Vous êtes sur la page 1sur 165

Ph.

Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 1
Sophia

COURS
COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES

Philippe Lorenzini
Polytech Nice Sophia

Références:
• H.Mathieu Physique des SC et Composants électroniques, Dunod, 2002
• F. Schubert, Light emitting diodes, « www.lightemittingdiodes.org »
• J. Singh, optoelectronics devices, McGrawHill, 1996
• D.A. Neamen, « semiconductors physics and devices », McGrawHill, 3° Ed, 2003
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 2
Sophia

Composants optoélectroniques
• Interaction Rayonnement – SC
• Photons, électrons
• Interaction électron – Photons
• Absorption
• Émission
• Photo-détecteurs
• LEDs
• Lasers
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 3
Sophia

Rayonnement électromagnétique

Equations de Maxwell:

  H
ro tE   µ0
t    
 E  E e j ( t  k . r )
  E 0
ro t H  
t

divE  0   2 pulsation

divH  0 k vecteur d’onde
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 4
Sophia

Rayonnement électromagnétique

• Aspect ondulatoire: • Aspect corpusculaire:


• Onde • « grains » de lumière
  j (t  k .r )
E  E0e • photon
• Énergie
• Vitesse de l’onde
E p  h  

c n : indice
v  
k n • Qté de mouvement
n  r
p  k
• Vitesse de groupe
 • Relation de dispersion
vg  c
k E p   k (vide n =1)
n
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 5
Sophia

Électrons : dualité onde - corpuscule

• Aspect ondulatoire: • Aspect corpusculaire:


• Dans le vide
1 2
• Relation de de Broglie E  mv
2
p  mv
h
 E
p 2  2k 2

p 2m 2m

• Dans un cristal
p  k p2
E  V (r )
2m
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 6
Sophia
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 7
Sophia
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 8
Sophia

Interaction électrons - photons

• 3 processus: 1.24 2
E (eV )  ;k 
• Absorption  ( µm) 
• Émission spontanée
• Émission stimulée (dans les lasers)
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 9
Sophia

Règles de sélection
Ee-

• Conservation de l’énergie
et de la qté de
mouvement:
• Absorption

E f  Ei  E photon
p f  pi  p photon kélectron

• Émission

Ei  E f  E photon
pi  p f  p photon   1
 1
a
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 10
Sophia

Règles de sélection
Eph 1  1
2
k photon   
Ee-  1000

• Conservation de l’énergie
et de la qté de
mouvement:

 k f  ki   k photon kphoton

Conservation de l’énergie:
Si absorption, Eph > Eg

Conservation de p:
Ordre de grandeur de k   1
 1 kélectron
a
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 11
Sophia

Compte tenu du faible kphoton les


transitions optiques ne peuvent
se faire que verticalement en k

Intérêt à adapter Eg à l’énergie du


photon à détecter
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 12
Sophia

Différents processus de transition inter-


bandes
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 13
Sophia

RECOMBINAISON
RADIATIVES ET NON
RADIATIVES
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 14
Sophia

ABSORPTION, ÉMISSION SPONTANÉE


ET STIMULÉE

•Pseudo niveau de Fermi


•Taux net d’émission de photon
•Recombinaison: durées de vie
•Vitesse de recombinaison en surface
•Génération de porteurs en excès
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 15
Sophia

« envoi » des électrons et des trous 
dans les bandes « n’importe comment »!

--------
---- ----
-- --
Recomb
EF e-h

+ + +
++++

Hors équilibre retour équilibre


équilibre
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 16
Sophia

2 grandeurs régissent les états:


• Temps entre 2 chocs: temps de relaxation : lors 
d’un choc l’électron perd de l’énergie (10-13 à 10-12 s)
• Durée de vie des électrons dans une bande (10-9
à10-3 s) vie 

• Si  vie   les porteurs « ont le temps » de se


thermaliser en bas de bande puis se recombiner.
Du fait de la différence entre ces deux temps il
existe un état de pseudo-équilibre pour les e- et
les h+
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 17
Sophia

Retour à l’équilibre

EFn --------
---- ----
-- --

EF
+ +
+++ ++++
EFp +++++

On coupe
l’excitation
Hors équilibre équilibre
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 18
Sophia

Taux net d’émission de photon -1


C’est le nombre de photon d’énergie E émis par unité
de temps et de volume
r ( E )  rspont ( E )  N ( E )rstim ( E )  N ( E )rabs ( E )

nb ph émis nb photon D( E )
de manière spontanée N ( E )  E / kT
dans le matériau e 1
par s et cm3

rspont est indépendant de la présence


de photon dans le matériau
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 19
Sophia

Taux net d’émission de photon -2


r ( E )  rsp ( E )  N ( E )rstim ( E )  rabs ( E ) 

rst: taux d’émission stimulée


(Bilan énergétique de ce qui est
stimulé de haut en bas et
de bas en haut)

r ( E )  rsp ( E )  N ( E )rst ( E )
rst(E)>0  émission de photon (ampli de lum)
rst(E)<0  absorbe un rayonnement de photon
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 20
Sophia

Taux net d’émission de photon -3

Soit un système à 2 niveaux Ei et Ej

rsp ( E )  i Aij .g i f i .g j .(1  f j )


Ei , gi j

E = Ei - Ej
nb d’e- ds l’état i
Proba. pour que cette
Ej , gj recombinaison soit radiative


rst ( E )  i Aij .g i .g j f i (1  f j )  f j (1  f i )
j

Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 21
Sophia

Taux net d’émission de photon -4


E’ Dans le cas d’un SC, il y a
un pseudo continuum d’états
E=E’-E’’ Émission d’un photon d’énergie E

