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l’ingénieur
l’ingénieur
aS m i t h
aS e d r a
aS e d r a
aS m i t h
Circuits
microéléctroniques aS e d r a
Cet ouvrage de référence a été conçu pour couvrir l’ensemble des circuits aS m i t h
électroniques analogiques et digitaux modernes : une ressource inestimable
pour professionnels, enseignants, chercheurs et étudiants.
Une référence en français pour les cours abordant les circuits électroniques
microéléctroniques
analogiques et digitaux, ce livre couvre les composants de base tels que la diode,
Circuits
les transistors bipolaires et MOSFET, ainsi que les circuits qui en découlent.
Un outil complet
L’accent est mis sur l’acquisition des méthodes d’analyse des circuits électro-
niques modernes : amplificateurs opérationnels, filtres, références de tension,
microéléctroniques
convertisseurs analogiques digitaux (D/A et A/D), boucles à verrouillage de
phase (PLL), oscillateurs, mélangeurs (mixers) et circuits de télécommunication.
Circuits
Cet ouvrage étudie également l’analyse de l’architecture des circuits, la réponse
en fréquence, le bruit, etc. Parmi les circuits digitaux, seront abordés l’inver-
seur CMOS et différents circuits mémoire : verrous (latch), bascules (flip-flop),
mémoires flash, etc.
L’objectif de ce livre
L’objectif de ce livre est de développer chez le lecteur la capacité d’analyse et de
conception des circuits électroniques analogiques et digitaux, discrets et intégrés.
Le sujet des circuits analogiques est largement couvert et l’accent est mis sur la
conception des circuits analogiques intégrés. En effet, les progrès de la techno-
logie de fabrication et d’intégration rendent inévitable l’acquisition des méthodes
d’analyse des circuits analogiques, même pour les circuits digitaux. L’analyse
est facilitée par les outils de simulation, largement utilisés dans l’industrie et qui
deviennent de plus en plus abordables et à la portée de chacun.
Traduction
Dr. Dragos DANCILA, est ingénieur civil électricien et a obtenu un doctorat
en sciences de l’ingénieur de l’Université catholique de Louvain, Belgique.
Conférencier associé à l’Université d’Uppsala, Suède. Il s’est spécialisé en
microélectronique et en ingénierie micro-onde.
sciences de
l’ingénieur
énergétique et en sources renouvelables d’énergie.
Conception graphique : Primo&Primo
ISBN : 978-2-8041-7777-5
9 782804 177775
SEDRA www.deboecksuperieur.com
Pour toute information sur notre fonds et les nouveautés dans votre domaine de spécialisation, consultez
notre site web : www.deboecksuperieur.com.
Imprimé en Belgique
Dépôt légal :
Bibliothèque nationale, Paris : septembre 2016 ISBN : 978-2-8041-7777-5
Bibliothèque royale de Belgique, Bruxelles : 2016/13647/106
SOMMAIRE
Avant-propos xix
1. Électronique et semiconducteurs 2
2. L’amplificateur opérationnel (ampli op) 86
3. Diodes 156
4. Transistors à jonction bipolaire (BJT) 220
5. Transistor à effet de champ – MOSFET 356
Annexes
A La technologie de fabrication VLSI A-1 (en anglais, sur le CD)
B Simulations et modèles de périphériques à l’aide du logiciel SPICE.
Exemples de conception en utilisant PSpice® and Multisim™ B-1 (en anglais, sur le CD)
C Les paramètres d’un quadripôle C-1 (en anglais, sur le CD)
D Théorèmes utiles pour l’analyse des réseaux D-1 (en anglais, sur le CD)
E Circuits à constante de temps unique (CTU) E-1 (en anglais, sur le CD)
F L’analyse en plan s : les pôles, les zéros et les diagrammes de Bode F-1 (en anglais, sur le CD)
G Bibliographie G-1 (en anglais, sur le CD)
H Valeurs normalisées des séries de résistors et les préfixes des unités de mesure H-1
I Réponses aux problèmes sélectionnés I-1
Index IN-1
Index pour le CD IX-1
v
TABLE DES MATIÈRES
vii
viii Table des matières
4.3 Circuits à BJT en courant continu 248 4.7.4 Polarisation à l’aide d’une source
4.4 Application du BJT à la conception de courant constant 322
des amplificateurs 266 4.8 Circuits pratiques d’amplificateurs
4.4.1 Obtention d’un amplificateur à BJT 323
de tension 266 4.8.1 Structure de base 323
4.4.2 La caractéristique de transfert de tension 4.8.2 Amplificateur à émetteur commun
(CTT) 267 (CE) 325
4.4.3 Polarisation du BJT pour 4.8.3 Amplificateur à émetteur commun
une amplification linéaire 267 avec résistance d’émetteur 327
4.4.4 Gain de tension dans le cas 4.8.4 Amplificateur à base commune
en petit signal 269 (CB) 329
4.4.5 Détermination de la CTT par analyse 4.8.5 L’émetteur-suiveur 330
graphique 271 4.8.6 La réponse en fréquence
4.4.6 Localisation du point Q de l’amplificateur 331
de polarisation 272 4.9 Claquage du transistor et
4.5 Modèles pour fonctionnement l’effet de la température 333
en petit signal 273 4.9.1 Claquage du transistor 333
4.5.1 Courant de collecteur et 4.9.2 Dépendance de par rapport à IC et
transconductance 274 la température 335
4.5.2 Courant de base et résistance d’entrée
à la base 276 Résumé 336
4.5.3 Courant d’émetteur et résistance Problèmes à résoudre 337
d’entrée à l’émetteur 277
4.5.4 Gain de tension 278 5 Transistor à effet
4.5.5 Séparation du signal 279
de champ – MOSFET 356
4.5.6 Modèle hybride en 280
4.5.7 Modèle en T 281 Introduction 357
4.5.8 Modèles en petit signal 5.1 Structure physique du MOSFET et
pour le transistor pnp 282 fonctionnement 358
4.5.9 Application des modèles équivalents 5.1.1 Structure physique d’un MOSFET 358
en petit signal 282 5.1.2 Fonctionnement sans tension appliquée
4.5.10 Analyse en petit signal par inspection à la grille 360
visuelle du schéma 289 5.1.3 Création d’un canal pour la circulation
4.5.11 Modèles en petit signal qui tiennent du courant 360
compte de l’effet Early 290 5.1.4 Fonctionnement avec
4.5.12 Résumé 292 une petite tension vDS 362
4.6 Configurations de base des amplificateurs 5.1.5 Fonctionnement avec
à BJT 292 vDS augmentée 365
4.6.1 Trois configurations de base 294 5.1.6 Fonctionnement avec vDS VOV 367
4.6.2 Caractéristiques des amplificateurs 295 5.1.7 Le MOSFET à canal p 370
4.6.3 Amplificateur à émetteur commun 5.1.8 Transistor MOS complémentaire
(CE) 297 ou CMOS 372
4.6.4 Amplificateur à émetteur commun 5.1.9 Fonctionnement du transistor MOS
avec résistor à l’émetteur 302 avec vGS < Vt 372
4.6.5 Amplificateur à base commune 5.2 Caractéristique courant-tension 373
(CB) 306 5.2.1 Symboles de circuit 373
4.6.6 Amplificateur à collecteur commun 5.2.2 Les caractéristiques iD–vDS 374
ou l’émetteur-suiveur 308 5.2.3 La caractéristique iD– vGS 376
4.6.7 Résumé et comparaisons 315 5.2.4 La résistance de sortie en régime
4.7 Polarisation dans les circuits amplificateurs de saturation 379
à BJT 316 5.2.5 Caractéristiques du transistor MOSFET
4.7.1 Polarisation classique du circuit à canal p 382
à composants discrets 317 5.3 Circuits à MOSFET en c.c. 384
4.7.2 Polarisation classique en variante 5.4 Utilisation du MOSFET
à deux sources d’alimentation 320 dans les amplificateurs 394
4.7.3 Polarisation à l’aide d’une résistance 5.4.1 Réalisation d’un amplificateur
de rétroaction collecteur-base 321 de tension 394
x Table des matières
8.4.3 Utilisation des constantes de temps en 9.2 Propriétés de la rétroaction négative 773
circuit ouvert pour la détermination 9.2.1 Désensibilisation du gain 773
approximative de fH 694 9.2.2 Extension de la bande passante 774
8.4.4 Théorème de Miller 698 9.2.3 Réduction des interférences 775
8.5 Un autre regard sur la réponse à haute 9.2.4 Réduction de la distorsion
fréquence des amplificateurs CS et CE 702 non linéaire 777
8.5.1 Le circuit équivalent 702 9.3 Quatre topologies de base pour le circuit
8.5.2 L’analyse utilisant le théorème de rétroaction 778
de Miller 702 9.3.1 Amplificateurs de tension 778
8.5.3 Utilisation de l’analyse à constantes 9.3.2 Amplificateurs de courant 780
de temps en circuit ouvert 705 9.3.3 Amplificateurs de
8.5.4 L’analyse exacte 707 transconductance 783
8.5.5 Équations adaptées 9.3.4 Amplificateurs de transrésistance 785
pour l’amplificateur CE 710 9.3.5 En guise de conclusion 786
8.5.6 La situation lorsque Rsig est 9.4 Amplificateur de tension à rétroaction
de faible valeur 712 (série-shunt) 787
8.6 Réponse à haute fréquence 9.4.1 Le cas idéal 787
des amplificateurs CG et cascode 715 9.4.2 Le cas pratique 789
8.6.1 Réponse à haute fréquence de 9.4.3 Résumé 791
l’amplificateur CG 715 9.5 Amplificateur de transconductance
8.6.2 Réponse à haute fréquence de à rétroaction (série-série) 797
l’amplificateur MOS cascode 719 9.5.1 Le cas idéal 797
8.6.3 Réponse à haute fréquence de 9.5.2 Le cas pratique 799
l’amplificateur cascode bipolaire 724 9.5.3 Remarque importante 801
8.7 Réponse à haute fréquence des suiveurs 9.6 Amplificateur de transrésistance
de source et d’émetteur 725 à rétroaction (shunt-shunt) 809
8.7.1 Suiveur de source 725 9.6.1 Le cas idéal 809
8.7.2 Suiveur d’émetteur 727 9.6.2 Le cas pratique 811
8.8 Réponse à haute fréquence 9.6.3 Une précision importante 818
des amplificateurs différentiels 729 9.7 Amplificateur de courant à rétroaction
8.8.1 Analyse de l’amplificateur MOS (shunt-série) 818
à charge résistive 729 9.7.1 Le cas idéal 818
8.8.2 Analyse de l’amplificateur MOS 9.7.2 Le cas pratique 819
à charge active 733 9.8 Résumé de la méthode d’analyse
8.9 Configurations d’amplificateurs de la rétroaction 826
de bande large 738 9.9 Comment déterminer le gain de boucle 826
8.9.1 Amplificateur de bande large 9.9.1 Une approche alternative
par dégénérescence de source et pour déterminer A
d’émetteur 738 9.9.2 Équivalence de circuits par rapport
8.9.2 Configurations CD–CS, CC–CE et à la boucle de rétroaction 830
CD–CE 741
9.10 Problèmes de stabilité 831
8.9.3 Configurations CC–CB et CD–CG 744
9.10.1 La fonction de transfert
8.10 Amplificateurs à étages multiples 747 de l’amplificateur à rétroaction 831
8.10.1 Réponse en fréquence de l’ampli op 9.10.2 Diagramme de Nyquist 832
CMOS à deux étages 747
9.11 Effet de la rétroaction sur les pôles
8.10.2 Réponse en fréquence de l’ampli op
d’un amplificateur 833
bipolaire de la Section 7.6.2 750
9.11.1 Stabilité et position des pôles 833
9.11.2 Pôles d’un amplificateur
Résumé 752 à rétroaction 834
Problèmes à résoudre 753 9.11.3 Amplificateur avec réponse
à pôle unique 835
9 Rétroaction 766 9.11.4 Amplificateur à deux pôles 836
9.11.5 Amplificateurs à trois ou
Introduction 767
plusieurs pôles 840
9.1 Structure générale d’un circuit 9.12 Étude de la stabilité
de rétroaction 768 à l’aide des diagrammes de Bode 842
Table des matières xiii
ANNEXES SUR LE CD
Annexe A : La technologie de fabrication VLSI
Annexe B : Simulations et modèles de périphériques
à l’aide du logiciel SPICE. Exemples de
conception en utilisant PSpice® et
Multisim™
Annexe C : Les paramètres d’un quadripôle
Annexe D : Théorèmes utiles pour l’analyse
des réseaux
Annexe E : Les circuits à constante de temps unique
(CTU)
Annexe F : L’analyse en plan s : les pôles, les zéros et
les diagrammes de Bode
Annexe G : Bibliograpie
LISTE DES TABLEAUX
xviii
AVANT-PROPOS
Ce livre, intitulé Circuits Microéléctroniques, (la 6e édition internationale), se veut être un texte de référence pour le
cours de base sur les circuits électroniques enseigné aux étudiants en génie électrique et informatique. Il devrait éga-
lement se révéler utile aux ingénieurs et autres professionnels qui souhaitent mettre à jour, par eux-mêmes, leur niveau
de connaissances. Comme ce fut le cas pour les cinq premières éditions, l’objectif de ce livre est de développer chez
le lecteur la possibilité d’analyser et de concevoir des circuits électroniques analogiques et numériques, à composants
discrets ou à circuits intégrés. L’accent est mis sur la conception et le dimensionnement des circuits à transistors,
quoique les aspects liés aux circuits à CI soient également couverts. Les auteurs ont adopté cette politique en pensant
que même si la majorité de ceux qui vont étudier ce livre ne poursuivront pas une carrière dans la conception de circuits
intégrés, le maîtrise approfondie de ce qui est à l’intérieur du boîtier de circuit intégré permettrait l’application intel-
ligente et innovante de ces puces. Par ailleurs, avec le progrès de la technologie VLSI et de la méthodologie de concep-
tion, les circuits intégrés elles-mêmes deviennent accessible à un nombre croissant d’ingénieurs.
Conditions prérequis
La condition préalable pour aborder ce livre est un premier cours d’analyse des circuits. Sous forme d’un mémento,
certaines notions sur les circuits linéaires sont incluses dans les annexes, en particulier l’Annexe C sur les paramètres
des quadripôles, certains théorèmes utiles pour l’analyse des réseaux à l’Annexe D, les circuits à constante unique de
temps (CTU) à l’Annexe E et l’analyse dans le domaine complexe s à l’Annexe F. On ne demande de la part des lec-
teurs aucune connaissance préalable de l’électronique physique. Toute la physique des semiconducteurs est expliquée
en détail par ce manuel et l’annexe A fournit une brève description de la fabrication des circuits intégrés. Toutes ces
annexes peuvent être consultées sur le CD qui accompagne ce livre.
xix
xx Avant-propos
• Couverture élargie du numérique. Le matériel traitant les circuits numériques a été regroupé dans la nou-
velle Quatrième partie, mise à jour et élargie. Le matériel peut être convenablement réparti entre un premier
et un deuxième cours de spécialité. Tout ce qui est nécessaire pour constituer le préalable à la compréhen-
sion de ce matériel se trouve concentré dans les deux chapitres sur les deux types de transistors (Chapitres
4 et 5) ou, à la limite, juste le Chapitre 5, puisque la plupart des appareils électroniques numériques d’au-
jourd’hui sont basés sur la technologie MOS.
• Notions sur les semiconducteurs. Le matériel concernant la physique des semiconducteurs a été regroupé
à la fin du Chapitre 1 de sorte qu’il peut être enseigné, ignoré ou assigné comme matériel de lecture indi-
viduelle, selon le parcours des étudiants et de la philosophie d’enseignement adoptée par l’instructeur. Ce
chapitre sert d’introduction ou comme rappel des notions fondamentales, selon le fait que les étudiants ont
suivi ou non en préalable un cours sur les semiconducteurs.
• L’universalité de l’ampli op. Le chapitre sur les amplificateurs opérationnels (Chapitre 2) peut être ensei-
gné à n’importe quel moment, au premier ou deuxième cours. En autre, ce chapitre peut être entièrement
ignoré si cette matière est enseignée dans d’autres cours.
• Réponse en fréquence. Le matériel sur la réponse en fréquence de l’amplificateur a été regroupé dans un
seul chapitre (Chapitre 8). Ce chapitre est organisé de sorte qu’il permet une couverture sélective en fonc-
tion de l’organisation donnée au cours par l’instructeur. Ainsi, une partie du matériel de base (les Sections
8.1 à 8.3) peut être enseignées plus tôt (après les Chapitres 4 ou 5) dans le cadre d’un premier cours de base.
• Les sujets essentiels. Chaque chapitre est organisé de sorte que les sujets essentiels sont placés en premier
et le matériel plus spécialisé apparaît par la suite. Le matériel plus spécialisé peut être sauté en première
lecture, tandis que l’étudiant doit d’abord apprendre les éléments fondamentaux. Une fois que les étudiants
comprennent et maîtrisent les concepts de base, ils peuvent revenir sur ces sujets importants, mais spécia-
lisés.
2. Présentation moderne des MOSFET et BJT. Les Chapitres 4 (BJT) et 5 (MOSFET) ont été réécrits pour
augmenter la clarté de la présentation et mettre l’accent sur les sujets essentiels. En outre, ces chapitres sont
désormais plus courts et peuvent être dispensés plus rapidement.
3. Configuration cascode. Une approche nouvelle et intuitivement intéressante est utilisée pour introduire la
configuration cascode au Chapitre 6.
4. Comparaison entre MOSFET et BJT. La comparaison entre les transistors MOSFET et BJT a été déplacée
dans une annexe jointe au Chapitre 6. L’annexe comporte également une mise à jour des valeurs des para-
mètres de dispositifs correspondant à différentes générations de procédés technologiques de fabrication.
Cette annexe fournit un important outil de référence.
5. Rétroaction. Le chapitre consacré à la rétroaction (Chapitre 9) a été réécrit pour plus de clarté. En outre, a
été inclus un grand nombre de nouveaux exemples, principalement à base de dispositifs MOS.
6. L’amplificateur de classe AB. Une nouvelle présentation des amplificateurs MOSFET de classe AB a été
incluse au Chapitre 13.
7. Dimensionnement des circuits à transistors BJT à basse tension. Alors que l’ampli op classique 741 est
maintenu, une nouvelle section a été ajoutée au Chapitre 17, sur les techniques modernes pour le dimension-
nement des amplis op à transistors à jonction bipolaire alimentés en basse tension.
8. Conception des circuits à dispositifs submicroniques profonds. En plus d’augmenter et de consolider le
matériel sur l’électronique numérique dans la partie IV, une nouvelle section sur la mise à l’échelle de la
technologie spécifique (loi de Moore) et les problèmes de conception des dispositifs submicroniques pro-
fonds a été ajoutée (Chapitre 14).
9. L’accent sur la technologie MOS. Tout au long du livre, l’accent est mis sur les circuits MOS afin de reflé-
ter la domination actuelle en électronique moderne des dispositifs MOSFET.
10. Bonus d’information sur CD. Du matériel complémentaire sur une grande variété de sujets par rapport aux
éditions précédentes est disponible sur le CD accompagnant le livre (voir la liste ci-dessous).
Avant-propos xxi
11. Exemples, exercices et problèmes à résoudre. Le nombre d’exemples a été augmenté. De plus, les exer-
cices dans le corps des chapitres et les problèmes à résoudre en fin de ceux-ci, ont été mis à jour avec valeurs
des paramètres qui correspondent aux technologies actuelles, afin que les étudiants puissent travailler dans
une perspective du monde réel de la technologie actuelle. Aussi ont été ajoutés plus d’exercices et de pro-
blèmes, d’une plus grande variété.
12. Tableaux récapitulatifs. Comme important outil de travail à l’étude et pour faciliter la consultation, de nom-
breux tableaux récapitulatifs sont inclus. Voir la liste complète des tableaux après la table des matières.
13. Objectifs d’apprentissage. Un nouveau paragraphe, «Dans ce chapitre vous apprendrez», a été ajouté en
début de chaque chapitre pour attirer l’attention du lecteur sur les objectifs importants d’apprentissage de
chaque chapitre.
14. Le logiciel SPICE. Un nombre important de nouveaux exemples de simulation à l’aide de National Instru-
ments™ Multisim™, a été ajouté. Ces exemples se retrouvent sur le CD accompagnant le livre, à l’Annexe
B, décrivant les modèles de simulation à l’aide du logiciel SPICE.
15. Équations clés. Toutes les équations qui seront référencées et ré-utilisées sont numérotées.
Mise à part les différences structurelles mentionnées ci-dessus, des nouveaux éléments complémentaires ont été ajou-
tés par rapport aux éditions précédentes, sur les sujets suivants :
• Le Chapitre 1 focalisé sur la théorie des semiconducteurs a été entièrement réécrit.
• Les deux sections sur les BJT et MOSFET ont été en grande partie réécrites et restructurées, avec de nou-
velle figures et exemples (Chapitres 4 et 5)
• La cellule de base de gain (Chapitre 6)
• L’amplificateur cascode (Chapitre 6)
• Les configurations de circuits CC-CE, CD-CS et CD-CE (Chapitre 6)
• Le taux CMRR (Chapitre 7)
• L’amplificateur différentiel à charge active (Chapitre 7)
• Détermination de la résistance Ro de sortie (Chapitre 7)
• Toutes les nouvelles sections sur la réponse en fréquence (Chapitre 8)
• Des nouveaux exemples MOS à rétroaction (Chapitre 9)
• Étage de sortie CMOS de classe AB (Chapitre 13)
• Taux de réjection (CMRR et PSRR) (Chapitre 10)
• Techniques modernes pour la conception d’amplis op à BJT (Section 10.7)
• Circuits d’inverseurs logiques numériques (Chapitre 14)
• L’inverseur CMOS (Chapitre 14)
• Conception et mise à l’échelle de la technologie submicronique profonde (loi de Moore) (Section 14.5)
Le CD et le site Web
Un CD (en anglais) accompagne ce livre. Il contient des informations complémentaires très utiles et les matériaux destinés
à enrichir l’expérience d’apprentissage de l’étudiant. Il s’agit notamment de :
1. Les fichiers d’entrée pour tous les exemples PSpice® et Multisim™ qui se retrouvent à l’Annexe B.
2. Des conseils, étape par étape, pour aider l’étudiant à résoudre les exemples de simulation.
3. Un lien vers le site web de l’ouvrage, offrant l’accès aux figures sur base de diapositives en PowerPoint que
les étudiants peuvent imprimer et s’en servir en classe pour faciliter la prise de notes de cours.
