Materiales semiconductores

Los compuestos semiconductores tienen una estructura muy parecida a la cúbica de diamante, que
es la que estructura de todos los elementos semiconductores del grupo IV. Así, los elementos
semiconductores más usados son el Si y el Ge, su coordinación es tetraédrica y los enlaces son
esencialmente covalentes. El intervalo de energía aumenta con la fuerza de los enlaces. Los
semiconductores útiles requieren de una gran pureza y perfección para lo que se requiere refinación
por zonas.

Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto

tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en
este caso negativos o electrones). Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más
débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también
conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.

En cambio, un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo

un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga
libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se añade el material dopante libera los electrones
más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también
conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son
conocidos como huecos.

Los semiconductores se encuentran en una situación intermedia entre los aislantes y conductores:
a la temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero mediante una aportación de energía
puede modificarse esta situación, adquiriendo un comportamiento más cercano al de los
conductores.

Si se eleva la temperatura del monocristal de silicio por encima de 0 K, parte de la energía térmica
permite liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos:

1. Aparece un electrón libre capaz de moverse a través de la red en presencia de un campo

eléctrico.

2. En el átomo al que se asociaba el electrón aparece un defecto de carga negativa, es decir,

una carga positiva, que se denomina hueco.

Globalmente, el cristal mantiene la neutralidad eléctrica, ya que no ha ganado ni perdido cargas.

Cuando se producen electrones libres en un semiconductor únicamente por agitación térmica,
existen huecos y electrones en números iguales, porque cada electrón térmicamente excitado deja
detrás de sí un hueco. Un semiconductor con un número igual de huecos y electrones se
denomina intrínseco.

Para que un material semiconductor sea completamente funcional, se requiere que tenga una
impureza de baja energía de ionización y un intervalo de energía apreciable para obtener una región
de agotamiento lo mayormente posible.

Así como a los elementos del grupo IV se les puede agregar elementos del grupo III para formar
material tipo p y del grupo V para formar tipo n; a compuestos como el GaAs (Arseniuro de galio) se
le puede agregar Ge, formando una unión III-IV con el Ga y IV-V con el As, obteniendo así un
compuesto que es tipo n y tipo p a la vez, sin embargo, existen tratamientos térmicos para que los
átomos del Ge se depositen preferencialmente de un lado u otro para formar GaAs tipo n o tipo p.

También algunos compuestos II-VI y IV-VI pueden ser semiconductores, generalmente muy útiles
en la detección de la radiación, mientras que los II-VI sirven en medidores de luz debido a que su
intervalo de energía corresponde a la región de la luz visible del espectro, los IV-VI al tener un
intervalo de energía bastante inferior funcionan en la región infrarroja del espectro.

Muchos óxidos también pueden ser semiconductores como el ZnO (Óxido de Zinc) o algunos óxidos
de metales de transición como el TiO (Óxido de titanio). También se ha observado la semi-
conducción en hidrocarburos aromáticos y en algunos polímeros de cadena larga.

Pese a necesitar impurezas aceptadoras o donadoras, un semiconductor práctico debe ser lo más
puro y perfecto posible química y cristalográficamente, por eso la unión p-n debería producirse en
un solo cristal, pues un límite de grano podría producir niveles adicionales y complicar las cosas.

Para obtener la mayor pureza posible se usa la refinación por zonas. El proceso de refinación por
zonas está basado en la segregación de las impurezas disueltas durante la solidificación de
desequilibrio.

Este sistema está formado por un recipiente (bote) largo y angosto hecho de material de cuarzo o
de grafito para que exista una contaminación mínima, además de un contenedor de cuarzo en forma
de tubo y un grupo de bobinas de inducción de RF (radio frecuencia).

Para un mayor grado de purificación, al interior del contenedor se le aplica un vacío para reducir la
posibilidad de contaminación. El material que va ser purificado se coloca en el recipiente (bote). En
un extremo se coloca una pequeña “semilla”, que es una pequeña muestra mono-cristalina con el
patrón deseado de los átomos (como alguna de las redes de Bravais) y se colocan las bobinas en el
mismo extremo de la semilla. Posteriormente se le aplica a la bobina la señal de radiofrecuencia la
cual, inducirá un flujo de carga en el lingote o barra. La magnitud de estas corrientes aumenta hasta
que se desarrolla una cantidad de calor suficiente para fundir esa región del material semiconductor,
así las impurezas en el lingote pasarán a un estado líquido. Al mover de forma transversal las bobinas
se va creando un material fundido que, al irse enfriando, los átomos adoptan un patrón de red
similar al de la semilla.

