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UNIVERSITE HASSAN II CASABLANCA – FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIA

DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES


PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

FSTM : DEUST - MIP


Cours exposé

E141 : Circuits Électriques et Électroniques


email : nasser_baghdad @ yahoo.fr

Pr . A. BAGHDAD
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Contenu du programme

Chapitre I : Généralités
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Chapitre II : Régime continu

Chapitre III : Régime alternatif sinusoïdal Partie A


Circuits électriques
Chapitre IV : Les quadripôles

Chapitre V : Les filtres passifs

Chapitre VI : Les diodes


Partie B
Chapitre VII : Le transistor bipolaire Circuits électroniques
Chapitre VIII : L’amplificateur opérationnel

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Chapitre VIII

E141 : Circuits Électriques et Électroniques


Pr . A. BAGHDAD
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Sommaire
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I. Généralités sur l’amplificateur opérationnel

II. Montages à régime linéaire indépendants de la fréquence

III. Montages à régime linéaire dépendants de la fréquence

IV. Montages à régime non linéaire

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E141 : Circuits Électriques et Électroniques
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1°) Définition
2°) Symbole et notation
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3°) Brochage
4°) Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte
5°) Schéma équivalent électrique de l ’amplificateur opérationnel
6°) Propriétés de de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte
7°) Fonction de transfert de l’amplificateur opérationnel en boucle
ouverte
8°) Fonctionnement linéaire et non linéaire de l’amplificateur
opérationnel
9°) Différents modes de fonctionnement
10°) Hypothèses simplificatrices pour un fonctionnement en linéaire

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1°) Définition
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► Un amplificateur opérationnel (A.O.) est un macro-composant qui contient une


vingtaine de transistors (TB ou/et TEC) intégrés sur une même puce semi-conductrice
de dimension de l’ordre du mm2.
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► La polarisation des transistors internes au composant AO est réalisée à l’aide de


deux alimentations continues symétriques V+ = 15V et V– = - 15V.

► L’AO est aussi appelé circuit intégré linéaire (C.I.L.).

► L'amplificateur opérationnel peut être utilisé dans un grand nombre de montages


pour, comme son nom l'indique, réaliser de l’amplification ou/et effectuer des
opérations (mathématiques).

Circuit Intégré (C.I.L)

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Amplificateur opérationnel

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2°) Symbole et notation


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V+
V+
I- I-
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ε ε
e- I+ s e- I+ s
e+ V- e+ V-

Masse externe Masse externe


Américain Européen

V+ = + 15 V : tension positive d’alimentation.


V- = - 15 V : tension négative d’alimentation.
e+ : borne d’entrée non inverseuse. s = G0 . ε
e- : borne d’entrée inverseuse.
I+ : courant d’entrée non inverseuse G0 ≈ 105
I- : courant d’entrée inverseuse
ε = e+ - e- : tension différentielle d’entrée
s : borne de sortie.

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Remarque :
V+
V+
I- I-
Américain Européen
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ε G0 ε
e- I+ s e- I+ s
e+ V- e+ V-

Masse externe Masse externe

■ G0 : amplification en tension statique en boucle ouverte (ou gain continu) (ou gain
en tension différentielle statique).

■ Le triangle « ►» est le symbole de l’amplification et rappelle qu’il s’agit d’un


composant unidirectionnel

■ Le symbole « ∞» qui se trouve à l’intérieur du schéma du composant signifie que


l’on peut idéaliser la caractéristique de transfert de l’AIL.

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Symbole simplifié
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e- s e- s
e+ e+

► Dans le symbole simplifié de l’amplificateur opérationnel (l’alimentation n’est pas


toujours représentée car elle n’intervient pas dans le calcul, mais elle est
indispensable en pratique).

► L’AO ne possède pas de masse propre à lui, la masse externe sera donc ôtée du
symbole.

► L’AO sera considéré tout le temps idéal, donc I+ = I- = 0, les courants des entrées
seront retirés du symbole.

► On s’intéressera à l’utilisation de l’AO en fonctionnement linéaire, donc ε=0


et e+ = e-, la tension différentielle sera donc retirée du symbole.