4. Matériel sous forme de texte, sur des sujets spécialisés qui ne sont pas couverts par l’édition actuelle du
manuel. Il s’agit notamment de :
• Transistors à effet de champ (JFET),
• Dispositifs à arséniure de gallium (GaAs) et circuits utilisant ceux-ci,
• Circuits Transistor-Transistor Logique (TTL),
• Circuits convertisseurs analogique-numérique et numérique-analogique.
xxii Avant-propos
Le premier cours
Au cœur du premier cours doit se trouver les chapitres 3 (Diodes), 4 (BJT) et 5 (MOSFET). De ces trois chapitres, le
chapitre sur les MOSFET est celui qui doit représenter la base. Si ce chapitre est dispensé avant celui qui s’occupe des
BJT, alors ce dernier peut être parcouru beaucoup plus vite car il est structuré identiquement que le chapitre dédié aux
MOSFET. Si le temps ne le permet pas, certaines sections du Chapitre 3 peuvent être ignorées. On recommande le trai-
tement en classe du Chapitre 1. Bien que la théorie sur le signal puisse être affectée comme lecture individuelle hors-
classe, tout ce qui traite des amplificateurs doit être expliqué en classe. Toutefois, si la réponse en fréquence n’est pas
à souligner dans le premier cours, la Section 1.6 peut être ignorée.
Autour de ce noyau, on peut construire trois variantes possibles pour le premier cours :
1. Variante de base ou standard : Les Chapitres 1 à 5. Ici, en partie ou tout le Chapitre 2 (Ampli op) peut être
postposé. En outre, la décision quant au matériel de la seconde moitié du Chapitre 1 à couvrir, dépend de la
formation des étudiants et de la philosophie de l’instructeur. Si cela est souhaité, ce cours peut être complété
par le matériel sur la réponse en fréquence de l’amplificateur, contenu dans les Sections 8.1 à 8.3.
2. Variante à orientation numérique : Les Chapitres 1 (sans la Section 1.6), 3 (sauf les sections des applications ulté-
rieures), 4 (peut-être concentré uniquement sur les premières sections), l’ensemble du Chapitre 5, la Section 8.2 et
Avant-propos xxiii
les Chapitres 14, 15, et 16. Suivant la contrainte de temps, la couverture du Chapitre 4 peut être raccourcie. La Sec-
tion 14.5 sur la loi de Moore et la technologie submicronique profonde peut être ignorée ainsi que les Sections 15.4
et 15.5. Ce cours est recommandé notamment pour les étudiants en génie informatique.
3. Variante à orientation analogique : Les chapitres 1 et 3 (peut-être sans les derniers sections orientées vers
applications), 4, 5, 6 (sauf la Section 6.6), 7, 8 (au moins les Sections 8.1 à 8.3 et le choix de l’instructeur
pour d’autres sujets) et 9 (sélection de sujets laissés à l’appréciation de l’instructeur). Il s’agit d’un cours de
spécialité qui suppose que les étudiants aient déjà acquis un bon niveau de connaissances sur les amplis op,
les diodes ainsi que la physique des semiconducteurs. Ce cours est idéal lorsque le premier cours de génie
électrique est un cours hybride sur les circuits électriques et l’électronique de base, et que, de plus, les étu-
diants ont suivi au préalable un cours de physique des dispositifs semiconducteurs.
Le deuxième cours
Pour ce deuxième cours on propose également trois variantes possibles :
1. Variante ou option standard : Les Chapitres 6 à 10 et 13. Si le temps ne le permet pas, certaines des dernières
sections du Chapitre 8 peuvent être ignorées. En outre, certains des sujets les plus avancés des Chapitres 10
et 13 peuvent être également ignorés. Si vous le souhaitez, certaines sections du Chapitre 11 (Filtres) et du
Chapitres 12 (Oscillateurs) peuvent être inclus. Ce cours fait suite idéalement au premier cours en variante
standard proposé ci-dessus.
2. Variante combinaison analogique et numérique : les Chapitres 6, 7, 8 (choix des sujets), 9 (choix des sujets),
14 (peut-être sauf la Section 14.5 sur la mise à l’échelle de la technologie), 15 (en omettant les Sections 15.4
et 15.5, si le temps est trop court), et 16 (choix des sujets).
3. Variante suivi électrique : les Chapitres 4, 6, 7, 8, 9 et un choix de sujets (si le temps le permet), sélectionnés
parmi les chapitres 10 et 13. Ce cours est idéal pour les étudiants en génie électronique qui ont suivi un pre-
mier semestre la variante (option) d’un premier cours en orientation numérique, comme décrit ci-dessus.
Chapitre 1. Le livre commence par une introduction aux concepts de base de l’électronique. Sont présentées les
notions sur les signaux et leurs spectres de fréquence, leurs formes analogiques et numériques. Les amplificateurs sont
présentés comme des blocs de construction de circuits et leurs différents types et modèles sont étudiés. Ce chapitre
établit, également, certaines conventions terminologiques qui sont utilisées tout au long du texte. La seconde moitié
du chapitre donne un aperçu sur les concepts de semiconducteurs, à un niveau suffisant pour comprendre le fonction-
nement des diodes et des transistors dans les chapitres suivants. La couverture de ce matériel est utile en particulier
pour les étudiants qui n’ont pas suivi un cours introductif sur la physique des semiconducteurs. Même ceux qui, pen-
dant leur formation ont été confrontés avec une telle présentation, peuvent trouver dans ce chapitre un rappel utile des
concepts de base. L’instructeur peut choisir de couvrir cette matière en classe ou l’assigner pour la lecture individuelle.
Chapitre 2. Le Chapitre 2 s’occupe des amplificateurs opérationnels, de leurs caractéristiques, des applications
simples et des limites d’utilisation pratique. Nous avons choisi de présenter l’ampli op comme bloc de construction de
xxiv Avant-propos
circuits, tout simplement parce qu’il est facile de travailler avec et parce que l’étudiant peut expérimenter lui-même
des circuits à ampli op qui réalisent des tâches non triviales avec une relative facilité et avec le sentiment d’accomplis-
sement. On a trouvé cette démarche très motivante pour les étudiants. Il convient de souligner, cependant, que tout ou
une partie de ce chapitre peut être ignoré et étudié à un stade ultérieur (par exemple, en conjonction avec le Chapitre 8,
Chapitre 10 et/ou Chapitre 12) sans perte de continuité.
Chapitre 3. Le premier dispositif électronique, la diode, est étudié dans ce chapitre. Sont présentées les caractéris-
tiques des diodes, les modèles de circuits utilisés pour la représenter et ses applications dans les circuits de base. En
fonction du temps disponible pour le cours, quelques-unes des applications de diodes (par exemple la Section 3.6)
peuvent être ignorées. En outre, la brève description des types de diodes spéciales (Section 3.7) peut être indiquée en
tant qu’étude individuelle.
Chapitres 4 et 5. Les fondements des circuits électroniques sont basés sur l’étude des deux types de transistors en
usage aujourd’hui : le transistor à jonction bipolaire (BJT) au Chapitre 4 et le transistor MOS au Chapitre 5. Ce sont
les deux plus importants chapitres de l’ouvrage. Ces deux chapitres ont été écrits pour être totalement indépendants
l’un de l’autre et peuvent donc être étudiés dans n’importe quel ordre. En outre, ces deux chapitres ont la même struc-
ture, ce qui rend plus facile et plus rapide l’étude du second type de transistor ainsi que pour établir la comparaison
entre les deux types de dispositifs.
Chacun des chapitres 4 et 5 commence par une étude de la structure du dispositif et de son fonctionnement physique
conduisant à une description de ses caractéristiques par rapport à ses bornes. Par la suite, afin de permettre à l’étudiant
de devenir très familier avec le fonctionnement du transistor comme élément de circuit, un grand nombre d’exemples
sont présentés, notamment des circuits à courant continu utilisant le dispositif étudié. Nous nous demandons ensuite :
comment le transistor peut être utilisé comme amplificateur ? Pour répondre à cette question, nous considérons le fonc-
tionnement à large signal du circuit en configuration de base, à source commune (émetteur commun). On se sert de ce
circuit pour délimiter les régions dans lesquelles le dispositif peut être utilisé comme amplificateur linéaire de celles à
partir desquelles il peut être utilisé en tant que commutateur. Nous avons ensuite continué avec le fonctionnement du
transistor en petit signal, afin de développer des modèles de circuits pour sa représentation. Les différentes configura-
tions dans lesquelles le transistor peut être utilisé comme amplificateur sont ensuite étudiées et comparées. Ceci est
suivi d’une étude de modes de polarisation du transistor pour fonctionner comme amplificateur dans des applications
de circuits à composants discrets. Nous avons ensuite mis tout ensemble, en présentant des schémas complets et pra-
tiques d’amplificateurs à transistors. La dernière section de chacun des chapitres 4 et 5 offre des détails sur les effets
secondaires de l’utilisation des dispositifs dans ce genre de schémas, qui sont inclus par souci d’exhaustivité, mais qui
peuvent être ignorés si le temps ne permet pas une telle couverture. Après l’étude de ces chapitres, l’étudiant sera prêt
à étudier les amplificateurs à circuit intégrés ou les circuits intégrés numériques. Les Chapitres 6 à 9, ainsi que les Cha-
pitres 10 et 13, constituent un exposé cohérent de la conception d’amplificateur à CI et peuvent donc servir en tant que
deuxième cours sur les circuits électroniques.
Chapitre 6. Le chapitre commence par une brève introduction à la philosophie de conception de circuits intégrés.
Le Chapitre 6 présente les composantes fondamentales des circuits qui sont utilisés dans la conception d’amplifica-
teurs à CI. On commence ainsi avec la cellule de base de gain comportant un transistor en configuration source com-
mune (émetteur commun), chargé par une source de courant et on se pose la question : comment pourrait-on augmenter
son gain en tension ? Cela conduit naturellement à la notion de cascode et son utilisation dans l’amplificateur cascode
et la source de courant cascode. On considère ensuite les différentes méthodes utilisées pour polariser les amplifica-
teurs à CI. Le chapitre se termine, comme le font la plupart des chapitres du livre, avec des sujets avancés (les Sections
6.5 et 6.6) qui peuvent être ignorés si le temps est insuffisant en les proposant pour l’étude individuelle.
Chapitre 6 – Annexe 6.A. Le Chapitre 6 comporte une annexe qui fournit une compilation complète ainsi qu’une
comparaison des propriétés du MOSFET et du BJT. La comparaison est facilitée par la prise en compte des valeurs des
paramètres typiques de dispositifs fabriqués avec des procédés technologiques modernes. Cette annexe peut être
consultée à tout instant par le lecteur et devrait servir pour aboutir à un examen concis des caractéristiques importantes
de ces deux types de transistors.
Chapitre 7. Le sujet principal du Chapitre 7 est la paire différentielle en tant que bloc de construction le plus important
des circuits intégrés. La dernière section du Chapitre 7 est consacrée à l’étude des amplificateurs à plusieurs étages.
Avant-propos xxv
Chapitre 8. Le Chapitre 8 présente un traitement presque exhaustif du sujet important de la réponse en fréquence
de l’amplificateur. Ici, les Sections 8.1, 8.2 et 8.3 contiennent la matière essentielle ; les Sections 8.4 et 8.5 fournissent
une analyse approfondie des outils de travail et les Sections de 8.6 à 8.10 présentent l’analyse de la réponse en fré-
quence d’une variété de configurations typiques d’amplificateurs. En fonction du temps disponible, l’instructeur peut
procéder à une sélection parmi les dernières sections.
Chapitre 9. L’objet principal de ce chapitre est consacré à un autre sujet principal du livre : la rétroaction. Sont
présentés d’une manière exhaustive la théorie de la rétroaction négative et son application dans la conception des
amplificateurs à rétroaction. Le problème de la stabilité des amplificateurs à rétroaction est également discuté ainsi que
la compensation en fréquence.
Chapitre 10. Ce chapitre met l’accent sur une application importante, à savoir la conception de circuits d’amplifi-
cateurs opérationnels. On étudie à la fois les amplis op à CMOS et à transistors bipolaires. Dans cette dernière catégo-
rie, outre le circuit 741 classique et toujours d’actualité, on présente les techniques modernes pour la conception des
amplis op à basse tension (Section 10.7).
Chapitre 11. Le Chapitre 11 est focalisé sur la conception de filtres, qui sont des éléments importants de circuit
dans les systèmes de communication et d’instrumentation. Une approche globale est présentée orientée vers le design.
Le matériel fourni doit permettre au lecteur de concevoir lui-même le projet d’un filtre complet, à partir de la spécifi-
cation de projet et se terminant par une prise de conscience sur le circuit complet. Une multitude de tableaux de don-
nées de conception est prévue.
Chapitre 12. Ce chapitre étudie les circuits pour la génération de signaux d’une variété de formes (carré, triangu-
laire, etc.) ainsi que des ondes sinusoïdales. On présente également des circuits pour la mise en forme d’ondes non
linéaires.
Chapitre 13. C’est le chapitre qui présente et étudie les différentes classes d’amplificateurs : A, B et AB ainsi que
des schémas pour la réalisation pratique d’amplificateurs en technologie bipolaire et/ou CMOS. Sont également consi-
dérés les amplificateurs de puissance à BJT et MOSFET ainsi que l’étude des amplificateurs de puissance à CI repré-
sentatives. En fonction de la disponibilité du temps, quelques-unes des dernières sections de ce chapitre, (par exemple,
les Sections 13.8 à 13.10, sur les applications spéciales) peuvent être ignorées en première lecture.
Chapitre 14. Le Chapitre 14 commence par une présentation des inverseurs logiques numériques (Section 14.1),
puis se concentre sur les sujets liés à la conception des circuits intégrés numériques : l’inverseur CMOS (Sections 14.2
et 14.3) et les portes logiques CMOS (Section 14.4). La dernière section (14.5) s’occupe des implications de la mise à
l’échelle (scaling) de la technologie (loi de Moore) et s’attarde sur les questions importantes en matière de technologie
submicronique profonde. À l’exception possible de la Section 14.5, le matériel du Chapitre 14 est le minimum néces-
saire pour apprendre les éléments significatifs sur les circuits numériques modernes.
Chapitre 15. Le Chapitre 15 s’appuie sur les éléments établis au Chapitre 14 et présente trois grands types de cir-
cuits logiques MOS. De même, une famille importante de circuits logiques bipolaires, ainsi que le transistor à émetteur
couplé logique (ECL). Le chapitre se termine par l’analyse d’une technologie de circuit numérique intéressant qui
combine les meilleures caractéristiques du bipolaire et du CMOS: le BiCMOS.
Chapitre 16. Les circuits numériques peuvent être divisés en deux groupes principaux : les circuits logiques et les
circuits de mémoire. Ces derniers constituent l’objet du Chapitre 16.
Annexes. Les huit annexes contiennent du matériel supplémentaire extrêmement utile. On attire l’attention du lec-
teur, en particulier sur les deux premières: l’Annexe A qui présente une introduction concise à la question importante
de la technologie de fabrication des circuits intégrés (CI) et l’Annexe B qui présente les modèles SPICE ainsi qu’un
grand nombre d’exemples de conception et de simulation à l’aide des logiciels PSpice® et Multisim™. Les exemples
renvoient aux chapitres du manuel. Ces annexes ainsi que du matériel complémentaire se retrouvent sur le CD accom-
pagnant le livre.
xxvi Avant-propos
Remerciements
Beaucoup de modifications apportées à cette sixième édition ont été faites en réponse aux réactions signalées par de
nombreux instructeurs qui ont utilisé la cinquième édition. Nous sommes reconnaissants à tous ceux qui ont pris le
temps de nous écrire. En outre, des dizaines de commentaires et suggestions détaillés sur la cinquième édition ont
constitué la base de nombreux changements que nous avons incorporés dans cette nouvelle édition. Tous ceux qui nous
ont écrit sont indiqués plus loin ; à eux tous, nous adressons nos sincères remerciements. Un certain nombre de per-
sonnes ont apporté des contributions significatives à cette édition. Sam Emaminejad et Muhammad Faisal ont préparé
le logiciel Multisim™ et de nouvelles simulations à l’aide de PSpice® et ont participé aussi à de nombreux aspects liés
à la préparation du manuscrit. Olivier Trescases de l’Université de Toronto et ses étudiants ont énormément aidé, en
vérifiant indépendamment toutes les simulations qui sont reprises sur le CD. Wai-Tung Ng, de l’Université de Toronto,
a réécrit l’Annexe A. Gordon Roberts, de l’Université McGill, nous a donné la permission d’utiliser quelques-uns des
exemples tirés de la 2e édition du manuel SPICE de Roberts et Sedra. Sima Dimitrijev de l’Université Griffith, a entre-
pris un examen détaillé du Chapitre 3 sur les dispositifs semiconducteurs et David Pulfrey de l’Université de la Co-
lombie-Britannique ont fait aussi de nombreuses suggestions. Comme pour l’édition précédente, Anas Hamoui de
l’Université McGill a été la source de beaucoup de bonnes idées. Jim Somers de Sonora Designworks a préparé les CD
pour les étudiants et l’instructeur. Jennifer Rodrigues a tapé toutes les révisions avec compétence et bonne humeur et
a contribué à beaucoup d’aspects logistiques. Linda Lyman nous a assisté avec plus de détails que nous ne pouvons
énumérer ici, son aide est inestimable. Laura Fujino a participé à la relecture du livre. À tous ces amis et collègues,
nous adressons un sincère merci.
Nous sommes également reconnaissants aux collègues et amis suivants qui ont fourni de nombreuses suggestions
utiles : Anthony Chan-Carusone, Roman Genov, David Johns, Ken Martin, tous de l’Université de Toronto, David
Nairn de l’Université de Waterloo, Wai-Tung Ng de l’Université de Toronto, Khoman Phang de l’Université de
Toronto, M. Gordon Roberts de l’Université McGill et Ali Sheikholeslami de l’Université de Toronto.
Un grand nombre de personnes travaillant pour Oxford University Press ont contribué à l’élaboration de cette édi-
tion et ses diverses auxiliaires. Nous tenons à mentionner expressément le directeur artistique Paula Schlosser et les
concepteurs Dan Niver, Binbin Li et Annika Sarin, le rédacteur principal Jill Crosson, ainsi que Susanne Arrington,
Andy Batlle, Brian Black, Sonya Borders, Gigi Brienza, Jim Brooks, Chris Critelli , Michael Distler, Diane Erickson,
Ned Escobar, Adam Glazer, Chris Hellstrom, Andrea Hill, Adriana Hurtado, Holly Lewis, Jenny Lupica, Johanna
Marcelino, Bill Marting, Laura Mahoney, Joella Molway, Preeti Parasharami, Emily Pillars, Terry Retchless, Kim
Rimmer, Linda Roths, Sarah Smith, Patrick Thompson, Adam Tyrell, Euan White et David Wright.
Nous tenons à remercier tout particulièrement notre éditeur de chez Oxford University Press, John Challice, et au
collectif de la rédaction technique dirigé par le rédacteur en chef adjoint Zimmermann Rachael ainsi qu’au directeur
de rédaction Patrick Lynch, qui ont minutieusement préparé tout le soutien nécessaire pour l’apparition de ce livre.
À Steve Cestaro, directeur de la rédaction, conception et fabrication, pour son apport précieux, à Barbara Mathieu,
directrice de production, pour son travail sans relâche, avec grâce et créativité, pour porter ce livre à bonne fin. Et la
dernière mais non la moindre, une note spéciale de remerciements et de gratitude à notre rédacteur Danielle
Christensen, qui a été notre principal point de contact avec Oxford University Press sur l’ensemble du projet et qui a
su le gérer avec créativité, réflexion et dévouement.
Finalement, nous tenons à remercier nos familles pour leur soutien et leur compréhension, et remercier tous les étu-
diants et les enseignants pour leur apport de valeur, tout au long de l’histoire de ce livre.
Adel S. Sedra
Kenneth C. (KC) Smith
Avant-propos xxvii
Dispositifs et
circuits de base
CHAPITRE 1
Électronique et
semiconducteurs
Introduction. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1 Signaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2 Spectre de fréquence des signaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.3 Signaux analogiques et numériques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.4 Amplificateurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1.7 Semiconducteurs intrinsèques. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.8 Semiconducteurs dopés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
1.9 Circulation du courant dans un semiconducteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
1.10 Jonction pn en circuit ouvert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
1.11 La jonction pn sous tension externe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
1.12 Effets capacitifs dans la jonction pn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
Résumé. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
Problèmes à résoudre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
DANS CE CHAPITRE VOUS APPRENDREZ
1. Que les circuits électroniques sont commandés par des signaux, et que la
compréhension des signaux électriques est essentielle pour apprendre
l’électronique.
6. Comment les amplificateurs sont modélisés en tant que blocs et circuits in-
dépendants.
Introduction
Ce livre se préoccupe de l’électronique moderne, un domaine qui est connu aussi sous le nom
de microélectronique. La microélectronique se réfère particulièrement à la technologie des
circuits intégrés (IC). Ces circuits peuvent contenir des centaines de millions de composants
dans un minuscule morceau de silicium (appelé aussi puce), dont la superficie est de l’ordre
de 1 mm2. Un tel ensemble de circuits microélectroniques, par exemple, peut constituer un
microprocesseur, qui est l’élément de base de la structure d’un ordinateur.
3
4 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
Dans ce livre, nous allons étudier les composantes électroniques qui peuvent être utilisés
dans la conception de circuits discrets ou composants d’un circuit intégré (IC). Nous allons
étudier la conception et l’analyse des interconnexions de ces dispositifs, qui constituent des
circuits de complexité variable, capables en même temps d’assurer une grande variété fonc-
tionnelle. Nous allons aussi apprendre les types de circuits intégrés disponibles et leur appli-
cation dans la conception de systèmes électroniques.
