CIRCUITOS ELECTRICOS

TEOREMAS Y LEYES FUNDAMENTALES

En este tutorial se presentan los conceptos básicos necesarios para el análisis de circuitos eléctricos sencillos.

1 DEFINICIONES BASICAS
Las siguientes definiciones serán empleadas habitualmente a lo largo del presente tutorial.

1.1 NOMENCLATURA DE LAS TENSIONES

En la Figura 1 se muestran las dos nomenclaturas más extendidas para marcar la diferencia de potencial o tensión entre dos puntos
de un circuito.

Figura 1: Notaciones empleadas para las diferencias de potencial.

La diferencia de potencial entre los puntos A y B se representa como VAB, que se corresponde con la diferencia VA - VB, es decir, el
potencial en el punto A menos el potencial en el punto B. El signo + o la flecha apuntan al primer subíndice. Con esta notación no se
pretende indicar que el potencial en A sea mayor que en B, sino simplemente dejar claro que el valor VAB será la diferencia entre
ambos. Por ejemplo:

 Si VA = 7 V y VB = 5 V VAB = 2 V ; VBA = -2 V
 Si VA = 6 V y VB = 9 V VAB = -3 V ; VBA = 3 V

Por lo tanto, es lo mismo decir que V AB es 2 V, que decir VBA es -2 V.

1.2 SIMBOLO DE TIERRA

El símbolo de tierra significa que cualquier punto conectado con él se encuentra a potencial nulo. Es la referencia de tensiones de todo
el circuito.

1.3 INSTRUMENTOS DE MEDIDA IDEALES

La Figura 2 muestra el símbolo de los instrumentos de medida ideales. Su significado es el siguiente:

 VOLTÍMETRO: Mide la diferencia de potencial entre los puntos a los que se conecta. Se considera que su resistencia
interna es infinita y que no absorbe potencia del circuito al que se conecta. Se coloca en paralelo al componente del cuál se
quiere conocer su caída de tensión.
  AMPERÍMETRO: Mide la corriente que lo atraviesa. Su resistencia interna es nula y tampoco absorbe potencia. Se coloca
en serie.

En el siguiente circuito, el amperímetro ofrecería una lectura de 1 amperio, mientras que el voltímetro marcaría 5 voltios.

Figura 2: Elementos de medida ideales

1.4 NUDOS Y MALLAS

 NUDO: Un nudo es el punto de confluencia de tres o más conductores.

 MALLA: Es un camino cerrado a través del circuito.

Figura 3: Nudos y mallas en un circuito eléctrico

Los puntos A y B son nudos del circuito de la figura, ya que en ellos confluyen tres conductores. Los puntos 1, 2, 3, y 4 no se
consideran nudos, ya que sólo confluyen dos.

Una malla estaría formada, por ejemplo, por los componentes que se encuentran en el camino que une los puntos 1-A-B-3-1. En este
circuito hay tres mallas: 1-A-B-3-1, 1-2-4-3-1 y A-2-4-B-A.

1.5 REGIMEN TRANSITORIO Y PERMANENTE

Hemos visto en el capítulo anterior que hay dos componentes, la bobina y el condensador, cuya respuesta depende del tiempo a
través de las derivadas de la tensión y de la corriente. Supongamos que tenemos un circuito formado por una fuente de alimentación
de tensión continua y una serie de mallas con condensadores, bobinas y resistencias. Al conectar la fuente de tensión se crearán una
serie de corrientes que, en principio dependerán del tiempo. Al cabo de un cierto tiempo, las corrientes tenderán a un valor fijo e
invariable en el tiempo. A partir del momento en que se alcance este punto de equilibrio entraremos en lo que se denomina régimen
permanente, mientras que el estado anterior se llama régimen transitorio.

Se puede demostrar que en un circuito con componentes lineales, las corrientes en régimen permanente (R.P.), siempre tienen la
misma forma de onda que las excitaciones del circuito. Así, si tenemos fuentes de tensión continua, sabemos que las corrientes del
R.P. serán también continuas, y si tenemos fuentes de alterna sinusoidales de una determinada frecuencia, las corrientes serán
sinusoides de la misma frecuencia, aunque desfasadas en el tiempo y de diferente amplitud. En la Figura 4 se refleja este concepto
para las excitaciones continuas y alternas.

Figura 4: Régimen transitorio y régimen permanente

1.6 RECTA DE CARGA

Supongamos que en el circuito de la Figura 5 se conecta entre los puntos A y B un componente desconocido.

Figura 5: Circuito con un componente desconocido entre A y B

Pese a no conocer las ecuaciones características del componente, puede escribirse que:

En un sistema de coordenadas en el que VAB sea el eje de abscisas e IAB el de ordenadas, la expresión anterior admite la
representación gráfica mostrada en la Figura 6, que se llama recta de carga.
 Figura 6: Recta de carga

Hay dos puntos característicos que definen esta recta:

 Tensión VAB cuando IAB es nula Tensión de circuito abierto VCC: Es la tensión que puede medirse cuando la resistencia del
componente colocado entre A y B es infinita, o bien, cuando el circuito está abierto.
 Corriente IAB cuando VAB es nula Corriente de cortocircuito ICC: Es la corriente que se obtiene cuando la resistencia del
componente colocado entre A y B es nula, o bien, cuando se cortocircuitan ambos puntos.

2 TEOREMAS Y LEYES FUNDAMENTALES

En los siguientes subapartados se repasan los teoremas y leyes fundamentales que se aplican habitualmente en el análisis de circuitos
eléctricos:

 Leyes de Kirchoff
 Teorema de la superposición
 Teorema de la sustitución
 Teorema de Millmann
 Teorema de Thevenin
 Teorema de Norton

Mientras que las leyes de Kirchoff tienen un carácter general, los teoremas citados sólo pueden ser aplicados directamente a circuitos
que posean componentes lineales.

2.1 LEYES DE KIRCHOFF

Las Leyes de Kirchoff son el punto de partida para el análisis de cualquier circuito eléctrico. De forma simplificada, pueden enunciarse
tal y como se indica a continuación:

 1ª Ley de Kirchoff: La suma de las intensidades que se dirigen hacia un nudo es igual a la suma de las corrientes que
abandonan dicho nudo.
 2ª Ley de Kirchoff: La suma de las caídas de tensión o diferencias de potencial a lo largo de un circuito cerrado es nula
 Ley de los NUDOS Ley de las MALLAS

Figura 7: Leyes de Kirchoff

2.2 TEOREMA DE LA SUPERPOSICION

En un circuito con varias excitaciones, el estado global del circuito es la suma de los estados parciales que se obtienen considerando
por separado cada una de las excitaciones.

Los pasos que deben seguirse para aplicar a un circuito este teorema son:

1. Eliminar todos los generadores independientes menos uno y hallar la respuesta debida solamente a dicho generador.

2. Repetir el primer paso para cada uno de los generadores independientes que haya en el circuito.

Sumar las repuestas parciales obtenidas para cada generador.

Los generadores independientes de tensión se anulan cortocircuitándolos (así se impone la condición de tensión generada nula),
mientras que los de corriente se anulan abriendo el circuito (corriente nula).

Ejemplo 1: Hallar mediante el principio de la superposición la corriente que circula en el circuito alimentado por los
generadores E1 y E2.

SOLUCIÓN: El circuito global puede descomponerse en los subcircuitos 1 y 2.

  En el subcircuito 1:

 En el subcircuito 2:

 La suma de ambos subcircuitos:

El resultado coincide obviamente con el que se obtendría aplicando la ley de las mallas en el circuito global:

2.3 TEOREMA DE LA SUSTITUCION

Según el teorema de la sustitución, cualquier conjunto de componentes pasivos puede sustituirse por un generador de tensión o de
corriente de valor igual a la tensión o corriente que aparezca entre los terminales del conjunto, sin que por ello se modifiquen las
magnitudes en el resto del circuito.
 Figura 8: Teorema de la sustitución

En otras palabras, el teorema de la sustitución dice que si en un circuito semejante al indicado en la Figura 8 se sustituye la red
pasiva por un generador que imponga la misma tensión VR, la intensidad I Rserá la misma en ambos casos.

Este teorema es de gran utilidad cuando se analizan circuitos complejos formados por diversas redes pasivas diferenciadas, puesto
que permite simplificar el esquema inicial

2.4 TEOREMA DE MILLMANN

Este teorema se aplica a redes que poseen sólo dos nudos. Proporciona la diferencia de potencial entre ambos en función de los
parámetros del circuito. Sea una red con sólo dos nudos principales en la que hay n ramas con componentes pasivos y generadores
de tensión, m ramas sólo con componentes pasivos y p ramas con generadores de corriente, tal y como puede verse en la Figura 9.

Figura 9: Teorema de Millmann

La tensión entre los puntos A y B viene dada por la siguiente expresión:

Una de las aplicaciones típicas de este teorema es el análisis de circuitos con varios generadores reales en paralelo alimentando a una
carga.

2.5 TEOREMA DE THEVENIN. RECTA DE CARGA

El teorema de Thevenin es una herramienta muy útil para el estudio de circuitos complejos. Se basa en que todo circuito que
contenga únicamente componentes y generadores lineales puede reducirse a otro más sencillo, denominado circuito equivalente
Thevenin, de la forma (Figura 10):
 Figura 10: Circuito equivalente Thevenin

en donde:

 ETH = Tensión de Thevenin

 RTH = Resistencia de Thevenin

Para calcularlo se procede de la siguiente forma:

1. Se calcula la tensión que aparece entre A y B cuando no hay nada conectado entre ambos terminales (tensión de circuito
abierto).
2. Se calcula la intensidad que circular entre A y B si se cortocircuitan ambos puntos (intensidad de cortocircuito):

Figura 11: Ensayos necesarios para la determinación del circuito equivalente Thevenin

Una vez obtenidos estos resultados, la resistencia de Thevenin (RTH) puede calcularse como:

En definitiva, lo que el teorema de Thevenin viene a indicar es que la relación entre la tensión y la intensidad entre dos puntos de un
circuito que sólo esté compuesto por componentes lineales admite una representación gráfica como la vista en el 1.6. En efecto, si
conectamos un componente cualquiera entre A y B puede calcularse fácilmente la relación VAB-I:

La expresión anterior se corresponde con la ecuación de una recta en el plano V AB-I, de ordenada en el origen ETH/RTH. La
representación gráfica de esta ecuación en el plano VAB, I es:
 Figura 12: Representación gráfica del circuito equivalente Thevenin

Como puede observarse, esta recta es idéntica a la mostrada en el apartado 1.6 al referirse a la recta de carga.

Ejemplo 2 Hallar la corriente que circula por la resistencia R3 empleando el Teorema de Thevenin.

Figura 13: Ejemplo 2

SOLUCIÓN: Se va a sustituir la zona incluida en el cuadro por un circuito más sencillo, de forma que sea más fácil hallar la corriente
que circula por R Por lo tanto, de momento nos "olvidamos" de R3 y trabajamos con la otra parte del circuito para simplificarla.

1º) Cálculo de ETH:

I1 = -I2

I1R1 - E1 - E2 - I2R2 = 0 I1R1 - E1 - E2 + I1R2 = 0 I1 =

Por lo tanto:
 ETH = E1 - R1I1 = E1 - R1 =

2º) Cálculo de RTH:

ICC = I1 + I2

E1 - R1I1 = 0

E2 + R2I2 = 0 ICC =

RTH =

3º) Cálculo de la intensidad que circula por R 3: Hasta ahora lo único que hemos hecho es hallar un circuito equivalente para una
determinada zona del circuito. Ahora es el momento de conectar de nuevo la resistencia R3 en su sitio y calcular la corriente.

RTH + R3 =

I3 =
2.6 TEOREMA DE NORTON
Es un teorema similar al de Thevenin, que se emplea cuando se tienen generadores de corriente en el circuito. El circuito equivalente
de Norton está formado por un generador de intensidad con una resistencia en paralelo.

Figura 14: Circuito equivalente de Norton

La relación con el circuito equivalente de Thevenin viene dada por las siguientes expresiones:

El generador equivalente de Norton debe proporcionar una corriente igual a la de cortocircuito entre los terminales A y B del circuito
original. Además, la resistencia equivalente de Norton es el cociente entre la tensión de circuito abierto y la corriente de cortocircuito.

3 ANALISIS DE CIRCUITOS ELECTRICOS

1 PRINCIPALES TIPOS DE SEÑALES ELECTRICAS

En la mayoría de los casos, las señales (tensiones o corrientes) aplicadas a los circuitos eléctricos pueden encuadrarse dentro de una
de las siguientes categorías:

 Señales continuas (DC): Se trata de señales de valor medio no nulo con una frecuencia de variación muy lenta, por lo que
se pueden considerar como constantes en el tiempo.
 Señales alternas (AC): Son señales que cambian de signo periódicamente, de tal forma que su valor medio en una
oscilación completa es nulo. El caso más simple es el de una señal sinusoidal
 Señales de alterna superpuestas a un valor de continua: Obviamente, se trata de una superposición de los dos casos
anteriores. Al valor medio de la señal se le llama componente continua, mientras que la oscilación recibe el nombre
de componente de alterna.

En la Figura 15 se representan gráficamente estos tipos de señales.

 Figura 15: Tipos de señales eléctricas

2 REGIMEN TRANSITORIO
El análisis del régimen transitorio de un circuito ha de realizarse teniendo en cuenta las ecuaciones características de cada
componente. Puesto que en caso de la bobina y el condensador estas ecuaciones incluyen como variable adicional el tiempo (a través
de las derivadas temporales), será necesario considerar:

 Origen de tiempos
 Condiciones iniciales: En el caso del condensador ha de conocerse la carga o la diferencia de placas en el instante inicial.
En el de la bobina se ha de indicar la corriente inicial en la misma.

Obviamente, en los circuitos con varios condensadores y bobinas, los cálculos necesarios se complican notablemente. Sin embargo,
existen otras herramientas matemáticas con las que el estudio de los fenómenos transitorios puede abordarse de forma mucho más
simple (NOTA: La explicación de estas herramientas queda fuera del ámbito de este curso).

3 REGIMEN PERMANENTE
Para el análisis de circuitos en régimen permanente pueden realizarse algunas simplificaciones. Tal y como se ha expuesto en el
apartado 1.5, las corrientes y tensiones de un circuito en régimen permanente tienden a imitar la forma de onda de la alimentación
del circuito.

1 Señales continuas
En un circuito con generadores de tensión o intensidad constantes, las señales en régimen permanente serán también constantes. Por
lo tanto serán asumibles las siguientes simplificaciones:

 Los condensadores se comportan como un circuito abierto

 Las bobinas se comportan como cortocircuitos
Así pues, podemos obtener un circuito equivalente para las señales continuas en régimen permanente (circuito equivalente DC) sin
más que sustituir los condensadores por un interruptor cerrado y las bobinas por un interruptor abierto.

2 Señales alternas
En alterna podemos hallar dos circuitos equivalentes AC:

 Frecuencia muy baja: Condensadores CA; Bobinas CC

 Frecuencia muy alta: Condensadores CC; Bobinas CA

Para situaciones de frecuencias medias, es necesario realizar un cálculo teniendo en cuenta los condensadores y bobinas. Este análisis
puede efectuarse como un análisis transitorio normal. Sin embargo, la introducción de un método matemático basado en los números
complejos simplifica notablemente los cálculos (NOTA: La explicación de este método queda fuera del ámbito de este curso).

3 Señales mixtas
El análisis de circuitos con señales mixtas puede realizarse mediante el principio de superposición.

Figura 16: Análisis de circuitos con señales mixtas

El análisis del circuito equivalente DC proporcionará la componente continua IDC de la corriente, mientras que con el circuito
equivalente AC calcularemos la componente alterne iAC.

4 EJEMPLO: RESOLUCION DE UN CIRCUITO SENCILLO

Una vez conocidos los componentes y las herramientas de resolución de circuitos, es el momento de lanzarse a atacar los primeros
ejemplos. En este apartado se presenta la resolución de circuitos muy sencillos, con el objeto de fijar una posible metodología. Esta
explicación se dirige a aquellos lectores que no dispongan de una mínima experiencia previa en estas lides.
Ejemplo 3: Hallar las corrientes que en régimen permanente circulan por el circuito de la figura.

Figura 17: Ejemplo 3

1) Simplificación del circuito:

Como se trata de un análisis DC en régimen permanente las bobinas pueden cortocircuitarse, y los condensadores abrirse. También
podemos asociar R3 y R4, que están en serie (R5 = R3 + R4).

Todavía podemos hacer una simplificación más. Por R 2 no puede circular ninguna corriente, ya que no hay ningún camino por el que
se pueda cerrar. No afecta pues al análisis numérico, pero cuidado, no significa que no exista. Hemos hecho una serie de
transformaciones al circuito inicial, pero son solo "trucos" matemáticos.

2) Selección de las corrientes del circuito:

Una vez que hemos simplificado el esquema y sólo tenemos resistencias y fuentes de alimentación hay que nombrar a las corrientes
del circuito. Esto lo hacemos colocando una flecha y un nombre. En principio, podemos colocar tantas flechas como queramos, y en la
dirección que se nos antoje. La única condición es que no haya ningún conductor que no tenga definida la intensidad que lo atraviesa.
En este caso, se nota que estamos ante un alumno precavido, que ha puesto todas las flechas que ha podido. No está mal, pero
vamos a hacerle alguna observación. Está claro que I = I1, ya que por doblar una esquina no se va a perder corriente. Por la misma
razón I2 = I3 = I7 = I4. En cambio I = I1 = -I5. Podemos coger todas las intensidades que queramos, pero ya se ve que sólo hay
tres fundamentales: I, I2 e I6, por ejemplo. Vuelvo a repetir que la selección de la dirección de la flecha es totalmente arbitraria.

3) Planteamiento de ecuaciones:

Las ecuaciones en los nudos se plantean con las corrientes. La suma de las corrientes que confluyen en un nudo ha de ser nula, o
bien, lo que "entra" es igual a lo que "sale":

Ecuaciones en los nudos: NUDO B: I = I2 + I6 (1)

NUDO C: I = I2 + I6 (2)

Las ecuaciones de las mallas se plantean en términos de caídas de potencial. El procedimiento es el siguiente: Nos situamos en un
punto del circuito, y efectuamos un recorrido por el mismo de manera que volvamos al punto de partida. La suma de las caídas de
potencial que nos encontremos ha de ser nula. Supongamos que nos situamos en el punto A. Vamos a realizar nuestro primer viaje a
través del circuito juntos, y lo vamos a hacer a través de la malla A-B-C-D-A. Entre A y B no hay ningún elemento, salvo un conductor
ideal, no hay ninguna causa para que el potencial disminuya, luego VAB = 0. Sigamos. Entre B y C hay una resistencia. Ahora viene lo
más importante. Hemos de ser coherentes con los signos tomados para las intensidades. Al definir las corrientes, hemos supuesto que
la intensidad va del nudo B al nudo C. Por lo tanto, el nudo B estará a mayor potencial que el C, la caída de potencial entre B y C es
positiva, y vale I6R1. Entre D y C sólo hay un conductor, VCD = 0. Ya estamos llegando al final. Entre D y A hay una fuente de tensión.
Si os fijáis bien, el punto D está conectado al extremo (-) de la fuente, mientras que A lo está al (+). Esto significa que en este tramo
la tensión no cae, sino que aumenta, por lo tanto: VDA = - E.

A modo de resumen de lo expuesto:

VAB + VBC + VCD + VDA = 0 ==> 0 + I6R1 + 0 + (-E) = 0

Ecuaciones en las mallas: MALLA ABCDA: E - R1I6 = 0 (3)

MALLA AEFDA: E - R5I2 = 0 (4)

MALLA BEFCB: R1I1 - R2I2 = 0 (5)

Como podéis apreciar tenemos 5 ecuaciones y 3 incógnitas. Sin embargo no todas las ecuaciones son independientes: La ecuación (1)
es idéntica a la (2), y se cumple que (3) + (4) = (5). Por lo tanto, sólo hay tres ecuaciones independientes.

4) Resolución del problema:

Ahora ya es bastante fácil, puesto que solo tenemos que resolver un sencillo sistema de ecuaciones:

I = I2 + I 6

E = R1I6 I6 = E/R1

E = R5I2 I2 = E/R5 I = E/R1 + E/R5

El problema ya está resuelto, pero ahora me gustaría llamar vuestra atención sobre algunos aspectos importantes. Vamos a repasar
las diferentes etapas del método de resolución. La primera es sencilla, es la particularización del circuito a las condiciones del tipo de
análisis. Es sencilla, porque apenas es necesario pensar. Sin embargo, puede inducirnos a graves fallos de concepto. A ver, ¿puede
explicarme alguien con detalle qué sucede con el condensador?. Lo normal es que os dejara la pregunta al aire, para que lo pensarais,
pero .... El condensador inicialmente se encuentra descargado. Cuando conectamos la fuente se crean unas corrientes que van
cargándole. Esto sucederá hasta que se alcance una tensión de equilibrio con el resto del circuito. En ese momento la corriente se
anulará y comenzará el régimen estacionario. Vamos a calcular dicha tensión. La caída de tensión entre los puntos B y C será:

VBC = R1I6 = R5 I2 = E

Por otra parte, VBC = VR2 + VCondensador ; Como por esa rama no circula corriente, VR2=0, y entonces, VCondensador = E. ¿Qué sucederá si,
en ese momento, separamos la zona del izquierda del circuito y nos quedamos con un esquema como el siguiente?:

El condensador estaba cargado por que había una fuente de tensión que "sostenía" ese estado. Al desaparecer esta fuente de tensión,
el condensador tiende a descargarse y recuperar su estado de equilibrio. Como tiene un camino libre a través de R2, R3, y R4 se
descargará por ellas, comportándose como un generador de tensión cuyo valor decrece con el tiempo.

La segunda de las etapas es la selección de las corrientes básicas del circuito, es decir aquellas sobre las que plantearemos el sistema
de ecuaciones. Este paso es un poco más complicado que el anterior. Recordar quese pueden elegir la dirección de las corrientes,
siempre que, al final, se interpreten bien los resultados. No sé por qué, pero esto es lo que más les cuesta aceptar. Cuando se aborda
un problema no es necesario pensar en qué sentido van las corrientes, ni qué recorridos hacen, eso saldrá con el signo de la
respuesta. Voy a resolver el problema suponiendo otras corrientes, para ver si así les queda más claro.
En este caso Ib = -E/R5. Este resultado significa que, por esa rama, la intensidad vale E/R5 pero circula en el sentido contrario al
dibujado en el esquema. Esto concuerda totalmente con el resultado anterior.

En el planteamiento de las ecuaciones es en donde hay que echar toda la carne en el asador y pararse a pensar un poco. Siempre
vamos a escribir ecuaciones ciertas (si no aplicamos mal los teoremas), aunque a veces nos conducirán más rápidamente a la
solución que otras.

1. Determinar las expresiones de i(t) y v(t) en el circuito de la figura adjunta, sabiendo que la tensión inicial del condensador
es V0.

1. Determinar las expresiones de i(t) y v(t) en el circuito de la figura adjunta, sabiendo que la carga inicial del condensador
es 0.

1. Un condensador cargado a una determinada tensión se conecta a una resistencia de 1000 , tal y como se muestra en la
figura. Calcular el valor de C necesario para que al cabo de 20 ms desde la conexión la tensión sea:

a) 90% de la inicial

b) 50% de la inicial

1. Un condensador C1 = 10 F se carga con 1000 C. A continuación se unen sus terminales con una resistencia de 1500 . Al
cabo de 15 ms se agrega otra resistencia, de 1500 en paralelo con la anterior. Calcular el tiempo que tarda el condensador
en perder el 90% de su carga.
2. Calcular la carga final que tendrá el condensador de la figura. ¿Cuánto tardará en captar el 95% de la misma?.

1. Demostrar que si t es un valor muy pequeño, en la descarga de un condensador a través de una resistencia se cumple
que:

Siendo I0 la corriente que se establece en t = 0, y VRIZADO la diferencia entre la tensión para t = 0 y la tensión para un tiempo t.

1. Calcular la carga que tendrá el condensador de la figura en régimen estacionario.

 1. En el circuito de la figura el interruptor conmuta automáticamente entre los estados cerrado y abierto cada 5 ms. En
concreto, para t = 0 está cerrado (permite el paso de corriente), para t = 5 ms se abre (no permite el pase de corriente),
para t = 10 ms se vuelve a cerrar y así sucesivamente.

a) Determinar la expresión de iC(t) entre t = 0 y t = 5ms.

b) Calcular el valor máximo admisible de C para que en t = 5 ms el condensador esté cargado al 95%.

c) Si suponemos que en t = 5 ms el condensador está cargado a su máximo valor, calcular el valor mínimo de la capacidad para que
al final de ese ciclo (t = 10 ms) no pierda más del 50% de la carga (NOTA: este apartado es independiente del b).

d) Según los resultados obtenidos en los apartados b) y c) estimar el rango de valores de la capacidad admisibles para que se
cumplan simultáneamente ambas condiciones, es decir, que la carga a para t = 5 ms sea mayor que el 95% y que para t = 10 ms sea
mayor que el 50%.

1. Se alimenta en paralelo a un condensador y una resistencia mediante una fuente de tensión alterna, según se muestra en
la figura:

a) Para una frecuencia de 50 Hz, calcular la relación i C/iR.

b) Idem para 100 MHz. Comparar los resultados obtenidos en los dos apartados.

Datos:C=10 F; R=1k

1. En el siguiente circuito RL calcular la expresión de la intensidad que circula por el circuito, suponiendo que en t = 0 se
cierra el interruptor.
 1. Se toman los valores de los componentes en el circuito anterior R=1K, L=1mH y E=10V. Cuando se ha alcanzado el
régimen permanente se eleva súbitamente la tensión de fuente E a 15V. ¿Cuánto tiempo transcurrirá hasta alcanzarse una
corriente un 5% inferior a la del nuevo régimen permanente

1. El circuito de la figura se denomina diferenciador. Calcular:

a) La ecuación diferencial del circuito Vout =f(Vin)

b) Si se eligen R y C lo suficientemente pequeños de manera que , simplificar la ecuación diferencial del apartado
anterior y calcular el valor de Vout si aplicamos una tensión de entrada como la de la figura.