B ( E ' , E ' ' ) : proba pour la transition de E’ à E’’


soit radiative
E’ ’

E'
rsp (E)  B(E' ,E)Nc (E')fc (E')Nv (E'E)(1  fv (E'E))dE'

E'
rst (E)  B(E' ,E)Nc (E')Nv (E'E)[fc (E')  fv (E'E)]dE'
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 22
Sophia
Taux net d’émission de photon -5
Rq: on peut montrer que dans les matériaux dopés,
B est constant au voisinage des extrema de bandes

Semi-conducteur Nature du Gap B (cm-3s-1)


B (SC gap direct) >> B (SC

Si indirect 1.8 10-15


Ge indirect 5.3 10-14
gap indirect)

GaP indirect 5.4 10-14


GaAs direct 7.2 10-10
GaSb direct 2.4 10-10
InP direct 1.3 10-9
InAs direct 8.5 10-11
InSb direct 4.6 10-11
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 23
Sophia

Taux net d’émission de photon -6


Émission spontanée: Rsp   rsp ( E )dE  Bnp
E

 kT 
E  F

Émission stimulée: rst ( E )  rsp ( E ) 1  e  avec F  E f c  E f v


 

L’émission stimulée existe si rst(E) > 0


Efc
--------
La condition d’amplification implique : ----

F  E  E  E f v  Eg h Eg
fc

SC dégénéré n et p ou plutôt Efv ----------


Inversion de population ----------
------------
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 24
Sophia

Taux net d’émission de photon -7

Si on écrit le nb de photons dans le matériau:


D( E )
N ( E )  N 0 ( E )  N ( E ) avec N 0 ( E )  E / kT
e 1
Alors

 N ( E ) 1  e ( E  F ) / kT

r ( E )  rsp ( E )1  (1  ) E / kT 
 N0 (E ) e  1 

Taux net d’émission


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 25
Sophia
Taux net d’émission de photon -8
• À l’équilibre thermodynamique :
 1  e E / kT 
N ( E )  0 et F  0  r ( E )  rsp ( E )1  0
 1 e 
E / kT

• Sous faible excitation d’un


rayonnement(E>Eg):
N ( E )
N ( E )  0 et F  0  r ( E )  rsp ( E ) 0
N0 (E )
Le semi-conducteur absorbe le rayonnement

• Forte excitation (E>Eg et Eg>>kT/e):


 N ( E )  E / kT  F / kT 
N ( E )  0 et F  0  r ( E )  rsp ( E )1  (1  )(e e )   0
 N0 (E) 

Le semi-conducteur émet un rayonnement d’énergie E


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 26
Sophia
Recombinaison des porteurs en excès –
durée de vie

Comment se recombinent les porteurs et à quelle « vitesse » ?


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 27
Sophia
Recombinaison des porteurs en excès – durée de
vie
En d’autres termes, 2 « chemins » possibles pour la recombinaison:
- radiatif
- non radiatif
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 28
Sophia

Recombinaison des porteurs en excès – durée de vie


Taux global d’émission de photon R  taux de recombinaisons
radiatives

n  n0  n et p  p0  p
n concentration en électrons libres
n0 concentration d’équilibre en électrons libres
n, p concentration en excès d’e- et h+

dn dp
R    Bn p  Rst
dt dt
R taux de recombinaisons par cm3 par s
B coefficient ambipolaire de recombinaison
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 29
Sophia

Recombinaison des porteurs en excès – durée de


vie

R  R0  R  B (n0  n)( p0  p )  Rs t 0  Rst


En régime de faible injection (n et p petit / régime d’inversion), Rst
est négligeable et R s’écrit en négligeant le terme du 2° ordre:
Taux de recombinaisons 
R  Bn0 p  Bp0 n radiatives des porteurs

p n  rp 
1
et  rn 
1
R   avec
 rp  rn Bn0 Bp0
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 30
Sophia

Recombinaison des porteurs en excès – durée de


vie

• Dans la mesure ou n = p (création de paires électron –


trou):
1 1 1
 
r  rn  rp
• Dans un semi-conducteur dopé, la durée de vie radiative
est celle des porteurs minoritaires (SC n)

n0  p0   rn   rp d' où  r   rp
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 31
Sophia
Recombinaison des porteurs en excès – durée de
vie non radiative
• « chemin non radiatif »:
• Centres de recombinaison
• Émission phonon ou effet Auger

• On attribue à ce type de recombinaisons, une durée


de vie non radiative:

 nr
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 32
Sophia

Recombinaison des porteurs en excès


• Les processus sont additifs.
• La durée de vie globale est donnée par:

1 1 1
 
 r  nr
• On définit le rendement radiatif par:

1
r  nr
 
1  1  r   nr
 nr r
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 33
Sophia
Évolution temporelle de la densité de porteurs
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 34
Sophia

Création de photo-porteurs en excès

• Plusieurs moyens pour la création:


• Photo - excitation avec E>Eg
• Injection électrique
• Effet avalanche ou tunnel
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 35
Sophia

Photo - excitation
• Les caractéristiques du rayonnement sont:
• Longueur d’onde  ou son énergie E=h
• L’intensité I
• La puissance P en watts

nb de photons qui
 arrive /s et/cm3
T
P(W)=0(E). h
r Puissance
Énergie des
photons
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 36
Sophia

Photo - excitation
• Soit R(E) le coefficient de réflexion ou pouvoir réflecteur:

r (E)  R(E)0 (E)


T (E)  (1  R(E))0 (E)

• Si E=h >Eg, il y a absorption  on définit le coefficient


d’absorption 

1 d(E, x)