Le but de ce premier chapitre est d’introduire quelques concepts de base et la terminologie
spécifique. En particulier, nous allons apprendre davantage sur les signaux et sur l’un des plus
importants traitements du signal, à savoir, l’amplification du signal. Nous allons focaliser
notre étude sur la représentation des circuits ou des modèles des amplificateurs linéaires. Ces
modèles seront employés dans les chapitres suivants dans la conception et l’analyse de cir-
cuits d’amplificateurs réels.
En plus de motiver l’étude de l’électronique, ce chapitre sert de liaison entre l’étude des circuits
linéaires et le principal sujet du livre : la conception et l’analyse des circuits électroniques.
Ensuite, nous présenterons brièvement les propriétés et la physique des semiconducteurs.
L’objectif est de fournir aux lecteurs une plate-forme pour comprendre le fonctionnement
physique des diodes et des transistors afin de permettre leur utilisation effective dans la
conception des circuits. Bien que bon nombre des concepts étudiés dans ce chapitre
s’appliquent aux matériaux semiconducteurs en général, notre attention est fortement orien-
tée vers le silicium, simplement parce qu’il est le matériau utilisé à échelle industrielle dans
la fabrication de la grande majorité des semiconducteurs actuels. Pour compléter le contenu
de ce premier chapitre, l’Annexe A fournit une description détaillée du procédé de fabrication
d’un circuit intégré (IC). Comme indiqué dans l’Annexe A, si le circuit intégré est constitué
d’un seul transistor ou, par exemple, plus de 2 milliards de transistors, il est fabriqué à base
d’un monocristal de silicium, justifiant l’appellation de circuit monolithique. Ce chapitre
commence donc par une étude de la structure cristalline des semiconducteurs et introduit les
deux types de porteurs de charge indispensables à la circulation du courant : les électrons et
les trous. La propriété la plus importante des semiconducteurs est que leur conductivité peut
varier sur une gamme très large et très étroite, dépendance voulue et contrôlée par le concep-
teur, par l’introduction de quantités d’atomes d’impuretés dans le cristal de silicium à l’aide
d’un procédé technologique spécifique, appelé dopage. Les semiconducteurs dopés seront
discutés à la Section 1.8. L’étude continue à la Section 1.9 par l’analyse des deux types de
circulation de courant à travers les semiconducteurs, à savoir : par les trous et par la diffusion
des porteurs de charge (électrons libres).
Armés de ces concepts constituant la base des semiconducteurs, nous passons le reste du
chapitre à l’étude d’une structure semiconductrice importante : la jonction pn. En plus d’être
essentiellement une structure composante électronique d’importance majeure, la diode, la
jonction pn constitue en même temps l’élément de base du transistor à jonction bipolaire
(BJT, voir Chapitre 4) et joue un rôle important dans le fonctionnement des transistors à effet
de champ (FET, voir Chapitre 5).
1.1 Signaux
Dans le monde physique, les signaux contiennent des informations sur une large variété de
choses et d’activités. Les exemples abondent : les prévisions météorologiques sont basées sur
l’analyse des signaux qui représentent la température de l’air, la pression atmosphérique, la
vitesse du vent, etc. La voix d’un présentateur à la radio en lisant les nouvelles en face d’un
microphone fournit un signal acoustique qui contient des informations sur les affaires du
monde. Pour surveiller l’état d’un réacteur nucléaire, nombre d’instruments sont utilisés pour
mesurer une multitude de paramètres, chaque instrument produisant un signal.
Pour extraire les informations requises à partir d’un ensemble de signaux, l’observateur (un
opérateur humain ou une machine) doit toujours traiter les signaux d’une manière prédéterminée.
1.1 Signaux 5
Ce traitement des signaux est habituellement effectué par des systèmes électroniques. Pour que
cela soit possible, le signal qui contient l’information doit d’abord être converti en un signal élec-
trique, habituellement une tension ou un courant. Ce processus est accompli par des dispositifs
appellés transducteurs. Il existe une large variété de transducteurs, adaptés chacun d’entre eux à
un type bien défini de grandeur physique. Par exemple, les ondes sonores générées par un être
humain peuvent être converties en signaux électriques à l’aide d'un microphone. Ce n’est pas notre
but d’étudier ici les transducteurs ; nous allons supposer que les grandeurs physiques qui nous inté-
ressent ont déjà été converties sous forme de signaux électriques et que cette opération est possible
à l’aide d’un des deux circuits équivalents illustrés à la Fig. 1.1. Dans la Fig. 1.1(a) le signal est
représenté par une source de tension vs(t) ; Rs est la résistance électrique de cette source. Dans la
Fig. 1.1(b), le signal est représenté par une source de courant is(t) avec Rs comme résistance de
cette source de courant. Bien que les deux représentations soit équivalentes, en pratique lorsque Rs
présente de faibles valeurs, la situation illustrée par la Fig. 1.1(a) est préférée (connue sous le nom
de source de Thévenin). Tandis que la représentation de la Fig. 1.1(b) (connue sous le nom d’équi-
valent de Norton) est préférée lorsque Rs présente des valeurs élevés. Le lecteur appréciera plus
loin dans ce chapitre cette remarque, lors de l’étude des différents types d’amplificateurs. Pour
l’instant, il est très important que les étudiants maîtrisent les théorèmes de Thévenin et de Norton
(pour un bref aperçu et une mise à niveau, voir l’Annexe D). À noter toutefois que pour les deux
représentations équivalentes de la Fig. 1.1, les paramètres sont liés par l’équation suivante :
vs t Rs is t
Rs
vs(t) is(t) Rs
Figure 1.1 Deux représentations équi-
valentes pour une source de signal : (a) la
source de Thévenin ; (b) l’équivalent de
(a) (b) Norton.
Exemple 1.1
La résistance de sortie d’une source réelle est pratiquement inévitable. Elle représente une imperfection physique qui
limite la capacité d’une source à fournir un signal égale à la tension nominale de cette source. Pour comprendre cet
aspect plus clairement, considérons que la source est branchée à une résistance de charge RL, comme indiqué à la
Fig. 1.2. Pour le cas où la source est représentée par son équivalent de Thévenin, trouver la tension v0 qui apparaît aux
bornes de la résistance de charge RL. Déterminer quelle condition doit satisfaire Rs pour que v0 soit plus proche de la
valeur vs, la tension aux bornes de la source. Répéter l’analyse pour la situation (b) quand la source est représentée par
l’équivalent de Norton. Dans ce cas trouver le courant qui circule à travers la résistance de charge RL et quelle condi-
tion doit satisfaire Rs pour que la valeur de i0 soit la plus proche de is.
Rs
io
vs RL vo is Rs RL
Figure 1.2 Circuits pour
(a) (b) l’Exemple 1.1
6 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
Solution
Pour la source représentée par l’équivalent de Thévenin, Fig. 1.2(a), la différence de potentiel v0 aux bornes de
la résistance RL est calculée à l’aide d’un diviseur de tension constitué par les deux résistances Rs et RL :
RL
v o = v s -----------------
-
RL + Rs
la résistance de source Rs doit être plus petite que la résistance de charge RL,
Rs RL
Ainsi, pour une source représentée par son équivalent de Thévenin, la situation idéale est avec Rs = 0 et au fur et
au mesure que Rs augmente par rapport à la résistance de charge, la tension v o qui se manifeste aux bornes de la
charge devient de plus en plus petite, ce qui n’est pas du tout souhaitable.
Ensuite, on considère la représentation pour la source de signal à l’aide de l’équivalent de Norton à la
Fig. 1.2(b). Afin d’obtenir le courant io qui s’écoule à travers la résistance RL, on utilise le diviseur de courant
constitué par les résistances Rs et RL et on obtient :
Rs
i o = i s -----------------
-
Rs + RL
io is
Ainsi, pour une source de signal représentée par son équivalent de Norton, la situation idéale est atteinte lorsque
Rs = , et au fur et au mesure que Rs diminue par rapport à la résistance de charge R, le courant io qui s’établit
par la charge devient de plus en plus petit, ce qui n’est pas souhaitable.
EXERCICES
1.1 Pour les situations indiquées dans les Fig. 1.1(a) et 1.1(b), quelles sont les valeurs de tension aux bornes si les
circuits sont ouverts ? Si les bornes de sortie sont en court-circuit, calculer, pour les deux circuits, la valeur du
courant qui s’y établit. Pour que les deux circuits soit équivalents, quelles doivent être les relations entre vs, is
et Rs ?
Réponse : Pour (a), v0c = vs(t) ; pour (b), v0c = Rsis(t) ; pour (a), isc = vs(t)/Rs ; pour (b), isc = is(t) ; la condition
d’équivalence est : vs(t) = Rsis(t).
1.2 Une source de signal présente en circuit ouvert une tension aux bornes de 10 mV et un courant de court-circuit
de 10 µA. Quelle est la valeur de la résistance interne de cette source ?
Réponse : 1 k
1.2 Spectre de fréquence des signaux 7
EXERCICES
1.3 Une source de signal est représentée par son équivalent de Thévenin, avec vs = 10 mV et Rs = 1 k. Si la source
alimente une résistance de charge RL, trouver la tension v0 aux bornes de la charge. Prenez pour RL 100 k,
10 k, 1 k et 100 . Trouver aussi la plus petite valeur de RL pour laquelle la tension à ses bornes est au
moins 80% de la tension de source.
Réponse : 9,9 mV; 9,1 mV; 5 mV; 0,9 mV; 4 k
1.4 Une source de signal est représentée par son équivalent de Norton, avec is = 10 µA et Rs = 100 k Si la source
est connectée sur une résistance de charge RL, trouver le courant i0 qui s’établit à travers la charge pour
RL=1 k, 10 k, 100 k et 1MCalculer aussi la plus grande valeur de RL pour laquelle le courant de
charge est au moins égale à 80% du courant fourni par la source.
Réponse : 9,9 µA; 9,1 µA; 5 µA; 0,9 µA; 25 k.
De ce qui précède, il résulte d’une manière évidente que le signal est une quantité variable
dans le temps et qu’il peut être représenté par un diagramme tel que celui représenté à la
Fig. 1.3. En fait, la quantité d’information contenue dans le signal est représentée par l’évo-
lution de sa grandeur par rapport au temps, c’est-à-dire dans les variations par rapport au
temps de la représentation graphique du signal. En général, telles variations aléatoires sont
difficiles à interpréter mathématiquement. En d’autres termes, il n’est pas facile d’écrire
l’équation d’une évolution quelconque telle que celle décrite par la Fig. 1.3. Évidemment, une
telle description ou interprétation mathématique est d’une grande importance dans le but de
concevoir des circuits appropriés destinés au traitement des signaux. Une approche efficace
pour la caractérisation des signaux est présentée à la section suivante.
vs(t)
Temps, t
1. Le lecteur qui n’a pas encore approfondi ces sujets ne doit pas s’inquiéter. Aucune application détaillée impli-
quant les deux outils mathématiques signalés ne sera abordée dans les sept premiers chapitres. Néanmoins, une
compréhension générale de la Section 1.2 s’avère extrêmement utile dans l’étude des premiers chapitres de ce
livre.
8 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
moyens pratiques pour représenter un signal de tension vs(t) ou un signal de courant is(t)
comme une somme des signaux sinusoïdaux de fréquence et d’amplitude différentes. Cela
souligne l’importance de l’onde sinusoïdale d’un signal dans l’analyse, la conception et les
tests des circuits électroniques. Par conséquent, nous allons passer brièvement en revue les
propriétés d’une onde sinusoïdale.
La Fig. 1.4 montre un signal de tension sinusoïdale va(t),
v a t V a sin t (1.1)
va
Le signal sinusoïdal est complètement caractérisé par Va qui est sa valeur de crête, par sa
fréquence, et par sa phase mesurée par rapport à un temps de référence arbitraire. Dans le cas
représenté à la Fig. 1.4, l’origine du temps a été choisie de sorte que l’angle de phase est égal
à 0. Il convient de mentionner qu’il est courant d’exprimer l’amplitude d’un signal sinusoïdal
en termes de sa valeur effective (ou r.m.s.). Ainsi, la valeur efficace de la sinusoïde va(t) de la
Fig. 1.4 est Va 2. Par exemple, lorsque nous parlons du réseau électrique de distribution, la
tension est une onde sinusoïdale avec une valeur de crête de 120 2 volts.
Revenons maintenant à la représentation des signaux en tant que somme de sinusoïdes. Il
est à noter qu’en utilisant la série de Fourier en tant qu’outil mathématique, on peut accomplir
cette tâche difficile qu’est la décomposition d’un signal en une somme de fonctions pério-
diques du temps. D’autre part, la transformée de Fourier est un outil de travail plus puissant
et peut être utilisé pour obtenir le spectre de fréquences d’un signal dont la forme d’onde est
une fonction arbitraire de temps.
La série de Fourier nous permet d’exprimer une fonction périodique du temps comme la
somme d’un nombre infini de sinusoïdes dont les fréquences sont en relation harmonique. Par
exemple, le signal représenté par une onde carrée symétrique, illustré par la Fig. 1.5, peut être
exprimé en tant que :
4V
v t ------- ( sin 0 t 1--3- sin 3 0 t 1--5- sin 5 0 t . . . ) (1.2)
où V est l’amplitude de l’onde carrée et 0 = 2/T (T est la période de l’onde carrée) est ap-
pelée la fréquence fondamentale. Parce que les amplitudes des harmoniques diminuent pro-
gressivement, la série infinie peut être tronquée, ce qui fournit ainsi une approximation de la
forme d’onde carrée.
Les composantes sinusoïdales dans la série définie par l’équation (1.2) constituent le
spectre de fréquence de l’onde carrée symétrique en question. Un tel spectre peut être repré-
senté graphiquement, voir Fig. 1.6 où l’axe horizontal représente la fréquence angulaire en
radians par seconde.
1.2 Spectre de fréquence des signaux 9
Figure 1.6 Le spectre des fréquences (également connu sous le nom lignes de spectre) pour l’onde carrée
symétrique de la Fig. 1.5.
Répartition de la tension Va(), volts
Figure 1.7 Le spectre de fréquence d’une onde de forme arbitraire, telle qu’à la Fig.1.3.
La transformation de Fourier peut être appliquée également à une fonction non périodique
du temps, tel que celle illustrée à la Fig. 1.3. Son spectre de fréquence est une fonction conti-
nue de la fréquence, comme indiqué à la Fig. 1.7. Contrairement au cas des signaux pério-
diques, où le spectre se compose de fréquences discrètes (pour 0 et ses harmoniques), le
spectre d’un signal non périodique contient en général toutes les fréquences possibles. Néan-
moins, les parties essentielles du spectre des signaux pratiques sont généralement confinées
à des segments relativement courts situés sur l’axe des fréquences (), remarque très utile
dans le processus de traitement de ces signaux. Par exemple, le spectre des sons audibles tels
que la parole et la musique, s’étend sur une plage fréquentielle de 20 Hz à 20 kHz, environ.
10 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
Cet intervalle de fréquences est connu sous le nom de bande audio. Il convient de noter ici
que, bien que certains sons musicaux présentent des fréquences supérieures à 20 kHz,
l’oreille humaine est incapable d’entendre des fréquences supérieures à ce seuil. Un autre
exemple se réfère à des signaux vidéo analogiques, avec un spectre se situant dans la plage de
0 MHz à 4,5 MHz.
Nous concluons cette section en soulignant qu’un signal peut être représenté soit par sa
forme d’onde qui varie avec le temps, comme pour le signal de tension va(t) représenté à la
Fig. 1.3, soit par son spectre de fréquence, comme à la Fig. 1.7. Ces deux variantes sont
connues en tant que représentation dans le domaine temporel et dans le domaine fréquentiel
respectivement. La représentation dans le domaine fréquentiel de va(t) sera notée par le sym-
bole Va().
EXERCICES
1.5 Trouver les fréquences f et d’un signal sinusoïdale avec une période de 1 ms.
3
Réponse : f 1000 Hz ; 2π 10 rad/s
1.6 Quelle est la période T d’une onde sinusoïdale caractérisée par les valeurs suivantes de fréquence :
(a) f = 60 Hz ? (b) f = 10-3 Hz ? (c) f = 1 MHz ?
Réponse : 16,7 ms ; 1 000 s ; 1 µs.
1.7 La ultra haute fréquence (UHF) est la bande de diffusion de la télévision. Cette bande commence avec le canal
14 et s’étend à partir de 470 MHz jusqu’à 806 MHz. La largeur de bande attribuée pour chaque canal est de
6 MHz. Combien de canaux peut accueillir la bande UHF ?
Réponse : 56 ; les canaux 14 à 69.
1.8 Lorsque le signal d’onde carrée de la Fig. 1.5, dont la série de Fourier est exprimée par l’équation (1.2), est
appliquée à un résistor, la puissance totale dissipée peut être calculée directement à l’aide de la relation
P 1 T T0 v R dt ou indirectement en additionnant la contribution de chacune des composantes harmo-
2
niques, c’est-à-dire, P = P1 + P3 + P5 + …, qui peuvent être trouvées directement à partir des valeurs efficaces.
Vérifiez que les deux approches sont équivalentes. Quelle fraction de l’énergie de l’onde carrée est due à sa
fondamentale ? Calculer cette fraction pour les cinq premiers harmoniques ? Effectuer le même calcul pour les
sept et pour les neuf premiers harmoniques. Pour quel nombre d’harmoniques peut-on envisager contenir 90%
de l’énergie totale de l’onde carrée ? (Notez qu’à la numérotation des harmoniques, la fondamentale 0 est le
premier, 20 est le deuxième harmonique, etc.).
Réponse : 0,81 ; 0,93 ; 0,95 ; 0,96 ; 3.
être représenté sous cette forme, on doit expliquer d’abord comment les signaux peuvent être
convertis de la forme analogique à la forme numérique. Considérons ainsi la Fig. 1.8(a). La
courbe représente un signal de tension, identique à celui de la Fig. 1.3. A intervalles réguliers
établis le long de l’axe du temps, sont marqués les instants t0, t1, t2, et ainsi de suite. A chacun
de ces instants, l’amplitude du signal est mesurée. Il s’agit d’un processus connu sous le nom
d’échantillonnage. La Fig. 1.8(b) montre la représentation du signal de la Fig. 1.8(a) en
termes correspondant aux échantillons. Ainsi, le signal de la Fig. 1.8(b) est défini uniquement
par rapport aux instants d’échantillonnage, et il n’est plus donc une fonction continue du
temps, mais plutôt, comme on peut facilement constater, le signal prend une forme discrète
par rapport au temps. Toutefois, étant donné que l’amplitude de chaque échantillon peut
prendre n’importe quelle valeur, le signal montré à la Fig. 1.8(b) est toujours un signal ana-
logique.
Si on représente maintenant l’amplitude de chacun des échantillons du signal de la
Fig. 1.8(b) par un nombre fini, l’amplitude du signal ne présentera plus une évolution conti-
nue. Par conséquent, nous pouvons constater que celle-ci a été quantifiée, discrétisée ou
numérisée. Le signal numérique résultant est alors présenté en tant qu’une séquence de
nombres qui représentent, conformément à une certaine convention préétablie, les amplitudes
des échantillons successifs du signal d’origine.
(a)
Figure 1.8 Échantillonnage d’un signal : (a) par rapport au temps, (b) par valeurs discrètes par rapport au
temps.
Le choix du système numérique qui sert à représenter les échantillons du signal peut
influencer le type de signal numérique produit et, par conséquent la complexité des circuits
numériques nécessaires au traitement des signaux. Il s’avère que l’utilisation du système de
numération binaire se traduit par une simplification évidente tant du côté des signaux
numériques que des circuits de traitement. Dans un système binaire, chaque chiffre prend
12 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
seulement l’une des deux valeurs possibles : 0 et 1. En conséquence, les signaux numériques
dans le système binaire réclament seulement deux niveaux de tension, à savoir un niveau haut
et un niveau bas de tension qui correspondent aux valeurs digitales possibles 0 et 1. A titre
d’exemple, dans quelques-uns des circuits numériques étudiés dans ce livre, les deux niveaux
sont 0 V et +5 V. La Fig. 1.9 représente la variation par rapport au temps d’un signal numé-
rique. Notez que la forme d’onde est un train d’impulsions avec 0 V représentant un signal 0,
ou un 0 logique, et +5 V représentant le signal logique 1.
v (t)
5
0
Valeurs logiques 1 0 1 1 0 1 0 0 Temps t
Si on utilise N chiffres binaires (bits) pour représenter chaque échantillon d’un signal ana-
logique, la valeur numérisée de l’échantillon peut être exprimé comme
D b 0 2 b 1 2 b 2 2 + b N 1 2
0 1 2 N 1
(1.3)
où b0, b1, ..., bN-1, désignent les N bits et présentent des valeurs égales à 0 ou 1. Ici, le bit b0 est
appelé le bit le moins significatif (LSB), et le bit bN-1 est appelé le bit le plus significatif
(MSB). Conventionnellement, la valeur numérisée s’écrit comme bN-1 bN-2 … b0. Nous obser-
vons qu’une telle représentation analogique quantifie l’échantillon parmi les niveaux à 2N. Il
est évident que plus grand est le nombre de bits (c’est-à-dire, plus N est grand), plus le mot
numérique D se rapproche de la grandeur de l’échantillon analogique. C’est, en augmentant
le nombre de bits qu’on réduit l’erreur de numérisation et on augmente en même temps la
résolution de conversion analogique-numérique. Cependant, cette amélioration est générale-
ment obtenue à l’aide d’un circuit plus complexe et donc plus coûteux. Ce n’est pas notre but
de s’attarder sur ce sujet ; nous voulons simplement attirer l’attention du lecteur sur quelques
aspects qui sont révélateurs de la compréhension de la nature et les particularités des signaux
analogiques et numériques. Néanmoins, il est opportun d’introduire ici une nouvelle notion :
le convertisseur analogique numérique (CAN) illustré en tant que schéma-bloc par la
Fig. 1.10. Il s’agit d’un circuit très important dans la conception et la réalisation des systèmes
électroniques modernes. Un convertisseur analogique numérique (CAN) accepte comme si-
gnaux d’entrée les échantillons d’un signal analogique et fournit pour chaque signal d’entrée
un signal de sortie qui correspond à un signal de N bits en représentation numérique (d’après
l’équation 1.3). Ainsi par exemple, bien que la tension (le signal) à l’entrée puisse être de
6,51 V à chacune des bornes de sortie du convertisseur (par exemple, à la sortie k), la tension
sera soit celle qui correspond au niveau bas (0 V) soit au niveau haut (5 V), si bk est censé être
0 ou 1 respectivement. Le circuit dual d’un convertisseur CAN est le convertisseur numé-
rique analogique (CNA). Ce circuit réalise la conversion d’une entrée numérique à N bits à
une tension de sortie analogique.