1. El circuito de la figura se denomina integrador. Se pide:

a) Calcular la relación entre Vout y Vin.

b) Si se eligen R y C lo suficientemente altos de manera que V out<<Vin, calcular el valor de la tensión de salida Vout para el caso de que
Vin=V0sen t. Considerando la combinación de resistencias de la figura, hallar la resistencia entre los puntos a y b. Si la corriente en
R=5 es de 1A, ¿Cual es la diferencia de potencial entre los puntos a y b?
 1. En el circuito de la figura

a) Hallar la intensidad que recorre la resistencia de 15.

b) Hallar la diferencia de potencial entre a y b.

c) Calcular el equivalente de Thevenin entre a y b, para estudiar la intensidad y la tensión que recorren la resistencia de 10 .

1. Hallar la resistencia equivalente del circuito de la figura. Si R=10 y se aplica una diferencia de potencial de 80V entre los
terminales a y b, hallar la intensidad de corriente que circula por cada resistencia.

1. En estado estacionario, la carga sobre el condensador de 5 F del circuito de la figura es de 1000 C, a través de R 2 pasa una
corriente de 5 A hacia abajo y una corriente de 5 A recorre la resistencia de 50 .

a) Determinar la corriente de la batería

b) Determinar las resistencias R1, R2 y R3

 1. El circuito de la figura es un puente de Wheatstone de hilo. Se utiliza para determinar una resistencia incógnita R x en
función de las resistencias conocidas R1, R2 y R0. Las resistencias R1 y R2comprenden un alambre de un metro de longitud.
El punto a es un contacto deslizante que se mueve a lo largo del alambre modificando estas resistencias. La resistencia
R1 es proporcional a la distancia desde el extremo izquierdo del alambre (0 cm) al punto a, y R2 es proporcional a la
distancia desde el punto a al extremo de dicho alambre (100 cm). Cuando los puntos a y b están a igual potencial, no pasa
corriente por el amperímetro y se dice que el puente está equilibrado. Si R 0 vale 200, hallar la resistencia incógnita Rx si

a) el puente se equilibra en la marca de 18 cm

1. el puente se equilibra en la marca de 60 cm

c) el puente se equilibra en la marca de 95 cm

1. En el problema anterior, si R0=200?, el puente se equilibra en la marca de 98 cm.

a) ¿Cual es la resistencia incógnita?

b) ¿Qué influencia tendría un error de 2 mm sobre el valor medido de la resistencia incógnita?

c) ¿Cómo debería variarse R0 para que esta resistencia incógnita diese un punto de equilibrio más próximo a la marca de 50 cm?

1. Hallar la resistencia equivalente del circuito formado por una cadena infinita de resistencias de la figura entre los puntos a
y b.
 1. Calcular el circuito equivalente Thevenin del circuito de polarización de la figura entre los puntos a y b.

CORRIENTE Y TENSIÓN ELÉCTRICA

En este tema se presentan las dos magnitudes que se emplean habitualmente para analizar los circuitos eléctricos: la intensidad de la
corriente eléctrica y la tensión o diferencia de potencial entre dos puntos del circuito. Antes de ello se recuerdan las ideas
fundamentales del comportamiento de los materiales frente a la acción de los campos eléctricos.

1.1 MATERIALES CONDUCTORES Y AISLANTES

Existen tres tipos fundamentales de materiales, de acuerdo con su comportamiento eléctrico:

 Conductores
 Aislantes
 Semiconductores

En los apartados siguientes se analiza la respuesta de los dos primeros ante la aplicación de un campo eléctrico. Los materiales
semiconductores serán tratados con profundidad en el capítulo 4.

1.1.1 MATERIALES CONDUCTORES

Los conductores son materiales o elementos cuyos electrones de valencia pueden ser extraídos fácilmente del núcleo que les
corresponde. De esta forma, se convierten en fuentes de electrones libres, capaces de producir una corriente eléctrica.

1.1.1.1 Estructura
Los conductores por excelencia son los metales. Estos forman redes de iones en los que cada átomo cede sus electrones de valencia
para formar una nube de electrones libres. La nube negativa hace de aglutinante de los iones positivos, apantallando la repulsión y
manteniéndolos unidos. En la Figura 1.1 se muestra de manera simplificada, la red de átomos del aluminio.
 Figura 1.1: Enlace metálico del aluminio

1.1.1.2 Conductores bajo la acción de un campo eléctrico

Puesto que un conductor dispone de una nube de electrones libres, la aplicación de un campo eléctrico provocará un movimiento de
cargas. Este fenómeno presenta una cierta analogía con el movimiento de los cuerpos en el campo gravitatorio.

Figura 1.2: Analogía de los campos gravitatorio y eléctrico

La fuerza de la gravedad es equivalente a la que ejerce el campo eléctrico, mientras que la diferencia de alturas se corresponde con la

diferencia de potencial ( ). La intensidad de la corriente eléctrica es el número de portadores de carga que atraviesa una
sección del conductor por unidad de tiempo.

Obsérvese que aunque el movimiento de los electrones es relativamente lento, la propagación de este movimiento en el interior del
conductor se produce casi instantáneamente (a la velocidad de la luz: 3 108 m/s).

Obviamente, la situación representada en la Figura 1.2 es una tosca aproximación al fenómeno de la conducción eléctrica en los
materiales. En realidad los electrones libres interaccionan tanto entre ellos como con los iones positivos. Como resultado de estos
choques se produce un consumo de energía, que se caracteriza mediante el parámetro llamado resistencia eléctrica del conductor. En
el apartados 1.4 de este tema se estudia con más detalle este parámetro.

1.1.1.3 Conductores en equilibrio electrostático

Cuando en el interior de un conductor no se tiene movimiento neto de carga, se dice que está en equilibrio electrostático. En esta
circunstancia, el conductor presenta las siguientes propiedades:

1. El campo eléctrico en el interior del conductor es nulo: En caso contrario, sobre los electrones libres actuaría una
fuerza capaz de moverlos. En consecuencia, la diferencia de potencial entre dos puntos del interior del conductor es nula.
2. En el interior del conductor no existe carga eléctrica neta: En efecto, la carga del conductor sólo puede estar
distribuida en la superficie del conductor, ya que si hubiera carga interior también existiría un campo eléctrico interior.
3. El campo eléctrico sobre la superficie del conductor es perpendicular a la misma: De otro modo existirían fuerzas
tangenciales capaces de provocar el movimiento de los electrones.

1.1.2 MATERIALES AISLANTES

Los materiales aislantes ideales son aquellos que no permiten el establecimiento de una corriente eléctrica.

1.1.2.1 Estructura
Se trata de materiales en los que, para formar el enlace, los átomos completan su última capa atómica alcanzando la estructura
electrónica estable: la propia de un gas noble. Los electrones pueden cederse (enlace iónico puro), compartirse (enlace covalente

puro) o combinarse (enlace covalente heteropolar). En Figura 1.3 se muestra la estructura molecular del dióxido de silicio ( ),
material aislante por excelencia empleado en la industria microelectrónica.

Figura 1.3: Estructura molecular del SiO2

El hecho fundamental es que los electrones quedan ligados al material, al contrario de lo que sucedía con la nube electrónica de los
conductores.

1.1.2.2 Aislantes bajo la acción de un campo eléctrico

Si un aislante (o dieléctrico) ideal se somete a un campo eléctrico (o a una diferencia de potencial), no es posible la circulación de una
corriente, ya que no existen cargas libres. Sin embargo, si las tensiones son muy elevadas pueden llegar a arrancar electrones e
incluso iones de la red. Los electrones arrancados bombardearán otros átomos, liberando nuevos electrones. Así se genera una
avalancha que si no se controla puede destruir el material. Por lo tanto, existe un campo eléctrico por encima del cual se produce la
ruptura dieléctrica del material aislante. En los buenos aislantes esta tensión es muy elevada.

1.2 INTENSIDAD Y DENSIDAD DE CORRIENTE ELÉCTRICA

Al movimiento neto de cargas eléctricas en una dirección se le llama corriente eléctrica. Con el fin de caracterizar esta magnitud con
mayor precisión, consideremos una superficie A través de la que se desplazan las cargas, como se ilustra en la Figura 1.4. Por
convenio se toma como sentido positivo para la corriente el opuesto al movimiento de los electrones.
 Figura 1.4: Cargas en movimiento a través de un área A

Si es la carga neta que pasa a través de A en un intervalo de tiempo , la intensidad de la corriente se expresa como:

En el límite cuanto tiende a cero esta expresión se transforma en:

La densidad de corriente se define como la corriente por unidad de superficie:

A continuación se va a relacionar el valor de la densidad de corriente con las causas que la provocan. Para ello consideremos un

elemento de un conductor de área y longitud , en el que se mueven una concentración de portadores por m3 con

carga y con una velocidad (Figura 1.5). Sobre el conductor actúa un campo eléctrico E.

Figura 1.5: Sección de un conductor con cargas en movimiento

Con la notación empleada, el número de portadores contenidos en el elemento será , con lo que la carga de ese
elemento vendrá dada por:

Si los portadores de carga se desplazan con una velocidad , la distancia que recorren en el tiempo es .
Sustituyendo en la expresión anterior:

Según se ha definido anteriormente la densidad de corriente, al introducir en esa fórmula el valor de se obtiene:

Así pues, la densidad de corriente es directamente proporcional a la densidad de portadores, a la carga y a la velocidad de los
mismos. En el caso de las corrientes por arrastre de campo, la velocidad de los portadores es, obviamente proporcional al campo (

). Con ello, la expresión de la densidad de corriente queda como sigue:

La última expresión puede simplificarse si se agrupan los términos , y en otro llamado conductividad ( ):

Esta expresión pone de manifiesto que la densidad de corriente es directamente proporcional al campo eléctrico aplicado. La
conductividad es un parámetro característico de cada material. En general depende además del campo eléctrico aplicado y de la
temperatura.

1.3 TENSIÓN ELÉCTRICA

La tensión eléctrica o diferencia de potencial entre dos puntos de un conductor se define como la energía intercambiada por la unidad
de carga al atravesar la distancia que separa dichos puntos.

Si en el intercambio se aporta energía desde el exterior, la tensión se denomina también fuerza electromotriz (fem), mientras que si
se trata de una pérdida o disminución, se habla de una caída de potencial.

Para hallar la relación entre la tensión y la corriente eléctrica, supongamos que tenemos un conductor de longitud l y sección A bajo la
acción de un campo eléctrico tal y como se ha mostrado en la Figura 1.5. La energía intercambiada por una carga dq en su
movimiento a través de dicho conductor viene dada por:
Para obtener la expresión anterior se ha asumido la hipótesis de que el campo eléctrico permanece constante en el interior del
conductor. Por otra parte, en el apartado anterior se ha deducido la relación entre el campo eléctrico y la densidad de corriente:

Por lo tanto, la tensión eléctrica puede calcularse como:

La tensión entre los extremos del conductor es directamente proporcional a la corriente establecida. Al factor de proporcionalidad se
le llama resistencia estática del conductor, o simplemente resistencia.

1.4 RESISTENCIA ESTÁTICA Y DINÁMICA

Tal y como se acaba de indicar en el apartado anterior, la resistencia de un conductor viene dada por la expresión.

Al inverso de la conductividad se le denomina resistividad ( [m]), por razones obvias. La resistividad es un parámetro que depende,
en general, del material, de la temperatura y del campo eléctrico. En el caso de los conductores ideales, la dependencia con el campo
eléctrico es nula. Entonces se verifica la ley de Ohm, según la cual la diferencia de potencial es directamente proporcional a la
corriente que circula, con independencia de la corriente o el campo. Esta ley admite la representación gráfica de la Figura 1.6.

Figura 1.6: Representación gráfica de la ley de Ohm

En este caso , y obviamente, .

El comportamiento óhmico es típico de los materiales conductores. En cambio, existen otros materiales en los que la relación entre la
tensión y la intensidad sí que depende del punto de trabajo. En este caso, el valor de R no es constante, y es necesario conocer la
función R(I) en cada punto. A modo de ejemplo se muestra en la Figura 1.7 el comportamiento no óhmico o no lineal de un material.

Figura 1.7: Representación gráfica de la característica V/I de un material no lineal.

Para caracterizar a estos materiales se emplea un parámetro más que se denomina resistencia dinámica (r). Si la resistencia estática
relaciona la diferencia de potencial con la intensidad en un punto concreto de operación, la dinámica relaciona los incrementos de
ambas magnitudes en torno a un punto de operación (Q), es decir:

Si los incrementos son muy pequeños, puede calcularse según:

La resistencia dinámica se emplea para calcular de modo aproximado la influencia que tiene una pequeña variación de corriente sobre
la tensión en el conductor, según se explica a continuación.

Supongamos que entre los extremos de un componente no lineal aplicamos una determinada corriente constante IQ. Como respuesta
obtendremos una caída de tensión VQ, dada por la gráfica propia de dicho componente (Figura 1.7). Si esa corriente constante sufre
unas pequeñas oscilaciones, la tensión oscilará también. Estas variaciones pueden representarse gráficamente tal y como se muestra
en la Figura 1.8.
 Figura 1.8: Oscilaciones de la corriente y la tensión en un componente no lineal

Si la oscilación de la corriente es pequeña comparada con IQ, para el cálculo de la variación de tensión puede sustituirse la gráfica real
del componente por la tangente en el punto Q. De este modo:

Es preciso recalcar que esta aproximación sólo es válida cuando las oscilaciones son de baja amplitud.

Ejemplo 1.1: Sea un componente eléctrico cuya curva I/V podría ser modelada según la expresión I=0.156V 1.35.
Determinar la resistencia estática y dinámica cuando aplicamos 5V a dicho componente

Resistencia estática: sustituyendo V=5 en la expresión anterior I=1.37. Y entonces como R=V/I=3.65?.

Resistencia dinámica:

; .

Ejemplo 1.2: Un componente X tiene una curva V/I hallada experimentalmente tal y como aparece en la figura. Hallar
gráficamente la resistencia estática y la resistencia dinámica en el punto indicado.
Resistencia estática: en el punto V=7.5 I=0.1. Por tanto R=75?.

Resistencia dinámica: es la pendiente de la recta tangente en el punto. En este caso:

1.5 POTENCIA ELECTRICA

Consideremos un circuito eléctrico sencillo formado por una fuente de alimentación y un conductor de longitud l conectado entre sus
bornes. La fuente de alimentación genera un campo eléctrico capaz de mover los portadores de carga del material, y como
consecuencia, se crea una corriente eléctrica. La potencia necesaria para mover una carga dq a través del conductor será:

Lo que sucede es que la carga dq recibe una energía dW = dq V. Esta energía se pierde en el material, en virtud de las colisiones que
experimenta contra los átomos de él, produciendo en consecuencia energía térmica. A esta conversión de energía cinética en calor
que se da en los materiales por los que circula una corriente eléctrica se le denomina efecto Joule. Si el material presenta una
resistencia R, la última expresión admite diversas representaciones:

Una batería o cualquier otro aparato que proporciona energía eléctrica se conoce como fuente de fuerza electromotriz. En el caso del
circuito mencionado en este apartado, la potencia suministrada por la fuente es la misma que la consumida por el conductor, luego
puede calcularse mediante el producto de la tensión por la corriente.

1. Por un conductor de 10 m de longitud y una resistencia de 0,2 circula una corriente de 5 A.

o ¿Cuál es la diferencia de potencial en los extremos del conductor?.

o ¿Cuál es el valor del campo eléctrico del conductor?.

1. Una diferencia de potencial de 100 V produce una corriente de 3 A en una resistencia determinada.

o Valor de la resistencia.
o Corriente cuando la diferencia de potencial es de 25 V.
1. Un trozo de carbón tiene una longitud de 3.0 cm y una sección recta cuadrada de 0.5 cm de lado. Se mantiene una
diferencia de potencial de 8.4 V entre los extremos de su dimensión más larga (resistividad del carbón = 3500 x 10 -8 ·m).

o Cuál es la resistencia del bloque.

o Valor de la corriente.

1. Determinar la resistencia entre los extremos del semianillo de la figura adjunta. La resistividad del material es . La sección
es un cuadrado de altura h.

1. El espacio comprendido entre dos conductores esféricos concéntricos se llena con un material de resistividad 10 9 ·cm. Si la
corteza interior posee un radio de 1.5 cm y la exterior de 5 cm, ¿cuál es la resistencia entre los conductores?

1. Una barra de carbón de radio 0.1 mm se utiliza para construir una resistencia. La resistividad de este material es 3.5x10 -
5
·m. ¿Qué longitud de barra se necesitará para obtener una resistencia de 10 ?

1. Una resistencia de carbón de 10 k usada en circuitos electrónicos se diseña para disipar una potencia máxima de 0.25 W.

1. ¿Cuál es la corriente máxima que puede transportar esa resistencia?.

2. ¿Qué voltaje máximo puede establecerse a través de la misma?

1. Los cables eléctricos de una casa deben ser suficientemente gruesos de diámetro para que no se calienten demasiado y
provoquen un incendio. Supongamos que un alambre determinado transporta una corriente de 20 A, y se especifica que el
calentamiento por efecto Joule no debe exceder los 2 W/m. ¿Qué diámetro debe tener un alambre de cobre para que se
considere "seguro" con esa corriente? (resistividad del cobre = 1.7x10-8).

1. Se dispone de un componente no lineal, en el que la relación entre la intensidad que lo atraviesa y la diferencia de
potencial entre sus terminales viene dada por la relación I(A) = 0.1·10-3 V2. Calcular de forma aproximada la expresión
temporal de la corriente que aparecerá cuando se aplique una tensión variable en el tiempo según una función V = 10 +
sen (100··t). Representar gráficamente.

1. Un componente tiene una resistencia estática de 10 y una dinámica de 500 , para una corriente de 1 A. Si se le aplica una
corriente constante de 1 A, ¿cuál será la tensión que aparecerá entre sus terminales?.

1. Calcular la resistencia dinámica de un componente cuya resistencia estática vale R para cualquier valor de tensión.

1. Un componente eléctrico tiene la siguiente ecuación característica:

 Calcular la expresión de la resistencia dinámica.

 Expresión de la intensidad para V = -2 + 0.002 sen t
 Expresión de la intensidad para V = 2 + 0.002 sen t
 Representar gráficamente y comentar los resultados.

Datos: IS = 10-9 A; VT = 0.0259V

Tutorial de Componentes Electrónicos

Introducción

En Electrónica vamos a usar una serie de componentes o elementos que van a formar los circuitos y conviene saber identificarlos
correctamente:

 resistencias
 condensadores
 transistores
 diodos
 bobinas
 interruptores
 fusibles
 lámparas
 ...etc.

Vamos a describir los componentes más usados y además vamos a incluir algunas imágenes para conocerlos de vista.

Aprenderemos a determinar algunas características determinantes que nos ayudarán a elegir los componentes cuando diseñemos
nuestros circuitos y/o cuando vamos al comercio a comprarlos.

Las Resistencias

Las resistencias son unos elementos eléctricos cuya misión es difultar el paso de la corriente eléctrica a traves de ellas. Su
característica principal es su resistencia óhmica aunque tienen otra no menos importante que es la potencia máxima que pueden
disipar. Ésta última depende principalmente de la construcción física del elemento.

La resistencia óhmica de una resistencia se mide en ohmios, valgan las redundancias. Se suele utilizar esa misma unidad, así como
dos de sus múltiplos: el Kilo-Ohmio (1KΩ) y el Mega-Ohmio (1MΩ=106Ω).

El valor resistivo puede ser fijo o variable. En el primer caso hablamos de resistencias comunes o fijas y en el segundo de resistencias
variables, ajustables, potenciómetros y reóstatos. No centraremos en el primer tipo, las fijas.

Las resistencias fijas pueden clasificarse en dos grupos, de acuerdo con el material con el que están constituidas: "resistencias de
hilo", sólamente para disipaciones superiores a 2 W, y "resistencias químicas" para, en general, potencias inferiores a 2 W.

Resistencias de hilo o bobinadas

Generalmente están constituidas por un soporte de material aisalante y resistente a la temperatura (cerámica, esteatita, mica, etc.)
alrededor del cual hay la resistencia propiamente dicha, constituida por un hilo cuya sección y resistividad depende de la potencia y
de la resistencia deseadas.

En los extremos del soporte hay fijados dos anillos metálicos sujetos con un tornillo o remache cuya misión, además de fijar en él el
hilo de resistencia, consiste en permitir la conexión de la resistencia mediante soldadura. Por lo general, una vez construidas, se
recubren de un barniz especial que se somete a un proceso de vitrificación a alta temperatura con el objeto de proteger el hilo y
evitar que las diveras espiras hagan contacto entre sí. Sobre este barniz suelen marcarse con serigrafía los valores en ohmios y en
vatios, tal como se observa en esta figura. En ella vemos una resistencia de 250 &Omega, que puede disipar una potencia máxima de
10 vatios.
 Aquí vemos el aspecto exterior y estructura constructiva de las resistencias de alta disipación (gran potencia).
Pueden soportar corrientes relativamente elevadas y están protegidas con una capa de esmalte.

A. hilo de conexión
B. soporte cerámico
C. arrollamiento
D. recubrimiento de esmalte.

Aquí vemos otros tipos de resistencias

bobinadas, de diferentes tamaños y
potencias, con su valor impreso en el cuerpo.

La de la izquierda es de 24 Ω, 5%
(inscripción: 24R 5%)
La más pequeña es de 10 Ω, aunque no se
aprecia su inscripción en la foto.

Resistencias químicas

Las resistencias de hilo de valor óhmico elevado necesitarían una cantidad de hilo tan grande que en la práctica resultarían muy
voluminosas. Las resistencias de este tipo se realizan de forma más sencilla y económica emplenado, en lugar de hilo, carbón
pulverizado mezclado con sustancias aglomerantes.

La relación entre la cantidad de carbón y la sustancia

aglomerante determina la resistividad por centímetro,
por lo que es posible fabricar resistencias de diversoso
valores. Existen tipos de carbón aglomerado,
de película de carbón y de película metálica.
Normalmente están constituidas por un soporte
cilíndrico aislante (de porcelana u otro material
análogo) sobre el cual se deposita una capa de material
resistivo.

En las resistencias, además del valor óhmico que se

expresa mediante un código de colores, hay una
contraseña que determina la precisión de su valor
(aproximación), o sea la tolerancia anunciada por el
fabricante. Esta contraseña está constituida por un
anillo pintado situado en uno de los extremos del
cuerpo.
En la imagen de arriba vemos resistencias de película de carbón de diferentes potencias (y tamaños) comparadas con una moneda.

De izquierda a derecha, las potencias son de 1/8, ¼, ½, 1 y 2 W, respectivamente. En ellas se observan las diferentes bandas de
color que representan su valor óhmico.

Aquí abajo vemos unos ejemplos de resistencias de película de carbón y de película metálica, donde se muestra su aspecto
constructivo y su aspecto exterior:

Interpretación del código de colores en las resistencias

Las resistencias llevan grabadas sobre su cuerpo unas bandas de color que nos permiten identificar el valor óhmico que éstas poseen.
Esto es cierto para resistencias de potencia pequeña (menor de 2 W.), ya que las de potencia mayor generalmente llevan su valor
impreso con números sobre su cuerpo, tal como hemos visto antes.

En la resistencia de la izquierda vemos el método de codificación más difundido. En el cuerpo de la resistencia hay 4 anillos de color
que, considerándolos a partir de un extremo y en dirección al centro, indican el valor óhmico de este componente

El número que corresponde al primer color indica la primera cifra, el segundo color la seguna cifra y el tercer color indica el número
de ceros que siguen a la cifra obtenida, con lo que se tiene el valor efectivo de la resistencia. El cuarto anillo, o su ausencia, indica la
tolerancia.

Podemos ver que la resistencia de la izquierda tiene los colores amarillo-violeta-naranja-oro (hemos intentado que los colores
queden representados lo mejor posible en el dibujo), de forma que según la tabla de abajo podríamos decir que tiene un valor de: 4-
7-3ceros, con una tolerancia del 5%, o sea, 47000 Ω ó 47 KΩ. La tolerancia indica que el valor real estará entre 44650 Ω y
49350 Ω (47 KΩ±5%).

La resistencia de la derecha, por su parte, tiene una banda más de color y es que se trata de una resistencia de precisión. Esto
además es corroborado por el color de la banda de tolerancia, que al ser de color rojo indica que es una resistencia del 2%. Éstas
tienen tres cifras significativas (al contrario que las anteriores, que tenían 2) y los colores son marrón-verde-amarillo-naranja, de
forma que según la tabla de abajo podríamos decir que tiene un valor de: 1-5-4-4ceros, con una tolerancia del 2%, o sea, 1540000
Ω ó 1540 KΩ ó 1.54 MΩ. La tolerancia indica que el valor real estará entre 1509.2 KΩ y 1570.8 KΩ (1.54 MΩ±2%).
Por último, comentar que una precisión del 2% se considera como muy buena, aunque en la mayoría de los circuitos usaremos
resistencias del 5%, que son las más corrientes.

Código de colores en las resistencias

COLORES Banda 1 Banda 2 Banda 3 Multiplicador Tolerancia

Plata x 0.01 10%
Oro x 0.1 5%
Negro 0 0 0 x1
Marrón 1 1 1 x 10 1%
Rojo 2 2 2 x 100 2%
Naranja 3 3 3 x 1000
Amarillo 4 4 4 x 10000
Verde 5 5 5 x 100000 0.5%
Azul 6 6 6 x 1000000
Violeta 7 7 7
Gris 8 8 8
Blanco 9 9 9
--Ninguno-- - - - 20%

Nota: Estos colores se han establecido internacionalmente, aunque algunos de ellos en ocasiones pueden llevar a una confusión a
personas con dificultad de distinguir la zona de colores rojo-naranja-marrón-verde. En tales casos, quizá tengan que echar mano
en algún momento a un multímetro para saber con certeza el valor de alguna resistencia cuyos colores no pueden distinguir
claramente. También es cierto que en resistencias que han tenido un "calentón" o que son antiguas, a veces los colores pueden haber
quedado alterados, en cuyo caso el multímetro nos dará la verdad.