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3°) Brochage
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■ Il possède 8 bornes (ou 8 broches) mais 5 bornes sont généralement utilisées :


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■ La masse des alimentations symétriques est la référence de tous les potentiels

+ - + -

7 4

Masse externe

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4°) Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte


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Amplificateur réel en BO
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■ Impédance d’entrée différentielle très élevée : ZE = RE ≥ 1 MΩ

■ Impédance de sortie très faible : ZS = RS ≤ 50 Ω

■ Gain en tension différentielle statique (ou gain continu) très élevé : G0 ≈ 105

Amplificateur idéal en BO
■ Impédance d’entrée différentielle : ZE = RE ≈ ∞ ===> I- = I+ = 0

■ Impédance de sortie : ZS = RS ≈ 0 Ω

■ Gain différentielle statique : G0 ≈ ∞

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5°) Schéma équivalent électrique de l ’amplificateur opérationnel


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Amplificateur réel (AOR) en BO


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e- s
ZS
ε = e + - e- ε ZE ~ G0 (e+ - e-) s = G0 ε
G0 ≈ 105
e+
Amplificateur idéal (AOI) en BO

e- s
0

ε= e+ - e- ε ∞ ~ G0 (e+ - e-) s ≈ ∞
G0 ≈ ∞
e+
AOI ===> I+ = I- = 0 car ZE = RE ~ ∞
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6°) Propriétés de de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte


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Amplificateur réel en BO
■ L’amplification en tension (ou gain en boucle ouverte) dépend de la fréquence.
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 pulsation de coupure c  qcq 10 rad / s



G   
s G0 G0
   f c  qcq 100 Hz  dispositif TBF
  f f 0
1 j 1 j  G  G0  105
c fc  soit 100dB

G( dB)
Réponse idéale G Réponse idéale
G0 (dB) = 100 dB (asymptotique)
(asymptotique)
80 dB
20 dB G0
60 dB Réponse réelle
- 20 dB/décade G0/√2
40 dB F.P.B.
20 dB décade
F.P.B
0 dB
f
log  f 
1 10 102 0
103 fc
■ L’AOR en BO se comporte comme un filtre passe-bas actif du 1er ordre
■ La bande passante BP ou la bande d’utilisation de l’AOR va de 0 à fc.
■ Comme fc = à qcq 100 Hz alors l’AO est un dispositif TBF (de 0 à 30 kHz)
AO en BO est un dispositif TBF

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7°) Fonction de transfert de l’AO en boucle Ouverte : s = f (ε )


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Amplificateur réel en BO : G0 ≈ 105

-
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e-
ε e   0 
+     e   e   ve
e+ vs e  ve 

ve ~ AOR en BO s  vs  vs   G0  ve

► La fonction de transfert s = f(ε) est fournie en fonctionnement de l’AO en BO


s   m

+Vsat
+ Vsat
s Zone 2
Régime saturé
 m -εm +εm ε = e + - e-
Zone 3
t Régime saturé
m -Vsat
εm de qcq mV
- Vsat    m ∆ε
Zone 1
+ Vsat ≈ – (1 à 2 V)
V+ Régime linéaire
- Vsat ≈ V- + (1 à 2 V) Vsat  13,5V   m    m

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s   m
+Vsat
Zone 2
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Régime saturé
Zone 3 -εm +εm ε = e + - e-
Régime saturé
-Vsat
εm de qcq mV
   m ∆ε
Zone 1
Régime linéaire
 m  0,13mV  13.105V
  m    m
Vsat  V   1 à 2V soit Vsat  13,5V

On distingue trois zones de fonctionnement :


• Zone 1 : s = G0 ε
• Zone 2 : s = + Vsat
• Zone 3 : s = - Vsat

► Dans le domaine linéaire :

s s 2.Vsat 13,5V
s  G0  avec G0      10 5

  2. m 13.105V
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Amplificateur idéal en BO : G0 → ∞
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► On constate que la tension différentielle ε est très faible aux autres tensions du
circuit (de l’ordre du 1/10 du mvolt, le plus souvent) ; on pourra ainsi considérer, dans
la zone linéaire, que ε = 0 (ce qui revient à un gain infini) :
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s
+Vsat s G0 ~ ∞ +Vsat
Zone 2
ε
temps ε = e+ - e-
Zone 3
-Vsat -Vsat

• Zone 1 se réduit à : ε = 0 e+ = e- et -Vsat < s < +Vsat FL

• Zones 2 et 3 : si ε > 0 e+ > e- alors s = + Vsat FNL


si ε < 0 e+ < e- alors s = - Vsat

Si ε=0 <====> e+ = e- alors FL


 0 soit e  e 

dans le domaine linéaire
s s 
  G0   mais s  Vsat  13,5V 
 0 

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8°) Fonctionnement linéaire et non linéaire de l’AO