1.3 Signaux analogiques et numériques 13
Une fois que le signal est sous forme numérique, il peut être traité en n’utilisant plus que
des circuits numériques. Bien sûr les circuits numériques peuvent traiter également des
signaux qui n’ont pas une origine analogique, tels que les signaux qui représentent les diffé-
rentes instructions d’un ordinateur.
Puisque les circuits numériques traitent exclusivement des signaux binaires, leur concep-
tion est plus simple que celle des circuits analogiques. En outre, les systèmes numériques
peuvent être conçus en utilisant un nombre relativement réduit de types de circuits. Cepen-
dant, un grand nombre de circuits (des centaines de milliers, voire des millions) sont généra-
lement nécessaires pour réaliser un appareil. Ainsi, la conception de circuits numériques pose
aux concepteurs un ensemble spécifique de défis, mais fournit en même temps des solutions
pour des réalisations fiables et économiques pour une énorme variété de fonctions propres au
traitement des signaux dont la plupart ne sont pas envisageables avec des circuits analogiques.
À l’heure actuelle, de plus en plus de fonctions de traitement du signal sont réalisées exclusi-
vement de manière numérique. Les exemples abondent : de la montre numérique et l’ordina-
teur à des appareils photo numériques et, plus récemment la télévision numérique. En outre,
certains systèmes analogiques traditionnels tels que les systèmes de communication télépho-
nique sont aujourd’hui presque entièrement numériques.
Les blocs de base pour la construction des systèmes numériques sont les circuits logiques
et les circuits de mémoire. Cette catégorie de circuits sera étudiée en détail à partir du Cha-
pitre 14.
b0
Entrée Converteur b1 Sortie
v
analogique A A/D numérique
bN1
Une dernière remarque : bien que le traitement numérique des signaux soit actuellement
omniprésent, il reste de nombreuses fonctions de traitement du signal qui sont mieux réalisées
par des circuits analogiques. En effet, de nombreux systèmes électroniques comprennent en
égale mesure des circuits analogiques et des circuits numériques. Il s’ensuit qu’un bon ingé-
nieur électronicien doit être aussi compétent dans la conception de circuits analogiques que
dans celle des circuits numériques.
EXERCICE
1.9 Considérer un mot numérique D qui comporte 4 bits : D = b3 b2 b1 b0 (v. Eq. 1.3). Ce mot est utilisé pour re-
présenter un signal vA analogique qui varie entre 0 V et +15 V.
(a) Déterminer D qui corresponde à vA = 0 V, 1 V, 2 V et 15 V.
(b) Quels changements dans vA provoque un changement de 0 à 1 en (i) b0, (ii) b1, (iii) b2 et (iv) b3 ?
(c) Si vA = 5,2 V, quelle est l’expression de D ? Quelle est l’erreur résultant de la représentation numérique ?
Réponse : (a) 0000, 0001, 0010, 1111; (b) 1 V, 2 V, 4 V, 8 V; (c) 0101, –4%.
14 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
1.4 Amplificateurs
Dans cette section, nous allons examiner une des plus importantes fonctions du traitement du
signal, à savoir l’amplification des signaux. Il s’agit d’une opération fondamentale qu’on re-
trouve dans presque tous les systèmes électroniques. Ainsi, nous allons étudier l’amplifica-
teur comme circuit modulaire ; on étudiera également ses caractéristiques, mais les principes
de conception et de réalisation pratique feront l’objet des autres chapitres de ce livre.
v o t Av i t (1.4)
où vi et vo sont les signaux d’entrée et de sortie respectivement, et A est une constante représentant
le taux d’amplification. Cette constante est connue aussi sous le nom de gain de l’amplificateur.
L’équation (1.4) est une relation linéaire; ceci permet de décrire l’amplificateur en tant qu’ampli-
ficateur linéaire. Il est facile de remarquer que si la relation entre vo et vi contient des puissances
de vi, dans ce cas la forme d’onde de vo ne sera plus identique à celle de vi. L’amplificateur est alors
décrit comme non-linéaire et le signal de sortie présente des distorsions.
Les amplificateurs qui seront examinés dans les sections suivantes sont principalement
destinés à fonctionner avec des signaux d’entrée très faibles. Leur but est d’amplifier l’ampli-
tude de la tension du signal entrant et donc, cette gamme d’amplificateurs est appelée ampli-
ficateurs de tension. Par exemple, le préamplificateur dans le système stéréo à la maison est
un exemple typique d’un amplificateur de tension.
Il est à signaler aussi un autre type d’amplificateur, à savoir, l’amplificateur de puissance. Un
tel amplificateur peut fournir un faible gain en tension, mais une amplification substantielle du
courant. Ainsi, tout en absorbant très peu de puissance de la source de signal d’entrée auquel il est
relié, l’amplificateur de puissance peut délivrer à la charge une puissance importante. Un exemple
est l’amplificateur de puissance du système stéréo, dont le but est de fournir une puissance suffi-
sante pour alimenter les haut-parleurs, constituant la charge. Il convient de noter que les haut-
parleurs constituent le transducteur de sortie du système stéréo. Ainsi, les haut-parleurs conver-
tissent le signal de sortie électrique du système d’amplification en signal acoustique de puissance,
relativement élevée. Pour cet exemple il convient de souligner l’importance de la linéarité de la
chaîne d’amplification : uniquement un amplificateur de puissance linéaire peut reproduire sans
distorsion des œuvres musicales qui contiennent à la fois des passages doux et forts.
1.4 Amplificateurs 15
(a) (b)
Figure 1.11 (a) le symbole de circuit pour l’amplificateur. (b) l’amplificateur avec une borne commune
(masse) entre l’entrée et la sortie.
v
Gain de tension A v ----O- (1.5)
vI
vO
Av
1
vI (t) vO (t)
0 vI
(a) (b)
Figure 1.12 (a) Amplificateur de tension alimenté par un signal vI (t) et relié à une résistance de charge
RL ; (b) la caractéristique de transfert d’un amplificateur linéaire de tension avec un gain de tension Av.
puissance à la charge P L
Gain de puissance A p --------------------------------------------------------------- (1.6)
puissance à lentrée P I
vO iO
---------
- (1.7)
vI iI
où iO est le courant que l’amplificateur délivre à la charge RL, iO = vO/RL, et iI est le courant que
l’amplificateur tire de la source de signal. Le gain de courant de l’amplificateur est définit
comme
i
Gain de courant A i ---O- (1.8)
iI
Des équations (1.5) à (1.8) on peut noter que
A p Av Ai (1.9)
Si la puissance dissipée dans le circuit de l’amplificateur est notée Pdiss, l’équation d’équilibre
de puissances de l’amplificateur peut s’écrire comme :
P dc P I P L P diss
où PI est la puissance tirée de la source de signal et PL est la puissance délivrée à la charge.
Puisque la puissance tirée de la source du signal est généralement de petite taille, l’efficacité
de l’amplificateur de puissance est définie comme
P
------L- 100 (1.10)
P dc
Le rendement d’un amplificateur est un paramètre de performance important, notamment
dans le cas des amplificateurs de puissance.
ICC
VCC
ICC
VCC
vI vO vI
IEE vO
_V
IEE VEE EE
(a) (b)
Afin de simplifier les schémas des circuits, nous devons adopter la convention du signe
comme indiqué à la Fig. 1.13(b). Ici, la borne V+ est montrée reliée à une flèche pointant vers
le haut et la borne V – à une flèche pointant vers le bas. Les tensions correspondantes sont
18 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
indiquées à côté de chaque flèche. Notez que dans de nombreux cas on ne met pas en évidence
les connexions de l’amplificateur à ses sources d’alimentation à c.c. Enfin, il est à noter aussi
que certains amplificateurs ne nécessitent qu’un seul bloc d’alimentation.
Exemple 1.2
Considérons un amplificateur qui fonctionne avec deux sources d’alimentation à c.c. de ± 10 V. À l’entrée de
l’amplificateur est appliquée une tension sinusoïdale de 1 V crête et à sa sortie l’amplificateur fournit une ten-
sion sinusoïdale de 9 V crête sur une charge de 1 k. L'amplificateur tire un courant de 9,5 mA à partir de
chaque alimentation. Le courant d’entrée de l’amplificateur est sinusoïdale avec 0,1 mA crête. Trouvez le gain
de tension, le gain de courant, le gain de puissance, la puissance totale absorbée de ses sources d’alimentation à
c.c., la puissance dissipée dans l’amplificateur et son rendement.
Solution
9
A v --- 9 V/V
1
ou
A v 20 log 9 19,1 dB
9V
Iˆo ------------ 9 mA
1 k
Iˆ 9-
A i ---o- ------ 90 A/A
Iˆ i
0,1
ou
A i 20 log 90 39,1 dB
9 9
P L V oeff I oeff ------- ------- 40,5 mW
2 2
1- 0,1
P I V ieff I ieff ------ ------- 0,05 mW
2 2
P 40,5
A p -----L- ---------- 810 W/W
PI 0,05
ou
A p 10 log 810 29,1 dB
P dc 10 9,5 10 9,5 190 mW
P dissipée P dc P I – P L 190 0,05 – 40,5 149,6 mW
P
------L- 100 21,3%
P dc
Signaux
de sortie
Signaux d’entrée
Figure 1.14 La caractéristique de transfert d’un amplificateur est linéaire, sauf pour le domaine de satura-
tion relié au signal de sortie.
Évidemment, afin d’éviter des effets de distorsion de la forme d’onde du signal de sortie,
le swing du signal d’entrée doit être maintenu dans la plage du fonctionnement linéaire,
L L
----- v I -----
Av Av
À la Fig. 1.14 sont illustrées les formes du signal d’entrée et de sortie respectivement ; dans
les régions qui correspondent au phénomène de saturation, la courbe du signal est indiquée
par une ligne interrompue.
20 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
iC
Ic
ic
iC
IC
0
t
iC t = I C + ic t (1.11)
Ainsi, sur la base de ce qui précède, nous allons établir les conventions suivantes :
– les grandeurs totales instantanées seront indiquées par une minuscule avec indice écrit
en majuscule, par exemple : iC(t), vDS(t), etc. ;
– les courants et les tensions c.c. seront indiqués par une majuscule et un indice aussi
écrits en majuscule, par exemple : IC , VDS , etc. ;
– les grandeurs instantanées seront désignées par une minuscule avec un indice écrit aussi
avec une minuscule, par exemple :ic(t), vsg(t), etc. ;
– si le signal est une onde sinusoïdale, l’amplitude est notée par une majuscule avec
indice écrit en minuscule, par exemple :Ic, Vgs, etc. ;
– finalement, bien qu’elles ne figurent pas dans la Fig. 1.15, les alimentations en c.c. sont
désignées par une lettre majuscule avec un indice à double-lettre majuscule, par
exemple, VCC, VDD, etc. Une notation similaire est utilisée pour le courant continu fournit
par les sources d’alimentation, par exemple : ICC, IDD, etc.
1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs 21
EXERCICES
1.10 Un amplificateur a un gain de tension de 100 V/V et un gain de courant de 1 000 A/A. Exprimer les gains en
décibels et trouver le gain de puissance.
Réponse : 40 dB ; 60 dB ; 50 dB.
1.11 Un amplificateur est alimenté par une source unique de 15 V. À sa sortie, l’amplificateur fournit un signal si-
nusoïdal de 12 V crête à crête qui est appliqué à une charge de 1 k. Le courant tiré de la source peut-être
considéré comme négligeable. Le courant continu prélevé de la source d’alimentation à c.c. est de 8 mA.
Quelle est la puissance dissipée dans l’amplificateur et quelle est l’efficacité de l’amplificateur ?
Réponse : 102 mW; 15%.
RL
v o A vo v i -----------------
-
RL Ro
Ainsi, le gain en tension est donné par
v R
A v ----o A vo -----------------
L
- (1.12)
vi RL Ro
Il s’ensuit que pour ne pas perdre du gain au moment du couplage de la charge aux bornes de
sortie de l’amplificateur, la résistance Ro devra être beaucoup plus petite que la résistance de
charge RL. En d’autres termes, pour une résistance de charge donnée RL, il faut concevoir
l’amplificateur de sorte que Ro soit beaucoup plus petite que RL. En outre, il existe de nom-
breuses applications pour lesquelles RL peut varier dans une certaine plage de valeurs. Afin
de maintenir la tension de sortie vo aussi constante que possible, l’amplificateur est conçu
22 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
vo
(a)
ii io
vs vo
(b)
Figure 1.16 (a) Le modèle de circuit pour l’amplificateur de tension, (b) l’amplificateur de tension avec
une source de signal d’entrée et charge branchée en sortie.
avec une valeur de Ro qui doit être plus petite que la valeur la plus basse de la RL. Un ampli-
ficateur idéal de tension est celui qui présente Ro = 0. L’équation (1.12) indique également
que pour RL = , Av = Avo. Ainsi Avo est appelé le gain de tension de l’amplificateur en cir-
cuit ouvert ou de l’amplificateur sans charge. Il est évident que si on spécifie le gain de ten-
sion d’un amplificateur, il est impérativement nécessaire de préciser la valeur de la résistance
de charge pour laquelle ce gain a été mesuré ou calculé. Dans la situation où aucune résistance
de charge n’est spécifiée, il est normalement supposé que le gain de tension notifié est le gain
en circuit ouvert, Avo.
Aux bornes d’entrée de l’amplificateur la Ri, une résistance de valeur finie, implique aussi
la présence d’un diviseur de tension de sorte que seule une fraction du signal en provenance
de la source se retrouve réellement à l’entrée de l’amplificateur, à savoir :
Ri
v i v s ---------------
- (1.13)
Ri Rs
En outre, sont nombreuses les applications pour lesquelles la résistance de la source de signal
peut varier dans une certaine fourchette de valeurs. Afin de minimiser l’effet de cette variation
sur la valeur du signal qui s’applique à l’entrée de l’amplificateur, dès l’étape de conception
de l’amplificateur on prévoit que Ri soit beaucoup plus grand que la plus grande valeur de Rs.
Un amplificateur idéal de tension, par conséquent, est celui avec Ri = . Dans ce cas idéal,
autant le gain de courant que le gain de puissance deviennent infinis.
Le gain total de tension (vo/vs) peut être trouvé en combinant les équations (1.12) et (1.13),
v Ri RL
----o = A vo ---------------
- -----------------
-
vs Ri Rs RL Ro
Il existe des situations où l’on ne s’intéresse pas à un gain de tension, mais uniquement à
obtenir un gain important de puissance. Par exemple, le signal en provenance de la source
peut avoir une valeur assez importante de tension, mais la résistance de source est beaucoup
plus grande que la résistance de charge. La connexion de la source directement à la charge
peut aboutir à l’atténuation significative du signal d’entrée. Dans un tel cas, on a besoin d’un
amplificateur avec une entrée à haute résistance (beaucoup plus grande que la résistance de
1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs 23
source) et une résistance de sortie faible (plus petite que la résistance de charge), mais avec
un faible gain en tension (ou même un gain unitaire). Un tel amplificateur est appelé ampli-
ficateur tampon. Dans ce livre nous rencontrerons souvent ce type d’amplificateur.
EXERCICES
1.12 Un transducteur caractérisé par une tension de sortie de 1 Veff et d’une résistance de 1 M est disponible pour
actionner une charge de 10 . Si le transducteur est directement connecté à la charge, quels niveaux de tension
et de puissance se retrouvent du côté de la charge ? Si on interpose entre la source de signal et la charge un
amplificateur tampon avec gain unitaire (Avo = 1) avec une résistance d’entrée de 1 M et une résistance aux
bornes de sortie de 10 , que deviennent la tension de sortie et la puissance absorbée par la charge ? Pour le
nouvel arrangement, trouver le gain de tension de la source à la charge et le gain de puissance (exprimés en
décibels).
Réponse : 10 µVeff; 1011 W; 0,25 V; 6,25 mW; 12 dB; 44 dB.
1.13 La tension de sortie d’un amplificateur de tension diminue de 20% quand une résistance de charge de 1 k est
connectée aux bornes de sortie. Quelle est la résistance de sortie de l’amplificateur ?
Réponse : 250 .
1.14 Un amplificateur avec un gain de tension de +40 dB, une résistance d’entrée de 10 k et une résistance de sor-
tie de 1 k est utilisé pour alimenter une charge de 1 k. Quelle est la valeur de Avo ? Trouver la valeur du gain
de puissance exprimée en décibels.
Réponse : 100 V/V; 44 dB.
Exemple 1.3
La Fig. 1.17 représente un amplificateur composé d’une cascade de trois étages. L’ensemble est alimenté par
une source de signal avec résistance de source de 100 k et alimente en sortie une résistance de charge de
100 . Le premier étage a une résistance d’entrée relativement élevée et un faible gain de seulement 10. Le
deuxième étage a un gain plus élevé, mais la résistance d’entrée est plus faible. Enfin, l’étage de sortie de
l’ensemble a un gain unitaire mais présente une résistance de sortie faible. On souhaite évaluer le gain global de
tension, c’est-à-dire vL/vi, le gain de courant et le gain de puissance.
24 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
ii io
vi1 vi2 vi3 vL
vs
10vi1 100vi2 1vi3
Solution
La fraction du signal en provenance de la source appliquée aux bornes d’entrée de l’amplificateur est obtenue
en utilisant le principe du diviseur de tension :
v i1 1 M
------ ---------------------------------------
- 0,909 V/V
vs 1 M 100 k
Le gain de tension du premier étage est obtenu tenant compte de la résistance d’entrée du second étage considé-
rée comme résistance de charge du premier étage, soit :
v 100 k
A v1 -----i2- 10 ------------------------------------- 9,9 V/V
v i1 100 k 1 k
De même, le gain de tension du deuxième étage est obtenu tenant compte de la résistance d’entrée du troisième
étage qui constitue la charge du deuxième étage :
v i3 10 k
A v2 -----
- 100 ---------------------------------- 90,9 V/V
v i2 10 k 1 k
Le gain total des trois étages en cascade peut être maintenant exprimé par :
v
A v -----L- A v1 A v2 A v3 818 V/V
v i1
ou 58,3 dB.
Pour trouver le gain de tension de la source jusqu’à la charge, on multiplie Av par un facteur qui représente la
perte de gain à l’entrée, soit :
vL v v i1 v i1
----- -----L- -----
- A v -----
-
vs v i1 v s vs
818 0,909 743,6 V/V
ou 57,4 dB.
1.5 Modèles de circuits d’amplificateurs 25
ou 138,3 dB.
Le gain de puissance est donné par :
P vL io
A p -----L- ---------
PI v i1 i i
6 8
A v A i 818 8,18 10 66,9 10 W/W
A p dB 1--2- A v dB A i dB
EXERCICES
1.15 Quel serait le gain total de tension de l’amplificateur en cascade de l’Exemple 1.3 sans le troisième étage ?
Réponse : 81,8 V/V.
1.16 Pour l’amplificateur en cascade de l’Exemple 1.3, considérer vs = 1 mV. Trouver vi1, vi2, vi3, et vL.
Réponse : 0,91 mV; 9 mV; 818 mV; 744 mV.
1.17 (a) Modéliser l’amplificateur à trois étages de l’Exemple 1.3 (sans source et sans charge) à l’aide du modèle
d’amplificateur de tension. Quelles sont les valeurs de Ri, Avo, et Ro ?
(b) Si RL varie dans la plage de 10 à 1 000 , trouver la plage correspondante à la variation du gain total en
tension, vo/vs.
Réponse : 1 M, 900 V/V, 10 ; 409 V/V jusqu’au 810 V/V.
26 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
Amplificateur io Transconductance
de transconductance en court-circuit Ri
i
vi Ri Gmvi Ro vo G m ---o- A/V
vi Ro
v o 0
Amplificateur Transrésistance
ii io
de transrésistance Ro en circuit ouvert Ri 0
v
R m ----o V/A
Ri Rm i i vo ii Ro 0
i o 0
circuit ouvert qui correspond au modèle d’amplificateur de tension indiqué par le Tableau 1.1 est
Avovi. Pour le modèle d’amplificateur de courant dans le Tableau 1.1 on a la tension de sortie en
circuit ouvert en tant que AisiiRo. Les deux expressions permettent d’exprimer ainsi le paramètre
recherché qui, pour le cas discuté est ii = vi/Ri et par conséquent on obtient :
A vo A is -----o
R
(1.14)
Ri
De même, nous pouvons montrer que
A vo G m R o (1.15)
et
R
A vo -----m- (1.16)
Ri
D’une façon similaire, les équations (1.14) à (1.16) peuvent être utilisées pour relier n’im-
porte lequel des deux autres paramètres de gain, à savoir : Avo, Ais, Gm, et Rm.
1.5.5 Détermination de Ri et Ro
À partir des modèles de circuit des amplificateurs indiqués dans le Tableau 1.1, nous obser-
vons que la résistance d'entrée Ri de l'amplificateur peut être déterminée si on applique une
tension d’entrée vi et on mesure (ou on calcule) la valeur du courant d’entrée ii ; ceci nous
amène à conclure que Ri = vi/ii. D’une façon identique, on trouve que la résistance de sortie
Ro est égale au rapport entre la tension de sortie en circuit ouvert et le courant de sortie en
court-circuit. Alternativement, la résistance de sortie peut être déterminée en supprimant la
source de signal à l’entrée de l’amplificateur (dans ce cas ii et vi ont des valeurs nulles) et en
appliquant une tension vx à la sortie de l’amplificateur, comme montré à la Fig. 1.18. Si l’on
note ix le courant qui s’établit suite à l’application de vx aux bornes de sortie (noter que ix est
de sens opposé à io), alors Ro = vx/ix. Bien que ces techniques soient conceptuellement cor-
rectes, dans la pratique des méthodes plus raffinées sont employées afin de mesurer avec pré-
cision les deux résistances, Ri et Ro.
ix
vx
vx
Ro
ix Figure 1.18 Détermination de la résistance de sortie.