(E, x) dx
(E, x)  T (E,0)e (E)x
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 37
Sophia

Photo - excitation

• Taux de génération d’électrons g(E,x):


• Si on « perd » d photons, on « gagne » d électrons
(rendement quantique =1)
•  la variation du nombre de photons par unité de volume est :

(E, x)
g(E, x)  
x

• On écrit alors:

g(E, x)  [1  R(E)]0 (E)(E)e (E)x


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 38
Sophia
Photo - excitation

• Le taux de génération global g(x) (si pas


monochromatique) est alors donné par:
n  r  3.5

• Pour le calculer:
E
g(x)  g(E, x)dE

2
 1n 
• R(E) ? Au voisinage du gap R  cte     30%
1n
• 0(E) ?
• (E) ? On peut l’approximer par 1 échelon
• = 0 si E < Eg
•  cm-1 si E > Eg
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 39
Sophia

Coefficient d’absorption
• Dans le cas de transitions
verticales, la relation liant
k
l’énergie du photon (>Eg) Ec
et le vecteur d’onde est: Ee
EFn
EFp Eg 
2k2 1 1 2k2 Eh
  Eg  ( *  * )  Eg 
2 mc mv 2m*r Ev

k=0
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 40
Sophia

Coefficient d’absorption
• Pour une lumière non polarisée dans un SC, le
coefficient s’écrit:
2
 2p2  2pcv
2
e   cv  Ncv () 2 1  20eV  
     m m0
• La 2nrc 0m0d’états
densité  3
 m0 jointes:
  (23eV pour GaAs)

2 (m*r )3 / 2 (  Eg )1 / 2 1 3
Ncv ()  2 3
  J m
 
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 41
Sophia

Taux d’émission (expressions)


• Lorsque un électron et un trou se trouvent «vertical en
k », il peuvent se recombiner :
• Spontanément:

2
1 e²nr  2 e ²nr  2p cv 1
Wem ()   pcv  ( )  s
0 30m0c 
• De façon stimulée: 2 3 2 3
60m0c  m02

e²nr  2 1
Wst ()  p n
2 3 2 cv ph
( ω)     s
30m0c 
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 42
Sophia

Gain du matériau
• C’est la différence entre le coefficient d’émission et le
coefficient d’absorption:
 2p2 
 
2
e   cv  Ncv () 2 e e h h e e h h
g()     f (E )f (E )  (1  f (E ))(1  f (E ))
2nrc 0m0  m0   3

 

k
Ec
 2p2  Ee
 
2
e   cv  Ncv () 2 e e h h
g()     f (E )  (1  f (E )) EFn
2nr c 0m0  m0   3
 Eg 
  EFp
 2p2 
  Eh
2
e   cv  Ncv () 2 e e h h
g()     f (E )  f (E )  1
2nr c 0m0  m0   3
 Ev
 

k=0
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 43
Sophia

Gain du matériau
• Si fe(Ee) = 0 et fh(Eh) =0

2 2p2 
e   cv  Ncv () 2
g() 
2nrc 0m0  m0   3  0  0  1  ()

 
• Pour que le gain soit >0 (inversion de population)

f e (Ee )  f h (Eh )  1
• Et alors

I(x)  I0 exp(g  x)  I0
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 44
Sophia

Photo - excitation


x g(x)
g(x)  [1  R]0 (E)e dE
Eg  cm-1

g(x)  [1  R]0e x


x
1 1
(x  0.1µm)   Importance de la vitesse
e 3
1 1 de recombinaison en surface
(x  0.2µm)  
9 10
1 Ex: 10W/cm2, =0.75 µm, =7 103 cm-1 pour GaAs. G?
(x  1µm)  10  0 Popt (7.103 cm1 )(10Wcm2 )
e G   2,65.1023 cm3 s 1
 19
(1.65eV )(1.6.10 J )
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 45
Sophia

Injection électrique
Polarisation d’une jonction pn en direct. Le système est hors
équilibre. Le retour à l’équilibre s’accompagne de recombinaisons,
qui si elles sont radiatives, émission de photons.
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 46
Sophia

HOMO-JONCTION À
SEMI-CONDUCTEUR
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 47
Sophia
Homo-jonction à semi-conducteur

 Dp n2 n2i  eV / kT
I  eA i  Dn (e  1)
 P ND N NA  

Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 48
Sophia

Courant dans une Jonction pn

 Dp D  e(V V ) / kT
I  eA NA  n ND e D
 p  
 n 

eVD  Eg  (EF  EV )p  (EC  EF )n  0

0 0 Vth  VD  Eg / e
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 49
Sophia

I(V) fonction du matériau


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 50
Sophia

Tension pour I=20 mA (figure de mérite)


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 51
Sophia

Les photo-détecteurs
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 52
Sophia

Les photo-détecteurs
• Rôle : convertir un signal lumineux en signal
électrique
• Propriétés attendues:
• Grande sensibilité
• Linéarité (surtout si signal analogique)
• Large bande passante électrique
• Fiabilité
• Faible coût
• Facilité de mise en œuvre
• Encombrement
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 53
Sophia

Les photo-détecteurs
• Solution dans le visible et proche IR:
• Jonction pn montée dans un boîtier comportant une fenêtre
transparente au rayonnement.
• Deux montages possibles:
• Jonction non polarisée  montage photovoltaïque. Il est utilisé
pour la conversion de l’énergie solaire en électricité.
• Jonction polarisée en inverse  montage photoconducteur. Il
est utilisé pour la détection de la lumière : photodiode PIN,
ADP, phototransistors
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 54
Sophia

