valor de V GS podrá llegar un momento en que el canal
desaparezca por completo, esto sucederá cuando V GS disminuya por debajo de
un valor V GSoff.

2.2 Configuraciones

2.2.1 Polarización

Modos de polarizar un transistor bipolar.

• Polarización fija o de base
• Polarización por retroalimentación del emisor.
• Polarización por retroalimentación del colector.
• Polarización por divisor de tensión.

Las polarización antes mencionadas se ven en el apartado del punto Q, con la

intención de que se utilice la más adecuada para alguna aplicación en particular,
las cuales puedan ser, el transistor como interruptor, transistor como fuente de
corriente, estabilidad del punto de operación en un amplificador, etc.

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO

En el diodo se tienen dos posibilidades de polarización de la unión pn, de tal forma

que el diodo tenía dos posibles estados o zonas de trabajo: en directa y en
inversa. Ahora estamos ante un dispositivo que tiene dos uniones, una unión entre
las zonas de emisor y base (que denominaremos unión de emisor JE) y otra unión
entre las zonas de base y colector (de que denominaremos unión de colector JC),
cada una de las cuales puede ser polarizada en las dos formas mencionadas
anteriormente. Así, desde el punto de vista global del dispositivo tenemos cuatro
zonas de funcionamiento posibles en función del estado de polarización de las dos
uniones.
De esta forma, si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor
está trabajando en la zona de saturación. En el caso de que la unión de emisor la
polaricemos en directa y la unión de colector en inversa, estaremos en la zona
activa.
Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor está en
la zona de corte. Por último, si la unión de emisor se polariza en inversa y la unión
de colector en directa, el transistor se encuentra en activa inversa. De las cuatro
zonas, las 3 mencionadas en primer lugar son las más interesantes desde el punto
de vista del funcionamiento del transistor, siendo la zona activa inversa una zona
puramente teórica y sin interés práctico.
2.2.2 Limites de operación y hoja de especificaciones.

La hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el fabricante y el

usuario, es de particular importancia que la información proporcionada sea
reconocida e interpretada. En la hoja de especificaciones se dan a conocer los
límites de operación del transistor (u otros dispositivos electrónicos), valores
máximos y mínimos en que opera determinado modelo, sus configuraciones de
conexión, e información detallada de otros ámbitos. Aunque no se verán todos los
parámetros, analizaremos los más utilizados.

Se hará referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la

cual se presenta el parámetro.
La información proporcionada en la hoja de especificaciones del 2N4123 se ha
tomado directamente de la publicación Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes
preparada por Motorola Inc, esta información se puede obtener directamente del
fabricante, o de guías físicas de consulta como el ECG o NTE (Actualmente en
desuso), el NTE cuenta con una versión electrónica gratuita disponible en internet
don se pueden consultar las hojas de especificaciones de diferentes dispositivos
electrónicos.
En la imagen de abajo el 2N4123 es un transistor npn de propósito general con el
encapsulado y la identificación de terminales que aparecen en el extremo superior
derecho de la figura de su hoja de especificaciones. La mayoría de las hojas de
especificaciones se dividen en valores nominales máximos, características
térmicas v características eléctricas. Las características eléctricas se subdividen
además en características en estado "encendido", en estado "apagado" y de
pequeña señal. Las características en estado activo y pasivo se refieren a los
límites de cd, mientras que las características de pequeña señal incluyen los
parámetros de importancia para la operación de ca.

Nótese en la lista de valores nominales máximos que vcemax

VCEO
30 V con ICmax
200 mA. La máxima disipación de colector.
625 mW. El factor de degradación bajo los valores nominales máximos especifica que el
valor nominal máximo debe descender 5 mW por cada grado de incremento en la
temperatura sobre los 25°C. En las características durante el estado "apagado" ICBO se
especifica como de 50 nA y durante el estado "encendido" VCEsat 0.3 V. El nivel de hFE
(ganancia) tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una IC

2 mA y VCE =1 V y un valor mínimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo

voltaje.
Los límites de operación se han definido ahora para el dispositivo y se repiten a
continuación en el formato de la hoja de especificaciones, empleando hFE
150 (el límite superior). En realidad, para muchas aplicaciones, los 7.5 uA
0.0075 mA se pueden considerar como 0 mA sobre una base aproximada.
Límites de Operación
7.5 uA £ IC £ 200 mA
0.3 V £ VCE £ 30 V
VCEIC £ 650 mW