Exemple 1.4
Le transistor à jonction bipolaire (BJT), qui sera étudié en détail dans le Chapitre 4, est un dispositif à trois
bornes. Il est alimenté par une source à c.c. et fonctionne en petit signal. Ce type de transistor peut être modélisé
par le circuit linéaire de la Fig. 1.19(a). Les trois bornes sont appelées : base (B), émetteur (E), et collecteur
(C). Le cœur du modèle est un amplificateur de transconductance représenté par une résistance d’entrée entre B
et E (notée rπ), une transconductance de court-circuit gm et une résistance de sortie ro.
(a) Avec l’émetteur utilisé en tant que borne commune entre l’entrée et la sortie, la Fig. 1.19(b) montre un am-
plificateur à transistor appelé amplificateur à émetteur commun. Obtenir une expression au gain en ten-
sion vo/vs et évaluer son amplitude pour le cas avec Rs = 5 k, rπ = 2,5 k, gm = 40 mA/V, ro = 100 k et
RL = 5 k. Quelle sera la valeur du gain si on néglige l’effet de ro ?
(b) Un modèle alternatif pour le transistor dans lequel est utilisé un amplificateur de courant plutôt qu’un am-
plificateur de transconductance est représenté à la Fig. 1.19(c). Quelle est la valeur du gain de courant en
court-circuit ? Donner à la fois une expression et une valeur pour ce gain.
B C Rs B C
vbe r ro vs vbe r ro RL vo
gmvbe gmvbe
E E
(a)
(b)
B ib C
vbe r ro
ib
E
(c)
Figure 1.19 (a) Modèle de circuit pour un transistor à jonction bipolaire (BJT) ; (b) le transistor (BJT) connecté en confi-
guration d’amplificateur à émetteur commun (émetteur en borne commune entre l’entrée et la sortie) ; (c) variante de modèle
de circuit pour le transistor à jonction bipolaire (BJT).
Solution
(a) Se reporter à la Fig. 1.19(b). On applique le principe du diviseur de tension pour déterminer la fraction du
signal d’entrée qui apparaît à la borne d’entrée de l’amplificateur
rπ
v be v s ---------------- (1.17)
r π Rs
Puis, on détermine la tension de sortie vo en multipliant le courant (gmvbe) par le résistor (RL || ro),
v o – g m v be R L r o (1.18)
À remarquer que le gain est négatif, indiquant que l’amplificateur est inverseur. Avec les valeurs des compo-
sants, on obtient :
vo 2,5
---- – ---------------- 40 5 100
vs 2,5 5
– 63,5 V/V
Si l’effet de ro est ignoré, on obtient :
v 2,5
----o – ---------------- 40 5
vs 2,5 5
– 66,7 V/V
qui est assez proche de la valeur précédemment obtenue. Cela n’est pas du tout surprenant, puisque ro RL.
(b) Pour que le modèle de la Fig. 1.19(c), l’équivalent à celui de la Fig. 1.19(a),
ib gm v be
Mais ib = vbe/rπ ; donc,
gmrπ
Pour les composantes précisées par l’énoncé on obtient :
40 mA/V 2,5 k
= 100 A/A
EXERCICES
1.18 Considérer un amplificateur de courant selon le modèle montré dans la deuxième rangée du Tableau 1.1. Sup-
poser l’amplificateur alimenté par une source de courant is qui comporte une résistance Rs et une sortie connec-
tée sur une résistance de charge RL. Montrer que le gain global de courant est donné par l’équation :
io Rs Ro
--- A is ----------------
- -----------------
-
is Rs Ri Ro RL
1.19 Considérer l’amplificateur de transconductance dont le modèle est représenté à la troisième rangée du
Tableau 1.1. Soit vs la tension appliquée à l’entrée en provenance d’une source de tension de résistance Rs.
L’amplificateur débite sur la résistance de charge RL. Montrer que le gain total de tension est donné par
l’équation :
v Ri
- R R L
----o G m ----------------
vs Ri Rs o
1.20 Considérer l’amplificateur de transrésistance dont le modèle figure à la quatrième ligne du Tableau 1.1. L’am-
plificateur est alimenté avec un signal is en provenance d’une source de courant de résistance Rs. La sortie dé-
bite sur une résistance de charge RL. Montrer que le gain global est donné par l’équation :
vo Rs RL
---- R m ----------------
- -----------------
-
is Rs Ri RL Ro
30 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
EXERCICES
1.21 Trouver la résistance d’entrée entre les bornes B et G du circuit de la Fig. E1.21. La tension vx est une tension d’essai
et la résistance d’entrée Rin vx / ix.
ix
vx
Figure E1.21
Rin
T φ
2. Sauf pour l’utilisation à l’étude de la réponse en fréquence des amplificateurs opérationnelles dans les Sections
2.5 et 2.7, le matériel de cette section ne sera requis de manière substantielle avant le Chapitre 8.
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur 31
Amplificateur linéaire
vi Vi sin t vo Vo sin ( t
)
Figure 1.20 Mesure de la réponse en fréquence d’un amplificateur linéaire. À la fréquence , le gain de
l’amplificateur est caractérisé par son amplitude (Vo/Vi) et son déphasage .
Largeur
de bande
Figure 1.21 Réponse typique en amplitude d’un amplificateur : |T()| est la magnitude de la fonction de
transfert de l’amplificateur c’est-à-dire le rapport entre l’amplitude du signal de sortie Vo() et celle du
signal d’entrée Vi().
32 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
V o
T --------------
-
V i
où Vi() et Vo() désignent les signaux d’entrée et de sortie, respectivement. T() est généra-
lement une fonction complexe dont la magnitude |T()| donne l’ampleur de la transmission
ou l’ampleur de la réponse de l’amplificateur. La phase de T() donne la phase de la réponse
de l’amplificateur.
Dans l’analyse fréquentielle d’un circuit, les manipulations algébriques peuvent être
considérablement simplifiées en utilisant la notion de fréquence complexe s. En utilisant
cette nouvelle notion, les composants réactifs deviennent sL et 1/sC, respectivement. Après
remplacement, l’expression de la fonction de transfert devient :
V os
T s ------------
-
V is
Par la suite, dans les calculs nous allons remplacer s par j pour déterminer la fonction de
transfert à des fréquences physiques, T(j). Notez que T(j) est la même fonction appelé pré-
cédemment T()4.
3. Noter que dans les modèles considérés dans les sections précédentes aucun des composants réactifs n’ont été
inclus. Ceux-là sont des modèles simplifiés qui ne peuvent pas être utilisés pour prédire la réponse en fréquence
amplificateur.
4. À ce stade, on utilise s simplement comme remplaçant de j. On n’exige pas une connaissance détaillée du
concept de plan s qui sera expliqué au Chapitre 8. Une brève analyse du plan s est présenté à l’Annexe F.
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur 33
C
R
Vi C Vo Vi R Vo
(a) (b)
Figure 1.22 Deux exemples de réseaux CTU: (a) réseau passe-bas, (b) réseau passe-haut.
La plupart des réseaux CTU peuvent être groupées en deux catégories5 : réseaux passe-
bas (LP) et réseaux passe-haut (HP), chacune de ces catégories montrant des réponses dis-
tinctes. À titre d’exemple, le réseau CTU représenté à la Fig. 1.22(a) est du type passe-bas et
le circuit de la Fig. 1.22(b) est du type passe-haut. Pour argumenter cette classification, on
doit observer que la fonction de transfert de chacun de ces circuits peut être exprimée comme
un rapport qui caractérise un diviseur de tension : le diviseur est composé d’un résistor et d’un
condensateur. Si on se rappelle comment l’impédance d’un condensateur varie avec la fré-
quence (Z = 1/jC), il est facile de comprendre que la transmission du circuit de la
Fig. 1.22(a) diminue au fur et à mesure que la fréquence approche . Ainsi, le circuit de la
Fig. 1.22(a) agit comme un filtre passe-bas6. Ce type de filtre laisse passer sans atténuation
les signaux à basse fréquence, tandis que les signaux à haute fréquence sont fortement atté-
nués. Le circuit de la Fig. 1.22(b) fait le contraire : son facteur de transmission est égal à
l’unité pour = , et diminue pour atteindre zéro si = 0. Ce type de circuit se comporte
donc comme un filtre passe-haut.
Le Tableau 1.2 présente une synthèse des réponses en fréquence pour les deux catégories
de réseaux CTU7. En outre, des exemples pour la réponse en amplitude et en phase sont mon-
trés aux Fig. 1.23 et Fig. 1.24. Ces représentations de la réponse en fréquence sont connues
comme diagrammes de Bode. La fréquence de 3 dB (0) est appelée fréquence de coupure
ou fréquence du pôle. Le lecteur est invité à se familiariser avec ces notions en consultant
l’Annexe E. En particulier, il est important de développer un outil de travail pour une déter-
mination rapide de la constante de temps d’un circuit CTU. Le processus pratique est très
simple : ramener à zéro la source indépendante de tension ou de courant ; raccrocher aux
bornes de sortie l’élément réactif (condensateur C ou inductance L) ; déterminer la valeur de
la résistance équivalente R qui apparaît entre ces deux bornes. La constante de temps est alors
égale au produit CR ou au rapport L/R.
5. Une exception importante est le réseau CTU passe-bande – objet d’étude du Chapitre 11.
6. Un filtre est un circuit qui laisse passer les signaux dans une bande spécifiée de fréquences (la bande passante
du filtre) et arrête ou atténue fortement les signaux dans une autre bande de fréquence (la bande d’arrêt du filtre).
Les filtres seront étudiés en détail dans le Chapitre 11.
7. Les fonctions de transfert indiquées dans le Tableau 1.2 sont présentées sous forme générale pour les circuits de
la Fig. 1.22, avec K = 1 et 0 = 1/CR.
34 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
6 db/octave
ou
20 db/décade
0,1 échelle
(a) logarithmique
5,7°
échelle logarithmique
0,1
5,7°
décade
(b)
Figure 1.23 (a) La réponse en amplitude et (b) la réponse en phase des réseaux CTU du type passe-bas.
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur 35
20 dB/décade
échelle
logarithmique
0,1
(a)
5,7° décade
5,7°
échelle
0,1 logarithmique
(b)
Figure 1.24 (a) La réponse en amplitude et (b) la réponse en phase des réseaux CTU du type passe-haut.
Exemple 1.5
La Fig. 1.25 montre un amplificateur de tension avec une résistance d’entrée Ri, une capacitance d’entrée Ci, un
gain µ et une résistance de sortie Ro. L’amplificateur est alimenté par une source de tension Vs avec résistance de
source Rs. La sortie est connectée sur la charge RL.
Rs Ro
Vs Vi Ri Ci Vi RL Vo
(a) Déduire une expression du gain de tension de l’amplificateur Vo/Vs en fonction de la fréquence. Sur base de
cette équation écrire l’expression du gain de courant et la bande de fréquence à 3 dB.
(b) Calculer les valeurs du gain, de la bande de fréquence à 3 dB et de la fréquence à laquelle le gain devient
0 dB (gain unitaire). Prendre Rs = 20 k, Ri = 100 k, Ci = 60 pF, µ = 144 V/V, Ro = 200 et RL = 1 k.
(c) Trouver vo(t) pour chacune des entrées suivantes :
(i) v i 0,1 sin 102 t, V (ii) v i 0,1 sin 105 t, V (iii) v i 0,1 sin 106 t, V (iv) v i 0,1 sin 108 t, V
36 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
Solution
(a) En utilisant le principe du diviseur de tension, on exprime Vi en fonction de Vs comme suit
Zi
V i V s ----------------
-
Z i + Rs
où Zi est l’impédance d’entrée de l’amplificateur. Puisque Zi se compose de deux éléments parallèles, il est évi-
demment plus facile de travailler en termes de Yi = 1/Zi. À cette fin, nous divisons le numérateur et le dénomina-
teur par Zi et on obtient :
1
V i V s --------------------
1 Rs Y i
1
V s ---------------------------------------------------
1 R s 1 R i + sC i
Ainsi,
V 1
-----i -------------------------------------------------
Vs 1 R s R i sC i R s
Cette expression peut être mise sous forme standard pour un réseau CTU passe-bas (voir la ligne du haut du
Tableau 1.2) en extrayant [1 + (Rs/Ri)] du dénominateur ; on obtient donc :
V 1 1
-----i ---------------------------- ---------------------------------------------------------------
- (1.20)
Vs 1 R s R i 1 sC i R s R i R s R i
Cette dernière équation combinée avec l’équation (1.20) conduit à la fonction de transfert de l’amplificateur, à
savoir :
V 1 1 1
-----o- ---------------------------- -----------------------------
- ----------------------------------------------------------------
- (1.21)
Vs 1 R s R i 1 R o R L 1 sC i R s R i R s R i
On note que seul le dernier facteur de cette équation est en plus par rapport à l’équation précédente. Ce facteur
résulte de l’influence de la capacitance d’entrée Ci, avec une constante de temps donnée par :
Rs Ri
C i ----------------
-
Rs Ri (1.22)
C i R s || R i
Nous aurions pu obtenir ce résultat par inspection. De la Fig. 1.25, on note que le circuit d’entrée est un réseau
CTU et sa constante de temps peut être trouvée en réduisant à zéro Vs, de sorte que la résistance vue par Ci est Ri
en parallèle à Rs. La fonction de transfert (équation 1.21) est de la forme K/(1 + (s/0), ce qui correspond à un
réseau CTU passe-bas. Le gain en c.c. est donné par :
V 1 1
K -----o- s 0 ---------------------------- ------------------------------ (1.23)
Vs 1 Rs Ri 1 Ro RL
Puisque la réponse en fréquence de l’amplificateur est du même type que pour un réseau CTU passe-bas, les
diagrammes de Bode de l’amplitude et de la phase prennent la même allure que celles de la Fig. 1.23, où K est
donné par l’équation (1.23) et 0 par l’équation (1.24).
(b) En remplaçant les valeurs numériques des composantes à l’équation (1.23) on obtient :
1 1
K 144 -------------------------------- - 100 V/V
- ---------------------------------------
1 20 100 1 200 1 000
Par conséquent, l’amplificateur a un gain de c.c. de 40 dB. En substituant les valeurs numériques à l’équation
(1.24) on obtient la fréquence 3 dB :
1
0 ---------------------------------------------------------------
60 pF 20 k//100 k
1 6
-----------------------------------------------------------------------------------------------------
– 12
- 10 rad/s
3
60 10 20 100 20 + 100 10
Ainsi,
6
10
f 0 -------- 159,2 kHz
2
Comme le gain diminue avec un taux de –20 dB/décade à partir de 0 (voir la Fig. 1.23), le gain atteindra 0 dB
en deux décades et nous avons donc
8
Fréquence de gain unitaire = 100 0 = 10 rad/s or 15,92 MHz
(c) Pour trouver vo(t) nous devons déterminer l’amplitude du gain et sa phase pour 102, 105, 106 et 108 rad / s.
Cela peut être fait en utilisant avec une approximation acceptable les diagrammes de Bode de la Fig. 1.23 soit,
pour avoir un haut degré de précision, les équations résultantes des fonctions de transfert de l’amplificateur.
V 100
T j -----o- j = -------------------------------------
6
-
Vs 1 + j 10
Nous allons expliciter en détails les deux options possibles.
(i) Pour = 102 rad/s, ce qui signifie (0/104), le diagramme de Bode de la Fig. 1.23 suggère | T | = K = 100 et
φ = 0°. Si on fait appel à la fonction de transfert on obtient : | T | 100 et φ =–tan–110–4 0°.
Ainsi,
v o(t) 10 sin 102t, V
(ii) Pour = 105 rad/s, ce qui est (0/10), le diagramme de Bode de la Fig. 1.23 suggère que | T | K = 100 et
φ = –5,7°. Avec la fonction de transfert on obtient : | T | = 99,5 et φ =–tan–1 0,1 = –5,7 °. Ainsi,
v o(t) 9,95 sin(105t – 5,7), V
(iii) Pour = 106 rad/s = 0, T 100 2 70,7 V/V ou 37 dB et φ = –45°. Ainsi,
v o(t) 7,07 sin(106t 45), V
(iv) Pour = 108 rad/s, ce qui est (100 0), les diagrammes de Bode suggèrent que | T | = 1 et φ = –90 °. La
fonction de transfert conduit à : | T | = 1 et φ = –tan–1 100 = –89,4°.
| T| 1 et φ tan–1 100 89,4
Ainsi,
v o(t) 0,1 sin(108t 89,4), V
38 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
(a) (b)
Fréquence centrale
(c)
Figure 1.26 Réponse en fréquence pour : (a) un amplificateur à couplage capacitif, (b) un amplificateur à
couplage direct, (c) un amplificateur accordé ou passe-bande.
1.6 Réponse en fréquence de l’amplificateur 39
Amplificateur
à deux étages
Condensateur
de couplage
Figure1.27 Utilisation d’un condensateur de couplage entre les étages d’un amplificateur.
EXERCICES
1.22 Considérer un amplificateur de tension avec une réponse en fréquence du type circuit CTU passe-bas, avec un
gain en c.c. de 60 dB et une fréquence 3 dB à 1 000 Hz. Trouvez le gain, en dB, pour f = 10 Hz, 10 kHz,
100 kHz et 1 MHz.
Réponse : 60 dB, 40 dB, 20 dB, 0 dB.
D1.23 Considérer un amplificateur de transconductance ayant le modèle montré au Tableau 1.1 avec Ri = 5 k,
Ro = 50 k, et Gm = 10 mA/V. Si la charge de l’amplificateur est constitué par une résistance RL en parallèle
avec une capacitance CL, montrer que la fonction de transfert réalisée Vo/Vi, est celle qui correspond à un circuit
CTU passe-bas. Quelle est la plus petite valeur que RL peut prendre tout en maintenant au moins 40 dB de gain
en c.c.? Pour cette valeur de RL, trouver la valeur la plus élevée de CL pour ne pas dépasser 100 kHz à la fré-
quence de coupure.
Réponse : 12,5 k; 159,2 pF.
40 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
EXERCICES
D1.24 Considérer la situation de la Fig. 1.27. Supposer que la résistance de sortie du premier étage est de 1 k et que
la résistance d’entrée de l’amplificateur de tension suivant (y compris la résistance représentée) est de 9 k.
Le circuit équivalent résultant est représenté à la Fig. E1.24 où Vs et Rs sont la tension de sortie et la résistance
de sortie respectivement du premier amplificateur. C est un condensateur de couplage et Ri est la résistance
d’entrée du deuxième amplificateur. Montrer que V2/Vs est la fonction de transfert du circuit CTU passe-haut.
Quelle est la plus petite valeur de C qui fera en sorte que la fréquence à 3 dB n’est pas supérieure à 100 Hz ?
Réponse : 0,16 µF.
C
Rs 1 k
Vs Ri 9 k V2
Figure E1.24
8. L’exception est le circuit à l’arséniure de gallium (GaAs) utilisé comme semiconducteur ; ce type de semi-
conducteur n’est pas étudié dans cette édition du livre. Le lecteur est invité à consulter les documents fournis sur
le disque accompagnant ce livre.
1.7 Semiconducteurs intrinsèques 41
électrons de liaisons
valence covalentes
4 4 4
atomes de
silicium
4 4 4
4 4 4
Figure 1.28 Représentation bidimensionnelle du cristal de silicium. Les cercles représentent le noyau
interne des atomes de silicium, avec +4 indiquant sa charge positive de +4q qui est neutralisée par la charge
des quatre électrons de valence. Noter la façon dont les liaisons covalentes sont formées en partageant les
électrons de valence. À 0 K, toutes les liaisons covalentes sont intactes et aucun électron libre n’est dispo-
nible pour la conduction du courant.
électrons électron
de valence libre
4 4 4
liaison
covalente trou
brisée
4 4 4
liaison
covalente atomes de silicium
4 4 4
Figure 1.29 À température ambiante, quelques-unes des liaisons covalentes sont brisées par l’effet ther-
mique. Chaque connexion brisée donne lieu à un électron libre et un trou, tous deux disponibles pour la
conduction du courant.
L’électron libre peut s’éloigner de son atome parent, et si un champ électrique est appliqué
au cristal il devient disponible pour conduire le courant électrique. Comme l’électron quitte
son atome parent, il laisse une charge nette positive non-équilibrée, égale à la valeur de la
charge électrique de l’électron. Ainsi, un électron appartenant à un atome voisin peut être
attiré par cette charge positive, et quitte son atome parent. Par cette action le «trou» qui exis-
tait dans l’atome ionisé se bouche, mais un nouveau trou dans un autre atome est créé. Ce
42 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
processus peut se répéter, avec comme résultat l’existence d’une charge positive, un trou, se
déplaçant à travers la structure cristalline de silicium et en plus, celle-ci est disponible pour
conduire le courant électrique. La charge d’un trou est égale en grandeur à la charge d’un élec-
tron. Nous pouvons constater ainsi que lorsque la température augmente, des liaisons cova-
lentes supplémentaires sont cassées et des paires additionnelles d’électrons-trous sont
générées. L’augmentation du nombre d’électrons libres et de trous conduit à l’augmentation
de la conductivité de silicium qui peut être très prononcée.
La génération thermique au niveau du semiconducteur se traduit par l’apparition d’élec-
trons libres et des trous en nombre égal et donc de concentration identique. La concentration
désigne donc le nombre de porteurs de charge par unité de volume (cm3). Les électrons libres
et les trous se déplacent aléatoirement à travers la structure du cristal de silicium et dans le
processus, certains électrons peuvent combler certains trous. Ce processus est appelé recom-
binaison et a comme résultat la disparition des électrons libres et des trous. Le taux de recom-
binaison est proportionnel au nombre d’électrons libres et des trous, qui à leur tour est
déterminée par le taux de génération thermique. Ce dernier est une fonction directe de la tem-
pérature. À l’équilibre thermique, le taux de recombinaison est égal à la vitesse de génération,
et on peut logiquement conclure que la concentration d’électrons libres n est égale à la
concentration de trous p,
n = p = ni (1.25)
où ni désigne le nombre d’électrons libres et des trous dans l’unité de volume (cm3) de sili-
cium intrinsèque à une température donnée. Selon la physique des semiconducteurs, ni est
donné par :
3 2 e–Eg/2kT (1.26)
n i = BT
15 –3 –3 2
où B est un paramètre dépendant de matériau et sa valeur est 7,3 10 cm K pour le
silicium ; Eg, est un paramètre connu sous le nom d’énergie de bande interdite, sa valeur est
de 1,12 électron-volt pour le silicium9 et k est la constante de Boltzmann ( 8,62 10 –5 eV/K).