Les photo-détecteurs
I

Vph V

J ph

V
A (b)
(a)

mode photocourant mode photovoltage


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 55
Sophia
Les photo-détecteurs
• Matériaux pour les détecteurs optiques
• Disponibilité du substrat
• Si, GaAs, Ge et InP
• SC avec maille « adaptée » à ces substrats
• Application communications longues
distances
• Adaptés aux fibres optiques (1.55µm et 1.3 µm)
• GaAs interdit (0.8 µm)
• InGaAs, InGaAsP, GaAlSb, HgCdTe, GaInNAs …
• In 0.53Ga 0.47As
le plus utilisé
• Ge comme photo-détecteur à avalanche
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 56
Sophia

Les photo-détecteurs

• LANs (qq kilomètres)


• GaAs émetteurs (0.8µm) mais pas chers !
• Si comme photo-détecteurs (photodiodes à avalanche)
• Détection « infrarouge »
• >20 µm
• HgCdTe, PbTe, PbSe, InSb
• Détecteurs inter sous-bandes GaAs/AlGaAs
• Détecteurs rapides
• GaAs « low temperature »  1 ps
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 57
Sophia

Distribution des photo-porteurs

dn( x, t ) 1 dJ n dp ( x, t ) 1 dJ p
  rn  g n   rp  g p
dt e dx dt e dx
Dans le cas des électrons:
n
J n  neµn E  eDn
x
g n  g p  g  (1  R)0e x  e x
n  n0
rn 
n flux qui pénètre le matériau
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 58
Sophia

Cellule photoconductrice

Vs

d
L
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 59
Sophia

Cellule photoconductrice

• Conductance à l’obscurité:
 0  e( µn n0  µ p p0 )

• Conductance sous éclairement:

  e( µn (n0  n)  µ p ( p0  p))


• Soit une variation de la conductance:

µp
  enµn (1  ) avec p  n  GL p
µn
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 60
Sophia

Cellule photoconductrice
• Si on applique une tension courant:

J  ( J d  J L )  ( 0   ) E
• Le photo-courant:

µp
I L  AJ L  Aepµn (1  )E
µn
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 61
Sophia

Cellule photoconductrice

• En se rappelant que µE est la vitesse des porteurs,


on peut définir un temps de transit:
L L
ttr  E
µn E µnttr
• Le photo-courant s’écrit alors:

µp p µp
I L  epµn (1  ) AE  eGL ( )(1  ) AL
µn ttr µn
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 62
Sophia

Cellule photoconductrice

• Le photo-courant « primaire » généré par l’éclairement


est:
I L P  eGL AL
nb photons/s/cm3 surface

• Le gain de la cellule est donné par:

IL  p µp
G  (1  )
IL ttr
P
µn
C’est la rapport entre le taux de collecte des charges par les contacts au taux de
génération de ces charges
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 63
Sophia

Cellule photoconductrice
• C’est quoi le gain ?
• Si >1, les électrons peuvent parcourir plusieurs fois le
circuit avant de se recombiner avec un trou.
• Ex: L=100µm, V=10V, p=1µs

• Comment améliorer le gain de la cellule?


• Durée de vie élevée
• Temps de transit faible (petit L et/ou fort champ E)

• Inconvénient:
• Fort courant d’obscurité bruit

Utilisation de diode en inverse


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
64
Sophia

Principe de la photodiode p-n

E
F
(a)

recombination

+ +
p ++
+ + (b)
+

0 W

space charge diffusion zone


zone

semitransparent metal contact


metal

SiO (c)
p+ 2

n+
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 65
Sophia

Principe de la photodiode p-n


• Seuil de détection: E=h>Eg

1 et 3 : photo-courant de
diffusion

2 : photo-courant de
génération
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 66
Sophia

Photodiode sous éclairement

pn  GL po

pn (x)
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 67
Sophia

Calcul du courant
 2 (n p ) n p  (n p )
Dn  GL  
x ²  n0 t


x

x
en x  0, n p (0)  n p 0
n p ( x )  Ae Ln
 Be Ln
 SP en x , n p ()  SP  GL n 0

x

n p ( x)  GL n 0  (GL n 0  n p 0 )e Ln

Courant de

d (n p )
saturation, existe
eDn n p 0 même à
J n1 ( x  0)  eDn  eGL Ln  l’obscurité!
dx x 0
Ln
Photocourant dans les
régions de diffusion
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 68
Sophia

Calcul du photo-courant
d (n p )
Région p : J n1  eDn
ph
 eGL Ln
dx

d (pn )
Région n : ph
J p1  eD p  eGL L p
dx

Et la ZCE ? J L1  e  GL dx  eGLW Hyp: GL = cte


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 69
Sophia
Photodiode p-n

• Le photo-courant est donc généré dans la


ZCE et dans les régions neutres sur la
longueur de diffusion Ln et Lp, soit finalement
sur W+Ln+Lp.

Rem: GL n’et pas constant ! On


I ph  eGL ( L p  Ln  W ) A doit prendre une valeur
moyenne en toute rigueur
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 70
Sophia

Photodiode p-n
eV

I   I ph  I 0 (e kT
 1) en inverse I  ( I 0  I ph )
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 71
Sophia

Photodiode p-n

• Constante de temps:
• Courant de diffusion : lent 10-8 à 10-9 s
• Courant de génération : rapide ttr =W/vs (10-10 à 10-11
s)
• Donc il « faut »:
• Absorption uniquement dans la ZCE
• Zone frontale très mince
• W large mais pas trop sinon ttr trop grand (W=1/)
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 72
Sophia

Photodiode p-n

• Rendement quantique (quantum efficiency):

N e (paires collectées)
  40 à 80 %
N p (photons incidents)
• Fonction du coefficient d’absorption
• Fonction de la longueur d’onde ( fh 
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 73
Sophia