Fonctionnement non linéaire
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Signal de sortie s n’a pas la même


ε FNL s forme que celui de l’entée e
ou complètement déformé

Fonctionnement linéaire

Signal de sortie s a la même


ε FL s forme que celui de l’entée e

En fonctionnement linéaire, la tension à amplifier ne pourra pas être appliquée directement entre
les bornes inverseuse ou/et non inverseuse : nécessité au préalable d’une boucle de rétroaction

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s  G0  
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Exemple n°1 de FNL :


AOI  G0  
Théoriquement : s  
Le moindre petit   
Pr atiquemmen t : s   Vsat
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- e   0 
e-     e   e   ve
e  ve 

ve ~ +
vs s  vs  vs   G0  ve
e+
AOI en BO
vs ve
+ Vsat

temps
0 T

- Vsat

vs et ve en opposition de phase
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s  G0  
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Exemple n°2 de FNL :


AOI  G0  
Théoriquement : s  
Le moindre petit   
Pr atiquemmen t : s   Vsat
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- e   0 
e-     e   e   ve
+ e  ve 

e+ vs s  vs  vs   G0  ve
ve ~ AOI en BO
vs ve
+ Vsat

temps
0 T

- Vsat

vs et ve en phase
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AOI en contre réaction   0  Vsat  s  Vsat


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Exemple de FL :
Autrement  G  G0 et B  B0
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- e   vs 
e-     0  e  e
+ e  ve 

e+ vs vs  ve
ve ~ AOI en CR
vs = ve
+ Vsat

temps
vs
0 T G 1
ve

- Vsat

vs  ve
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9°) Différents modes de fonctionnement


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► Il existe 4 façons de faire fonctionner l’ AO :


AO en réaction négative
AO en boucle ouverte
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(ou en rétroaction) ( ou en contre réaction)

- -
+ +
ε≠0 FNL ε=0 FL

AO en réaction positive (ou en réaction) AO en réaction positive et négative

-
+ discussion
-
ε=0 + FL
ou ou
ε≠0 FNL ε≠0 FNL

CR (ou RN) ====> ε=0 <====> e+ = e- alors FL

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Boucle ouverte ou Réaction positive :


Fonctionnement en régime saturé -
(ou non linéaire) +
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si e+ > e- alors s = + Vsat -


si e+ < e- alors s = - Vsat +

Réaction négative (ou contre réaction) :


Fonctionnement en régime linéaire

- ε = 0 e+ = e- et -Vsat < s < +Vsat


+

La contre réaction : diminue le gain en tension et augmente la bande passante

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10°) Hypothèses simplificatrices pour un fonctionnement en linéaire


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Résistance d’entrée infinie (AOI) ====> I+ = I- = 0


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Contre réaction ====> ε=0 <====> e+ = e-

Q
D

- - -
+ + +

Circuit de contre réaction peut être un fil, un dipôle ou un quadripôle

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E141 : Circuits Électriques et Électroniques
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2°) Montages particuliers
1°) Montages fondamentaux

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ve

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Montage suiveur

~
e-

e+
1°) Montages fondamentaux

CR
AOI

vs  ve

 
+
-

 0



I I 0

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e  e

vs
ve
G  1
vs

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ve
~

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R1

R1
R2
vs    ve
Montage amplificateur inverseur

e-

e+


CR
AOI

E141 : Circuits Électriques et Électroniques


vs
ve
 0
+
-
R2


I  I  0

G 
R1
R2
e  e

Pr . A. BAGHDAD
vs

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ve

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~
Montage inverseur

vs  
R0
R0
R0

 ve  ve
e-

e+


CR
AOI

E141 : Circuits Électriques et Électroniques


G
+
-

 0
R0

vs
ve

I  I  0
e  e

 1

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vs

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Montage amplificateur non inverseur


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R2
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R1 -
e-
+
e+ vs
 
AOI  I I 0
ve ~ CR   0  e  e

 R2  vs R2
vs  1    ve  G   1
 R1  ve R1
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Montage sommateur
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R3
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R1 -
e-
R2 +
v1 ~ e+
AOI  
I I 0 
vs
CR   0  e  e

v2 ~
Si R1  R2  R3  R0
 R3 
vs   v1  v2 
R3
vs    v1   v2 
 R1 R2 

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Montage sommateur non inverseur