Conforme la zona fundida va pasando lentamente a través de la barra sólida, la mayor parte de los
átomos de impureza en el fundido son rechazados por el sólido. Cuando la zona fundida pasa a
través del lingote largo, las impurezas se van acumulando en el líquido y al final quedan solamente
en el extremo del lingote cuando la última parte de la zona fundida se solidifica finalmente. Esta
parte del lingote contiene casi todas las impurezas, por lo tanto, se corta y se repite el proceso hasta
que se elimine la cantidad de impurezas deseada.

Se dijo anteriormente que se buscará obtener un monocristal para fines prácticos, y para esto hay
varios métodos de extracción de monocristal. El más utilizado es el método Czochralski, este método
es utilizado para la obtención de silicio monocristalino mediante un cristal semilla depositado en un
baño de silicio. Es de amplio uso en la industria electrónica para la obtención de wafers u obleas,
destinadas a la fabricación de transistores y circuitos integrados.
El método consiste en un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor fundido,
por ejemplo, germanio. La temperatura se controla para que esté justamente por encima del punto
de fusión y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla que gira lentamente y
tiene en su extremo un pequeño monocristal del mismo semiconductor que actúa como semilla. Al
contacto con la superficie del semiconductor fundido, éste se agrega a la semilla, solidificándose
con su red cristalina orientada de la misma forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La
varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando un monocristal cilíndrico. Finalmente se
separa el lingote de la varilla y pasa a la fusión o refinación por zonas para purificarlo.

Otro método es el Bridgman-Stockbarger, el cual consiste en un crisol de forma cilindro-cónica que

se llena de polvo de la sustancia a fundir y se hace deslizar lentamente por el interior de un horno
en el que se establecen dos zonas de temperaturas diferentes, levemente por encima y por debajo,
respectivamente, del punto de fusión de la substancia a fundir. El proceso consiste en provocar la
fusión del polvo del crisol, y posteriormente una cristalización muy lenta. Las impurezas pasan al
fundido, consiguiéndose cristales grandes y muy puros.

Las impurezas donadoras o aceptadoras pueden agregarse al líquido del cual se desarrolla el
monocristal semiconductor o pueden depositarse después sobre la superficie del cristal y penetrar
en éste por difusión. Un material tipo p puede doparse con suficientes impurezas donadoras para
convertirlo en tipo n, y asimismo puede doparse con impurezas aceptadoras un tipo n para
convertirlo en tipo p. Se puede considerar esta compensación como un desplazamiento del nivel de
Fermi, al añadir aceptadores desciende el nivel de Fermi y al hacer esto con donadores se eleva. Si
el nivel de Fermi está sobre el centro del intervalo de energía, el material es tipo n, en caso contrario,
tipo p. Esta compensación es esencial en la producción de dispositivos de unión, y para lograr esto
existen distintas técnicas.

La técnica más antigua es la del método de unión por crecimiento o de doble dopado, a medida que
crece el cristal se cambia la composición del material fundido agregando en forma alternada
impurezas donadoras y aceptadoras, de esta forma se forman en el cristal regiones tipo p y n.

Otra técnica es la de aleación, que es más sencilla, como material inicial se usa un bloque de material
tipo n, como por ejemplo Ge dopado con Sb. Se colocan dos pequeños puntos aceptadores de In en
las superficies y se funden. Cerca de los puntos, el germanio se disuelve en el indio. Al enfriarse se
solidifican primero en el bloque soluciones sólidas muy diluidas de In en Ge. Si el enfriamiento es
muy lento, no se produce nucleación, el bloque sirve como semilla y permanece como monocristal,
de esta forma se producen dos regiones p para formar un transistor p-n-p.

Por la técnica de difusión se fabrican transistores extremadamente pequeños. Se emplean varias

etapas, todas relacionadas con la difusión de impurezas hacia el interior, a partir de la fase gaseosa.

El pequeño tamaño físico y los requisitos mínimos de potencia de los dispositivos semiconductores
hacen posible obtener la reducción de tamaño deseado para aplicaciones en computadores, en
aeronáutica y astronáutica. Con el desarrollo del crecimiento de cristales, del trabajo microscópico
mecanizado, del ataque químico superficial, de la deposición en el vacío y de las técnicas de difusión
ha sido posible integrar componentes y circuitos en una sola unidad, estos son los circuitos
integrados.