Photodiode p-n
• Sensibilité (responsivity):

I ph N e .e e
S    ( )
Poptique N p .h hc
sensibilité

longueur d’onde (µm)


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 74
Sophia

Photodiode PIN
• But : améliorer la sensibilité pour les grandes g et la
vitesse .
• Comment ? Augmenter la zone de collecte des
photons (g grand ray. pénétrant)
• On intercale une région intrinsèque entre p et n+. Si
polarisation suffisante, ZCE envahit la région
intrinsèque  vitesse augmente
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 75
Sophia
Photodiode PIN
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 76
Sophia

Photodiode PIN
• Choix du matériau dépend de l’application:
• Communication (émetteur GaAs/AlGaAs)
• Détecteur Si (vitesse non critique)
• Détecteur Ge (g > 10µm)
• 1.55µm + vitesse  détecteurs InGaAs
• Vision nocturne:
• HgCdTe
• InAs, InSb
• « solar blind » + UV:
• GaN, AlGaN
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 77
Sophia

Photodiode PIN
• « design » de la structure:
• Réflexion sur surface (perte :2 – 3%)
• Maximiser l’absorption dans ZCE (*)
• Attention à la vitesse
• Miroir métallique
• Minimiser les recombinaisons
• Matériau de haute pureté
• Minimiser le temps de transit
• ZCE la plus petite possible (voir *)
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 78
Sophia

Rendement d’une photodiode PIN


• Taux de génération dans le SC:

GL ( x)  J ph (0)(1  R ) exp(x)
• Jph(0(0) Flux de photons (nombre par cm2 et par
seconde)

• Photocourant
W
I L  eA  GL ( x)dx eAJ ph (0)(1  R )(1  exp(W ))
0

• rendement
IL
det 
eAJph (0)
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 79
Sophia

Photodiode pin
• Linéarité de la réponse : meilleure que 1% sur
7 ordres de grandeur
• Capacité de la jonction: limite la vitesse
• C diminue si tension inverse augmente
• C augmente si surface sensible augmente
• Courant d’obscurité:limite la détection
• Élevé pour détection IR
• Fonction de la température (*2 si T=10°C pour Si)
• Tension de claquage
• Tension max supportable par le composant
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 80
Sophia

Cellule solaire
• Application importante
des pn : convertir
l’énergie solaire en
énergie électrique
• 2 modes:
• Mode photoconductif
• Mode photovoltaïque
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 81
Sophia

Cellule solaire
Courant débitée par la diode (courant inverse compté positif)

eV
I  I ph  I s (e mkT
 1)

Deux paramètres :
• la tension de circuit ouvert
mkT I ph
Vco  ln(1  )
e Is
•Le courant de court circuit
I cc  I ph
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 82
Sophia

Cellule solaire
Puissance débitée: Droite de charge 1/Rc
eV

P  VI  VI ph  I s (e  1)V kT

Puissance maximum (dP dV  0)


permet de déterminer la
résistance de charge Rc

 eVm  eVm / kT I ph
1  e  1
 kT  Is
eVm eVm / kT
Im  Is e
kT R 
Vm
 1
c
Im
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 83
Sophia

Cellule solaire
Influence de la résistance série

eV j

I  I ph  I s (e mkT  1)
V  V j  rs I
e (V  rs I )
I  I ph  I s (e mkT
 1)
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 84
Sophia
Cellule solaire
Rendement de conversion

Vm I m 6.2 eV 0.5 eV
conv 
Psolaire

Fill factor:

I mVm
Ff 
I ccVco
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 85
Sophia

Coefficient
d’absorption
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 86
Sophia

Cellule solaire à base de silicium amorphe et


polycristallin
• Poly cristallin:
• Le plus courant
• Rendement de l’ordre de 13%
• Rendement faible sous faible éclairement
• Amorphe (a-Si)
• CVD Technique (600°C)
• Surface importante, enroulable
• Règles de sélection verticales en k disparaissent
• Meilleur coefficient d’absorption
• Pas cher !
• Rendement faible (6%)
• vieillissement
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 87
Sophia

Cellule solaire
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 88
Sophia
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 89
Sophia

+50%
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 90
Sophia

DIODES
ÉLECTROLUMINESCENTE

LED ou DEL
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 91
Sophia
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 92
Sophia
Choix du matériau : dépend de l’application
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 93
Sophia

LED
• Rapport taux
d’injection:
n n

p p

1. Région la plus radiative: type p


2. Région p : 2 à 3 Ln (h sort !)
3. Modification du gap (fort
dopage)
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 94
Sophia

Recombinaisons dans la région p


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 95
Sophia
Utilisation d’hétéro-jonction
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 96
Sophia

Utilisation d’hétéro-jonction

• Améliore le confinement
dans la région active
• Inconvénient:
résistance plus grande
• On fait des hétéro-
structures graduelles
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 97
Sophia

Carrier loss in double heterostructures


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 98
Sophia

Carrier overflow in double heterostructures


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 99
Sophia
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 100
Sophia

Utilisation d’hétéro-jonction
• Couches de confinement (« blocking layers »)
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 101
Sophia

Conversion tension - lumière


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 102
Sophia

• L’énergie d’un électron injecté est convertie en énergie


optique:

V = h  / e ≈ Eg / e
• Existence d’une résistance série

• Perte d’énergie par émission d’un phonon


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 103
Sophia

Eg EC  E0 EV  E0
V   I Rs  
e e e

I Rs resistive loss
EC – E0 electron energy loss upon injection into quantum well
EV – E0 hole energy loss upon injection into quantum well
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 104
Sophia

Leds et rendements
# of photons emitted from active region per second Pint / (h )
int  
# of electrons injected into LED per second I/e

# of photons emitted into free space per second


extraction 
# of photons emitted from active region per second

rendement optique

# of photons emitted into free space per sec. P / (h)


ext    int extraction
# of electrons injected into LED per sec. I/e

P « rendement à la prise »
power 
IV « wallplug efficiency »
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 105
Sophia

Spectre d’émission (1)


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 106
Sophia

Spectre d’émission (2)

E / (k T)
I(E)  E  Eg e

Maximum de l’intensité d’émission

E  Eg  12 k T

E  1.8 k T
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 107
Sophia

Spectre d’émission (3)


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 108
Sophia

Spectre d’émission (4)

• Largeur de spectre relativement étroit comparé au


spectre visible
• Pour l’œil humain led  monochromatique
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 109
Sophia

LEDS : EXTRACTION
DE LA LUMIÈRE
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 110
Sophia

Cône de sortie de la lumière

• Une fraction des photons réfléchie à l’interface semi-conducteur –


air .
• Si l’angle d’incidence proche de la normale, extraction possible.

• Loi de Descartes:
2 2
 n  1   3.5  1 
R     30%
 n  1   3.5  1 

nsc sin  c  nair sin   nair


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 111
Sophia

Cône de sortie de la lumière

D’après la relation précédente c  16


Entre 0 et 16°, la transmission T varie de 70% à 0
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 112
Sophia

Cône de sortie de la lumière

Pescape 2r 2 (1  cosc )



Psource 4r 2

Pescape 1   c 2  1
 1  1     c2
Psource 2   2  4

c critical angle of total internal reflection


Problem: Only small fraction of light can escape from semiconductor

Pescape 1 nair 2

Psource 4 ns 2
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 113
Sophia

Distribution spatiale du rayonnement

Psource nair 2
Iair  2 2 cos 
4 r ns

Iair emission intensity in air


 angle with respect to surface normal
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 114
Sophia
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 115
Sophia

Rendement quantique externe

Couplage avec fibre optique:




 n2

n1


n2
n0

pertes

angle maximum
1 2 2 1/ 2  1
 A  sin  (n1  n2 )   sin 1 ( An )
1

 n0  n0
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 116
Sophia

Rendement quantique externe

Si la source a une distribution en « cosinus » (Lambertian),


la fraction de lumière couplée dans la fibre est donnée par:

A
 I ph ( ) sin d
 fibre   0
/2  sin 2  A  10%
 0
I ph ( ) sin d
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 117
Sophia

LED à émission horizontale


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 118
Sophia

LED à émission par la surface


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 119
Sophia
Utilisation de substrat transparent
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 120
Sophia
Utilisation de substrat transparent
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 121
Sophia
Utilisation de miroirs de Bragg (DBR)
(cas de substrat absorbant = 50% perte)

• DBR accordé en maille avec la DH


• DBR doit être conducteur (suivant géométrie de la diode)
• DBR doit être centré sur la longueur d’onde de fctment.
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 122
Sophia
Utilisation de miroirs de Bragg (DBR)
(cas de substrat absorbant = 50% perte)
2
 n   2N

 1   r1  
  nr 2  
R 2N 
 1   nr1  
 n  
  r2  

2Bragg  n
stop  _
neff
1
1 1
neff  2  
 n1 n2 
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 123
Sophia
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 124
Sophia

LE LASER À SEMI-
CONDUCTEUR
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 125
Sophia

Laser à SC
• 1° MASER en 1954
• 1° LASER en 1962

• MASER : Microwave Amplification by Stimulated


Emission of Radiation

• LASER : Light Amplification by Stimulated Emission


of Radiation

• Laser à SC : Aigrain en 1958


• Le premier à SC en 1962 avec du GaAs
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 126
Sophia

Laser à SC
• Fonctionnement: 0
• Inversion de population
• Laser à 4 niveaux N1
h
N2
• Pompage
• N1 augmente et N2 diminue 3
• Tant que N2>N1 le photon incident induit des transitions de N2 vers
N1
• Si N1>N2, le photon incident induit des transitions de N1 vers N2
par émission stimulée
• N1>N2  inversion de population ( Temp<0) ie l’état d’énergie
supérieur plus peuplé
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 127
Sophia

Laser à SC

EFn --------
N1 ----
--
h
h
N2
+
+++
EFp +++++

États discrets États continus

Effet Laser : N1>N2 Ici EF > Eg


EF = EFC -EFV
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 128
Sophia

Laser à SC : pertes par effet Auger


2

Dans le SC, le photon incident EFn --------


peut être absorbé par un électron ----
--
(ou trous) de la bande de conduction
qui « saute » sur un niveau énergétique h 1

plus haut: c’est l’effet Auger +


+++
Donc EFp +++++

Effet LASER :
 E F > Eg et effet Auger (2) < Absorption normale (1)
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 129
Sophia

Laser à SC

• Jonction PN
doublement dégénérée
!
• La zone active plus côté
p que côté n (voir LED)
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 130
Sophia

Laser à SC

• Différences entre laser conventionnel et SC


• La taille : du mètre au µm
• La Puissance : kW au W
• Cohérence spatiale et temporelle plus petites pour
SC
• Rendement : meilleur pour le laser à SC (pas de
pompage)
• Possibilité de modulation : il suffit de moduler le
courant dans la pn !
• Tout le spectre de l’UV à l’IR accessible
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 131
Sophia