En las características de pequeña señal el nivel de hfe (b ca) se proporciona junto con una
gráfica de cómo varía con la corriente de colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se
demuestra el efecto de la temperatura y la comente de colector sobre el nivel de hFE (b ca).
A temperatura ambiente (25°C), adviértase que hFE (b cd) tiene un valor máximo de 1 en
la vecindad alrededor de los 8 mA. A medida que IC, se incrementa más allá de este nivel,
hFE cae a la mitad de su valor con IC igual a 50 mA. También decae a este nivel si IC
disminuye al nivel inferior de 0.15 mA. Puesto que esta es una curva normalizada, si
tenemos un transistor con b cd
hFE
50 a temperatura ambiente, el valor máximo a 8 mA es de 50. A IC
50 mA habrá decaído a 50/ 2
25. En otras palabras, la normalización revela que el nivel real de hFE a cualquier nivel de
IC se ha dividido por el valor máximo de hFE a esa temperatura e IC = 8 mA.
Diferencias entre el JFET y el BJT

BJT

Controlado por corriente de base.

Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.

IC es una función de IB.

ß (beta factor de amplificación)

Altas ganancias de corriente y voltaje.

Relación lineal entre Ib e Ic.

JFET

• Controlado por tensión entre puerta y fuente.

• Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal
p) ó electrones (canal n).
• ID es una función de Vgs.
• gm (factor de transconductancia).
• Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de
los BJT.
• Relación cuadrática entre Vgs e Id.

APLICACIÓN, PRINCIPAL VENTAJA Y USOS:

Aislador o separador (buffer), impedancia de entrada alta y de salida baja, uso

general, equipo de medida, receptores.
Amplificador de RF, bajo ruido, sintonizadores de FM, equipo para
comunicaciones.
Mezclador, baja distorsión de intermodulación, receptores de FM y TV, equipos
para comunicaciones.
Amplificador con CAG, facilidad para controlar ganancia receptores,
generadores de señales.
Amplificador cascodo, baja capacidad de entrada, instrumentos de medición,
equipos de prueba.
Resistor variable por voltaje, se controla por voltaje, amplificadores
operacionales, control de tono en órganos.
Amplificador de baja frecuencia, capacidad pequeña de acoplamiento,
audífonos para sordera, transductores inductivos.
Oscilador,mínima variación de frecuencia, generadores de frecuencia patrón,
receptores.
Circuito MOS digital, pequeño tamaño, integración en gran escala,
computadores, memorias.

Ventajas del FET con respecto al BJT

• Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)MΩ.
• Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
• Son más estables con la temperatura que los BJT.
• Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un CI.
• Se comportan como resistencias controladas por tensión para valores pequeños
de tensión drenaje-fuente.
• La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
• Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

Desventajas de los FET

• Los FET´s presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
• Los FET´s presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales
que los BJT.
• Los FET´s se pueden dañar debido a la electricidad estática.
2.2.3 Punto Q

El transistor bipolar que opera en la región lineal tiene unas características

eléctricas lineales que son utilizadas para amplificación.

En estos circuitos, las señales de entrada son amplificadas a la salida y, por

consiguiente, hay un aporte de energía realizado a través de fuentes de tensión
externas denominadas fuentes de alimentación o fuentes de polarización.

Las fuentes de alimentación cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y

tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la región lineal
y suministrar energía al transistor de la que parte de ella va a ser convertida en
potencia (amplificación).

Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un

transistor se denomina punto de trabajo (conocido como punto Q) y se suele
expresar por la letra Q (Quiescent operating point).

En transistor del circuito de la figura 1.8.a está polarizado con dos resistencias y
una fuente de tensión en continua VCC. En este circuito se verifica que

Si suponemos que el transistor se encuentra en la región directa lineal, entonces

se puede relacionar las intensidades de base y colector a través de la hFE y
asignar una tensión base-emisor típica de 0.7 V.

El cálculo de las tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto

de trabajo Q. Para este circuito, Q viene definido por las siguientes ecuaciones:
Representación del punto de trabajo con la recta en carga estática

En la figura 1.8.b se muestra la representación gráfica del punto de trabajo Q

del transistor, especificado a través de tres parámetros: ICQ, IBQ y la VCEQ.

Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de

carga estática: si Q se encuentra en el límite superior de la recta el transistor
estará saturado, en el límite inferior en corte (por lo que el punto Q no debe
estar ubicado cerca de esos límites) y si se encuentra en los puntos intermedios
de la recta de carga estará en la región lineal.

Esta recta se obtiene a través de la ecuación del circuito que relaciona la IC con
la VCE que, representada en las curvas características del transistor de la
figura 1.8.b, corresponde a una recta.