Il est intéressant de savoir que l’énergie de bande interdite Eg est l’énergie minimum néces-
saire pour briser une liaison covalente et donc nécessaire à générer une paire électron-trou.
Exemple 1.6
Solution
En remplaçant les valeurs numériques obtenues à l’aide de l’équation (1.25) on obtient :
–5
15 3 2 – 1,12 2 8,62 10 300
n i = 7,3 10 300 e
10 3
= 1,5 10 porteurs cm
Apparemment ce chiffre est très élevé. On doit toutefois, le placer dans le contexte réel du silicium qui contient
22 12
environ 5 10 atomes/cm3. Ainsi, à la température ambiante, seulement 5 10 atomes sont ionisés et
contribuent à la génération des électrons libres et des trous !
Enfin, il est utile d’exprimer la concentration d’électrons libres et de trous par une autre
équation, à savoir :
2
pn = n i (1.27)
Ainsi, pour le silicium à température ambiante, ni 1,5 x 1010/cm3. Comme nous allons le
constater bientôt, cette relation s’étend aussi au silicium non-intrinsèque ou dopé.
EXERCICE
où l’indice n signifie silicium de type n. Ainsi nn est finalement déterminée par la concentra-
tion de dopage et non par la température. Ce n’est pas le cas, cependant, pour la concentration
de trous. Tous les trous dans le silicium de type n sont ceux produits par génération thermique.
La concentration de trous, pn, peut être trouvée en sachant que l’équation (1.27) s’applique
44 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
électrons liaisons
de valence covalentes
4 4 4
électron libre cédé
par un atome d’impureté
atome d’impureté
pentavalente (donneur)
4 5 4
atomes de silicium
4 4 4
Figure 1.30 Cristal de silicium dopé par un élément pentavalent. Chaque atome dopant cède un électron
libre, raison pour lequel cet élément est appelé donneur. Le semiconducteur ainsi dopé est de type n.
aussi bien pour le silicium dopé, à condition que l’équilibre thermique soit atteint. Ainsi, pour
le silicium de type n on obtient
2
pn nn = ni
En substituant pour nn, dans l’équation (1.28), on obtient pour pn
2
n
p n ------i- (1.29)
ND
2
Ainsi pn aura la même dépendance en température que celle de n i . Enfin, on note que dans
le silicium de type n la concentration d’électrons libres nn sera beaucoup plus grande que celle
des trous. Ainsi les électrons sont dits être les porteurs majoritaires de charge tandis que les
trous sont les porteurs minoritaires de charge dans le silicium de type n.
Pour obtenir le silicium de type p pour lequel les trous deviennent porteurs majoritaires
de charge, on utilise une impureté trivalente tel que le bore. La Fig. 1.31 montre un cristal de
silicium dopé avec du bore. Notez que les atomes de bore remplacent une partie des atomes
de silicium dans la structure cristalline. Étant donné que chaque atome de bore a trois élec-
trons situés sur l’orbite de valence, les atomes de bore vont accepter un électron venant d’un
atome voisin, formant ainsi des liaisons covalentes. Le résultat est un trou dans l’atome voisin
et une charge négative supplémentaire du côté de l’atome accepteur (atome de bore). Il
s’ensuit que chaque atome accepteur fournit un trou. Si la concentration de dopage accepteur
est NA, et que N A » n i , la concentration des trous devient
pp N A (1.30)
où l’indice p dénote le silicium de type p. Pour ce type de silicium, les porteurs majoritaires
sont des trous et leur concentration est indiquée par NA. La concentration d’électrons, porteurs
minoritaires, peut être trouvée à l’aide de l’équation suivante
2
p p n p = ni
et après substitution de pp de l'équation (1.30) on obtient,
2
n
n p ------i- (1.31)
NA
1.8 Semiconducteurs dopés 45
liaisions
électrons
covalentes
de valence
atome de silicium
4 4 4
atome d’impureté
trivalente (accepteur)
4 3 4
atome à électron manquant
conduisant à la création
d’un trou
4 4 4
Figure 1.31 Cristal de silicium dopé avec des impuretés trivalentes. Chaque atome du dopant donne lieu à
un trou et le semiconducteur est de type p.
Exemple 1.7
Considérer du silicium de type n pour lequel la concentration du dopant ND = 1017/cm3. Trouver les concentra-
tions d’électrons et des trous respectivement, à la température T = 300 K.
Solution
La concentration des électrons majoritaires est
17 3
n n N D = 10 cm
EXERCICES
1.26 Pour la situation de l’Exemple 1.7, trouver les concentrations d’électrons et des trous à 350 K. Utiliser la valeur
de ni à T = 350 K de l’Exercice 1.25.
17 3 6 3
Réponse : n n = 10 cm, p n = 1,72 10 cm .
1.27 Pour un cristal de silicium dopé au bore, quelle valeur doit avoir NA si à la température T = 300 K la concen-
tration d’électrons descend d’un facteur 106 en-dessous du niveau intrinsèque ?
16 3
Réponse : N A = 1,5 10 cm .
Nous sommes généralement intéressés par la densité de courant Jp, qui est le courant par unité
de surface de la section transversale :
Ip
J p = ---- = q pμ p E (1.35)
A
La composante du courant due à la dérive des électrons libres peut être trouvée de manière
similaire. Notez, cependant, que les électrons à la dérive qui se déplacent de droite à gauche
provoquent l’apparition d’un courant circulant de gauche vers la droite. Ceci est une consé-
quence de la convention adoptée selon laquelle la direction du courant est le sens de l’écou-
lement des charges positives (opposée au sens d’écoulement des charges négatives). Ainsi,
In = –Aqnvn-drift
En substituant pour vn-drift de l’équation (1.33), on obtient immédiatement la densité de courant
Jn = In/A comme
J n = qnμ n E (1.36)
Observez que l’équation (1.39) est une forme de la loi d’Ohm et peut être écrite en tant que
E
= --- (1.42)
J
Ainsi, les unités de sont ohm.centimètres.
48 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
Exemple 1.8
Trouver la résistivité de : (a) silicium intrinsèque et (b) silicium de type p avec NA = 1016/cm 3. Prendre
ni = 1,5 × 1010/cm3 et supposer que pour le silicium intrinsèque µn = 1 350 cm2/V.s et µp = 480 cm2/V.s ;
pour le silicium dopé considérer µn = 1 110 cm2/V.s et µp = 400 cm2/V.s. (Notez que le résultat du dopage
se traduit par une diminution de la mobilité des porteurs).
Solution
(a) Pour le silicium intrinsèque,
10 3
p = n = n i = 1,5 10 cm
Ainsi,
1
= ---------------------------------
q pμ p + nμ n
1 5
= ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
– 19 10 10
- = 2,28 10 . cm
1,6 10 1,5 10 480 + 1,5 10 1 350
2 10 2
n 1,5 10
- = 2,25 104 /cm3
n p ------i- = ------------------------------
16
NA 10
Ainsi,
1 1
= --------------------------------
- = -----------------------------------------------------------------------------------------------------------
-
q pμ p + nμ n – 19 16
1,6 10 10 400 + 2,25 10 1 110
4
1
– 19 16
- = 1,56 . cm
---------------------------------------------------------
1,6 10 10 400
Constater que la résistivité du silicium de type p est déterminée presque entièrement par la concentration de
dopage. En outre observer que le dopage du silicium réduit sa résistivité par un facteur d’environ 105, ce qui
représente un remarquable changement.
EXERCICE
1.28 On applique une tension de 1 V à une barre uniforme de silicium de type n, d’une longueur de 2 µm. Si
ND = 1016 cm3 et µn = 1 350 cm2/V.s, trouver : (a) la vitesse de dérive des électrons ; (b) le temps qu’il faut à un
électron pour traverser la longueur de 2 µm ; (c) la densité du courant de dérive ; (d) le courant de dérive si la
barre de silicium a une superficie en coupe transversale de 0,25 µm2.
6 4 2
Réponse : 6,75 10 cm/s; 30 ps; 1,08 10 A cm ; 27 A.
1.9 Circulation du courant dans un semiconducteur 49
dp x
J p = – qD p -------------- (1.43)
dx
où Jp est la densité du courant (A/cm2), q est la charge élémentaire d’un électron, Dp est une
constante appelée constante de diffusion ou diffusivité des trous et p(x) est la concentration
des trous qui correspond au point x. À noter que le gradient (dp/dx) est négatif, ce qui signifie
que le sens du courant est positif dans la direction x, comme on pouvait d’ailleurs s’y attendre.
Injection
de trous
(a) x
Diffusion de trous
Concentration de trous, p
Courant de trous
Dans le cas d’une diffusion d’électrons qui résulte de l’existence d’un gradient de concen-
tration d’électrons (voir la Fig. 1.34), une relation similaire peut être déduite, permettant ainsi
d’exprimer la densité de courant provoquée par la diffusion d’électrons :
dn x
J n = qD n -------------- (1.44)
dx
silicium intrinsèque, les valeurs typiques pour les constantes de diffusion sont Dp = 12 cm2/s
et Dn = 35 cm2/s.
À ce stade, le lecteur se demande où va s’écouler le courant de diffusion dans le barreau
de silicium de la Fig. 1.33(a). Ceci est une très bonne question puisque nous n’avons pas mon-
tré de quelle façon le côté droit du barreau de silicium est relié à un circuit quelconque. Nous
allons régler ce problème et toutes les questions connexes en détails au cours de la discussion
sur la jonction pn, dans les sections suivantes.
Diffusion d’électrons
Concentration d’électrons, n
Courant d’électrons
Exemple 1.9
Considérer un barreau de silicium avec un profil de la concentration des trous définit par l’équation :
– x LP
p x = p0 e
Trouver la densité du courant de trous au point x = 0. Supposer p0 = 1016/cm3 et Lp = 1 µm. Si la section transver-
sale du barreau est de 100 µm2, trouver le courant Ip.
Solution
dp x d – x LP
J p = – qD p -------------- = – qD p ------ p 0 e
dx dx
Ainsi,
Dp
J p 0 = q ------ p 0
Lp
– 19 12 16
= 1,6 10 -------------------
–4
10
1 10
2
= 192 A cm
Et finalement le courant I p peut être obtenu comme
Ip = Jp A
–8
= 192 100 10
= 192 A
1.10 Jonction pn en circuit ouvert 51
EXERCICE
1.29 Dans une barre de silicium a été établi le profil de la concentration des électrons comme indiqué à la Fig. E1.29.
Si n0 = 1017/cm3 et W = 1 µm, trouver la densité du courant exprimée en µA/µm2. Quelle doit être la superficie
de la section transversale de la barre de silicium afin d’obtenir un courant de diffusion de 1 mA ?
n(x)
n0
Figure E1.29
0 W x
Réponse : 56 A/m2; 18 m2 .
EXERCICE
1.30 Utiliser la relation d’Einstein pour trouver Dn et Dp pour le silicium intrinsèque, sachant que
µn = 1 350 cm2/V.s et µp = 480 cm2/V.s.
Réponse : 35 cm2/s; 12,4 cm2 /s.
silicium de silicium de
type p type n
Anode Cathode
Figure 1.35 Structure physique simplifiée de la jonction pn (la géométrie réelle est présentée à
l’Annexe A). Puisque la jonction pn implémente la notion de diode, les bornes de cette composante sont
marqués anode et cathode.
10. Cette terminologie résulte d’une extension de la convention adoptée concernant la technologie des tubes élec-
troniques à vide, largement utilisée jusqu’à l’invention et la commercialisation du transistor en 1947. L’appari-
tion du transistor est un événement crucial qui a marqué le début de l’ère des semiconducteurs dans l’industrie
électronique, composants qui ont changé non seulement l’électronique, les communications et les ordinateurs,
mais bien le monde !
1.10 Jonction pn en circuit ouvert 53
de la charge positive liée à la structure atomique ne sera plus neutralisée par les électrons
libres, et donc cette charge positive est appelée déficitaire. Puisque la recombinaison des
charges a lieu à proximité de la jonction, il y aura une région proche de la jonction qui est
appauvrie en électrons libres et qui contient en même temps une charge positive déficitaire,
comme indiqué à la Fig. 1.36. Les électrons qui diffusent à travers la jonction vers la région
p se recombinent rapidement avec quelques-uns des trous majoritaires, et donc disparaissent,
eux aussi. Il en résulte également la disparition de quelques trous majoritaires, ce qui im-
plique qu’une partie des charges négatives deviennent déficitaires (c’est-à-dire, qu’elles ne
sont plus neutralisées par des trous porteurs de charge positive). Ainsi, dans le matériau p
avoisinant la jonction, il y aura une région appauvrie de trous et contenant des charges néga-
tives liées et déficitaires, comme indiqué à la Fig. 1.36. .
ID
IS
Charges liées
Trous Électrons libres
+ + + + – – – –
+ + + + – – – –
+ p + + – – n –
+ + + + – – – –
+ + + + – – – –
Région de déplétion
E
(a)
Potentiel
Barrière de
potentiel,
(b)
Figure 1.36 (a) La jonction pn sans tension appliquée (circuit ouvert). (b) La distribution de potentiel le
long d’un axe perpendiculaire à la jonction.
De ce qui précède, il s’ensuit que nous pouvons définir une région appauvrie de porteurs
située des deux côtés de la jonction, avec le côté n de la région chargée positivement et le côté
p chargée négativement. Cette région est appelée tout simplement région de déplétion. Les
charges électriques présentes dans cette région provoquent l’apparition d’un champ électrique
E dirigé dans le sens indiqué à la Fig. 1.36. Ce phénomène conduit à l’établissement d’une
différence de potentiel à travers la région de déplétion, avec la polarisation montrée à la
Fig. 1.36(b). Ainsi, le champ électrique résultant E s’oppose à la diffusion de trous dans la
région n et d’électrons dans la zone p. En fait, la différence de potentiel qui s’établie entre les
marges de la région de déplétion se manifeste sous forme de barrière qui empêche les trous
de diffuser dans la région n et les électrons de diffuser dans la zone p. Plus importante est la
différence de potentiel plus est réduit le nombre de porteurs de charge qui arrivent à franchir
cette barrière et donc plus faible sera l’amplitude du courant de diffusion. On peut conclure
ainsi que l’existence de cette «barrière de tension» V0 est le facteur qui limitera le processus
de diffusion de charges. Il en résulte logiquement que l’amplitude du courant de diffusion ID
54 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
ID IS
Cette condition dite d’équilibre11 est assurée par la barrière de tension V0. Cependant, si par
une raison quelconque, ID dépasse IS, alors il y a plus de porteurs déficitaires qui se trouvent
des deux côtés de la jonction, ce qui entraîne un élargissement de la région de déplétion et par
conséquent, la différence de potentiel V0 augmente également. Ceci provoque une diminution
du courant ID jusqu’au moment où l’état d’équilibre est de nouveau atteint avec comme résul-
tat direct ID = IS. D'autre part, si IS excède ID, le nombre de porteurs déficitaires diminue, la
région de déplétion rétrécira et la différence de tension V0 diminuera elle aussi, ce qui condui-
ra à l’atteinte d’un nouvel état d’équilibre avec ID = IS.
La différence de potentiel interne d’une jonction En l’absence d’une diffé-
rence de potentiel d’origine externe, la valeur de la barrière de tension interne V0, qu’on re-
trouve pour toute jonction pn peut être définie par12 :
V 0 V T ln --------------
N A N D
(1.46)
n i2
11. En fait, à l’équilibre l’égalité des courants de dérive et de diffusion ne s’applique pas seulement pour le courant
total mais aussi aux composants individuels. Autrement dit, le courant de dérive des trous doit être égal au cou-
rant de diffusion des trous et, de même, le courant de dérive des électrons doit être égal au courant de diffusion
des électrons.
12. La démonstration de cette formule et d’un certain nombre d’autres indiquées dans ce chapitre peuvent être trou-
vées dans d’autres manuels, tel que celui écrit par Streetman et Bannerjee (voir les références bibliographiques
à l’Annexe G).
1.10 Jonction pn en circuit ouvert 55
retrouve pas aux bornes externes de raccordement. L’explication consiste dans le fait que pour
toute jonction se trouvant à l’intérieur du matériel semiconducteur, la tension interne est équi-
librée et annulée par les différences de potentiel dues aux contacts métalliques entre le maté-
riel et les bornes. Si cela n’avait pas été vrai, nous aurions été en mesure de puiser de l’énergie
en provenance d’une jonction pn isolée, ce qui serait évidemment contraire au principe de
conservation de l’énergie.
Largeur de la région de déplétion et la charge stockée dans cette
région La Fig. 1.37 fournit une image détaillée sur la situation qui prévaut dans la jonction pn
lorsque la jonction est en équilibre. À la Fig. 1.37(a) est montré une jonction pour laquelle NA> ND,
une situation typique en pratique. Ceci se traduit par l’existence de régions frontalières de deux
côtés de la jonction où, manifestement, les concentrations de porteurs sont différentes comme
illustré à la Fig. 1.37(b). Remarquez que nous avons noté les concentrations de porteurs minori-
taires des deux côtés de la jonction np0 et pn0, l’indice 0 signifiant qu’il s’agit de l’état d’équilibre
(c’est-à-dire avant que des tensions externes ne soient appliqués). Observez que la région de déplé-
tion s'étend à la fois dans le matériel de type p mais aussi dans le matériel de type n et que des quan-
tités égales de charge existent des deux côtés de la jonction ( Q + et Q – , voir la Fig. 1.37(c)).
Cependant, puisque le taux de dopage est différent pour les deux côtés de la jonction, la largeur de
la région de déplétion ne sera pas la même des deux côtés. Par conséquent, la région de déplétion
va s’étendre plus profondément dans le matériau qui est moins dopé. Plus précisément, si l’on
désigne la largeur de la région de déplétion du côté p par xp et celle du côté N par xn, la quantité de
charge dans la région n est définie par :
Q + = qAx n N D (1.47)
x N
----n- = ------A- (1.49)
xp ND
En pratique, il est habituel qu’un côté de la jonction soit beaucoup plus dopé que l’autre, de
sorte que la région de déplétion se résume presque entièrement du côté qui corresponde au
côté le moins dopé.
La largeur W de la région de déplétion peut-être calculée à l’aide de l’équation :
2 s 1
------- ------- + ------- V 0
1
W = xn + x p = (1.50)
q NA ND
où s est la permittivité du silicium (s = 11,70 = 11,7 × 8,85 × 10-14 F/cm = 1,04 × 10-12
F/cm). Typiquement W est dans la plage de 0,1 à 1 µm. On peut utiliser les équations (1.49)
et (1.50) pour obtenir xn et xp en termes de W comme suit :
NA
x n = W --------------------
- (1.51)
NA + ND
ND
x p = W --------------------
- (1.52)
NA + ND
56 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
ID
IS
ⴚ
ⴙ ⴙ
ⴚ
ⴚ
p ⴙ ⴙ n
ⴚ
ⴚ ⴙ ⴙ
ⴚ
xp 0 xn
E
(a)
pp NA
Concentration de porteurs
nn ND
W
ni2
pn0
ni2 ND
np0
NA
xp 0 xn x
(b)
Changement
de densité
Q Aq ND xn
xp xn x
Q Aq NAxp
W
(c)
Potentiel
VO
xp 0 xn
(d)
Figure 1.37 a) Jonction pn en circuit ouvert, (b) concentrations des porteurs ; noter que NA ND ,(c) la quantité
de charges stockées de chaque côté de la région de déplétion QJ = |Q+| = |Q–|, (d) la tension interne V0.
1.10 Jonction pn en circuit ouvert 57
La quantité de charges stockées de chaque côté de la région de déplétion peut être exprimée
aussi en termes de W en utilisant les équations (1.47) et (1.51) et on obtient :
QJ = Q+ = Q–
N AN D
Q J = Aq --------------------
- W (1.53)
N A + N D
N AN D
Q J = A 2 s q --------------------
- V (1.54)
N A + N D 0
Exemple 1.10
Considérer une jonction pn à l’équilibre à température ambiante (T = 300 K) pour laquelle les concentrations de
dopage sont NA = 1018/cm3 et ND = 1016/cm3 et la surface de la section transversale est A = 10-4 cm2. Calculer pp,
np0, nn, pn0, V0, W, xn, xp et QJ. Utilisez ni = 1,5 × 1010/cm3.
Solution
18 –3
p p N A = 10 cm
2 2 2 10
n n (1,5 10 2 –3
n p0 = -----i- ------i- = ------------------------------
18
- = 2,25 10 cm
pp N A 10
16 –3
n n N D = 10 cm
2 2 10 2
n n (1,5 10 4 –3
p n0 = ----i- ------i- = ------------------------------
16
- = 2,25 10 cm
nn N D 10
N A N D
VO = V T ln --------------
-
n 2i
où
–5
kT 8,62 10 300 eV –3
V T = ------ = ------------------------------------------ ------- = 25,9 10 V
q q e
Ainsi,
– 3 10 10
18 16
V 0 = 25,9 10 ln --------------------------
- = 0,814 V
2,25 10 20
58 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
– 19 10 10
18 16
–4 –4
Q J = 10 1,6 10 - 0,327 10
--------------------------
10 + 10
18 16
– 12
= 5,18 10 C = 5,18 pC.
EXERCICES
1.32 Démontrer que pour une jonction pn pour laquelle la région de type p est beaucoup plus dopée que la région
n, (N A N D ), les équations (1.50) à (1.53) peuvent être écrites en tant que :
2 s
W ----------
-V (1.50)
qN D 0
xn W (1.51)
x p W N A N D (1.52)
Q J AqN D W (1.53)
Q J A 2 s qN D V 0 (1.54)
1.33 Que doit-on faire pour fabriquer la jonction pn de l’Exemple 1.10, tout en assurant l’augmentation de la
concentration de porteurs minoritaires de la région de type n par un facteur 2 ?
Réponse : Réduire ND par un facteur égal à 2.