Laser à SC : gain du Laser

• Gain (ou coeff d’amplification) du Laser: même


définition que le coefficient d’absorption
1 d(E) Avec (E) le flux de photons
g(E) 
(E) dx
• Soit rst(E) le nb de photons émis par émission
stimulée par unité de temps et de volume
d
rst(E)*S*dx = rst(E) dx = d  rst (E)
dx

1
g(E)  rst (E)

Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 132
Sophia

Laser à SC : gain du Laser

• Amplification:  g(E) >0  rst(E) >0 EFC-EFV >E

• g(E) >0 condition nécessaire et pas suffisante car il


y a absorption par les porteurs libres (Auger)

g (E)   P (E)
Soit A(E) le gain net :
Si A(E) >0, condition
A( E )  g ( E )   P ( E ) nécessaire et suffisante
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 133
Sophia

Laser à SC : gain du Laser

• si A(E) < 0  LED ( uniquement émission


spontanée
• si A(E) > 0 l’amplification commence dans le
matériau. Or l’émission n’est pas isotrope!
p

Le photon 1 sera bcp plus amplifié


2
Zone 1
que le photon 2 car son chemin est
active
plus long  émission sera
directive
n Ce n’est pas encore un LASER
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 134
Sophia

Laser à SC : diode superradiante

Led

2
1

n superradiante
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 135
Sophia

Laser à SC

• Le SC a un indice n important (3.5). Il existe une


réflexion (R=30%)  des photons vont « rebrousser »
chemin et être encore amplifiés : on a une cavité
résonnante on va donc encore augmenter la densité
de photons, mais attention, pas « n’importe » lesquels
!!!
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 136
Sophia

Laser à SC: cavité de Fabry - Pérot

• Cavité de Fabry – Pérot : sélection de modes


d’oscillations :
k = 2 n L

n : indice du milieu (SC)


L : longueur de la cavité
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 137
Sophia

Laser : conditions d’oscillation

• en 1: 1 ( E )
n
• en 2: 2 ( E )  1e A( E ) L

1 2

• en 3: 3 ( E )  1e A( E ) L
R1 4
3

• en 4:  4 ( E )  1e 2 A( E ) L
R1

• en 5: 5 ( E )  1e 2 A( E ) L
R1 R2 p
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 138
Sophia

Laser : conditions d’oscillation


En 5 et en 1, on est au même « endroit ».
2 cas :
• soit 5  1
n
• soit 5  1
Dans le cas où 5  1 , le système
1
peut diverger en théorie. 2
4
1
R1 R2e 2 AL  1  2 AL  ln 3

R1 R2 5

1 1
 A ln
2 L R1 R2
1 1 p
 A  ln Si R1=R2
L R
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 139
Sophia

Laser
• Condition d’amplification : A(E) > 0

1 1
• Condition d’oscillation : A( E )  ln
L R
• Dans ce cas, le gain est supérieur aux pertes de la cavité

• Résumé:
• g(E) > 0 cond. nécessaire => LED
• g(E) >p(E) cond. suffisante (ampli) => LED
superradiante

1 1 cond. d’oscillation : Laser


• g ( E )   P ( E )  ln
L R
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 140
Sophia

Laser

• Pour E>E0 : émission


spontanée : c’est une LED
• Si E<E1 et E>E’1 émission
spontanée car émission
stimulée « mangée » par
P(E)
• E1<E<E2 et E’2<E<E’1
amplification mais pas
oscillation : superradiante
• E2<E<E’2 : laser
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 141
Sophia

Laser: émission multimode


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 142
Sophia

Laser: émission multimode


• La cavité sélectionne un certain nombre de modes
définis par:

2 nL  k 
• n: indice, L: longueur de la cavité, k: ordre
d’interférence


2
dn 1 dn
avec   1µm 1 pour GaAs
  (n   )
2L d d
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 143
Sophia

Laser: distribution spatiale


l=10µm

• L’indice est plus fort dans la


région stimulée: L=100µm
• Amélioration du gain et du
confinement optique
• Émission du photon à
l’extérieur : sortent du coté L p

• Longueur d’onde du 0.2 à 1 µm


rayonnement et largeur de la n
fente similaires (µm) 
diffraction
• Ouverture du faisceau

• horizontal
1
h  
 6
• vertical l 10
 1
 v    60
e 1
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 144
Sophia

Laser: courant de seuil

oscillations

• Si pas inversion
LED, le flux est
proportionnel au
1000
courant
• Quand Ef atteint la
bande (BC et BV) et 100

que g(E) > p(E) 


surlinéarité du flux 10

E. spontanée
I0 I
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 145
Sophia

Laser: courant de seuil

• Équation régissant le problème:


• La recombinaison des e- est provoquée par les photons
population d’e- et de photons interdépendantes.
• On pose
• n: l’excédent d’électrons (du à l’injection)
• N: l’excédent de photons
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 146
Sophia

Laser: courant de seuil


• Durée de vie des photons dans la cavité:
• Absorption
• Émission hors de la cavité
• Coefficient effectif d’absorption
1 1
 p  ln
2 L R1 R2
• En moyenne le photon est absorbé sur 1/

1/  1 c 1 1 
N    v   p  ln 
v N n 2 L R1 R2 

Perte globale de la cavité


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 147
Sophia

Laser: courant de seuil

ed 1 1 ed c  1 1  1
J th    p  log   g th
A  n  N A n nindice  2L R1 R2  

Gain au seuil
Facteur de gain, constante de la cavité
propre au composant
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 148
Sophia

Laser: courant de seuil

• Au-delà du seuil:
• Oscillation sur le mode sélectionné par la cavité
• Durée de vie des électrons excédentaires diminue (proba
émission stimulée augmente)
• Densité n=n0