La tercera ecuación de (1.17) define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al

circuito de polarización, de forma que

Para dibujar esta recta de
transistor se selecciona dos
entonces VCE=VCC. Estos
representan los cortes de
coordenadas.
una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del
puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0,
puntos se pueden identificar en la figura1.8.b y
la recta de carga estática con los ejes de

Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarización de un

transistor es seleccionar la situación del punto Q. La selección más práctica es
situarle en la mitad de la recta de carga estática para que la corriente de
colector sea la mitad de su valor máximo, condición conocida como excursión
máxima simétrica.

Evidentemente esta es una condición de diseño que asegurará el máximo

margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de
colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de operación del transistor
que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la
situación del punto Q estará definida por las diferentes restricciones.

Potencia de disipación estática máxima (PCMAX)

Un transistor de unión polarizado tiene unas tensiones y corrientes en sus

terminales que le hacen disipar energía.

Esta potencia de disipación se puede obtener aplicando la definición de

potencia absorbida por un elemento tri-terminal, que en caso del transistor, se
expresa como:

Debido a que generalmente la IB<<<IC y la VBE<<VCE, el primer término de

esta ecuación es despreciable frente al segundo, resultando que

Esta ecuación representa a una hipérbola en el plano (VCE, IC) de las curvas
características del transistor. El fabricante proporciona como dato la potencia de
disipación máxima de un transistor; como ejemplo, el BC547 tiene una
PCMAX=500mW.

En la figura 1.8.b se representa la hipérbola de potencia máxima de un

transistor. Es preciso que el punto del trabajo Q esté por debajo de esa curva ya
que sino el transistor se dañaría por efecto Joule.
Circuitos de polarización de transistores bipolares

La selección del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a través de

diferentes circuitos de polarización que fijen sus tensiones y corrientes.

En la siguiente figura 1.9 se incluyen los circuitos de polarización más típicos

basados en resistencias y fuentes de alimentación; además, se indican las
ecuaciones que permiten obtener el punto de trabajo de los transistores. Estos
circuitos presentan diferencias en algunos casos importantes.

Por ejemplo, el circuito de la figura 1.8.a es poco recomendable por carecer de

estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva térmica que
autodestruye el transistor.

La polarización de corriente de base de la figura 1.9 es mucho más estable

aunque el que más se utiliza con componentes discretos es el circuito de
autopolarización. La polarización de colector-base asegura que el transistor
nunca entra en saturación al mantener su tensión colector-base positiva
2.2.4 Polarización con una fuente
2.3 Aplicaciones del Transistor

Cuando un transistor se utiliza en un circuito, el comportamiento que éste tenga dependerá

de sus curvas características.

En el diagrama que se muestra hay varias curvas que representan la función de

transferencia de Ic (corriente de colector) contra VCE (voltaje colector – emisor) para
varios valores de Ib (corriente de base).

Cuando el transistor se utiliza como amplificador, el punto de operación de éste se ubica

sobre una de las líneas de las funciones de transferencia que están en la zona activa. (las
líneas están casi horizontales).

Transistor en corte y saturación

Cuando un transistor se utiliza como interruptor o

switch, la corriente de base debe tener un valor para
lograr que el transistor entre en corte y otro para que
entre en saturación

- Un transistor en corte tiene una corriente de

colector (Ic) mínima (prácticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE)
máximo (casi igual al voltaje de alimentación). Ver la zona amarilla en el gráfico

- Un transistor en saturación tiene una corriente de colector (Ic) máxima y un voltaje

colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios). Ver zona en verde en el gráfico

Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser bajo o
mejor aún, cero.

Para lograr que el transistor entre en saturación, el valor de la corriente de base debe
calcularse dependiendo de la carga que se esté operando entre encendido y apagado
(funcionamiento de interruptor)

Si se conoce cual es la corriente que necesita la carga para activarse (se supone un bombillo
o foco), se tiene el valor de corriente que habrá de conducir el transistor cuando este en
saturación y con el valor de la fuente de alimentación del circuito, se puede obtener la recta
de carga. Ver gráfico anterior.

Esta recta de carga confirma que para que el transistor funcione en saturación, Ic debe ser
máximo y VCE mínimo y para que esté en corte, Ic debe ser el mínimo y VCE el máximo.
2.3.1 Como interruptor

Para que el transistor cumpla la función de interruptor debe ser configurado para trabajar
en las zonas de corte y saturación.

Aplicación del transistor como interruptor: