SIMULACIÓN Y EXPERIMENTACIÓN DE

CURVAS DE TRANSFERENCIA DE UN
CIRCUITO CON MOSFETS

Jaramillo Rueda Andres Felipe, Vargas Pacheco Laura Yurtiza

Universidad Industrial de Santander
Bucaramanga, Santander, Colombia
andres.jaramillo@correo.uis.edu.co, laura.vargas12@correo.uis.edu.co

Resumen—En esta practica se ha analizado un circuito con un Código fuente de la simulación del circuito.
transistor M2 auto polarizado o otro M1 que opera en diferentes
regiones de polarización según sea el voltaje Vg aplicado.
Index Terms—Mosfet,regiones de polarización, saturación, V1 1 0 DC 10V VDD 3 0 10V
triodo,corte. M1 2 1 0 0 NCH4007 L=10u W=100u
M2 3 3 2 0 NCH4007 L=10u W=100u
I. INTRODUCCI ÓN .MODEL NCH4007 NMOS (LEVEL=1 VTO=1.4 KP=70u
Una alternativa para evaluar problemas que se originan al LAMBDA=0.004)
no tener en cuenta algunos efectos por el tipo del modelo o la .DC V1 0 10 0.1
herramienta de simulación y poder comparar directamente los .OP
resultados es realizar la simulación a partir de programación .PROBE
en modo texto. A partir de ello se tiene una base más sólida .END
sobre el funcionamiento del circuito y se puede proseguir al
montaje fı́sico del diseño (en el caso de sistemas discretos). Se realizo una gráfica de la simulación donde se muestran
las regiones de polarización: Corte - saturación y triodo,
I-A. Abreviaciones y anacrónicos respectivamente. [1] [2] [3]
A continuación se definen las abreviaciones que van a ser
utilizadas para desarrollar el informe de laboratorio:
Vin: Voltaje de entrada.
Vout: Voltaje de salida.
II. ACTIVIDADES DE
LABORATORIO-SIMULACI ÓN
II-A. Simulación del circuito en formato SPICE

Figura 2. Gráfica de las regiones de polarización.

III. ACTIVIDADES DE LABORATORIO-MEDICI ÓN

EXPERIMENTAL
Figura 1. Muestra de los nodos planteados en la simulación.
Se realizo el montaje del circuito y se obtuvo los siguientes
. datos: Gráfica realizada con los datos de laboratorio.
 Tabla I
TABLA DE DATOS

Vin Vout
1 8,69
1,3 8,58
1,8 8,18
2,2 7,72
2,6 7,39
4 5,91
5.5 4,40
6 3,99
7,5 2,89
8,5 2,55
9,5 2,36
10 2,7
11 2,14
12 2,05

Figura 3. Gráfica en matlab de valores obtenidos en la medición.

IV. CONCLUSIONES
El transistor M1 se mantiene en región de saturación pues
VG=VD entonces, basta con tener encendido el mosfet
para que se asegure la región mencionada. El transistor
M1 inicia en región de corte, luego en saturación y
finalmente entra en triodo dadas las condiciones de
voltajes calculadas en el pre-informe.
Uno de los aspectos más importantes para lograr obtener
los valores calculados es anular el efecto body de el
transistor M2, para esto se conecta el pin de body a la
menor tensión en el transistor en este caso se conectó al
mismo pin de source, de esta manera quedan conectados
el pin drain y el body de M2.
Para realizar este montaje se deben utilizar dos integrados
CD4007 pues estos traen conexiones internas que afectan
el montaje, una de estas es la conexión de sus Bodys, que
al estar todos conectados a un nodo no se podrá evitar
el efecto cuerpo.
R EFERENCIAS
[1] A. S. S. Sedra, K. C. S. Kenneth Carless Adel S Sedra et al., Circuitos
microelectrónicos, 2006, no. Sirsi) i9789701054727.
[2] Horowitz and C. U. P. Hill, The Art of Electronics, 2005.
[3] J. W. . S. I. Behzad Razavi, Fundamentals of Microelectronics.