N
N (J  J0 )
ed
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 149
Sophia
Laser: courant de seuil
en0 d
J th 
n
• Courant de seuil est
proportionnel à l’épaisseur
de la cavité si la couche
active est suffisamment
large !
• Si d plus petite que la
longueur d’onde d’émission,
le confinement optique
commence à décroître et le
courant de seuil augmente
• Si d de l’ordre de qq 100
Angstrom, effets quantiques
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 150
Sophia
Laser: Confinement optique:
Zone active Onde optique
confinée


 cavité
F ( z ) dz
Constante diélectrique

région p
région n
2
 F ( z) dz

Distance perpendiculaire à la cavité (z)

1 1
=> Condition d’oscillation: g   i  (1  ) e  log
2L R1 R2
Gain modal:
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 151
Sophia
Laser: Confinement optique:

D 2
2 2
 avec D  ( n  n 2 1/ 2
e) d
2 D 2
 i

d=250 ang

2 2
sp  (ni2  n 2 ) d 2
2 e

N pd p
mp    N p sp
N p d p  Nb db
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 152
Sophia

Diode laser à hétérojonction enterrée


Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 153
Sophia

Diode laser monomode

• But: obtenir un rayonnement monofréquence


• Idée de base: réduire la longueur L de la cavité
jusqu’à ce que l’espacement entre 2 modes
longitudinaux (c/2nL) soit supérieur à la courbe
de gain.
• Difficultés:
• Cavité très courte (environ 5µm pour les lasers à cavité
verticale = VCSELs)
• Contrôle strict de L pour stabiliser la raie
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 154
Sophia

Diode laser monomode


2 dn 1
  (n   )
2L d

Ec Ec

Un seul mode sera amplifié d’énergie EC


 émission monomode
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 155
Sophia

Laser à émission verticale : VCSELs


• Jusqu’à présent, on a étudié les lasers à émission par la
tranche (« edge emitting »)
• La condition d’oscillations laser s’écrit:

1 1
g   P  log
2L R1 R2
• Comme R=0.3, on doit avoir L de l’ordre de 100 µm pour
avoir Jth raisonnable.
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 156
Sophia

Laser à émission verticale : VCSELs

• Dans le cas de VCSELs, les miroirs sont placés au


dessus et au dessous de la couche active on peut
réduire L d’un facteur 10, ie L = 10 µm  possibilité de
monomode
• Pour maintenir un courant de seuil correct, réalisation de
miroirs avec des R=99% voir plus !
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 157
Sophia

Laser à émission verticale : VCSELs


On adapte le « pic »
de réflexion des DBR
en fonction de la
courbe de gain de la
couche active.
2
 n   2N

 1   r1  
  nr 2  
R 2N 
 1   nr1  
 n  
  r2  

Avec:
• nr1<nr2
• d1=d2
• L de l’ordre de 10 
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 158
Sophia

Laser à émission verticale : VCSELs

• Avantages:
• Taille réduite du composant
• Lumière sort perpendiculairement (télécom)
• L petite, donc courant de seuil faible (< 100µA)
• Difficultés:
• Injection du courant (DBR dopés)
• Faible puissance de sortie (volume actif petit)!)
• Échauffement du dispositif (résistance importante
• Dégradation de performances
• Courant de seuil
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 159
Sophia

Laser à émission verticale : VCSELs


• Modification de la condition d’amplification:

R1 R2 e 2 ( gLeff  i Leff  e ( L  Leff ))  1


Leff  N p d P
N P : nb de puits quantiques
d P : largeur des puits quantiques
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 160
Sophia

Influence de la température
• Température et courant de seuil:
• Courant de seuil augmente
• « aplatissement » des fonctions de Fermi  augmentation
de l’injection pour atteindre les conditions d’inversion
• Augmentation du courant de fuite
• Les porteurs peuvent franchir les couches de confinement
(« cladding layers ») et une part du courant ne sert pas à
l’effet Laser
• Augmentation de l’effet Auger
• Processus non radiatif !

On essaye d’avoir
J th (T )  J exp(T / T0 )
0
th T0 le plus grand possible.
Pour GaAs , 120 K
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 161
Sophia

Influence de la température

• Température et spectre d’émission


• Modification du gap:
• Déplacement du spectre vers les basses énergies
• 3 à 4 Angstrom / K
• Modification de la cavité et des indices:

q 0
qq  2 L ; q 
nr
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 162
Sophia

Rendements de la diode Laser


Rendement quantique interne: c’est pareil que pour la LED

NP
i 
Ne
Puissance optique interne: c’est la puissance créée par
émission stimulée. On néglige la puissance émise par
émission spontanée

Pint  i h ( I  I th ) / e
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 163
Sophia

Rendements de la diode Laser

Pertes sur Pint: deux contributions

•Contribution proportionnelle aux pertes de


propagation : terme en Pint
•Contribution due à l’émission de lumière vers
l’extérieur: terme en rad Pint

Puissance optique émise par les 2 faces du Laser:

Popt  Pint rad /( rad   )  Pint (1   /  rad )


Popt  i h / e ( I  I th ) /(1   /  rad )
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 164
Sophia

Rendements de la diode Laser

Rendement différentiel : deux définitions

dN P d ( Popt / h ) Sans dimension


d    i /(1   /  rad )
dN e d ( I / e)

d ( Popt )
 '
d
en mW/mA
dI
Attention : ici Popt est la puissance émise par les 2 faces!!
Dans les docs, c’est par une face!!
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 165
Sophia

Rendements de la diode Laser

• Rendement global

  Popt / Pelec

C’est celui qui intéresse l’utilisateur. Il détermine les


mesures à prendre pour évacuer la chaleur.

Vous aimerez peut-être aussi