TIRISTORES

1
 TIRISTORES
Son elementos semiconductores empleados
ampliamente en circuitos de Electrónica de
Potencia. Operan como interruptores biestables
entre conducción y no conducción.

Entre los tiristores mas importantes tenemos :

SCR TRIAC PUT
UJT GTO DIAC

2
 RECTIFICADOR CONTROLADO DE
SILICIO (SCR)
Pueden usarse para controles de potencia de hasta 10MW, 1800V,
2000A y frecuencias de hasta 50 KHz.
Esta conformado por 4 capas semiconductoras y tres terminales:

Se escogió al Silicio por su característica a altas temperaturas y

elevadas potencias. A diferencia del diodo convencional, existe un
tercer terminal llamado compuerta o GATE que controla el encendido
del SCR
3
La operación básica del SCR, en parte es similar a la del diodo
convencional, es decir que para conducir, necesita que el VAK sea
mayor que su valor de umbral.
Adicionalmente requiere la presencia de un valor de voltaje VGK
(comúnmente en forma de pulso) en lo que se denomina “disparo” del
SCR.

Resumiendo las condiciones tenemos:

Para conducir : VAK  Vumbral
ID  0
VGK  Pulso
Para Apagarlo : Como diodo normal VAK  0 ó I D  0

4
 Circuito Equivalente del SCR

Para definir un circuito equivalente al SCR, dividimos en dos capas el

material, con lo que obtenemos dos transistores BJT conectados de la
siguiente manera:

5
 ANALISIS DE OPERACIÓN

a)

VAK  0
VGK  0
t  t1
Q2 no puede encender VBE  0.

6
b) t > t1

Efecto Regenerati vo
I B 2 pequeña  I C 2 I B1  I C1 I B 2 
 Hasta estabiliza ción.(Saturación).
7
c)

SCR sigue encendido (sin el pulso)

SCR sigue encendido (sin el pulso)

8
 Formas de apagado del SCR:
El SCR se puede apagar por
interrupción de corriente como si
fuera un diodo convencional, o
también puede apagarse por
CONMUTACIÓN FORZADA,
donde se obliga a la corriente
eléctrica a circular por el SCR en
dirección opuesta.
Esto se logra habilitando el
transistor Q1 con un pulso de
voltaje que pone a la fuente DC
con polaridad contraria al SCR.

9
 APLICACION
Una de las aplicaciones mas utilizadas del SCR, es como un rectificador de
media onda controlado. Es decir la rectificación solo inicia cuando existe un
pulso en el voltaje VGK. El punto de inicio o disparo del SCR, se conoce
como ángulo de disparo “α”.

10
CURVAS CARACTERISTICAS

Esta es la característica
principal del SCR.
Es muy similar a la del
diodo convencional,
excepto que en la región
de bloqueo, requiere
mucho mayor voltaje
directo para el disparo.
Ese sesgo a la derecha va
disminuyendo cuando
existe una corriente en la
compuerta que facilite el
disparo del dispositivo

11
 Característica de la Compuerta
Para el análisis usamos el circuito equivalente de compuerta :

Las dos curvas de la juntura

definida por el diodo y los valores
mínimos y máximos de voltaje
corriente y potencia, establecen la
zona de disparo seguro del SCR,
es decir el VGK y la IG deben
estar en esa zona para garantizar
el encendido del dispositivo.

12
Circuito de disparo básico
V  VGK  RIG
Ecuaciones de
VGK  V  RIG la recta de
V carga en la
Si VGK  0  I G  compuerta
R
Si I G  0  VGK V

La idea es escoger los valores de

RG (máximo y mínimo) de tal
manera que la recta de carga (y por
ende el punto de operación) este
siempre dentro de la zona de
disparo seguro

13
Ejemplo:
Encuentre el rango de valores de RG para disparo
seguro del SCR.

1,5

14
Recta de Carga : VGK  8  RG I G
1er Limite : Punto (10 ; 1.5) pase por la recta recta de carga
1.5  8  RG 10 
RG  0.65k  RG  0.65k
2 do Limite : Intersección :  Recta de carga
pto. tangente   Pto. Máximo.
0.6 0. 6
VGK  8  RG I G  8  RG I G VGK 
IG IG
RG I G  8 I G  0.6  0
2

64  40.6RG 
IG  8 
2 RG
64  40.6 RG  0
RG  26.67 
26.67   RG  0.65k
15
TIEMPO DE ENCENDIDO

Existen dos componentes

para el tiempo de
encendido: tiempo de
alzado (t rise) y tiempo de
retardo (t delay)

t r  entre 0 y 10%
t d  10%  90%
t on  t r  t d

16
TIEMPO DE APAGADO

Para el tiempo de apagado del

SCR, los componentes son el
tiempo de almacenamiento (t
storage) y el tiempo de
transición (t transition)

toff  ts  tt

17
 DIAC
Simbolo Construcción basica

18
 Caracteristica

Si Vanodo1  Vanodo2 El DIAC es un semiconductor

SCR : p1  n2  p2  n3 capaz de conducir en ambas
direcciones. Solamente en el
Si VA2  V A1 intervalo entre los voltajes de
umbral, el DIAC no conduce.
SCR : p 2  n2  p1  n1

19
 TRIAC
Simbolo Construcción

20
 Caracteristica

El TRIAC es un tiristor capaz de conducir corriente en ambas

direcciones. Para conducir en sentido directo (I>0) se necesita
un VGK positivo. Para conducir en sentido inverso (I <0),
necesita un VGK negativo aunque dependiendo del fabricante y
en ciertos niveles también se puede encender con VGK positivo

21
El TRIAC es muy parecido al
SCR con la diferencia que es capaz
de conducir en ambas direcciones.

22
GTO

EL GTO (Gate Turn Off

Switch) es un Tiristor capaz
de controlar tanto su
encendido como su
apagado. Al igual que el
SCR para poder encender,
requiere que su VAK sea
positivo.

23
24
UJT (Transistor de una Juntura)

25
Circuito Equivalente

26
El valor de R B1  depende de I E
R B1
Si I E  0 VRB1  VBB
R B1  R B2
R B1  R B2  R BB  Resistencia total
la base ( I E  0).
R B1
 Relación de Separación Intrisica.
R BB

27
 Para que el Diodo interno encienda
VE  V p  Vpico Potencial de Disparo.
V p  VD  VBB

RB1(ON )   Valor de R B1 cuando el diodo

enciende

28
Curva Característica

29
Región de corte. En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la
tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de
emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensión de pico en el UJT
viene definida por la siguiente ecuación

Región de resistencia negativa. Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar

el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta
huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de
recombinación. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia
interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0).
En esta región, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y
de valle (IP< IE< IV).

Región de saturación. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas
corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy
baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la corriente
de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las
condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la región de corte.

30
 OSCILADOR DE RELAJACION
Se basa en la carga y descarga del capacitor.

31
Reemplazando el UJT por su circuito equivalente:

32
Inicialmen te C  descargado
R2
VGK  V1 
R2  RBB
C  comienza a cargarse exponencialmente
a travez de R 1
Vcapacitor VC  VP  diodo se enciende
R B1(ON)  
 Capacitor comienza a descargarse por
R B1(ON) y R2
 R
 C VGK  VC


33
Este es el modelo general para el cálculo de tiempos de
carga y descarga para un circuito RC con fuente y
condiciones iniciales:
VC
iC
t
VC  VCC  iR
VC
VC  VCC  RC
t
VC 1 V
 VC  CC
t RC RC
t
VC  Ke   VCf VCf  VCC
t
VC  Ke   VCC
VC (t 0 )  VCi
VCi  Ke0  VCC K  VCi  VCC
t
VC (t )  VCi  VCC e   VCC
34
Supongamos que en t = t1 el capacitor llega a Vc1

 t1
VC1  VCi  VCC e 
 VCC
t1
VC1  VCC  VCi  VCC e 

t1
VC1  VCC
e 

VCi  VCC
t1  V  VCi 
 ln  CC 
RC  VCC  VC1 
 VCC  VCi 
t1  RC ln  
 VCC  VC1 
 VCC  VCi 
tc  t d  RC ln  
 VCC  VC1 
35
Carga:
Aqui el UJT está apagado, y el Capacitor se
carga exponencialmente.

Usamos la fórmula general para carga

exponencial de un circuito RC, desde Vv
(voltaje de valle) hasta Vp (voltaje pico)

 V  Vv 
tc  R1C ln  
 V V 
 p 

36
 Descarga:
Una vez que el UJT se enciende, el capacitor se descarga rápidamente,
a través del diodo interno y las resistencias RB1 y R2

UJT ya esta encendido R B1  R B1(ON)

 No hay fuente  V  0
 0  Vp 
t d  R B1(ON)  R2 C ln  
 0  Vv 
 Vp 
t d  R B1(ON)  R2 C ln  
 Vv 
1
T  tc  t d f 
T
normalment e tc  t d
si no tengo R B1(ON)  asumo t d despreciable.

37
Curvas para voltaje del capacitor y VGK
en un Oscilador de Relajación

38
Análisis mediante curvas características del
oscilador de relajación:

Mientras UJT  off

VE  VC
L.V .K : V  I1 R1  VC
V  I1 R1  VE

En el instante que el UJT  on

I capacit or  I E
Recta de carga : V  I E R1  VE
V
Si VE  0  I E 
R1
Si I E  0  VE  V
39
La recta de carga del circuito en el momento del cambio, debe ser
tal que se cruce con la zona de transición del UJT (recta central
roja). Si la recta se cruza con la zona de corte, el UJT nunca se
enciende. Si se cruza con la zona de conducción el UJT nunca se
apaga.

V  Vv V  Vv
 I v  R1 
R1 Iv
V  Vv
En VE  Vv IE   Iv
R1
V  Vp V  Vp Rango de
 I p  R1 
R1 Ip valores de R1
para garantizar
V  Vp el encendido y
En VE  V p I E   Ip apagado del UJT
R1
V  Vv V  Vp
 R1 
Iv Ip
40
Resumen :
para que el UJT este operando, el voltaje del capacitor
en el momento que VC  VV la I E tiene que ser menor que la I V
en el momento que VC  VP la I E tiene que ser mayor que la I P

41
 EJEMPLO :

Vo -

BJT : VEB  0.7V   150

UJT : VD  0.6V R BB  7k   0.7
Vv , I v , I p  despreciables
a) Calcule angulo de disparo 
b) Grafique V0 y VC

42
Como : 220V (voltaje de la fuente AC)  20V (voltaje del zener),
se debe asumir que el zener se enciende al inicio de cada ciclo positivo
LVK  5.7  1I E  0.7  0
I E  5mA

IC  I E  I C  4.96 mA
 1

VB  20  5.7  14.3V
IZ  IR  I
VB I C
IZ  
50 
14.3 4.97
IZ   
50 150

VEC  VE 'VC '

(20  1I E )  VC
VEC  20  5  VC
15  VC  0 VC  15 Q. esta en zona lineal
43
El circuito con el transistor, está configurado para trabajar como
fuente de corriente. Esto hace que el capacitor se cargue
mediante una fuente constante, teniendo una forma de carga
lineal
Oscilador
dVC
iC
dt
1
 ( dVC )   idt
c
1
VC (t )   idt  K
c
Si i  Iconstante
I
VC (t )  tK
c
4.97 mA
VC (t ) 
1.5f
VC (t )  3313 .33t  K

44
 VP  14.63V
VC (t  0)  0
VC (t  tC )  VP
VP  3313 .33tC
VP 14.63
tC  
3313 .33 3313 .33
tC  4.42 mseg
360 
  4.42 seg
RB1  40 1
VP  VD  • 20
RBB  40 60
RB1  RBB  (0.7)7   95.47 
RB1  4.9 K Una vez que el UJT enciende, envía un pulso al
4.9  40 SCR que a su vez se dispara. En este momento
VP  0.6  • 20
7  40 el SCR pone redundante al circuito de disparo,
evitando que exista algún pulso nuevo.

45
 TRANSISTOR DE MONOUNION
PROGRAMABLE (PUT)
Simbolo del PUT Composicion del PUT

46
Arreglo basico para Polarizacion del PUT

Caracteris tica del PUT

47
 RB1
Si I G  0 VG  VBB  VBB
RB1  RB 2
VP  VBB  VD
VAK  VAG  VGK Siempre y cuando I G  0
Antes de disparar I G  0
VP  VAK necesario para encender el PUT
VBB : Voltaje sobre RB1
VD  VAG (Diodo interno) necesario para encender diodo interno
VD  VAB  0.7
Comparativamente I P y IV son menores que el UJT 48
Oscilador de Relajación

49
Oscilador de relajacion
* Si VC (t  0)  0V
 V AK  0  Put  Off
I D  IG  0
C  comienza cargar exponencialmente
como I D  I G  0  no hay corriente sobre
RK  VC  V AK
Cuando VC  VP
VP  VD  V
 PUT  on

50
Al encenderse el PUT VC se descarga inmeditame nte RK  (  RK C )
Durante este tiempo VK  VC
 V  VV 
tC  RC ln  
 V  VP 
VK  VC  VAK
si el PUT  ON
modelo ideal : VAK  VV
VK  VC  VV
V  VV V  VP
R
IV IP

51
EJERCICIO PROPUESTO:

PUT : I P  100 A
VV  1V
IV  5.5mA
Determine
a) VP  ?
b) R max  R min
c) foscilacio n
d) Grafique VA , VG , VK .

52
Respuestas
a) VP  8.7V
b) 2 K  R  33 K
c) f  38.73 Hz
d)

53
 EJEMPLO
Vo

Q :   150 VEB  0.7V

PUT : V AG (VD )  0.6V
a) Calcule R para   90 
b)Calcule la potencia en la carga

54
Si Vi  asumimos Zener 20V  se enciende inmediatam ente
 el circuito que nos queda es el sgte :

55
la configurac ion del transisto r es como tener una fuente de corriente
I C  4.96 mA
VC  15V

56
Carga : PUT  OFF
VC  se carga con corriente cte (linealmen te)
dV 1
iC  C VC (t )   iC dt  0
dt C
1
VC (t )  (4.97)t  3313 .33t
1.5uF
C  se carga hasta VP

Vo

57
 R
V P  V D  20
10  R
En el instante que SCR  ON el voltaje en el nodo  0
VC  3313 .33t
1
T
tC     90   60 
360 o 360
t C  4.17 mseg
V P  VC (t  4.17 mseg )  3313 .33( 4.17 mseg )  13.82  15
R
V P  0.6  20  13.82
10  R
(10  R ) (13.22)  20 R
R  19.44 K
T
VO 2 (rms) 1
 0
b) PL  VO (rms)  V0 (rms)  60V
2
V 0 (t ).dt
RL (r )
PL  3600W

58