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R1 R2
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-
e-
R3 +
e+ vs
 
AOI  I I 0

R4 CR   0  e  e

v1 ~
v2 ~ vs 
R1  R2 R R 
  4  v1  3  v2 
Si R1  R2  R3  R4  R0
Vs  V1  V2
R3  R4  R1 R1 

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Montage soustracteur
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R2
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R1 -
e-
R3 +
v1 ~ e+
AOI  I  I  0
vs
CR   0  e  e

v2 ~ R4

Si R1  R3 et R2  R4 Si R1  R2  R3  R4  R0
 R R  R2 R 
vs   4  1  v2  2  v1  R2
v2  v1 
 R1 R3  R4 R1 
vs 
R1
vs  v2  v1
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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

ve

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~
Montage intégrateur

vs t   
e-

e+

1
RC
e
CR
AOI

 v t dt
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+

 0
-
C


I  I  0
e  e

Pr . A. BAGHDAD
vs

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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

ve

FSTM : DEUST - MIP


~
Montage dérivateur

C
e-

e+

Vs   RC
CR
AOI

dt
dVe

E141 : Circuits Électriques et Électroniques


+
-
R

 0

I  I  0
e  e

Pr . A. BAGHDAD
vs

36
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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

ve

FSTM : DEUST - MIP


R
Montage logarithmique

e-

e+

vs  uT
i

CR


ln 
AOI

 RI
-

 ve
+

0
 0
V





diode


I  I  0

E141 : Circuits Électriques et Électroniques


e  e
vs

Pr . A. BAGHDAD
37
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Rappel : diode
DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Id
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

Vd
→ Le courant à traversant la diode est donné par la relation :

 Vu d 
Id  I sat e  1
 T

 
 

→ La tension uT est correspond à la tension thermodynamique, d'une valeur de 25 mV environ à


l’ambiance.

→ Is correspond au courant de saturation de la diode D ou courant inverse, de qcq nA.

 Id 
Vd

En direct : si I d  I s  e uT
alors Vd  uT  ln 
I  
 s 

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 38


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Montage anti-logarithmique (ou exponentiel)


DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

R
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

diode
i
-
e-
ve V +
e+ vs
AOI  I  I  0
CR   0  e  e

 ve 
vs   R  I s exp 
u 

 T 

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 39


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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

2°) Montages particuliers


Montage intégrateur différentiel C
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

v1 -
e-

R +
e+ vs
v2 AOI  I   I   0
CR    0  e  e
C

vs t    v t   v t   dt
1
2 1
RC
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 40
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Source de tension simple


DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

R
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

-
e-
ig + vs
~ e+ AOI  I  I  0
CR    0  e  e

vs   R  i g
e  0 et e  e  0 -
v ~ vs f.e.m
vs   R  i g  ig   s +
R

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 41


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Source de tension amélioré


DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

R1
R3
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

-
R2 -
ig + vs’ + vs

AOI  I  I  0
 
AOI  I  I  0
CR    0  e  e
CR    0  e  e

R1  R3
vs   ig
R2
+
~ vs f.e.m
-

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 42


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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Source de courant R2

R1 -
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

+
vs
R3 R4
i
AOI  I  I  0
eg r CR    0  e  e

~
eg i
Si R1  R4  R2  R3  i c.e.m
R3
→ Fournit un courant i indépendant du circuit de charge (d'impédance r ici)
→ Montage nommé source de Howland
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 43
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Amplificateur d'instrumentation
DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

AOI  I  I  0
+ S1 CR    0  e  e
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

v2 -
R1
R0 R0

RG
-
+
R0 R0 vs
v1 - R2

+ S2

  Si R1  R2  RG  R0
R2  R1
vs  
1    v1  v2 

vs  3  v1  v2 
 RG 
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 44
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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

FSTM : DEUST - MIP


E141 : Circuits Électriques et Électroniques
Pr . A. BAGHDAD
45
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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

FSTM : DEUST - MIP


1°) Filtre actif passe bas de 1er ordre

2°) Filtre actif passe haut de 1er ordre

E141 : Circuits Électriques et Électroniques


Pr . A. BAGHDAD
46
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1°) Filtre actif passe bas de 1er ordre


DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Configuration n°1 H0
R2 H
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

Filtre à contre 
1 j
réaction simple C

R1 C R2 1
H  
- R1 1  j R2 C 

+
ve
vs
AOI  I  I  0
CR   0  e  e

R2
→ Gain d’un amplificateur inverseur : H0  A  
R1

1
→ Fréquence de coupure : fC 
2  R2 C

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 47


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H0
H
DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Configuration n°2

1 j
+
C
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

R
-
ve
vs
C
R2
Filtre à contre R1
réaction simple AOI  I  I  0
CR   0  e  e

 R2  1
 
H  1   
 R1  1  j R C 
R2
→ Gain d’un amplificateur non inverseur : H0  A  1
R1
1
→ Fréquence de coupure : fC 
2 R C

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 48


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2°) Filtre actif passe haut de 1er ordre


DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Configuration n°1
R2 
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

j
C
H  H0
R1 C 
1 j
C
-

+
ve Filtre à contre
réaction simple
 
vs
AOI  I I 0
CR   0  e  e

R2 R2 j R1 C 
→ Gain d’un amplificateur inverseur : H0   H  
R1 R1 1 j R1 C 
1
→ Fréquence de coupure si : fC 
2  R1 C

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 49


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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Configuration n°2 j
C
H  H0

1 j
+ C
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

C -
ve
R
vs

R2
Filtre à contre
R1
AOI  I  I  0
réaction simple
CR   0  e  e

 R2  j R C 
H  1   
 R1  1  j R C 
R2
→ Gain d’un amplificateur non inverseur : A  H 0  1 
R1
1
→ Fréquence de coupure :
fC 
2 R C

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 50


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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

FSTM : DEUST - MIP


E141 : Circuits Électriques et Électroniques
Pr . A. BAGHDAD
51
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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

1°) Comparateurs simples de valeur relative

2°) Comparateurs simples de valeur absolue

3°) Comparateurs à seuils ou à hystéresis (ou triggers de Scmitt)

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 52


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1°) Comparateurs simples de valeur relative


DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

► On distingue deux types de montages comparateurs selon les positions respectives


PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

de Ve(t) et VREF = E0 sur les entrées du comparateur.

Comparateur En permutant Ve(t) et V0, on obtient Comparateur


non inverseur inverseur
Sortie Sortie
+ binaire
_ binaire
_
+
Ve + Ve +
~ E0
_ Vs ~ E0 _ Vs

AOI en BO AOI en BO

Montages comparateurs simples de valeur relative

E0 = 0 E0 > 0 E0 < 0

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 53


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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Montage comparateur simple non inverseur de valeur relative :

+
+ _
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

Montage n°1 Ve ~
VREF = E0 = 0 Vs

+
_
Montage n°2 +
Ve ~ _ Vs
E0 E0 > 0

+
_
Montage n°3 _
Ve ~
Vs
E0 + E0 < 0

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 54


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e  e   0  Ve  0  s  Vsat  V 
DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Montage n°1
+ e  e    0  Ve  0  s  Vsat  V 
e+ + _
Ve  0   0
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

Ve
~ e- E0 VREF = E0 = 0
Vs
0 : seuil de basculemen t
Chronogrammes Si Ve = E0 = 0 basculement
V
+ Vemax e

Ve > 0
seuil E0
Ve < 0 t

- Vemax
Vs
+ Vsat

- Vsat

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 55


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e   e    0  Ve  V0  s  Vsat  V 
DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Montage n°2 +
_ e   e    0  Ve  V0  s  Vsat  V 

Ve ~ + Ve  V0   0
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

_ Vs
E0 E0 > 0
V0 : seuil de basculement
Chronogrammes
Si Ve = E0  basculement
Ve
+ Vemax
Ve > E0
seuil E0
t
Ve < E0

- Vemax
Vs
+ Vsat

- Vsat

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 56


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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Fonctions de transfert des comparateurs simples non inverseurs


+ +
e+ + _ _
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

Ve Ve +
~ e- E0 VREF = E0 = 0
Vs ~
E0
_ E0 > 0
Vs

Vs Vs

 0 +Vsat
 0
+Vsat   e   e   Ve  VREF  Ve  E0
  0 Ve  E0 Vs  Vsat Ve
Ve 0
0   0 Ve  E0 Vs  Vsat