Otro caso de confusión puede presentarse cuando por error leemos las bandas de color al revés. Estas resistencias de aquí abajo son
las mismas que antes, pero dadas la vuelta.
En la primera, si leemos de izquierda a derecha, ahora vemos oro-naranja-violeta-amarillo. El oro no es un color usado para las
cifras significativas, así que algo va mal. Además el amarillo no es un color que represente tolerancias. En un caso extremo, la
combinación naranja-violeta-amarillo (errónea por otro lado porque la banda de tolerancia no va a la izquierda de las otras) nos
daría el valor de 370 KΩ, que no es un valor normalizado.

En la segunda, ahora vemos rojo-naranja-amarillo-verde-marrón. La combinación nos daría el valor 234000000 Ω = 234 MΩ,
que es un valor desorbitado (generalmete no suele haber resistencias de más de 10 MΩ), además de no ser un valor normalizado. Eso
sí, la resistencia tendría una tolerancia del 1% (marrón), que no tiene sentido para un valor tan alto de resistencia.

Valores normalizados de resistencias

Vamos a mostrar ahora una tabla con los valores normalizados de resistencias, que ayudará a encajarlas según valores establecidos
internacionalmente.

Tolerancia 10 % Tolerancia 5 % Tolerancia 2 %

1.0 1.0, 1.1 1.00, 1.05, 1.1, 1.15
1.2 1.2, 1.3 1.21, 1.27, 1.33, 1.40, 1.47
1.5 1.5, 1.6 1.54, 1.62, 1.69, 1.78
1.8 1.8, 2.0 1.87, 196, 2.00, 2.05, 2.15
2.2 2.2, 2.4 2.26, 2.37, 2.49, 2.61
2.7 2.7, 3.0 2.74, 2.87, 3.01, 3.16
3.3 3.3, 3.6 3.32, 3.48, 3.65, 3.83
3.9 3.9, 4.3 4.02, 4.22, 4.42, 4.64
4.7 4.7, 5.1 4.87, 5.11, 5.36
5.6 5.6, 6.2 5.62, 5.90, 6.19, 6.49
6.8 6.8, 7.5 6.81, 7.15, 7.50, 7.87
8.2 8.2, 9.1 8.25, 8.66, 9.09, 9.53
COMO SE LEEN LAS RESISTENCIAS SMD
5 JULIO 2014 INVENTABLE 98 COMENTARIOS

En este artículo describo como se leen los valores de las resistencias SMD (montaje superficial) en todas sus versiones, es decir,
con códigos numéricos de 3 cifras, de 4 cifras y también de tipo alfanumérico (EIA-96). También mostraré las dimensiones
estándar y las potencias que pueden disipar.

Códigos de tres cifras

Las resistencias más fáciles de leer son las que tienen códigos numéricos de 3 cifras. En ellas, los dos primeros dígitos son el
valor numérico mientras que el tercer dígito es el multiplicador, es decir, la cantidad de ceros que debemos agregar al valor. Es
un sistema similar al que se usa con los capacitores y que explico en mi artículo "Como se leen los valores de los capacitores".
Veamos un ejemplo: una resistencia con el número 472 es de 4.700 ohms o (4,7K) porque al número "47" (los dos primeros
dígitos) debemos agregar 2 ceros (el número "2" del tercer dígito). En la figura siguiente les muestro gráficamente el sistema con
algunos ejemplos de valores comunes.
Códigos de tres cifras en resistencias con valores menores de 10 ohms
Con el sistema descripto anteriormente, el valor de resistencia menor que podemos codificar es de 10 ohms y que equivale al
código "100" (10 + ningún cero). Con valores de resistencia menores de 10 ohms, es necesario encontrar otra solución porque en
lugar de agregar ceros deberíamos dividir el valor de los dos primeros dígitos. Para resolver la cuestión, los fabricantes usan la
letra "R" que equivale a una coma.
Por ejemplo, una resistencia con el código 4R7 equivale a 4,7 ohms porque reemplazamos la "R" con una coma. Si el valor de
resistencia es menor de 1 ohm, usamos el mismo sistema de la letra "R", poniendo la R como primer número. Por ejemplo, R22
equivale a 0,22 ohms. Como ven, es bastante fácil.

Códigos de cuatro cifras (resistencias de precisión)

En el caso de las resistencias de precisión, los fabricantes han creado otro sistema de codificación compuesto por números de 4
cifras. En él, los tres primeros dígitos son el valor numérico mientras que el cuarto dígito es el multiplicador, es decir, la cantidad
de ceros que debemos agregar al valor. El hecho de disponer de tres dígitos para codificar el valor nos permite una mayor
variedad y precisión de los valores.

Códigos de cuatro cifras en resistencias con valores menores de 100 ohms

Con el sistema de 4 cifras, el valor de resistencia menor que podemos codificar es de 100 ohms y que equivale al código "1000"
(100 + ningún cero). Con valores de resistencia menores de 100 ohms, los fabricantes han optado por la misma solución del
sistema a 3 cifras y que consiste en agregar una letra "R" en lugar de la coma.
Código EIA-96 (resistencias de precisión)
Recientemente, los fabricantes han introducido para las resistencias de precisión, un nuevo sistema de códigos llamado EIA-96
que es bastante complicado de descifrar si no tenemos la tabla de referencia. Me explico mejor, en los códigos de tres y cuatro
cifras que hemos visto, el número impreso dispone de toda la información necesaria para conocer el valor de resistencia. Por el
contrario en el EIA-96 las primeras dos cifras del número leído es un número índice de una tabla en la que encontraremos el valor
equivalente mientras que la letra final equivale al multiplicador.
Para reconocer si una resistencia esta codificada en EIA-96, generalmente basta fijarse si el código tiene una letra al final. Por
motivos que personalmente desconozco, el multiplicador 0,01 (resistencias con valores entre 1 ohm y 9,9 ohms) se puede
codificar con la letra Y o también con la letra R. Lo mismo sucede con el multiplicador 0,1 (resistencias entre 10 ohms y 99
ohms) que se puede codificar con la letra X o también con la letra S. En la figura les muestro la tabla completa para decodificar
las resistencias EIA-96.

Ejemplos prácticos de EIA-96

En la figura podemos observar algunos ejemplos prácticos de este tipo de codifica.

Tolerancias de las resistencias

Como han podido observar en los tres sistemas de codificación que hemos visto, los fabricantes no han previsto ningún modo de
indicar la tolerancia de las resistencias (la cuarta franja de color en las resistencias comunes). Aunque si existen excepciones a la
regla, las resistencias codificadas con números de 3 cifras tienen una tolerancia del 5% mientras que las resistencias con números
de 4 cifras y también las resistencias codificadas con EIA-96 tienen una tolerancia del 1%.

Potencia de las resistencias

Como en el caso de las resistencias con patitas, la potencia de las resistencias SMD depende de las dimensiones de estas. La más
pequeña, que es el modelo 0201 tiene dimensiones realmente reducidas (0,6mm x 0,3mm) y su potencia es de 1/20W o sea
0,05W.
Las resistencias SMD con potencia de 1/4W son del modelo 1210, con dimensiones de 3,2mm x 2,5mm. En la tabla pueden ver
los distintos modelos con las respectivas potencias.

Los Condensadores

Básicamente un condensador es un dispositivo capaz de

almacenar energía en forma de campo eléctrico. Está formado
por dos armaduras metálicas paralelas (generalmente de
aluminio) separadas por un material dieléctrico.
Va a tener una serie de características tales
como capacidad, tensión de
trabajo, tolerancia y polaridad, que deberemos aprender a
distinguir
Aquí a la izquierda vemos esquematizado un condensador, con
las dos láminas = placas = armaduras, y el dieléctrico entre
ellas. En la versión más sencilla del condensador, no se pone
nada entre las armaduras y se las deja con una cierta
separación, en cuyo caso se dice que el dieléctrico es el aire.
  Capacidad: Se mide en Faradios (F), aunque esta unidad resulta tan grande que se suelen utilizar varios de los
submúltiplos, tales como microfaradios (µF=10-6 F ), nanofaradios (nF=10-9 F) y picofaradios (pF=10-12 F).
 Tensión de trabajo: Es la máxima tensión que puede aguantar un condensador, que depende del tipo y grososr del
dieléctrico con que esté fabricado. Si se supera dicha tensión, el condensador puede perforarse (quedar cortocircuitado)
y/o explotar. En este sentido hay que tener cuidado al elegir un condensador, de forma que nunca trabaje a una tensión
superior a la máxima.
 Tolerancia: Igual que en las resistencias, se refiere al error máximo que puede existir entre la capacidad real del
condensador y la capacidad indicada sobre su cuerpo.
 Polaridad: Los condensadores electrolíticos y en general los de capacidad superior a 1 µF tienen polaridad, eso es, que se
les debe aplicar la tensión prestando atención a sus terminales positivo y negativo. Al contrario que los inferiores a 1µF, a
los que se puede aplicar tensión en cualquier sentido, los que tienen polaridad pueden explotar en caso de ser ésta la
incorrecta.

Tipos de condensadores

Vamos a mostrar a continuación una serie de condensadores de los más típicos que se pueden encontrar. Todos ellos están
comparados en tamaño a una moneda.

Electrolíticos. Tienen el dieléctrico formado por papel impregnado en electrólito. Siempre tienen polaridad, y una capacidad superior
a 1 µF. Arriba observamos claramente que el condensador nº 1 es de 2200 µF, con una tensión máxima de trabajo de 25v.
(Inscripción: 2200 µ / 25 V).
Abajo a la izquierda vemos un esquema de este tipo de condensadores y a la derecha vemos unos ejemplos de condensadores
electrolíticos de cierto tamaño, de los que se suelen emplear en aplicaciones eléctricas (fuentes de alimentación, etc...).

1.
1. Electrolíticos de tántalo o de gota. Emplean como dieléctrico una finísima película de óxido de tantalio amorfo , que con
un menor espesor tiene un poder aislante mucho mayor. Tienen polaridad y una capacidad superior a 1 µF. Su forma de
gota les da muchas veces ese nombre.
2. De poliester metalizado MKT. Suelen tener capacidades inferiores a 1 µF y
tensiones de trabajo a partir de 63v. Más abajo vemos su estructura: dos
láminas de policarbonato recubierto por un depósito metálico que se bobinan
juntas. Aquí al lado vemos un detalle de un condensador plano de este tipo,
donde se observa que es de 0.033 µF y 250v. (Inscripción: 0.033 K/ 250 MKT).

3. De poliéster. Son similares a los anteriores, aunque con un proceso de fabricación algo diferente. En ocasiones este tipo
de condensadores se presentan en forma plana y llevan sus datos impresos en forma de bandas de color, recibiendo
comúnmente el nombre de condensadores "de bandera". Su capacidad suele ser como máximo de 470 nF.

1. De poliéster tubular. Similares a los anteriores, pero enrollados de forma normal, sin aplastar.

2. Cerámico "de lenteja" o "de disco". Son los cerámicos más corrientes. Sus valores de capacidad están comprendidos
entre 0.5 pF y 47 nF. En ocasiones llevan sus datos impresos en forma de bandas de color.
Aquí abajo vemos unos ejemplos de condensadores de este tipo.
 3. Cerámico "de tubo". Sus valores de capacidad son del orden de los picofaradios y generalmente ya no se usan, debido a
la gran deriva térmica que tienen (variación de la capacidad con las variaciones de temperatura).

Identificación del valor de los condesadores

Codificación por bandas de color

Hemos visto que algunos tipos de condensadores llevan sus datos impresos codificados con unas bandas de color. Esta forma de
codificación es muy similar a la empleada en las resistencias, en este caso sabiendo que el valor queda expresado en picofaradios
(pF). Las bandas de color son como se observa en esta figura:

 En el condensador de la izquierda vemos los siguientes datos:

verde-azul-naranja = 56000 pF = 56 nF (recordemos que el "56000" está expresado en pF). El color negro indica una
tolerancia del 20%, tal como veremos en la tabla de abajo y el color rojo indica una tensión máxima de trabajo de 250v.
 En el de la derecha vemos:
amarillo-violeta-rojo = 4700 pF = 4.7 nF. En los de este tipo no suele aparecer información acerca de la tensión ni la
tolerancia.

Código de colores en los condesadores

COLORES Banda 1 Banda 2 Multiplicador Tensión

Negro -- 0 x1
Marrón 1 1 x 10 100 V.
Rojo 2 2 x 100 250 V.
Naranja 3 3 x 1000
Amarillo 4 4 x 104 400 V.
 Verde 5 5 x 105
Azul 6 6 x 106 630 V.
Violeta 7 7
Gris 8 8
Blanco 9 9

COLORES Tolerancia (C > 10 pF) Tolerancia (C < 10 pF)

Negro +/- 20% +/- 1 pF
Blanco +/- 10% +/- 1 pF
Verde +/- 5% +/- 0.5 pF
Rojo +/- 2% +/- 0.25 pF
Marrón +/- 1% +/- 0.1 pF

Codificación mediante letras

Este es otro sistema de inscripción del valor de los condensadores sobre su cuerpo. En lugar de pintar unas bandas de color se
recurre también a la escritura de diferentes códigos mediante letras impresas.

A veces aparece impresa en los condensadores la letra "K" a continuación de las letras; en este caso no
se traduce por "kilo", o sea, 1000 sino que significa cerámico si se halla en un condensador de tubo o
disco.

Si el componente es un condensador de dieléctrico plástico (en forma de paralelepípedo), "K" significa

tolerancia del 10% sobre el valor de la capacidad, en tanto que "M" corresponde a tolerancia del 20% y
"J", tolerancia del 5%.

LETRA Tolerancia
"M" +/- 20%
"K" +/- 10%
"J" +/- 5%

Detrás de estas letras figura la tensión de trabajo y delante de las mismas el valor de la capacidad indicado con cifras. Para expresar
este valor se puede recurrir a la colocaión de un punto entre las cifras (con valor cero), refiriéndose en este caso a la unidad
microfaradio (µF) o bien al empleo del prefijo "n" (nanofaradio = 1000 pF).

Ejemplo: un condensador marcado con 0,047 J 630 tiene un valor de 47000 pF = 47 nF, tolerancia del 5% sobre dicho valor y
tensión máxima de trabajo de 630 v. También se podría haber marcado de las siguientes maneras: 4,7n J 630, o 4n7 J 630.
Código "101" de los condensadores

Por último, vamos a mencionar el código 101 utilizado en los condensadores cerámicos como alternativa al código de colores. De
acuerdo con este sistema se imprimen 3 cifras, dos de ellas son las significativas y la última de ellas indica el número de ceros que se
deben añadir a las precedentes. El resultado debe expresarse siempre en picofaradios pF.
Así, 561 significa 560 pF, 564 significa 560000 pF = 560 nF, y en el ejemplo de la figura de la derecha, 403 significa 40000 pF = 40
nF.

Ejercicios prácticos

...y en esta nueva ocasión vamos a poner a prueba los conceptos explicados anteriormente. Vamos a presentar una serie de
condensadores elegidos al azar del cajón para ver si son capaces de identificar sus datos correctamente, ok?

0,047 J 630
403
C=47 nF 5%
C=40 nF
V=630 V.

0,068 J 250
47p
C=68 nF 5%
C=47 pF
V=250 V.

22J 2200
C=22 pF 5% C=2.2 nF

10K +/-10%
3300/10 400 V
400 V
C=3.3 nF 10%
C=10 nF 10%
V=400 V.
V=400 V
 amarillo-
330K 250V
violeta-naranja-
C=0.33 µF
negro
V=250 V.
C=47 nF 20%

0,1 J 250
n47 J
C=0.1 µF 5%
C=470 pF 5%
V=250 V.

verde-azul-
naranja-negro- µ1 250
rojo C=0.1 µF
C=56 nF 20% V=250 V.
V=250 V.

22K 250 V
n15 K
C=22 nF
C=150 pF 10%
V=250 V.

azul-gris-rojo y
marron-negro-
amarillo-violeta-rojo
naranja
C=4.7 nF
C1=8.2 nF
C2=10 nF

amarillo-violeta-rojo, rojo-
negro-marrón y amarillo-
.02µF 50V
violeta-marrón
C=20 nF
C1=4.7 nF
V=50 V.
C2=200 pF
C3=470 pF

OTRA CLASE DE CONDENSADORES Y SUS MEDIDAS

COMO SE LEEN LOS VALORES DE LOS CAPACITORES

15 SEPTIEMBRE 2012 INVENTABLE 219 COMENTARIOS
Hoy hablaremos de como leer el valor de los capacitores (o condensadores) para circuitos impresos tradicionales (con
perforaciones).
Aunque si el sistema descripto puede ser usado también con los componentes a montaje superficial, algunas indicaciones como
por ejemplo la tolerancia y también la tensión de trabajo, en estos últimos no se encuentra escrita.

Existe una codificación precisa para indicar el valor de las resistencias, el famoso sistema de las bandas de color. Por el contrario,
con los capacitores (o condensadores), los fabricantes usan distintos métodos creando a veces un poco de confusión.

Foto de un capacitor electrolítico en

el que podemos observar claramente el valor de capacidad y la tensión máxima de trabajo

Para valores mayores de 1uF (como por ejemplo con los electrolíticos de aluminio o de tantalio) generalmente escriben el valor
en el cuerpo seguido por la abreviación de microfarad (uF). Para valores por debajo de 1 uF (1 microfarad) el tema es menos
claro. Generalmente se usa una codificación que consiste en un numero de tres dígitos seguido por una letra.
 Capacitores poliester para alta
tensión

Antes que los puristas se lamenten, aclaro que la abreviación correcta del microfarad es el símbolo griego micro (µ) seguido por
la letra F mayúscula. Debido a que generalmente cuando uno escribe un texto, no tiene a disposición los símbolos griegos en el
teclado o también para evitar que en los distintos pasajes y codificaciones con distintos sets de caracteres a través de internet, este
símbolo no sea transcripto erróneamente se tiende a reemplazarlo por la letra minúscula "u" aunque si no debemos olvidar que
estamos hablando siempre de la letra " µ " (micro). Otro caso de este tipo es el símbolo Ω (ohm) que a veces se reemplaza con la
letra "E" o, frecuentemente, no se escribe.

Capacitores para altísima tensión

(12.000V) de 2nF
Como dicho al inicio, a excepción de los capacitores electrólitos que generalmente superan ampliamente el valor de 1 microfarad,
el universo de los capacitores usados en electrónica está compuesto por capacitores con valores que van desde pocos picofarad o
pF (capacitores cerámicos o disco que parecen lentejas) hasta los cercanos a 1 microfarad o 1 µF (poliester multiestrato).

Antes de seguir, refresquemos un poco el tema de los submúltiplos. Un pF (picofarad) es el submúltiplo más pequeño que existe
para indicar en modo "práctico" la capacidad. Digo práctico porque existen submúltiplos todavía más pequeños (femto, atto,
zepto y yocto) pero no son usados en electrónica. 1 picofarad es 1.000.0000 (1 millón) de veces más pequeño de 1 microfarad (µ
F). El motivo por el cual los padres de la electricidad y de la electrónica nos han complicado así la vida creando una unidad tan
grande (el farad) que nos obliga a trabajar con semejantes submúltiplos es un misterio para mi, quizás algún lector sabe la
respuesta y me la puede ilustrar en los comentarios o en el foro :).

Típico capacitor de 100nF usado en

la mayor parte de los proyectos de inventable

A mitad camino entre el picofarad y el microfarad existe otro submúltiplo muy usado que se llama nanofarad y que es 1.000
veces más grande que 1 picofarad y 1000 veces más pequeño de un microfarad (justo a mitad del camino). Recordarse esta
relación es importante porque con valores relativamente grandes de capacitores, por ejemplo uno de 1 uF, hablar de él en una
descripción como "el capacitor de 1 millon de pF" es medio incomodo y lo mismo vale para un capacitor de 18pF (usado
normalmente en los generadores de clock de los microcontroladores) si para indicarlo usáramos el valor 0,000018 uF, (algo
bastante ilegible). Por lo tanto, aconsejo a los iniciados en electrónica de recordarse bien la conversión "al vuelo" entre los tres
múltiplos (micro, nano y pico).
 Ejemplos de valores típicos

Volviendo al sistema de codificación para capacitores entre 1pF y 1uF (la casi totalidad de los capacitores a excepción de los
electrolíticos), decíamos que el valore se encuentra indicado con un número de tres dígitos seguido por una letra. Las dos
primeros dígitos indican el número inicial mientras que el tercer dígito representa la cantidad de ceros que es necesario agregar al
número inicial para obtener el valor final. El resultado obtenido es necesario considerarlo en picofarad.

Tres
ejemplos de codificación. En el primer diseño se observa solo el valor en pF, en el segundo se encuentra indicada
también la tolerancia mientras que en el tercero podemos observar el valor, la tolerancia y la tensión máxima de
trabajo

Por ejemplo: una capacitor con el número "472" es de 47 + 2 ceros, o sea 4700 pF (picofarad). Debido a que hemos superado los
1000 picofarad podemos "pasar" de submúltiplo y entonces podemos decir que nuestro capacitor es de 4,7nF. En este caso no nos
conviene usar la unidad micro porque el valor no sería fácil de leer (0,0047uF). Con valores más grandes, como por ejemplo los
usadísimos capacitores de filtro con el número 104, es decir, 10 + 4 ceros = 100.000 pF o también 100nF, es común que los
proyectistas de circuitos usen la indicación 0,1 uF o .1uF (punto uno uF).
 Capacitor de 100nF, +/-5% de
tolerancia y 100V de tensión máxima de trabajo

Ahora hablemos de la letra que se encuentra al final del número de tres dígitos. Es simplemente la tolerancia del componente, es
decir, cuanto puede ser diverso el valor real respecto al valor indicado. Confieso que, por mucho tiempo no tenía la menor idea de
su función y lo he descubierto después de muchos años de electrónica. Probablemente porque trabajando "normalmente" es un
parámetro no muy importante. En la figura siguiente podemos observar cada letra a que tolerancia corresponde. Es interesante
observar el hecho que algunas letras corresponden a "tolerancias asimétricas" como por ejemplo la "P", es decir, el componente
puede tener una mayor capacidad respecto a la indicada pero no una menor. Este tipo de tolerancia es usada con los capacitores
de "filtro" donde un posible valor mayor de lo indicado no perjudica mínimamente el funcionamiento del circuito.
 Tablas de tolerancia y de tensión
máxima de trabajo

Por último nos falta una información que en ciertos caso podría sernos útiles y que es la tensión máxima que el capacitor puede
soportar sin que se rompa. Como sabemos, un capacitor está compuesto por una serie de placas metálicas aisladas entre si. Este
material aislante es muy sutil, especialmente en el caso de capacitores de valores grandes. Por otro lado, si la tensión es elevada,
existe el riesgo que un arco eléctrico traspase el aislamiento eléctrico entre las placas rompiéndolo y poniendo el capacitor en
corto. Por este motivo, el material aislante usado está pensado para trabajar hasta un cierto nivel de tensión máxima y que, en
ciertos casos nos sirve saber.

Dimensiones de dos capacitores de

220nF, el de la izquierda de 50V mientras que el de la derecha de 630V
Un ejemplo clásico de lo dicho son los capacitores usados para encender leds con 110V o 220V que he describo en algunos
artículos del blog. Estos tiene que trabajar con tensiones elevadas y por lo tanto son mucho más voluminosos que los capacitores
de los mismos valores de capacidad pero con tensión de aislamiento eléctrico más baja como podemos observar en la fotografía.

Muchas veces, la tensión máxima de trabajo la podemos encontrar escrita claramente, especialmente en los capacitores
proyectados para trabajar con tensiones elevadas como podemos ver aquí, en algunas fotografías de este artículo. Otra veces, el
valor de tensión directamente no se indica. Sucede a menudo con los capacitores usados en circuitos de baja tensión. Estos
capacitores soportan tensiones entre 50V y 100V, bastante por encima de las típicas tensiones de trabajo de 12V/18V. Por último,
y no menos importante, existe una codificación numérica que usan algunos fabricantes y que consiste en un número seguido por
una letra. En el diseño en el cual se encuentra la tabla de las tolerancias, podemos ver también la tabla de las tensiones máximas
de trabajo.

Como todo lo relacionado con la tecnología, nada es absoluto y por lo tanto, siempre aparece un productor de componentes
"fuera de los estándares" que usa sistemas de indicación de los valores distintos a los que hemos descrito. De cualquiera manera,
en líneas generales la descripción de este artículo, se adapta bastante bien (a veces con pequeñas variaciones) a la mayor parte de
los capacitores en comercio.

Para terminar, existen otros parámetros de los capacitores como por ejemplo la calidad del aislamiento eléctrico y también el
coeficiente térmico (cuanto aumenta o disminuye la capacidad en base a la temperatura), argumentos que van más allá del
objetivo de este artículo.

Los invito a visitar la página con la "Calculadora de códigos para capacitores" donde podrán experimentar lo explicado en este
artículo.
Hasta la próxima!!

Actualizacion del 1/9/2014

Gracias a la observación del lector Victor Acuña, les muestro la tabla completa de los códigos EIA que indican la tensión máxima
de trabajo de los capacitores en tensión continua (VDC)

0G = 4VDC 0L = 5.5VDC 0J = 6.3VDC

1A = 10VDC 1C = 16VDC 1E = 25VDC

1H = 50VDC 1J = 63VDC 1K = 80VDC

2A = 100VDC 2Q = 110VDC 2B = 125VDC

2C = 160VDC 2Z = 180VDC 2D = 200VDC

2P = 220VDC 2E = 250VDC 2F = 315VDC

2V = 350VDC 2G = 400VDC 2W = 450VDC

2H = 500VDC 2J = 630VDC 3A = 1000VDC

Los Transistores
Los transistores son unos componentes que han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos electrónicos de reducido tamaño,
gran versatilidad y facilidad de control.

Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores
de radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de segundos, televisores en color...
Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30
segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de
lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)

Los transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo
del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen también 3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y
Sumidero (Sink), que igualmentedependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Tipos de transistores. Simbología

Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de las apliaciones a las que se destinan. Aquí abajo mostramos
una tabla con los tipos de uso más frecuente y su simbología:
 Transistor Bipolar de Unión (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unión

(JFET)

Transistor de Efecto de Campo, de Metal-

Óxido-Semiconductor (MOSFET)

Fototransistor

Nota: En un esquema electrónico, los transistores se representan mediante su símbolo, el número de transistor (Q1, Q2, ...) y
el tipo de transistor, tal como se muestra aquí:

Aquí podemos ver una selección de los transistores más típicos, mostrando su encapsulado y distribución de patillas. (Para ver la
imágen en grande se puede hacer click sobre ella).

Encapsulado de transistores

Ahora vamos a ver los transistores por fuera. Están encapsulados de diferentes formas y tamaños, dependiendo de la función que
vayan a desempeñar. Hay varios encapsulados estándar y cada encapsulado tiene una asignación de terminales que puede
consultarse en un catálogo general de transistores.
Independientemente de la cápsula que tengan, todos los transistores tienen impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la referencia
que indica el modelo de transistor. Por ejemplo, en los transistores mostrados a la derecha se observa la referencia "MC 140".

Cápsula TO-3. Se utiliza para

transistores de gran potencia,
que siempre suelen llevar un
radiador de aluminio que
ayuda a disipar la potencia que
se genera en él.
Arriba a la izquierda vemos su
distribución de terminales,
observando que el colector es
el chasis del transistor. Nótese
que los otros terminales no
están a la misma distancia de
los dos agujeros.
A la derecha vemos la forma
de colocarlo sobre un radiador,
con sus tornillos y la mica
aislante. La función de la mica
es la de aislante eléctrico y a la
vez conductor térmico. De esta
forma, el colector del transistor
no está en contacto eléctrico
con el radiador.
Cápsula TO-220. Se utiliza
para transistores de menos
potencia, para reguladores de
tensión en fuentes de
alimentación y para tiristores y
triacs de baja potencia.
Generalmente necesitan un
radiador de aluminio, aunque a
veces no es necesario, si la
potencia que van a disipar es
reducida.
Abajo vemos la forma de
colocarle el radiador y el
tornillo de sujección. Se suele
colocar una mica aislante entre
el transistor y el radiador, así
como un separador de plástico
para el tornillo, ya que la parte
metálica está conectada al
terminal central y a veces no
interesa que entre en contacto
eléctrico con el radiador.

Cápsula TO-126. Se utiliza en

transistores de potencia
reducida, a los que no resulta
generalmente necesario
colocarles radiador.
Arriba a la izquierda vemos la
asignación de terminales de un
transistor BJT y de un Tiristor.
Abajo vemos dos transistores
que tienen esta cápsula
colocados sobre pequeños
radiadores de aluminio y
fijados con su tornillo
correspondiente.

Cápsula TO-92. Es muy

utilizada en transistores de
pequeña señal.
En el centro vemos la
asignación de terminales en
algunos modelos de
transistores, vistos desde
abajo.
Abajo vemos dos transistores
de este tipo montados sobre
una placa de circuito impreso.
Nótese la indicación "TR5" de
la serigrafía, que indica que en
ese lugar va montado el
transistor número 5 del
circuito, de acuerdo al
esquema eléctrónico.

Cápsula TO-18. Se utiliza en

transistores de pequeña señal.
Su cuerpo está formado por
una carcasa metálica que tiene
un saliente que indica el
terminal del Emisor.
 Cápsula miniatura. Se utiliza
en transistores de pequeña
señal. Al igual que el anterior,
tienen un tamaño bastante
pequeño.

Para más información acerca del encapsulado de los transistores, hemos colocado aquí estas hojas de características. En ellas se
observan la forma y dimensiones de los diferentes tipos de transistores.

TUTORIAL DE FUENTES DE ALIMENTACIÓN

(parte 1)
INTRODUCCIÓN:

Los diodos son dispositivos electrónicos cuyo funcionamiento consiste en permitir el paso de la corriente en un sentido y oponerse en
el opuesto. Vamos a ver una de las aplicaciones de los diodos gracias a esta característica. Las fuentes de alimentación son usadas
para suministrar corriente eléctrica a nuestros aparatos electrónicos pero como parten de una corriente alterna es necesario
transformarla a corriente continua. En este objetivo vamos a tener como grandes aliados a los diodos.
La fuente de alimentación, es a un dispositivo electrónico, como los "alimentos" son a los seres humanos. Es evidente que cualquier
equipo necesita de ella para funcionar. Si falla la fuente falla todo el equipo.

La forma en que está disponible la energía eléctrica de nuestros hogares no es la adecuada para los aparatos que todos conocemos:
televisores, lavadoras, heladeras, etc. Ya que la mayor parte de estos aparatos necesitan corriente continua para funcionar, mientras
que de la que disponemos en nuestros enchufes, es de corriente alterna.

Tenemos dos soluciones, la primera es usar pilas o baterías pero esto nos saldría muy caro; la segunda es transformar la corriente.
De ahora en adelante nuestro objetivo va a consistir en transformar la corriente alterna en corriente continua.

El proceso se divide en distintas etapas bien diferenciadas, como puede verse en la ilustración correspondiente. La corriente eléctrica
en "bruto" viene como corriente alterna y con tensión variable; sin embargo, tras atravesar la fuente de alimentación, obtenemos
corriente continua con tensión constante... y esta es la que nos interesa pues es la que vamos a conectar a nuestros dispositivos.

La primera etapa por la que va a tener que pasar la corriente va a ser por un transformador de potencia. Este no hace más que
elevar la diferencia de potencial o disminuirla (depende del tipo de transformador), esto se traduce en una "elongación" de su gráfica.
 Con los transformadores podemos conseguir que la tensión aumente, igual que aumenta la presión del agua al
estrecharse la manguera.

Siguiendo con la similitud entre la corriente y un chorro de agua, podemos imaginar el efecto de este primer paso, que es el
transformador, como si a una manguera por la que está circulando agua la pisáramos. Veríamos que al disminuir el ancho de la
manguera, seguiría saliendo la misma cantidad de agua, pero a mayor presión. Este ejemplo equivaldría a un transformador cuya
función fuese la de aumentar la tensión. Por el contrario un transformador que disminuyese la tensión se podría comparar con una
manguera en la que la mitad de ella tuviera una anchura, y la otra mitad tuviera una anchura mayor. El agua al pasar del trozo de
manguera más estrecho al trozo más ancho sufriría un "frenazo" en su camino de un extremo de la manguera al otro. Así entraría a
una presión y saldría a una presión menor.

El segundo paso para la corriente se conoce con el nombre de rectificador. La finalidad de éste, técnicamente hablando, se dice que
es convertir la tensión y corriente alterna en tensión y corriente "unidireccionales". En nuestro ejemplo es bien sencillo darse cuenta
de lo que esto significa; como hemos visto, la corriente alterna se puede equiparar al agua circulando ahora en este sentido... ahora
en el contrario... y así sucesivamente. Pues un rectrificador no sería más que una válvula de seguridad.

Como muestra la ilustración correspondiente donde se permite al agua circular única y exclusivamente en un sentido pero no en el
contrario. Así pues, la polaridad de la tensión que salga del rectificador va a ser siempre la misma y por tanto, a partir de aquí, ya
tenemos corriente continua. Sin embargo la tensión de que disponemos todavía no es la adecuada ya que, a pesar de no hacerse
negativa, todavía sigue oscilando entre cero, un máximo... y de nuevo cero.

En el siguiente paso, el filtro, va a ser el encargado de "apaciguar" estas oscilaciones de la tensión consiguiendo una tensión con unas
oscilaciones bastante menores. De nuevo podríamos imaginar una manguera que tuviese un trozo ancho y a continuación otro
estrecho y así de principio a fin; algo similar a una "ristra de chorizos". El agua circularía oscilando constantemente su presión, siendo
esta mayor en los trozos estrechos y menor en los anchos, pues bien, nuestro filtro sería "algo" que alisaría esas rugosidades de la
manguera consiguiendo que el agua no sufriera tan grandes cambios de presión y fluyera de una forma más continua.

Por último, podemos encontrarnos, aunque no siempre se utiliza, un regulador. La finalidad de dicho dispositivo no es otra que
atenuar más si cabe esas pequeñas variaciones de tensión que todavía se producen, proporcionando una tensión constante entre los
bornes. En nuestro ejemplo es como si por fin dispusiéramos de una manguera lisa y uniforme a través de la cual circula una
corriente de agua constante sin sufrir ningún tipo de variación en su presión ni en su caudal.

RECTIFICADORES:

A continuación, vamos a examinar cada uno de los dispositivos (etapas) con más detalle con el fin de poder llegar a un mayor
entendimiento sobre cuáles son las propiedades y características de cada uno de ellos.

Rectificador de Media Onda

El primero de los rectificadores que vamos a ver es el llamado RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA. Es el más sencillo de todos los
rectificadores y también el más barato pero, como nadie es perfecto, el rectificador de media onda tampoco lo es y tiene numerosas
desventajas que luego enumeraremos. Es uno de los menos usados cuando se requiere eficacia y buen rendimiento, pero el más
utilizado si lo que se requiere es un bajo costo.

Este circuito rectificador está formado por un solo diodo. La tensión de entrada al circuito es tensión de corriente alterna y, como
sabemos, esta tensión viene representada por una sinusoide con dos ciclos uno positivo y otro negativo. Durante el ciclo positivo el
ánodo del diodo es más positivo que el cátodo y la corriente puede circular a través del diodo. Pero cuando estamos en el ciclo
negativo, el ánodo va a ser más negativo que el cátodo y no va a estar permitido el paso de corriente por el diodo. La tensión de
salida va a ser igual que la de entrada en el primer caso, es decir, un ciclo positivo, mientras que en el segundo caso, cuando la
tensión de entrada es negativa, la de salida va a ser nula. La onda de salida ha quedado reducida a la mitad y de ahí viene el nombre
de rectificador de media onda.

Una tensión de corriente alterna tiene dos "mitades", una positiva y otra negativa, en el caso anterior hemos usado el rectificador
para anular la parte negativa y nos hemos "quedado" con la positiva. Pero también podemos "quedarnos" con la negativa,
simplemente con cambiar el sentido del diodo dentro del circuito rectificador.

Como hemos visto, la tensión de salida de un circuito rectificador de media onda se compone de un ciclo con un valor positivo igual al
de la tensión de entrada (en el caso más normal) y un ciclo con un valor nulo. Esto es la causa de que este tipo de rectificadores casi
no se usen, ya que durante un tiempo no fluye corriente alguna en la salida. El voltaje que se produce no es muy útil para hacer
funcionar nuestros aparatos, de ahí la necesidad de filtrarlo primero, no siendo muy fácil este filtrado.

Rectificador de Onda Completa con transformador de toma intermedia

Es el rectificador más usado. La gran diferencia con el rectificador de onda media es que, en este caso, obtenemos a la salida tensión
en todo instante y no tenemos intervalos de tiempo con una tensión nula como ocurría con el otro rectificador. Es un poco más caro
ya que está constituido por un número mayor de componentes pero merece la pena dada su mayor eficacia.

Estos rectificadores están constituidos principalmente por dos diodos y un transformador con toma intermedia. Para explicar su
funcionamiento tenemos que recordar que un diodo sólo permite el paso de la corriente en un sentido; en este circuito tenemos dos
diodos y cada uno de ellos va a permitir el paso a la corriente en un caso opuesto. Así, uno circulará cuando la tensión de corriente
alterna de entrada se encuentre en el ciclo positivo y, el otro, cuando se encuentre en el negativo. Pero si no tuviéramos la toma
central el circuito estaría cortado siempre, ya que cuando uno puede conducir el otro no, y viceversa, al estar colocados en sentidos
opuestos; por eso tenemos que darle una "ruta alternativa" a la corriente para que se produzca tensión de salida en los dos ciclos de
entrada.

La tensión de entrada a los circuitos de onda completa no es aprovechada en su totalidad, ya que cada uno de los diodos trabaja con
la mitad de tensión al estar la toma central en la mitad de la bobina; por eso, aunque vamos a obtener una tensión de corriente
continua a la salida, en todo instante de tiempo su valor va a ser la mitad del de la tensión de entrada.

Rectificador de Onda Completa en puente de Graetz

Con este tipo de rectificadores vamos a conseguir una tensión de salida de corriente continua en todo instante, al igual que en el
rectificador de onda completa. La ventaja de los rectificadores tipo puente es que la tensión de salida es de la misma magnitud que la
de entrada, no perdemos la mitad como ocurría en los anteriores. La desventaja es que aquí necesitamos cuatro diodos, por lo que el
costo de este tipo de circuitos es superior a los vistos anteriormente.
El rectificador puente está formado por cuatro diodos que forman un puente entre la entrada y la salida. Estos diodos están
conectados en paralelo con el transformador, y no tienen ninguna toma central como ocurría en los de onda completa, según
podemos ver en la figura anterior.

Si el ciclo de tensión de la corriente alterna es el positivo circula corriente por los diodos 1 y 2, obteniendo en la salida una tensión
igual que la de entrada. Si el ciclo de entrada es negativo circula corriente por los diodos 3 y 4, y obtenemos a la salida una tensión
igual en amplitud que la de entrada pero positiva en vez de negativa. Por tanto, en cada ciclo estamos obteniendo en la salida una
tensión de corriente continua positiva y de igual amplitud que la de entrada. Con estos rectificadores aprovechamos toda la tensión de
entrada y conseguimos una rectificación de onda completa, aunque su precio es el más elevado de todos.

Otros circuitos rectificadores que todavía no hemos nombrado son los dobladores de media onda, dobladores de onda completa y
triplicadores de voltaje.

FILTRADO:

Los condensadores como depósito de energía. Antes de pasar a ver cómo funciona un filtro debemos hacer un alto en el camino y
comentar brevemente qué son y cómo funcionan los dispositivos básicos de cualquier equipo electrónico, los condensadores.

Un condensador almacena energía eléctrica, además de circular a través de él. Algo así ocurre en un tanque de agua
convencional.

Un condensador se puede concebir como un almacén (depósito) de energía donde al ser aplicada corriente entre sus terminales éste
la va reteniendo hasta llegar a un tope que vendrá determinado por el tipo de condensador que sea. Una vez alcanzado dicho tope, se
pueden dar dos casos: El primero sería que la corriente siguiese circulando, el segundo que dejase de circular. En el primero de los
casos el condensador ya no afectaría al paso de la corriente pues al estar cargado no necesita más energía, ahora bien, si la corriente
cesara sería entonces el momento en que el condensador comenzase a "soltar" su energía, siempre y cuando tuviese a quien
"soltarla", es decir, siempre y cuando estuviese conectado a "algo". En caso de no tener a quien "soltar" esta energía almacenada,
esperaría pacientemente a que fuese conectado para cederla. Supongo que todos hemos sido avisados del peligro de "destripar"
aparatos viejos como televisores o equipos musicales, incluso estando desenchufados, pues bien, la razón de este consejo paternal se
debe precisamente a que estos aparatos poseen condensadores muy grandes, capaces de almacenar la suficiente energía como para
propiciar una descarga eléctrica nada recomendable.

Filtro de la tensión rectificada

Ya hemos visto cómo la tensión que entrega un rectificador no es del todo útil debido a su constante variación a lo largo del tiempo.
Además, sus oscilaciones van desde un valor tope, o máximo, hasta "cero" y este es otro inconveniente ya que en el momento en que
la tensión es cero, no se entrega energía alguna. Pues bien, gracias al uso de un filtro conseguiremos "alisar" esas ondulaciones en la
tensión, a fin de obtener una tensión lo más parecida a una constante; además el valor mínimo no será cero sino que tendrá un valor
algo positivo.

Como vemos en la ilustración correspondiente, hemos añadido un condensador en paralelo. En esta situación, si no se conectase nada
entre los puntos A y B (llamados carga) el condensador comenzaría a cargarse hasta llegar a su tope. Es entonces cuando nuestro
filtro ofrece una tensión constante. Esta situación sería suficiente siempre y cuando no se entregase corriente a la carga, es decir, no
se conectase algo. Pero, evidentemente, sería absurdo diseñar un dispositivo electrónico para no utilizarlo. ¿Qué pasa, cuando
conectamos algo a las salidas del filtro? Pues que cualquier aparato electrónico que se conecte necesita energía para funcionar. Y esta
energía eléctrica que necesita la va a tomar de dos partes; por un lado toma energía de la propia fuente y por otro de la que tiene
almacenada el condensador. Esto no tendría gran importancia si no fuera por el hecho de que el condensador al descargarse va
perdiendo diferencia de potencial entre sus bornes, por tanto, vuelve a bajar la tensión. Sin embargo, como la fuente está
constantemente suministrando energía eléctrica, el condensador vuelve a cargarse y la tensión por tanto vuelve a subir. Es una
oscilación de tensión que dependerá de qué cantidad de energía requiera el dispositivo conectado. No obstante, estas oscilaciones son
bastante menores que las obtenidas directamente del rectificador, así pues, su utilización está justificada.

El funcionamiento de un filtro formado por un condensador está basado en que dicho condensador puede almacenar energía. Hay otro
tipo de dispositivos capaces de almacenar la energía, son los inductores. Podemos tener un filtro formado por un inductor, un
condensador o ambos juntos.

APLICACIÓNES:

Sí, a veces no basta con rectificar una tensión alterna. El tratamiento de los diodos rectificadores se ve apoyado por otros diodos que,
convenientemente configurados, pueden limitar y recortar tensiones. Además de esto vamos a ver cómo filtrar una señal con objeto
de que se asimile lo más posible a una Corriente Continua.

La tensión alterna, o las señales alternas cualquiera que sea su tipo, se utilizan en electrónica tal cual o se tratan para adaptarse lo
más posible al tipo y magnitud de la señal requerida. Para conseguir este fin los componentes electrónicos nos ofrecen diferentes
posibilidades. Sólo tenemos que combinarlos de la forma adecuada y constituir así los circuitos de tratamiento que están ya
inventados o, ¿por qué no?, inventar nosotros algún otro circuito. En la electrónica, como en el arte, todo es cuestión de imaginación
e inventiva.

Filtros

Bajo este escueto nombre se engloban un buen número de circuitos que tienden a adecuar una tensión alterna para, por ejemplo,
utilizarla como alimentación continua de cualquier circuito. Los filtros de alimentación son sólo una de las aplicaciones de estos pero,
debido a su utilidad y simplicidad, vamos a comenzar con ellos.

Los filtros se basan en la propiedad de almacenamiento de energía que ofrecen los componentes reactivos, esto es, los condensadores
y las bobinas. Los tipos más sencillos y utilizados son los siguientes:

Filtro con condensador: Este tipo de filtros tan solo precisa de la colocación de un condensador de gran capacidad entre el diodo (o
diodos) encargado de rectificar la Corriente Alterna y la salida de la misma hacia la carga (o circuito) a alimentar (Rc). En la ilustración
correspondiente nos podemos hacer cargo de cómo se conecta este condensador.

Debido a las constantes de tiempo asociadas a las resistencias a través de las que se realizan las secuencias sucesivas de carga y
descarga del condensador se obtiene una salida de forma bastante más "plana" que la señal que obtenemos en la salida de una etapa
rectificadora.
Filtro en pi : En la ilustración correspondiente podemos observar cómo se configura en la práctica un filtro de este tipo. Como
vemos, la denominación "pi" se debe a la forma que se obtiene en el esquema que representa el citado filtro. La resistencia, junto al
par de condensadores, muestra la mencionada "pi ".

Su funcionamiento intenta proteger al diodo D de los posibles picos de intensidad debidos a una carga excesivamente brusca. Ahora
se vuelve a filtrar la resistencia R y el condensador C2 la señal obtenida ya en el tipo de filtro anterior, con lo que conseguimos
atenuar aún más las oscilaciones de la tensión que llega a la carga (Rc).

Factor de rizado

La calidad de la señal, o tensión, continua que obtenemos después de hacer pasar una señal alterna por un circuito de filtro
dependerá de la complejidad de éste. Podemos, por ejemplo, encadenar circuitos de filtro para conseguir mejores señales de salida
(que lleven menos "rizado" sobre el componente de continua).

El valor que determina esta calidad se conoce como factor de rizado o, más simplemente, rizado. Si tenemos una tensión continua,
cuyo valor llamamos VDC, e incorpora sobre ella una tensión de rizado a cuyo valor pico a pico (así denominamos la medida de una
tensión sinusoidal cuando nos referimos a la máxima distancia entre el pico superior y el inferior de la misma) llamamos V AC, el valor
del factor de rizado (Fr) será:

Circuitos limitadores

Los circuitos limitadores (o recortadores) hacen uso de los diodos pero de un modo distinto al que hemos estudiado desde el punto de
vista de la rectificación. Desde una óptica práctica, podemos dividir a los recortadores en recortadores serie, recortadores paralelo y
recortadores polarizados paralelo.

Recortador serie: La posibilidad de colocar el diodo serie en uno u otro sentido posibilita que "recortemos" semiciclos positivos o
negativos.

Recortador paralelo: Este tipo de recortador varía la posición del diodo pero basa su operativa en similares premisas.

Recortador polarizado: Esta clase de recortados utiliza una segunda polarización en serie con el diodo paralelo recortador. Esto se
traduce en que el límite de conducción se ve incrementado, mientras que el valor absoluto de V P (segunda polarización) será mayor
que el valor absoluto de la tensión alterna de entrada (VAC). En la ilustración correspondiente vemos un recortador polarizado negativo
y un recortador doble que utiliza dos polarizaciones contrarias sobre dos diodos (Va y Vb).
El diodo zener como regulador de tensión

Al colocar un diodo tipo zener intercalado en un circuito la carga a alimentar (R c) y el condensador de filtro (Cf), se origina una
regulación real de tensión en la alimentación de la carga. Esto se debe a que estos diodos zener se fabrican de forma específica para
que se comporten como un diodo normal si no se alcanza la tensión zener (ya comentada) y responden, con una elevada corriente
ante pequeñas variaciones de tensión si trabajamos en esa zona.

La utilización de esta característica hace que el diodo realice una regulación de tensión.

Dicha tensión es indicada en la cápsula del mismo y viene prefijada de fábrica.

De todos modos el diodo necesita el concurso de una resistencia limitadora para configurar totalmente la etapa "reguladora". El
cálculo de dicha resistencia es sencillo si aplicamos la fórmula siguiente:

Siendo:

V: Tensión en la salida del filtro (Cf)

VZ: Tensión zener o tensión de salida

IC: Corriente que circula por la carga.

IZ: Corriente que circula por el zener

(IZ = 20 % IC)

Por ejemplo, si deseamos estabilizar a 12 V una tensión de entrada de 18 V y si la carga consume 100 mA tenemos que:

Si aplicamos la Ley de Ohm podemos deducir que la potencia de la resistencia y del diodo zener deberán ser de:

Dobladores de tensión

Existe un método que hace uso de los diodos y del efecto capacidad a fin de duplicar (o triplicar, cuadriplicar, etc.) una tensión dada
pero con el inconveniente de no poder manejar una intensidad elevada, es decir, se eleva la tensión pero solo se puede utilizar estas
para consumos pequeños.
En la ilustración anterior, podemos ver un circuito doblador de tensión. Como vemos este circuito también hace uso de la propiedad
de almacenamiento de energía de los condensadores así como del efecto de circulación en un solo sentido de que gozan los diodos.

Su funcionamiento comienza con la carga de C1 a la tensión Ve cuando D1 se polariza directamente, tal y como se ve en la gráfica,
debido al semiciclo negativo de entrada. En el ciclo siguiente D 1 se polariza inversamente, D2 lo hace de forma directa y así se obtiene
la carga de C2, pero esta vez la carga se hace a una tensión que es la suma de la almacenada en C1 y la proporcionada por Ve, es
decir, C2 se carga a una tensión 2 x Ve ó, lo que es igual, en bornes de C2 se obtiene una tensión doble a la de entrada del circuito.

Este tipo de circuitos se puede encadenar en cascada y lograr así, por ejemplo, triplicadores de tensión, los cuales son muy utilizados
en la polarización de los TRC de los televisores, pero... eso es ya otra historia.

EL DIODO

1 INTRODUCCION
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus terminales en un determinado sentido,
mientras que la bloquea en el sentido contrario.

En la Figura 1 se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido
permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1: Símbolo y curva característica tensión-corriente del diodo ideal.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado
sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del símbolo circuital, representada en la figura 1, indica el
sentido permitido de la corriente.

 presenta resistencia nula.

 presenta resistencia infinita.

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo en circuito sencillo.

Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal.

Según está colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario.

En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulación, ya que la corriente entra por el ánodo, y éste se comporta como un
interruptor cerrado. Debido a esto, se produce una caída de tensión de 10V en la resistencia, y se obtiene una corriente de 5mA.

En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportándose como un interruptor abierto, y la caída de tensión en
la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo.

2 DIODO DE UNION PN
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales semiconductores de características opuestas, es decir, uno
de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el resto del circuito. En la
Figura 3: se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.
 Figura 3: Esquemas de diodos de unión PN

El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de comportamiento con respecto al diodo
ideal.

En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formación de los diodos de semiconductores para pasar después a
exponer el comportamiento eléctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal.

2.1 Formación de la unión PN

Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera nítida, definida por un plano.
Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene
introduciendo átomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes
de átomos del grupo V (fósforo). En ambos casos se tienen también portadores de signo contrario, aunque en una concentración
varios órdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura 4: Impurificación del silicio para la obtención de diodos PN

En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen
distribuciones de carga neta, ni campos eléctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentración de
portadores, entra en juego el mecanismo de la difusión. Como se recordará, este fenómeno tiende a llevar partículas de donde hay
más a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos zonas la cruzan y se instalan en
la zona contraria, es decir:

 Electrones de la zona N pasan a la zona P.

 Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrémonos en la región de la zona P cercana a la unión:

1. El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el
electrón la carga total era nula.
 2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que también aparece
una carga negativa.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unión se
va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

Figura 5: Formación de la unión PN

En el ejemplo del capítulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las dos estancias de la caja y formar una mezcla
uniforme. Sin embargo, a diferencia de lo que ocurre con los gases de aquel ejemplo, en este caso están difundiendo partículas
cargadas. La distribución de cargas formada en la región de la unión provoca un campo eléctrico desde la zona N a la zona P. Este
campo eléctrico se opone al movimiento de portadores según la difusión, y va creciendo conforme pasan más cargas a la zona
opuesta. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento está
ya formado el diodo de unión PN, y como resultado del proceso se ha obtenido:

 Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.

 Zona N, semiconductora, con una resistencia .

 Zona de agotamiento (deplección): No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella actúa un
campo eléctrico, o bien entre los extremos actúa una barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y
no necesita de ningún aporte de energía, excepto el de la agitación térmica.

2.2 Polarización directa

El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el establecimiento de una corriente eléctrica entre sus
terminales puesto que la zona de deplección no es conductora.

Figura 6: Diodo PN durante la aplicación de una tensión inferior a la de barrera

Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión,
provocando un estrechamiento de la zona de deplección (Figura 7). Sin embargo, mientras ésta exista no será posible la conducción.

Figura 7: Diodo PN bajo la acción de una tensión mayor que la de barrera

Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de deplección y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal,
lo que sucede es lo siguiente (Figura 7):

1. Electrones y huecos se dirigen a la unión.

2. En la unión se recombinan.

En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensión positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en
directa porque se inunda de cargas móviles la zona de deplección.

La tensión aplicada se emplea en:

 Vencer la barrera de potencial.

 Mover los portadores de carga.

2.3 Polarización inversa

Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores
mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de deplección.
Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 8).

Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo está en directa para los minoritarios, que
son atraídos hacia la unión. El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida
en polarización directa para los mismos niveles de tensión.

Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa

Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de deplección, al igual que sucede en un
material aislante: el campo eléctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los
átomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva necesariamente la
destrucción del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles admisibles).

2.4 Característica tensión-corriente

La Figura 9 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.

Figura 9: Característica V-I de un diodo de unión PN.

En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento explicadas en el apartado anterior:

 Región de conducción en polarización directa (PD).

o Región de corte en polarización inversa (PI).
o Región de conducción en polarización inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no se alcanza la tensión de barrera (VON). El paso de
conducción a corte no es instantáneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta quedar limitada sólo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unión
aumenta rápidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sitúa en torno a 0,7 V.

Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles
de tensión que en directa, hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta.

2.5 Diferencias entre el diodo de unión PN y el diodo ideal

Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son:

1. La resistencia del diodo en polarización directa no es nula.

2. La tensión para la que comienza la conducción es V ON.
3. En polarización inversa aparece una pequeña corriente.
4. A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en coducción por avalancha.

En la Figura 10 vemos representadas más claramente estas diferencias entre los comportamientos del diodo de unión PN e ideal.
 Figura 10: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unión PN y del diodo ideal

2.6 Principales características comerciales

A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas características apropiadas para dicha
aplicación. Para ello, se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las características
comerciales más importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son:

1. Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el
diodo en directa sin que este sufra ningún daño, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto
Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres límites:

o Corriente máxima continua (IFM)

o Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica también el tiempo que dura el
pico
o Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la frecuencia máxima del
pico

1. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la
tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha.
2. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante
recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura.
3. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión
inversa
4. Caída de tensión en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha señalado anteriormente los 0.7V como valor
típico, en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión, mediante la
gráfica I-V del dispositivo.

Además, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras
temperaturas diferentes a la nominal. En el Anejo A.1 de este documento se incluyen unas hojas de datos de diodos a modo de
ejemplo.

3 MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

A continuación se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el funcionamiento de un diodo de unión PN.

3.1 Modelos para señales continuas

Bajo el término señales continuas se engloban en este apartado tanto las señales constantes en el tiempo como aquellas que varían
con una frecuencia muy baja.

3.1.1 Modelo DC del diodo real

El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente expresión:
en donde:

 n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Depende de las dimensiones del diodo, del
material semiconductor, de la magnitud de la corriente directa y del valor de I S.
 VT, es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de Boltzmann (K), la carga del electrón (q) y la
temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente expresión permite el cálculo de V T:

con y .

El potencial térmico a temperatura ambiente, T=25ºC, es VT=271mV.

 R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensión que se está aplicando en la unión PN,
siendo I la intensidad que circula por el componente y V la tensión entre terminales externos.
 IS, es la corriente inversa de saturación del diodo. Depende de la estructura, del material, del dopado y fuertemente de
la temperatura.

La representación gráfica de este modelo se muestra en la Figura 11:

Figura 11: Representación gráfica del modelo del diodo real.

Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensión de ruptura en inversa.

El modelo puede completarse mediante la adición de nuevos parámetros que incluyan efectos no contemplados en la teoría básica.
Por ejemplo, algunos modelos empleados en los programas simulación por ordenador constan de hasta quince parámetros. Sin
embargo, a la hora de realizar cálculos sobre el papel resulta poco práctico. Por ello es habitual realizar simplificaciones del modelo
para obtener soluciones de modo más simple.

3.1.2 Modelo ideal del diodo de unión PN.

El modelo ideal del diodo de unión PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones:

 Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1.

 Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequeña y que, por lo tanto, la caída de tensión en las zonas P y N
es muy pequeña, frente a la caída de tensión en la unión PN.
Para V<0, el término exponencial es muy pequeño, despreciable frente a la unidad. Entonces la intensidad tiende al valor I S, que
como ya se había indicado anteriormente, es la corriente inversa del diodo. Para V>0, la exponencial crece rápidamente por encima
de la unidad.

3.1.3 Modelo lineal por tramos

Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco práctico, dado su carácter no lineal. El modelo lineal por tramos se
obtiene como una aproximación del modelo ideal del diodo de unión PN, considerando las siguientes simplificaciones:

 En inversa, la corriente a través de la unión es nula.

 En directa, la caída de tensión en la unión PN (VON) es constante e independiente de la intensidad que circule por el diodo.

Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unión PN de silicio con una I S= 85 fA a una temperatura ambiente de T=25 ºC.
El potencial térmico a esa temperatura es V T=27 mV. Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuación ideal del
diodo queda:

A partir de esta expresión, se puede calcular la caída de tensión en el diodo para las magnitudes de corriente habituales en los
circuitos electrónicos. Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V <VDIODO< 0.77 V. Como
se puede apreciar, mientras que la corriente ha variado 3 órdenes de magnitud, la tensión apenas ha experimentado un cambio de
200 mV, por lo que es posible aproximar la caída de tensión en la unión PN a un valor constante de 0.7 V.

Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican los cálculos en la resolución del circuito.
Sin embargo, se divide el modelo en dos tramos lineales denominados inversa y directa (o corte y conducción), cada uno de los
cuales obedece a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado.

El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla:

Estado Modelo Condición

Conducción

Corte

La Figura 12 muestra la curva característica V-I del modelo lineal

 Figura 12: Modelo lineal por tramos del diodo.

En la Figura 12, quedan reflejados los dos posibles estados del diodo el diodo:

 Conducción o Polarización Directa "On", donde la tensión es VON para cualquier valor de la corriente.
 Corte o Polarización Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier valor de tensión menor que V ON.

El uso de este modelo sólo está justificado en aquellas ocasiones en las que no se requiere una gran exactitud en los cálculos.

3.2 Modelo para pequeñas señales de alterna

Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza en un punto de tensión positiva, y sobre ese punto se superpone una señal alterna de
pequeña amplitud.

Figura 13: Diodo polarizado con una señal alterna superpuesta a una continua

El funcionamiento del diodo en esta situación queda representada gráficamente en la Figura 14:
 Figura 14: Tensión y corriente en un diodo polarizado con una señal alterna superpuesta a una continua

Cuando al diodo se le aplica una tensión dada por la expresión:

la corriente que lo atraviesa puede calcularse aplicando cualquiera de los modelos explicados anteriormente. Si se opta por el modelo
exponencial ideal:

Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensión aplicada (V D) y queremos conocer la amplitud de las
oscilaciones de la corriente (ID). El método de cálculo sería:

Como puede apreciarse, el cálculo se complica. Si se considera además que el diodo está dentro de un circuito es posible que ni
siquiera pueda obtenerse una solución analítica.

Para obtener la solución al problema citado de una forma más simple se linealiza la curva del diodo en el entorno del punto de
operación, es decir, se sustituye dicha curva por la recta que tiene la misma pendiente en el punto de operación, según se aprecia en
la Figura 15
 Figura 15: Aproximación de la característica exponencial del diodo por la tangente en el punto de operación

Teniendo en cuenta esta aproximación, la relación entre los incrementos de tensión y de corriente pueden relacionarse tal y como se
indica:

Obviamente, esta aproximación será tanto más cierta cuanto menores sean los valores de V D e ID. A la derivada de la tensión con
respecto a la corriente en el punto de operación se le llama resistencia dinámica del diodo r D, y su expresión puede determinarse a
partir del modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede despreciarse la unidad frente al
término exponencial:

Como VT 25 mV, la expresión válida para el cálculo de la resistencia dinámica de un diodo en función de la corriente de polarización
continua puede escribirse de la siguiente forma, llamada aproximación de Shockley:
Esta aproximación sólo es válida en la región de conducción en polarización directa del diodo.

4 APLICACION DE LOS MODELOS AL ANALISIS DE CIRCUITOS

En este apartado se detallan algunos métodos válidos para el análisis de circuitos con diodos, basándose en los modelos expuestos en
el apartado anterior.

4.1 Modelo exponencial

Suponiendo que se dispone de un circuito en el que se desconoce la polarización del diodo, los pasos para resolver el problema
serían:

1. Sustituir el diodo por una fuente de tensión VD con el signo positivo en el ánodo, y nombrar como ID a la corriente que va de ánodo
a cátodo del diodo

2. Resolver el circuito empleando las variables V D e ID como si fueran conocidas

1. Obtener la expresión que relaciona V D con ID

2. La ecuación del modelo del diodo proporciona otra relación entre V D e ID
3. Se resuelve el sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas resultante

4.2 Modelo lineal por tramos

Los pasos para calcular las tensiones y corrientes en un circuito con un diodos empleando el modelo lineal por tramos son:

1. Se asume la hipótesis de que el diodo está en uno de los dos estados posibles: corte o conducción
2. Se sustituye el diodo por el modelo correspondiente y se calculan las tensiones y corrientes del circuito
3. Una vez calculado el punto de polarización del diodo se comprueba la validez de la hipótesis: los resultados obtenidos han
de ser coherentes con la condición de existencia. En el caso de que no lo sean, la hipótesis de partida no es correcta y es
necesario rehacer todos los cálculos desde el punto 1 con el modelo para el estado contrario.

4.3 Método gráfico

El procedimiento para el cálculo sería ahora:

1. Eliminar el diodo del circuito

2. Calcular el circuito equivalente Thevenin entre los puntos en los que se encontraba conectado el diodo
3. Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado
4. Dibujar en el mismo gráfico la curva característica del diodo
5. Hallar el punto de intersección de ambas curvas

4.4 Pequeñas señales de alterna

Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra alterna de pequeña amplitud se resuelven
aplicando el principio de superposición (Figura 16)
 Figura 16: Análisis de circuitos con componentes continuas y pequeñas señales de alterna

El método se resume en los siguientes puntos:

1. Análisis DC del circuito: Se cortocircuita la fuente de AC y se calcula por cualquiera de lo métodos anteriores el punto de
operación del diodo.
2. Cálculo de la resistencia dinámica del diodo, basándose en los resultados del punto anterior
3. Análisis AC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes DC y se sustituye el diodo por su resistencia dinámica. De ese modo
se obtiene el circuito equivalente AC, válido para el cálculo de las amplitudes de las oscilaciones de las señales.

5 DIODOS ZENER
Algunos diodos se diseñan para aprovechar la tensión inversa de ruptura, con una curva característica brusca o afilada. Esto se
consigue básicamente a través del control de los dopados. Con ello se logran tensiones de ruptura de 2V a 200V, y potencias
máximas desde 0.5W a 50W.

La característica de un diodo zener se muestra en la Figura 17. Teóricamente no se diferencia mucho del diodo ideal, aunque la
filosofía de empleo es distinta: el diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura, ya que mantiene constante la tensión
entre sus terminales (tensión zener, VZ). Una aplicación muy usual es la estabilización de tensiones.

Figura 17: Característica V-I de un diodo Zener.

Los parámetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo normal, junto con los siguientes:

 VZ: Tensión de zener

 IZM: Corriente máxima en inversa.

NOTA: Hay que tener en cuenta que el fabricante nos da los valores de VZ y IZM en valor absoluto. Al resolver un problema, no hay
que olvidar que los valores son negativos con el criterio de signos establecido por el símbolo del componente (Figura 17).

El zener es un dispositivo de tres estados operativos:

 Conducción en polarización directa: Como en un diodo normal

 Corte en polarización inversa: Como en un diodo normal
 Conducción en polarización inversa: Mantiene constante la V=VZ, con una corriente entre 0 y IZM.

El modelo lineal por tramos para el diodo zener es el siguiente:

Estado Modelo Condición

Conducción P.D. V=VON I>0
Corte I=0 VZ<V<VON
Conducción P.I. V=VZ I<0

6 EJEMPLO DE APLICACION DEL DIODO: RECTIFICACION

La energía eléctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna sinusoidal. Esta energía se transmite hasta los centros
de consumo mediante las redes de distribución. Sin embargo, en muchas ocasiones, se requiere una tensión de
alimentación continua. Un rectificador es, básicamente, un dispositivo que transforma la tensión alterna en continua.

Figura 18: Esquema general de la rectificación.

El rectificador es un aparato muy empleado en la vida diaria. Una gran parte de los electrodomésticos utilizados en el hogar llevan
incorporado un dispositivo de este tipo. En general, estos aparatos necesitan menos tensión de alimentación que la suministrada por
la red, por ello llevan incorporado en primer lugar un transformador de tensión. El transformador reduce la tensión de la red (220V
eficaces es una tensión generalmente demasiado alta para pequeños electrodomésticos) a la tensión deseada. Una vez reducida la
tensión, el rectificador convierte la tensión alterna en continua.

En este apartado se van a presentar los esquemas rectificadores más comúnmente empleados, partiendo para ello de un circuito
básico, e introduciendo en él los componentes necesarios para mejorar su comportamiento.

6.1 Notaciones
Las notaciones empleadas en este apartado se detallan en la Figura 19.
 Figura 19: Notaciones.

 vi: tensión de entrada, vi=VM·sen(wt).

 VO: tensión de salida.
 RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.

En el caso más general, según la notación de la figura, la tensión v i sería la tensión de la red , la VO sería la tensión deseada en
continua y la RL simbolizaría al aparato musical, video,… que por ser un elemento pasivo, puede reducirse a una simple resistencia de
carga mediante su circuito equivalente Thevenin.

Un rectificador funciona en vacío cuando no se le conecta ningún aparato, es decir, cuando la RL no está unida al circuito. En caso de
que sí esté conectada se dice que funciona en carga.

6.2 Esquema básico. Rizado de la onda de salida

El esquema de la Figura 20 es el más sencillo de los rectificadores: el diodo. A continuación se estudia este circuito, para después
discutir la validez del mismo.

Figura 20: Esquema de un sencillo rectificador.

Cuando el valor de la tensión de entrada es superior a la de conducción del diodo se crea una corriente, y se cumple que: V O = vi -VON.

Como se puede apreciar, la tensión de salida VO se parece muy poco a lo que se entiende por tensión continua, es decir, un valor
constante en el tiempo. Sin embargo, esta onda no es tan mala como parece. Aunque no es constante, siempre es mayor que cero.
Además, su valor medio es diferente de cero. Con los esquemas más complejos, se intenta que esta onda de salida se parezca lo más
posible a una línea horizontal, pero siempre tendremos una desviación de la ideal, que se cuantifica por el rizado de la onda de
salida:

En este caso, el rizado es del 100%. El problema con el que nos encontramos es que cuando el diodo está en corte no se alimenta a
la carga. Para disminuir el rizado, es preciso suministrar energía a la carga durante los semiciclos en los que la fuente no actúa.
 Figura 21: Tensiones en el circuito de la Figura 20.

6.3 El condensador en los rectificadores

Como se recordará, el condensador es un componente que almacena energía. Cuando se somete a una diferencia de potencial, esta
obliga a las cargas a situarse entre sus placas. En el momento en el que cesa el potencial, las cargas pueden retornar a un circuito y
comportarse como un generador de tensión.

En la Figura 22 se presenta el esquema eléctrico que aplica este principio a la rectificación. Lo que se pretende es que sea el
condensador el que alimente a la carga cuando no pueda hacerlo la fuente de alimentación.

Figura 22: Esquema de rectificador con condensador.

6.3.1 Funcionamiento en vacío:
Se estudiará en primer lugar el esquema en vacío, es decir, sin carga aplicada.

Figura 23: Funcionamiento en vacío.

Sea vI = VM·sen(wt), y la caída de tensión en el diodo en conducción despreciable. En el instante inicial el condensador se encuentra

descargado. En un punto entre , vi es mayor que cero, por lo tanto, el diodo D está polarizado en directa. Por él
circula una corriente que carga al condensador.

Se considera que el condensador se carga instantáneamente (VC = vi). La carga del condensador es posible porque hay un camino en
el circuito que se lo permite.

En el instante , la tensión de entrada es máxima, vi = VM, así como la tensión del condensador. Cuando la tensión de
entrada empieza a decrecer el condensador, cargado con una diferencia de potencial V C = VM, intenta seguir el ritmo que le marque la
fuente de tensión, disminuyendo VC. Evidentemente, para que el valor de VC disminuya, es necesario que el condensador pierda parte

de su carga ( ). Para ello, la corriente de descarga ha de seguir un camino contrario al de la corriente que lo cargó,
ya que el circuito se encuentra funcionando en vacío, sin ninguna carga R Lconectada. La corriente no puede circular dado que el diodo
está en inversa para ese sentido de circulación, con lo que C no puede descargarse y mantiene fija la tensión V M. La siguiente figura
refleja la carga y descarga del condensador:

Figura 24: Funcionamiento del condensador.

Se puede deducir fácilmente, aplicando la ley de las mallas que cuando el diodo está en

corte , o sea, VD siempre es menor o igual que cero, el diodo nunca conducirá y el
condensador nunca se descargará.
 Figura 25: Tensiones en el circuito de la Figura 22.

Por lo tanto el condensador mantiene la diferencia de potencial entre sus terminales. La Figura 25 resume todo lo visto en este
subapartado.

La onda de salida es perfecta para nuestros propósitos, ya que salvo entre 0 y es totalmente horizontal; pero vamos a ver qué
pasa cuando el dispositivo funciona en carga.

6.3.2 Funcionamiento en carga:

Según se ha definido previamente, el funcionamiento en carga es el que se obtiene al conectar una carga R L al dispositivo objeto de
estudio.

Figura 26: Dispositivo en carga.

Dado un valor de vi entre 0<wt<p/2. Al ser un valor positivo, el diodo está en conducción. Hay dos caminos posibles para la
intensidad que salga del generador. Por un lado, hay una corriente que carga el condensador, y por otro, una corriente que circule por
RL. Si suponemos que estamos en bajas frecuencias, el valor de la intensidad que absorbe el condensador es despreciable frente a la
que circula por RL, y se puede determinar el valor de la corriente que atraviesa la carga como:

Cuando wt>p/2 como en el caso anterior el diodo entra en corte al intentar descargarse el condensador por él. Sin embargo, ahora el
condensador tiene un camino para descargarse a través de RL. Mientras el diodo esté en corte, la parte derecha del circuito se
comporta independientemente con respecto al generador.

Figura 27: Descarga de C a través de RL.

El condensador va perdiendo su carga al poder cerrarse una corriente a través de R L. De este modo, se cumple el objetivo de este
diseño: C alimenta a la carga.

Volviendo al circuito original. D estará en corte mientras VB sea menor que VA. Por lo tanto hay un punto en el que D vuelve a
conducir (VB=VA), repitiéndose a partir de aquí toda la secuencia. Dicho funcionamiento se muestra en la Figura 28.
 Figura 28: Tensiones en el circuito de la Figura 26.

Tal como se aprecia en la figura Figura 28, el rizado obtenido es menor que el del esquema anterior. Su valor depende de la rapidez
con que se descargue C a través de la resistencia. Como se recordará, cuanto mayor sea el valor de C, mayor será el tiempo que
necesita para descargarse, y menor el rizado. Como contrapartida, si C es muy grande es posible que no tenga tiempo suficiente para
cargarse durante el tiempo de conducción de D.

6.3.3 Selección de los componentes

Una vez finalizado el análisis del esquema eléctrico de la Figura 22, se aborda seguidamente la tarea de la selección de los
componentes adecuados para una aplicación concreta.

6.3.3.1 Diodo

A la vista de las gráficas de la Figura 28, se pueden calcular las características comerciales exigibles al diodo del esquema.

 Corriente máxima en polarización directa, IFmax: Mientras esté en conducción y, despreciando su caída de tensión
(V(ON)):

También se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse.

  Tensión máxima en inversa, PIV: Cuando esté en corte, VD=vi-VC. VC es siempre mayor que cero, tal y como se aprecia
en la figura, y su valor máximo es VM. En este aspecto es más exigente el funcionamiento en vacío que en carga, ya que

cuando llega a ser -VM, VC sigue siendo VM, y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM.

Los parámetros comerciales del diodo serán, por lo tanto:

PIV=2VM

6.3.3.2 Condensador

El valor de la capacidad del condensador se ha de calcular teniendo en cuenta el rizado máximo exigido al aparato. Para la frecuencia
de la red eléctrica doméstica, es posible emplear la siguiente expresión:

en la que:

 I0: cociente entre la tensión máxima, VM, y la resistencia de carga, RL.

 tc: tiempo de descarga del condensador.
 VRIZADO: Diferencia entre la tensión máxima y mínima admisible.

La deducción de esta fórmula ha sido discutida ya en el capítulo segundo de estos apuntes.

6.4 Rectificador de onda completa

el esquema anterior produce una onda de salida bastante aceptable, cuando el condensador es lo suficientemente grande como para
alimentar la carga durante un semiciclo aproximadamente. Sin embargo, se desaprovecha medio ciclo de la red, con lo que la
potencia transmitida a la carga se limita. En el siguiente circuito, el puente de diodos consigue que durante el semiciclo negativo
también alimente la red a la carga.

Figura 29: Rectificador de onda completa.

Dado un valor positivo de la tensión de entrada, vi=V>0. El punto A está sometido al mayor potencial del circuito, V, mientras que D
se encuentra a potencial nulo, el menor en ese instante. Por lo tanto, los puntos B y C se encontrarán a un potencial intermedio entre
0 y V voltios. Un circuito que está alimentado entre 0 y 10V, por ejemplo, no tiene sentido que haya un punto del mismo que tenga
un potencial mayor que 10V con respecto a la referencia, ya que la tensión sólo puede disminuir entre los nodos de los componentes
del circuito (esto es válido sólo para el régimen permanente).

Suponiendo que hay una corriente intentando circular. Como VA es mayor que VC el diodo D2 esta en condiciones de conducir,

mientras que D1 está en corte. La corriente circular de a C. D4 está en corte, puesto que VDC=VD-VC<0, por lo tanto la intensidad
atraviesa RL de arriba a abajo. El retorno de corriente será por D3, puesto que VB<VA y VB>VD.

Así pues, D1 y D4 no conducen en el semiciclo positivo de vi. El esquema equivalente sería:

Figura 30: Rectificador de onda completa durante los semiciclos positivos.

Mediante un razonamiento análogo se consigue determinar el esquema equivalente mostrado en la Figura 31.

Figura 31: Rectificador de onda completa durante los semiciclos negativos.

 Figura 32: Tensiones en el rectificador de onda completa.

En ambos casos, la corriente que circula por RL circula en el mismo sentido, luego la caída de tensión en R L siempre es del mismo
signo:

Si ahora se filtrase esta señal mediante un condensador, mejoraría su rizado. El condensador necesario es de menor capacidad que
en el esquema anterior, puesto que debe alimentar durante menos tiempo a la carga.

1 Si se aplican 18 V al siguiente circuito, ¿qué tensión medirá el voltímetro si D 1 es de silicio?

2 Si el diodo D del circuito del problema 3 puede soportar una corriente máxima de 500 mA, ¿cuál es el mínimo valor de la resistencia
R con el que se puede utilizar el circuito si se aplican 20 V?

3 Si la resistencia R de la figura es de 100 y se aplican 10 V al circuito, ¿cuánto valdrá la potencia disipada en el diodo D?
4 Si el diodo D de la figura del problema 5 tiene un pico inverso de voltaje (PIV) de 100 V, ¿cuánto es la tensión máxima que se
puede aplicar al circuito?, ¿y si se conecta una resistencia en paralelo con el diodo R 2=2.7 kW?

5 ¿Cuál será la potencia disipada el en diodo D de la figura si se aplican 60 V al circuito?, ¿y si se conecta una resistencia de 2.7 kW
en paralelo con el diodo?

6 Calcular la corriente que atraviesa el diodo en el circuito de la figura, empleando el modelo lineal por tramos.

7 En el problema de la figura anterior, calcular la corriente que circula por el diodo mediante el método gráfico, tomando como
característica V-I del diodo la curva que se presenta a continuación.

8 El generador del el circuito de la figura puede aportar una tensión comprendida entre -20 y +20 V. Se pide determinar las
expresiones que permitan calcular VOUT en función de VIN dentro del rango indicado.
9 Calcular el punto de operación del diodo (corriente y tensión en el mismo) para E CC=10V, R1= R2= R3=1k.

 Aplicando el modelo lineal por tramos del diodo.

 Mediante un método gráfico.

10 En el circuito de la figura adjunta se pide:

 Potencia suministrada por la fuente.

 Potencia disipada por cada una de las resistencias.
 Potencia disipada por el diodo.

11 En el circuito de la figura representar las ondas de tensión y corriente de salida (vo(t), io(t)) del circuito de la figura, siendo e(t) la
tensión de red doméstica europea.

12 Si el generador de señal "e" de la figura produce una onda senoidal de 10 V entre pico y pico, y la resistencia R tiene un valor de
500 ohmios, ¿qué características debemos exigir a un diodo de silicio para utilizarlo como se indica en la figura?
13 Se quiere fabricar un circuito como el de la figura adjunta. ¿Qué características deberíamos exigir al diodo? (e = 10 sen t)

14 Calcular la tensión y la corriente en la resistencia R L (VM = 10 V; RL = 2,2 k).

15 Deducir la expresión de la resistencia dinámica de un diodo partiendo del modelo exponencial del mismo. Si V T = 25 mV para T =
25 ºC, comparar el resultado obtenido con la aproximación de Shockley.

16 Calcular la resistencia estática del diodo, cuya curva característica se incluye a continuación, en los puntos A, B, C y D de la curva.
(Nota: Las escalas de los ejes x positivo y negativo son diferentes)

17 Calcular la resistencia dinámica del diodo del problema anterior en los cuatro puntos indicados. Comparar el método gráfico de
cálculo con la aproximación de Shockley.

18 Hallar la resistencia estática y dinámica en el punto A de la figura.

19 Sea el circuito de la figura con VZC=10 V e IZM=0,05 A. ¿Entre qué valores puede variar RL manteniéndose alimentada a 10 V?

20 Para una tensión de entrada de 28 V (DC), calcular la corriente en TP1 para el circuito de la figura. R 1=1 K, RL=1 K, Vz=9.6 V.

21 ¿Cuánta potencia será disipada por un diodo Zener de 9 V cuando le atraviesa una corriente de 100 mA en polarización directa?

¿Y si a ese mismo diodo le atraviesa la misma corriente en inversa?

22 En el siguiente circuito:

 Determinar la máxima corriente que se puede aplicar a la carga antes de que el Zener deje de regular la tensión.
 Si RL es 1 k, hallar la corriente y la potencia disipada en el Zener, la corriente en la carga y V0.
 Idem si RL toma el valor 10 k.

23 Mediante la recta de carga hallar el punto de operación del zener del problema 20 para R 2=400, si se cambia el zener por otro que
tenga IZM=0.1A.

24 En el circuito de la figura,
  Determinar la máxima corriente que se puede aplicar a la carga R c antes de que el Zener falle.
 Si Rc fuera 2 k, hallar la corriente del Zener y la corriente en la carga.
 Hallar la potencia que disipa el Zener en los casos en que Rc tome como valor 2 k.

25 Para el circuito de la figura:

 Representar gráficamente la tensión de salida vo si en la entrada se aplica una señal alterna v i = V sen t. (Para el diodo
despreciar la caída de tensión en directa).
 Si V = 200 voltios, R1 = R2 = 1 k , determinar las características comerciales del diodo apropiado para esta aplicación.
 Si nos interesara disminuir el rizado de la onda vo: ¿Qué esquema adicional podría añadírsele a este?.

26 Dado el circuito siguiente:

 Hallar la tensión de salida del dispositivo, funcionando en vacío (sin carga en la salida). Despreciar la caída de tensión en el
diodo.
 ¿Qué misión tiene la resistencia R?. ¿Se podría quitar?.
 Calcular las características comerciales del diodo D.
 Discutir la posibilidad de sustituir la rama AB por un diodo Zener. ¿Qué comportamiento tendrá entonces el dispositivo?.
¿Qué características debería tener este diodo para que no se deteriore?.

DATOS: e = 500 sen t ; E = 100 V ; R = 1 K

27 En el dispositivo de la figura:
¿Cuál es la situación más desfavorable para el diodo, el funcionamiento en vacío o con una carga resistiva colocada entre A y B?. (El
valor de E es menor que eMAX).

28 El circuito de la figura adjunta está preparado para rectificar ondas sinusoidales de 220 V de valor eficaz ( V de valor
de pico). Debido a un error de manipulación, se conecta el dispositivo en carga a una tensión continua de 500 V. A los pocos
segundos de dicha conexión se impregna el ambiente de un olor a plástico quemado, y el dispositivo deja de funcionar (no se reciben
señales en la carga). ¿Sabrías decir qué componente/s se ha/n quemado y por qué?.

Datos adicionales: Potencia disipable máxima en las resistencias = 100 W.

29 Dado el circuito de la figura:

 Dibujar aproximadamente las formas de onda de las tensiones V0 y V0' para dos ciclos completos de la onda de entrada Vi.
 Características comerciales del diodo D2.
 ¿Podría ser C un condensador electrolítico?. Justificar la respuesta.

DATOS: e = 200 sen(100t) V. R = 1 k

VZ = 50 V.

RL = 1 k

Despreciar las caídas de tensión en los diodos en conducción.

Considerar que la velocidad de descarga de C sobre RL es pequeña comparada con la frecuencia de la red.

30 Diseñar un puente rectificador de onda completa que entregue 10V en tensión continua con un rizado menor de 0.1 V de pico a
pico a una carga que requiere 10 mA. Elegir una adecuada tensión de entrada al circuito.
31 Se quiere proteger un circuito conectado a la salida Vout del circuito de la figura frente a posibles sobretensiones producidas por
una señal de entrada Vin excesivamente fuerte.

Si se desea que Vout sea menor que 5V, cual debe ser la tensión a la que se conecta el diodo.

32 Diseñar con un diodo Zener una fuente de tensión regulada de 12V para corrientes entre 0 y 100mA. La tensión de entrada puede
variar entre +20V y +25V. La corriente mínima que debe atravesar el Zener debe de ser de 10mA en las condiciones más
desfavorables de trabajo.

¿Cual es la potencia disipada por el zener?

EL TRANSISTOR BIPOLAR

1 INTRODUCCION
La Figura 1 muestra el símbolo de un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor), con la nomenclatura habitual de sus
terminales.

Figura 1: Símbolo y tipos de transistor BJT

Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, según la configuración mostrada en la Figura 2.
 Figura 2: Estructura interna del transistor bipolar

Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al sentido de la corriente en polarización directa del diodo
BE. En principio, parece una estructura simétrica, en la que es imposible distinguir el emisor del colector. Sin embargo la función que
cumple cada uno es completamente distinta, y en consecuencia, se fabrican con diferentes características. Por lo tanto no es un
componente simétrico.

Un transistor tiene dos formas principales de operación: como un interruptor o como una resistencia variable.

1.1 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

La función del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo mecánico: o bien deja pasar la corriente, o
bien la corta. La diferencia está en que mientras en el primero es necesario que haya algún tipo de control mecánico, en el BJT la
señal de control es electrónica. En la Figura 3 se muestra la aplicación al encendido de una bombilla.

Figura 3: El transistor bipolar como interruptor de corriente

En el primer caso, bajo la señal de control adecuada, que es introducida a través de la base, el transistor se comporta como un
circuito abierto entre el emisor y el colector, no existe corriente y la bombilla estará apagada. En el segundo caso, cambiando la señal
de control, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla, que se enciende.

Este funcionamiento entre los estados de corte y conducción se denomina operación en conmutación. Las aplicaciones típicas de este
modo de operación son la electrónica de potencia y la electrónica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensión fijos

equivalentes al y lógicos.

1.2 TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE

En la Figura 4 se presenta la comparación entre un potenciómetro y un transistor colocados en un circuito.

Figura 4: Transistor bipolar operando como resistencia variable

Si el valor de la resistencia del potenciómetro se fija en 5 kW, la tensión de salida V OUT será de 5 V. Al aumentar esta resistencia, la
salida también aumentará de valor. Por ejemplo, con 20 kW VOUTresulta ser 8 V. Modificando el valor del potenciómetro se puede
obtener cualquier valor en la salida comprendido entre 0 V y 10 V, ya que:

Al igual que en el potenciómetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia entre colector y emisor, con la diferencia de que la
señal de mando no es mecánica, sino eléctrica a través de la base. Como se verá más adelante, con una pequeña señal aplicada en la
base puede gobernarse el BJT, con lo que aparece un concepto nuevo: la amplificación de señales. Esta función es la base de
la electrónica analógica, aquella en la que se procesan señales de tensión respetando su forma de onda temporal.

2 PRINCIPIO DE OPERACION
En este apartado se va a trabajar exclusivamente con el transistor NPN. No obstante, cabe señalar que los razonamientos necesarios
para entender el transistor PNP son completamente análogos, por lo que se deja al lector la tarea de deducir los modelos
característicos de su funcionamiento.

En la Figura 2 pueden verse las dos uniones PN del transistor: la unión Base-Emisor (BE), y la unión Base-Colector (BC). Cada una
por separado constituye un diodo, pero la conjunción de ambas provoca un efecto nuevo, denominado efecto transistor. Obviamente,
el estado global del transistor depende de la polarización, directa (PD) o inversa (PI), de las dos uniones.

Los casos posibles se adjuntan en la tabla siguiente:

Estado
Unión Unión
PI PI Corte
PD PD Saturación
PD PI RAN
PI PD RAI

Los dos últimos casos, la Región Activa Normal (RAN) y la Región Activa Inversa (RAI) son conceptualmente similares. Si el transistor
fuera simétrico, estaríamos ante la misma región de funcionamiento, solo que con los terminales intercambiados. Sin embargo el
colector y el emisor se fabrican de forma diferente, precisamente para adaptar su funcionamiento a la RAN. Por ello no se suele
trabajar en la RAI. Una vez aclarado este punto se va a analizar el funcionamiento en cada región de operación.

2.1 REGION DE CORTE

Como elemento básico para la discusión en este apartado se va a emplear el circuito de la Figura 5.
 Figura 5: Transistor BJT polarizado en la región de corte

En el circuito de la Figura 5:

En este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de deplección en torno a las uniones BE y BC. En
estas zonas no hay portadores de carga móviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los
portadores minoritarios sí pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy débiles. Por lo tanto,
un transistor en corte equivale a efectos prácticos, a un circuito abierto.

A partir de esta definición, se pueden deducir fácilmente los modelos matemático y circuital simplificados para este estado. El
transistor BJT en la región de corte se resume en la Figura

Figura Modelo del en corte para señales de continua

Obviamente, en estos modelos no se tiene en cuenta el efecto de las corrientes de fuga de las dos uniones, y sólo son válidos para
realizar una primera aproximación al comportamiento de un circuito.
EJEMPLO 1: Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB, IC e IE del circuito de la figura 7, cuando EB = 0 V.

Figura 7: Circuito del ejemplo 1

SOLUCIÓN: La base del transistor está conectada a la fuente a través de una resistencia R B. Puesto que la diferencia de potencial
entre los extremos del generador es nula, no puede polarizarse la unión BE en directa, por lo que el transistor está en corte, es decir:

VBC = VBE - VCE = 0 - 10 = - 10 V

Pueden obtenerse los mismos resultados si se sustituye el transistor en el circuito por su modelo equivalente:

2.2 REGION ACTIVA NORMAL

Para facilitar el estudio y comprensión de los fenómenos que suceden cuando se polariza el transistor en RAN, se va a analizar en
primer lugar el comportamiento del transistor en las situaciones descritas en la Figura 8 a) y b).
 Figura 8: Transistor NPN.

En la Figura 8 a), como la tensión EC está aplicada al colector, la unión base-colector estará polarizada en inversa. A ambos lados de
la unión se creará la zona de deplección, que impide la corriente de portadores mayoritarios. No existirá corriente de colector
significativa, y el transistor se encontrará operando en la región de corte.

En el caso de la Figura 8 b), la fuente EB polariza la unión base-emisor en directa, que se comporta como un diodo normal, es decir, la
zona P inyecta huecos en la zona N, y esta electrones en aquella. Si el dopado de la base es muy inferior al del emisor, la inyección de
huecos será muy inferior a la de electrones, y se puede describir el proceso así: el emisor inyecta electrones en la base. Estos se
recombinan con los huecos que provienen de la fuente de alimentación y se crea una corriente I B. En este caso el colector no entra en
juego.

La operación en RAN se da cuando la unión BE se polariza en directa y la BC en inversa. Los tres puntos característicos de esta región
de operación son:

1. Corriente de colector no nula: conducción a través de la unión BC pese a que está polarizada en inversa.
2. La corriente de base es muy inferior a la de colector.
3. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base.

Figura 9: Transistor NPN en RAN.

Conducción a través de la unión BC

En el circuito de la Figura 9 la unión BE se polariza en directa, mientras que si EC es mayor que EB, la unión BC estará en inversa,
luego no debería circular corriente a través de esta última. Lo que sucede es que el emisor (tipo N) inyecta electrones en la base (tipo
P), en la que los portadores mayoritarios son los huecos, y los minoritarios son los electrones. Como se explicó anteriormente, una
unión PN en inversa bloquea el paso de mayoritarios, pero no de minoritarios (que constituyen la corriente de fuga en inversa). Por lo
tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atraídos por el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la
unión BC, y dar origen a la corriente de colector IC. Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drásticamente el
número de portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta también.

Así que la primera contradicción queda resuelta. El diodo BC no conduce realmente en inversa, sino que sus corrientes de fuga se
equiparan con la corriente normal gracias al aporte de electrones que provienen del emisor.

La corriente de base es muy inferior a la de colector

En este punto de la explicación surge una pregunta: ¿y por qué los electrones llegan hasta la unión BC y no se recombinan como en la
Figura 8.b)?. La Figura 10 muestra la distribución de corrientes.

Figura 10: Distribución de corrientes en un transistor NPN en RAN.

Si la base es estrecha y está poco dopada, es relativamente probable que un electrón la atraviese sin encontrarse con un hueco.
Típicamente, los BJT se construyen para que se recombine el 1% de los electrones. En este caso se obtiene una ganancia de corriente
de 100, es decir, la corriente de base es 100 veces inferior a la del colector. Como la corriente de emisor es la suma de estas dos, es
obvio que su valor es cercano al de la corriente de colector, con lo que en la práctica se consideran iguales (sólo operando en RAN).

La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

Centrando la atención en la recombinación de los electrones en la base procedentes del emisor. Allí donde había un hueco pasa a
haber, tras la recombinación, un ion negativo inmóvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga
negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se impediría la circulación de corriente, es decir,
es necesarioque la corriente de base reponga huecos para que haya corriente de colector.

Por tanto, por cada electrón recombinado hay que introducir un hueco nuevo que neutralice la carga negativa. Si la reposición de
huecos es lenta (corriente IB pequeña), la capacidad de inyectar electrones será baja, debido a la repulsión eléctrica. Este fenómeno
tiene la propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:
en donde es un coeficiente adimensional denominado ganancia directa de corriente, o bien ganancia estática de corriente.

Resumiendo….

El transistor bipolar operando en la RAN se comporta como un amplificador de corriente. La corriente débil se reproduce

amplificada en un factor en .

Los modelos y condición de existencia se presentan en la Figura 11. De nuevo hay que reseñar que se trata de un modelo muy
simplificado, que sólo da cuenta de los fenómenos básicos señalados anteriormente.

Figura 11: Modelo del BJT en RAN para señales de continua.

La condición de corriente de base mayor que cero se refiere a corriente entrante en el dispositivo, es decir, la corriente debe entrar

por la base para que el esté en RAN. Para los valores habituales de IB, la tensión VBE se sitúa en torno a los 0,7 V. Por ello, en
muchas ocasiones se toma este valor para realizar un análisis aproximado de los circuitos.

EJEMPLO 2: En el circuito de la Figura 7 calcular VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 5 V y cuando EB = 7 V.
La ganancia de corriente del transistor es F = 100.

SOLUCIÓN: Al aplicar una diferencia de potencial positiva (> 0,7) a la base se polariza la unión BE en directa. Además, si E B, es
inferior a la de la fuente conectada al colector, la tensión de colector será superior a la de la base, con lo que la unión BC estará
polarizada en inversa. Se dan, por lo tanto, las condiciones necesarias para la operación en RAN, con lo que se verifica
aproximadamente que:

Estas dos ecuaciones pueden introducirse en el circuito empleando el modelo equivalente:

 Figura : Análisis del transistor en RAN

El análisis del circuito permite añadir dos ecuaciones nuevas para el cálculo de I B, IC y VCE:

De la primera expresión se obtiene :

Teniendo en cuenta que :

Finalmente:

En la tabla siguiente se adjuntan los resultados numéricos de los dos casos requeridos en el enunciado:

IB IC IE VBE VCE VBC

EB = 5 V 43 A 4,3 mA 4,343 mA 0,7 V 5,7 V -5 V
EB = 7 V 63 A 6,3 mA 6,363 mA 0,7 V 3,7 V -3 V

Los resultados obtenidos en el ejemplo 2 sugieren los siguientes comentarios:

 La tensión VBC obtenida en ambos casos es negativa, lo que significa que la polarización de la unión BC es inversa. Como
además la corriente de la base es positiva queda comprobado que el transistor está operando en RAN.
  La corriente IE tiene un valor muy cercano al de IC. En la práctica, sería difícil de detectar la diferencia entre ambas
mediante aparatos de medida convencionales. Por ello, en ocasiones se realiza la aproximación I C = IE.
 Una variación de corriente en la base de tan sólo 20 A provoca una variación en la tensión V CE de 2 V. Este es el principio
de la amplificación analógica de señales.

Centremos ahora la atención en la evolución de VCE. Cuando el transistor está en corte VCE = 0 V. En la RAN, a medida que aumenta
EB disminuye VCE. Este resultado es lógico, puesto que IC es directamente proporcional a EB. Como VCE = EC - RCIC, al aumentar el
término negativo disminuye el valor de la resta. Gráficamente puede representarse este hecho como sigue (Figura 13):

Figura 13: Evolución de las tensiones y corrientes en el ejemplo 2

Si RC fuera una bombilla, en el caso A estaría apagada, mientras que en los casos B y C proporcionaría luz. Evidentemente, en el caso
C la intensidad de la luz será mayor que en el B, puesto que la tensión aplicada es mayor. Aquí se pone de manifiesto claramente el
funcionamiento del transistor como resistencia variable, ya que el comportamiento entre C y E es similar al de un potenciómetro:
modificando la señal de control convenientemente podemos variar la tensión de alimentación de la bombilla entre 0 y 10 V.

2.3 REGION DE SATURACION

Supongamos que tenemos un transistor polarizado en la RAN según el circuito de la Figura 7). En la tabla de resultados del ejemplo 2
queda claro que según aumenta la tensión EB (o bien la corriente IB) el valor absoluto de la tensión VBC disminuye. Llegará un
momento en el que, si IB crece lo suficiente VBC cambiará de signo y pasará a ser positiva. En ese instante, la unión BC dejará de estar
polarizada en inversa, y entrará en polarización directa. La consecuencia es que el colector pierde su capacidad
de recolectar electrones, y la corriente IC resulta ser inferior al valor IB.

Figura 14: Transistor BJT polarizado en la región de saturación

Por otra parte, según se muestra en la Figura 14, al estar las dos uniones polarizadas en directa, la tensión entre el colector y el
emisor en saturación será:

VCE SAT = VBE ON - VBC ON

Si los diodos BE y BC fueran idénticos, la tensión de conducción de ambos sería prácticamente igual, y entonces la tensión VCE SAT sería
nula. Sin embargo, tal y como se ha comentado anteriormente, el colector y el emisor se fabrican con distintas características.
Normalmente la tensión VBE ON es aproximadamente igual a 0,7 V, mientras que VBC ON se sitúa en torno a los 0,5 V. Ello conlleva una
tensión cercana a 0,2 V. Dado que la tensión de codo de los diodos permanece prácticamente constante para las corrientes de
operación habituales, la tensión VCE SAT es también independiente de las corrientes IB ó IC. Con ello el transistor pierde su capacidad de
gobierno sobre la corriente de colector, que será controlada únicamente por el circuito externo.

Análogamente al resto de regiones de funcionamiento, también puede hallarse un modelo simplificado para realizar cálculos con un
transistor polarizado en la región de saturación:

Figura 15. Modelo simplificado del BJT en saturación.

Como puede observarse, en este modelo se toma la tensión V CE SAT nula, pero podría considerarse cualquier valor sin más que incluir
una fuente de tensión independiente del valor deseado entre el colector y el emisor.

EJEMPLO 3: En el circuito de la Figura 7 calcular VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 15 y 20 V. La ganancia
de corriente del transistor es F = 100.

SOLUCIÓN: En este caso la tensión aplicada a la base con respecto al emisor es claramente superior a la aplicada al colector. Por lo
tanto el transistor está operando en la región de saturación. Sustituyendo el modelo correspondiente en el circuito original se tiene
que:
En la tabla siguiente se presentan los resultados numéricos para los casos indicados en el enunciado del problema:

IB IC IE VBE VCE VBC

EB = 5 V 143 A 10 mA 10,14 mA 0,7 V 0 0,7 V

EB = 7 V 193 A 10 mA 10,19 mA 0,7 V 0 0,7 V

La corriente IC se mantiene constante en 10 mA, pese a las variaciones de IB, puesto que la tensión VCE es ahora constante. Nótese
además que en ambos casos se cumple que IC es menor que el producto FIB.

Retomando de nuevo el caso en el que RC sea una bombilla, los resultados obtenidos muestran que ahora la intensidad luminosa será
ahora constante, luego se ha perdido la capacidad de regular, y el dispositivo se comporta ahora como un interruptor cerrado.

A modo de recapitulación, la siguiente figura muestra la evolución global de I C con respecto a EB, donde se puede apreciar el paso del
transistor por las tres regiones de operación.

Figura 16: Gráfica frente a .

3 CURVAS CARACTERISTICAS. PUNTO DE OPERACION

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parámetros para determinar el estado eléctrico del mismo:
tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes básicas de resolución de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parámetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y bajo la acción de unas excitaciones
concretas, existirán unos valores de estos cuatro parámetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se
denomina punto de operación (Q).

Las curvas características más empleadas en la práctica son las que relacionan VBE con IB y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas
curvas son facilitadas por los fabricantes.

3.1 CARACTERISTICA VBE-IB

La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede aplicarse todo lo dicho cuando se estudió aquél.
 Figura 17: Característica IB-VBE.

La curva representada en la Figura 17 sigue la expresión:

3.2 CARACTERISTICA VCE-IC

Según lo explicado hasta ahora, la característica VCE - IC debería ser la siguiente:

Figura 18: Característica VCE -IC ideal.

Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a través de la relación . Por

lo tanto, en el plano - , la representación estará formada por rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos

valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para ). Evidentemente, no se dibujan más que unos

valores de IB para no emborronar el gráfico. Para , la corriente de colector también debe ser nula. La región de corte está

representada por el eje de abscisas. Por contra, para el transistor entra en saturación, luego esta región queda
representada por el eje de ordenadas.

Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un poco más compleja (Figura 19):
 Figura 19: Característica - real.

Las diferencias son claras:

 En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de la tensión colector-emisor. Para valores altos de la
corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor.

 La región de saturación no aparece bruscamente para , sino que hay una transición gradual. Típicamente se
suele considerar una tensión de saturación comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.

3.3 PRINCIPALES PARAMETROS COMERCIALES

De entre los numerosos datos que suministran los fabricantes de componentes electrónicos, con respecto a los transistores
cabe destacar los siguientes:

 Tensión máxima en entre colector y emisor, colector-base y emisor-base (VCEO, VCBO y VEBO): son las tensiones máximas a
las que se puede someter a los terminales del transistor. Tensiones mayores pueden provocar una ruptura en inversa y la
destrucción del transistor.

 Corriente continua máxima de colector, : es la corriente máxima que puede circular por el colector sin que el
transistor sufra ningún daño.
 Ganancia de corriente en DC (DC Current Gain): se suele especificar la ganancia para varios puntos de operación, incluso
pueden ser suministradas las gráficas de la ganancia en función de la corriente de colector. La fluctuación de su valor es
debida a los efectos de segundo orden.
 Tensiones de saturación VCE(sat), VBE(sat): son las tensiones que aparecen entre los terminales en la región de saturación.

 Potencia máxima disipable (Total Device Dissipation): es la potencia máxima que

puede disipar el transistor sin sufrir ningún daño.

Además es habitual facilitar la influencia de la temperatura en el funcionamiento del transistor.

4 MODELOS DELTRANSISTOR BIPOLAR

Existen dos tipos principales de señales aplicadas al transistor BJT:

 Señales de continua
 Señales de alterna de pequeña amplitud que oscilan respecto a un punto de operación en RAN

En este apartado se presentan modelos del transistor BJT válidos para el análisis de ambas situaciones. En primer lugar se presenta el
modelo de Ebers-Moll, con el que puede realizarse el cálculo de las corrientes y tensiones de polarización de un transistor sea cual
fuere su región de operación. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo, se deducen posteriormente las expresiones
necesarias para el análisis de señales de alterna de pequeña amplitud, a través del modelo de parámetros híbridos.
4.1 MODELO DE EBERS-MOLL
En el apartado 2 se han presentado los modelos parciales para cada una de las regiones de funcionamiento (corte, saturación, RAN)
del transistor bipolar. Sin embargo, existe un modelo estático general válido para las tres regiones: el modelo de Ebers-Moll.

El modelo está basado en el hecho de que un transistor BJT se compone de dos uniones PN, la unión base-emisor y la unión base-
colector. Por lo tanto se puede expresar las corrientes del transistor como la superposición de las corrientes en las dos uniones PN. En
la Figura 20 se muestra la notación empleada durante este apartado.

Figura 20: Notaciones empleadas en este apartado

Considerando el modelo ideal para los diodos BE y BC se tiene que:

donde ICS, IES son las corrientes de saturación de ambos diodos.

Sin embargo, el comportamiento del transistor es más complejo que el de dos diodos conectados en serie. Se debe tener el cuenta
el efecto transistor descrito en el capítulo 2: debido a que las uniones se encuentran muy próximas entre sí se produce una
interacción electrónica entre ellas.

En la Figura 7.21 se muestra el modelo de Ebers-Moll para un transistor NPN. Este se compone de dos diodos de unión PN y dos
fuentes de intensidad dependientes.

Figura 7.21: Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN.

El efecto transistor viene caracterizado por las fuentes de corriente dependientes. Como se ha explicado, parte de la corriente IDBE,
que circula por la unión base-emisor es atrapada por la unión base-colector. Este hecho se modela mediante la fuente de corriente
aFIDBE. aF es un parámetro característico de cada transistor que toma valores próximos a la unidad.

De igual manera, parte de la corriente IDBC atraviesa la región de base para alcanzar el emisor. Esto se modela con la fuente de
corriente aRIDBC. Debido a que la estructura de un transistor no es simétrica, sino que está optimizada para obtener valores altos de
aF, aR es generalmente pequeña (desde 0.02 a 0.5).

Además, aplicando las leyes de la física de semiconductores se obtiene la condición de reciprocidad, que se concreta en la siguiente
expresión:

IS toma valores entre 10-14 y 10-15A para transistores de baja potencia.

Si se aplica la ley de los nudos en el emisor, el colector y la base

Se puede sustituir en esta ecuación las corrientes de los diodos IDBE y IDBC. Además, si se definen las constantes bF y bR de manera que

las ecuaciones anteriores, resultan

que son las ecuaciones de las intensidades en los tres terminales del transistor NPN según el modelo de Ebers-Moll. Estas ecuaciones
son válidas para cualquier región de funcionamiento.

