Chapitre 4 : associations de dipôles en régime sinusoïdal

4.1. L'objectif de l'étude de dipôles passifs en régime sinusoïdal

montage utilisé pour étudier un dipôle résistif, capacitif ou inductif
Ieff
A voie 1 de l’oscilloscope
i(t) R CH 1 visualise v(t)
ri(t) est négligeable
G.B.F. v(t) dipôle V Veff devant v(t)
Z
voie 2 de l’oscilloscope
R i(t) r =R1  CH 2 visualise 1 x i(t)

r.i(t) masse de l’oscilloscope

et masse du G.B.F.
R GND = ground
Un multimètre sur position "~" ou "alternatif" ou "RMS"
mesure les valeurs efficaces Veff et Ieff

L'oscilloscope sert à mesurer le déphasage de la tension v(t) par rapport au courant i(t) :
 = u - i = 2 
T

4.2. la bobine réelle RL

R L
le modèle équivalent série :

R est la résistance du cuivre de la bobine, prenons R = 50 

L est l'inductance, prenons L = 2,2 mH

 à fréquence constante f = 2 kHz faisons varier Veff et relevons la courbe Veff = f(Ieff)

Veff (V) Veff est proportionnel à Ieff et si on

calcule ce coefficient de
proportionnalité on trouve

Veff 3
Ieff = 52,5.10-3 = 57,1

c'est l'impédance réelle en 

Ieff (mA)
Donc, à fréquence constante, Z est
constant
et Z = 57,1 

conclusion : à fréquence constante l'impédance est constante

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



à 2 kHz, l'oscillogramme montre qu'il y a un
déphasage entre courant et tension

 0,8 div
 = 360 T = 360 10 div = 29°

si on change la valeur de Umax on observe

que  ne change pas

conclusion : à fréquence constante

l'impédance complexe est constante
sensibilités verticales :
v1 : 1 V / div.
 v2 = ri : 20 mV / div. (r = 1 )
ici Z = [ 57,1 ; 29° ] = 50 + 28 j sensibilité horizontale : 50 µs / div.





 à tension constante Ueff = 3 V et à fréquence variable 


Ueff 3
on relève : Ieff et on en déduit l'impédance réelle Z = I =I 
eff eff

 

conclusion : l'impédance varie avec la fréquence

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 calcul de Z et  avec la représentation vectorielle


I
R L loi de la maille :
    
RI UL V = R I + UL 
V

 d'où le diagramme  UL 
V I
vectoriel suivant

RI

comme V = Z I et UL = LI le diagramme vectoriel devient

et en divisant partout par I

ZI Z
L I L 
il vient
 
le triangle des impédances

RI R

les relations dans le triangle rectangle permettent de calculer

l’impédance réelle Z= R2 + (L)2

et le déphasage introduit par la bobine  = arctan L

R

application numérique : R = 50 , L = 2,2 mH, f = 2 kHz donne

L = 2,2 x 10-3 x 2x 2000 = 27,6 

Z= R2 + (L2 = 502 + 27,62 = 57,1 


  = arctan L = arctan 27,6 = 29°
R 50

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 calculs à l'aide des complexes

R L loi de la maille :
I
  
V = R I + UL

RI UL donne
V
V = R . I + UL jL I

V = R . I + jLI  I

d'où la représentation : RI

en écrivant que V = Z I = R I + jLI et en simplifiant par I

on obtient

l’impédance complexe de l'association série : Z = R + jL

Z
jL 


ce qui donne l’impédance réelle, module de Z : Z = R2 + (L2

et le déphasage introduit par la bobine, argument de Z :

 = arctan partie imaginaire de Z donc  = arctan L

partie réelle de Z R

on obtient le même résultat qu'avec les vecteurs

et plus rapidement puisqu'il n'est pas nécessaire de faire un diagramme à l'échelle

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4.3. un condensateur C en parallèle avec une résistance R


I la tension est commune
avec les deux composants 
  I 
I 
IR C
 et la loi de nœuds s'écrit  IC
V V
i(t) = iR(t) + iC(t)
R C donc 
IR
  
I = IR + IC
d'où le diagramme ci-contre

V V
et comme I = Z , IR = R et IC= C V on en déduit

V 1
I=Z I=Z
C V C
  et le triangle des admittances 
V

V 1
IR = R
R
1 1
Finalement on en déduit (Z )2 = (R )2 + (C)2
1 1 1
puis Z = (R )2 + (C)2 et Z =
1
( )2 + (C)2
R
côté opposé
de même pour la phase négative  = arctan côté adjacent   = - arctan RC

 avec le calcul complexe

l’impédance complexe obtenue rapidement en calculant d'abord l'admittance équivalente,

somme des admittances
1 1
Y = R + jC  Z =
1
+ jC
R
1
ce qui donne l’impédance réelle Z =
1
( )2 + (C)2
R  C
 le déphasage  = - arctan RC
Z

1
l’angle de pertes  = (en radians)
RC 
est défini pour un condensateur C V
ayant une résistance R de pertes
1
R
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4.4. le circuit RLC série