-Vsat -Vsat
 0  0
VREF  E0  0 VREF  E0  0
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 57
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2°) Comparateurs simples de valeur absolue


DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

► On distingue deux types de montages comparateurs selon les positions respectives


de Ve(t) et VREF = E0 sur les entrées du comparateur.
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

R1 Sortie
+ binaire

R2 _
Ve + e+
~ E0
_
e- Comparateur Vs
AOI en BO non inverseur

R1 _ Sortie
binaire

R2 +
Ve + e+
~ E0
_
AOI en BO e- Comparateur Vs
inverseur

Montages comparateurs simples de valeur absolue

E0 = 0 E0 > 0 E0 < 0

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 58


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Montage comparateur simple non inverseur de valeur absolue :


DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

R1
+
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

Montage n°1
R2 _
Ve e+
~ E0 VREF = V0 = 0 e- Vs

R1
+
Montage n°2 R2 _
Ve + e+
~ VE0
_
V0 > 0 e- Vs

R1
+
Montage n°3
_ R2 _
Ve e+
~ E0 + V0 < 0 e- Vs

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 59


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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Montage n°1
R1
+
R2 _
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

Ve e+
~ E0 VREF = E0 = 0 e- Vs

 R2 

e 0 et e  Ve 

 Basculemen t : si e   e   0
 R1  R2 
 R2 
0  Ve    Ve  0  Seuil : Vseuil  0
 R1  R2 

VS  Vsat si e  e  Ve  0  Ve  Vseuil
VS  Vsat si e  e  Ve  0  Ve  Vseuil

Basculemen t si Ve  0 Vseuil  0

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 60


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R1
DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Montage n°2
+
R2 _
Ve + e+
~ _
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

E0 E0 > 0 e- Vs

 R1   R2 
e  0 et e   E0    Ve   Basculemen t : si e   e   0
 R1  R2   R1  R2 
 R1   R2   R1   R1 

0  E0  
 
 Ve  
  Ve     E0    Seuil : Vseuil     E0
 R1  R2   R1  R2   R2   R2 
 R1   R2  R1
VS  Vsat si e  e  E0    Ve    0  Ve   E0  Vseuil
 R1  R2   R1  R2  R2
 R1   R2  R1
VS  Vsat si e  e  E0    Ve    0  Ve   E0  Vseuil
 R1  R2   R1  R2  R2
R 
Basculemen t si Ve    1  E0 Vseuil  0
 R2 
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 61
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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

R1
VS  Vsat si Ve   V0  Vseuil R 
R2
Basculemen t si Ve  Vseuil    1  V0
VS  Vsat si Ve  
R1
V0  Vseuil  R2 
R2
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

Si Ve = Vseuil  basculement
Chronogrammes
Ve >Vseuil
Ve
+ Vemax

t
Vseuil

- Vemax
Vs Ve < Vseuil
+ Vsat

- Vsat

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 62


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Fonction de transfert

R1
VS  Vsat si Ve    E0  Vseuil
R2
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

 R1 
R Basculemen t si Ve  Vseuil      E0
VS  Vsat si Ve   1  E0  Vseuil  R2 
R2

Vs

Ve > Vseuil
+Vsat

Ve

-Vsat
Ve < Vseuil

Vseuil  0

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 63


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3°) Comparateurs à seuils ou à hystérésis (Trigger de Schmitt)


DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

► Dans le cas général, les entrées e1 et e2 du montage reçoivent d’une part le signal à
comparer ve(t) et d’autre part une tension de référence VREF = E0
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

R2 R2

R1 + R1 +
_ + _
_
e1 + e2
~ Vs Vs
e2 _ e1 ~

Trigger non Trigger


inverseur inverseur

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 64


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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Montage comparateur à hystérésis non inverseur (Trigger non inverseur) :

Montage n°1 R2
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

R1 +
_
Ve ~ E0 VREF = E0 = 0 Vs

R2 Montage n°3 R2
Montage n°2

R1 + R1 +
_ _
Ve
_
+
Ve ~ E0 _ E0 > 0
Vs ~ E0
Vs
+ E0 < 0

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 65


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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