Aún siendo un modelo complejo del transistor, el modelo de Ebers-Moll no describe todos los efectos que tienen lugar en el
dispositivo. Los llamados efectos de segundo orden como la tensión de ruptura en inversa de las uniones PN, o la dependencia de
IC con VCE no están incluidos en este modelo.

4.2 APLICACION DEL MODELO DE EBERS-MOLL A LA REGION

ACTIVA NORMAL
En este apartado se van a simplificar las ecuaciones de Ebers-Moll, deducidas en el apartado anterior para el caso de que el transistor
se encuentre funcionando en la RAN.
Como ya se ha comentado, el funcionamiento en la RAN de un transistor se caracteriza por tener la unión PN polarizada en directa
(con VBE 0.7V) y la unión base colector polarizada en inversa (VBC < 0). Obsérvese que bajo estas condiciones las expresiones exponenciales de las
ecuaciones de Ebers_Moll se pueden simplificar

y las ecuaciones quedan reducidas a:

Como el segundo sumando de estas ecuaciones suele ser despreciable frente al valor de IB, IC e IE, a partir de las ecuaciones B. y C.,
se puede obtener la relación

que concuerda con la deducida en el apartado 2.2.

4.3 MODELO HIBRIDO PARA PEQUENTILDE;AS SENTILDE;ALES

DE ALTERNA
En este subapartado se presenta el modelo híbrido del transistor BJT, uno de los más ampliamente utilizados para el análisis de las
pequeñas señales de alterna. Para la deducción del mismo se consideran las siguientes hipótesis:

 Transistor polarizado en RAN

 Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia

4.3.1 Expresiones generales

Según se ha indicado en el apartado 3, el punto de operación de un transistor bipolar viene indicado por cuatro variables eléctricas.
De entre las diversas opciones posibles, para la deducción del modelo híbrido se escogen como variables independientes la corriente
IB y la tensión VCE, mientras que las dependientes son VBE e IC. De este modo, las ecuaciones características del transistor vendrán
dadas por dos funciones f1 y f2 tales que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarización concreto vendrán dadas por las expresiones anteriores:
Supongamos que sobre este punto de operación Q se añade una componente alterna, caracterizada por un I B y por un VCE. Para
calcular el VBE y el IC pueden sustituirse las funciones f1 y f2 en las cercanías del punto Q por las tangentes respectivas en dicho punto.
Como se trata de funciones de dos variables independientes, las expresiones serán las siguientes:

A partir de este momento, para simplificar la notación se escribirán con letra minúscula los incrementos de las variables. La expresión
anterior admite una representación matricial:

en donde los coeficientes hij se llaman parámetros híbridos, puesto que tienen diferentes unidades entre sí.

 hie : Impedancia de entrada ()

 hre: Ganancia inversa de tensión
 hfe : Ganancia directa de corriente, o ganancia dinámica
 hoe : Admitancia de salida (-1)

4.3.2 Cálculo de los parámetros híbridos

Para el cálculo de los parámetros hij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo de Ebers-Moll para la RAN.

 Función f1 =>

 Función f2 =>

Tal y como puede observarse, los coeficientes hre y hoe son nulos según estos cálculos. Este resultado refleja las limitaciones del
modelo de Ebers-Moll propuesto, ya que en realidad hre 5 x 10-5 y hoe 6 x 10-6 -1. Sin embargo, su valor es tan pequeño que en muchos
casos son aceptables las expresiones obtenidas anteriormente.

4.3.3 Representación gráfica

El modelo híbrido , con las simplificaciones mostradas en el subapartado anterior, admite la siguiente representación gráfica:
 Figura 22: Modelo híbrido para pequeñas señales de alterna

5 EJEMPLO DE APLICACION: EL AMPLIFICADOR DE SEÑALES

ALTERNAS
El mundo está lleno de pequeñas señales que necesitan amplificarse para procesar la información que contienen. Por ejemplo: una
guitarra eléctrica. El movimiento de una cuerda metálica en el interior de un campo magnético (creado por los captadores o pastillas)
provoca una pequeña variación de tensión entre dos terminales de una bobina. Para que esa débil señal pueda llegar a los oídos de
todo un auditorio, es evidente que se necesita una amplificación. La señal producida por la pastilla de la guitarra viaja por un par de
terminales hasta el amplificador. Aquí se produce la transformación de la pequeña señal, que es capaz ahora de excitar la membrana
de un altavoz con la potencia que se desee.

Para que se pueda oír lo que se toca realmente, la amplificación debe cumplir ciertas condiciones:

1. Debe respetar la forma de onda de la tensión de entrada. Si no lo hace así, se produce una distorsión, una pérdida de la
información que aporta.
2. La energía absorbida de la fuente que emite la onda que se desea amplificar ha de ser mínima. El circuito amplificador
necesita una fuente de alimentación propia.

5.1 EL TRANSISTOR BIPOLAR

El esquema más sencillo de amplificador de señales es el propio transistor bipolar.

Figura 23: Circuito con un transistor bipolar.

Si el transistor se encuentra en la RAN, hay una relación lineal entre e :

Como es reflejo de la entrada e lo es de la salida, este esquema proporciona una ganancia en corriente. Sin embargo
presenta dos limitaciones muy importantes:

1. Sólo amplifica la parte positiva de la señal: Cuando es menor que 0,7 V Q pasa al estado de corte, con lo

que .
2. Requiere señales de tensión grandes, por lo menos mayores que 0,7 V, ya que la señal de entrada ha de polarizar en
directa la unión BE y llevar el transistor a la RAN.

Con este dispositivo sólo se puede trabajar con señales positivas mayores de 0,7 V. Por lo tanto no es capaz de amplificar señales de
alterna. La figura siguiente representa aproximadamente la respuesta que se obtendría al tratar señales de alterna:

Figura 24: Corrientes en el circuito de la Figura 23.

5.2 POLARIZACION DEL TRANSISTOR Q A TRAVES DE LA BASE

 Figura 25: Transistor polarizado a través de la base.

Este esquema presenta la novedad de la resistencia RB. Gracias a ella, la base se polariza mediante la fuente de alimentación E C y no

mediante . La corriente que llega a la base proviene de dos fuentes:

 : Es la señal que queremos amplificar, por lo tanto, será variable en el tiempo.

 : Esta corriente es la suministrada por EC, que es una fuente de continua, para la polarización del transistor.

La intensidad de colector será, si Q está en la RAN:

Finalmente, puede calcularse la tensión de salida :

La siguiente figura ayuda a comprender mejor estos conceptos.

 Figura 26: Tensiones y corrientes en el circuito de la Figura 25.

La onda de salida es, efectivamente, proporcional a la entrada, pero está desplazada en el eje de las "Y", es decir, tiene una
componente de continua que ha sido introducida por la fuente de polarización del transistor.

LOGROS DEL ESQUEMA:

1. El transistor es también capaz de amplificar la parte negativa de la señal.

2. La tensión de entrada puede ser pequeña, ya que ahora el transistor se polariza a través de una fuente de alimentación
ajena a la entrada.
3. En la salida se dispone de una señal de tensión, gracias a R C, que cumple dos misiones:

o Transforma en una tensión .

o Junto con RB lleva el transistor a la RAN.

INCONVENIENTES:

1. Al conectar directamente el generador de señal a la entrada, IB iría a tierra a través de él. Esto podría dañar el generador
(en el ejemplo de la introducción, las pastillas o captadores de la guitarra eléctrica)
2. Al conectar directamente la salida a la carga (altavoz), IC iría a tierra a través de ella, dañándola.
Los inconvenientes de este esquema están introducidos por la corriente continua de polarización. Estas corrientes deben quedar
limitadas al interior del dispositivo amplificador.

5.3 EL CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO

El condensador es un componente que se comporta como un circuito abierto para la corriente continua. Por medio de él,
se aísla tanto la entrada como la salida de las componentes de continua. Si elegimos correctamente el valor de la capacidad de
acuerdo con la frecuencia a la que se espera que trabaje el dispositivo, se logra además que estos condensadores se comporten como
un cortocircuito para las señales de alterna que se quieren amplificar. En cualquier caso, la respuesta frecuencial del amplificador
queda limitada por los valores de C1 y C2.

Figura 27: Esquema amplificador con condensadores de acoplamiento.

Una vez visto el esquema básico de un amplificador, se enuncian los parámetros más importantes de éste:

 : Señal de entrada (pequeña señal AC).

 : Corriente de entrada, que se absorbe del generador de señal de entrada (AC).

 : Señal de salida (AC).

 , : Corrientes de polarización del transistor (DC).

 , : Resistencias de polarización.

 : Carga sobre la que se aplica la tensión de salida.

 : Aísla la entrada del circuito de la polarización en continua.

 : Aísla la salida del circuito de la polarización continua.

5.4 GANANCIA Y RESISTENCIA DE ENTRADA DE UN

AMPLIFICADOR
El esquema presentado es sólo una de las posibles soluciones válidas para la amplificación de señales. Para comparar las
características de todos ellos, se definen dos parámetros de AC: la ganancia en tensión y la resistencia de entrada:

Ganancia en tensión:
Es el cociente entre la señal de salida y la aplicada al dispositivo. Normalmente, la ganancia depende de la carga que se conecte (

).

Nótese que en este parámetro se relacionan las amplitudes de las señales alternas entrada y de salida y no los valores instantáneos.
Se da por supuesto que el circuito va a mantener en gran medida la similitud de las formas de onda, y de lo que se trata es de
cuantificar la magnitud de la amplificación. (El grado de distorsión de la señal de salida con respecto a la de entrada se valora
mediante otros parámetros).

Resistencia de entrada:

La resistencia de entrada da una idea de la cantidad de corriente que absorbe la fuente de señal que se desea amplificar (no hay que
confundir la con la fuente de alimentación del amplificador). Dado que interesa absorber poca energía de la fuente, el amplificador
será tanto mejor cuanto mayor sea su resistencia de entrada.

Puesto que la señal de entrada es alterna, estamos de nuevo ante un parámetro que relaciona las amplitudes de las oscilaciones de
las magnitudes eléctricas implicadas

5.5 METODO DE CALCULO

Cuando todos los componentes de un circuito responden a ecuaciones lineales, se puede aplicar el principio de superposición. En
este caso, los transistores no son componentes lineales. Sin embargo, teniendo en cuenta que las señales aplicadas son de baja
amplitud, el transistor opera soportando pequeñas oscilaciones con respecto a unas magnitudes continuas, luego sí que es posible
aplicar lasuperposición teniendo en cuenta el punto de operación:

1. Cálculo del punto de operación DC: Se sustituyen los condensadores por circuito abierto. A continuación se introduce el
modelo DC del transistor en RAN y se calculan los valores de las corrientes y tensiones de polarización.
2. Determinación del modelo AC del transistor: Ha de emplearse el modelo de pequeñas señales, particularizando para
en los resultados del punto 1.
3. Estudio del circuito en AC. En este estudio las componentes de continua no afectan a la relación de las amplitudes de las
ondas AC. Por consiguiente pueden cortocircuitarse las fuentes de tensión continua. Si el diseño del circuito es correcto, los
condensadores pasan a comportarse como cortocircuitos.

5.6 EJEMPLO DE CALCULO

A continuación se aplica este procedimiento al cálculo de y en el último esquema presentado, en su funcionamiento en

vacío.

1) Punto de operación DC
 Figura 28: Esquema equivalente DC del circuito Figura 27.

Según el circuito equivalente DC:

2) Parámetros del modelo equivalente AC

Los parámetros del modelo AC son la resistencia de entrada y la ganancia dinámica de corriente . Ambos han sido
definidos en el subapartado 4.3.2 de este capítulo.

3) Estudio AC

La figura 24 muestra el esquema equivalente del circuito para las señales de alterna.
 Figura 29: Circuito equivalente AC

La resistencia RB está conectada por un terminal a la fuente de señales y a la base, y por el otro a la fuente de alimentación E C.
Idealmente, esta fuente no ofrece ningún obstáculo para las señales de alterna (si su resistencia interna es nula), se comporta como
un cortocircuito que conecta RB con tierra. En el lado derecho del esquema, R C se une por una parte con el colector del transistor, y
por la otra con tierra a través de la fuente de alimentación.

Es de vital importancia que se tenga en cuenta que en este esquema sólo se relacionan las amplitudes de las ondas, y no sus
valores instantáneos.

Los valores de rIN y AV pueden obtenerse a partir del esquema de la figura 24.

Como :

Nótese que para el cálculo de los parámetros rIN y AV no es necesario definir el valor de vIN, ya que en ambos casos se calcular
variaciones de una magnitud con respecto a esa tensión de entrada.

ETAPAS DE AMPLIFICACION ESTABILIZADAS

El esquema de la Figura 27 presenta un claro problema de inestabilidad: La tensión de la base depende directamente de la corriente
de base. Cualquier pequeña variación debido a la influencia de la temperatura sobre la resistencia R B modificará el punto de
operación, y con él la ganancia. El esquema de la Figura 30 incluye dos mejoras con respecto al anterior:

 Polarización de la base a través de un divisor de tensión.

 Estabilización mediante resistencia de emisor.
 Figura 30: Circuito amplificador estabilizado.

Las funciones de estos subcircuitos son:

 Divisor de tensiones: Mediante una correcta selección de las resistencias y puede conseguirse que la

corriente sea muy superior a . Entonces, la tensión de la base quedará fijada únicamente por el valor de las
resistencias del divisor.

 Resistencia de emisor ( ): Un aumento de la corriente de colector provocará una elevación de la tensión de emisor.
Con ello, como la tensión de base es fija, la tensión base emisor disminuirá, la corriente de base también y finalmente, la
corriente de colector volverá a su valor de diseño. El condensador se encarga de cortocircuitar esta resistencia en alterna.

1 Un transistor está polarizado en RAN como se indica en la figura. Tiene una corriente de base de 8 mA y una corriente en el colector
de 1.2 mA. ¿Cuál es valor de la corriente en el emisor?. ¿Cuál es la ganancia (b) del transistor?.

2 Un transistor se conecta como se muestra en la figura del problema anterior. La corriente del emisor es de 2.42 mA y la del colector
es de 2.4 mA. ¿Cuánto vale la corriente en la base?. ¿Y el valor de b?

3 Un transistor está conectado como se indica en la figura del problema 1. Tiene una corriente de base de 16 mA y una ganancia de
80. ¿Cuánto vale la corriente en el colector?. ¿Y en el emisor?

4 En el circuito de la figura b =80, IB = 10 mA, R1 = 50 KW, R2 = 6 KW y V2=10V.

 ¿Qué valor tomarán los medidores IE, IC y VCE, si se admite la hipótesis de que el transistor está polarizado en la RAN?.
 A la vista de los resultados del apartado 1, comprobar la validez de la hipótesis.
5 Si la corriente de base es 30 A y la corriente de emisor es 4mA, ¿Cuál es el valor de ?

6 Encontrar la tensión en el colector cuando el transistor de la figura del problema 8 se encuentra en saturación.

7 Encontrar la tensión del colector del transistor de la figura del problema 8 cuando se encuentra en corte.

8 Si la b del transistor de la figura es 50, ¿Qué tensión es necesaria a la entrada para saturar el transistor?

9 Si la tensión de mínima en la entrada es de 3.7 V, ¿Cuál es el valor límite de la resistencia R 1 de la figura del problema 8 antes de
entrar en saturación para un valor de b de 50?

10 Cuando la entrada en la figura del problema 8 es de 5V, ¿Qué b se requiere para saturar el transistor?

11 En el circuito de la figura del problema 8 suponer que la corriente del colector es de 4 mA cuando la corriente de entrada es de 0.5
mA. En estas condiciones, ¿Cuál será la corriente del emisor?

12 En el circuito de la figura del problema 8 suponer que la corriente del colector es de 4 mA cuando la corriente de entrada es de
0.5mA. Si la corriente de entrada se aumenta a 1.0 mA, ¿Qué le sucederá a la corriente del colector?

13 Considerando el circuito y el gráfico de la figura:

 Calcular y dibujar la línea de carga del circuito entre C y E.

 Localizar el punto de operación Q en la gráfica cuando IC = 1,25 mA.
 Determinar la tensión de VCE en el punto Q.
 Calcular el valor de IB en el punto Q.
14 Sabiendo que VCC =12 V y dada la gráfica de la figura, calcular el valor de RC y RB necesario para que el transistor dado en la
figura opere en el punto Q dado.

15 Calcular las tensiones y corrientes de polarización en DC para el circuito de la figura ( = 80).

16 ¿Que resistencia RB se requiere para que el transistor opere en el punto medio de la recta de carga si ECC es 20 V, RC es 5 KW y b
es 125?

17 En el circuito amplificador de la figura:

 Calcular el punto de operación DC del transistor.

 Determinar el modelo AC para pequeñas señales
 Calcular la ganancia y la resistencia de entrada del dispositivo
18 En el circuito de la figura:

 Hallar el punto de operación DC del transistor.

 Determinar el modelo AC de pequeñas señales equivalente para ese punto de operación
 Hallar el valor de la impedancia de entrada y la ganancia en tensión.
 Tensión de salida del circuito si la entrada es una onda sinusoidal de 20 mV de tensión entre pico y pico.

19 En el esquema amplificador de la figura:

 Calcular RB y RC para que VCEQ = 5 V, e ICQ = 1 mA.

 Determinar y dibujar el circuito equivalente para las señales de alterna.

20 Se tiene un amplificador como el de la figura, con un potenciómetro en la entrada que puede variar entre 0 y 1 KW.

 Ganancia cuando RP = 0 KW.

 Ganancia cuando RP = 1 KW.
21 Para el amplificador de la figura calcular:

 Punto de operación DC
 Circuito equivalente AC
 Ganancia y resistencia de entrada

1.

22 En el circuito de la figura calcular:

 La ganancia de tensión.
 La resistencia de entrada que opone al generador de señal.
 Las tensiones y corrientes de polarización.

23 Para el circuito de la figura:

 Encontrar la tensión en el colector cuando el transistor se encuentra en saturación.

 Encontrar la tensión del colector del transistor cuando se encuentra en corte.
 Calcular la potencia consumida por el transistor en ambos casos.
24 ¿Qué resistencia Rb se requiere para que el transistor opere en el punto medio de la recta si Ecc es 20V, Rc es 4K y es 100?

25 Para el circuito de la figura, determinar:

 Las tensiones y las corrientes de polarización del transistor.

 Representar en la gráfica Ic/Vce la recta de carga y el punto de operación Q.
 Calcular la resistencia de entrada.
 Si manteniendo constantes los restantes valores dados en la figura, variamos R b, ¿para qué valores de Rb el transistor se
encontraría en saturación?. Para esos valores de Rb, determinar Vce, Vbe, Ic.

26 El transistor de la figura esta en configuración de colector común, también llamada seguidor de tensión y adaptador de
impedancias. En este sencillo circuito se pide:

 1.- Hallar la relación entre Vin y Vout (Vout=f(Vin))

 2.- Particularizar la expresión del apartado anterior para Vin1=0.3V y Vin2=4V. Calcular las intensidades de base para ambos
casos.
 3.- Calcular la resistencia de entrada Rin (Rin=Vin/Iin) entre la puerta de entrada y tierra.
 4.- Calcular la resistencia de salida Rout entre la puerta de salida y tierra.
 5.- ¿Cual crees que es la tensión máxima que se puede aplicar a la base del circuito de manera que el circuito siga
comportándose como un seguidor?¿Por qué?

27 El esquema de la figura representa un circuito seguidor de tensión para pequeñas señales. Se pide calcular:

 El circuito equivalente en DC.

 El punto de operación del transistor (VCEQ,ICQ).
 El circuito equivalente en AC con sus parámetros.
 Ganancia de tensión y resistencia de entrada.
 28 En el sistema electrónico de la figura se pide el valor de V IN para que Q 1 se sature suponiendo que Q2 no se satura.

Datos: Vcc=15V; Vee=-15V; Rc=10KW; Re=1KW; VBE1(on)= VBE2(on)= 0.7V; b1=b2=100

29 El LED de la figura tiene una tensión de conducción en directa Vf=1.5V y requiere al menos de 1mA de corriente para conseguir un
nivel apropiado de iluminación. El LED puede disipar como máximo 15mW. El valor de V CC es de 5V y el valor de la entrada V in es
producida por una fuente digital con una tensión de salida de 5V. Calcular:

 La máxima corriente admisible en el diodo.

 Los valores máximos y mínimos de las resistencias RB y RC para que el diodo LED ilumine correctamente.

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

En el tutorial de transistores bipolares, hemos visto que una pequeña corriente de base controla una corriente de colector muy
superior. Los transistores de efecto de campo son dispositivos triterminales en los que la corriente principal se controla mediante una
tensión. Las características principales son:

 La potencia de control es nula, es decir, no se absorbe corriente por el terminal de control.

 Una señal muy débil puede controlar el dispositivo.
 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.

Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el concepto básico de los FET se conocía ya
en 1930, estos dispositivos sólo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la década de los 60. Y a partir de los 80 los
transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan menos
espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. Además su proceso de fabricación es también
más simple. Además, existe un gran número de funciones lógicas que pueden ser implementadas únicamente con transistores MOS
(sin resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica digital.

En este tutorial se explica el principio de funcionamiento de ambos tipos de dispositivos, así como sus modelos circuitales
elementales.

1 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET)

Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una región de tipo P en un canal de tipo N, tal y como se muestra en la Figura 1. A ambos
lados del canal se conectan los terminales de fuente (S, Source) y drenaje (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta
(G, Gate).

Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N

Los símbolos de este tipo de dispositivos son:

Figura 2: Símbolos de los transistores JFET

Las explicaciones incluidas en este capítulo se refieren fundamentalmente al transistor NJFET, teniendo en cuenta que el principio de
operación del PJFET es análogo.

1.1 PRINCIPIO DE OPERACION DEL NJFET

A continuación se explica cómo se controla la corriente en un JFET. Al igual que sucede con los transistores BJT el JFET tiene tres
regiones de operación:

 Región de corte
 Región lineal
 Región de saturación

Es preciso hacer notar que en este caso, la saturación alude a un fenómeno completamente distinto al de los transistores BJT.

1.1.1 Región de corte

Centremos nuestra atención en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N.
Como se recordará, cuando se forma una unión PN aparecen en los bordes de la misma una zona de deplección en la que no hay
portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarización aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace más
ancha, proporcionalmente a la tensión aplicada. Aplicando una tensión VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de
deplección, con lo que disminuye la anchura del canal N de conducción.

Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la región de agotamiento se extenderá completamente a través del canal, con
lo que la resistencia del mismo se hará infinita y se impedirá el paso de ID (Figura 3). El potencial al que sucede este fenómeno se
denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).

Figura 3: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensión de bloqueo

Por lo tanto, para valores más negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la región de corte, y la corriente de
drenaje resulta ser nula.

1.1.2 Región lineal

Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensión VDS mayor que cero, aparecerá una corriente circulando en el sentido del
drenaje a la fuente, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estará limitado por la resistencia del canal N de
conducción. En este caso pueden distinguirse dos situaciones según sea VDS grande o pequeña en comparación con VGS.

1.1.2.1 Valores pequeños del voltaje drenaje-fuente

La Figura 4 presenta la situación que se obtiene cuando se polariza la unión GS con una tensión negativa, mientras que se aplica una
tensión entre D y S menor.
 Figura 4:Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS < 0

Por el terminal de puerta (G) no circula más que la corriente de fuga del diodo GS, que en una primera aproximación podemos
considerar despreciable. La corriente ID presenta una doble dependencia:

 La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS

 La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. Como ID está limitada por la resistencia del canal,
cuanto mayor sea VGS - VP, mayor será la anchura del canal, y mayor la corriente obtenida.

Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresión:

Por lo tanto, en la región lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y a VDS.

1.1.2.2 Valores altos del voltaje drenaje-fuente

Para valores de VDS comparables y superiores a VGS la situación cambia con respecto al caso anterior: la resistencia del canal se
convierte en no lineal, y el JFET pierde su comportamiento óhmico. Veamos por qué sucede esto.

Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se distribuye a lo largo del canal, es decir, en las proximidades
del terminal D la tensión será de 5 V, pero a medio camino la corriente circulante habrá reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en
el terminal S el potencial será nulo. Por otra parte, si VGS es negativa (- 2 V, por ejemplo), la tensión se distribuirá uniformemente a
lo largo de la zona P, al no existir ninguna corriente (Figura 5). (NOTA: se desprecia la caída de tensión en las zonas situadas por
debajo de los contactos).

Figura 5: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5 V

Sigamos adelante. En las proximidades del terminal S la tensión inversa aplicada es de 2 V, que se corresponde con la VGS = -2 V. Sin
embargo, conforme nos acercamos a D esta tensión aumenta: en la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V. La polarización
inversa aplicada al canal no es constante, con lo que la anchura de la zona de deplección tampoco lo será (Figura 6).
Cuando VDS es pequeña, esta diferencia de anchuras no afecta a la conducción en el canal, pero cuando aumenta, la variación de la
sección de conducción hace que la corriente de drenaje sea una función no lineal de VDS, y que disminuya con respecto a la obtenida
sin tener en cuenta este efecto.
 Figura 6: Esquema del transistor JFET de canal N en la región de conducción no lineal

1.1.3 Región de saturación

Si VDS se incrementa más, se llegará a un punto donde el espesor del canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de
ese momento, la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensión provocan un mayor
estrechamiento del canal, con lo que la resistencia global aumenta (Figura 7).

Figura 7: Esquema del transistor JFET de canal N en la región de corriente constante

La región de saturación se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que sucede cuando la tesión puerta-drenaje es más
negativa que VP, es decir:

VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP

Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 3 y Figura En el caso del bloqueo, todo el canal resulta afectado por la zona
de deplección, que es constante porque la tensión VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unión. En cambio, en la región de
corriente constante sólo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por VDS, que varía a lo largo del mismo), y es lo que permite
la circulación de la corriente.

1.2 CURVAS CARACTERISTICAS

Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la representación
de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la región de corte a la de saturación (Figura 8). En la práctica
sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica, puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rápidamente IG.