R L UC
 C
V
 loi de la maille
I 
   
V = R I + UL + UC V
R L 
C UL
 donne
RI  le diagramme vectoriel
UL  
 I
UC

RI

comme V = Z I et UL = LI et UC = 1 I, le diagramme vectoriel devient

C

et en divisant partout par I

1 I
C il vient
le triangle des impédances
Z
1
ZI L -
C
 
LI 1  I
L I - I
C
  R
 I

RI

les relations dans ce triangle rectangle permettent de calculer

 1 
1  L -
C 
l’impédance réelle Z= (R2 + (L- )2) et le déphasage  = arctan  
C  R 

Avec la méthode des complexes on obtient la même chose :

1 1 1
l’impédance complexe est Z = R + jL = R + jL - j = R + j(L - )
jC C C

1
elle donne l’impédance réelle Z= (R2 + (L- )2)
C
 1 
L - C 
le déphasage introduit par le circuit RLC est alors  = arctan  
 R 

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Le phénomène de résonance série

1
la fréquence de résonance fr est la fréquence pour laquelle ( Lr - )=0
Cr
1 1 1 1
 Lr =  LCr2 = 0  r2 = LC  r =  fr =
Cr LC 2 LC
à cette fréquence Z = R, Z = R,  = 0

1
et suivant la valeur de R comparée à Lr = on a
Cr

soit une résonance aiguë

soit une résonance floue.

Exemple : prenons R = 10 , L = 2,2 mH et C = 10 µF

V = 10 V
V
les formules précédentes permettent de tracer Z, Ieff = Z et  = v - i en fonction de la
fréquence de v

Z () I (mA)

f (Hz)
f (Hz)

 (°) la fréquence de résonnance est de

fr = 1073 Hz
f (Hz)

f < fr le circuit RLC série est capacitif

f = fr le circuit RLC série est résistif

f > fr le circuit RLC série est inductif

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4.5. le circuit RLC parallèle

L C
R
 
I IL

   la loi des noeud

IR IL IC    
 I = IR + IL + IC
C V
R
L donne 
le diagramme vectoriel I
des courants 
IC
 
V V V V
la longueur des vecteurs est I = Z , IR = R , IL = et IC = VC
L
on obtient les diagrammes 
IR

V 1
L L

et en divisant ou
par V
V 1 1
Z Z Z
VC C 1
C
L
    
V V
V 1 1
R R R

 1 2  1 2  1 2
de ce dernier triangle, il vient  Z  =  R  +  C
     L 

1
 Z=
1 1 2
( )2 + (C - )
R L
 = - arctan R(C - 1 )
L

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Avec la méthode des complexes on obtient la même chose :

l’impédance complexe est l'inverse de la somme des admittances :

1 1 1
Z=1 1 = 1 1 pour trouver Z =
1 1
R + jL + jC R - j L + jC R
+ j(C -
L
)

1
qui donne l’impédance réelle Z =
1 1 2
( )2 + (C - )
R L
1
et le déphasage introduit par le circuit RLC est alors  = - arctan R(C - )
L

la résonance parallèle
1
la fréquence de résonance fr est la fréquence pour laquelle (Cr - )=0
Lr
1
et comme pour le circuit série fr =
2 LC
à cette fréquence Z = R, Z = R,  = 0.

S’il n’y a pas de résistance R, R = + , l’impédance Z à la résonance est infinie,

il n’y a pas de courant qui « passe » ;

c’est pour cette raison qu’on appelle le circuit RLC parallèle « circuit bouchon ».

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Exemple : prenons R = 100 , L = 2,2 mH et C = 10 µF

V = 10 V
V
les formules précédentes permettent de tracer Z, Ieff = Z et  = v - i en fonction de la
fréquence de la tension v

Z ()
I (mA)

f (Hz) f (Hz)

belle résonance aigue !

la fréquence de résonnance est toujours

 (°) de
1
fr = = 1073 Hz
2 LC

f (Hz) f < fr le circuit RLC parallèle est inductif

f = fr le circuit RLC parallèle est résistif

f > fr le circuit RLC parallèle est capacitif

ci- dessous, R = 10 , on a alors une résonance floue

Z ()

f (Hz)

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4.6. vocabulaire et modèles électriques équivalents :

L'impédance Z

Z s’écrit R + j X où R est la résistance et X est la réactance

si X est positif, le dipôle est inductif et X = + L

1
si X est négatif, le dipôle est capacitif et X = -
C

L'admittance Y

Y s’écrit G + j B où G est la conductance et B la susceptance.

exemple :

si on trouve pour un dipôle Z à 1000 Hz une impédance de Z = 30 - 40 j

Son impédance réelle est Z = 302 + 402 = 50 ,

sa résistance est de R = 30 

1
sa réactance est de X = - 40  et correspond à un condensateur tel que = 40
C
1 1
 =CC= = 4 µF 30  4 µF
40  40 x 2 x 1000

à 1000 Hz
le schéma électrique équivalent série est

1 [1 : 0°] 1
Son admittance Y = 30 - 40 j = = [ 50 ; 0° - (-53°) ] = [ 0,020 S ; + 53° ]
[50 : - 53°]

= 0,012 + 0,016

sa conductance est de 0,012 siémens donc 12 mS

sa susceptance est de 0,016 siémens donc 16 mS

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