Montage n°1 R2

R1 +
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

_
Ve
~ Vs
E0 VREF = E0 = 0

 R1   R2 
e   Vs    Ve   et e   E0  0 Basculemen t si e   e 
 R1  R2   R1  R2 
 R1   R2  R 
0  VS    Ve    Ve    1  VS
 R1  R2   R1  R2   R2 
R 
Les seuils : V1/ 2  VH / B    1  VSat car VS   VSat
 R2 
VH et VB (seuils de commutation de la sortie) sont les valeurs de la tension Ve qui
font changer la valeur de la sortie Vs

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 66


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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

 R1   R2 
e   Vs    Ve   et e  0 Basculemen t si e   e   0
 R1  R2   R1  R2 
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

 R1   R2  R 
0  VS    Ve    Ve    1  VS
 R1  R2   R1  R2   R2 
R  R 
Les 2 seuils : VH    1  VSat et VB    1  VSat
 R2   R2 

 R1   R2  R 
Lorsque VS  Vsat alors e  e  Vsat    Ve    0  Ve   1 V0  VB
 R1  R2   R1  R2   R2 
 R1   R2  R 
Lorsque VS  Vsat alors e  e   Vsat    Ve    0  Ve   1 V0  VH
 R1  R2   R1  R2   R2 

Si Ve  VB  V S  Vsat Si Ve  VB  V S  Vsat
Si Ve  VH  V S  Vsat Si Ve  VH  V S  Vsat

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UNIVERSITE HASSAN II CASABLANCA – FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIA

1èr cycle : Vs  Vsat à  Vsat seuil : VH 


DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

passe de
2ème cycle : Vs passe de  Vsat à  Vsat seuil : VB 
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

Cycle d’hystérésis : Vs = f(Ve)


Vs
+ Vsat

Ve
VB VH

- Vsat

V S  Vsat si Ve  VB et Ve  VH
V S  Vsat si Ve  VH et Ve  VB
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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

-Vsat
+Vsat
VB
VH

FSTM : DEUST - MIP


Vs
Ve
V S  Vsat
V S  Vsat
si
si
Ve  VB
Ve  VH

E141 : Circuits Électriques et Électroniques


et Ve  VH
et Ve  VB

Pr . A. BAGHDAD
t

69
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Montage n°2 R2

R1 +
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

_
Ve +
~ _ E0 > 0 Vs
E0

 R1   R2 
e  Vs 

  Ve   et e   E0 Basculemen t si e   e 
 R1  R2   R1  R2 
 R1   R2   R  R2  R 
E0  VS    Ve    Ve   1  E0   1  VS
 R1  R2   R1  R2   R1   R2 
 R  R2  R 
Les seuils : V1/ 2  VH / B   1  E0   1  VSat
 R1   R2 
VH et VB (seuils de commutation de la sortie) sont les valeurs de la tension Ve qui
font changer la valeur de la sortie Vs

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 R1   R2 
e   Vs    Ve   et e   V0 Basculemen t si e   e 
 R1  R2   R1  R2 
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

 R1   R2   R  R2  R 
V0  VS    Ve    Ve   1  V0   1  VS
 R1  R2   R1  R2   R2   R2 
 R1  R2   R1   R1  R2   R1 

Les seuils : VH   
 V0    VSat et 
VB   
 V0    VSat
 R2   R2   R2   R2 
VH  0 VB  0
 R1   R2   R  R2  R 
Lorsque VS  Vsat alors e  e  Vsat    Ve    V0  Ve   1 V0   1 Vsat  VB
 R1  R2   R1  R2   R2   R2 
 R1   R2   R  R2  R 
Lorsque VS  Vsat alors e  e   Vsat    Ve    V0  Ve   1 V0   1 Vsat  VH
 R1  R2   R1  R2   R2   R2 

Si Ve  VB  V S  Vsat
Si Ve  VH  V S  Vsat
0 < V0 < Vsat
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1èr cycle : Vs VHVsat seuil


 VSisatVeà VS  
: VBVsat
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passe de
2ème cycle : Vs passe de Si
Vsat àVB Vsat seuil
Ve  Vsat
V S  :V
H
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Cycle d’hystérésis : Vs = f(Ve)


Vs
+ Vsat

Ve
VB VH

- Vsat

V S  Vsat si Ve  VB et Ve  VH
V S  Vsat si Ve  VH et Ve  VB
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FSTM : DEUST - MIP


E141 : Circuits Électriques et Électroniques
Fin du chapitre VIII

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FSTM : DEUST - MIP


Module : E141

E141 : Circuits Électriques et Électroniques


Fin de l’exposé de cours

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