1.11 La jonction pn sous tension externe 59
2 s ------
1 1
- V + V
W = xn + x p = ------- N - + ------ (1.55)
q A ND 0 R
et la valeur de la charge stockée de chaque côté de la région de déplétion est calculée en rem-
plaçant V0 dans l’équation (1.54) par (V0 + VR) :
N AND
- V 0 + V R
Q J = A 2 s q -------------------- (1.56)
NA + ND
13. Pour l’instant nous allons utiliser la notion de polarisation pour désigner tout simplement l’application d’une
tension continue. Cette notion, comme on le verra dans les chapitres suivants, a un sens plus profond dans la
conception des circuits électroniques.
VR VF
ID ID ID
IS IS IS
p n p n p n
60 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
Figure 1.38 La jonction pn : (a) à l’équilibre ; (b) avec polarisation inverse ; (c) avec polarisation directe.
1.11 La jonction pn sous tension externe 61
Nous examinons ensuite le cas de polarisation directe montré à la Fig. 1.38(c). Dans ce
cas, la tension appliquée est VF dans le sens opposé à la barrière de tension V0 ce qui se traduit
par une diminution de sa valeur (V0 – VF). La diminution de la barrière de tension sera accom-
pagnée par un rétrécissement de la région de déplétion et, par conséquent, une diminution de
la largeur W de celle-ci. Plus important encore, l’abaissement de la barrière de tension per-
mettra à un nombre plus important de trous à diffuser de la région p vers la région n et à plus
d’électrons de diffuser de la région n vers la région p. Ainsi, le courant de diffusion ID aug-
mente sensiblement et, comme on le verra, celui-ci peut devenir de plusieurs ordres de gran-
deur plus grand que le courant de dérive IS. Le courant qui s’établit dans le circuit externe est
bien sûr la différence entre ID et IS,
I = ID – IS
L’équation (1.57) montre que la concentration de trous minoritaires augmente par rapport
à sa valeur d’équilibre (voir aussi la Fig. 1.37) vers une valeur importante qui est déterminée
principalement par la valeur de la tension V de la polarisation directe. Nous décrivons cette
situation comme suit : la tension V de polarisation directe conduit à un excès des trous mino-
ritaires (excès de concentration) au point x = xn, selon l’équation suivante :
V VT
Excès de concentration = p n0 e – p n0
V VT
= p n0 e – 1 (1.58)
L’augmentation de la concentration des porteurs minoritaires dans les équations (1.57) et (1.58) se
produit au niveau du bord de la région de déplétion (x = xn). À mesure que les trous injectés dif-
fusent dans la partie de type n, certains se recombinent avec les électrons majoritaires et dispa-
raissent. Ainsi, la concentration de trous en excès décroît de manière exponentielle avec la
distance. Par conséquent, la concentration totale des trous dans la partie de type n sera donnée par
– x – xn L p
p n x = p n0 + Concentration en excès e
La décroissance exponentielle est caractérisée par la constante Lp qui est appelé la longueur
de diffusion des trous dans la partie de type n. Plus la valeur de la Lp diminue, plus vite les
trous injectés se recombinent avec les électrons majoritaires, ce qui entraîne une diminution
plus rapide de la concentration des porteurs minoritaires.
pn , np
Région de
Région de type p Région de type n
déplétion pn (xn)
Excès de
concentration
pn (x)
np (xp)
np(x) pn0
Valeur d’équilibre thermique
np0
xp 0 xn x
Figure 1.39 La distribution de porteurs minoritaires dans une jonction pn en polarisation directe. Il est
supposé que la région p est plus fortement dopée que la région n, NA ND.
Comme on pouvait s’y attendre, Jp(x) a la valeur la plus élevée pour x = xn,
D V VT
J p x n = q ------p p n0 e – 1 (1.61)
Lp
et diminue de façon exponentielle pour x > xn, puisque les trous minoritaires se recombinent
avec les électrons majoritaires. Cependant, cette recombinaison signifie qu’on doit réappro-
visionner la région n en électrons par un courant qui injecte des électrons à partir d’un circuit
externe à la jonction. Cette dernière composante de courant a le même sens que le courant
provoqué par la diffusion des trous. Il s’ensuit qu’à mesure que Jp(x) diminue, le nombre
1.11 La jonction pn sous tension externe 63
d’électrons injectés de l’extérieur augmente, rendant ainsi constant le courant total qui circule
à travers la partie de type n, (voir aussi l’équation 1.61).
Un raisonnement similaire peut être appliqué aux électrons qui sont injectés à partir de la
région n, résultant ainsi en un courant de diffusion d’électrons. Par simple adaptation, l’équa-
tion (1.61) devient pour ce cas :
D V VT
J n – x p = q -----n- n p0 e – 1 (1.62)
Ln
Maintenant, bien que les courants définis par les équations (1.61) et (1.62) se trouvent au ni-
veau des deux bords de la région de déplétion, leurs valeurs ne changent pas dans la bande de
déplétion. Ainsi nous pouvons renoncer à tenir compte des positions (xn) et – x p . Si on addi-
tionne les deux densités de courant et qu’on multiplie ce résultat par l’aire de section trans-
versale A de la jonction, on obtient le courant total I en tant que :
I = A J p + J n
D D V VT
I = Aq ------p p n0 + -----n- n P0 e – 1
Lp Ln
2 2
La substitution de p n0 = n i N D et de n p0 = n i N A conduit à
2 D p Dn V V T
I = Aqn i -------------- + ------------- e – 1 (1.63)
L
p D N L nN A
De cette équation, on remarque que pour une tension V négative (polarisation inverse) avec
une magnitude de quelques fois la valeur VT (25,9 mV), le terme exponentiel devient sensi-
blement nul, et le courant à travers la jonction devient négatif et constant. Sur base de la des-
cription qualitative présentée à la Section 1.11.1, nous savons que ce courant doit être IS.
Ainsi,
V VT
I = I Se – 1 (1.64)
où
2 D p Dn
I S = Aqn i -------------- + ------------- (1.65)
L
p D N L nN A
0 V
IS
Exemple 1.11
Considérer la jonction pn de l’Exemple 1.10 polarisée en direct, pour laquelle NA = 1018/cm3, ND = 1016/cm3, A = 10-4 cm2,
ni = 1,5 × 1010/cm3, Lp = 5 µm, Ln = 10 µm, Dp (dans la région n) = 10 cm2/V.s et Dn (dans la région p) = 18 cm2/V. s. Le cou-
rant de conduction I = 0,1 mA. Calculer : (a) IS, (b) la tension de polarisation directe V, (c) la composante du courant I due à
l’injection des trous et celle due à l’injection d’électrons à travers la jonction.
Solution
(a) En utilisant l’équation (1.65), on trouve IS :
–4 – 19 10 2 10 18 – 15
I S = 10 1,6 10 1,5 10 -----------------------------------
–4 16 –4 18 = 7,3 10
- + --------------------------------------
- A
5 10 10 10 10 10
Ainsi,
V = V T ln ----
I
I S
–3 0,1 10 –3
V = 25,9 10 ln -------------------------
- = 0,605 V
7,3 10 –15
(c) La composante du courant due à l’injection de trous peut être trouvée en utilisant l’équation (1.61)
Dp V VT
I p = Aq ------ p n0 e – 1
Lp
D p n2 V V T
= Aq ------ ------i- e – 1
Lp ND
1.11 La jonction pn sous tension externe 65
Ainsi,
Ip Dp L N
---- = ------ -----n- ------A-
In Dn L p N D
Ip 18
---- = 10
------ 10
------ 10
2
- = 1,11 10 = 111
---------
I n 18 5 10 16
La plupart du courant est conduit par les trous injectés dans la région n.
Plus précisement,
111
I p = --------- 0,1 = 0,0991 mA
112
1
I n = --------- 0,1 = 0,0009 mA
112
Ce résultat s’explique par le fait que la région p dispose d’une concentration d’environ 100 fois plus élevée que
celle de la région n.
EXERCICES
2 Dp
1.34 Montrer que si N A N D , alors I S A qn i -------------
-.
LpN D
1.35 Pour la jonction pn de l’Exemple 1.11, trouver la valeur de IS et celle du courant I pour V = 0,605 V (la même
tension que celle de l’Exemple 1.11 pour un courant I = 0,1 mA) si ND est réduit à moitié.
– 14
Réponse : 1,46 10 A; 0,2 mA.
1.36 Pour la jonction pn considérée dans les Exemples 1.10 et 1.11, trouver la largeur de la région de déplétion W
correspondant à la tension de polarisation directe calculée à l’Exemple 1.11. (Indice: Utilisez la formule indi-
quée par l’équation (1.55) avec VR remplacé par – V F .)
Réponse : 0,166 m.
1.37 Pour la jonction pn considérée dans les Exemples 1.10 et 1.11, trouver la largeur de la région de déplétion W
et la charge stockée dans cette région QJ si une tension de polarisation inverse de 2 V est appliquée. Calculer
la valeur du courant inverse I.
– 15
Réponse : 0,608 m ; 9,63 pC ; 7,3 10 A.
66 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
VZ
0 V
Il existe deux mécanismes possibles pour le claquage d’une jonction pn: par l’effet
Zener14 et par l’effet d’avalanche. Si une jonction pn présente un claquage pour une tension
de claquage VZ < 5 V, le mécanisme de claquage est dû principalement à l’effet Zener. Le cla-
quage par l’effet d’avalanche se produit lorsque VZ est supérieure à 7 V. Pour des tensions
entre les deux valeurs, le mécanisme de claquage peut être soit de l’effet Zener soit de l’effet
d’avalanche ou une combinaison des deux.
Le claquage dû à l’effet Zener se produit lorsque le champ électrique dans la région de
déplétion augmente jusqu’à la limite de rupture des liaisons covalentes. Les électrons générés
ainsi sont entraînés par le champ électrique et dirigés vers la région n tandis que les trous sont
poussés vers la région p de la jonction. De cette manière, les électrons et les trous constituent
14. Nommé d’après le physicien C. M. Zener qui fut le premier à décrire le phénomène des isolants électriques. No-
tez que l’indice Z dans VZ dénote Zener. Nous allons utiliser VZ pour désigner la tension de claquage si le mé-
canisme de claquage est l’effet Zener ou l’effet d'avalanche.
1.12 Effets capacitifs dans la jonction pn 67
un courant inverse à travers la jonction. Une fois l’effet Zener démarré, un grand nombre de
transporteurs seront générés, et par conséquent on constate une augmentation négligeable de
la tension de jonction. Ainsi, le courant inverse dans la région de claquage devient important,
sa valeur étant déterminée par le circuit externe, tandis que la tension inverse qui apparaît
entre les bornes de la diode reste proche de la tension de claquage spécifié VZ.
Le claquage provoqué par l’effet d’avalanche d’autre part, se produit lorsque les porteurs
minoritaires qui traversent la région de déplétion sous l’influence du champ électrique dis-
posent d’une énergie cinétique suffisante pour être en mesure de casser les liaisons covalentes
dans les atomes avec lesquels ils entrent en collision. Les porteurs libérés par ce processus
peuvent disposer d’une énergie suffisamment élevée pour être en mesure de provoquer la libé-
ration d’autres porteurs suite à d’autres collisions ionisantes. Ce processus ne cesse de se
répéter, identiquement à une avalanche, de sorte que nombreux porteurs libres sont créés et
sont capables de soutenir n’importe quelle valeur de courant inverse, tel que déterminé par le
circuit externe, avec en même temps un changement négligeable dans la chute de tension aux
bornes de la jonction.
Comme on le verra dans le Chapitre 3, certaines diodes à jonction pn sont fabriquées pour
fonctionner spécifiquement dans la région de claquage, pour une tension VZ de claquage par
effet Zener bien spécifiée.
N AN D
-V + V R
Q J = A 2 s q --------------------
NA + ND 0
QJ = V 0 + V R (1.66)
N AN D
= A 2 s q --------------------
- (1.67)
NA + ND
Ainsi, QJ est liée à VR d’une façon non linéaire, comme illustré à la Fig. (1.42). À cause de la non-
linéarité de cette relation, il est difficile parfois de définir une capacitance afin de caractériser les
modifications de QJ chaque fois que VR change. Nous pouvons, cependant, supposer que la jonc-
tion fonctionne dans un point Q, comme indiqué à la Fig. 1.42, et définir une capacitance Cj qui
tient compte des changements de la charge QJ par rapport aux modifications de VR.
dQ
C j = ---------J- (1.68)
dV R
V R =V Q
68 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
Point de polarisation
0 VQ Tension inverse,VR
Figure 1.42 La charge stockée de chaque côté de la bande de déplétion en fonction de la tension de pola-
risation inverse VR.
Cette approche progressive afin de définir la capacitance s’avère très utile dans l’étude des
circuits électroniques, comme on pourra le constater tout au long de ce livre
L’utilisation de l’équation (1.68) avec l’équation (1.66) conduit à :
(1.69)
C j = ---------------------------
2 V0 + VR
La valeur de Cj qui correspond à une tension nulle de polarisation inverse peut être obtenue à
partir de l’équation (1.69) en tant que
C j0 = ------------- (1.70)
2 V0
C j0
C j = -------------------- (1.71)
V
1 + ------R
V0
où Cj0 est donnée par l’équation (1.70) ; si on substitue pour de l’équation (1.67) on obtient :
s q N A N D 1
C j0 = A ------- --------------------- ------- (1.72)
2 N A + ND V0
C j0
C j = -------------------------
m
- (1.73)
1 + V R
------
V0
1.12 Effets capacitifs dans la jonction pn 69
où m est une constante appelée coefficient de classement (grading coefficient), dont la valeur
varie de 1/3 à 1/2 en fonction de la manière dont les concentrations changent du côté p vers
le côté n de la jonction.
EXERCICE
1.38 Pour la jonction pn considérée dans les Exemples 1.10 et 1.11, trouver Cj0 et Cj à VR = 2 V. Prendre
V0 = 0,814 V, NA = 1018/cm3, ND = 1016/cm3 et A = 10-4cm2.
Réponse : 3,2 pF; 1,7 pF.
Ainsi,
Q p = pI p (1.76)
La constante de temps p est connue sous le nom de durée de vie des porteurs minori-
taires en excès (trous). Il s’agit en fait du temps moyen nécessaire pour qu’un trou injecté
dans la région n se recombine avec un électron majoritaire. Cette définition de p implique
que l’entièreté de la charge Qp disparaît et elle doit être reconstituée toutes les p secondes.
Dès lors, le courant accomplissant le réapprovisionnement en charges est Ip = Qp/p. C’est une
variante de l’équation (1.76).
Une relation similaire à celle indiquée par l’équation (1.76) peut être établie pour la
charge des électrons stockés dans la région p,
Qn = n I n (1.77)
15. Rappelez-vous que l’aire en-dessous d’une courbe exponentielle de type Ae-x/B est égale à AB.
70 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
où n représente la durée de vie des électrons dans la région p. La charge totale des porteurs
minoritaires en excès peut être calculée maintenant en additionnant Qp et Qn,
Q = p I p + n I n (1.78)
La charge totale peut être exprimée en des termes qui correspondent au courant d’une diode
I = Ip + In, en tant que
Q = T I (1.79)
où T est appelé le temps moyen de transit de la jonction. De toute évidence, T est liée à p
et n. En outre, pour la plupart des situations pratiques, un côté de la jonction est beaucoup
plus dopé que l'autre. Par exemple, si N A N D , on peut montrer que I p I n, I I p , Q p Q n,
Q Q p et donc T p .
Pour de petits changements autour du niveau de polarisation, nous pouvons définir une
capacitance de diffusion progressive Cd en tant que :
dQ
C d = ------- (1.80)
dV
et montrer aussi que
T
C d = -------
- I (1.81)
VT
EXERCICE
1.39 Utiliser la définition de Cd donnée par l’équation (1.80) pour obtenir l’expression de l’équation (1.81) à
l’aide des équations (1.79) et (1.64).
1.40 Pour la jonction pn considérée dans les Exemples 1.10 et 1.11, si Dp = 10 cm2/V.s et Lp = 5 µm, trouver
p et Cd pour un courant de polarisation directe de 0,1 mA. Pour ce type de jonction Ip I.
Réponse : 25 ns; 96,5 pF.
Résumé 71
RÉSUMÉ
Une source de signal électrique peut être représentée soit tension, de courant, de transconductance, de transrésistance.
par l’équivalent de Thévenin (la source vs de tension en série Pour les modèles des circuits et pour les caractéristiques
avec la résistance de source Rs) soit par l’équivalent de Nor- idéales de ces quatre types d’amplificateurs, se reporter au
ton (une source de courant is en parallèle avec la résistance Tableau 1.1. Un amplificateur peut être modélisé par n’im-
de source Rs). La tension de Thévenin vs est la tension en cir- porte lequel des quatre modèles, raison pour laquelle leurs pa-
cuit ouvert entre les bornes de la source ; le courant de Nor- ramètres respectifs sont liés par les équations (1.14) à (1.16).
ton is est égal au courant de court-circuit entre les bornes de
Une sinusoïde est le seul signal dont la forme d’onde reste
la source. Pour que les deux représentations soit équiva-
inchangée à travers un circuit linéaire. Les signaux sinusoï-
lentes, vs doit être égal au produit Rsis.
daux sont utilisés pour mesurer la réponse en fréquence des
Un signal peut être représenté soit par sa fonction d’onde amplificateurs.
temporelle ou en tant que somme des sinusoïdes. La der-
La fonction de transfert T(s) = V0(s)/Vi(s) d’un amplifica-
nière représentation est connue sous le nom de spectre de
teur de tension peut être déterminée à l’aide de l’analyse des
fréquences du signal.
circuits. En substituant s = j, on a T (j), dont l'amplitude
Le signal sinusoïdal est complètement caractérisé par sa va- |T(j)| est la réponse en amplitude, et dont la phase () est
leur de crête (ou valeur efficace qui est l’amplitude divisée la réponse en phase de l’amplificateur.
par 2 ), sa fréquence ( en rad/s ou f en Hz; = 2f et
Les amplificateurs sont classés en fonction de la forme de
f = 1/T, où T est la période en secondes), et sa phase est dé-
leur réponse en fréquence, |T(j)|. Reportez-vous à la
finie par rapport à un temps de référence arbitraire.
Fig. 1.26.
Les signaux analogiques ont des amplitudes qui peuvent
Les réseaux ou circuits à constante unique de temps (CTU)
prendre n’importe quelle valeur. Les circuits électroniques
sont composés (ou peuvent être réduits) d’un composant ré-
qui traitent les signaux analogiques sont appelés circuits
actif (L ou C) et un résistor (R). La constante de temps est
analogiques. Échantillonner l’amplitude d’un signal analo-
soit L/R, soit CR.
gique à des instants discrets du temps et représenter chaque
échantillon du signal par un nombre résulte en la production Les réseaux CTU peuvent être classés en deux catégories :
d’un signal numérique. Les signaux numériques sont traités les passe-bas (LP) et les passe-haut (HP). Un réseau LP
par des circuits numériques. laisse passer le signal de c.c. et les signaux de basse fré-
quence, en atténuant les signaux de haute fréquence. Le
Les signaux numériques les plus simples sont obtenus lors-
contraire est valable pour les réseaux HP.
qu’on utilise le système binaire. Un signal numérique indi-
viduel prend alors une des deux valeurs possibles : valeur Le gain d’un circuit CTU (LP ou HP), diminue de 3 dB pour
haute ou valeur basse (par exemple 0 V et +5 V), correspon- la fréquence de coupure 0 = 1/ supérieure à la fréquence
dant aux états logiques 0 et 1, respectivement. nulle (ou inférieure à la fréquence infinie). Aux hautes fré-
quences (basses fréquences) le gain diminue d’un taux de
Un convertisseur analogique-numérique (CAN) fournit à sa
6 dB/octave ou 20 dB/décade. Se reporter au Tableau 1.2 et
sortie les chiffres du nombre binaire qui représente l’échan-
aux Fig. 1.23 et 1.24. De plus amples détails sont donnés à
tillon du signal analogique appliqué à son entrée. Les si-
l’Annexe E.
gnaux à la sortie numérique peuvent alors être traités en
utilisant des circuits numériques. Reportez-vous à la Aujourd’hui, la technologie microélectronique est presque
Fig. 1.10 et à l'équation (1.3). entièrement basée sur l’utilisation du silicium en tant que
semiconducteur. Pour la fabrication d’un circuit intégré mo-
La caractéristique de transfert, v0 en fonction de vp, d’un am-
nolithique (IC), on utilise du silicium monocristallin. Avec
plificateur linéaire est une ligne droite avec une pente égale
la technologie actuelle on est arrivé à réaliser des circuits in-
au gain de tension. Reportez-vous à la Fig. 1.12.
tégrés (puces) contenant jusqu’à 2,3 milliards de transistors
Les amplificateurs augmentent la puissance du signal et né- individuels.
cessitent donc une alimentation à c.c. pour assurer leur
Dans un cristal de silicium intrinsèque ou pur, les atomes
fonctionnement.
sont maintenus en position par des liaisons covalentes. À
Le gain de tension de l’amplificateur peut être exprimé des températures très basses, toutes les liaisons sont in-
comme rapport Av, en V/V ou en décibels, 20 log |Av|, dB. tactes, et aucun porteur de charge n’est disponible pour
De même, pour le gain de courant on utilise le rapport Ai, en conduire du courant électrique. Ainsi, à basses tempéra-
A/A ou 20 log |Ai|, dB. Pour le gain de puissance Ap, les uni- tures, le silicium se comporte comme isolant.
tés de mesure sont W/W ou 10 log Ap, dB.
À température ambiante, l’énergie thermique fait en sorte
En fonction de la nature du signal à amplifier (tension ou cou- qu’une partie des liaisons covalentes soit brisées, générant
rant) et forme souhaitée du signal de sortie (tension ou cou- ainsi des électrons libres et des trous qui deviennent dispo-
rant), il existe quatre types d’amplificateurs de base : de nibles pour la conduction du courant.
72 Chapitre 1 Électronique et semiconducteurs
Le courant dans les semiconducteurs s’établit indifférem- Le courant de diffusion ID est dû à la diffusion des trous,
ment par le flux d’électrons libres ou par celui des trous. Le ceux-ci se déplacent à partir de la région de type p vers la
nombre des porteurs de charge positive et négative est égal région de type n et en même temps, à la diffusion des élec-
dans le silicium intrinsèque. trons partant de la zone n vers la région p. Le courant ID cir-
cule à partir de la région p vers la zone n – sens qui est
La conductivité du silicium peut être augmentée de façon
considéré direct pour la jonction. L’amplitude de ID dépend
spectaculaire par l’introduction de petites quantités d’impu-
de V0.
retés dans le cristal de silicium. Ce processus s’appelle do-
page. Le courant de dérive IS est dû aux électrons minoritaires
produits suite au processus de génération thermique dans la
Il existe deux types de semiconducteur dopé : le type n pour
région p et qui sont poussés à travers la jonction vers la ré-
lequel les électrons sont majoritaires, et le type p dans le-
gion n, en même temps avec le déplacement des trous mino-
quel les trous sont majoritaires.
ritaires, résultat du même processus thermique et balayés à
Il existe deux mécanismes pour le déplacement des porteurs travers la bande de déplétion du côté n vers la région p. Par
de charge dans un semiconducteur : la dérive et la diffusion conséquent, le sens du courant IS est de n vers p, et sa valeur
de charges. dépend fortement de la température mais est indépendant de
V0.
La dérive des porteurs de charge se produit lorsqu’un
champ électrique E s’applique à travers un morceau de sili- La polarisation directe de la jonction pn signifie qu’on ap-
cium. Le champ électrique accélère les trous dans la direc- plique à ses bornes une tension V extérieure à la jonction,
tion du champ électrique tandis que les électrons sont de façon à rendre la région p plus positive que la région n.
poussés dans la direction opposée à E. Ces deux compo- Ainsi, on diminue le potentiel de la barrière de tension à
santes de courant s’additionnent afin de constituer ensemble (V0 – V) qui se traduit par une augmentation exponentielle
le courant de dérive dans la direction de E. du courant ID tandis que le courant IS reste inchangé. Le ré-
sultat net est l’apparition d’un courant important, le cou-
La diffusion des porteurs se produit lorsque leur concentra- rant I = ID – IS qui circule à travers la jonction et le circuit
tion varie d’une région à l’autre du cristal de silicium. Pour extérieur.
établir un courant de diffusion à l’état d’équilibre, un gra-
dient de concentration de charges doit être maintenu à l’in- Si on applique une tension V négative, de polarisation in-
térieur du cristal de silicium. verse, le résultat est une augmentation de la barrière de ten-
sion et par conséquent, le courant ID s’annule, ce qui signifie
Une structure de base des semiconducteurs est la jonction que le courant traversant la jonction et donc le circuit exté-
pn. La jonction est réalisée dans un cristal de silicium en rieur devient extrêmement faible. Ce courant est appelé
créant une région de type p juxtaposée à une région de type courant inverse.
n. La jonction pn est une diode et joue un rôle déterminant
dans la structure et le fonctionnement des transistors. Si l’amplitude de la tension inverse est augmentée jusqu’à
la valeur VZ, spécifique à chaque jonction, la jonction pré-
Lorsque les bornes d’une jonction pn sont en circuit ouvert, sente le phénomène de claquage et le courant inverse aug-
aucun courant ne circule dans le circuit extérieur. Cepen- mente d’une façon exponentielle. La valeur de ce courant
dant, deux courants égaux et opposés, ID et IS, circulent à tra- inverse est limitée seulement par le circuit externe.
vers la jonction. L’état d’équilibre est maintenu par une
différence de potentiel interne V0 qui se développe à travers Lorsque l’on modifie la tension aux bornes d’une jonction
la jonction, avec la polarité positive du côté de type n. No- pn, un certain temps doit s’écouler avant que l’état d’équi-
tez, cependant, que la tension aux bornes d’une jonction ou- libre ne soit atteint. Cette situation est due à l’effet d’accu-
verte est de 0 V, puisque V0 est compensé par la différence mulation des charges dans la jonction, phénomène qui est
de potentiel de contact entre l’interface de connexion métal- modélisé par deux capacitances : la capacitance de jonction
lique et le semiconducteur. Cj et la capacitance de diffusion Cd.
La différence de potentiel V0 se manifeste uniquement dans Pour rappel, on présente dans le Tableau 1.3 le résumé des
la région de déplétion qui se trouve dans la proximité immé- relations et valeurs des constantes physiques associées.
diate de la jonction.
Résumé 73
n i 1,5 10 /cm
10 3
de dérive (A/cm2)
μ n 1350 cm /Vs
2
Concentration de porteurs n n0 N D
dans le silicium de type n (cm –3 )
p n0 n i N D
2
Tension interne
V 0 V T ln --------------
N A N D
-
de jonction (V) 2
ni
Largeur de la région x N
de déplétion (cm) ----n- ------A-
xp ND
ε s 11,7ε 0
W xn x p
ε 0 8,854 10
– 14
F/cm
-------s ------
2ε 1 1 - V V
- ------
q N A N D 0 R
Durée de vie τp Lp Dp
2
τn Ln Dn
2 L p L n 1 m to 100 m
des porteurs minoritaires (s)
τ p τ n 1 ns to 10 ns
4
V m
C j C j0 1 ------R 1 1
m --- to ---
V 0 3 2
PROBLÈMES À RÉSOUDRE
Index
Nombres étage d’entrée, 899
étage de sortie, 900
0 logique mémorisé, 1296 gain en petit signal, 921
1 logique mémorisé, 1296 gain global, 921
gain global de tension en circuit ouvert, 918
A limites de la tension de sortie, 917
méthode de réduction de Gm, 926
Alimentation modèle équivalent en petit signal, 918
négative, 634 modèle simplifié, 923
positive, 634 paramètres des transistors, 900
Ampli op, 87–140 plage d’entrée en mode commun, 905
fonctions et caractéristiques, 89 polarisation de l’étage d’entrée, 902
Ampli op bipolaire, 871 polarisation de l’étage de sortie, 906
Ampli op CMOS, 871 polarisation du deuxième étage, 906
à deux étages, 872–886 réponse en fréquence, 921, 922
circuit équivalent simplifié, 878 résistance d’entrée deuxième étage, 914
CMRR, 877 résistance de sortie deuxième étage, 915
gain en tension, 874 saturation de l’étage d’entrée, 924
le circuit, 873 tension d’offset d’entrée, 905
marge de phase, 878 transconductance du deuxième étage, 915
plage d’entrée en mode commun, 873 vitesse de balayage, 921
réponse en fréquence, 877 Amplificateur
swing à la sortie, 873 à base commune (CB), 306–308
taux de rejet d’ondulation d’alimentation (PSRR), 882 à BJT, configuration de base, 292–315
vitesse de balayage, 880 à circuits intégrés (CI), cellule de base de gain, 473
cascode repliée, 887–897 à collecteur commun (CC), 308–315
élargir la plage de tension de sortie, 896 à couplage capacitif, 125
gain de tension, 890 à couplage direct, 90
le circuit, 887 à drain commun, 447
opération rail-à-rail à l’entrée, 894 à émetteur commun (CE), 28, 294, 297–306
plage d’entrée en mode commun, 889 à gain unitaire, 104
réponse en fréquence, 891 à grille commune (CG), 444
swing à la sortie, 889 à MOS et à composants discrets, 440–449
vitesse de balayage, 892 à MOSFET, configurations de base, 418–431
Ampli op de transconductance (OTA). Voir Ampli op à plusieurs étages, 626–640
CMOS cascode repliée à plusieurs pôles, 840
Ampli op µ741 à source commune (CS), 442
analyse en petit signal, 908 cascode, 486–506
circuit de polarisation, 897 cascode, répartition du gain global, 494
circuit de protection contre court-circuit, 921 CE à source de courant, 473
circuit équivalent du deuxième étage, 916 CMOS à deux étages
courant de polarisation d’entrée, 905 analyse à l’aide du gain de courant, 639
courant de référence de polarisation, 902 circuit de polarisation, 631
courants d’offset, 905 gain de tension, 628
courants de polarisation de collecteur, 908 réponse en fréquence, 747
deuxième étage, 900 tension d’offset d’entrée, 630
IN-2 Index
N P
Niveau Paire différentielle, 563
bas (logique), 162 à BJT
d’écrêtage, 78 appariement résistors de collecteur, 601
haut (logique), 162 courant d’offset d’entrée, 610
Nœud interne, 81 courants de polarisation d’entrée, 610
inadéquation d’appariement, 609
offset–nulling, 610
O
résistance d’entrée différentielle, 597
Octave, 122 à BJT à charge active
Offset systématique, 630 gain différentiel, 620
Onde gain en mode commun, 622
carrée, 8, 202 taux CMRR, 622
carrée symétrique, 218 à MOS, 564
sinusoïdale, 8 amplificateur différentiel cascode, 580
triangulaire, 217, 285 appariement des transistors, 605
Ondulation appariement résistances de drain, 583
crête-à-crête, 217 demi-circuit différentiel, 577
de bande passante, 957 demi-circuit en mode commun, 583
de l’alimentation, 178 gain différentiel, 575–577
du signal de sortie, 854 gain en mode commun, 581
Onduleur, 1329 inadéquation (W/L), 607
Index IN-11
Technologies pour les CI et familles de circuits logiques métal-oxyde à effet de champ. Voir Transistor
numériques, 1178 MOSFET
Temco. Voir Coefficient de température TC MOSFET, 221
Température NMOS, 370
de jonction, 1123 PMOS, 454
interne de la jonction, 1091 PMOS à canal court, 1219
Temps pnp latéral, 536
d’accès en mémoire, 1307 type npn, 222
de cycle de mémoire, 1307 fonctionnement en mode actif, 223–231
de descente, inverseur, 1176 courant d’émetteur, 224, 227
de montée, inverseur, 1176 courant de base, 226
de transit de la base en direct, 678 courant de collecteur, 226
moyen de transit de la jonction, 70 gain de courant à base commune, 228
Tension gain de courant à émetteur commun, 227
continue systématique d’offset de sortie, 873 fonctionnement en mode de saturation, 232–234
d’Early, 242 type pnp, 222
d’offset d’entrée, 123 courant inverse collecteur-base, 238
d’ondulation, 195 fonctionnement, 234–235
de claquage, 66, 170 Transistor IGFET. Voir FET à grille isolée
de coude Zener, 183 Transistor NMOS. Voir MOSFET à canal n
de mise en marche, 168 Transistor PMOS. Voir MOSFET à canal p
de mode commun, 565 Transistors bipolaires de puissance,
de Thévenin, 77 température de jonction, 1122
nominale de sortie de l’ampli op, 136 Transition haut-bas, 1242
régulée, 179 Transmission
thermique, 51, 167 de boucle de rétroaction, 830
Tension interne de la jonction. Voir Barrière de tension de l’amplificateur, 30
interne, 54 du filtre, 954
Théorème optique, 206
de Miller, 698 porte logique, 1243
de Norton, 75 Trigger, 1054
de Thévenin, 75 Trigger de Schmitt. Voir Circuit bistable
Thermomètre électronique, 168 Trou, 4
Topologies de base du circuit de rétroaction, 778–786
Train d’impulsions, 12
Traitement des signaux, 4 V
Transconductance, 274 Valeur
Transconductance d’un transistor BJT, 408 de crête, 8
Transducteur, 5 de sécurité, 66
Transformateur abaisseur de tension, 217 effective, 8
Transformateur d’impédance, 103 moyenne, 159
Transformation passe-bas à bande passante, 1021 Varactor. Voir Diode varicap
Transformée de Fourier, 7 Variation autorisée dans la bande passante, 956
Transistor Vitesse de balayage (SR), 138
à double diffusion (DMOS), 1141 Voltmètre analogique, 146
à effet de champ (FET), 4
à grille flottante, 1334
à jonction bipolaire (BJT), 4 Z
BiCMOS, 222 Zéro de la fonction de transfert, 958
CMOS submicronique, 452 Zéro de transmission, 830
de puissance, 1092 Zone de la jonction émetteur-base, 546
Zone de transition, inverseur logique, 1157
Index pour le CD IX-1
Index pour le CD
Nombres Clean room, oxidation Salle blanche, oxydation, A2
Clear field, VLSI layout Champ libre, disposition
741 op amp, PSpice example Ampli op 741, exemple VLSI, A15,A16
PSpice, B15-B18 CMOS (complementary MOS) Transistor CMOS
(MOS complémentaire)
A fabrication fabrication, A1
Multisim example of, CS amplifier exemple
Active-filter-tuned oscillator, PSpice example Multisim, amplificateur CS, B88-B92
Oscillateur à filtre actif accordé, exemple PSpice, B77- PSpice example exemple PSpice, B40-B43
B79 PSpice example of CS amplifier exemple PSpice
Anisotropic etching Gravure anisotrope, A4 pour amplificateur CS, B29, B30-B33
twin-well, process double puits, processus, A7-A9
CMOS (complementary MOS) inverter Inverseur
B
CMOS (MOS complémentaire)
BiCMOS (bipolar CMOS) circuit Circuit BiCMOS Multisim example exemple Multisim, B123-B127
(CMOS bipolaire) PSpice example exemple PSpice, B60-B63
fabrication fabrication, A1 CMRR (common-mode rejection ratio) Taux de
SiGe, process processus SiGe, A13-A14 réjection en mode commun (CMRR), B3
VLSI process processus VLSI, A12 Common-emitter (CE) amplifier Amplificateur à
BJT (Bipolar junction transistor) model Modèle BJT émetteur commun (CE)
parameters BF and BR in Spice paramètres directs Multisim example exemple Multisim, B85-B88
(BF) et invers (BR) en Spice, B12 PSpice example exemple PSpice, B27-B30
SPICE SPICE, B9-B12 Common-mode input resistance (Ricm) Résistance
SPICE Gummel-Poon model le modèle Gummel- d’entrée en mode commun (Ricm), B3
Poon en SPICE, B11 Common-source (CS) amplifier Amplificateur à
SPICE parameters paramètres SPICE, B11 source commune (CS)
BJT (Bipolar junction transistor), PSpice example Multisim example exemple Multisim, B75-B84,
Transistor à jonction bipolaire BJT, exemple PSpice, B100-B103, B103-B107
B26-B27 PSpice example exemple PSpice, B23-B25, B29,
Bode plot Diagramme de Bode, F3-F6, F6-F7 B30-B33
Conjugate pairs Paires conjuguées, F2
Corner frequency Fréquence de coupure, F4
C
Capacitor Condensateur
D
VLSI process par processus VLSI, A10-A11
Carrier transport Transport de porteurs, B10 Dark field, VLSI layout Champ sombre, disposition
Chebyshev filter, PSpice example Filtre de VLSI, A15, A16
Tchebychev, exemple PSpice, B69-B71 DC emitter=degeneration resistor Résistance de
Chemical vapor deposition (CVD), IC fabrication dégénération d’émetteur, B27
Dépôt chimique en phase vapeur (CVD), fabrication DC power supply Source de c.c.
d’IC, A5-A6 Design dimensionnement, B18-B22
Class B bipolar output stage Étage final à BJT en PSpice example exemple PSpice, B18-B22
classe B Differential gain at dc Gain différentiel en c.c., B3
Multisim example exemple Multisim, B112-B118 Differential-input resistance (Rid) Résistance d’entrée
Class B BJT output stage Étage final à BJT en classe B différentielle (Rid), B3
PSpice example exemple PSpice, B50-B55
IX-2 Index pour le CD
fifth-order Chebyshev filter filtre de Tchebychev SiGe BiCMOS process Fabrication des BiCMOS
du cinquième ordre, B69-B71 à SiGe, A13, A14
folded-cascode amplifier amplificateur cascode Silicon dioxide, oxidation Dioxide de silicium,
replié, B43-B46 processus d’oxydation, A2
frequency response of CMOS CS and folded-cascode Silicon wafer, IC fabrication Plaquette de silicium,
amplifier réponse en fréquence d’un amplificateur fabrication des IC, A2
CS à CMOS et d’un amplificateur cascode repliée, Single-time-constant circuit Circuit à constante unique
B40-B43 de temps (CTU)
loop gain of feedback amplifier gain de boucle classification classification, E4-E6
de rétroaction d’un amplificateur, B46-B50 evaluating time constant évaluation de la constante
multistage differential BJT amplifier amplificateur de temps , E1-E4
différentiel multi-étage à BJT, B33-B40 frequency response of high-pass (HP) réponse en
operation of CMOS inverter fonctionnement d’un fréquence d’un filtre passe-haut (HP), E8-E10
inverseur CMOS, B60-B63 frequency response of low-pass (LP) réponse en
performance of noninverting amplifier fréquence d’un filtre passe-bas (LP), E6-E8
caractéristiques d’un amplificateur non inverseur, high-pass (HP) filtre passe-haut (HP), E4, E5
B13-B15 low-pass (LP) filtre passe-bas (LP), E4, E5
static and dynamic operation of ECL gate pulse response of HP réponse à l’impulsion
fonctionnement statique et dynamique d’une porte d’un filtre HP, E14-E15
à ECL, B64-B69 pulse response of LP réponse à l’impulsion
two-integrator-loop filter filtre à deux intégrateurs, d’un filtre LP, E13-E14
B71-B74 rapid evaluation of évaluation rapide
two-stage CMOS op amp ampli op à deux étages de la constante de temps , E1-E4
à CMOS, B55-B60 step response of HP réponse à l’échelon d’un filtre
Wien-bridge oscillator oscillateur à pont de Wien, HP, E11-E12
B75-B77 step response of LP réponse à l’échelon d’un filtre
p-type silicon Silicium de type p, A2 LP, E10-E11
Pulse response, STC circuit Réponse à l’impulsion, Single-time-constant circuit Circuit à constante unique
circuit à CTU, E13-E15 de temps (CTU), E16-E17
p-well process Processus d’un puits de type p, A7 Small-signal emitter=degeneration resistance
Résistance dégénerative d’émetteur à petit signal, B27
SPICE device models Modèles SPICE
R BJT model modèle de BJT, B9-B12
Reactive ion etching (RIE) Gravure à ions réactifs diode model modèle de diode, B4-B5
(RIE), A3-A4 MOSFET models modèles pour MOSFET, B5-B9
Resistance values, standard Valeurs standardisées Multisim examples modèles Multisim, B75-B127
pour résistances, H1-H2 op-amp model modèle pour ampli op, B1-B4
Resistor Résistance PSpice examples exemples PSpice, B13-B79
p-base and pinched-base d’une base-p et base- zener diode model modèle pour diode Zener, B5
pincée, A12-A13 Square-law model Modèle quadratique, B5
VLSI process processus VLSI, A10 Stable circuit Circuit stable, F2
Standard resistance values Valeurs standardisées pour
les résistances, H1-H2
S Step response, STC circuits Réponse à l’échelon,
s-domain analysis Analyse en plan-s, F1-F6, F6-F7 circuits à CTU, E10-E12
Bode plots diagramme de Bode, F3-F6 Systematic offset Offset systématique, B37, 626
first-order functions fonctions du premier ordre,
F2-F3 T
poles pôles, F2
zeros zéros, F2 Time constant , single-time constant circuits
Series-shunt feedback, Multisim examples Rétroaction Constante de temps , circuits à CTU, E1-E4
série-shunt, exemples Multisim, B107-B112 Transfer-function poles Pôles d’une fonction
de transfert, F2
Index pour le CD IX-5
U W
Unit prefixes Préfixes pour unités de mesure, H1-H2 Wet etching Gravure humide, A4
Unity-gain frequency Fréquence de gain unité, B3 Wet oxidation Oxydation humide, A2
Wien-bridge oscillator, PSpice example Oscillateur
à pont de Wien, exemple PSpice, B75-B77
V
VLSI (very-large-scale-integrated circuits) Circuits
Z
VLSI (circuits à grande échelle d’intégration)
BiCMOS process fabrication de BiCMOS, A12 Zener diode model Modèle pour diode zener, B5
capacitors capacitances, A10-A11 Zero, s-domain analysis Zéro, analyse en plan-s, F2
chemical vapor deposition dépôt chimique en phase
vapeur, A5-A6
sciences de sciences de
l’ingénieur
l’ingénieur
aS m i t h
aS e d r a
aS e d r a
aS m i t h
Circuits
microéléctroniques aS e d r a
Cet ouvrage de référence a été conçu pour couvrir l’ensemble des circuits aS m i t h
électroniques analogiques et digitaux modernes : une ressource inestimable
pour professionnels, enseignants, chercheurs et étudiants.
Une référence en français pour les cours abordant les circuits électroniques
microéléctroniques
analogiques et digitaux, ce livre couvre les composants de base tels que la diode,
Circuits
les transistors bipolaires et MOSFET, ainsi que les circuits qui en découlent.
Un outil complet
L’accent est mis sur l’acquisition des méthodes d’analyse des circuits électro-
niques modernes : amplificateurs opérationnels, filtres, références de tension,
microéléctroniques
convertisseurs analogiques digitaux (D/A et A/D), boucles à verrouillage de
phase (PLL), oscillateurs, mélangeurs (mixers) et circuits de télécommunication.
Circuits
Cet ouvrage étudie également l’analyse de l’architecture des circuits, la réponse
en fréquence, le bruit, etc. Parmi les circuits digitaux, seront abordés l’inver-
seur CMOS et différents circuits mémoire : verrous (latch), bascules (flip-flop),
mémoires flash, etc.
L’objectif de ce livre
L’objectif de ce livre est de développer chez le lecteur la capacité d’analyse et de
conception des circuits électroniques analogiques et digitaux, discrets et intégrés.
Le sujet des circuits analogiques est largement couvert et l’accent est mis sur la
conception des circuits analogiques intégrés. En effet, les progrès de la techno-
logie de fabrication et d’intégration rendent inévitable l’acquisition des méthodes
d’analyse des circuits analogiques, même pour les circuits digitaux. L’analyse
est facilitée par les outils de simulation, largement utilisés dans l’industrie et qui
deviennent de plus en plus abordables et à la portée de chacun.
Traduction
Dr. Dragos DANCILA, est ingénieur civil électricien et a obtenu un doctorat
en sciences de l’ingénieur de l’Université catholique de Louvain, Belgique.
Conférencier associé à l’Université d’Uppsala, Suède. Il s’est spécialisé en
microélectronique et en ingénierie micro-onde.
sciences de
l’ingénieur
énergétique et en sources renouvelables d’énergie.
Conception graphique : Primo&Primo
ISBN : 978-2-8041-7777-5
9 782804 177775
SEDRA www.deboecksuperieur.com