Figura 8: Característica VGS - ID del transistor NJFET

En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones lineal y de saturación (Figura 9). En la
región lineal, para una determinada VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo, este crecimiento se
atenúa hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturación, en donde ID sólo depende de VGS.

Figura 9: Característica VDS - ID del transistor NJFET

Nótese que, según esta gráfica, la región de saturación del JFET se identifica con la región activa normal de los transistores bipolares.
Mientras que en RAN la corriente de colector sólo depende de la de base, aquí la magnitud de control es la tensión VGS. Por el
contrario, si la resistencia del JFET en la región lineal es muy pequeña puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones
lineal de JFET y de saturación del BJT.

1.3 PARAMETROS COMERCIALES

Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:

 IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración de fuente común y se cortocircuita
la puerta y la fuente (VGS=0). En la práctica marca la máxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene
tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor.
  VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su
valor.
 RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se mantiene constante hasta valores
de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento.
 BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre fuente y drenaje. Tensiones más altas
que BVDS provocan un fuerte incremento de ID.
 BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión entre la puerta y la fuente, que se encuentra
polarizada en inversa. Valores mayores de BVGS provocan una conducción por avalancha de la unión.

1.4 MODELOS DEL TRANSISTOR NJFET

Análogamente a lo efectuado con el transistor bipolar se van a presentar dos modelos para el JFET: uno para analizar el
funcionamiento del transistor JFET con señales continuas y otro para las señales alternas aplicadas sobre un punto de operación de la
región de saturación.

En primer lugar se presentan los modelos para las diferentes regiones de operación, a saber, corte, saturación y zona lineal. A partir
de las ecuaciones dictadas por este modelo, se deducen posteriormente las expresiones necesarias para el análisis de señales de
alterna de pequeña amplitud.

1.4.1 Modelo estático ideal

Para el transistor NJFET, el modelo viene representado en la Figura 10. El valor de ID depende de la región de funcionamiento del
transistor.

Figura 10: Esquema circuital del modelo del transistor JFET

1. Región de corte: la condición de la región de corte es que el canal esté completamente estrangulado en las proximidades
de la fuente, lo que sucede cuando la tensión puerta-fuente alcance la tensión de estrangulamiento (VGS<VP). En este
caso ID=0.
2. Región lineal: es la región en que se produce un incremento de la intensidad ID al aumentar VDS. Este incremento es
lineal para bajos valores de VDS aunque la linealidad se pierde cuando VDS se acerca a -VP. Para trabajar en la región lineal
se deben dar dos condiciones:

o VGS > VP
o VGD > VP VGS > VP + VDS

Estas condiciones equivalen a admitir que el canal de conducción no se estrangula por la zona de deplección en inversa tanto en el
extremo de drenaje como en la fuente. El valor que toma la corriente IDes

1. Región de saturación: la región de saturación tiene lugar cuando la tensión entre drenador y puerta alcanza la tensión
de estrangulamiento. Para que ello ocurra, el canal N, tiene que estar estrangulado en el extremo cercano al drenaje, pero
no en el extremo del canal cercano a la fuente. Entonces, al igual que en el caso anterior, deben ocurrir dos condiciones:
 o VGS > VP
o VGD < VP VGS < VP + VDS

En este caso la intensidad ID ya no depende de VDS, siendo su expresión

Por lo general, en los transistores NJFET tanto VP como VGS toman valores negativos, mientras que VDS e IDSS son positivos, tomando la
dirección ID tal y como aparece en el modelo.

1.4.2 Modelo para señales alternas

Para la deducción del mismo se consideran las siguientes hipótesis:

 Transistor polarizado en la región de saturación

 Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia

1.4.2.1 Expresiones generales

De entre las diversas opciones posibles, para la deducción del modelo se escogen como variables independientes las
tensiones VGS y VDS, mientras que las dependientes son las corrientes IG e ID. De este modo, las ecuaciones características del
transistor vendrán dadas por dos funciones f1 y f2 tales que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarización concreto vendrán dadas por las expresiones anteriores:

Supongamos que sobre este punto de operación Q se añade una componente alterna, caracterizada por un VGS y por un VDS. Las
oscilaciones de las corrientes pueden calcularse como:

A partir de este momento, para simplificar la notación se escribirán con letra minúscula los incrementos de las variables. La expresión
anterior admite una representación matricial:

en donde los coeficientes yij se llaman parámetros admitancia.

  yis : Admitancia de entrada (-1)
 yrs: Admitancia de transferencia inversa (-1)
 yfs : Transconductancia (-1). Se suele nombrar como gm
 yos : Admitancia de salida (-1)

1.4.2.2 Cálculo de los parámetros admitancia

Para el cálculo de los parámetros yij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo estático para la región de saturación.

 Función f1 =>

 Función f2 =>

La representación circuital de este modelo simplificado responde al mismo esquema presentado en la Figura 10.

2 TRANSISTOR MOSFET
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio de operación y su estructura interna son
diferentes. Existen cuatro tipos de transistores MOS:

 Enriquecimiento de canal N
 Enriquecimiento de canal P
 Empobrecimiento de canal N
 Empobrecimiento de canal P

Los símbolos son:

 Figura 11: Transistores MOSFET

La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una
estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho
menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia.

2.1 PRINCIPIO DE OPERACION

De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el principio de funcionamiento de dos de ellos: los NMOS de
enriquecimiento y empobrecimiento.

2.1.1 NMOS de enriquecimiento

En la Figura 12 se presenta el esquema de un MOS de canal N de enriquecimiento.

Figura 12: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento

Supongamos que se aplica una tensión VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en cero. Al aplicar una tensión positiva a la
zona N del drenaje, el diodo que forma éste con el sustrato P se polarizará en inversa, con lo que no se permitirá el paso de corriente:
el MOS estará en corte.

Sigamos suponiendo, y pensemos ahora que aplicamos un potencial VGS positivo, mientras mantenemos la VDS positiva también. La
capa de aislante de la puerta es muy delgada, tanto que permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los
electrones del material P. A mayor potencial aplicado, mayor número de electrones será atraído, y mayor número de huecos repelido.
La consecuencia de este movimiento de cargas es que debajo del terminal G se crea un canal negativo, de tipo N, que pone en
contacto el drenaje con la fuente. Por este canal puede circular una corriente. Recapitulando, por encima de un valor positivo VGS =
VTH se posibilita la circulación de corriente ID (Figura 13). Nos encontramos ante una región de conducción lineal.
 Figura 13: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conducción

Si el valor de VDS aumenta, la tensión efectiva sobre el canal en las proximidades del drenaje (VGS - VDS) va disminuyendo, con lo que
el canal se estrecha en dicha zona, y se pierde la linealidad en la relación ID - VDS. Finalmente se llega a una situación de saturación
similar a la que se obtiene en el caso del JFET.

2.1.2 NMOS de empobrecimiento

En la Figura 14 se presenta el esquema de un MOS de canal N de empobrecimiento.

Figura 14: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento

En este caso el canal ya está creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensión VDS aparecerá una corriente de drenaje ID.
Para que el transistor pase al estado de corte será necesario aplicar una tensión VGS menor que cero, que expulse a los electrones del
canal.
 Figura 15: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento en corte

También en este caso, la aplicación de una VDS mucho mayor que VGS provoca una situación de corriente independendiente de VDS.

2.2 CURVAS CARACTERISTICAS

Con los transistores MOS se manejan dos tipos de gráficas: la característica VGS - ID, con VDS constante, y la VDS -
ID con VGS constante.

2.2.1 Transistor NMOS de enriquecimiento

Figura 16: Característica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento

En la Figura 16 se pone de manifiesto cómo la intensidad ID aumenta bruscamente cuando se supera la tensión umbral VTH (Threshold
Voltage) y se crea el canal. Es un componente idóneo para conmutación, puesto que pasa de un estado de corte a uno de conducción
a partir de un valor de la señal de control. En los dispositivos con el terminal de puerta de aluminio y el aislante de óxido de silicio, la
tensión umbral está en torno a los cinco voltios.
 Figura 17: Característica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento

La característica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento es muy similar a la del JFET, pero los valores de VGS cambian: en
este caso la conducción se da para voltajes positivos por encima del umbral.

2.2.2 Transistor NMOS de empobrecimiento

Figura 18: Característica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento

El NMOS de empobrecimiento puede funcionar también como transistor de enriquecimiento. Si la tensión VGS se hace positiva se
atraerán electrones al canal. Además, a diferencia de los JFET, la impedancia de entrada continua siendo muy elevada.
 Figura 19: Característica VDS - ID del transistor NMOS de empobrecimiento

2.3 PARAMETROS COMERCIALES

Los parámetros comerciales más importantes del transistor MOS son análogos a los de los JFET presentados en el apartado 1.3.

2.4 MODELOS CIRCUITALES

Tal y como se ha visto, las curvas de funcionamiento de los transistores MOS son similares a las de los JFET. Por ello, todos admiten
una representación circuital análoga.

2.4.1 Modelo estático de Schichman-Hodges

El modelo estático del transistor MOSFET se denomina modelo de Schichman-Hodges. Es un modelo muy parecido al modelo de los
transistores JFET, descrito anteriormente. El circuito equivalente se compone de un interruptor abierto y una fuente de intensidad
(Figura 20) cuyo valor ID depende de la región de funcionamiento del transistor.

Figura 20: Modelo de Schichman-Hodges para el transistor FETMOS

Para el transistor NMOS de enriquecimiento las regiones de funcionamiento son:

1. Región de corte

o Condición VGS<VTH
o Intensidad ID=0

1. Región lineal.
 o Condiciones: VGS>VTH

VGD < VTH VGS < VTH+VDS

 Intensidad:

Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del transistor

 me es la movilidad de los electrones, que depende del material y la temperatura

 W, L son la anchura y la longitud del canal. Factores geométricos que dependen del diseño del transistor.
 C'OX es la capacidad por unidad de superficie del condensador que forman el metal de la puerta con el canal. Depende
fuertemente del espesor del óxido de puerta.

1. Región de saturación

o Condiciones VGS > VTH

VGD > VTH VGS > VTH+VDS

 Intensidad:

2.4.2 Modelo para señales alternas

Para el caso en el que el transistor soporte señales alternas de pequeña amplitud y baja frecuencia sobre un punto de polarización en
región de saturación, puede demostrarse de forma análoga a como se ha realizado para el transistor JFET que la
transconductancia gm se calcula a través de la siguiente expresión

3 APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Las aplicaciones generales de todos los FET son:

3.1 ELECTRONICA ANALOGICA

Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y soportar elevadas tensiones en estado
de corte.

 Resistencias variables de valor gobernable por tensión (variando la anchura del canal).
 Amplificadores de tensión, especialmente en la amplificación inicial de señales de muy baja potencia.
 Control de potencia eléctrica entregada a una carga.

En el caso de la amplificación los circuitos se diseñan para que el punto de operación DC del MOS se encuentre en la región de
saturación. De este modo se logra una corriente de drenaje dependiente sólo de la tensión VGS.

3.2 ELECTRONICA DIGITAL

Los MOS se emplean a menudo en electrónica digital, debido a la capacidad de trabajar entre dos estados diferenciados (corte y
conducción) y a su bajo consumo de potencia de control. Para esta aplicación se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de
modo que idealmente pueda considerarse que:

 La caída de tensión en conducción es muy pequeña.

 La transición entre el estado de corte y el de conducción es instantánea.

1. En un transistor NJFET con IDSS=10mA y VP = - 5 V se mide una intensidad de drenaje ID = 1mA. Hallar cuánto vale la
tensión VGS si se admite que trabaja en la región de saturación. Hallar la tensión de alimentación E mínima para que el
transistor trabaje en saturación.

1. En el circuito de la figura, se pide:

1.- La tensión VGS si se admite que el transistor está en saturación.

2.- Si VIN = 5V, calcular cuanto vale VDS.

Datos del transistor: IDSS = 5mA; VP= - 3V

1. Sea el circuito de la figura formado por un transistor NJFET y una resistencia. Se pide:

1.- Indicar la región de funcionamiento del transistor.

2.- Calcular el punto de operación del transistor.

3.- Si se cambia la resistencia por otra de valor 1k, hallar el nuevo punto de operación del transistor.

Datos del transistor: IDSS = 2mA; VP= - 3V

 1. El transistor NJFET de la figura tiene una I DSS=12mA y VP=-4V. Determinar el valor mínimo de E para que el transitor
trabaje en la región de saturación.

1. Calcular los valores de VDS y VGS del transistor de la figura si se admite que ID=5mA.

1. Determinar el punto de operación del transistor FET de la figura suponiendo que se encuentra en zona de saturación.

Datos: IDSS=5mA VP=-4V

1. Hallar el punto de operación del transistor de la figura. Datos: I DSS=15mA; VP=-10V

1. En el circuito de la figura, calcular la resistencia de entrada R IN y la tensión de salida VOUT. Si se conecta una resistencia de
4.7k a la salida del circuito, calcular la tensión de salida. Datos del transistor: I DSS=8mA, VP=-10V

1. En el circuito de la figura se ha utilizado un transistor 2N5460. Calcular la ganancia de tensión del circuito. Nota: Utilizar
para ello los valores medios de los parámetros del transistor.

1. Determinar la ganancia de tensión del circuito de la figura. Datos del transistor: gm=3.8 mmhos
 1. El sencillo circuito de la figura es una fuente de corriente que alimenta una carga RL.

a) Calcúlese el valor de la corriente I que circula por esa carga si el transistor se encuentra en la región de saturación.

b) Hallar la resistencia RL máxima que se puede alimentar con la intensidad hallada mediante el circuito anterior

Si el transistor JFET de la figura es un transistor comercial 2N5486, calcular entre qué valores se puede esperar que varíe la
intensidad I cuando el transistor trabaja en la región de saturación. Datos: I dss=10mA; VP=-5V.

1. Con el transistor 2N5457 y otros componentes que crea necesarios, diseñe una fuente de corriente constante de 0.2mA.
¿Cuál será la carga máxima que puede alimentar la fuente de corriente?

1. En el circuito de la figura, calcular la tensión de salida si la tensión de entrada es 3V. Considerar que el transistor trabaja
en la región de saturación. Datos adicionales: R=100K; E=15V

1. La tensión de entrada Vin es una tensión que varía muy lentamente con el tiempo de manera que, se puede resolver el
circuito mediante un análisis en continua. Si E=10V e ID=1mA, calcular la relación entre V out y Vin. ¿Qué intensidad ID se
debe establecer en la fuente si se quiere que Vout=Vin? Datos del transistor: IDSS=3mA VP=-5V
 1. En el circuito de la figura, si ambos transistores son idénticos y se encuentran térmicamente acoplados. Hallar la relación
entre VOUT y VIN.

1. Determinar el valor de las salidas V01 y V02 cuando VIN valga cero y diez voltios. Datos: VTH = 5 V. ECC = 20 V.

1. Para el diseño de una puerta lógica inversora, se realiza un esquema como el que se representa a continuación.

a) Calcular aproximadamente la potencia generada en la fuente de 8 Voltios en los estados lógicos '1' y '0' de la entrada (10 V. y 0 V.
Respectivamente).
b) ¿Qué misión tiene la resistencia de 15 k?.

1. El siguiente circuito lógico está diseñado según la técnica CMOS (Complementary-MOS).

Se denomina así por que emplea en el mismo circuito transistores NMOS y PMOS.

a) Explicar su funcionamiento y determinar qué tipo de puerta lógica es.

b) Comparar este circuito con el del anterior. ¿Qué ventajas presenta en cuanto a consumo de potencia?.

1. Seleccionar el transistor más apropiado para el circuito lógico siguiente (0 < V IN < 10V) (Calcular los parámetros
comerciales del transistor):

1. Determinar a qué tipo de puerta lógica corresponden los dispositivos de la figura (Entradas: V 1 y V2; Salida: VO)
¿Qué consumo de potencia hay en los estados lógico '1' y '0' de ambos circuitos?

1. El circuito de la figura representa a un transistor actuando como un interruptor. Cuando se polariza la puerta con una
tensión de 15V, el transistor deja pasar una corriente para alimentar la resistencia de carga. Al polarizar con 0V la puerta,
el transistor permanece en corte. Se pide:

a) Elegir un transistor MOS adecuado para realizar esta función.

b) Calcular aproximadamente la pérdida de potencia en el transistor si la señal de entrada está comprendida entre 0 y 5V.

1. Un transistor NMOS de deplección tiene un VP=-2V y K=2mA/V2. Calcular la VDS mínima para operar en la región de
saturación si VGS=1V.
2. El transistor MOSFET de deplección de la figura tiene una K=4mA/V2 y VP=-2V. Calcular la tensión de la fuente

1. Calcular los parámetros que toman las resistencias RD y RS del circuito de la figura para que el transistor opere con una
ID=0.4mA y VD=1.Datos: VTH=2V; K=0.4mA/V2
1. Se desea diseñar un circuito de alarma para un coche de manera que al salir del coche con las luces encendidas, suene un
zumbador. Para detectar la apertura de la puerta se dispone de un sensor magnético entre la puerta y el coche que se
cierra con la puerta y da una señal de 0V. Al abrir la puerta, el sensor da una señal de 5V. Por otro lado, se tiene un
dispositivo que detecta el paso de corriente en el circuito de iluminación. Se obtiene una señal de 5V con las luces
encendidas y de 0V con las luces apagadas. El zumbador tiene que estar alimentado entre 1 y 16V y recibir una corriente
de 30mA. Diseñe el circuito con los transistores MOSFET necesarios.

2. ELECTRONICA DE POTENCIA: TIRISTORES

3. Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para controlar
grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrónicos de bajo consumo de potencia.
4. La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel reflejo de la función que efectúa este
componente: una puerta que permite o impide el paso de la corriente a través de ella. Así como los transistores pueden
operar en cualquier punto entre corte y saturación, los tiristores en cambio sólo conmutan entre dos estados: corte y
conducción.
5. Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los tipos más significativos: Diodo Shockley, SCR (Silicon
Controlled Rectifier), GCS (Gate Controlled Switch), SCS (Silicon Controlled Switch), Diac y Triac.
6. 1 EL DIODO SHOCKLEY
7. El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: ánodo y cátodo. Está constituido por cuatro capas semiconductoras que
forman una estructura pnpn. Actúa como un interruptor: está abierto hasta que la tensión directa aplicada alcanza un
cierto valor, entonces se cierra y permite la conducción. La conducción continúa hasta que la corriente se reduce por
debajo de un valor específico (IH).

8.
9. Figura 1: Construcción básica y símbolo del diodo Shockley

10. 1.1 CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD

11. Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, sólo habrá una corriente muy pequeña hasta que se alcance
la tensión de ruptura (VRB).
12.
13. Figura 2: Característica I-V del diodo Shockley
14. En polarización positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza un valor de tensión VB0. Una vez alcanzado
este punto, el diodo entra en conducción, su tensión disminuye hasta menos de un voltio y la corriente que pasa es
limitada, en la práctica, por los componentes externos. La conducción continuará hasta que de algún modo la corriente se
reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento IH.
15. La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarización directa tiene un límite impuesto por el propio componente
(IMAX), que si se supera llevará a la destrucción del mismo. Por esta razón, será necesario diseñar el circuito en el que se
instale este componente de tal modo que no se supere este valor de corriente. Otro parámetro que al superarse puede
provocar la ruptura del dispositivo es VRB,ya que provocaría un fenómeno de avalancha similar al de un diodo convencional.

16. 1.2 EJEMPLO DE APLICACION: DETECTOR DE

SOBRETENSION
17. En esta aplicación, se ha seleccionado un diodo Shockley con una tensión de conducción de 10 V. Por tanto, si la tensión de
la fuente es correcta, es decir, de 9 V, el diodo está abierto, no circula corriente por él y la lámpara estará apagada. Pero si
la tensión de la fuente supera, por una falla en su funcionamiento una tensión de 10 V, el diodo entra en saturación y la
lámpara se enciende. Permanecerá encendida (y el diodo cerrado) aunque la tensión vuelva a 9V, mostrando de esta
manera que ha habido una falla. La única forma de apagar la lámpara sería desconectar la alimentación.

18.
19. Figura 3: Detector de sobretensión
20. 2 SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)
21. El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la diferencia de poseer tres terminales: ánodo,
cátodo y puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley, presenta dos estados de operación: abierto y cerrado, como si se
tratase de un interruptor.
 22.
23. Figura 4: Construcción básica y símbolo del SCR

24. 2.1 CARACTERISTICA TENSION INTENSIDAD

25. Tal y como se aprecia en la Figura 5, la parte de polarización inversa de la curva es análoga a la del diodo Shockley.

26.
27. Figura 5: Característica del SCR
28. En cuanto a la parte de polarización positiva, el diodo no conduce hasta que se recibe un pulso de tensión en el terminal de
puerta (gate). Una vez recibido, la tensión entre ánodo y cátodo cae hasta ser menor que un voltio y la corriente aumenta
rápidamente, quedando limitada en la práctica por componentes externos.
29. Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarán la destrucción del SCR si se
superan: VRB e IMAX. VRB (Reverse Breakdown Voltage) es, al igual que en el diodo Shockley, la tensión a partir de la cual se
produce el fenómeno de avalancha. IMAX es la corriente máxima que puede soportar el SCR sin sufrir daño. Los otros dos
valores importantes son la tensión de cebado VBO(Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento IH,
magnitudes análogas a las explicadas para el diodo Shockley.

30. 2.2 METODOS DE CONMUTACION

31. Para que el dispositivo interrumpa la conducción de la corriente que circula a través del mismo, ésta debe disminuir por
debajo del valor IH (corriente de mantenimiento). Hay dos métodos básicos para provocar la apertura el dispositivo:
interrupción de corriente anódica y conmutación forzada. Ambos métodos se presentan en las figuras Figura 6 y Figura 7.
 32.
33. Figura 6: Apertura del SCR mediante interrupción de la corriente anódica
34. En la Figura 6 se observa cómo la corriente anódica puede ser cortada mediante un interruptor bien en serie (figura
izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace que el
SCR deje de conducir. El interruptor en paralelo desvía parte de la corriente del SCR, reduciéndola a un valor menor
que IH.
35. En el método de conmutación forzada, que aparece en la Figura 7, se introduce una corriente opuesta a la conducción en el
SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta una batería en paralelo al circuito.

36.
37. Figura 7: Desconexión del SCR mediante conmutación forzada

38. 2.3 APLICACIONES DEL SCR

39. Una aplicación muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en reguladores (dimmer) de lámparas,
calentadores eléctricos y motores eléctricos.
40. En la Figura 8 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia variable. Entre los terminales A y B se
aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia de la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una
lámpara). R1 es una resistencia limitadora de la corriente y R2 es un potenciómetro que ajusta el nivel de disparo para el
SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna
entre 0 y 180º, como se aprecia en la Figura 8.
 41.

42. Figura 8: (a) Conducción durante 180º (b) Conducción durante 90º
43. Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0º), como en la Figura 8 (a), conduce durante
aproximadamente 180º y se transmite máxima potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda,
como en la Figura 8 (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90º y se transmite menos potencia a la carga.
Mediante el ajuste de RX, el disparo puede retardarse, transmitiendo así una cantidad variable de potencia a la carga.
44. Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el siguiente disparo durante el ciclo
positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como se ilustra en la Figura 9. El diodo se coloca para evitar que
voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.

45.
46. Figura 9: Disparos cíclicos para control de potencia
47. 3 GCS (GATE CONTROLLED SWITCH)
48. Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia de que el GCS puede interrumpir el paso de corriente con una señal en
el terminal de gate.
49. Igual que el SCR, no permitirá el paso de corriente hasta que un pulso positivo se reciba en el terminal de puerta. La
diferencia se encuentra en que el GCS puede pasar al estado de corte mediante un pulso negativo 10 ó 20 veces mayor
que el pulso positivo aplicado para entrar en conducción.

50.
51. Figura 10: Símbolo del GCS
52. Los GCS están diseñados para cargas relativamente pequeñas y pueden soportar sólo unas pocas decenas de amperios.
53. 4 SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH)
54. Es similar en cuanto a construcción al SCR. La diferencia está en que posee dos terminales de puerta, uno para entrar en
conducción y otro para corte. El SCS se suele utilizar en rangos de potencia menores que el SCR.
 55.
56. Figura 11: Símbolo del SCS
57. El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este último tiene la ventaja de poder abrirse más rápido mediante
pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra
más limitado en cuanto a valores de tensión y corriente. También se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y
circuitos temporizadores.
58. 5 EL DIAC
59. Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona básicamente
como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

60.
61. Figura 12: Construcción básica y símbolo del diac
62. La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en
polarización directa como en inversa.
63. Cualquiera que sea la polarización del dispositivo, para que cese la conducción hay que hacer disminuir la corriente por
debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma
análoga, no tienen por qué ser simétricas.
 64.
65. Figura 13: Característica V-I del diac
66. 6 EL TRIAC
67. Este dispositivo es simular al diac pero con un único terminal de puerta (gate). Se puede disparar mediante un pulso de
corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje VBO como el diac.

68.
69. Figura 14: Construcción básica y símbolo del TRIAC.
70. En la curva característica se indica que para diferentes disparos, es decir, para distintas corrientes aplicadas en gate, el
valor de VBO es distinto. En la parte de polarización positiva, la curva de más a la izquierda es la que presenta un valor
de VBO más bajo, y es la que mayor corriente de gate precisa en el disparo. Para que este dispositivo deje de conducir,
como en el resto de los casos, hay que hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.
 71.
72. Figura 15: Característica V-I del triac
73. Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El triac puede dispararse de tal modo
que la potencia en alterna sea suministrada a la carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el
SCR es que se puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera que la corriente en la
carga puede circular en los dos sentidos.

74.
75. Figura 16 Control básico de potencia con un Triac
76. 7 RESUMEN
77. Como resumen final del tema se reflejan en una tabla las características más importantes de los tiristores que se han
presentado.

TIRISTOR UNIDIRECCIONAL BIDIRECCIONAL 1 GATE 2 GATE 0 GATE ON/OFF

SHOCKLEY X X

SCR X X

GCS X X X

SCS X X X

DIAC X X
TRIAC X X

Cables

Fuentes de alimentación
Resistores
Condensador
Diodos
Transistores
Medidores
Interruptores
Dispositivos de salida
Dispositivos de audio y radio
Fuente: (simboelectro)